專利名稱：新凸塊結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種導(dǎo)電凸塊的結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種具降低凸塊整體硬度的新凸 塊的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在制造液晶顯示熒幕的制程應(yīng)用領(lǐng)域中，包含了許多復(fù)雜的制造程序，一般而言， 液晶顯示熒幕是由接合許多的液晶顯示驅(qū)動(dòng)晶片(LCD Chip)、以及周邊驅(qū)動(dòng)與控制電路的 晶片至一玻璃基板上而形成，每一液晶顯示熒幕上皆有許多的液晶顯示驅(qū)動(dòng)晶片，而晶片 上的接觸墊(Contacting Pad)必須與玻璃基板上的導(dǎo)線正確地加以對(duì)準(zhǔn)并接合，并提供良 好的導(dǎo)電性，以使液晶顯示熒幕能由良好的訊號(hào)傳遞來(lái)顯示正確無(wú)誤的影像。為了達(dá)到上述的對(duì)準(zhǔn)度及導(dǎo)電特性，目前已發(fā)展出許多的接合方法，在眾多的 接合方法的中，其中較常應(yīng)用的兩種方法可為卷帶式晶粒自動(dòng)接合(Tape Automated Bonding ；TAB)法以及晶片-玻璃接合(Chip-On-Glass ；COG)法。除了可應(yīng)用于液晶顯示 熒幕的制程中，上述的方法亦可應(yīng)用于其他多種不同的晶片之中，將晶片接合至電路板上 或是其他導(dǎo)電線路之上。在接合方法的應(yīng)用中，由于導(dǎo)電膠的發(fā)展，使得晶片接點(diǎn)的密度得 以提升，而減少高接點(diǎn)密度下相鄰接點(diǎn)間可能發(fā)生短路的問(wèn)題。請(qǐng)參見(jiàn)圖1所示，即為一接合過(guò)程的截面示意圖，為便于介紹接合制程，圖中顯示 的IC晶片10是以上下相反的方向來(lái)放置，IC晶片10之上已形成所需的各種主動(dòng)元件，以 液晶顯示驅(qū)動(dòng)晶片的IC晶片10的應(yīng)用而言，IC晶片10之上會(huì)形成金凸塊12，金凸塊12 并與基材10上的鋁接墊相連，IC晶片10并接合于玻璃基板14上以形成液晶顯示幕，IC晶 片10與玻璃基板14之間可以導(dǎo)電膠16提供電性的連接。一般而言，導(dǎo)電膠16為一包含粘著性樹脂材質(zhì)及導(dǎo)電顆粒的膠層，在IC晶片10 對(duì)準(zhǔn)于玻璃基板14相對(duì)應(yīng)的位置之后，IC晶片10即在較高的溫度下壓合于玻璃基板14 上，并由于壓合而使每個(gè)金凸塊與玻璃基板上相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電點(diǎn)15間借由導(dǎo)電顆粒18形成 通路，同時(shí)由于樹脂材質(zhì)的高溫硬化而將IC晶片10與玻璃基板14緊密結(jié)合。傳統(tǒng)使用金 凸塊的方法，在對(duì)于對(duì)準(zhǔn)精度以及導(dǎo)電膠16的導(dǎo)電特性皆能良好的控制之下，可提供相當(dāng) 有效而良好的電性接合，金的良好導(dǎo)電特性并可提供IC晶片10與玻璃基板14間低電阻值 的電性連接。其金凸塊結(jié)構(gòu)如圖2所示，在IC晶片10的鋁接墊22的周遭存有一鈍態(tài)保護(hù)層 24其上再形成一金凸塊12，其結(jié)構(gòu)可分為兩部分，分別為多層金屬層26 (稱為Under Bump Metallurgy, UBM 或 Ball Limitilng Metallurgy, BLM)以及金凸塊 28 本身。由于同一顆 IC晶片10所形成的金凸塊12高度會(huì)有誤差，為了克服此高度上的誤差，在進(jìn)行如圖1所示 的壓合制程時(shí)，由于金凸塊12具金屬高鋼性的特征，亦即其楊氏系數(shù)相當(dāng)大(約IlOGPa)， 需施加相當(dāng)大的力量，方能使所有金凸塊12與玻璃基板14上的相對(duì)應(yīng)導(dǎo)電點(diǎn)15導(dǎo)通，然 而，如此亦造成鈍態(tài)保護(hù)層24的斷裂。