包括釋放層的無(wú)凸塊構(gòu)建層封裝的制作方法
【專利摘要】示例包括管芯封裝，管芯封裝包括具有管芯下表面、與管芯下表面平行的管芯上表面、和管芯側(cè)面的微電子管芯，微電子管芯包括有源區(qū)域和無(wú)源區(qū)域。示例可任選地包括釋放層，該釋放層具有釋放層下表面、與釋放層下表面平行的釋放層上表面、和至少一個(gè)釋放層側(cè)面，釋放層與微電子管芯的上表面耦合且與管芯的無(wú)源區(qū)域熱連通并且與有源區(qū)域電絕緣。示例可任選地包括密封管芯側(cè)面和釋放層側(cè)面和釋放層下表面的密封材料，密封材料包括基本上與管芯下表面平行的下表面和基本上與管芯上表面平行的上表面。
【專利說(shuō)明】包括釋放層的無(wú)凸塊構(gòu)建層封裝
[0001]本申請(qǐng)要求2012年12月21日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)S/N 13/725，104的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，該申請(qǐng)通過引用整體結(jié)合于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]示例一般涉及封裝集成電路，并且更具體地涉及包括釋放層的無(wú)凸塊構(gòu)建層封裝。
技術(shù)背景
[0003]處理器和其他集成電路芯片可利用諸如銅之類的層構(gòu)建，該層后來(lái)被移除。這種移除是低效的并且可能產(chǎn)生不合需要的浪費(fèi)。因此，需要不依賴于這種層的結(jié)構(gòu)和工藝。替代工藝也應(yīng)當(dāng)減少材料浪費(fèi)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0004]在附圖中，該附圖不一定是按比例繪制，相同標(biāo)記可描述不同視圖中的相似部件。具有不同字母后綴的相同標(biāo)記可表示相似部件的不同的實(shí)例。附圖一般作為示例而非限制示出本文獻(xiàn)所討論的各實(shí)施例。
[0005]圖1不出了根據(jù)不例的管芯的截面圖。
[0006]圖2示出了根據(jù)示例的封裝有釋放層的管芯的截面圖。
[0007]圖3示出了根據(jù)示例的封裝有釋放層的管芯的截面圖，該管芯具有鄰接襯底的銅。
[0008]圖4示出了根據(jù)示例的包括圖案化到銅層上的有機(jī)層的管芯的截面圖。
[0009]圖5A示出了根據(jù)示例的在構(gòu)建封裝中的第一步驟，顯示了具有設(shè)置在其上的樹脂的襯底的截面圖。
[0010]圖5B示出了在構(gòu)建封裝中的第二步驟，顯示了具有設(shè)置在圖5A的樹脂上的釋放的襯底的截面圖。
[0011]圖6示出了根據(jù)示例的具有共同延伸地設(shè)置在銅的上方的樹脂的襯底的截面圖。
[0012]圖7示出了根據(jù)示例的具有與釋放共同延伸地設(shè)置的樹脂的襯底的截面圖，并且樹脂和釋放兩者都設(shè)置在銅的上方。
[0013]圖8為根據(jù)示例的表示將材料噴涂到銅上的方法的示意圖。
[0014]圖9為根據(jù)示例的表示將材料軋制到銅上的方法的示意圖。
[0015]圖10為根據(jù)示例的構(gòu)造管芯封裝的一部分的方法。
[0016]圖11示出了根據(jù)實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)。
[0017]圖12為根據(jù)實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的示意圖。
[0018]詳細(xì)描述
[0019]本公開中的示例涉及一種用于將釋放層形成到封裝中的過程，該封裝可任選地包括無(wú)凸塊構(gòu)建層。示例還涉及組裝包括釋放層的無(wú)凸塊構(gòu)建層封裝的方法。
[0020]下面的描述包括諸如上部、下部、第一、第二等的術(shù)語(yǔ)，這些術(shù)語(yǔ)僅用于描述的目的，并且不應(yīng)被解釋為限制。本文中描述的裝置或制品的示例可在多個(gè)位置和取向中制造、使用或運(yùn)輸。術(shù)語(yǔ)“管芯”和“芯片” 一般指的是作為基本工件的物理對(duì)象，基本工件通過各種處理操作轉(zhuǎn)變成所需的集成電路器件。管芯通常從晶片單片化并且晶片可由半導(dǎo)體、非半導(dǎo)體、或半導(dǎo)體材料和非半導(dǎo)體材料的組合制成。板通常是充當(dāng)用于管芯的安裝襯底的樹脂浸潰的玻璃纖維結(jié)構(gòu)。這種襯底可以是互連襯底，諸如無(wú)芯襯底。本公開中的釋放層是集成(包括通過被構(gòu)建到封裝中)的薄結(jié)構(gòu)。
[0021]現(xiàn)將參照附圖，在附圖中相似的結(jié)構(gòu)將設(shè)置有相似的后綴參考標(biāo)記。為了清楚地顯示各個(gè)示例的結(jié)構(gòu)，本文中所包括的附圖為電路結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖表示。因此，所制造的結(jié)構(gòu)的實(shí)際外觀，例如在顯微照片中，可能會(huì)看起來(lái)不同，但仍然包含所示示例的主題。此外，附圖顯示結(jié)構(gòu)以有助于理解所示示例。
[0022]圖1示出了根據(jù)示例的管芯的截面圖。微電子管芯102可以是任何類型的集成電路管芯。微電子管芯102可以是多核微處理器。組件100可被構(gòu)造為無(wú)凸塊構(gòu)建層(BBUL)封裝。
[0023]微電子管芯102可包括有源區(qū)域，有源區(qū)域可包括諸如上表面104之類的有源表面。有源區(qū)域可延伸至管芯102的多個(gè)側(cè)面。微電子管芯102可包括上表面104，上表面104包含電連接131以操作微電子管芯102。諸如構(gòu)建膜、焊料等等的材料133可用于將電連接131連接至本文中所公開的導(dǎo)電跡線114。
