Rf標(biāo)簽的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種RF標(biāo)簽,其構(gòu)成為具備:具備IC芯片(11)與天線(12)的嵌體(10)、與嵌體(10)以絕緣狀態(tài)進(jìn)行層疊的面狀的輔助天線(20)、和層疊嵌體(10)及輔助天線(20)的基材(50),輔助天線(20)形成為長(zhǎng)邊是嵌體(10)的電波頻率的波長(zhǎng)的大致1/4長(zhǎng)度的呈矩形狀的面狀,并且具有將一條長(zhǎng)邊二分為嵌體(10)的電波頻率的波長(zhǎng)的各大致1/8長(zhǎng)度的切口部(21),切口部(21)形成為在一條長(zhǎng)邊的邊緣部開口且具有能配置嵌體(10)的IC芯片(11)的給定的寬度與深度的凹形狀。
【專利說(shuō)明】RF標(biāo)簽
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及被粘貼在例如飲料用途、填充各種液體而被使用的塑料瓶或玻璃瓶、 罐容器或袋容器等金屬容器等的任意物品來(lái)使用的RF標(biāo)簽。
[0002] 再有,本發(fā)明涉及被粘貼在例如鋁制的容器或具備金屬制筐體的加熱器等的金屬 容器、金屬物品來(lái)使用的RF標(biāo)簽。
【背景技術(shù)】
[0003] -般,對(duì)于任意的物品或?qū)ο笪飦?lái)說(shuō),內(nèi)置有能讀寫地存儲(chǔ)該物品或?qū)ο笪锵嚓P(guān) 的給定信息的1C芯片的所謂RF標(biāo)簽正被廣泛使用。
[0004] RF 標(biāo)簽也被稱為 RFID (Radio Frequency Identification,射頻識(shí)別)標(biāo)簽、1C 標(biāo) 簽、非接觸標(biāo)簽等,是把利用樹脂薄膜等基材將具備1C芯片與無(wú)線天線的電子電路密封/ 涂敷的所謂嵌體(插入物)形成為標(biāo)簽(行李簽)狀而構(gòu)成的超小型的通信終端,通過(guò)讀 取/寫入裝置(讀寫器)以無(wú)線的方式向標(biāo)簽內(nèi)的1C芯片讀取/寫入/讀寫(只讀/ 一 次寫入/讀寫)給定的信息。
[0005] 而且,通過(guò)在這種RF標(biāo)簽中寫入給定的信息并安裝到任意的物品、對(duì)象物等,從 而由讀寫器拾取RF標(biāo)簽所記錄的信息,可以將標(biāo)簽所記錄的信息作為與該物品相關(guān)的給 定信息來(lái)識(shí)別、輸出、顯示、更新等。
[0006] 這種RF標(biāo)簽在1C芯片的存儲(chǔ)器中能記錄幾百比特?幾千比特的數(shù)據(jù),作為與物 品等相關(guān)的信息可記錄足夠的信息量,還能以非接觸的方式與讀取/寫入裝置側(cè)進(jìn)行通 信,因此也不存在接點(diǎn)的磨耗或損傷、污垢等的擔(dān)心,還因?yàn)闃?biāo)簽自身可以設(shè)成無(wú)電源,所 以可實(shí)現(xiàn)符合對(duì)象物的加工或小型化/薄型化。
[0007] 而且,通過(guò)使用這種RF標(biāo)簽,從而能記錄安裝標(biāo)簽的物品相關(guān)的各種信息、例如 該物品的名稱或識(shí)別記號(hào)、內(nèi)容物、成分、管理者、使用者、使用狀態(tài)、使用狀況、日期時(shí)間等 各種信息,僅通過(guò)將實(shí)施了小型化/薄型化的標(biāo)簽安裝于物品就能正確地讀寫在被印刷顯 示于標(biāo)簽表面上的字符或條形碼等中不可能的多種多樣的信息。
[0008] 可是,這種RF標(biāo)簽例如在安裝到填充液體等來(lái)使用的塑料瓶或玻璃瓶的情況下, 容易受到容器內(nèi)的內(nèi)容物(水分)的影響,還有在安裝到罐容器或袋容器等金屬制的容器 /物品的情況下,受到金屬的導(dǎo)電性的影響,存在通信距離變化或無(wú)法進(jìn)行正確的無(wú)線通信 等的問(wèn)題。為此,若將通常所通用的RF標(biāo)簽直接安裝于飲料用容器或金屬制的物品,則產(chǎn) 生標(biāo)簽誤動(dòng)作、或不能進(jìn)行與讀寫器的無(wú)線通信的問(wèn)題。
[0009] 尤其,在使用UHF段的高頻段的電波方式的RF標(biāo)簽中,與使用135KHZ或13. 56MHz 頻段的電磁感應(yīng)方式的情況相比,通信距離增長(zhǎng),相反因水的吸收或金屬的反射等,存在通 信特性容易被大大損及的問(wèn)題。
[0010] 再有,例如在日本通過(guò)電波法的修改,對(duì)于RF標(biāo)簽來(lái)說(shuō)從迄今使用的UHF頻段的 950MHz 頻段(950-958MHz :8MHz 寬度)向 920MHz 頻段(915-930MHz :15MHz 寬度)過(guò)渡,由 此能利用的頻段被擴(kuò)大。
[0011] 在使用這種過(guò)渡后的920MHz頻段的RF標(biāo)簽中也不能避免上述的金屬的影響,強(qiáng) 烈期望采取有效的對(duì)策。
[0012] 在此,作為使RF標(biāo)簽中的通信特性提高的手段,提出由面狀的貼片天線來(lái)構(gòu)成RF 標(biāo)簽所具備的天線(例如參照專利文獻(xiàn)1、2)。
[0013] RF標(biāo)簽的通信特性被天線尺寸產(chǎn)生的增益所左右,因此通過(guò)將RF標(biāo)簽所具備的 天線形成為面狀來(lái)增大天線尺寸,從而能大大地確保通信距離并使通信特性提高。
[0014] 【在先技術(shù)文獻(xiàn)】
[0015] 【專利文獻(xiàn)】
[0016] 【專利文獻(xiàn)1】JP特開2009-081689號(hào)公報(bào)
[0017] 【專利文獻(xiàn)2】JP特開2010-062941號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0018] _發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題-
[0019] 然而,專利文獻(xiàn)1、2所公開的那種以往提出的具備面狀天線的RF標(biāo)簽,僅僅將天 線形成為面狀,并未對(duì)RF標(biāo)簽的通信頻率特性進(jìn)行考慮。
[0020] 為此,僅僅將天線形成為面狀,存在因RF標(biāo)簽的通信頻率而不會(huì)使通信特性提高 的擔(dān)憂。
[0021] 例如,專利文獻(xiàn)1所記載的技術(shù),將被粘接于信用卡表面的RF標(biāo)簽作為對(duì)象,被分 配給包含天線的標(biāo)簽的面積自身狹小,根據(jù)與標(biāo)簽的通信頻率的關(guān)系來(lái)設(shè)計(jì)面狀天線的大 小或形狀在事實(shí)上是不可能的。再有,對(duì)于信用卡所具備的RF標(biāo)簽而言,與讀寫器之間的 通信以幾乎接近于接觸狀態(tài)的極短的距離來(lái)進(jìn)行,而且標(biāo)簽與讀寫器以一對(duì)一的關(guān)系進(jìn)行 通信,根據(jù)與標(biāo)簽的通信頻率的關(guān)系來(lái)設(shè)計(jì)/調(diào)整面狀天線的大小或形狀的做法自身尤其 不需要。
[0022] 同樣,專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù),為了降低金屬面的影響,因而采用面狀的貼片天 線作為天線,對(duì)于天線的大小或形狀而言,在與標(biāo)簽的通信頻率的關(guān)系方面并未進(jìn)行考慮。
[0023] 為此,專利文獻(xiàn)1、2所公開的RF標(biāo)簽中,即便將天線形成為面狀/貼片狀,因標(biāo)簽 的通信頻率也不能獲得良好的通信特性,與讀寫器的通信距離也只能確保較短的距離。
[0024] 因此,很難有效地避免安裝到例如填充液體等而被使用的塑料瓶或玻璃瓶的情況 下的容器內(nèi)容物(水分)的影響、金屬制物品的導(dǎo)電性的影響。
[0025] 還有,在這樣通信距離短、與讀寫器之間只能進(jìn)行一對(duì)一的通信的專利文獻(xiàn)1、2 所記載的RF標(biāo)簽中,不能用讀寫器一并識(shí)別多個(gè)RF標(biāo)簽,例如無(wú)法將RF標(biāo)簽粘貼到多個(gè) 物品中的每一個(gè)上來(lái)一并進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取等。
[0026] 進(jìn)而,專利文獻(xiàn)1、2所提出的RF標(biāo)簽以被安裝于信用卡或鋼鐵產(chǎn)品、金屬模具、制 造設(shè)備等的平面部分為前提,例如并未考慮安裝于彎曲形狀的金屬制容器或金屬制筐體等 的曲面部分。
[0027] -般而言,在鋁制的金屬容器或具備金屬制筐體的加熱器中具備平緩的彎曲形 狀,該情況下,安裝RF標(biāo)簽的安裝面成為具有一定曲率的曲面的情況也不少。因此,在采用 金屬應(yīng)對(duì)用的構(gòu)成的情況下,需要可以對(duì)那種曲面可靠地進(jìn)行安裝,且不會(huì)毫無(wú)準(zhǔn)備地產(chǎn) 生剝離/脫落等的安裝構(gòu)造,但在上述的專利文獻(xiàn)1、2所公開的RF標(biāo)簽中,沒(méi)有針對(duì)向那 種曲面部分的安裝進(jìn)行考慮。
