GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管材料及方法
【專利摘要】本發(fā)明是GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管半導(dǎo)體材料的外延結(jié)構(gòu)及方法，其結(jié)構(gòu)是半絕緣GaAs襯底上是GaAs緩沖層（2）；緩沖層上是第一勢(shì)壘層（3）；第一勢(shì)壘層上是第一平面摻雜層（4）；第一平面摻雜層上是第一隔離層（5）；第一隔離層上是溝道層（6）；溝道層上是第二隔離層（7）；第二隔離層上是第二平面摻雜層；第二平面摻雜層（8）上是第二勢(shì)壘層（9）；第二勢(shì)壘層上是接觸層（10）。優(yōu)點(diǎn)：1）由于在勢(shì)阱生長(zhǎng)過(guò)程中采用交替生長(zhǎng)超晶格結(jié)構(gòu)，消除了應(yīng)變弛豫，可以增加勢(shì)阱中InGaAs勢(shì)阱中In的組分；2）In組分增加能夠明顯增加勢(shì)阱中二維電子氣限制效應(yīng)；3）In含量的增加直接增加了PHEMT材料遷移率。
【專利說(shuō)明】GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管材料及方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及的是一種GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管(PHEMT)材料的外延結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)方法，屬于含有超晶格溝道層PHEMT外延生長(zhǎng)【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，贗配高電子遷移晶體管(PHEMT)，主要生長(zhǎng)在GaAs襯底上。GaAs PHEMT均采用InGaAs作為溝道層。GaAs PHEMT中溝道In組分在20%左右。傳統(tǒng)PHEMT生長(zhǎng)主要兩種方式:單異質(zhì)結(jié)和雙異質(zhì)結(jié)。單異質(zhì)結(jié)主要結(jié)構(gòu)為直接在溝道上生長(zhǎng)勢(shì)壘層，將二維電子氣限制在溝道與勢(shì)壘界面處的三角勢(shì)阱中。雙異質(zhì)結(jié)的主要結(jié)構(gòu)是在生長(zhǎng)溝道前先生長(zhǎng)勢(shì)壘層，生長(zhǎng)溝道層后再生長(zhǎng)另一層勢(shì)壘層，這樣由于溝道層禁帶寬度小，能夠在溝道層內(nèi)形成方勢(shì)阱。雙異質(zhì)結(jié)與單異質(zhì)結(jié)相比具有如下優(yōu)點(diǎn):1)方勢(shì)阱的引入容易提高了二維電子氣的濃度和遷移率。2)方勢(shì)阱更容易將電子束縛在勢(shì)阱中，增強(qiáng)了電子限制效應(yīng)，有效的降低器件的噪聲。3)由于勢(shì)壘與襯底晶格匹配，溝道中In含量可適度提高。但是，為了進(jìn)一步提高溝道內(nèi)二維電子氣的濃度和遷移率需要不斷的增加溝道中In的含量，當(dāng)In含量足夠大時(shí)溝道與勢(shì)壘及襯底之間存在較大的晶格失配，晶格失配的產(chǎn)生有如下影響:1)在溝道內(nèi)部產(chǎn)生失配位錯(cuò)。2)失配位錯(cuò)的產(chǎn)生增加了對(duì)二維電子氣的散射，使二維電子氣遷移率降低。3)失配位錯(cuò)的產(chǎn)生，引起器件漏電。為了降低失配位錯(cuò)，減小溝道層厚度是有效的方法，但是溝道層的厚度不能無(wú)限減小，因此必須在In含量與溝道層厚度之間折中考慮。