相互交叉芯片電容器組件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種相互交叉芯片電容器（IDC）組件8，該組件包括：具有半導(dǎo)體塊的IDC10以及基板60，該半導(dǎo)體塊具有頂部12、與頂部12相對(duì)的底部14、在頂部12和底部14之間延伸的多個(gè)側(cè)壁部16、18、20、22，以及位于側(cè)壁部16、18、20、22上的多個(gè)端子32、34、36；基板60具有頂部61，頂部61上有多個(gè)大體上平坦的豎直延伸非導(dǎo)電鄰接表面165、213，IDC10的16、18、20、22與所述多個(gè)鄰接表面165、213中的至少一些鄰接接合。
【專(zhuān)利說(shuō)明】相互交叉芯片電容器組件
【技術(shù)領(lǐng)域】【背景技術(shù)】
[0001]相互交叉芯片電容器(或叉置芯片電容器)，也簡(jiǎn)稱(chēng)為“相互交叉電容器”或者IDC，是表面安裝的無(wú)源電路器件。ICD可以安裝在不同基板上(包括陶瓷和有機(jī)基板)。這些器件通常具有類(lèi)似矩形塊的形狀，具有平坦的頂部和底部以及四個(gè)平坦側(cè)壁部。在典型的實(shí)施方式中，IDC端子或者“區(qū)域(land)”是焊料的細(xì)長(zhǎng)條，其以隔開(kāi)關(guān)系設(shè)置在IDC側(cè)壁上。這些端子通常從IDC的底部延伸到頂部。各端子的大體平坦外表面可以或多或少與其所處的側(cè)壁平齊。
[0002]具有側(cè)壁端子的IDC要安裝在其上的電基板在其頂表面上設(shè)置有多個(gè)接觸墊。這些基板接觸墊按照對(duì)應(yīng)于IDC上端子的圖案的矩形圖案排列。基板上的接觸墊初始通常通過(guò)絲網(wǎng)印刷被涂覆焊膏。接著，如通過(guò)使用拾取-放置機(jī)器將IDC放置在基板上。IDC端子的底端接觸基板接觸墊上的焊膏?；搴虸DC接著被放置在回流爐中，在此IDC端子的焊料和基板接觸件上的焊膏被回流(熔化)以將IDC端子焊接到基板接觸墊。

【發(fā)明內(nèi)容】
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0003]圖1是從頂部角度拍攝的安裝在電基板上的IDC的照片。
[0004]圖2是從頂部正面角度拍攝的安裝在電基板上的另一個(gè)IDC的照片。
[0005]圖3是安裝在電基板上的IDC的示意等距圖，在覆蓋基板接觸墊的焊帶之間設(shè)置有壩狀物。
[0006]圖4是圖3的IDC和基板的示意頂部平面圖。
[0007]圖5是圖3的IDC和基板的不意側(cè)視圖。
[0008]圖6是圖3的IDC和基板的不意端視圖。
[0009]圖7是其上具有多個(gè)凹進(jìn)部的電基板的示意等距圖。
[0010]圖8是圖7的其上安裝有IDC的基板的示意等距圖。
[0011]圖9是其上具有多個(gè)凹進(jìn)部的另一個(gè)電基板的示意等距圖。
[0012]圖10是圖9的其上安裝有IDC的基板的不意等距圖。
[0013]圖11是其上具有中心凹進(jìn)部的電基板的示意等距圖。
[0014]圖12是圖11的其上安裝有IDC的基板的不意等距圖。
[0015]圖13是將IDC上的端子與基板上的接觸墊對(duì)齊的方法的流程圖。
[0016]圖14是防止將IDC上的端子與基板上的接觸墊連接的焊料造成相鄰端子之間短路的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】[0017]總體來(lái)說(shuō)，本說(shuō)明書(shū)公開(kāi)圖3的相互交叉芯片電容器(“IDC”)組件8。組件8包括IDC10，IDClO具有頂部12、與頂部12相對(duì)的底部14、在頂部12和底部14之間延伸的多個(gè)側(cè)壁部16、18、20、22[這些在說(shuō)明書(shū)中以后被稱(chēng)為端部和側(cè)部]。多個(gè)端子32、34、36等位于側(cè)壁部16、18、20、22上。組件8還包括基板60，基板60具有頂部61，頂部61上具有多個(gè)大體平坦的豎直延伸的鄰接表面165 (圖3)、215 (圖7)等，IDClO的側(cè)壁部16、18、20、22鄰接地接合多個(gè)鄰接表面165 (圖3到圖6)或者215 (圖7)中的至少一些。