[0028] 本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)所具有的課題而提出的,目的在于,提供一種RF 標(biāo)簽,通過(guò)形成與RF標(biāo)簽的通信頻率對(duì)應(yīng)的面狀的天線,從而可以獲得與各通信頻率相應(yīng) 的良好的通信特性,可以有效地避免/減低水分或金屬的影響,即便對(duì)于多個(gè)RF標(biāo)簽也能 一并進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取,且適于填充液體等來(lái)使用的塑料瓶或玻璃瓶。
[0029] 再有,本發(fā)明的目的在于提供一種RF標(biāo)簽,通過(guò)形成與RF標(biāo)簽的通信頻率對(duì)應(yīng)的 面狀的天線,從而可以獲得與各通信頻率相應(yīng)的良好的通信特性,可以有效地避免/減低 金屬的影響,并且即便在安裝場(chǎng)所為曲面的情況下也不會(huì)使剝離或脫落等產(chǎn)生,可以可靠 地進(jìn)行安裝,尤其適于向鋁制的金屬容器或具備金屬制筐體的加熱器等的表面的曲面部分 安裝。
[0030] _用于解決問(wèn)題的技術(shù)手段-
[0031] 為了達(dá)成上述目的,本發(fā)明的RF標(biāo)簽構(gòu)成為具備:具備1C芯片與天線的嵌體、與 嵌體以絕緣狀態(tài)進(jìn)行層疊的面狀的輔助天線、和層疊嵌體及輔助天線的基材,輔助天線形 成為長(zhǎng)邊為嵌體的電波頻率的波長(zhǎng)的大致1/4長(zhǎng)度的呈矩形狀的面狀,并且具有將一條長(zhǎng) 邊二分為嵌體的電波頻率的波長(zhǎng)的各大致1/8長(zhǎng)度的切口部,切口部形成為在一條長(zhǎng)邊的 邊緣部開口且具有能配置嵌體的1C芯片的給定的寬度與深度的凹形狀。
[0032] 再有,為了達(dá)成上述目的,本發(fā)明的RF標(biāo)簽構(gòu)成為具備:具備1C芯片與天線的嵌 體、與嵌體以絕緣狀態(tài)進(jìn)行層疊的面狀的輔助天線、和搭載所層疊的嵌體及輔助天線的基 材,輔助天線形成為對(duì)置的一對(duì)短邊及與這一對(duì)短邊鄰接的一條長(zhǎng)邊是嵌體的電波頻率的 波長(zhǎng)的大致1/2長(zhǎng)度的矩形狀,并且在一條長(zhǎng)邊的中央部具備在該長(zhǎng)邊的邊緣部開口且形 成具有能配置嵌體的1C芯片的給定的寬度與深度的凹形狀的中央切口部,在一條或另一 條長(zhǎng)邊,在夾著中央切口部的兩側(cè)具備在該長(zhǎng)邊的邊緣部開口的一對(duì)左右切口部。
[0033] -發(fā)明效果-
[0034] 根據(jù)本發(fā)明,通過(guò)形成與RF標(biāo)簽的通信頻率對(duì)應(yīng)的面狀的天線,從而可以獲得與 各通信頻率相應(yīng)的良好的通信特性。
[0035] 由此,可以有效地避免/減低水分或金屬的影響,對(duì)于多個(gè)RF標(biāo)簽而言也能一并 進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取,可以實(shí)現(xiàn)適于被粘貼到多個(gè)容器被一并裝箱搬運(yùn)的填充液體等使用的塑 料瓶或玻璃瓶、尤其是威士忌、葡萄酒、日本酒等高級(jí)酒用瓶等上的簽條用標(biāo)簽的RF標(biāo)簽。
[0036] 再有,根據(jù)本發(fā)明,通過(guò)形成與RF標(biāo)簽的通信頻率對(duì)應(yīng)的面狀的天線,從而可以 獲得與各通信頻率相應(yīng)的良好的通信特性,可以有效地避免/減低金屬的影響,并且即便 在安裝場(chǎng)所為曲面的情況下也能不使剝離或脫落等產(chǎn)生而可靠地進(jìn)行安裝。
[0037] 由此,尤其可以實(shí)現(xiàn)適于向鋁制的金屬容器或具備金屬制筐體的加熱器等的表面 的曲面部分安裝的RF標(biāo)簽。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0038] 圖1示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽,是表示使用了被粘貼于容器的簽 條作為標(biāo)簽的基材的RF標(biāo)簽的俯視圖,(a)表示從簽條背面(粘貼面)側(cè)看到的狀態(tài)、(b) 表示從簽條表面?zhèn)瓤吹降臓顟B(tài)。
[0039] 圖2是將圖1所示的RF標(biāo)簽的嵌體與輔助天線及基材分解開的狀態(tài)的立體圖,與 圖1(a)對(duì)應(yīng)地示出從簽條背面(粘貼面)側(cè)看到的狀態(tài)。
[0040] 圖3是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽的嵌體與輔助天線的俯視圖, (a)表示將輔助天線層疊至嵌體的狀態(tài)、(b)表示輔助天線的長(zhǎng)邊的尺寸關(guān)系。
[0041] 圖4示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的將其他輔助天線形成為網(wǎng)眼狀的RF標(biāo)簽, 是將嵌體與輔助天線及基材分解開的狀態(tài)的立體圖,與圖1(a)對(duì)應(yīng)地示出從簽條背面(粘 貼面)側(cè)看到的狀態(tài)。
[0042] 圖5是將構(gòu)成本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽的簽條粘貼至表面(瓶背面) 的容器的外觀圖。
[0043] 圖6是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽的通信距離及通信范圍的說(shuō)明 圖,(a)是本發(fā)明涉及的RF標(biāo)簽、(b)是以往的RF標(biāo)簽的情況。
[0044] 圖7是將粘貼了構(gòu)成本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽的簽條的容器多瓶(6 瓶)同時(shí)打包/裝箱的狀態(tài)的外觀圖。
[0045] 圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽的外觀立體圖,(a)表示RF標(biāo) 簽的完成狀態(tài)、(b)表示將構(gòu)成RF標(biāo)簽的表層、嵌體、輔助天線、基材分解開的狀態(tài)。
[0046] 圖9是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽的輔助天線的俯視圖,(a)表示 將嵌體層疊至輔助天線的狀態(tài)、(b)及(c)表示輔助天線的長(zhǎng)邊及短邊的尺寸關(guān)系。
[0047] 圖10是將本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽粘貼到對(duì)象物的表面(曲面)的 狀態(tài)的外觀圖。
[0048] 圖11是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽的通信特性(能通信范圍與頻 率的關(guān)系)的折線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0049] 以下,參照附圖對(duì)本發(fā)明涉及的RF標(biāo)簽的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0050][第一實(shí)施方式]
[0051] 首先參照?qǐng)D1?7來(lái)說(shuō)明本發(fā)明涉及的RF標(biāo)簽的第一實(shí)施方式。
[0052] 圖1示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1,是使用了被粘貼于容器的簽條 作為標(biāo)簽的基材50的形態(tài)的俯視圖,(a)表示從簽條背面(粘貼面)側(cè)看到的狀態(tài)、(b)表 示從簽條表面?zhèn)瓤吹降臓顟B(tài)。
[0053] 再有,圖2是將圖1所示的RF標(biāo)簽1的嵌體10與輔助天線20及基材50分解開 的狀態(tài)的立體圖,與圖1(a)對(duì)應(yīng)地示出從簽條背面(粘貼面)側(cè)看到的狀態(tài)。
[0054] 如這些圖所示,本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1將面狀的輔助天線20層疊配置于構(gòu) 成進(jìn)行無(wú)線通信的RF標(biāo)簽的嵌體10,將這些嵌體10、輔助天線20層疊于基材50的表面而 構(gòu)成RF標(biāo)簽1。
[0055] 具體是,如圖2所示,本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1構(gòu)成為具備:具備1C芯片11與 天線12的嵌體10、以絕緣狀態(tài)與嵌體10層疊的面狀的輔助天線20、以及層疊了嵌體10及 輔助天線20的基材50。
[0056] 而且,本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1中,輔助天線20與嵌體10的通信頻率對(duì)應(yīng)地 形成為給定的形狀/大小,該輔助天線20在基材50上相對(duì)于嵌體10而被層疊配置于給定 位置。
[0057] 以下,對(duì)各部詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。
