半導(dǎo)體裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠保持封裝樹脂的密合性，提高模塊可靠性等的樹脂封裝型半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置具備：帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板(1)；固定在帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板(1)的導(dǎo)電圖案(2a、2b)上的導(dǎo)電塊(3a、3b)；固定在導(dǎo)電塊上的半導(dǎo)體芯片(6)；固定在半導(dǎo)體芯片上的具備導(dǎo)電柱(8)的印刷基板(9)和封裝這些部件的樹脂(11)。將固定導(dǎo)電塊的位置周圍的導(dǎo)電圖案的單位面積中的平均導(dǎo)電膜體積從導(dǎo)電塊向外減小。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體模塊等半導(dǎo)體裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]圖11為結(jié)構(gòu)與專利文獻(xiàn)I所記載的結(jié)構(gòu)相類似的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的主要部分剖視圖。作為現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的功率半導(dǎo)體模塊具備由絕緣基板101和形成于該絕緣基板101的正面和背面的銅電路圖案102a、102b構(gòu)成的、作為帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板的DCB (Direct Copper Bonding,直接覆銅)基板104。另外,該功率半導(dǎo)體模塊具備通過擴(kuò)散接合等固定于DCB基板104的銅電路圖案102a上的銅塊103a和通過擴(kuò)散接合等固定于DCB基板104的銅電路圖案102b的銅塊103b。進(jìn)一步地，該功率半導(dǎo)體模塊還具備背面通過焊料等接合材料105固定于銅塊103a上面的半導(dǎo)體芯片106、通過焊料等接合材料107固定在半導(dǎo)體芯片106的上表面電極上的導(dǎo)電柱108和具有該導(dǎo)電柱108的印刷基板109。更進(jìn)一步地，該功率半導(dǎo)體模塊還具備將前述半導(dǎo)體芯片106、DCB基板104及印刷基板109進(jìn)行封裝的封裝樹脂111。符號(hào)110表示外部引出端子。
[0003]另外，專利文獻(xiàn)2中記載有如下技術(shù)內(nèi)容，即在將功率半導(dǎo)體芯片焊接到DCB基板上時(shí)，在沿著與陶瓷基板之間的邊界部分的導(dǎo)體圖案的邊緣設(shè)置多個(gè)用于緩和應(yīng)力的凹痕(dimple)。
[0004]進(jìn)一步地，專利文獻(xiàn)3中記載有如下技術(shù)內(nèi)容，即為了降低反復(fù)施加于散熱基體的熱應(yīng)力，在用于接合電路部件和支撐基體的金屬層的外周邊部形成凹凸(俯視觀察時(shí))。
[0005]更進(jìn)一步地，專利文獻(xiàn)4記載有如下技術(shù)內(nèi)容，即在將銅板等金屬板利用直接接合法和/或活性金屬法等接合在陶瓷基板上而構(gòu)成的陶瓷電路基板中，沿著與銅板的接合面相反面的一側(cè)的外周邊部內(nèi)側(cè)，例如沿外周邊部以預(yù)定的間隔按直線形狀形成不連續(xù)的溝槽。由此，即使在施加了冷熱循環(huán)的情況下，也能夠有效地防止陶瓷基板出現(xiàn)裂縫和/或強(qiáng)度下降的現(xiàn)象。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-64852號(hào)公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)2:日本特開2009-94135號(hào)公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)3:日本特開2009-88176號(hào)公報(bào)
[0011]專利文獻(xiàn)4:日本特開平8-274423號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]技術(shù)問題
[0013]在樹脂封裝型半導(dǎo)體中，內(nèi)置部件與樹脂的密合性對可靠性有很大影響。在圖11的結(jié)構(gòu)中，由于構(gòu)成DCB基板104的由陶瓷形成的絕緣基板101和由銅形成的銅電路圖案102a、102b之間的線膨脹系數(shù)差，因此存在如下的問題，即在絕緣基板101附近的銅電路圖案102a、102b與封裝樹脂111之間產(chǎn)生應(yīng)力，在DCB基板104與封裝樹脂111之間發(fā)生剝離。