[0024]管芯102可包括微電子管芯無(wú)源區(qū)域，微電子管芯無(wú)源區(qū)域可包括諸如下表面106之類的無(wú)源表面。無(wú)源區(qū)域可延伸至管芯102的多個(gè)側(cè)面。下表面106可與上表面104平行。管芯102可包括管芯側(cè)面108。管芯側(cè)面108可在上表面104和下表面106之間延伸。
[0025]封裝100可包括密封材料110。封裝100可包括構(gòu)建層113。密封材料110可由與構(gòu)建層113相同的材料形成。構(gòu)建層或密封層中的一個(gè)或多個(gè)可被選擇成具有不同的材料以平衡由于在制造或使用中引起的應(yīng)力而可能出現(xiàn)的應(yīng)力。
[0026]封裝100可包括一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電跡線114。封裝可包括導(dǎo)電接觸116。掩模117可限定接觸。掩模117可包括構(gòu)建層。封裝100可包括一個(gè)或多個(gè)互連120。本文中所使用的密封材料可包括一個(gè)或多個(gè)構(gòu)建層。在一些示例中，諸如為了減小或控制翹曲，密封材料的薄層可嵌入到構(gòu)建層中。
[0027]腔限定層118可集成到封裝100中。腔限定層118可包括腔限定層下表面122。腔限定層上表面124可與腔限定層下表面122平行。腔限定層可包括至少一個(gè)腔限定層側(cè)面126。腔限定層118可鄰近微電子管芯102的下表面106設(shè)置。腔限定層118可比如通過與管芯的無(wú)源區(qū)域接觸或耦合來(lái)與管芯102熱連通。腔限定層118可包括導(dǎo)電材料。腔限定層118可與管芯102的有源區(qū)域電絕緣。
[0028]密封材料110可限定在腔限定層118和微電子管芯102之間的腔。如圖所示，腔限定層118可任選地限定腔限定層開口 132，通過該腔限定層開口暴露管芯的下表面。腔限定層開口 132可向腔打開，諸如成形成容納熱界面材料的腔。
[0029]熱界面材料134可設(shè)置在腔限定層上表面124和管芯下表面106之間，并且與腔限定層上表面124和管芯下表面106熱連通。腔限定層118可限定開口 132，該開口 132使熱界面材料134的至少一部分暴露至封裝100的下表面128。
[0030]微電子管芯102可通過密封材料110保持在至少一個(gè)側(cè)面108上的適當(dāng)?shù)奈恢弥?。管?02可利用具有粘接性能的材料(諸如，管芯接合膜(“DBF”) 135)諸如通過粘附諸如與面板(諸如，腔限定層118)耦合。DBF可包括熱界面材料。DBF可沿著下表面106設(shè)置。密封材料110可諸如通過選擇具有被選擇成抵消靠近密封材料的其他材料(諸如管芯102)的膨脹或收縮的熱膨脹系數(shù)的材料來(lái)控制封裝翹曲。
[0031]密封材料110可包括基本上與管芯下表面106平行的下表面128。密封材料110可包括基本上與管芯上表面104平行的上表面130。密封材料110可包括基本上與上表面104在同一平面上的至少一個(gè)表面。在密封材料110中存在延伸到管芯的一部分(諸如到所示的上部)的開口。密封材料110可包括基本上與下表面104在同一平面上的至少一個(gè)密封材料上表面129。在密封材料110中存在延伸到管芯的一部分(諸如到所示的下部)的開口。上表面104可被置于固定板上，而密封材料110設(shè)置在微電子管芯102周圍。密封材料110可密封管芯側(cè)面108和腔限定層側(cè)面126和腔限定層上表面124。
[0032]構(gòu)建層113可與密封材料110稱合。密封材料110可像構(gòu)建層113—樣構(gòu)建。導(dǎo)電跡線114可與構(gòu)建層113耦合。跡線114可與上表面104電接觸。導(dǎo)電接觸116與導(dǎo)電跡線114耦合并且允許集成電路封裝100例如通過插座連接電耦合至電路板。在一個(gè)示例中，導(dǎo)電接觸116可包括焊球。導(dǎo)電接觸116可包括觸點(diǎn)(land)或引腳。
[0033]無(wú)芯載體144可設(shè)置為面板并且可與樹脂層138和導(dǎo)體126(諸如銅)組合以形成腔，諸如其中可設(shè)置熱界面材料的腔。樹脂層可包括蝕刻停止層。無(wú)芯載體144可包括犧牲短箔片140和犧牲長(zhǎng)箔片138。樹脂層的示例包括，但不限于，諸如具有低楊氏模量(Young’s Modulus)的材料的介電材料，諸如味之素構(gòu)建膜(Ajinomoto Build-upFilm, ABF)介電材料，味之素構(gòu)建膜(ABF)介電材料包括，但不限于，GX-92、T-31和其他材料，這些材料中的每一個(gè)均可任選地與一個(gè)或多個(gè)填充物組合。這些材料中的一個(gè)或多個(gè)由味之素精細(xì)技術(shù)公司(Ajinomoto Fine-Techno C0., Inc)制造。
[0034]組件100可諸如沿著切割線136被切割以將頂部與底部分開。切割可包括布線。在制造過程中可在外銅層138和內(nèi)銅層140之間形成真空，使得一旦組件被切割，外銅層138自由地從內(nèi)銅層140脫離。
[0035]不幸地，外銅層138可能殘留在樹脂層142上。需要將該外銅層138至少移除至安全空間。該層可被蝕刻掉，這可能耗時(shí)的、昂貴的、并且可能導(dǎo)致浪費(fèi)。
[0036]因此，本文所公開的一些組件可利用釋放層形成。圖2示出了根據(jù)示例的封裝有釋放層的管芯的截面圖。芯板202包括諸如預(yù)浸潰復(fù)合材料(“預(yù)浸材料”)之類的襯底204。襯底可包括有機(jī)復(fù)合材料、無(wú)機(jī)復(fù)合材料、有機(jī)和無(wú)機(jī)復(fù)合材料的組合和單片層中的一個(gè)。