[0058] [嵌體]
[0059] 嵌體10構(gòu)成能與未圖示的讀寫器(讀取/寫入裝置)之間進(jìn)行基于無(wú)線的給定信 息的讀取或?qū)懭?、讀寫的RF標(biāo)簽,例如有只讀型(read only)、一次寫入型(write once)、 讀與型等種類。
[0060] 具體是,嵌體10具有1C芯片11、及與1C芯片11電導(dǎo)通/連接的天線12,這些1C 芯片11及天線12搭載并形成于成為基材的例如由PET樹脂等形成的1枚密封薄膜13上 后,與另一枚密封薄膜13重合,在被2枚密封薄膜13夾持的狀態(tài)下被密封/保護(hù)。
[0061] 本實(shí)施方式中,使用由長(zhǎng)方形狀的密封薄膜13對(duì)1C芯片11與在1C芯片11的兩 側(cè)延伸的天線12進(jìn)行夾持/密封而成的矩形狀的嵌體10。
[0062] 1C芯片11由存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體芯片構(gòu)成,例如能記錄幾百比特?幾千比特的數(shù)據(jù)。
[0063] 按照包圍芯片周圍的方式將環(huán)狀的電路導(dǎo)體連接至1C芯片11而形成環(huán)路部1 la, 經(jīng)由該環(huán)路部11a,在1C芯片11的左右兩側(cè)連接有天線12。
[0064] 而且,經(jīng)由該天線12及后述的輔助天線20,可與未圖示的讀寫器之間進(jìn)行基于無(wú) 線通信的讀寫(數(shù)據(jù)調(diào)用/登記/刪除/更新等),能識(shí)別1C芯片11所記錄的數(shù)據(jù)。 [0065] 作為1C芯片11所記錄的數(shù)據(jù),例如能記錄商品的識(shí)別代碼、名稱、重量、內(nèi)容量、 制造/銷售者名、制造場(chǎng)所、制造年月日、使用期限等任意的數(shù)據(jù),也能改寫。
[0066] 天線12是通過(guò)在成為基材的1枚密封薄膜13的表面上例如利用蝕刻加工等將導(dǎo) 電性墨水或具有導(dǎo)電性的鋁蒸鍍膜等金屬薄膜成型為給定的形狀/大小(長(zhǎng)度、面積)而 形成的。
[0067] 密封薄膜13例如由聚乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯、聚酰亞胺等具 有可撓性的薄膜材料構(gòu)成,優(yōu)選由能從外部視覺(jué)辨認(rèn)密封的1C芯片11/天線12的透明的 PET樹脂等構(gòu)成。再有,可以在密封薄膜13的單面?zhèn)鹊谋∧け砻姘凑漳芟蚧幕蛭锲氛迟N 的方式具備粘合層/粘接層。
[0068] 作為嵌體10所使用的通信頻段,在本實(shí)施方式的RF標(biāo)簽1中,將屬于所謂UHF頻 段的860M?960MHz頻段作為對(duì)象。
[0069] 一般,作為在RF標(biāo)簽中使用的頻段,例如有135kHz以下的頻段、13. 56MHz頻段、屬 于UHF頻段的860M?960MHz頻段、2. 45GHz頻段等幾種頻段。而且,根據(jù)所使用的頻段的 不同,能夠?qū)嵤o(wú)線通信的通信距離也會(huì)不同,并且根據(jù)頻段的不同,最佳的天線長(zhǎng)等或布 線圖案也不同。
[0070] 本實(shí)施方式中,因嵌體10可小型化、還有將后述的輔助天線20形成為給定尺寸的 關(guān)系,將波長(zhǎng)短且天線可小型化的UHF頻段作為對(duì)象,例如將953MHz頻段或920MHz頻段作 為對(duì)象,在這些頻段中可獲得良好的通信特性。
[0071] 其中,如果沒(méi)有嵌體10或輔助天線20的大小的制約,本發(fā)明涉及的技術(shù)思想自身 當(dāng)然也能適用于UHF頻段以外的頻段。
[0072] [輔助天線]
[0073] 所述輔助天線20作為用于提高/調(diào)整上述嵌體10的通信特性的特殊的天線發(fā)揮 功能,如圖2及圖3所示,由層疊配置于嵌體10的單面?zhèn)鹊拿鏍畹膶?dǎo)電性部件構(gòu)成,與被密 封薄膜13樹脂密封的嵌體10處于絕緣狀態(tài)。
[0074] S卩,嵌體10整體被密封薄膜13樹脂密封,與由導(dǎo)電性部件構(gòu)成的輔助天線20在 物理方面處于絕緣狀態(tài)。而且,通過(guò)將這種輔助天線20直接層疊于嵌體10,從而輔助天線 20與嵌體10的1C芯片11隔著密封薄膜13而對(duì)置配置,通過(guò)所謂的電容耦合來(lái)實(shí)現(xiàn)電連 接。
[0075] 由此,通過(guò)將輔助天線20在縱向(高度方向)上層疊于嵌體10,從而由嵌體10的 天線12與輔助天線20構(gòu)成二維天線,輔助天線20作為通信電波的增強(qiáng)器發(fā)揮功能,實(shí)現(xiàn) 嵌體10的通信特性的調(diào)整/提高。
[0076] 輔助天線20例如可以通過(guò)在PET樹脂等成為基材的薄膜的表面利用蝕刻加工等 將導(dǎo)電性墨水或具有導(dǎo)電性的鋁蒸鍍膜等金屬薄膜成型為給定的形狀/大小(長(zhǎng)度、面積) 而形成。
[0077] 圖3表示本實(shí)施方式涉及的輔助天線的俯視圖,該圖(a)表示將輔助天線層疊于 嵌體的狀態(tài),該圖(b)表示輔助天線的長(zhǎng)邊的尺寸關(guān)系。
[0078] 如該圖所示,在本實(shí)施方式中,輔助天線20形成為短邊比嵌體10的短邊還長(zhǎng)且長(zhǎng) 邊比嵌體10的長(zhǎng)邊稍短的矩形/面狀。
[0079] 而且,特別是矩形的長(zhǎng)邊形成為嵌體10的電波頻率的波長(zhǎng)的大致1/4長(zhǎng)度。
[0080] 進(jìn)而,在矩形長(zhǎng)邊的一條長(zhǎng)邊形成切口部21,該切口部將該長(zhǎng)邊二分為嵌體10的 電波頻率的波長(zhǎng)的各大致1/8長(zhǎng)度。
[0081] 切口部21形成為在輔助天線20的一條長(zhǎng)邊的邊緣部開口且具有能夠配置嵌體10 的1C芯片11的給定寬度與深度的凹形狀。
[0082] 首先,根據(jù)貼片天線的原理,通過(guò)將輔助天線20的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度取通信電波的波長(zhǎng) 的1/2、1/4、1/8從而能實(shí)現(xiàn)匹配。另一方面,根據(jù)輔助天線20的長(zhǎng)度來(lái)規(guī)定RF標(biāo)簽1整 體的大小。例如在設(shè)為1/2波長(zhǎng)的情況下,尺寸過(guò)長(zhǎng)(過(guò)大),根據(jù)謀求小型化的RF標(biāo)簽的 性質(zhì)來(lái)說(shuō)并不優(yōu)選。
[0083] 因而,本實(shí)施方式中將輔助天線20的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度設(shè)為嵌體10的電波頻率的波長(zhǎng) 的大致1/4長(zhǎng)度。
[0084] 再有,在將面狀的輔助天線20層疊于嵌體10的情況下,若輔助天線20與嵌體10 的1C芯片11重疊,則因形成輔助天線20的導(dǎo)電性部件會(huì)損及1C芯片11的通信特性。
[0085] SP,在嵌體10的1C芯片11附近形成環(huán)路電路(環(huán)路部11a),該環(huán)路部11a是以 實(shí)現(xiàn)阻抗的匹配為目的,且為了進(jìn)行磁場(chǎng)分量下的通信而被設(shè)計(jì)的,需要使該磁場(chǎng)分量不 會(huì)被輔助天線20的導(dǎo)體阻礙。
[0086] 因而,在將輔助天線20與嵌體10重疊并進(jìn)行層疊時(shí),按照1C芯片11所處的部分 不存在輔助天線20的導(dǎo)電性部件的方式形成切口部21。
[0087] 進(jìn)而,在形成該切口部21時(shí),按照輔助天線20的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度、即嵌體10的電波頻 率的波長(zhǎng)的大致1/4長(zhǎng)度成為該頻率的波長(zhǎng)的大致1/8長(zhǎng)度的方式,將切口部21形成在把 上述長(zhǎng)邊二分為嵌體10的電波頻率的波長(zhǎng)的各大致1/8長(zhǎng)度的位置上。
[0088] 另外,切口部21的大?。▽挾燃吧疃龋┲灰侵辽倥c嵌體10的1C芯片11重疊 且輔助天線20并不存在的大小即可,還有通過(guò)酌情調(diào)整該切口部21的寬度及深度,從而根 據(jù)1C芯片11的電波頻率或后述的框體50的材質(zhì)、來(lái)自安裝RF標(biāo)簽1的物品的影響等,可 以實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。
[0089] 因此,切口部21是至少能夠配置1C芯片11的大小,其寬度及深度只要能在輔助 天線20的大小的范圍內(nèi)酌情進(jìn)行調(diào)整/變更即可。
[0090] 更具體的是,例如在嵌體10的通信頻率為953MHz的情況下, 314.8nim、入 / 4 : 78.7mm、X / 8-、39.4mm。
[0091] 因此,輔助天線20形成為長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度為78. 7mm前后,如此形成切口部21的一條 長(zhǎng)邊被二分成各自為39. 4mm前后的長(zhǎng)度。
