平面型功率mos器件及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種可減少光刻次數(shù)的平面型功率MOS器件的制造方法，步驟為：a)提供將第一導(dǎo)電類(lèi)型外延層的表面作為第一主面、將第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底的表面作為第二主面的半導(dǎo)體基板；b)在第一主面上生長(zhǎng)絕緣柵氧化層；c)淀積導(dǎo)電多晶硅；d)選擇性地掩蔽和刻蝕多晶硅，e)注入第二導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)、并推阱，形成第二導(dǎo)電類(lèi)型深阱區(qū)；f)淀積介質(zhì)層；g)形成刻蝕孔，h)選擇性地刻蝕介質(zhì)層；i)注入第一導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)并推阱形成N+區(qū)，然后；j)以介質(zhì)層為阻擋，刻蝕多晶阻擋塊和多晶阻擋塊底部剩余的柵氧化層；k)填充孔并淀積金屬，并刻蝕金屬形成源極金屬和截止環(huán)金屬；1)在第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底底部淀積金屬作為漏極。
【專(zhuān)利說(shuō)明】平面型功率MOS器件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種功率MOS器件及其制造方法，具體涉及到一種平面型功率MOS器件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管的使用和發(fā)展已經(jīng)有多年的歷史，其設(shè)計(jì)和制造方法一直在不斷地改進(jìn)，從性能上，主要是朝著高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高頻率、高可靠性的方向發(fā)展。但隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的日趨激烈，對(duì)于成本的控制要求也越來(lái)越高，如何在保證器件的性能不下降的前提下，盡量地降低制造成本，已經(jīng)成為現(xiàn)今技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的重要方向。
[0003]對(duì)于功率MOS器件來(lái)講，控制制造成本，主要有兩個(gè)方向:第一為減小芯片面積，即在同樣大小的硅片上做出更多的芯片；第二減少光刻的次數(shù)，簡(jiǎn)化制造工藝，一般來(lái)說(shuō)，生產(chǎn)成本與光刻的次數(shù)成正比，減少光刻次數(shù)對(duì)降低成本意義重大。
[0004]如圖1所示，功率MOS器件的結(jié)構(gòu)通常包括:元胞區(qū)(也稱(chēng)單胞區(qū))以及位于元胞區(qū)周?chē)慕K端保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，元胞區(qū)的元胞集成度和終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的耐壓能力共同影響著產(chǎn)品的特性，目前，傳統(tǒng)的平面型功率MOS器件，通常要經(jīng)過(guò)六至七次光刻完成，工藝步驟繁多，制造成本較高。具體的制造方法包括以下步驟:
[0005]第一步:場(chǎng)氧化層生長(zhǎng)；
[0006]第二步:保護(hù)環(huán)區(qū)光刻/刻蝕/注入/推阱(光刻版I)；
[0007]第三步:有源區(qū)光刻/刻蝕(光刻版2)；
[0008]第四步:多晶硅生長(zhǎng)/光刻/刻蝕(光刻版3)；
[0009]第五步:P阱注入推阱；
[0010]第六步:N+源極光刻/注入(光刻版4)；
[0011]第七步:介質(zhì)淀積；
[0012]第八步:接觸孔光刻/刻蝕(光刻版5)；
[0013]第九步:金屬層光刻/刻蝕(光刻版6)。
[0014]當(dāng)然，有些高壓器件還需要鈍化層保護(hù)，光刻版數(shù)會(huì)增加至七次。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是:提供一種可以減少光刻次數(shù)、從而降低制造成本的平面型功率MOS器件的制造方法。
[0016]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:平面型功率MOS器件的制造方法，其步驟為:
[0017]a)在第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底上生長(zhǎng)第一導(dǎo)電類(lèi)型外延層即第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)，形成半導(dǎo)體基板，第一導(dǎo)電類(lèi)型外延層的表面為第一主面，第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底的表面為第二主面；
[0018]b)在第一主面上生長(zhǎng)絕緣柵氧化層；[0019]c)淀積導(dǎo)電多晶娃;