[0014]搭載半導(dǎo)體芯片106的DCB基板104和封裝樹脂111之間發(fā)生剝離時(shí)，應(yīng)力也集中于半導(dǎo)體芯片106與銅塊103a的接合部，發(fā)生接合部劣化，從而成為故障的原因。
[0015]特別是，如果銅電路圖案102a與封裝樹脂111之間產(chǎn)生的剝離發(fā)展到絕緣基板101，則會(huì)發(fā)生絕緣不良。另外，即使在封裝樹脂111僅與絕緣基板101密合，而從銅電路圖案102a剝離的狀態(tài)下，應(yīng)力也會(huì)集中于銅電路圖案102a附近的絕緣基板101，所以在絕緣基板101會(huì)產(chǎn)生裂縫，同樣導(dǎo)致絕緣不良。
[0016]進(jìn)一步地，在搭載了近年來逐漸得到應(yīng)用的SiC(碳化硅)器件等WBG(寬帶隙)元件的功率半導(dǎo)體模塊中，工作溫度范圍與現(xiàn)有的搭載了 Si(硅)器件的功率半導(dǎo)體模塊相比變高，成為工作溫度達(dá)到搭載了 Si器件的功率半導(dǎo)體模塊的工作溫度以上(Tjmax彡175°C )的高溫驅(qū)動(dòng)?？梢酝茢喑鲈谠撉闆r下，熱應(yīng)力進(jìn)一步增大，因此前述的封裝樹脂111更容易發(fā)生剝離，存在可靠性降低的顧慮。
[0017]在前述專利文獻(xiàn)I?專利文獻(xiàn)4中，并沒有記載有關(guān)通過將銅塊周圍的銅電路圖案的銅的平均體積從銅塊開始向外逐漸減小來緩和銅電路圖案與絕緣基板之間的線膨脹系數(shù)差，從而避免熱應(yīng)力集中，使樹脂的剝離不易發(fā)生的技術(shù)內(nèi)容。
[0018]本發(fā)明的目的在于解決前述問題，提供一種在樹脂封裝型功率半導(dǎo)體模塊等半導(dǎo)體裝置中，能夠保持封裝樹脂的密合性，提高模塊的可靠性和壽命的半導(dǎo)體裝置。
[0019]技術(shù)方案
[0020]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明在具備帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板(例如，DCB基板等)、固定在該帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板的導(dǎo)電圖案(例如，電路圖案等)上的導(dǎo)電塊(例如，銅塊等)、固定在該導(dǎo)電塊上的半導(dǎo)體芯片、固定在該半導(dǎo)體芯片上的具備導(dǎo)電柱的印刷基板、將這些部件封裝的樹脂(封裝樹脂)的半導(dǎo)體裝置中，設(shè)置為將固定上述導(dǎo)電塊的位置周圍的上述導(dǎo)電圖案的、在單位面積中的平均的導(dǎo)電膜體積配置成從該導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)減小的結(jié)構(gòu)。
[0021]另外，根據(jù)本發(fā)明，可以在固定上述導(dǎo)電塊的位置周圍的上述導(dǎo)電圖案上，以從該導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)單位面積中的個(gè)數(shù)增加的方式配置穿設(shè)孔，以減少上述導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電膜體積。
[0022]另外，根據(jù)本發(fā)明，可以在固定上述導(dǎo)電塊的位置周圍的上述導(dǎo)電圖案上，配置從該導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)截面面積增大的穿設(shè)孔(drill holes)，以減少上述導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電膜體積。
[0023]另外，根據(jù)本發(fā)明，可以在固定上述導(dǎo)電塊的位置周圍的上述導(dǎo)電圖案上，配置從該導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)單位長度的條數(shù)增加的環(huán)形穿設(shè)槽，以減少上述導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電膜體積。
[0024]另外，根據(jù)本發(fā)明，可以在固定上述導(dǎo)電塊的位置周圍的上述導(dǎo)電圖案上，配置從該導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)寬度增加的環(huán)形穿設(shè)槽，以減少上述導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電膜體積。