[0037]釋放層206可諸如在襯底204之上和/或之下與襯底204耦合。釋放層206可采用諸如弱粘結(jié)之類的機(jī)制粘附至襯底204。這種結(jié)合可包括分子間力和/或受控類型的化學(xué)鍵合。弱粘結(jié)可能小于0.2千克力每厘米。
[0038]樹脂層208可諸如在釋放層206之上與釋放層206耦合。樹脂層208可采用弱粘結(jié)粘附至釋放層。
[0039]金屬膜210 (諸如，銅箔)可諸如在樹脂層上與樹脂層208耦合。金屬膜210可限定腔212。微電子管芯214可在腔中與金屬膜耦合。管芯可以是圖1的管芯102。類似于在圖1中的腔限定層118上的組件100，組件可被構(gòu)造在金屬膜210之上。諸如圖1中的構(gòu)建層113之類的構(gòu)建層和跡線可設(shè)置在金屬膜210上。
[0040]底部釋放層216可諸如在襯底204之下與襯底204耦合。底部釋放層可諸如采用弱粘結(jié)粘附至襯底204。底部樹脂層218可諸如在釋放層之下與釋放層216耦合。樹脂層218可與襯底耦合。底部金屬膜可在樹脂層之下與樹脂層耦合，金屬膜限定腔。底部微電子管芯可在腔中與金屬膜耦合。
[0041]本文中所討論的金屬膜可包括銅。銅可為大約10到210微米厚。銅可為大約18到35微米厚。本文所討論的樹脂層可為大約10到100微米厚。本文所討論的釋放層可小于大約I微米厚。
[0042]圖3示出了根據(jù)示例的封裝有釋放層的管芯的截面圖，該管芯具有鄰接襯底的銅。芯板302包括諸如預(yù)浸潰復(fù)合材料(“預(yù)浸材料”)之類的襯底304。釋放層306可諸如在襯底304之上和/或之下與襯底304耦合。釋放層306可采用弱粘結(jié)粘附至襯底304。弱粘結(jié)可能小于0.2千克力每厘米。樹脂層308可諸如在釋放層306之上與釋放層306耦合。樹脂層308可采用弱粘結(jié)粘附至釋放層。金屬膜310 (諸如，銅箔)可諸如在樹脂層上與樹脂層308稱合。金屬膜310可限定腔312。微電子管芯314可在腔中與金屬膜f禹合。管芯可以是圖1的管芯102。類似于在圖1中的腔限定層118上的組件100，組件可被構(gòu)造在金屬膜310之上。諸如圖1中的構(gòu)建層113之類的構(gòu)建層和跡線可設(shè)置在金屬膜310上。
[0043]底部釋放層316可諸如在襯底304之下與襯底304耦合。底部釋放層可諸如采用弱粘結(jié)粘附至襯底304。底部樹脂層318可諸如在釋放層之下與釋放層316耦合。樹脂層318可與襯底耦合。底部金屬膜可在樹脂層之下與樹脂層耦合，金屬膜限定腔。底部微電子管芯可在腔中與金屬膜耦合。
[0044]金屬膜310的一部分可鄰接襯底304,該部分圍繞釋放層306。例如,釋放層306可以是直線的，并且襯底可鄰接釋放層306周圍的金屬膜310，該鄰接也是直線的。金屬膜可以是銅并且襯底可以是預(yù)浸潰復(fù)合材料，并且它們之間的結(jié)合具有大約3.8千克力每厘米的剝離強(qiáng)度。
[0045]圖4示出了根據(jù)示例的包括圖案化到銅層上的有機(jī)層的管芯的截面圖。芯板402包括諸如預(yù)浸潰復(fù)合材料(“預(yù)浸材料”)之類的襯底404。有機(jī)層406可諸如在襯底404之上和/或之下與襯底404耦合。有機(jī)層406可包括樹脂和釋放。金屬膜410 (諸如，銅箔)可諸如在樹脂層上與樹脂層408耦合。金屬膜410可限定腔412。微電子管芯414可在腔中與金屬膜耦合。管芯可以是圖1的管芯102。類似于在圖1中的腔限定層118上的組件100，組件可被構(gòu)造在金屬膜410之上。諸如圖1中的構(gòu)建層113之類的構(gòu)建層和跡線可設(shè)置在金屬膜410上。
[0046]有機(jī)層406、416可諸如采用噴霧嘴諸如通過印刷設(shè)置在金屬膜410上。替代地，有機(jī)層406、416可被軋制到金屬膜上。
[0047]圖5A示出了根據(jù)示例的在構(gòu)建封裝中的第一步驟，顯示了具有設(shè)置在其上的樹脂的襯底的截面圖。圖5B示出了在構(gòu)建封裝中的第二步驟，顯示了具有設(shè)置在圖5A的樹脂上的釋放的襯底的截面圖。金屬膜502可具有耦合在其上的樹脂504，諸如通過印刷樹脂材料504將樹脂504耦合到金屬膜502上。釋放層506可諸如通過印刷被印刷到樹脂層504 上。
[0048]圖6示出了根據(jù)示例的具有共同延伸地設(shè)置在銅的上方的樹脂的襯底的截面圖。在該變型中，樹脂層604沿著周界與金屬箔602共同延伸。釋放層606在周界內(nèi)設(shè)置在樹脂層604上。
[0049]圖7示出了根據(jù)示例的具有與釋放共同延伸地設(shè)置的樹脂的襯底的截面圖，并且樹脂和釋放兩者都設(shè)置在銅的上方。在該變型中，樹脂層604在金屬箔602的周界內(nèi)。釋放層606設(shè)置在與其共同延伸的樹脂層604上。
[0050]圖8為根據(jù)示例的表示將材料噴涂到銅上的方法的示意圖。軋制工藝800包括可被展開的金屬箔802.隨著它被展開，它可在噴霧頭805的下方前進(jìn)806，噴霧頭804將圖案設(shè)置在金屬箔上。圖案可包括有機(jī)層，諸如樹脂或釋放層。
[0051]圖9為根據(jù)示例的表示將材料軋制到銅上的方法的示意圖。軋制工藝900包括可被展開的金屬箔902.隨著它被展開，它可在另一卷904的下方前進(jìn)906，另一卷904將圖案設(shè)置在金屬箔上。圖案可包括有機(jī)層，諸如樹脂或釋放層。