[0020]d)選擇性地掩蔽和刻蝕導(dǎo)電多晶硅，形成間斷的多晶硅體；間斷的多晶硅體包括:單胞區(qū)的MOS柵極多晶、場(chǎng)限環(huán)多晶和多晶阻擋塊，多晶阻擋塊的寬度不能太大，以保證后續(xù)注入在其兩邊的第二導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)在推阱后能夠擴(kuò)散在一起；同樣，多晶阻擋塊的寬度也不能太小，以保證后續(xù)注入在其兩邊的第一導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)在推阱后不相接；
[0021]e)注入第二導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)、并熱推阱，形成第二導(dǎo)電類(lèi)型阱；此處由于推阱作用，位于多晶阻擋塊兩邊的第二導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)會(huì)擴(kuò)散相接，形成MOS的阱區(qū)；
[0022]f)淀積絕緣介質(zhì)層；
[0023]g)涂光刻膠，光刻顯影光刻膠形成孔刻蝕的掩膜結(jié)構(gòu)；
[0024]h)以g)步驟形成的掩膜，刻蝕絕緣介質(zhì)層，在單胞區(qū)中露出多晶阻擋塊；
[0025]去除光刻膠
[0026]i)以h)步中刻蝕后的絕緣介質(zhì)層以及多晶阻擋塊為阻擋層，注入第一導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，并熱推阱，形成第一導(dǎo)電類(lèi)型注入?yún)^(qū)；
[0027]j)以絕緣介質(zhì)層為阻擋，刻蝕多晶阻擋塊和多晶阻擋塊底部剩余的柵氧化層；
[0028]k)在第一主面上方淀積金屬，選擇性地掩蔽和刻蝕金屬層，形成源極金屬和截止環(huán)金屬；
[0029]I)在第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底底部淀積金屬作為漏極。
[0030]本發(fā)明還提供了一種采用本發(fā)明所述的制造方法得到的、可大幅降低制造成本的平面型功率MOS器件，包括:半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板下部為重?fù)诫s的第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底，上部為輕摻雜的第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)；半導(dǎo)體基板上設(shè)置有由并聯(lián)的單胞組成陣列布置的中心區(qū)即單胞區(qū)、位于單胞陣列外圍的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，單胞陣列通過(guò)導(dǎo)電多晶硅連成一個(gè)整體，終端保護(hù)結(jié)構(gòu)包括位于內(nèi)圈的場(chǎng)限環(huán)區(qū)和位于外圍的截止環(huán)區(qū)，場(chǎng)限環(huán)區(qū)中設(shè)置有至少一個(gè)場(chǎng)限環(huán)，截止環(huán)區(qū)設(shè)置有至少一個(gè)截止環(huán)。
[0031]所述的中心區(qū)在第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)內(nèi)間斷設(shè)置有至少一個(gè)柵極多晶硅區(qū)，所述的場(chǎng)限環(huán)區(qū)在第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)內(nèi)間斷設(shè)置有至少一個(gè)場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)，所述的柵極多晶硅區(qū)、場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)與第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)之間設(shè)有用于隔離的絕緣柵氧化層；相鄰的柵極多晶硅區(qū)之間、相鄰的場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)之間以及相鄰的柵極多晶硅區(qū)與場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)之間在第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)內(nèi)分別設(shè)置有一個(gè)第二導(dǎo)電類(lèi)型阱；中心區(qū)所對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電類(lèi)型阱內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)第一導(dǎo)電類(lèi)型注入?yún)^(qū)；所述截止環(huán)區(qū)內(nèi)對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電類(lèi)型阱內(nèi)設(shè)置有一個(gè)第一導(dǎo)電類(lèi)型注入?yún)^(qū)；第一主面上覆蓋有絕緣介質(zhì)層，絕緣介質(zhì)層在兩兩柵極多晶硅區(qū)之間以及截止環(huán)區(qū)開(kāi)設(shè)有接觸孔，中心區(qū)的絕緣介質(zhì)層和接觸孔中淀積有中心區(qū)金屬，形成源極，截止環(huán)區(qū)的絕緣介質(zhì)層和接觸孔中淀積有截止環(huán)金屬；第二主面上淀積有第二金屬，形成漏極。