[0025]另外，根據(jù)本發(fā)明，可以利用上述導(dǎo)電膜塞住上述穿設(shè)孔或上述環(huán)形穿設(shè)槽的底部。
[0026]另外，根據(jù)本發(fā)明，可以通過使固定上述導(dǎo)電塊的位置周圍的上述導(dǎo)電圖案的厚度從該導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)逐漸減薄來減小上述導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電膜體積。
[0027]另外，根據(jù)本發(fā)明，可以在固定上述導(dǎo)電塊的位置周圍的上述導(dǎo)電圖案上設(shè)置穿設(shè)孔或環(huán)形穿設(shè)槽。
[0028]另外，根據(jù)本發(fā)明，厚度逐漸變薄的上述導(dǎo)電圖案的截面形狀可為斜面狀或階梯狀。
[0029]另外，根據(jù)本發(fā)明，可以在上述帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板的表(正)面?zhèn)冉雍仙鲜鰧?dǎo)電圖案，在該導(dǎo)電圖案上依次固定上述導(dǎo)電塊和上述半導(dǎo)體芯片，且在上述帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板的背面?zhèn)冉雍狭硪粚?dǎo)電圖案，在該另一導(dǎo)電圖案上固定另一導(dǎo)電塊，上述另一導(dǎo)電塊的一主面從上述樹脂中露出。
[0030]另外，根據(jù)本發(fā)明，上述導(dǎo)電圖案和另一導(dǎo)電圖案可為金屬膜，上述導(dǎo)電塊和另一導(dǎo)電塊可為金屬塊。
[0031]有益效果
[0032]根據(jù)本發(fā)明，對于固定有導(dǎo)電塊的帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板的導(dǎo)電圖案，通過配置成使固定有導(dǎo)電塊的位置周圍的導(dǎo)電圖案在單位面積中的平均體積從導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)減小，能夠提高帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板與封裝樹脂的密合性，從而提高半導(dǎo)體裝置的可靠性和壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分剖視圖。
[0034]圖2是圖1的DCB基板的主要部分俯視圖。
[0035]圖3是增加了穿設(shè)孔的情況下的DCB基板的主要部分俯視圖。
[0036]圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的DCB基板的主要部分俯視圖。
[0037]圖5是穿設(shè)孔的平面形狀為矩形的情況下的DCB基板的主要部分俯視圖。
[0038]圖6是本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的DCB基板的主要部分俯視圖。
[0039]圖7是將環(huán)形穿設(shè)槽的寬度趨向外側(cè)時(shí)擴(kuò)寬的情況下的DCB基板的主要部分俯視圖。
[0040]圖8是不使穿設(shè)孔12h或環(huán)形穿設(shè)槽12j貫通而將薄銅層殘留在底部的結(jié)構(gòu)的情況下的DCB基板的主要部分剖視圖。
[0041]圖9是本發(fā)明的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的DCB基板的主要部分俯視圖(a)及(b)主要部分剖視圖。
[0042]圖10是將圖9的斜面狀銅電路圖案14變更為階梯狀銅電路圖案15的情況下的DCB基板的主要部分剖視圖。
[0043]圖11是結(jié)構(gòu)與專利文獻(xiàn)I中記載的結(jié)構(gòu)相類似的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的主要部分剖視圖。
[0044]符號(hào)說明
[0045]1:絕緣基板
[0046]2a、2b:銅電路圖案
[0047]3a、3b:銅塊
[0048]4:DCB 基板
[0049]5、7:接合材料
[0050]6:半導(dǎo)體芯片
[0051]8:導(dǎo)電柱
[0052]9:印刷基板
[0053]10:外部引出端子
[0054]11:封裝樹脂
[0055]12a、b、c:穿設(shè)孔
[0056]12d、12e:環(huán)形穿設(shè)槽
[0057]12h:有底面的穿設(shè)孔