[0018]因而已經(jīng)大體上描述了 IDC組件8，現(xiàn)在將更詳細(xì)描述這種組件及其制造方法和其變化。
[0019]圖1是從頂部角度拍攝的以錯(cuò)位關(guān)系安裝在電基板60上的相互交叉芯片電容器(“IDC”)10的照片。IDClO具有矩形塊狀形狀，其具有大體上平坦的頂部12和底部14。IDClO具有大體上平坦的第一端部16和第二端部18，以及大體上平坦的第一橫向側(cè)部20和第二橫向側(cè)部22，它們?cè)诖丝偡Q(chēng)為側(cè)壁部16、18、20、22。從IDClO的頂部12延伸到底部14 的多個(gè) IDC 端子 32、34、36、38、40、42、44、46、48、50、52、54、56、58 以隔開(kāi)關(guān)系安裝在側(cè)壁部 16、18、20、22 上。
[0020]如圖1中進(jìn)一步示出的，基板60具有平坦的頂表面61，其上面排列有多個(gè)基板接觸墊 62、64、66、68、70、72、74、76、78、80、82、84、86、88。接觸墊 62,64 等可以由銅或者其它導(dǎo)電金屬形成，按照矩形圖案排列，矩形圖案的內(nèi)周對(duì)應(yīng)于IDClO的外周。接觸墊62、64等被配置為與對(duì)應(yīng)的IDC端子32、34等對(duì)準(zhǔn)。
[0021]如圖1還例示的，焊珠(solder bead，在此也稱(chēng)為“焊帶”)102、104、106、108、110、112、114、116、118、120、122、124、126、128設(shè)置在各個(gè)基板接觸墊62、64等的頂部。焊珠102、104等由初始地施加到接觸墊62、64等的焊膏(未示出)形成，并且隨后被回流以提供圖1的照片中示出的焊珠102等。在理想位置，IDC端子32等均會(huì)與對(duì)應(yīng)的基板接觸墊62等直接相對(duì)地定位，并且位于各個(gè)接觸墊62、64等上的焊珠102等會(huì)僅僅接觸對(duì)準(zhǔn)的IDC端子32等。在圖1的照片中，IDClO的位置從這個(gè)理想位置稍微扭曲。
[0022]圖2是與圖1所示不同的IDC/基板安裝嘗試的照片。圖2照片中示出的IDClO和基板60基本上與圖1照片中示出的那些相同，但是在兩個(gè)照片中，IDClO和基板60之間的錯(cuò)位有些不同。在圖1中使用的針對(duì)各種部件的相同附圖標(biāo)記也在圖2中使用。
[0023] 申請(qǐng)人:已經(jīng)發(fā)現(xiàn)IDClO和基板60之間的錯(cuò)位可以由IDClO在基板60上的初始不準(zhǔn)確放置造成，或者可以由基板到回流爐的運(yùn)動(dòng)期間IDClO的移位運(yùn)動(dòng)造成，或者可以由回流加熱期間IDClO在熔化焊料上的“漂浮”造成，或者可以由其它原因造成。與錯(cuò)位(或未對(duì)準(zhǔn))關(guān)聯(lián)的各種缺陷在圖1和圖2這些照片中示出。例如，在圖1中，IDClO的橫向側(cè)壁部22附近的焊珠106、108不與對(duì)應(yīng)的IDC端子36、38接觸。并且，在相對(duì)橫向側(cè)壁部20上，IDClO抵靠在與接觸墊86和88關(guān)聯(lián)的焊珠126、128的頂部，使得對(duì)應(yīng)的IDC端子56、58幾乎不或者不與焊珠126、128接觸。在圖2中，看上去在接觸墊64上的焊珠104與關(guān)聯(lián)的端子34錯(cuò)位使得其接觸端子32和34兩者。并且，IDClO向圖2中的左側(cè)移位得如此遠(yuǎn)使得在左側(cè)22的IDC端子定位在關(guān)聯(lián)的焊珠上面而不是在旁邊，并且與IDC側(cè)壁部20關(guān)聯(lián)的焊珠122、124、126、128不與關(guān)聯(lián)的IDC端子接觸。