[0032]所述的場(chǎng)限環(huán)區(qū)在第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)間斷設(shè)置有至少兩個(gè)場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)。
[0033]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明在形成場(chǎng)限環(huán)區(qū)內(nèi)的阱過(guò)程中，巧妙地使用多晶硅作為阻擋層來(lái)替代場(chǎng)氧阻擋層，使得場(chǎng)限環(huán)區(qū)內(nèi)阱的形成和單胞區(qū)內(nèi)阱的形成可以一起完成，這樣可以有效地省去保護(hù)環(huán)光刻版以及相應(yīng)工藝步驟；再者，由于場(chǎng)氧光刻省略，場(chǎng)氧層最初也無(wú)需形成，這樣又可以省略有源區(qū)光刻以及相應(yīng)工藝步驟，此兩次光刻的省略可以大大降低制造成本；此外，還通過(guò)巧妙地設(shè)置多晶硅阻擋塊，少了一次源極光刻過(guò)程，進(jìn)一步降低了成本。這樣一來(lái)，本發(fā)明所述的制造方法一共可以節(jié)省三次光刻，節(jié)省了制造成本近50%;另外，本發(fā)明所述的平面型功率MOS器件還可以通過(guò)改變場(chǎng)限環(huán)的數(shù)量、每個(gè)場(chǎng)限環(huán)的寬度、相鄰場(chǎng)限環(huán)的間距等參數(shù)來(lái)滿足不同擊穿電壓產(chǎn)品的需求。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0034]圖1為【背景技術(shù)】中所述的平面型功率MOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖2?圖13為本發(fā)明所述的平面型功率MOS器件在制造各階段中的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036]圖2至圖13中的附圖標(biāo)記:6、N型襯底，7、N型外延層，8、絕緣柵氧化層，91、柵極多晶硅，92、場(chǎng)限環(huán)多晶硅，93、多晶硅阻擋塊，10、P型雜質(zhì)預(yù)注區(qū)，11、P阱，12、絕緣介質(zhì)層，13、光刻膠，14、N型雜質(zhì)預(yù)注區(qū)，15、N型注入?yún)^(qū)，16、源極，17、截止環(huán)金屬，18、漏極。
【具體實(shí)施方式】
[0037]首先，以N型平面型功率MOS器件為例詳細(xì)描述本發(fā)明所述的平面型功率MOS器件的制造方法，其步驟為:
[0038]a)在重?fù)诫s的N型襯底6上生長(zhǎng)輕摻雜的N型外延層7，形成以N型外延層7(又稱(chēng)N型漂移區(qū))的表面作為第一主面和以N型襯底6的表面作為第二主面的半導(dǎo)體基板一參見(jiàn)圖2所示；
[0039]b)在第一主面上生長(zhǎng)絕緣柵氧化層8 ；
[0040]c)淀積一層導(dǎo)電多晶娃;
[0041]d)選擇性地掩蔽和刻蝕導(dǎo)電多晶硅，形成間斷的多晶硅體；間斷的多晶硅體包括:單胞區(qū)的MOS的棚極多晶娃91、場(chǎng)限環(huán)多晶娃92和多晶娃阻擋塊93 參見(jiàn)圖3所不；其中，多晶硅阻擋塊93的寬度不能太大，以保證后續(xù)注入在其兩邊的P型雜質(zhì)預(yù)注區(qū)10在推阱后形成的P阱11能夠擴(kuò)散在一起；多晶硅阻擋塊93的寬度也不能太小，以保證后續(xù)注入在其兩邊的N型雜質(zhì)預(yù)注區(qū)14在推阱后形成的N型注入?yún)^(qū)15不能相連；
[0042]e)注入硼等P型雜質(zhì)，形成P型雜質(zhì)預(yù)注入?yún)^(qū)10—參見(jiàn)圖4所示，然后熱推阱，溫度在1000至1200°C之間，形成P阱11——參見(jiàn)圖5所示；由于推阱作用，位于多晶硅阻擋塊93兩邊的P型雜質(zhì)會(huì)擴(kuò)散相接,形成MOS的阱區(qū)；
[0043]f)淀積絕緣介質(zhì)層12—參見(jiàn)圖6所示；
[0044]g)涂光刻膠13，光刻顯影光刻膠形成孔刻蝕的掩膜結(jié)構(gòu)；
[0045]h)以g)步驟中形成的掩膜刻蝕介質(zhì)層12 ;在單胞區(qū)中露出多晶阻擋塊93—參見(jiàn)圖7所示；去除光刻膠——參見(jiàn)圖8所示；
[0046]i)以h)步刻蝕后的絕緣介質(zhì)層以及多晶阻擋塊93為阻擋層，注入磷或砷等N型雜質(zhì)，形成N型雜質(zhì)預(yù)注區(qū)14—參見(jiàn)圖9所示，然后，熱推阱，溫度通常在900至KKKTC之間，由于磷或砷的原子量比硼大，相對(duì)于硼而言，推阱擴(kuò)散的速率較小，形成各自獨(dú)立(不會(huì)擴(kuò)散相接)的N型注入?yún)^(qū)15 (N+)—一參見(jiàn)圖10所示；
[0047]j)以絕緣介質(zhì)層為阻擋，刻蝕多晶阻擋塊93——參見(jiàn)圖11所示，然后刻蝕多晶阻擋塊93底部剩余的柵氧化層8—參見(jiàn)圖12所示；