—般為了降低傳統(tǒng)金凸塊的楊氏系數(shù)，曾提出復(fù)合凸塊的結(jié)構(gòu)，如圖3所示，復(fù)合凸塊的結(jié)構(gòu)是在鋁接墊22上先形成一高分子層30，由于高分子層30不導(dǎo)電，因此其不能 全部覆蓋鋁接墊22，接著在于其上形成一金屬層38，其是由粘附層32、障蔽層34與導(dǎo)體層 36所共同形成，其依序的材料可為鉻、銅與金。由于在傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上，此金屬層38相當(dāng) 薄，因此于做探針點(diǎn)測(cè)測(cè)試時(shí)，易將此金屬層38弄破，反而增加后續(xù)制程的難度，且其高分 子層30是形成于鋁接墊22的中心，而金屬層38包覆于其外，因此其與鋁接墊22間的傳導(dǎo) 面積下降，且在壓合制程時(shí)，于轉(zhuǎn)折處42與44，由于金屬層38相當(dāng)薄亦容易斷裂，進(jìn)而影響 接合品質(zhì)。傳統(tǒng)金凸塊結(jié)構(gòu)，由于具高楊氏系數(shù)，在壓合制程上會(huì)造成鈍態(tài)保護(hù)層的斷裂，而 傳統(tǒng)用以解決高楊氏系數(shù)的復(fù)合凸塊結(jié)構(gòu)，由于過(guò)薄的金屬層，于做探針點(diǎn)測(cè)試時(shí)，亦造成 金屬層的破裂，反影響后續(xù)金凸塊與接點(diǎn)的導(dǎo)通，因此目前需要一種改良的新凸塊結(jié)構(gòu)，來(lái) 解決上述的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容鑒于上述的發(fā)明背景所述，傳統(tǒng)的金凸塊結(jié)構(gòu)，由于金本身具高楊氏系數(shù)，因此在 壓合制程時(shí)，需施加相當(dāng)大的力量，方能使所有的金凸塊與基板上相對(duì)應(yīng)導(dǎo)電顆粒接觸而 導(dǎo)通，但此大的壓合力會(huì)造成鈍態(tài)保護(hù)層的斷裂，而傳統(tǒng)用以解決高楊氏系數(shù)的復(fù)合凸塊 結(jié)構(gòu)其是使用一高分子層，然其結(jié)構(gòu)上高分子層是形成于鋁接墊的中心，而金屬層包覆于 其外，由于此金屬層很薄，于做探針點(diǎn)測(cè)時(shí)，易造成金屬層的破裂。因此實(shí)需一種改良新凸 塊結(jié)構(gòu)，來(lái)同時(shí)降低金凸塊的楊氏系數(shù)，且又不會(huì)造成過(guò)薄的導(dǎo)電膠，或過(guò)度影響其導(dǎo)電接 觸面積。本發(fā)明的目的為提供一種新凸塊的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的另一目的為提供一種新凸塊的結(jié)構(gòu)，以應(yīng)用于液晶顯示驅(qū)動(dòng)晶片的晶 片-玻璃接合制程之中。本發(fā)明的又一目的為提供一種可自動(dòng)排膠的新凸塊的結(jié)構(gòu)，避免因施加壓力的不 平均造成接點(diǎn)電阻差異大的現(xiàn)象，并可應(yīng)用于液晶顯示模組的晶片-玻璃接合制程的中。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種新凸塊結(jié)構(gòu)，該新凸塊結(jié)構(gòu)是建立在一 IC晶 片的一接觸墊上，該新凸塊結(jié)構(gòu)至少包含一緩沖層，覆蓋于該接觸墊上，該緩沖層具有一第一開口及一第二開口，以暴露出 部分該接觸墊，其中該第一開口及該第二開口位于該接觸墊上，該第一開口的寬度(WI)及 該第二開口的寬度(W2)之和占該接觸墊的一邊長(zhǎng)的比例至少為1/3 ；一多層金屬層，覆蓋于該緩沖層與該接觸墊上；以及一凸塊層，覆蓋于該多層金屬層上。本發(fā)明還提供一種新凸塊結(jié)構(gòu)，包含一 IC 晶片；一第一接觸墊，位于該IC晶片的一表面上；一第二接觸墊，位于該IC晶片的該表面上； 一緩沖層，覆蓋于該等接觸墊上，該緩沖層具有一第一開口及一第二開口，以暴露 出部分該等接觸墊，其中該第一開口位于該第一接觸墊上，而該第二開口位于該第二接觸 墊上；