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提出的是一種GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管(PHEMT)材料的外延結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)方法，其目的旨在針對(duì)GaAs PHEMT內(nèi)溝道In組分過(guò)大引起失配位錯(cuò)、以及增強(qiáng)溝道內(nèi)二維電子氣限制效應(yīng)，在勢(shì)壘層上生長(zhǎng)寬禁帶AlGaAs與InGaAs形成超短周期超晶格，這種超晶格屬于混合結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)帶隙的平滑過(guò)渡。因?yàn)锳lGaAs與GaAs襯底晶格匹配，生長(zhǎng)過(guò)程中不斷增加超晶格中In含量，由于超晶格中InGaAs厚度極薄，能夠有效緩解應(yīng)力影響，同時(shí) 能夠顯著提高三角勢(shì)阱底InGaAs中In含量。通過(guò)超晶格結(jié)構(gòu)形成，在不引入位錯(cuò)的情況下，可最大限度的增加InGaAs溝道中In含量，提高二維電子氣的濃度和遷移率。本發(fā)明不僅可以生長(zhǎng)高In組分的單晶薄膜，還可以在其上繼續(xù)生長(zhǎng)各種單晶材料及器件結(jié)構(gòu)(如發(fā)光二極管、探測(cè)器、激光器、晶體管等)。所涉及的薄膜外延方法可以利用MOCVD (金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積)、MBE (分子束外延)、UHVCVD (超高真空化學(xué)汽相沉積)等外延生長(zhǎng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)解決方案是=GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管半導(dǎo)體材料的外延結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)包括半絕緣GaAs襯底上(l)>GaAs緩沖層(2)、第一 AlGaAs勢(shì)壘層(3)、第一平面摻雜層(4)、第一隔離層(5)、溝道層(6)、第二隔離層(7)、第二平面摻雜層(8)、第二勢(shì)壘層(9)、接觸層(10)，其中半絕緣GaAs襯底上(I)上是GaAs緩沖層(2);在緩沖層(2)上是A勢(shì)壘層(3);第一 AlGaAs勢(shì)壘層(3)上是第一平面摻雜層(4);第一平面摻雜層(4)上是第一隔離層(5);第一隔離層(5)上是溝道層(6);溝道層(6)上是第二隔離層(7);第二隔離層(7)上是第二平面摻雜層(8);第二平面摻雜層(8)上是第二勢(shì)壘層(9);第二勢(shì)壘層(9)上是接觸層(10)。
[0005]GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管半導(dǎo)體材料的方法，
1)在GaAs襯底上生長(zhǎng)GaAs緩沖層(2)；
2)在GaAs緩沖層(2)上生長(zhǎng)第一AlGaAs勢(shì)壘層(3)；
3)在第一AlGaAs勢(shì)壘層(3)上生長(zhǎng)第一平面摻雜層(4)；
4)在第一平面摻雜層(4)上生長(zhǎng)第一AlGaAs隔離層(5)；
5)在第一AlGaAs隔離層(5)上生長(zhǎng)溝道層(6)；
6)在InGaAs溝道(6)上生長(zhǎng)第二隔離層(7)；
7)在第二隔離層(7)上生長(zhǎng)第二平面摻雜層(8)；
8)在第二平面摻雜層(8)上生長(zhǎng)第二勢(shì)壘層(9)；
9)在第二AlGaAs勢(shì)壘層(9)上生長(zhǎng)GaAs高摻雜接觸層(10)。