[0092] 再有,例如在嵌體10的通信頻率為920MHz的情況下,XN326.0mm、 九/4H,5mm、X>/8N40.8mm 〇
[0093] 因此,輔助天線20形成為長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度為81. 5mm前后,由此形成切口部21的一條 長(zhǎng)邊被二分成各自為40. 8mm前后的長(zhǎng)度。
[0094] 另外,通常嵌體構(gòu)成為天線+成為基材的PET層的2層(UHF標(biāo)簽),或者進(jìn)一步在 PET層之下設(shè)有阻抗調(diào)整天線而構(gòu)成為3層。
[0095] 為此,在本實(shí)施方式涉及的嵌體10中,PET層被作為導(dǎo)體的輔助天線20與嵌體10 的天線12夾持,這樣形成的構(gòu)造產(chǎn)生波長(zhǎng)縮短效應(yīng),通過(guò)利用該P(yáng)ET層,從而可縮短外觀的 波長(zhǎng)。PET的相對(duì)介電常數(shù)大約為"4"。
[0096] 為此,本實(shí)施方式中的輔助天線20的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度也是大概的值,只要是大約 入/4、大約A /8的值就足夠了,長(zhǎng)度會(huì)根據(jù)RF標(biāo)簽1的框體50的材質(zhì)、標(biāo)簽的使用環(huán)境、 使用形態(tài)等引起的通信特性的變化而上下變動(dòng)。
[0097] 再有,形成于輔助天線20的切口部21形成為:以所使用的嵌體10的尺寸為基準(zhǔn) 來(lái)設(shè)定、且輔助天線20的導(dǎo)電性部件與嵌體10的1C芯片11的部分不重疊的寬度及深度。
[0098] 具體是,首先關(guān)于切口部21的寬度,以嵌體10的1C芯片11的環(huán)路部11a的寬度 為基準(zhǔn),形成為輔助天線20的導(dǎo)體與1C芯片11及環(huán)路部11a不重疊、或者與1C芯片11 不重疊而與環(huán)路部11a的周緣的一部分重疊那樣的大小。例如,在環(huán)路部11a的寬度的尺 寸為15?18mm程度的情況下,切口部21的寬度設(shè)為約10?20mm的范圍的長(zhǎng)度。
[0099] 再有,關(guān)于切口部21的深度,以嵌體10的寬度(短邊方向的長(zhǎng)度)和環(huán)路部11a 的上部的位置為基準(zhǔn)來(lái)設(shè)定,以使得天線導(dǎo)體至少與1C芯片11不重疊。例如嵌體10的寬 度為10?30mm程度的情況下,切口部21的深度設(shè)為約5?20mm的范圍的長(zhǎng)度。
[0100] 另外,在可對(duì)嵌體1〇進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫之際輔助天線20中流動(dòng)的電流僅在面狀的 輔助天線20的周緣部分流動(dòng)(表皮效應(yīng))。
[0101] 因而,輔助天線20只要具有帶有上述的切口部21的凹形狀的周緣外形,就能將面 狀部分形成為例如網(wǎng)眼(mesh)狀、格子狀等。
[0102] 圖4是表示將輔助天線20形成為網(wǎng)眼(mesh)狀的形態(tài)的分解立體圖。
[0103] 如該圖所示,通過(guò)將輔助天線20形成為網(wǎng)眼狀等,從而不會(huì)因表皮效應(yīng)而損及作 為天線的功能,且可以減少輔助天線20整體的導(dǎo)體部分的面積,可節(jié)省形成輔助天線20的 導(dǎo)電性墨水等導(dǎo)體材料,可以實(shí)現(xiàn)RF標(biāo)簽1的進(jìn)一步的低成本化。
[0104] [基材]
[0105] 基材50是層疊上述的嵌體10及輔助天線20的襯紙、成為基材的薄片狀、薄膜狀 部件。
[0106] 本實(shí)施方式中,如圖1及圖5所示,基材50由被粘貼于瓶100等飲料瓶、飲料容器 等的表面的簽條片構(gòu)成,嵌體10及輔助天線20被層疊于簽條片的飲料瓶粘貼面?zhèn)取?br>
[0107] 圖5是將構(gòu)成本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1的簽條粘貼到表面(瓶背面)的瓶100 的外觀圖。
[0108] 如圖1及圖5所示,基材50形成為薄片狀,該薄片狀形成比所層疊的嵌體10及輔 助天線20的外形大一圈的矩形狀,以便將所層疊配置的嵌體10及輔助天線20完全地覆蓋 隱藏。
[0109] 而且,在該基材50的一面?zhèn)取⒕唧w是在構(gòu)成基材50的簽條薄片的與瓶100的表面 對(duì)置的面(瓶粘貼面、簽條背面)側(cè)層疊配置嵌體10與輔助天線20。
[0110] 另一方面,在基材50的另一面(簽條表面)側(cè)通過(guò)印刷等顯不與瓶100中填充 的內(nèi)容物相關(guān)的給定信息(內(nèi)容物名、種類、產(chǎn)地、成分、國(guó)名、價(jià)格、條形碼等)(參照?qǐng)D 1(b))。
[0111] 在此,基材50例如可以通過(guò)紙、合成紙、由聚乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、 聚丙烯、聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成的具有可撓性的薄片材料、薄膜材料形成。
[0112] 而且,這種基材50借助粘接劑等將配設(shè)了嵌體10與輔助天線20的簽條背面?zhèn)日?貼于瓶100的表面,難以被剝離地被配置/固定粘接于瓶100的表面。
[0113] 由此,配設(shè)于基材50的簽條背面的嵌體10及輔助天線20整體被基材50覆蓋,保 護(hù)其不受來(lái)自外部的沖擊或環(huán)境變化等損傷,可作為RF標(biāo)簽起作用。
[0114] 再有,由于嵌體10與輔助天線20成為被基材50遮擋住的狀態(tài),因此不會(huì)露出到 瓶100的表面,從外部不能得知配置嵌體10與輔助天線20后由簽條來(lái)構(gòu)成RF標(biāo)簽1。
[0115] 因此,不能得知RF標(biāo)簽1的存在,還能有效地防止RF標(biāo)簽1所對(duì)應(yīng)的剝離/破壞 等。
[0116] [通信特性]
[0117] 以下參照?qǐng)D6、圖7,說(shuō)明由以上的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1的通信 特性。
[0118] 圖6是表示本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1的通信距離及通信范圍的說(shuō)明圖,(a)是 本發(fā)明涉及的RF標(biāo)簽的情況、(b)是以往的RF標(biāo)簽的情況。
[0119] 該圖中,用斜線(陰影)表示的范圍表示利用讀寫器讀取了粘貼至容器表面的RF 標(biāo)簽所記錄的數(shù)據(jù)的情況下的能讀取的距離與范圍(角度),將讀寫器與簽條(RF標(biāo)簽)的 正面對(duì)置的位置設(shè)為0°,來(lái)示意性示出使讀寫器與簽條(RF標(biāo)簽)的對(duì)置位置向360°旋 轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)后的情況下的能讀取的距離與范圍(角度)。
[0120] 其中,在此示出RF標(biāo)簽1使用了通信頻率920MHz、輸出27dBm的讀寫器的情況。
[0121] 在為圖6(a)所示的本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1的情況下,將簽條(RF標(biāo)簽1)的 正面作為0°,可知在360°旋轉(zhuǎn)方向的整個(gè)方向上能夠利用讀寫器實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀取。
[0122] 再有,對(duì)于能用讀寫器進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取的通信距離而言,可知在簽條(RF標(biāo)簽1) 的正面?zhèn)惹胺?15°?45°的范圍內(nèi)也有100cm以上的通信距離,在簽條(RF標(biāo)簽1)的正 橫向90° /270°?正后方向180°的位置處也有50cm以上的通信距離。
[0123] 進(jìn)而,可知在通信距離最短的簽條(RF標(biāo)簽1)的斜后方135°的位置處也有10cm 前后的通信距離,在容器的360°整周方向上能夠進(jìn)行讀寫器的讀取。
[0124] 另一方面,圖6 (b)所示的以往的RF標(biāo)簽不具備本實(shí)施方式涉及的輔助天線20,可 知:該情況下,雖然在簽條(RF標(biāo)簽1)的正面前方的0°?45°的范圍內(nèi)能夠?qū)嵤┗谧x 寫器的數(shù)據(jù)讀取,但在除去該范圍之外的45°?315°的范圍內(nèi)不能進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取。
[0125] 再有,可知:對(duì)于通信距離而言,僅在能實(shí)施讀寫器的數(shù)據(jù)讀取的簽條(RF標(biāo)簽1) 的正面前方的0°?45°的范圍內(nèi)能獲得10cm前后的通信距離,但在其他范圍完全不能進(jìn) 行數(shù)據(jù)的讀取。