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是焊珠和IDC端子之間的任何這種間隔將導(dǎo)致開(kāi)路并且其中焊珠接觸兩個(gè)端子或者相鄰焊珠的任何情形將導(dǎo)致短路。在這些情形的任何一個(gè)下，IDClO將出故障。[0024] 申請(qǐng)人:對(duì)與圖1和圖2的照片關(guān)聯(lián)的問(wèn)題的方案在圖3到圖8中例示。圖3到圖5使用與圖1和圖2中使用的相同附圖標(biāo)記來(lái)指示IDClO和基板60的各個(gè)部件。在圖7和圖8中，盡管用與圖1到圖5中使用的附圖標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記描述IDC10，但基板的結(jié)構(gòu)不同，并且對(duì)基板使用不同的附圖標(biāo)記。
[0025]參照?qǐng)D3到圖6，可見(jiàn)在IDClO的各側(cè)，在每個(gè)相鄰對(duì)的基板接觸墊(例如，圖4的62,64)和與這些接觸墊關(guān)聯(lián)的珠子102、104等之間放置壩狀物162、164、166...178、180。各壩狀物162、164等可以具有比相鄰焊珠102、104等的高度大的高度，并且可以與焊珠102、104等大致共同延伸。在一個(gè)實(shí)施方式中，各壩狀物162、164等是相鄰焊珠102、104等的高度的二到三倍?？梢允褂酶鞣N技術(shù)來(lái)提供壩狀物162、164等。壩狀物162、164等由諸如阻焊劑或者硅的非導(dǎo)電材料構(gòu)成。通過(guò)在相鄰的基板接觸墊62、64等之間分配諸如硅酮材料的非導(dǎo)電、高粘性材料，可以形成壩狀物162、164等，或者替代地可以通過(guò)在將焊膏施加于接觸墊62、64等之前對(duì)這些材料進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來(lái)形成。用于形成壩狀物162等的材料在回流加熱期間可以與焊膏一起固化。在一個(gè)實(shí)施方式中，壩狀物162等具有大約200 μ m到300 μ m的高度，并且焊膏高度是大約90 μ m。壩狀物162等的一個(gè)目的是防止相鄰焊珠102、104等流到一起或者流到與IDClO上的多于一個(gè)端子32、34等接觸。壩狀物162等的另一個(gè)目的是通過(guò)提供相對(duì)高的鄰接表面來(lái)將IDClO保持在相對(duì)于基板60接觸墊62、64等的期望位置，IDClO的側(cè)壁部(以上不使用“部”，除了第一張照片)16、18、20、22可鄰接和對(duì)準(zhǔn)接觸于鄰接表面。
[0026]圖7和圖8例示放置IDClO與基板210正確對(duì)齊以及分離焊珠282、284等的方式，使得每個(gè)珠子僅僅與IDClO上的其對(duì)應(yīng)的端子36接觸并且使得焊珠282、284等從不彼此短接。如圖7最佳地示出，電基板210具有頂部212，其具有平坦的上表面214。在頂部212上形成具有與IDClO相同面積的大的中心凹陷部220。中心凹陷部220具有從其向外延伸的多個(gè)較小凹陷部或者狹槽222、224、226、228...248。基板接觸墊62、64等可以位于各狹槽222、224等的水平表面，S卩，底部，并且可以具有與關(guān)聯(lián)的狹槽大致相同的長(zhǎng)度和寬度。由大的中心凹陷部220和向外突出的狹槽222、224等提供的空穴限定多個(gè)大體矩形的隔開(kāi)的凸起部213、215、217...229、231。中心凹陷部220和狹槽222、224等限定圍繞中心凹陷部220的周邊的多個(gè)豎直壁表面272、274、276等。這些豎直壁表面272、274、276等提供鄰接表面，IDClO的側(cè)壁16、18、20、22與鄰接表面鄰接接觸，以放置IDClO的端子32、34等與接觸墊62等和基板210上的關(guān)聯(lián)的焊珠適當(dāng)對(duì)準(zhǔn)(如以下描述)。大的中心凹陷部220的深度和各個(gè)向外突出狹槽222等的深度可以是相同的，并且在一個(gè)實(shí)施方式中可以是要安裝在基板210上的IDClO的厚度(高度)的大約三分之一。在其他實(shí)施方式中，中心凹陷部分220和狹槽222等的深度可以彼此不同并且可以大于或者小于IDClO的厚度(高度)的三分之一。