[0006]本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):1)由于在勢(shì)阱生長(zhǎng)過(guò)程中采用交替生長(zhǎng)超晶格結(jié)構(gòu)，消除了應(yīng)變弛豫，可以增加勢(shì)阱中InGaAs勢(shì)阱中In的組分。2)In組分增加能夠明顯增加勢(shì)阱中二維電子氣限制效應(yīng)。3) In含量的增加直接增加了 PHEMT材料遷移率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]附圖1是GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管(PHEMT)材料的外延結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]附圖2是PHEMT中三角形勢(shì)阱的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]對(duì)照附圖，GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管半導(dǎo)體材料的外延結(jié)構(gòu)，包括半絕緣GaAs襯底上(I)、GaAs緩沖層(2)、第一 AlGaAs勢(shì)壘層(3)、第一平面摻雜層(4)、第一隔離層(5)、溝道層(6)、第二隔離層(7)、第二平面摻雜層(8)、第二勢(shì)壘層(9)、接觸層
[10]，其中半絕緣GaAs襯底上(I)上是GaAs緩沖層(2);在緩沖層(2)上是A勢(shì)壘層(3)；第一 AlGaAs勢(shì)壘層(3)上是第一平面摻雜層(4);第一平面摻雜層(4)上是第一隔離層(5);第一隔離層(5)上是溝道層(6);溝道層(6)上是第二隔離層(7);第二隔離層(7)上是第二平面摻雜層(8);第二平面摻雜層(8)上是第二勢(shì)壘層(9);第二勢(shì)壘層(9)上是接觸層(10)。
[0010]所述的溝道層(6)的結(jié)構(gòu)是交替生長(zhǎng)的超晶格結(jié)構(gòu)(I);在超晶格結(jié)構(gòu)(I)上是InGaAs溝道(II)，InGaAs溝道(II )上是重復(fù)生長(zhǎng)的超晶格結(jié)構(gòu)(III)。
[0011]所述的第一 AlGaAs勢(shì)壘層(3)厚度為15?30nm ;第二 AlGaAs隔離層(5)的厚度為l(T20nm;第二隔離層(7)的厚度為l(T20nm ;第二勢(shì)壘層(9)的厚度為15?30nm。
[0012]所述的第一平面摻雜層(4)的濃度為f2E12cm_2 ;第二平面摻雜層(8)濃度為I ?2E12cnT2。
[0013]所述的GaAs接觸層(10)厚度為l(T30nm，摻雜濃度為I?2E19cm_3。
[0014]GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管半導(dǎo)體材料的方法，包括以下步驟: 1)在GaAs襯底上生長(zhǎng)GaAs緩沖層(2)；
2)在GaAs緩沖層(2)上生長(zhǎng)第一AlGaAs勢(shì)壘層(3)；
3)在第一AlGaAs勢(shì)壘層(3)上生長(zhǎng)第一平面摻雜層(4)；
4)在第一平面摻雜層(4)上生長(zhǎng)第一AlGaAs隔離層(5)；
5)在第一AlGaAs隔離層(5)上生長(zhǎng)溝道層(6)；
6)在InGaAs溝道(6)上生長(zhǎng)第二隔離層(7)；
7)在第二隔離層(7)上生長(zhǎng)第二平面摻雜層(8)；
8)在第二平面摻雜層(8)上生長(zhǎng)第二勢(shì)壘層(9)；
9)在第二AlGaAs勢(shì)壘層(9)上生長(zhǎng)GaAs高摻雜接觸層(10)。
[0015]所述的溝道層(6)的生長(zhǎng)方法:首先生長(zhǎng)AlGaAs/InGaAs超晶格結(jié)構(gòu)(I)，然后生長(zhǎng)InGaAs溝道(II),最后生長(zhǎng)AlGaAs/InGaAs超晶格結(jié)構(gòu)(III)形成三角形勢(shì)講，所述的AlGaAs/InGaAs超晶格(I)厚度為0.5?1.5nm，周期為5?10 ; InGaAs溝道(I I)厚度為2?5nm ；超晶格(III)周期數(shù)和厚度與超晶格(I)相同只是生長(zhǎng)順序相反，即靠近隔離層先生長(zhǎng)改為靠近勢(shì)壘層先生長(zhǎng)。
[0016]所述GaAs緩沖層(2)生長(zhǎng)在半絕緣GaAs襯底(I)的表面，GaAs緩沖層(2)厚度為 30(T500nm。