[0126] 接下來(lái),為了將以上的本實(shí)施方式的RF標(biāo)簽1與以往的RF標(biāo)簽加以比較,在將粘 貼了 RF標(biāo)簽的瓶100打包/收納于6瓶裝的箱的狀態(tài)下進(jìn)行了基于讀寫器的讀取。
[0127] 再有,圖7是將被粘貼了構(gòu)成本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1 (或以往的RF標(biāo)簽)的 簽條的瓶100多瓶(6瓶)同時(shí)裝箱/打包后的狀態(tài)的外觀圖。
[0128] 在對(duì)該圖所示的瓶100的裝箱狀態(tài)進(jìn)行了基于讀寫器的讀取時(shí),在各自粘貼了 圖6(a)示出的本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1的裝箱瓶中,基于讀寫器的讀取率在通信距離 50cm的范圍內(nèi)成為讀取率99. 3%,在改變箱內(nèi)的瓶100的朝向而多次進(jìn)行讀取時(shí)讀取率變 成 100%。
[0129] 由此可知,在本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1中,即便在將瓶100多瓶(6瓶)裝箱后 的狀態(tài)下,也能利用讀寫器來(lái)讀取各個(gè)RF標(biāo)簽1的數(shù)據(jù),作為RF標(biāo)簽有效地發(fā)揮功能。
[0130] 另一方面,在粘貼了圖6 (b)示出以往的RF標(biāo)簽的裝箱瓶中,讀寫器的讀取率的上 限為35%,且也僅能在通信距離為3cm程度的范圍內(nèi)進(jìn)行讀取。
[0131] 由此可知,在以往的RF標(biāo)簽中,在將瓶100多瓶(6瓶)裝箱后的狀態(tài)下不能作為 RF標(biāo)簽起作用。
[0132] 因此,例如在管理多個(gè)/大量/多種容器并進(jìn)行出廠處理等的情況下,通過(guò)使用本 實(shí)施方式的RF標(biāo)簽1,從而可以大幅地減低產(chǎn)品管理失誤,出庫(kù)時(shí)的產(chǎn)品管理變得極其容 易,可以實(shí)現(xiàn)勞動(dòng)時(shí)間的縮短或商品(牌子)的價(jià)值提高等。
[0133] 如以上所說(shuō)明過(guò)的,根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的RF標(biāo)簽1,將以絕緣狀態(tài)與嵌 體10層疊配置的輔助天線20形成為矩形的面狀,并且使該面狀的輔助天線20的外形/大 小與嵌體10的通信頻段對(duì)應(yīng)而設(shè)定為給定的大小。即,將構(gòu)成輔助天線20的矩形面的長(zhǎng) 邊的長(zhǎng)度設(shè)定成嵌體10的電波頻率的波長(zhǎng)的大致1/4長(zhǎng)度,且在該矩形長(zhǎng)邊的一條長(zhǎng)邊形 成將該長(zhǎng)邊二分為嵌體10的電波頻率的波長(zhǎng)的各大致1/8長(zhǎng)度的切口部21,該切口部21 形成為具有能夠配置嵌體10的1C芯片11那樣的給定寬度與深度的凹形狀。
[0134] 這樣,通過(guò)設(shè)計(jì)輔助天線20,從而使輔助天線20與可層疊的嵌體10的通信頻率對(duì) 應(yīng),可以調(diào)整嵌體10的通信特性,能夠使嵌體10的通信特性符合頻段而設(shè)定/調(diào)整為最佳 的狀態(tài)。
[0135] 因此,例如根據(jù)嵌體10的種類或通信特性來(lái)設(shè)定輔助天線20的外形/面積,由此 可以使該嵌體10獲得最佳的通信特性,可以延長(zhǎng)與讀寫器之間的通信距離。再有,僅更換 輔助天線20就能使之與不同的通信頻率相對(duì)應(yīng),也可以提高作為RF標(biāo)簽的通用性或擴(kuò)展 性。
[0136] 由此,即便變更RF標(biāo)簽1所使用的嵌體10,也能獲得與各通信頻率相應(yīng)的良好的 通信特性,可確保足夠的通信距離,可以有效地避免/減低水分或金屬的影響。再有,由于 可確保較長(zhǎng)的通信距離,故即便在多個(gè)物品各自粘貼了 RF標(biāo)簽1的情況下,也能針對(duì)多個(gè) RF標(biāo)簽1 一并進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取。
[0137] 因此,例如在將多個(gè)容器一并裝箱而進(jìn)行搬運(yùn)的情況下,能夠各自讀取被粘貼在 各個(gè)容器的RF標(biāo)簽1,可以實(shí)現(xiàn)適于裝有內(nèi)容物的容器的出廠或進(jìn)出口時(shí)的商品管理等的 RF標(biāo)簽。
[0138] 還有,通過(guò)根據(jù)嵌體10的通信頻率來(lái)設(shè)定輔助天線20,從而例如在當(dāng)前使用與日 本不同的頻率的美國(guó)等海外也能通過(guò)設(shè)定/變更輔助天線20而應(yīng)對(duì)適合于各地域的RF標(biāo) 簽1。
[0139] 因此,在因構(gòu)成嵌體10的1C芯片11或天線12不同而導(dǎo)致通信頻率不同的情況 下,或由同一 1C芯片11及天線12結(jié)構(gòu)構(gòu)成的嵌體10例如被使用于能使用的通信頻段不 同的國(guó)家地域的情況下,能夠通過(guò)變更/調(diào)整輔助天線20而進(jìn)行應(yīng)對(duì),可以格外提高作為 RF標(biāo)簽的通用性/擴(kuò)展性。
[0140] [第二實(shí)施方式]
[0141] 接下來(lái),參照?qǐng)D8?11來(lái)說(shuō)明本發(fā)明涉及的RF標(biāo)簽的第二實(shí)施方式。
[0142] 圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽的外觀圖,(a)表示RF標(biāo)簽的 完成狀態(tài)的立體圖、(b)表示將構(gòu)成RF標(biāo)簽的表層、嵌體、輔助天線、基材分解開的狀態(tài)的 立體圖。
[0143] 如該圖所示,本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1與第一實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1同樣, 以層疊狀態(tài)配置構(gòu)成進(jìn)行無(wú)線通信的RF標(biāo)簽的嵌體10與面狀的輔助天線20,在將這些嵌 體10、輔助天線20搭載到基材50的表面的狀態(tài)下利用表層40進(jìn)行被覆/保護(hù),由此構(gòu)成 RF標(biāo)簽1。
[0144] 而且,本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1可貼附到圖10所示的、例如鋁制的金屬容器或 具備金屬制的筐體的加熱器等具備平緩的彎曲形狀的金屬物品的曲面部分并加以利用。
[0145] 具體是,如圖8(a)及(b)所示,本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1構(gòu)成為具備:包括1C 芯片11與天線12的嵌體10 ;以絕緣狀態(tài)與嵌體10層疊的面狀的輔助天線20 ;成為搭載所 層疊的嵌體10及輔助天線20的基材層,并且作為針對(duì)所搭載的嵌體10的介電常數(shù)調(diào)整層 發(fā)揮功能的基材50 ;以及成為對(duì)搭載/層疊在基材50上的嵌體10及輔助天線20進(jìn)行覆 蓋的蓋體的表層40。
[0146] 而且,本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1中,輔助天線20與嵌體10的通信頻率對(duì)應(yīng)地 形成為給定的形狀/大小,該輔助天線20在具備一定的柔軟性/可撓性與給定的相對(duì)介電 常數(shù)的基材50上相對(duì)于嵌體10而被層疊配置于給定位置。
[0147] 以下對(duì)各部詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。
[0148] [嵌體]
[0149] 嵌體10如上述第一實(shí)施方式所說(shuō)明過(guò)的,具有1C芯片11、與1C芯片11電導(dǎo)通/ 連接的天線12,將這些1C芯片11及天線12搭載、形成于成為基材的例如由PET樹脂等形 成的1枚密封薄膜13上后,重合另一枚密封薄膜13,在被2枚密封薄膜13夾持的狀態(tài)下進(jìn) 行密封/保護(hù)。
[0150] 本實(shí)施方式中,也與第一實(shí)施方式同樣,使用以長(zhǎng)方形狀的密封薄膜13將1C芯片 11與在1C芯片11的兩側(cè)延伸的天線12夾持/密封而成的矩形狀的嵌體10。
[0151] 在此,在本實(shí)施方式的RF標(biāo)簽1中,作為嵌體10所使用的通信頻率帶,將屬于所 謂UHF頻段的920MHz頻段(915-930MHz :15MHz寬度)作為對(duì)象。
[0152] 如第一實(shí)施方式中也說(shuō)明過(guò)的,作為RF標(biāo)簽所使用的頻段,例如有135kHz以下的 頻段、13. 56MHz頻段、屬于UHF頻段的860M?960MHz頻段、2. 45GHz頻段等幾種頻段。而 且,根據(jù)所使用的頻段不同,能夠進(jìn)行無(wú)線通信的通信距離也會(huì)不同,并且根據(jù)頻段不同, 最佳的天線長(zhǎng)或布線圖案也會(huì)不同。