[0027]如圖8所例示，焊珠282、284、286等形成在各接觸墊62、64等上，以將各接觸墊連接到IDClO上的關(guān)聯(lián)的端子32、34等。焊珠282、284等在圖8所示的實(shí)施方式中延伸得比基板210的平坦上表面214略高。在其它實(shí)施方式中，焊珠282等不延伸得與平坦上表面214 —樣高。焊珠282等通過(guò)分配在狹槽222、224等中的焊膏的回流形成。
[0028]在圖3到圖6的IDC組件8和圖7和圖8的IDC組件9兩者中，IDClO的側(cè)壁16、
18、20、22中的至少兩個(gè)接合與基板60或者210上的接觸墊62、64等具有固定關(guān)系的鄰接表面。這個(gè)接合提供IDClO上的端子32、34等和基板接觸墊62、64等之間的正確對(duì)齊。在基板60或者210上提供鄰接表面的所公開(kāi)的結(jié)構(gòu)還用于包含焊珠102、104或者282、284等，并且限制焊珠在焊料回流期間僅僅與正確的端子32、43等接觸。因而，防止在相鄰的焊珠102、104等和282等之間的橋接焊料流(其導(dǎo)致短路和開(kāi)路)。
[0029]圖9和圖10例示另一 IDC組件7。在這個(gè)組件7中，基板310具有頂部312，頂部312具有平坦頂表面314。在頂部312中形成具有與IDClO大致相同面積的大的中心凹陷部320。多個(gè)較小的凹陷部或者凹槽322、324、326等從大的中心凹陷部320橫向向外延伸。凹槽322、324、326等限定多個(gè)向內(nèi)突出的指狀物370、372、374等。在一個(gè)實(shí)施方式中，凹槽322、324、326等比中心凹陷部320略深，例如，深2_3 μ m。在各指狀物370等上形成有接觸墊342、344、346等。在各接觸墊342等的頂部形成焊珠帶406、408等。如圖10中所例示，各指狀物，例如372和關(guān)聯(lián)的接觸墊(圖10中不可見(jiàn))和焊珠帶，例如408，與放置在中心凹陷部320中的IDClO的端子例如38對(duì)準(zhǔn)。IDClO可以與以上參照?qǐng)D7和圖8描述的IDClO大致相同。IDClO的側(cè)壁部16、18、20、22與基板上限定中心凹陷部320的兩個(gè)或者更多個(gè)壁鄰接接觸，因而以與基板310的適當(dāng)線性和角度關(guān)系放置IDC10，并且將IDClO的端子32、34等與對(duì)應(yīng)的接觸墊342、344等和焊珠帶404、406等對(duì)齊。在這個(gè)實(shí)施方式中，如前所提到的，將焊珠帶404等分開(kāi)的凹槽322等比中心凹陷部320略深。因此，凹槽322等用作存儲(chǔ)庫(kù)，其束縛并保持并且隔離在焊膏施加期間可能從焊珠帶404橫向流動(dòng)的或者可能稍微橫向偏移的任何焊料。因而，在這個(gè)結(jié)構(gòu)中，凹槽322等防止與多于一個(gè)端子或者與相鄰焊珠接觸的焊珠關(guān)聯(lián)的短路。中心凹陷部的豎直側(cè)壁與IDClO的側(cè)壁16、18、20、22之間的鄰接接觸確保焊珠帶404等和IDClO的端子32、34等之間的正確對(duì)齊。中心凹陷部320的尺寸可以比IDClO的面積尺寸略大，以允許IDClO容易插入到凹陷部320中，然而不大到以至于破壞端子32、34等和焊珠帶404等之間的精密對(duì)齊。在一個(gè)實(shí)施方式中，凹陷部320的長(zhǎng)度和寬度尺寸比IDClO的長(zhǎng)度和寬度尺寸大大約5%到10%，并且凹陷部320的深度是IDClO的高度(厚度)的大約30%.[0030]在另一個(gè)實(shí)施方式中，如圖11和圖12所示，IDC組件5包括IDC10，其可以與先前描述的實(shí)施方式的那些IDC相同；以及基板510?；?10具有頂部512，頂部512具有大體上平坦的頂表面514。大的中心凹陷部520設(shè)置在基板510的頂部中。這個(gè)中心凹陷部520不同于先前描述的實(shí)施方式中的那些，它不具有從其向外延伸的狹槽。