[0052]圖10為根據(jù)示例的構(gòu)造管芯封裝的一部分的方法。在1002處，該方法可包括將樹脂層耦合到金屬膜上。在1004處，該方法示例可包括將釋放層耦合到樹脂層上。在1006處，該方法示例可包括將樹脂層耦合至襯底，并且釋放夾在金屬膜和樹脂層之間。這種方法可提供圖2和3的結(jié)構(gòu)中的任一個(gè)。在圖2的情況下，結(jié)合力可將襯底、釋放和樹脂固定在一起。示例包括采用弱粘結(jié)將釋放層粘附至襯底。在圖3的情況下，釋放層不一定結(jié)合至樹脂層。在1008處，方法示例可包括蝕刻金屬膜，從而限定腔。在1010處，方法示例可包括在腔內(nèi)將微電子管芯耦合到金屬膜上。
[0053]多個(gè)可選的方法是可能的，并且可與圖10中所示的方法組合。包括方法，其中將樹脂層耦合至金屬膜上可包括將樹脂層噴涂到金屬膜上。
[0054]包括方法示例，其中將樹脂層耦合到金屬膜上可包括將樹脂層以覆蓋小于金屬膜的整個(gè)表面的圖案的方式噴涂到金屬膜上。方法示例可包括將釋放層以覆蓋樹脂層的整個(gè)被暴露表面的圖案的方式耦合到樹脂層上。
[0055]包括方法示例，其中將樹脂層耦合至金屬膜上可包括將樹脂層從樹脂層的卷軋制到金屬膜上。包括方法示例，其中將樹脂層耦合到金屬膜上可包括將樹脂層以覆蓋小于金屬膜的整個(gè)表面的圖案的方式軋制到金屬膜上，包括周期性地切割卷。
[0056]方法示例可包括將打底劑(primer)耦合到樹脂層上。包括方法示例，其中將釋放層耦合到樹脂層上可包括將釋放層耦合到打底劑上。
[0057]封裝微電子管芯的方法可包括將頂部樹脂耦合到頂部金屬膜上。方法示例可包括將頂部釋放層耦合到頂部樹脂層上。方法示例可包括將底部樹脂耦合到底部金屬膜上。方法示例可包括將底部釋放層耦合到底部樹脂層上。采用弱粘結(jié)將頂部釋放層粘附至襯底的頂部表面。采用弱粘結(jié)將底部釋放層粘附至襯底的底部表面。方法示例可包括蝕刻頂部金屬膜，從而限定頂部腔。方法示例可包括蝕刻底部金屬膜，從而限定底部腔。方法示例可包括在頂部腔中將頂部微電子管芯耦合到頂部金屬膜上。方法示例可包括在底部腔中將底部微電子管芯稱合到底部金屬膜上。
[0058]方法示例可包括按照切割線切割頂部金屬膜、頂部釋放層、頂部樹脂、底部金屬膜、底部釋放層、底部樹脂和襯底，切割線設(shè)置在可與襯底耦合的頂部樹脂層的一部分和可與襯底稱合的底部樹脂層的一部分之間。
[0059]方法示例可包括克服弱粘結(jié)使頂部釋放層從襯底的頂部表面分離。方法示例可包括克服弱粘結(jié)使底部釋放層從襯底的底部表面分離。
[0060]包括方法示例，其中采用弱粘結(jié)將頂部釋放層粘附至襯底的頂部表面可包括在超過環(huán)境溫度的溫度下在壓力下將頂部釋放層壓制到襯底的頂部表面，并且其中采用弱粘結(jié)將底部釋放層粘附至襯底的底部表面可包括同時(shí)在相同壓力和溫度下將底部釋放層壓制到襯底的底部表面。
[0061]方法示例可包括將頂部管芯密封在頂部腔中和將底部管芯密封在底部腔中。方法示例可包括將構(gòu)建層構(gòu)建到頂部金屬膜和底部金屬膜上。方法示例可包括在構(gòu)建層上形成導(dǎo)電跡線。
[0062]圖11示出了根據(jù)示例的計(jì)算系統(tǒng)1100?？稍谥T如圖11的計(jì)算系統(tǒng)1100之類的計(jì)算系統(tǒng)中使用諸如那些根據(jù)以上過程制造的插座組件之類的插座組件的以上示例中的一個(gè)或多個(gè)。根據(jù)方法實(shí)施例單獨(dú)或與任何其他實(shí)施例組合制造的插座可被稱為示例配置。
[0063]計(jì)算系統(tǒng)1100可包括可被封裝在IC芯片封裝1110的處理器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)1112、諸如鍵盤1114之類的輸入設(shè)備、以及諸如監(jiān)視器1116之類的輸出設(shè)備。計(jì)算系統(tǒng)1100可包括處理數(shù)據(jù)信號(hào)的處理器并且可包括例如可從英特爾公司購(gòu)買到的微處理器。除鍵盤1114之外，計(jì)算系統(tǒng)1100可包括諸如鼠標(biāo)1118之類的另一用戶輸入設(shè)備。
[0064]包含根據(jù)所要求保護(hù)的主題的部件的計(jì)算系統(tǒng)1100可包括利用微電子器件系統(tǒng)的任何系統(tǒng)，微電子器件系統(tǒng)可包括例如，上面描述的諸如那些根據(jù)方法示例制造的插座組件之類的插座組件，插座組件可與諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、聚合物存儲(chǔ)器、閃存存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器之類的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)耦合。某些示例可通過與處理器耦合來(lái)耦合至它們中的任何組合。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可包括管芯上的嵌入式DRAM緩存。與處理器耦合的示例配置可以是具有與DRAM緩存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)耦合的示例配置的系統(tǒng)的一部分。示例配置可與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)1112耦合。
[0065]在示例中，計(jì)算系統(tǒng)1100還可包括管芯，該管芯包含數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、微控制器、專用集成電路(ASIC)、或微處理器。示例配置可通過與處理器耦合來(lái)耦合至這些部件的任何組合。對(duì)于示例，DSP可以是芯片組的一部分，芯片組可包括作為板1120上的芯片組的單獨(dú)部分的獨(dú)立處理器和DSP。示例配置可與DSP耦合并且可提供可與IC芯片封裝1110中的處理器耦合的單獨(dú)的示例配置。此外，在示例中，示例配置可與可安裝在與IC芯片封裝1110相同的板1120上的DSP耦合。如針對(duì)結(jié)合通過根據(jù)本公開中方法示例及其等效方案制造的插座組件的多個(gè)示例所述的示例配置的計(jì)算系統(tǒng)1100所述的，可組合示例配置。