[0153] 再有,例如在日本,通過(guò)電波法的修改,對(duì)于RF標(biāo)簽而言,從目前為止所使用的 950MHz 頻段(950-958MHz :8MHz 寬度)向 920MHz 頻段(915-930MHz :15MHz 寬度)過(guò)渡,可 擴(kuò)大能夠利用的頻段。
[0154] 因而,本實(shí)施方式中,由于可小型化嵌體10,還能將后述的輔助天線20形成為給 定尺寸的關(guān)系,將波長(zhǎng)短且天線可小型化的UHF頻段作為對(duì)象,具體是將920MHz頻段作為 對(duì)象,在該920MHz頻段中可獲得良好的通信特性。
[0155] 其中,如果沒(méi)有嵌體10或輔助天線20的大小的制約,那么本發(fā)明涉及的技術(shù)思想 自身當(dāng)然也能適用于920MHz頻段、UHF頻段以外的頻段。
[0156] [輔助天線]
[0157] 輔助天線20如上述第一實(shí)施方式所說(shuō)明過(guò)的,作為用于提高/調(diào)整嵌體10的通 信特性的特殊天線發(fā)揮功能,如圖8 (a)、(b)所示,由被層疊配置于嵌體10的單面?zhèn)鹊拿鏍?的導(dǎo)電性部件構(gòu)成,與已被密封薄膜13樹脂密封的嵌體10處于絕緣狀態(tài)。
[0158] 圖9表示本實(shí)施方式涉及的輔助天線的俯視圖,該圖(a)表示將嵌體10層疊到輔 助天線20的狀態(tài),該圖(b)、(c)表示輔助天線的長(zhǎng)邊的尺寸關(guān)系。
[0159] 如該圖所示,本實(shí)施方式中,輔助天線20形成為長(zhǎng)邊及短邊比嵌體10的長(zhǎng)邊及短 邊更長(zhǎng)且比嵌體10還大一圈的矩形/面狀。
[0160] 而且,該輔助天線20形成為:尤其矩形的對(duì)置的一對(duì)短邊及與這一對(duì)短邊鄰接的 一條長(zhǎng)邊是嵌體10的電波頻率的波長(zhǎng)的大致1/2的長(zhǎng)度。
[0161] 再有,在矩形長(zhǎng)邊的一條長(zhǎng)邊的中央部形成(中央)切口部21,其在該長(zhǎng)邊的邊緣 部開口且形成為具有能配置嵌體10的1C芯片11的給定的寬度與深度的凹形狀。
[0162] 進(jìn)而,在矩形長(zhǎng)邊的一條或另一條長(zhǎng)邊,在夾著(中央)切口部21的兩側(cè),形成在 該長(zhǎng)邊的邊緣部開口的一對(duì)(左右)切口部23a、23b。
[0163] 首先,如第一實(shí)施方式中所說(shuō)明過(guò)的,根據(jù)貼片天線的原理,通過(guò)將輔助天線20 的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度取通信電波的波長(zhǎng)的1/2、1/4、1/8,從而可以實(shí)現(xiàn)匹配。
[0164] 而且,RF標(biāo)簽1的整體的大?。ㄩL(zhǎng)度)幾乎由輔助天線20的長(zhǎng)度來(lái)規(guī)定,例如如 果將輔助天線20的長(zhǎng)度設(shè)為1/2波長(zhǎng),那么RF標(biāo)簽1的整體的大?。ㄩL(zhǎng)度)也幾乎為1/2 波長(zhǎng)或比其稍大(長(zhǎng))。
[0165] 在這一點(diǎn)上,標(biāo)簽的全長(zhǎng)過(guò)長(zhǎng)(過(guò)大)在謀求小型化的RF標(biāo)簽的性質(zhì)上來(lái)說(shuō)并不 優(yōu)選。
[0166] 因而,本實(shí)施方式中,將輔助天線20的鄰接的短邊/長(zhǎng)邊/短邊這3邊的長(zhǎng)度設(shè) 為嵌體10的電波頻率的波長(zhǎng)的大致1/2長(zhǎng)度,并且在一條或另一條長(zhǎng)邊形成左右一對(duì)(左 右)切口部 23a、23b。
[0167] 根據(jù)這種構(gòu)成,輔助天線20相當(dāng)于將嵌體10的電波頻率的波長(zhǎng)的大致1/2長(zhǎng)度 的天線的兩端彎折,能獲得良好的通信特性。
[0168] 具體是,在本實(shí)施方式中作為對(duì)象的嵌體10的通信頻率為920MHz的情況下, X^326.0mm、X/2H163.0mm。因此,輔助天線20形成為:長(zhǎng)邊與鄰接的兩短邊合起 來(lái)的3邊長(zhǎng)度為163. 0mm前后。
[0169] 另外,(左右)切口部23a、23b只要形成為使嵌體10的天線12的一部分露出的 大小即可,其寬度及深度可以根據(jù)所使用的嵌體10而在給定的范圍內(nèi)進(jìn)行設(shè)定/調(diào)整。
[0170] 此外,如第一實(shí)施方式中所說(shuō)明過(guò)的,在將面狀的輔助天線20層疊于嵌體10的情 況下,若輔助天線20重疊位于嵌體10的1C芯片11,則因形成輔助天線20的導(dǎo)電性部件 而損及1C芯片11的通信特性。即,在嵌體10的1C芯片11附近形成環(huán)路電路(環(huán)路部 11a),該環(huán)路部11a的目的在于實(shí)現(xiàn)阻抗的匹配,且為了以磁場(chǎng)分量進(jìn)行通信而被設(shè)置,需 要使輔助天線20的導(dǎo)體不阻礙該磁場(chǎng)分量。
[0171] 因而,在使輔助天線20與嵌體10重疊并層疊時(shí),按照1C芯片11所處的部分不存 在輔助天線20的導(dǎo)電性部件的方式形成(中央)切口部21。
[0172] 該(中央)切口部21形成于輔助天線20的一條長(zhǎng)邊的幾乎中央部位,使得嵌體 10的1C芯片11未重疊于輔助天線20的導(dǎo)體部分,且輔助天線20的導(dǎo)體部分未重疊于嵌 體10的環(huán)路部11a的一部分(或全部)。
[0173] 而且,通過(guò)將該(中央)切口部21的寬度(橫寬)與深度(進(jìn)深)設(shè)定為適當(dāng)?shù)?值,從而可以調(diào)整(變更)嵌體10的環(huán)路部11a的有效面積,可以實(shí)現(xiàn)環(huán)路部11a的阻抗 匹配。
[0174] 另外,(中央)切口部21的大?。▽挾燃吧疃龋┲灰侵辽倥c嵌體10的1C芯片 11重疊且輔助天線20不存在的大小即可,還有通過(guò)酌情調(diào)整該(中央)切口部21的寬度 及深度,從而根據(jù)1C芯片11的電波頻率或后述的基材50的材質(zhì)、來(lái)自安裝RF標(biāo)簽1的物 品的影響等,可以實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。
[0175] 因此,(中央)切口部21只要是至少能配置1C芯片11的大小,且其寬度及深度 可以在輔助天線20的大小的范圍內(nèi)酌情進(jìn)行調(diào)整/變更即可。
[0176] 而且,這種(中央)切口部21與(左右)切口部23a、23b只要形成于輔助天線20 的任一長(zhǎng)邊即可,如圖9(b)、(c)所示,也可在輔助天線20的同一長(zhǎng)邊側(cè)形成3個(gè)切口部 21、23 &、2315(參照?qǐng)D9〇3)),另外,也可以將(中央)切口部21和(左右)切口部23&、23匕 各自形成于不同的長(zhǎng)邊側(cè)(參照?qǐng)D9(c))。
[0177] 在此,本實(shí)施方式涉及的嵌體10中,也與第一實(shí)施方式的情況同樣,PET層被作為 導(dǎo)體的輔助天線20與嵌體10的天線12夾著,這樣形成的構(gòu)造產(chǎn)生波長(zhǎng)縮短效應(yīng),通過(guò)利 用該P(yáng)ET層,從而能縮短外觀的波長(zhǎng)。PET的相對(duì)介電常數(shù)大約為「4」。
[0178] 為此,對(duì)于本實(shí)施方式中的輔助天線20的長(zhǎng)邊及鄰接的兩短邊而言,這3邊的長(zhǎng) 度也為大概的值,只要是大約A /2的值就足夠了,根據(jù)RF標(biāo)簽1的基材50的材質(zhì)或介電 常數(shù)、標(biāo)簽的使用環(huán)境、使用形態(tài)等引起的通信特性的變化,長(zhǎng)度會(huì)相應(yīng)地前后變動(dòng)。
[0179] 因此,輔助天線20例如可以形成為以下尺寸:長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度為82mm、短邊的長(zhǎng)度為 25_、長(zhǎng)邊及鄰接的兩短邊這3邊的長(zhǎng)度為132_。
[0180] 再有,形成于輔助天線20的切口部21、23a、23b,與第一實(shí)施方式中的切口部21同 樣,以所使用的嵌體10的尺寸為基準(zhǔn)來(lái)設(shè)定,形成為輔助天線20的導(dǎo)電性部件未與嵌體10 的1C芯片11的部分重疊的寬度及深度。
[0181] 具體是,首先針對(duì)(中央)切口部21的寬度,以嵌體10的1C芯片11的環(huán)路部 11a的寬度為基準(zhǔn),形成為輔助天線20的導(dǎo)體未重疊于1C芯片11及環(huán)路部11a、或未重疊 于1C芯片11且與環(huán)路部11a的周緣的一部分重疊的大小。例如,在環(huán)路部11a的寬度的 尺寸為10?15mm之程度的情況下,切口部21的寬度設(shè)為約8?10mm的范圍的長(zhǎng)度(例 如上述的9mm)。