接觸墊532、534,536等在與IDClO上的端子32、34、36等的位置相對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置在基板510的頂表面514。焊珠帶564、566、568等由焊膏帶形成，可以以絲網(wǎng)印刷或者以其它方式在接觸墊532等的頂部提供焊膏帶。限定凹陷部520的豎直側(cè)壁524、526、528、530提供鄰接表面，其接合由IDClO的IDC側(cè)壁16、18、20、22提供的對(duì)應(yīng)鄰接表面，以與基板510適當(dāng)?shù)爻山嵌群途€性地將IDClO定位。在IDClO上的端子32、34等因而被放置為與在接觸墊532、534等上方形成的焊珠帶564、566、568等對(duì)齊。
[0031]圖13是將IDC上的端子與基板上的接觸墊對(duì)齊的方法的流程圖。該方法包括，如在602所示，在相鄰對(duì)接觸墊之間形成至少一個(gè)豎直延伸鄰接表面。該方法還包括，如在604所示，將IDC的至少一個(gè)側(cè)壁部推動(dòng)以與基板上的至少一個(gè)鄰接表面鄰接接合。
[0032]圖14是防止將IDC上的端子與基板上的接觸墊連接的焊料造成相鄰端子之間短路的方法的流程圖。該方法包括在接觸墊上形成焊珠帶，如在612所示。該方法還包括，如在614所示，將焊帶和端子中的至少一個(gè)與相鄰的焊帶和端子隔離。
[0033]盡管在此詳細(xì)并且明確公開(kāi)了相互交叉芯片電容器組件及其關(guān)聯(lián)方法的特定實(shí)施方式，但是在閱讀本公開(kāi)之后，這種組件和方法的各種其它實(shí)施方式對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是明顯的。旨在廣義地解釋所附的權(quán)利要求，以除了由現(xiàn)有技術(shù)限制的范圍之外覆蓋全部這些替代的實(shí)施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種相互交叉芯片電容器即IDC組件，該組件包括: IDC,該IDC包括: 半導(dǎo)體塊，具有頂部、與所述頂部相對(duì)的底部和在所述頂部和所述底部之間延伸的多個(gè)側(cè)壁部；以及 位于所述側(cè)壁部上的多個(gè)端子；以及 基板，所述基板包括頂部，所述頂部具有在其上多個(gè)非導(dǎo)電豎直延伸的鄰接表面，所述IDC的所述側(cè)壁部與所述多個(gè)鄰接表面中的至少一些鄰接地接合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中，所述基板還包括: 按照與所述IDC的所述多個(gè)端子對(duì)應(yīng)的預(yù)定圖案排列的多個(gè)接觸墊；以及鍵合到所述多個(gè)接觸墊和所述多個(gè)端子的多個(gè)焊珠。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的組件，其中，所述鄰接表面中的至少一些定位在所述多個(gè)焊珠的相鄰焊珠之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中，所述基板頂部包括由多個(gè)凹陷壁部限定的中心凹陷；所述鄰接表面包括所述多個(gè)凹陷壁部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組件，其中，所述中心凹陷具有與所述半導(dǎo)體塊的所述底部對(duì)應(yīng)的面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組件，其中，所述基板頂部包括從所述中心凹陷向外突出的多個(gè)凹槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的組件，其中，所述基板包括: 按照與所述IDC的所述多個(gè)端子對(duì)應(yīng)的預(yù)定圖案排列的多個(gè)接觸墊；以及鍵合到所述多個(gè)接觸墊和所述多個(gè)端子的多個(gè)焊珠； 其中，所述多個(gè)接觸墊位于所述多個(gè)凹槽中。