[0017]實(shí)施例1
1)選擇半絕緣GaAs襯底，利用MBE技術(shù)進(jìn)行生長(zhǎng)；
2)在生長(zhǎng)之前加熱到400攝氏度，烘烤30分鐘；
3)將襯底放入生長(zhǎng)腔室，在As氣氛保護(hù)下，升溫至580攝氏度，除去氧化膜；迅速降溫至560度生長(zhǎng)GaAs緩沖層500nm，然后生長(zhǎng)IOnm AlGaAs勢(shì)壘層；
4)生長(zhǎng)完AlGaAs后生長(zhǎng)平面摻雜層，采用Si摻雜，濃度為lE12cm'
5)生長(zhǎng)完Si平面摻雜層后生長(zhǎng)AlGaAs隔離層IOnm；
6)生長(zhǎng)完隔離層后生長(zhǎng)AlGaAsAs/InGaAs超晶格，超晶格周期為0.5nm，共5個(gè)，In含量從20%,增加至Ij 30% ；
7)生長(zhǎng)超晶格后生長(zhǎng)2nm厚InGaAs溝道；
8)生長(zhǎng)完InGaAs溝道后生長(zhǎng)AlGaAs/InGaAs超晶格，超晶格周期為0.5nm，共5個(gè)，In含量從30%減小到20% ；
9)生長(zhǎng)完溝道后，生長(zhǎng)IOnmAlGaAs隔離層，以及l(fā)E12cnT2平面摻雜層和15nm AlGaAs
勢(shì)魚(yú)層；
10)最后生長(zhǎng)IOnmGaAs接觸層,摻雜濃度為2E18cnT3 ；
11)生長(zhǎng)結(jié)束后降至室溫。
[0018]實(shí)施例2
1)選擇半絕緣GaAs襯底，利用MBE技術(shù)進(jìn)行生長(zhǎng)；
2)在生長(zhǎng)之前加熱到400攝氏度，烘烤30分鐘；
3)將襯底放入生長(zhǎng)腔室，在As氣氛保護(hù)下，升溫至580攝氏度，除去氧化膜；迅速降溫至560攝氏度生長(zhǎng)GaAs緩沖層500nm,然后生長(zhǎng)15nm AlGaAs勢(shì)魚(yú)層；
4)生長(zhǎng)完AlGaAs后生長(zhǎng)平面摻雜層，采用Si摻雜，濃度為lE12cm_2；
5)生長(zhǎng)完Si平面摻雜層后生長(zhǎng)AlGaAs隔離層15nm； 6)生長(zhǎng)完隔離層后生長(zhǎng)AlGaAsAs/InGaAs超晶格，超晶格周期為lnm，共10個(gè)，In含量從20%,增加至Ij 30% ；
7)生長(zhǎng)超晶格后生長(zhǎng)2nm厚InGaAs溝道；
8)生長(zhǎng)完InGaAs溝道后生長(zhǎng)AlGaAs/InGaAs超晶格，超晶格周期為lnm，共10個(gè)，In含量從30%減小到20% ；
9)生長(zhǎng)完溝道后，生長(zhǎng)15nmAlGaAs隔離層，以及l(fā)E12cnT2平面摻雜層和20nm AlGaAs
勢(shì)魚(yú)層；
10)最后生長(zhǎng)IOnmGaAs接觸層,摻雜濃度為2E18cnT3 ；
11)生長(zhǎng)結(jié)束后降至室溫。
[0019]實(shí)施例3
1)選擇半絕緣GaAs襯底，利用MBE技術(shù)進(jìn)行生長(zhǎng)；
2)在生長(zhǎng)之前加熱到400攝氏度，烘烤30分鐘；
3)將襯底放入生長(zhǎng)腔室，在As氣氛保護(hù)下，升溫至580攝氏度，除去氧化膜；迅速降溫至560度生長(zhǎng)GaAs緩沖層500nm，然后生長(zhǎng)20nm AlGaAs勢(shì)壘層；
4)生長(zhǎng)完AlGaAs后生長(zhǎng)平面摻雜層，采用Si摻雜，濃度為lE12cm_2；
5)生長(zhǎng)完Si平面摻雜層后生長(zhǎng)AlGaAs隔離層20nm；
6)生長(zhǎng)完隔離層后生長(zhǎng)AlGaAsAs/InGaAs超晶格，超晶格周期為1.5nm，共10個(gè)，In含量從20%,增加至Ij 30% ；
7)生長(zhǎng)超晶格后生長(zhǎng)2nm厚InGaAs溝道；
8)生長(zhǎng)完InGaAs溝道后生長(zhǎng)AlGaAs/InGaAs超晶格，超晶格周期為lnm，共10個(gè)，In含量從30%減小到20% ；