[0066]本公開所述的示例可應(yīng)用于除傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)以外的設(shè)備和裝置。例如管芯可按示例配置封裝并且可置于便攜式設(shè)備(諸如，無(wú)線通信器)或手持設(shè)備(諸如，智能電話)、個(gè)人數(shù)據(jù)助理等等中。另一示例可以是可按示例配置封裝并且置于車輛(諸如，汽車)、機(jī)車、船只、飛機(jī)或航天器中的管芯。
[0067]圖12為根據(jù)示例的電子系統(tǒng)1200的示意圖。所描繪的電子系統(tǒng)1200可包含圖11所描繪的計(jì)算系統(tǒng)1100，并且電子系統(tǒng)可示意性描繪。電子系統(tǒng)1200包含電子組件1210，諸如如上所述的IC管芯。在示例中，電子系統(tǒng)1200可以是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可包括用于電耦合電子系統(tǒng)1200的多個(gè)部件的系統(tǒng)總線1220。根據(jù)各種示例，系統(tǒng)總線1220可以是單個(gè)總線或任何總線組合。電子系統(tǒng)1200可包括向集成電路1210供電的電壓源1230。在一些示例中，電壓源1230通過系統(tǒng)總線1220向集成電路1210供電。
[0068]根據(jù)示例，集成電路1210與系統(tǒng)總線1220電耦合并且包括任何電路或電路組合。在示例中，集成電路1210包括可以是任何類型的處理器1212。本文所使用的處理器1212意指任何類型的電路，諸如，但不限于，微處理器、微控制器、圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、或另一處理器。因此，插座可以是容納兩個(gè)管芯(諸如，選自處理器的處理器第一管芯和第二管芯或作為芯片組的一部分的另一管芯)的電子系統(tǒng)的一部分?？砂ㄔ诩呻娐?210中的其他類型的電路為定制電路或ASIC，諸如在無(wú)線設(shè)備(諸如，蜂窩電話、尋呼機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、雙向無(wú)線電、和類似的電子系統(tǒng))中使用的通信電路1214。在示例中，集成電路1210包括管芯上的存儲(chǔ)器1216，諸如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。在示例中，集成電路1210包括管芯上的存儲(chǔ)器1216，諸如嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(eDRAM)。
[0069]在示例中，電子系統(tǒng)1200還包括外部存儲(chǔ)器1240，外部存儲(chǔ)器1240又可包括適合于特定應(yīng)用的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器元件(諸如以RAM形式的主存儲(chǔ)器1242)、一個(gè)或多個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器1244、和/或處理可移動(dòng)介質(zhì)1246 (諸如磁盤、光盤(⑶)、數(shù)字視頻光盤(DVD)、閃存密鑰、和本領(lǐng)域已知的其他的可移動(dòng)介質(zhì))的一個(gè)或多個(gè)驅(qū)動(dòng)器。
[0070]在示例中，電子系統(tǒng)1200還包括顯示裝置1250以及音頻輸出1260。在示例中，電子系統(tǒng)1200包括輸入1270，諸如，鍵盤、鼠標(biāo)、軌跡球、游戲控制器、話筒、語(yǔ)音識(shí)別裝置、或?qū)⑿畔⑤斎氲诫娮酉到y(tǒng)1200中的任何其他設(shè)備。
[0071]如本文所示的集成電路1210可在包括電子封裝、電子系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、制造集成電路的一個(gè)或多個(gè)方法、以及制造電子組件的一個(gè)或多個(gè)方法的多種不同示例中實(shí)現(xiàn)，電子組件包括在本文中的各個(gè)示例中及它們的本領(lǐng)域公認(rèn)的等效方案中所述的插座組件。操作的元件、材料、幾何形狀、尺寸和順序都可改變以適合具體的封裝要求。
[0072]示例和說(shuō)明
[0073]本主題可通過多個(gè)示例描述。示例I包括主題(諸如，裝置、方法、用于執(zhí)行動(dòng)作的裝置、或包括當(dāng)被設(shè)備執(zhí)行時(shí)可使設(shè)備執(zhí)行動(dòng)作的指令的設(shè)備可讀介質(zhì))，主題包括襯底，釋放層在襯底之上與襯底耦合。示例可包括在釋放層之上與釋放層耦合的樹脂層。示例可包括在樹脂層之上與樹脂層耦合的金屬膜，金屬膜限定腔。示例可包括在腔中與金屬膜耦合的微電子管芯。
[0074]示例2可包括或可任選地結(jié)合示例I的主題，其中釋放層通過弱粘結(jié)粘附至襯底。
[0075]示例3可包括或可任選地結(jié)合示例I至2的一個(gè)或任何組合的主題，其中弱粘結(jié)為小于0.2千克力每厘米。
[0076]示例4可包括或可任選地結(jié)合示例I至3的一個(gè)或任何組合的主題，其中樹脂層采用弱粘結(jié)粘附至釋放層。