[0182] 還有,關(guān)于(中央)切口部21的深度,以嵌體10及輔助天線20的寬度(短邊方 向的長(zhǎng)度)和環(huán)路部11a的上部的位置為基準(zhǔn)來(lái)設(shè)定,設(shè)為至少天線導(dǎo)體未重疊于1C芯片 11。例如,在嵌體10的寬度為10?15mm之程度的情況下,(中央)切口部21的深度設(shè)為 約15?20mm的范圍的長(zhǎng)度。
[0183] 同樣,(左右)切口部23a、23b的寬度/深度可以設(shè)定為給定的范圍,與(中央) 切口部21幾乎同樣地可以設(shè)為寬度約8?10mm(例如6mm)、深度約15?20mm的范圍。
[0184] 另外,本實(shí)施方式中也與第一實(shí)施方式說(shuō)明過(guò)的同樣,可以將輔助天線20形成為 網(wǎng)眼狀等,因表皮效應(yīng),作為天線的功能未被損及,且可以減小輔助天線20整體的導(dǎo)體部 分的面積。
[0185] [基材]
[0186] 成為搭載上述已被層疊的嵌體10及輔助天線20的基材層,并且是作為針對(duì)所搭 載的嵌體10的介電常數(shù)調(diào)整層發(fā)揮功能的部件。本實(shí)施方式中,基材50形成為比所層疊 的狀態(tài)下的嵌體10及輔助天線20的外形還大一圈的帶狀,以使得嵌體10及輔助天線20 能夠以不超出的方式進(jìn)行搭載/層疊。
[0187] 而且,該基材50具有一定的可撓性/柔軟性,如圖10所示,例如可沿著鋁制的金 屬容器或具備金屬制筐體的加熱器等具備平緩的彎曲形狀的金屬物品200的曲面部分而 以面接觸狀態(tài)進(jìn)行配設(shè)/貼附。
[0188] 輔助天線20及嵌體10層疊配置在基材50的一面?zhèn)龋▓D8的上表面?zhèn)龋?。而且?搭載/層疊了嵌體10/輔助天線20的基材50的一面(上表面)被成為蓋體部件的表層40 被覆/涂敷。由此,嵌體10及輔助天線20在層疊狀態(tài)下以被基材50與表層40夾持的狀 態(tài)被密封,保護(hù)其不受外部的損傷。
[0189] 表層40是被貼附/粘接于搭載了嵌體10及輔助天線20的基材50的一面的薄片 狀部件,例如可以通過(guò)紙或合成紙、由聚乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯、聚酰 亞胺等樹脂構(gòu)成的具有可撓性的薄片材料、薄膜材料來(lái)形成。
[0190] 另一方面,在基材50的另一面?zhèn)龋▓D8的下面?zhèn)龋m然未特別圖示,但具備由雙 面膠帶(粘附膠帶)等構(gòu)成的粘附件,借助粘附件的粘力而被貼附于成為安裝對(duì)象的金屬 物品的表面。由此,RF標(biāo)簽1按照基材50隔著粘附件而被粘貼于安裝對(duì)象的表面且不易 被剝離的方式配置/固定粘接在金屬物品的表面。
[0191] 圖10表示沿著具備平緩的彎曲形狀的金屬物品200的曲面部分而以面接觸狀態(tài) 配設(shè)/粘貼了本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1的狀態(tài)。
[0192] 以上所述的基材50,在本實(shí)施方式中形成為具有對(duì)與輔助天線20-起被層疊的 嵌體10的通信特性進(jìn)行調(diào)整的給定的相對(duì)介電常數(shù),由此基材50作為針對(duì)所搭載/層疊 的嵌體10的介電常數(shù)調(diào)整層發(fā)揮功能。
[0193] 例如,基材50由給定的部件以給定的厚度形成,由此可以作為具有適于嵌體10的 通信特性的相對(duì)介電常數(shù)的介電常數(shù)調(diào)整層而形成。
[0194] 由此,考慮所使用的嵌體10的種類或通信特性、使用RF標(biāo)簽1的物品/使用環(huán)境 /使用頻段等諸條件,選定作為基材50所合適的材質(zhì)與厚度,僅通過(guò)選擇/更換基材50,就 能將RF標(biāo)簽1使用于不同的物品,或者使之與不同的通信頻率對(duì)應(yīng)。
[0195] 在此,對(duì)于基材50而言,作為相對(duì)介電常數(shù)設(shè)為1.6以上2.0以下,更優(yōu)選1.5以 上1. 9以下。
[0196] 再有,作為基材50的厚度,設(shè)為1. 5mm以上2. 5mm以下,更優(yōu)選1. 6mm以上2. 4mm 以下。
[0197] 一般而言,若構(gòu)成基材50的部件的相對(duì)介電常數(shù)升高,則部件的硬度也升高,存 在柔軟性/可撓性降低的傾向。再有,即便基材50的厚度變大,同樣地柔軟性/可撓性也 會(huì)劣化。結(jié)果,在將基材50安裝到鋁制的金屬容器或具備金屬制筐體的加熱器等具備彎曲 形狀的金屬物品200的曲面部分的情況下,難以使基材50沿著曲面變形/彎曲,基材邊緣 部浮起或基材自身彎折,無(wú)法使其與曲面進(jìn)行面接觸。
[0198] 另一方面,若基材50的相對(duì)介電常數(shù)過(guò)低、或厚度過(guò)小,則不能避免來(lái)自成為安 裝對(duì)象的金屬的影響,不能使基材50作為針對(duì)嵌體10的介電常數(shù)調(diào)整層起作用,難以提高 RF標(biāo)簽1的通信特性。
[0199] 因而,本實(shí)施方式中,作為可以確保基材50的柔軟性/可撓性、同時(shí)避免金屬的影 響并使RF標(biāo)簽1的通信特性提高的最佳范圍,按照相對(duì)介電常數(shù)為1. 5以上2. 0以下、更 優(yōu)選為1. 6以上1. 9以下且厚度為1. 5mm以上2. 5mm以下、更優(yōu)選為1. 6mm以上2. 4mm以 下的方式來(lái)形成基材50。
[0200] 通過(guò)將基材50形成為具有這種范圍的相對(duì)介電常數(shù)與厚度,從而可以賦予基材 50 -定的柔軟性/可撓性,可以使基材在面接觸狀態(tài)下安裝/貼附于鋁制的金屬容器或具 備金屬制筐體的加熱器等金屬物品200的曲面部分(參照?qǐng)D10)。
[0201] 再有,通過(guò)使基材50具有該范圍的相對(duì)介電常數(shù)/厚度,從而可以借助基材50來(lái) 避免/吸收來(lái)自成為RF標(biāo)簽1的安裝對(duì)象的金屬的影響,作為RF標(biāo)簽1的通信特性,可以 獲得后述的良好的通信距離(參照?qǐng)D11)。
[0202] 在此,本實(shí)施方式的RF標(biāo)簽1的安裝對(duì)象是金屬容器/金屬筐體等的金屬物品 200,內(nèi)部呈中空狀。由于是這種中空筒狀,故構(gòu)成在金屬物品內(nèi)經(jīng)過(guò)的電路,由于電路剖面 變大,因此阻抗減小,金屬對(duì)配置于物品表面的RF標(biāo)簽1的影響,與非中空狀(實(shí)心狀)的 金屬相比變低。
[0203] 在為非中空(實(shí)心)的金屬、例如金屬制的棒狀部件或厚度為幾cm以上的金屬物 體等的情況下,不會(huì)產(chǎn)生如上述那樣的中空筒狀部件中的阻抗減少,因此為了確保RF標(biāo)簽 1的通信特性,需要使作為介電常數(shù)調(diào)整層而具備的相對(duì)介電常數(shù)需要為2?3以上。具有 這種相對(duì)介電常數(shù)的部件一般而言硬度升高,若利用這種部件來(lái)形成基材,則沒(méi)有柔軟性/ 可撓性且也難以將基材的厚度形成得較薄。
[0204] 再有,鋁制的金屬容器或加熱器等的金屬制筐體一般而言具備平緩的曲面,那種 金屬物品的表面通常具備曲率為12. 5以上(r = 80mm以下)的曲面。
[0205] 因而,本實(shí)施方式中,作為安裝對(duì)象而言,特殊化為金屬容器或金屬筐體等中空狀 的金屬制中空部件,由此作為可以將RF標(biāo)簽1的通信特性確保成良好狀態(tài)的基材50,采用 具備上述給定范圍的相對(duì)介電常數(shù)與厚度的基材50。
[0206] 通過(guò)采用這種基材50,從而將使用920MHz頻段的通信頻率的RF標(biāo)簽1安裝于具 備曲率12. 5以上(r = 80mm以下)的曲面的金屬容器/金屬筐體,由此在4. 5m以上5.0m 以下的范圍內(nèi)能進(jìn)行良好的通信(參照?qǐng)D11),且對(duì)于RF標(biāo)簽1而言,基材50撓曲為彎曲 狀,能以面接觸狀態(tài)配設(shè)/貼附于金屬物品200的表面(參照?qǐng)D10)。
[0207] 作為以上的本實(shí)施方式涉及的基材50,例如可以由發(fā)泡聚乙烯、發(fā)泡聚丙烯等交 聯(lián)聚烯烴發(fā)泡體形成。
[0208] 再有,基材50也可由上述的交聯(lián)聚烯烴發(fā)泡體形成的單一的帶狀部件構(gòu)成,還可 以使多個(gè)(例如二層)的帶狀部件重合而構(gòu)成一個(gè)基材50。
[0209] [通信特性]
[0210] 參照?qǐng)D11來(lái)說(shuō)明由以上結(jié)構(gòu)構(gòu)成的本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1的通信特性。
[0211] 圖11表示將本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1沿著曲面方向粘貼于鋁制的金屬容器或 具備金屬制筐體的加熱器等具備彎曲形狀的金屬物品200的曲面部分(曲率12. 5以上(r =80mm以下))的表面并進(jìn)行互相通信距離評(píng)價(jià)后的結(jié)果。