[0058]12 j:有底面的環(huán)形穿設(shè)槽
[0059]13:底部
[0060]14:斜面狀銅電路圖案
[0061]15:階梯狀銅電路圖案

【具體實(shí)施方式】
[0062]本發(fā)明的實(shí)施方式的重點(diǎn)為通過使銅塊周圍的銅電路圖案的銅在單位面積中的平均體積趨向外側(cè)時(shí)減小來緩和銅電路圖案與絕緣基板之間的線膨脹系數(shù)差，從而避免熱應(yīng)力集中，使樹脂的剝離不易發(fā)生。作為減小平均體積的方法，有改變穿設(shè)孔的配置密度、環(huán)形穿設(shè)槽所占面積、厚度等的方法。另外，通過形成穿設(shè)孔或環(huán)形穿設(shè)槽能夠產(chǎn)生錨固效果，進(jìn)而使樹脂的剝離變得不易發(fā)生。實(shí)施方式通過下述實(shí)施例進(jìn)行說明。
[0063]<實(shí)施例1>
[0064]圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分剖視圖。
[0065]圖2是圖1的DCB基板的主要部分俯視圖。
[0066]在圖1中，作為半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體功率模塊具備由絕緣基板I和在該絕緣基板I的正面和背面形成的銅電路圖案2a、2b構(gòu)成的、作為帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板的DCB(DirectCopper Bonding,直接覆銅)基板4。另外,該半導(dǎo)體功率模塊還具備通過擴(kuò)散接合等固定于DCB基板4的銅電路圖案2a上的銅塊3a和通過擴(kuò)散接合等固定于DCB基板4的銅電路圖案2b的銅塊3b。進(jìn)一步地，該半導(dǎo)體功率模塊還具備背面通過焊料等接合材料5固定于銅塊3a上的半導(dǎo)體芯片6、通過焊料等接合材料7固定于半導(dǎo)體芯片6的上表面電極的導(dǎo)電柱8、具有該導(dǎo)電柱8的印刷基板9。另外，在該半導(dǎo)體功率模塊中，銅塊3a和印刷基板9上各自通過未圖示的接合材料固定有外部引出端子10。還進(jìn)一步地，該半導(dǎo)體功率模塊具備將前述半導(dǎo)體芯片6及DCB基板4及印刷基板9進(jìn)行封裝的封裝樹脂11。外部引出端子10的端部和銅塊3b的一主面從封裝樹脂11中露出。
[0067]如圖2所示，在銅電路圖案2a上設(shè)置有多個(gè)俯視觀察時(shí)截面形狀為圓形、且開口到絕緣基板I的表面位置的小穿設(shè)孔12a。這些穿設(shè)孔12a通過配置成隨著從銅塊3a的端部向外離開，單位面積中的個(gè)數(shù)增加，據(jù)此使銅電路圖案2a在單位面積中的銅膜體積趨向外側(cè)時(shí)減小。
[0068]這樣，通過將形成于銅電路圖案2a上的穿設(shè)孔12a的數(shù)量隨著從銅塊3a向外離開而增加，據(jù)此使銅膜的平均體積密度趨向外側(cè)時(shí)減小。所謂的平均體積密度是指，將繞銅塊一周的穿設(shè)孔12a的中央線20的長度設(shè)為L，將預(yù)定寬度(例如，超過穿設(shè)孔直徑I倍的寬度)設(shè)為W，環(huán)形區(qū)域的面積設(shè)為SI，穿設(shè)孔12a的面積設(shè)為S2，環(huán)形的面積SI中所存在的穿設(shè)孔12a的數(shù)量設(shè)為n，環(huán)形的面積SI中所存在的穿設(shè)孔12a的總面積設(shè)為S3，銅的平均面積密度設(shè)為So時(shí)，SI = LXff, S3 = S2Xn，So = (S1_S3)/S1。使該平均面積密度So從銅塊開始趨向外側(cè)時(shí)減小。在該So上乘以銅電路圖案2a的厚度t(SoXt)得到平均體積密度Vo，使該平均體積密度Vo從銅塊3a向外離開而隨之減小。
[0069]通過樹脂封裝使樹脂11填充到形成于銅電路圖案2a上的穿設(shè)孔12a中并固化。通過樹脂11的固化在使樹脂11和部件(例如銅電路圖案2a)通過化學(xué)性結(jié)合粘接在一起的基礎(chǔ)上，再通過向穿設(shè)孔12a填充樹脂11后使其固化，由此變得難以形成物理性剝離(錨固效果)
[0070]進(jìn)一步地，在整個(gè)DCB基板4上，穿設(shè)孔12a數(shù)量明顯多的部分，銅電路圖案部分的面積(或體積)就小，由此形成絕緣基板I的陶瓷中所占的銅電路圖案的銅膜的體積就小。因此，銅電路圖案的線膨脹系數(shù)將接近于絕緣基板的線膨脹系數(shù)。另外，穿設(shè)孔12a少的部分，銅電路圖案2a的面積(或體積)就大，由此陶瓷中所占的銅電路圖案的銅的體積就大，銅電路圖案的線膨脹系數(shù)將接近于銅的線膨脹系數(shù)。