一多層金屬層，覆蓋于該緩沖層與該等接觸墊上；以及一凸塊層，覆蓋于該多層金屬層上，該凸塊層具有一第三開口。本發(fā)明還提供一種新凸塊結(jié)構(gòu)，包含一 IC 晶片；一第一接觸墊，位于該IC晶片的一表面上；—第二接觸墊，位于該IC晶片的該表面上；一緩沖層，覆蓋于該等接觸墊上，該緩沖層具有一第一開口及一第二開口，以暴露 出部分該等接觸墊，其中該第一開口位于該第一接觸墊上，而該第二開口位于該第二接觸 墊上；一多層金屬層，覆蓋于該緩沖層與該等接觸墊上；以及一凸塊層，覆蓋于該多層金屬層上。本發(fā)明中新凸塊的結(jié)構(gòu)至少包含一緩沖層，此緩沖層于接合過(guò)程中可借由緩沖層 的數(shù)個(gè)開口，于后續(xù)壓合制程中便于排膠，可降低新凸塊結(jié)構(gòu)的整體硬度，可避免金凸塊間 可能造成接合不良的問(wèn)題。本發(fā)明的新凸塊，由于具有低楊氏系數(shù)及數(shù)個(gè)開口的緩沖層，因 此于壓合制程時(shí)，可便于排膠，讓接合更加緊密，且可避免接點(diǎn)電阻不均現(xiàn)象發(fā)生。

圖1顯示IC晶片與玻璃基板間接合制程的截面示意圖；圖2顯示傳統(tǒng)金凸塊的截面示意圖；圖3顯示傳統(tǒng)復(fù)合金凸塊的截面示意圖；圖4顯示液晶顯示驅(qū)動(dòng)晶片接合至玻璃基板的示意圖；圖5顯示本發(fā)明中具有接觸墊形成于其上的IC晶片截面示意圖；圖6顯示本發(fā)明中形成緩沖層于IC晶片上的截面示意圖；圖7顯示本發(fā)明中利用光阻層定義出緩沖層圖案的截面示意圖；圖8顯示本發(fā)明中形成多層金屬層與凸塊層的截面示意圖；圖9顯示本發(fā)明中去除多層金屬層與緩沖層中未被新凸塊所覆蓋的部分的截面 示意圖；圖10顯示將本發(fā)明的新凸塊接合至玻璃基板上的截面示意圖；圖11顯示本發(fā)明第二實(shí)施例利用光阻層定義出緩沖層圖案的截面示意圖；圖12顯示本發(fā)明第二實(shí)施例形成多層金屬層與凸塊層的截面示意圖；以及圖13顯示本發(fā)明第二實(shí)施新凸塊的截面示意圖。10: IC 晶片12 金凸塊14 玻璃基板15:導(dǎo)電點(diǎn)16:導(dǎo)電膠18:導(dǎo)電顆粒22:鋁接墊24 鈍態(tài)保護(hù)層
26 多層金屬層
28 金凸塊
30 高分子層
32 粘附層
34 障蔽層
36 導(dǎo)體層
38 金屬層
100、200 ;IC晶片
102、202、202，接觸墊
104>204 保護(hù)層
106、206 緩沖層
108、208 多層金屬層
110>210 凸塊層
112>212 第三開口
114>214 光阻層
116>216 第一開口
116，、216，第二開口
120玻璃基板
122導(dǎo)電膠
400；玻璃基板
404液晶丨顯不焚幕
402驅(qū)動(dòng)晶片
406周邊電路
具體實(shí)施方式本發(fā)明中提供一種新凸塊的結(jié)構(gòu)，在較佳實(shí)施例之中，如圖4所示，此結(jié)構(gòu)可應(yīng)用 于形成液晶顯示驅(qū)動(dòng)晶片402所需的新凸塊，以將驅(qū)動(dòng)晶片402接合至玻璃基板400之上， 用以驅(qū)動(dòng)液晶顯示熒幕404，其中此驅(qū)動(dòng)晶片會(huì)與周邊電路406相接，并可用以取代傳統(tǒng)制 程中的金凸塊，以降低楊氏系數(shù)，此結(jié)構(gòu)所提供的具低楊氏系數(shù)的新凸塊，可改善傳統(tǒng)金凸 塊的特性。以下即以一實(shí)施例，來(lái)介紹本發(fā)明的實(shí)施，而本發(fā)明中的新凸塊結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于多 種不同的接合制程及不同的晶片上，在了解本發(fā)明的實(shí)施后，熟知此領(lǐng)域技藝者當(dāng)可應(yīng)用 本發(fā)明的方法于相似的應(yīng)用之中，以下所述的實(shí)施例僅為一單純的介紹例。