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的組件，其中，所述基板包括: 按照與所述IDC的所述多個(gè)端子對(duì)應(yīng)的預(yù)定圖案排列的多個(gè)接觸墊；以及鍵合到所述多個(gè)接觸墊和所述多個(gè)端子的多個(gè)焊珠； 其中，所述多個(gè)接觸墊中的每個(gè)與所述多個(gè)凹槽中的至少一個(gè)相鄰。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組件，所述多個(gè)非導(dǎo)電豎直延伸的鄰接表面包括所述焊珠的表面部。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組件，其中，所述多個(gè)凹槽均具有比所述中心凹陷的深度大的深度。
11.一種將在相互交叉芯片電容器即IDC上的端子與基板上的接觸墊對(duì)齊的方法，該方法包括以下步驟: 在所述接觸墊中的相鄰接觸墊之間形成至少一個(gè)豎直延伸的非導(dǎo)電鄰接表面；以及 將所述IDC的至少一個(gè)側(cè)壁部推動(dòng)以與所述基板上的至少一個(gè)鄰接表面鄰接接合。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述形成至少一個(gè)鄰接表面包括形成以遵循所述IDC的形狀的預(yù)定圖案排列的多個(gè)鄰接表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述形成至少一個(gè)鄰接表面包括形成至少兩個(gè)鄰接表面，所述至少兩個(gè)鄰接表面均比位于所述兩個(gè)鄰接表面之間的接觸墊上設(shè)置的焊珠聞。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述形成至少一個(gè)鄰接表面包括在所述接觸帶的相鄰接觸帶之間形成非導(dǎo)電壩狀物。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述推動(dòng)所述IDC的至少一個(gè)側(cè)壁部與至少一個(gè)鄰接表面鄰接接合包括推動(dòng)所述IDC的兩個(gè)側(cè)壁部與所述基板上的兩個(gè)鄰接表面鄰接接合。
16.一種防止將相互交叉芯片電容器即IDC上的端子與基板上的接觸墊連接的焊料造成相鄰端子之間的短路的方法，該方法包括以下步驟: 在所述接觸墊上形成焊帶；將所述焊帶和所述端子中的至少一個(gè)從相鄰的焊帶和端子隔離。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述隔離包括:將所述焊帶和所述端子中的至少一個(gè)與在所述基板上設(shè)置的至少一個(gè)大體豎直壁隔離。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述將所述焊帶和所述端子中的至少一個(gè)與在所述基板上的至少一個(gè)大體豎直壁隔離包括將所述接觸墊和所述焊帶放置在狹槽中。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述將所述焊帶和所述端子中的至少一個(gè)隔離包括將所述接觸墊和所述焊帶放置在兩個(gè)狹槽之間的凸起部上。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述將所述焊帶和所述端子中的至少一個(gè)從相鄰的焊帶和端子隔離包括將所述IDC的側(cè)壁移動(dòng)到與在所述基板上設(shè)置的所述至少一個(gè)大體豎直壁鄰接接觸。
【文檔編號(hào)】H01G2/06GK103996532SQ201410051754
【公開(kāi)日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年2月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月14日
【發(fā)明者】A·J·D·拉帕里, F·L·卡門(mén)福蒂三世, J·P·Q·克沃 申請(qǐng)人:德克薩斯儀器股份有限公司