9)生長(zhǎng)完溝道后，生長(zhǎng)20nmAlGaAs隔離層，以及l(fā)E12cnT2平面摻雜層和30nm AlGaAs
勢(shì)魚(yú)層；
10)最后生長(zhǎng)IOnmGaAs接觸層,摻雜濃度為2E18cnT3 ；
11)生長(zhǎng)結(jié)束后降至室溫。
[0020]實(shí)施例4
1)選擇半絕緣GaAs襯底，利用MBE技術(shù)進(jìn)行生長(zhǎng)；
2)在生長(zhǎng)之前加熱到400攝氏度，烘烤30分鐘；
3)將襯底放入生長(zhǎng)腔室，在As氣氛保護(hù)下，升溫至580攝氏度，除去氧化膜；迅速降溫至560度生長(zhǎng)GaAs緩沖層500nm，然后生長(zhǎng)30nm AlGaAs勢(shì)壘層；
4)生長(zhǎng)完AlGaAs后生長(zhǎng)平面摻雜層，采用Si摻雜，濃度為lE12cm_2；
5)生長(zhǎng)完Si平面摻雜層后生長(zhǎng)AlGaAs隔離層15nm；
6)生長(zhǎng)完隔離層后生長(zhǎng)AlGaAsAs/InGaAs超晶格，超晶格周期為lnm，共5個(gè)，In含量從20%,增加至Ij 30% ；
7)生長(zhǎng)超晶格后生長(zhǎng)2nm厚InGaAs溝道；
8)生長(zhǎng)完InGaAs溝道后生長(zhǎng)AlGaAs/InGaAs超晶格，超晶格周期為lnm，共10個(gè)，In含量從30%減小到20% ；
9)生長(zhǎng)完溝道后，生長(zhǎng)150nmAlGaAs隔離層，以及l(fā)E12cnT2平面摻雜層和20nm AlGaAs
勢(shì)壘層； 10)最后生長(zhǎng)IOnmGaAs接觸層,摻雜濃度為2E18cnT3 ；
11)生長(zhǎng)結(jié)束后降至室溫。
[0021]實(shí)施例5
1)選擇半絕緣GaAs襯底，利用MBE技術(shù)進(jìn)行生長(zhǎng)；
2)在生長(zhǎng)之前加熱到400攝氏度，烘烤30分鐘；
3)將襯底放入生長(zhǎng)腔室，在As氣氛保護(hù)下，升溫至580攝氏度，除去氧化膜；迅速降溫至560度生長(zhǎng)GaAs緩沖層500nm，然后生長(zhǎng)20nm AlGaAs勢(shì)壘層；
4)生長(zhǎng)完AlGaAs后生長(zhǎng)平面摻雜層，采用Si摻雜，濃度為lE12cm_2；
5)生長(zhǎng)完Si平面摻雜層后生長(zhǎng)AlGaAs隔離層15nm；
6)生長(zhǎng)完隔離層后生長(zhǎng)AlGaAsAs/InGaAs超晶格，超晶格周期為lnm，共10個(gè)，In含量從20%,增加至Ij 30% ；
7)生長(zhǎng)超晶格后生長(zhǎng)2nm厚InGaAs溝道；
8)生長(zhǎng)完溝道后，生長(zhǎng)150nmAlGaAs隔離層，以及l(fā)E12cnT2平面摻雜層和20nm AlGaAs
勢(shì)魚(yú)層；
9)最后生長(zhǎng)IOnmGaAs接觸層,摻雜濃度為2E18cnT3 ；
10)生長(zhǎng)結(jié)束后降至室溫。
【權(quán)利要求】
1.GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管半導(dǎo)體材料的外延結(jié)構(gòu)，其特征是包括半絕緣GaAs襯底上(l)、GaAs緩沖層(2)、第一AlGaAs勢(shì)魚(yú)層(3)、第一平面摻雜層(4)、第一隔離層(5)、溝道層(6)、第二隔離層(7)、第二平面摻雜層(8)、第二勢(shì)壘層(9)、接觸層(10)，其中半絕緣GaAs襯底上(I)上是GaAs緩沖層(2);在緩沖層(2)上是AlGaAs勢(shì)壘層(3)；第一 