[0077]示例5可包括或可任選地結(jié)合示例I至4的一個(gè)或任何組合的主題，其中襯底由預(yù)浸潰復(fù)合材料形成。
[0078]示例6可包括或可任選地結(jié)合示例I至5的一個(gè)或任何組合的主題，其中管芯包括有源區(qū)域和無(wú)源區(qū)域，并且無(wú)源區(qū)域?qū)χ鴺渲瑢釉O(shè)置。
[0079]示例7可包括或可任選地結(jié)合示例I至6的一個(gè)或任何組合的主題,該主題包括與金屬膜耦合的多個(gè)構(gòu)建層。
[0080]示例8可包括或可任選地結(jié)合示例I至7的一個(gè)或任何組合的主題,該主題包括與構(gòu)建層耦合并且與有源區(qū)域電連通的多個(gè)導(dǎo)電跡線。
[0081]示例9可包括或可任選地結(jié)合示例I至8的一個(gè)或任何組合的主題,該主題包括在襯底之下與襯底耦合的底部釋放層，釋放層粘附至襯底。示例可包括在釋放層之下與釋放層耦合的底部樹脂層，樹脂層與襯底耦合。示例可包括在樹脂層之下與樹脂層耦合的底部金屬膜，金屬膜限定腔。示例可包括在腔中與金屬膜耦合的底部微電子管芯。
[0082]示例10可包括或可任選地結(jié)合示例I至9的一個(gè)或任何組合的主題,該主題包括包圍微電子管芯并且填充腔的密封材料。
[0083]示例11可包括或可任選地結(jié)合示例I至10的一個(gè)或任何組合的主題，其中微電子管芯為處理器，并且其中底部管芯從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備、數(shù)字信號(hào)處理器、微控制器、專用集成電路、和處理器中選擇。
[0084]示例12可包括或可任選地結(jié)合示例I至11的一個(gè)或任何組合的主題，其中示例設(shè)置在計(jì)算機(jī)、無(wú)線通信器、手持設(shè)備、汽車、機(jī)車、飛行器、船只或航天器中的一個(gè)中。
[0085]示例13可包括或可任選地結(jié)合示例I至12的一個(gè)或任何組合的主題，其中金屬膜的一部分鄰接襯底，該部分圍繞釋放層。
[0086]示例14可包括或可任選地結(jié)合示例I至13的一個(gè)或任何組合的主題，其中該部分圍繞釋放層的周界延伸。
[0087]示例15可包括或可任選地結(jié)合示例I至14的一個(gè)或任何組合的主題，其中金屬膜為銅以及襯底為預(yù)浸潰復(fù)合材料，并且它們之間的結(jié)合具有大約3.8千克力每厘米的剝離強(qiáng)度。
[0088]示例16可包括或可任選地結(jié)合示例I至15的一個(gè)或任何組合的主題，其中金屬膜包括銅。
[0089]示例17可包括或可任選地結(jié)合示例I至16的一個(gè)或任何組合的主題，其中銅為大約3至300微米厚。
[0090]示例18可包括或可任選地結(jié)合示例I至17的一個(gè)或任何組合的主題，其中銅為大約10-180微米厚。
[0091]示例19可包括或可任選地結(jié)合示例I至18的一個(gè)或任何組合的主題，其中樹脂層為大約I至100微米厚。
[0092]示例20可包括或可任選地結(jié)合示例I至19的一個(gè)或任何組合的主題，其中釋放層為小于大約0.5納米至50微米厚。
[0093]示例21包括主題(諸如，裝置、方法、用于執(zhí)行動(dòng)作的裝置、或包括當(dāng)被設(shè)備執(zhí)行時(shí)可使設(shè)備執(zhí)行動(dòng)作的指令的設(shè)備可讀介質(zhì))，該主題包括將樹脂層耦合至金屬膜上。示例可包括將釋放層耦合到樹脂層上。示例可包括采用弱粘結(jié)將釋放層粘附至襯底。示例可包括蝕刻金屬膜，從而限定腔。示例可包括在腔內(nèi)將微電子管芯耦合到金屬膜上。
[0094]示例22可包括或可任選地結(jié)合示例21的主題，其中將樹脂層耦合到金屬膜上包括將樹脂層噴涂到金屬膜上。
[0095]示例23可包括或可任選地結(jié)合示例21至22的一個(gè)或任何組合的主題，其中將樹脂層耦合到金屬膜上包括將樹脂層以覆蓋小于金屬膜的整個(gè)表面的圖案的方式噴涂到金屬膜上。
[0096]示例24可包括或可任選地結(jié)合示例21至23的一個(gè)或任何組合的主題,該主題包括將釋放層以覆蓋樹脂層的整個(gè)被暴露表面的圖案的方式耦合至樹脂層。
[0097]示例25可包括或可任選地結(jié)合示例21至24的一個(gè)或任何組合的主題，其中將樹脂層耦合到金屬膜上包括將樹脂層從樹脂層的卷軋制到金屬膜上。
[0098]示例26可包括或可任選地結(jié)合示例21至25的一個(gè)或任何組合的主題，其中將樹脂層耦合到金屬膜上包括將樹脂層以覆蓋小于金屬膜的整個(gè)表面的圖案的方式軋制到金屬膜上，將樹脂層以覆蓋小于金屬膜的整個(gè)表面的圖案的方式軋制到金屬膜上包括周期性地切割卷。
[0099]示例27可包括或可任選地結(jié)合示例21至26的一個(gè)或任何組合的主題,該主題包括將打底劑耦合到樹脂層上。示例可包括將釋放層耦合到樹脂層上，將釋放層耦合到樹脂層上包括將釋放層耦合到打底劑上。
[0100]示例28包括主題(諸如，裝置、方法、用于執(zhí)行動(dòng)作的裝置、或包括當(dāng)被設(shè)備執(zhí)行時(shí)可使設(shè)備執(zhí)行動(dòng)作的指令的設(shè)備可讀介質(zhì))，該主題包括將頂部樹脂耦合至頂部金屬膜上。示例可包括將頂部釋放層耦合到頂部樹脂層上。示例可包括將底部樹脂耦合到底部金屬膜上。示例可包括將底部釋放層耦合到底部樹脂層上。示例可包括采用弱粘結(jié)將頂部釋放層粘附至襯底的頂部表面。示例可包括采用弱粘結(jié)將底部釋放層粘附至襯底的底部表面。示例可包括蝕刻頂部金屬膜，從而限定頂部腔。示例可包括蝕刻底部金屬膜，從而限定底部腔。示例可包括在頂部腔中將頂部微電子管芯耦合到頂部金屬膜上。示例可包括在底部腔中將底部微電子管芯耦合到底部金屬膜上。示例可包括按照切割線切割頂部金屬膜、頂部釋放層、頂部樹脂、底部金屬膜、底部釋放層、底部樹脂和襯底，切割線設(shè)置在與襯底耦合的頂部樹脂層的一部分和與襯底耦合的底部樹脂層的一部分之間。示例可包括克服弱粘結(jié)使頂部釋放層從襯底的頂部表面分離。示例可包括克服弱粘結(jié)使底部釋放層從襯底的底部表面分尚。