[0048]k)填充孔并淀積金屬，并刻蝕金屬形成源極金屬16和截止環(huán)金屬17 ；
[0049]I)在N型襯底底部淀積金屬作為漏極18——參見(jiàn)圖13所示。[0050]實(shí)際應(yīng)用時(shí)，還需將所有單胞區(qū)內(nèi)的導(dǎo)電多晶硅相并接、并引出，形成柵極(屬于本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)，圖中未畫(huà)出)。
[0051]如圖13所示，采用本發(fā)明所述的制造方法得到的平面型功率MOS器件，其結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板下部為重?fù)诫s的N型襯底6，上部為輕摻雜的N型漂移區(qū)7 ;半導(dǎo)體基板上設(shè)置有由并聯(lián)的單胞組成陣列布置的中心區(qū)即單胞區(qū)、位于單胞陣列外圍的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，單胞陣列通過(guò)導(dǎo)電多晶硅連成一個(gè)整體并引出，形成柵級(jí)；終端保護(hù)結(jié)構(gòu)包括位于內(nèi)圈的場(chǎng)限環(huán)區(qū)和位于外圍的截止環(huán)區(qū)，場(chǎng)限環(huán)區(qū)中設(shè)置有至少一個(gè)場(chǎng)限環(huán)，截止環(huán)區(qū)設(shè)置有至少一個(gè)截止環(huán)；在本實(shí)施例中，所述的中心區(qū)在N型漂移區(qū)7上間斷設(shè)置有至少一個(gè)柵極多晶硅區(qū)91，所述的場(chǎng)限環(huán)區(qū)在N型漂移區(qū)7上間斷設(shè)置有至少兩個(gè)場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)92，所述的柵極多晶硅區(qū)91、場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)92與N型漂移區(qū)7之間設(shè)有用于隔離的絕緣柵氧化層8 ;相鄰的柵極多晶硅區(qū)91之間、相鄰的場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)92之間以及相鄰的柵極多晶硅區(qū)91與場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)92之間在N型漂移區(qū)7內(nèi)分別設(shè)置有一個(gè)P阱11 ;中心區(qū)所對(duì)應(yīng)的P阱11內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)N型注入?yún)^(qū)15 ;所述截止環(huán)區(qū)內(nèi)對(duì)應(yīng)的P阱11內(nèi)設(shè)置有一個(gè)N型注入?yún)^(qū)15 ;第一主面上覆蓋有絕緣介質(zhì)層12，絕緣介質(zhì)層12在兩兩柵極多晶硅區(qū)91之間以及截止環(huán)區(qū)開(kāi)設(shè)有接觸孔，中心區(qū)的絕緣介質(zhì)層12和接觸孔中淀積有中心區(qū)金屬，形成源極16，截止環(huán)區(qū)的絕緣介質(zhì)層12和接觸孔中淀積有截止環(huán)金屬17 ;第二主面上淀積有第二金屬，形成漏極18。
【權(quán)利要求】
1.一種平面型功率MOS器件，包括:半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板下部為重?fù)诫s的第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底，上部為輕摻雜的第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)；半導(dǎo)體基板上設(shè)置有由并聯(lián)的單胞組成陣列布置的中心區(qū)即單胞區(qū)、位于單胞陣列外圍的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，單胞陣列通過(guò)導(dǎo)電多晶硅連成一個(gè)整體，終端保護(hù)結(jié)構(gòu)包括位于內(nèi)圈的場(chǎng)限環(huán)區(qū)和位于外圍的截止環(huán)區(qū)，場(chǎng)限環(huán)區(qū)中設(shè)置有至少一個(gè)場(chǎng)限環(huán)，截止環(huán)區(qū)設(shè)置有至少一個(gè)截止環(huán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型功率MOS器件，其特征在于:所述的中心區(qū)在第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)上間斷設(shè)置有至少一個(gè)柵極多晶硅區(qū)，所述的場(chǎng)限環(huán)區(qū)在第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)上間斷設(shè)置有至少一個(gè)場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)，所述的柵極多晶硅區(qū)、場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