[0212] 根據(jù)該圖可知,本實(shí)施方式涉及的RF標(biāo)簽1將920MHz作為峰值而幾乎能獲得 4. 5m以上5. 0m以下的通信距離。
[0213] 如以上所說(shuō)明過(guò)的,根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的RF標(biāo)簽1,以絕緣狀態(tài)與嵌體 10層疊配置的輔助天線20被形成為矩形的面狀,并且使該面狀的輔助天線20的外形/大 小與嵌體10的通信頻段對(duì)應(yīng)而設(shè)定為給定的大小。即,將構(gòu)成輔助天線20的矩形面的對(duì)置 的一對(duì)短邊及與這一對(duì)短邊鄰接的一條長(zhǎng)邊設(shè)定為嵌體10的電波頻率的波長(zhǎng)的大致1/2 長(zhǎng)度,且在該矩形長(zhǎng)邊的一條長(zhǎng)邊形成在該長(zhǎng)邊的中央部開口并且具有給定的寬度與深度 的凹形狀的(中央)切口部21,在一條或另一條長(zhǎng)邊,在夾著(中央)切口部21的兩側(cè)形 成在該長(zhǎng)邊的邊緣部開口的一對(duì)(左右)切口部23a、23b。
[0214] 通過(guò)這樣設(shè)計(jì)輔助天線20,從而可以與和輔助天線20進(jìn)行層疊的嵌體10的通信 頻率對(duì)應(yīng)地調(diào)整嵌體10的通信特性,能夠使嵌體10的通信特性符合頻段地設(shè)定/調(diào)整為 最佳狀態(tài)。
[0215] 再有,根據(jù)本實(shí)施方式的RF標(biāo)簽1,通過(guò)將構(gòu)成被安裝使用于金屬的RF標(biāo)簽1的 基材50形成為具有給定的柔軟性/可撓性且具備給定的相對(duì)介電常數(shù),從而能夠在包含具 有給定的曲率的彎曲面的金屬物品200上沿著其彎曲面進(jìn)行配置/貼附,能夠獲得良好的 通信特性。
[0216] 由此,避免來(lái)自金屬物品200的影響,不再需要例如大型且過(guò)剩的蓋體或殼體、保 持器等,在特定的通信頻率(920MHz頻段)下可以使之在長(zhǎng)且寬的范圍內(nèi)進(jìn)行通信,即便安 裝場(chǎng)所是曲面,也能不產(chǎn)生剝離或脫落等地以面接觸狀態(tài)進(jìn)行安裝。
[0217] 因此,可以實(shí)現(xiàn)一種尤其適于在構(gòu)成鋁制的金屬容器或加熱器等金屬制筐體的金 屬物品的表面的曲面部分安裝的RF標(biāo)簽。
[0218] 以上,關(guān)于本發(fā)明的RF標(biāo)簽及金屬容器,示出優(yōu)選的實(shí)施方式并進(jìn)行了說(shuō)明,但 本發(fā)明涉及的RF標(biāo)簽并未限定為上述的實(shí)施方式,在本發(fā)明的范圍內(nèi)當(dāng)然能夠?qū)嵤└鞣N 各樣的變更。
[0219] 例如,作為使用本發(fā)明涉及的RF標(biāo)簽的物品,在上述第一實(shí)施方式中以飲料用容 器為例、在第二實(shí)施方式中以鋁制的金屬容器或加熱器等的金屬制筐體為例進(jìn)行了說(shuō)明, 但作為可使用本發(fā)明的RF標(biāo)簽的物品、對(duì)象物,未限定為威士忌或葡萄酒、日本酒等高級(jí) 酒用的瓶子、飲料用容器、或者鋁制的金屬容器或加熱器等的金屬制筐體。
[0220] S卩,只要是可使用RF標(biāo)簽且借助讀寫器能讀寫給定的信息/數(shù)據(jù)的物品、對(duì)象物, 無(wú)論是何種物品/對(duì)象物都能適用本發(fā)明涉及的RF標(biāo)簽。例如,在第二實(shí)施方式涉及的RF 標(biāo)簽中,優(yōu)選具備具有給定曲率的曲面的金屬制物品/對(duì)象物,例如除了鋁制的金屬容器 或加熱器等的金屬制筐體以外,還可以適用于金屬制的餐具、烹飪用具、家具、什物、自行車 等。
[0221] -工業(yè)可用性-
[0222] 本發(fā)明可以作為被安裝于飲料用容器或罐容器、金屬容器等任意物品或?qū)ο笪飦?lái) 使用的、例如被層疊配置于粘貼到飲料用途或填充各種液體而被使用的塑料瓶、玻璃瓶、罐 容器、袋容器的表面的簽條的背面來(lái)使用的RF標(biāo)簽來(lái)應(yīng)用。
[0223] 再有,本發(fā)明可以作為例如被安裝于鋁制的金屬容器或加熱器等的金屬制筐體等 任意的物品或?qū)ο笪飦?lái)使用的、尤其被安裝到具備具有給定曲率的曲面的金屬制物品/對(duì) 象物的金屬應(yīng)對(duì)型的RF標(biāo)簽來(lái)應(yīng)用。
[0224] 如上述對(duì)本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式及/或者實(shí)施例詳細(xì)地進(jìn)行了說(shuō)明,但本領(lǐng)域技 術(shù)人員在實(shí)質(zhì)上并未脫離本發(fā)明的新的教導(dǎo)及效果的基礎(chǔ)上,很容易對(duì)作為這些例示的實(shí) 施方式及/或者實(shí)施例加入許多變更。因此,這些許多變更包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0225] 將作為本申請(qǐng)的巴黎優(yōu)先權(quán)的基礎(chǔ)的日本申請(qǐng)說(shuō)明書的內(nèi)容全部援用于此。
【權(quán)利要求】
1. 一種RF標(biāo)簽,其特征在于,具備: 具備1C芯片與天線的嵌體; 與所述嵌體以絕緣狀態(tài)進(jìn)行層疊的面狀的輔助天線;以及 層疊所述嵌體及輔助天線的基材, 所述輔助天線,形成為長(zhǎng)邊為所述嵌體的電波頻率的波長(zhǎng)的大約1/4長(zhǎng)度的呈矩形狀 的面狀,并且具有將一條長(zhǎng)邊二分為所述嵌體的電波頻率的波長(zhǎng)的各大約1/8長(zhǎng)度的切口 部, 所述切口部形成為在所述一條長(zhǎng)邊的邊緣部開口且具有能配置所述嵌體的1C芯片的 給定的寬度與深度的凹形狀。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF標(biāo)簽,其中, 所述嵌體整體通過(guò)密封薄膜進(jìn)行樹脂密封, 通過(guò)將所述輔助天線直接層疊于所述嵌體的表面,從而所述輔助天線與所述嵌體通過(guò) 電容耦合而被電連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的RF標(biāo)簽,其中, 所述輔助天線具有凹形狀的周緣外形,該凹形狀具有所述切口部,并且所述輔助天線 的周緣內(nèi)側(cè)的面狀部分形成為網(wǎng)眼狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的RF標(biāo)簽,其中, 所述基材由被粘貼于飲料瓶的表面的簽條薄片構(gòu)成, 所述嵌體及輔助天線被層疊于所述簽條薄片的飲料瓶粘貼面一側(cè)。
5. -種RF標(biāo)簽,其特征在于,具備: 具備1C芯片與天線的嵌體; 與所述嵌體以絕緣狀態(tài)進(jìn)行層疊的面狀的輔助天線;以及 搭載所層疊的所述嵌體及輔助天線的基材, 所述輔助天線,形成為對(duì)置的一對(duì)短邊及與這一對(duì)短邊鄰接的一條長(zhǎng)邊為所述嵌體的 電波頻率的波長(zhǎng)的大致1/2長(zhǎng)度的矩形狀,并且,在一條長(zhǎng)邊的中央部具備形成為在該長(zhǎng) 邊的邊緣部開口且具有能配置所述嵌體的1C芯片的給定的寬度與深度的凹形狀的中央切 口部,在一條或另一條長(zhǎng)邊,在夾著所述中央切口部的兩側(cè)具備在該長(zhǎng)邊的邊緣部開口的 一對(duì)左右切口部。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的RF標(biāo)簽,其中, 所述中央切口部形成為使所述嵌體的1C芯片露出、并且覆蓋在該1C芯片的周圍形成 的環(huán)路電路的一部分的大小。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的RF標(biāo)簽,其中, 所述一對(duì)左右切口部形成為使所述嵌體的天線的一部分露出的大小。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的RF標(biāo)簽,其中, 所述基材具有能夠以面接觸狀態(tài)貼附于具有給定的曲率的曲面的可撓性。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的RF標(biāo)簽,其中, 所述曲面的曲率為12. 5以上,即r = 80mm以下。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5至9中任一項(xiàng)所述的RF標(biāo)簽,其中, 所述基材作為針對(duì)所搭載的嵌體的介電常數(shù)調(diào)整層起作用,且能夠貼附于金屬面。
【文檔編號(hào)】H01Q1/38GK104428946SQ201380033273
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月26日
【發(fā)明者】赤松慎也, 清水博長(zhǎng), 菊地隆之 申請(qǐng)人:東洋制罐集團(tuán)控股株式會(huì)社