[0101]示例29可包括或可任選地結(jié)合示例28的一個(gè)或任何組合的主題，其中采用弱粘結(jié)將頂部釋放層粘附至襯底的頂部表面包括在超過環(huán)境溫度的溫度下在壓力下將頂部釋放層壓制到襯底的頂部表面，并且其中采用弱粘結(jié)將底部釋放層粘附至襯底的底部表面包括同時(shí)在相同壓力和溫度下將底部釋放層壓制到襯底的底部表面。
[0102]示例30可包括或可任選地結(jié)合示例28至29的一個(gè)或任何組合的主題,該主題包括將頂部管芯密封在頂部腔中，并且將底部管芯密封在底部腔中。
[0103]示例31可包括或可任選地結(jié)合示例28至30的一個(gè)或任何組合的主題,該主題將構(gòu)建層構(gòu)建到頂部金屬膜和底部金屬膜上。
[0104]示例32可包括或可任選地結(jié)合示例28至31的一個(gè)或任何組合的主題,該主題包括在構(gòu)建層上形成導(dǎo)電跡線。
[0105]這些非限制示例中的每一個(gè)可獨(dú)立存在，或可與其他示例中的一個(gè)或多個(gè)按照多種排列或組合結(jié)合。
[0106]上面詳細(xì)描述包括參照附圖，附圖形成詳細(xì)描述的一部分。附圖通過例示示出可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的具體實(shí)施例。在本文中，這些實(shí)施例也被稱為“示例”。這種示例可包括除所示或所述元件之外的元件。然而，本發(fā)明人還構(gòu)想到僅提供所示或所述這些元件的示例。此外，本發(fā)明人還構(gòu)想到或者參考特定示例(或其一個(gè)或多個(gè)方面)或者參考本文所示或所述的其它示例(或其一個(gè)或多個(gè)方面)利用所示或所述的這些元件(或其一個(gè)或多個(gè)方面)的任意組合或置換的示例。
[0107]在本文和通過引用所結(jié)合的任何文件之間存在不一致的用法的情況下，以本文中的用法為準(zhǔn)。
[0108]在本文中，術(shù)語(yǔ)“一”或“一個(gè)”正如在專利文件中常見的那樣用于包括一個(gè)或一個(gè)以上，與“至少一個(gè)”或“一個(gè)或多個(gè)”的任何其它實(shí)例或使用無(wú)關(guān)。在本文中，術(shù)語(yǔ)“或”用于指示非排他或，使得“A或B”包括“A而非B”、“B而非A”以及“A和B”，除非另外指示。在本文中，術(shù)語(yǔ)“包含”和“在其中”分別用作術(shù)語(yǔ)“包括”和“其中”的等價(jià)詞。并且，在所附權(quán)利要求書中，術(shù)語(yǔ)“包括”和“包含”是開放式的，即，包括除在權(quán)利要求中在這種術(shù)語(yǔ)之后列出的那些元素之外的元素的系統(tǒng)、設(shè)備、制品、構(gòu)成、形成或過程仍然被視為落在該權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。此外，在所附權(quán)利要求書中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等僅用作標(biāo)記，而不旨在對(duì)他們的對(duì)象施加數(shù)值要求。
[0109]上述描述是用來(lái)說(shuō)明的而非限制的。例如，上述示例(或其一個(gè)或多個(gè)方面)可彼此組合地使用。諸如由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在仔細(xì)閱讀以上描述之后可使用其它實(shí)施例。提供摘要以符合37 C.F.R.§ 1.72(b)，以允許讀者快速地查明技術(shù)公開的本質(zhì)。該摘要是以不用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍或含義的理解而提交的。同樣，在以上的詳細(xì)描述中，可將各種特征組合在一起以使本公開流暢。這不應(yīng)被認(rèn)為是意指未要求保護(hù)的公開特征對(duì)任何權(quán)利要求是關(guān)鍵的。相反，本發(fā)明的主題在于少于特定公開實(shí)施例的所有特征。因此，所附權(quán)利要求書由此結(jié)合在詳細(xì)描述中作為示例或?qū)嵤├?，且每個(gè)權(quán)利要求本身作為單獨(dú)的實(shí)施例，且構(gòu)想到這些實(shí)施例可按各種組合或置換彼此組合。本發(fā)明的范圍應(yīng)參考所附權(quán)利要求書以及使這些權(quán)利要求享有權(quán)利的等效方案的完全范圍來(lái)確定。
【權(quán)利要求】
1.一種裝置，包括: 襯底； 釋放層，所述釋放層在所述襯底之上與所述襯底耦合； 樹脂層，所述樹脂層在所述釋放層之上與所述釋放層耦合； 金屬膜，所述金屬膜在所述樹脂層之上與所述樹脂層耦合，所述金屬膜限定腔；以及 微電子管芯，所述微電子管芯在所述腔中與所述金屬膜耦合。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述釋放層采用弱粘結(jié)粘附至所述襯底。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述樹脂層采用弱粘結(jié)粘附至所述釋放層。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述襯底由有機(jī)復(fù)合材料、無(wú)機(jī)復(fù)合材料、有機(jī)和無(wú)機(jī)復(fù)合材料的組合、和單片層中的一種形成。