[0071]因此，通過減小陶瓷附近(從銅塊3a向外側(cè)離開的位置的銅電路圖案2a)的銅的面積(或體積)，增大銅塊3a附近的銅的面積(或體積)，來緩和銅電路圖案2a與作為絕緣基板I的陶瓷的線膨脹系數(shù)差，從而能夠避免在成為熱源的半導(dǎo)體芯片周邊的、絕緣基板附近的銅電路圖案與封裝樹脂之間由熱引起的應(yīng)力集中。其結(jié)果，能夠與穿設(shè)孔12a的錨固效果相結(jié)合防止樹脂11的剝離。另外，能夠抑制由于陶瓷破裂而引起的絕緣不良問題，能夠?qū)崿F(xiàn)高可靠性。
[0072]應(yīng)予說明，雖然圖1中未示出，但在沒有搭載半導(dǎo)體芯片6的背面?zhèn)鹊你~電路圖案2b也可以同樣形成穿設(shè)孔。半導(dǎo)體裝置以將銅塊3b的一主面與冷卻器接觸的方式使用，雖然銅塊3b的周邊與固定有半導(dǎo)體芯片6的銅塊3a的周邊相比溫度要低，但當(dāng)銅電路圖案2b在絕緣基板I中所占的面積大時(shí)，通過在銅電路圖案2a、2b兩者都形成，能夠?qū)~電路圖案2a、2b與絕緣基板I的線膨脹系數(shù)差整體上減小，從而能夠進(jìn)一步提高可靠性。
[0073]此外，如圖3所示，通過增加穿設(shè)孔12a的個(gè)數(shù)來增大錨固效果，進(jìn)一步防止樹脂11的剝離。
[0074]<實(shí)施例二 >
[0075]圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分俯視圖。該圖為構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的DCB基板4的主要部分俯視圖。該俯視圖是與圖2相當(dāng)?shù)母┮晥D。
[0076]與圖2的不同之處在于，使穿設(shè)孔12b在單位面積中的個(gè)數(shù)基本相同而改變了每個(gè)穿設(shè)孔12b的大小(截面面積)。通過減小銅塊3a附近的穿設(shè)孔12b，并將相對遠(yuǎn)離銅塊3a位置處的穿設(shè)孔12b增大，從而獲得與實(shí)施例1同樣的效果。
[0077]另外，雖然實(shí)施例一、實(shí)施例二的穿設(shè)孔12a、12b的形狀都是圓形，但不僅限于此。也可以是如圖5所示的矩形的穿設(shè)孔12c等。此外，也可以組合矩形和圓形。
[0078]<實(shí)施例三>
[0079]圖6是本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分俯視圖。該圖為構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的DCB基板4的主要部分俯視圖。該俯視圖是與圖2相當(dāng)?shù)母┮晥D。
[0080]與圖2的不同之處在于，將形成的穿設(shè)孔12a改變?yōu)榄h(huán)形穿設(shè)槽12d。通過將環(huán)形穿設(shè)槽12d的從銅塊3a趨向外側(cè)的方向上的單位長度的條數(shù)設(shè)置為趨向外側(cè)時(shí)密集(增多)，減小相對遠(yuǎn)離銅塊的陶瓷附近的銅面積，增大銅塊附近的銅面積，由此獲得與實(shí)施例一同樣的效果。如圖7所示，將每個(gè)穿設(shè)槽12e的寬度趨向外側(cè)時(shí)擴(kuò)寬也可以獲得同樣的效果。另外，雖然圖中未示出，但環(huán)形穿設(shè)槽12d、12e不限于環(huán)形，也可以是中間斷開的形狀等，還可以存在部分地形成穿設(shè)槽的位置。
[0081]在前述的實(shí)施例一?實(shí)施例三中，如圖8所示的剖視圖，使穿設(shè)孔12h或環(huán)形穿設(shè)槽12j不貫通到絕緣基板I的表面位置而是在底部13殘留薄的銅層的結(jié)構(gòu)也可以獲得同樣的效果。另外，將殘留的銅層的厚度從銅塊3a趨向外側(cè)時(shí)逐漸減薄也可以獲得同樣的效果O
[0082]〈實(shí)施例四〉
[0083]圖9是本發(fā)明的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的DCB基板的主要部分俯視圖(a)及主要部分剖視圖(b)。與圖2的不同之處在于，不是形成穿設(shè)孔而是改變銅電路圖案2a的厚度。利用將厚度趨向外側(cè)時(shí)按一定的比例逐漸減薄的斜面狀銅電路圖案14來獲得同樣的效果。另外，如圖10所示地采用非斜面狀的階梯狀減薄的階梯狀銅電路圖案15也可以獲得同樣的效果。此外，雖然圖中未示出，但在這種結(jié)構(gòu)上均勻地配置穿設(shè)孔或環(huán)形穿設(shè)槽時(shí)，也會(huì)產(chǎn)生錨固效果，因此進(jìn)一步地提高樹脂11的密合性。