)與第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)之間設(shè)有用于隔離的絕緣柵氧化層；相鄰的柵極多晶硅區(qū)之間、相鄰的場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)之間以及相鄰的柵極多晶硅區(qū)與場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)之間在第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)內(nèi)分別設(shè)置有一個(gè)第二導(dǎo)電類(lèi)型阱；中心區(qū)所對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電類(lèi)型阱內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)第一導(dǎo)電類(lèi)型注入?yún)^(qū)；所述截止環(huán)區(qū)內(nèi)對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電類(lèi)型阱內(nèi)設(shè)置有一個(gè)第一導(dǎo)電類(lèi)型注入?yún)^(qū)；第一主面上覆蓋有絕緣介質(zhì)層，絕緣介質(zhì)層在兩兩柵極多晶硅區(qū)之間及截止環(huán)區(qū)開(kāi)設(shè)有接觸孔，中心區(qū)的絕緣介質(zhì)層和接觸孔中淀積有中心區(qū)金屬，形成源極，截止環(huán)區(qū)的絕緣介質(zhì)層和接觸孔中淀積有截止環(huán)金屬；第二主面上淀積有第二金屬，形成漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平面型功率MOS器件，其特征在于:所述的場(chǎng)限環(huán)區(qū)在第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)間斷設(shè)置有至少兩個(gè)場(chǎng)限環(huán)多晶硅區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型功率MOS器件的制造方法，其步驟為: a)在第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底上生長(zhǎng)第一導(dǎo)電類(lèi)型外延層即第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)，形成半導(dǎo)體基板，第一導(dǎo)電類(lèi)型外延層的表面為第一主面，第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底的表面為第二主面； b)在第一主面上生長(zhǎng)絕緣柵氧化層； c)淀積導(dǎo)電多晶硅； d)選擇性地掩蔽和刻蝕導(dǎo)電多晶硅，形成間斷的多晶硅體；間斷的多晶硅體包括:單胞區(qū)的MOS柵極多晶、場(chǎng)限環(huán)多晶和多晶阻擋塊，多晶阻擋塊的寬度不能太大，以保證后續(xù)注入在其兩邊的第二導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)在推阱后能夠擴(kuò)散在一起；同樣，多晶阻擋塊的寬度也不能太小，以保證后續(xù)注入在其兩邊的第一導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)在推阱后不相接； e)注入第二導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)、并熱推阱，形成第二導(dǎo)電類(lèi)型阱；此處由于推阱作用，位于多晶阻擋塊兩邊的第二導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)會(huì)擴(kuò)散相接，形成MOS的阱區(qū)； f)淀積絕緣介質(zhì)層； g)涂光刻膠，光刻顯影光刻膠形成孔刻蝕的掩膜結(jié)構(gòu)； h)以g)步驟形成的掩膜，刻蝕絕緣介質(zhì)層，在單胞區(qū)中露出多晶阻擋塊；去除光刻膠； i)Wh)步中刻蝕后的絕緣介質(zhì)層以及多晶阻擋塊為阻擋層，注入第一導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)，并熱推阱，形成第一導(dǎo)電類(lèi)型注入?yún)^(qū)； j)以絕緣介質(zhì)層為阻擋，刻蝕多晶阻擋塊和多晶阻擋塊底部剩余的柵氧化層； k)在第一主面上方淀積金屬，選擇性地掩蔽和刻蝕金屬層，形成源極金屬和截止環(huán)金屬； I)在第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底底部淀積金屬作為漏極。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK103779415SQ201410024892
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2014年1月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月20日
【發(fā)明者】殷允超, 丁磊 申請(qǐng)人:張家港凱思半導(dǎo)體有限公司