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，包括: 底部釋放層，所述底部釋放層在所述襯底之下與所述襯底耦合，所述釋放層粘附至所述襯底； 底部樹脂層，所述底部樹脂層在所述釋放層之下與所述釋放層耦合，所述樹脂層與所述釋放層耦合； 底部金屬膜，所述底部金屬膜在所述樹脂層之下與所述樹脂層耦合，所述金屬膜限定腔；以及 底部微電子管芯，所述底部微電子管芯在所述腔中與所述金屬膜耦合。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，包括包圍所述微電子管芯并填充所述腔的密封材料。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述微電子管芯為處理器，并且其中底部管芯從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備、數(shù)字信號(hào)處理器、微控制器、專用集成電路、和處理器中選擇。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述裝置設(shè)置在計(jì)算機(jī)、無(wú)線通信器、手持設(shè)備、汽車、機(jī)車、飛行器、船只或航天器中的一個(gè)中。
9.如權(quán)利要求1-8中的任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述金屬膜的一部分鄰接所述襯底，所述部分圍繞所述釋放層。
10.一種構(gòu)建微電子管芯封裝的方法，所述方法包括: 將樹脂層耦合到金屬膜上； 將釋放層耦合到所述樹脂層上； 采用弱粘結(jié)將所述釋放層粘附至襯底； 蝕刻所述金屬膜，從而限定腔；以及 在所述腔中將微電子管芯耦合到所述金屬膜上。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，將樹脂層耦合至金屬膜上包括將所述樹脂層噴涂到所述金屬膜上。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，將樹脂層耦合到金屬膜上包括將所述樹脂層以覆蓋小于所述金屬膜的整個(gè)表面的圖案的方式噴涂到所述金屬膜上。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，包括將所述釋放層以覆蓋所述樹脂層的整個(gè)被暴露表面的圖案的方式耦合到所述樹脂層上。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，將樹脂層耦合至金屬膜上包括將所述樹脂層從所述樹脂層的卷軋制到所述金屬膜上。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，將樹脂層耦合到金屬膜上包括將所述樹脂層以覆蓋小于所述金屬膜的整個(gè)表面的圖案的方式軋制到所述金屬膜上，所述將所述樹脂層以覆蓋小于所述金屬膜的整個(gè)表面的圖案的方式軋制到所述金屬膜上包括周期性地切割所述卷。
16.如權(quán)利要求10- 15中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，包括將打底劑耦合到所述樹脂層上，其中將所述釋放層耦合到所述樹脂層上包括將所述釋放層耦合到所述打底劑上。
17.一種封裝微電子管芯的方法，包括: 將頂部樹脂耦合到頂部金屬膜上； 將頂部釋放層耦合到頂部樹脂層上； 將底部樹脂耦合到底部金屬膜上； 將底部釋放層耦合到底部樹脂層上； 采用弱粘結(jié)將所述頂部釋放層粘附至襯底的頂部表面； 采用弱粘結(jié)將所述底部釋放層粘附至襯底的底部表面； 蝕刻所述頂部金屬膜，限定頂部腔； 蝕刻所述底部金屬膜，限定底部腔； 在所述頂部腔中將頂部微電子管芯耦合到所述頂部金屬膜上； 在所述底部腔中將底部微電子管芯耦合到所述底部金屬膜上； 按照切割線切割所述頂部金屬膜、頂部釋放層、頂部樹脂、底部金屬膜、底部釋放層、底部樹脂和襯底，所述切割線設(shè)置在與所述襯底耦合的所述頂部樹脂層的一部分和與所述襯底耦合的所述底部樹脂層的一部分之間； 克服弱粘結(jié)使所述頂部釋放層從所述襯底的頂部表面分離；以及 克服弱粘結(jié)使所述底部釋放層從所述襯底的底部表面分離。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，包括通過蝕刻所述頂部金屬膜限定所述頂部腔，并且通過蝕刻所述底部金屬膜限定所述底部腔。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，包括在所述頂部金屬膜上圍繞所述頂部微電子管芯形成在所述頂部金屬膜上的頂部構(gòu)建層，并且在所述底部金屬膜上圍繞所述底部微電子管芯形成在所述底部金屬膜上的底部構(gòu)建層。
20.如權(quán)利要求17- 19中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，采用弱粘結(jié)將所述頂部釋放層粘附至襯底的頂部表面包括在超過環(huán)境溫度的溫度下在壓力下將所述頂部釋放層壓制到所述襯底的頂部表面，并且其中采用弱粘結(jié)將所述底部釋放層粘附至襯底的底部表面包括同時(shí)在相同壓力和溫度下將所述底部釋放層壓制到所述襯底的底部表面。
【文檔編號(hào)】H01L21/301GK104137230SQ201380011202
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2013年6月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月21日
【發(fā)明者】靳力文, D·塞內(nèi)衛(wèi)拉特尼 申請(qǐng)人:英特爾公司