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在具備帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板、固定在該帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板的導(dǎo)電圖案上的導(dǎo)電塊、固定在該導(dǎo)電塊上的半導(dǎo)體芯片、固定在該半導(dǎo)體芯片上的具備導(dǎo)電柱的印刷基板、將這些部件封裝的樹脂的半導(dǎo)體裝置中， 將固定所述導(dǎo)電塊的位置周圍的所述導(dǎo)電圖案的單位面積中的平均導(dǎo)電膜體積從所述導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在固定所述導(dǎo)電塊的位置周圍的所述導(dǎo)電圖案上，以從該導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)單位面積中的個(gè)數(shù)增加的方式配置穿設(shè)孔，以使所述導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電膜體積減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在固定所述導(dǎo)電塊的位置周圍的所述導(dǎo)電圖案上，配置從該導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)截面面積增大的穿設(shè)孔，以使所述導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電膜體積減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在固定所述導(dǎo)電塊的位置周圍的所述導(dǎo)電圖案上，配置從該導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)單位長度的條數(shù)增加的環(huán)形穿設(shè)槽，以使所述導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電膜體積減小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在固定所述導(dǎo)電塊的位置周圍的所述導(dǎo)電圖案上，配置從該導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)寬度增加的環(huán)形穿設(shè)槽，以使所述導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電膜體積減小。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述穿設(shè)孔或所述環(huán)形穿設(shè)槽的底部被所述導(dǎo)電膜塞住。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，通過使固定所述導(dǎo)電塊的位置周圍的所述導(dǎo)電圖案的厚度從該導(dǎo)電塊趨向外側(cè)時(shí)逐漸減薄，以使所述導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電膜體積減小。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在固定所述導(dǎo)電塊的位置周圍的所述導(dǎo)電圖案上設(shè)置穿設(shè)孔或環(huán)形穿設(shè)槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，厚度逐漸變薄的所述導(dǎo)電圖案的截面形狀為斜面狀或階梯狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板的表面?zhèn)冉雍嫌兴鰧?dǎo)電圖案，在所述導(dǎo)電圖案上依次固定有所述導(dǎo)電塊和所述半導(dǎo)體芯片，且在所述帶導(dǎo)電圖案的絕緣基板的背面?zhèn)冉雍嫌辛硪粚?dǎo)電圖案，在該另一導(dǎo)電圖案上固定有另一導(dǎo)電塊， 所述另一導(dǎo)電塊的一主面從所述樹脂中露出。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案和另一導(dǎo)電圖案為金屬膜，所述導(dǎo)電塊和另一導(dǎo)電塊為金屬塊。
【文檔編號(hào)】H01L25/18GK104170075SQ201380012379
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2013年2月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月15日
【發(fā)明者】中村瑤子, 梨子田典弘 申請人:富士電機(jī)株式會(huì)社