AlGaAs勢(shì)壘層(3)上是第一平面摻雜層(4);第一平面摻雜層(4)上是第一隔離層(5);第一隔離層(5)上是溝道層(6);溝道層(6)上是第二隔離層(7);第二隔離層(7)上是第二平面摻雜層(8);第二平面摻雜層(8)上是第二勢(shì)壘層(9);第二勢(shì)壘層(9)上是接觸層(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管半導(dǎo)體材料的外延結(jié)構(gòu)，其特征是所述的溝道層(6)的結(jié)構(gòu)是交替生長(zhǎng)的超晶格結(jié)構(gòu)(I)上是InGaAs溝道(II)，InGaAs溝道(II)上是重復(fù)生長(zhǎng)的超晶格結(jié)構(gòu)(III)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管半導(dǎo)體材料的外延結(jié)構(gòu)，其特征是所述的第一 AlGaAs勢(shì)壘層(3)厚度為15?30nm ;第二 AlGaAs隔離層(5)的厚度為l(T20nm ;第二隔離層(7)的厚度為l(T20nm ;第二勢(shì)壘層(9)的厚度為15?30nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管半導(dǎo)體材料的外延結(jié)構(gòu)，其特征是所述的第一平面摻雜層(4)的濃度為r2E12cnT2 ;第二平面摻雜層(8)濃度為 I?2E12cnT2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管半導(dǎo)體材料的外延結(jié)構(gòu)，其特征是所述的GaAs接觸層(10)厚度為l(T30nm，摻雜濃度為f 2E19cm_3。
6.如權(quán)利要求1所述的GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管半導(dǎo)體材料的方法，其特征是包括以下步驟: 1)在GaAs襯底上生長(zhǎng)GaAs緩沖層(2)； 2)在GaAs緩沖層(2)上生長(zhǎng)第一AlGaAs勢(shì)壘層(3)； 3)在第一AlGaAs勢(shì)壘層(3)上生長(zhǎng)第一平面摻雜層(4)； 4)在第一平面摻雜層(4)上生長(zhǎng)第一AlGaAs隔離層(5)； 5)在第一AlGaAs隔離層(5)上生長(zhǎng)溝道層(6)； 6)在InGaAs溝道(6)上生長(zhǎng)第二隔離層(7)； 7)在第二隔離層(7)上生長(zhǎng)第二平面摻雜層(8)； 8)在第二平面摻雜層(8)上生長(zhǎng)第二勢(shì)壘層(9)； 9)在第二AlGaAs勢(shì)壘層(9)上生長(zhǎng)GaAs高摻雜接觸層(10)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管半導(dǎo)體材料的方法，其特征是所述的溝道層(6)的生長(zhǎng)方法:首先生長(zhǎng)AlGaAs/InGaAs超晶格結(jié)構(gòu)(I)，然后生長(zhǎng)InGaAs溝道(II),最后生長(zhǎng)AlGaAs/InGaAs超晶格結(jié)構(gòu)(III)形成三角形勢(shì)講，所述的AlGaAs/InGaAs超晶格(I)厚度為0.5?1.5nm，周期為5?10個(gè)；InGaAs溝道(II)厚度為2飛nm ;超晶格(III)周期數(shù)和厚度與超晶格(I)相同只是生長(zhǎng)順序相反，即靠近隔離層先生長(zhǎng)改為靠近勢(shì)壘層先生長(zhǎng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述GaAs襯底上生長(zhǎng)贗配高電子遷移晶體管(PHEMT)半導(dǎo)體材料的外延結(jié)構(gòu)，其特征是所述GaAs緩沖層(2)生長(zhǎng)在半絕緣GaAs襯底(I)的表面,GaAs緩沖層(2)厚度為 30(T500nm。
【文檔編號(hào)】H01L29/778GK103779405SQ201410000153
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2014年1月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月2日
【發(fā)明者】高漢超, 尹志軍 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所