請(qǐng)?jiān)俅螀⒁?jiàn)圖1所示的接合過(guò)程的截面示意圖，于IC晶片10上的金凸塊12可借 由導(dǎo)電膠16與玻璃基板14上的導(dǎo)電點(diǎn)15相接合，一般而言，在接合過(guò)程之中，須施加足夠 的接合壓力，以使金凸塊12與玻璃基板14上的導(dǎo)電點(diǎn)15的連接。為了能產(chǎn)生良好的接合 力，于圖1中所示的各金凸塊12須具有同等的高度，否則金凸塊本身所具有較高的楊氏系 數(shù)，會(huì)造成不同高度金凸塊有不同的形變，楊氏系數(shù)是可由下式計(jì)算得到F = KXS，其中K 為楊氏系數(shù)，F(xiàn)為外加接合力，S為在外加接合力下所產(chǎn)生的形變。
較高的楊氏系數(shù)，勢(shì)必造成于接合過(guò)程時(shí)，需外加一高壓合力，才能使不等高的各 金凸塊間，借由小形變來(lái)與玻璃基板14上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電點(diǎn)15接合，然此高壓合力對(duì)于IC晶 片10會(huì)有不良的影響。因此，本發(fā)明中具較低的楊氏系數(shù)的新凸塊的結(jié)構(gòu)如下所述。請(qǐng)參見(jiàn)圖5中的截面示意圖所示，IC晶片100上具有接觸墊102形成于其上，在本 實(shí)施例中，IC晶片100可為液晶顯示驅(qū)動(dòng)晶片，液晶顯示驅(qū)動(dòng)晶片上已完成所需的元件，并 借由接觸墊102來(lái)提供對(duì)外的連接；在其他的應(yīng)用之中，IC晶片100亦可為其他種類的晶 片，借由接觸墊102來(lái)形成對(duì)外的連接或接合；在大部分的應(yīng)用之中，接觸墊102可為鋁接 觸墊，接觸墊102周圍區(qū)域并以保護(hù)層104加以覆蓋，保護(hù)層104用以間隔IC晶片100上 的各個(gè)接觸墊102之間，并用以保護(hù)IC晶片100上的電路不與外界接觸，保護(hù)層104可使 用如氧化硅或氮化硅等等的介電材質(zhì)。接著請(qǐng)參考圖6所示，本發(fā)明新凸塊結(jié)構(gòu)如下所示，于IC晶片100上方形成一緩 沖層106，此緩沖層106為單一層高分子材質(zhì)所構(gòu)成，例如聚亞酰胺(Polyimide)，此層的主 要目的是用來(lái)將相鄰的新凸塊相連，來(lái)降低整體凸塊結(jié)構(gòu)的楊氏系數(shù)。由于楊氏系數(shù)的降 低，因此于接合過(guò)程時(shí)，所需外加的壓合力并不需要太高，即可借由此緩沖層106的作用， 讓可能于形成過(guò)程中造成傳統(tǒng)金凸塊接合不良的現(xiàn)象，借由緩沖層106的小形變來(lái)與玻璃 基板14上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電點(diǎn)15接合(如圖1所示)，因此并不需要施加過(guò)大的壓合力，可將壓 合過(guò)程中，對(duì)IC晶片100所造成的沖擊降至最低，其中緩沖層106可使用如旋轉(zhuǎn)涂布的方 式加以形成，且其形成厚度至少約為5微米(μm)。由于此緩沖層106是由不導(dǎo)電的材質(zhì)所形成，因此于接觸墊102上方形成一開口， 以利凸塊層與該接觸墊的電性連結(jié)，請(qǐng)參見(jiàn)圖7所示，于緩沖層形成一開口的步驟如下，首 先形成光阻層于IC晶片100上的緩沖層106上，并于接觸墊102上方定義出第一開口 116 及第二開口 116’，其中此第一開口寬度為W1、第二開口寬度為W2，最后以定義完成后的光 阻層為罩幕，對(duì)緩沖層106進(jìn)行蝕刻，其蝕刻的方法可為濕式蝕刻法或干式蝕刻法。于蝕刻 完成后并將剩余的光阻層剝離而形成如圖7所示的截面圖形。接著形成凸塊層于緩沖層106與接觸墊102的上方，如圖8所示，為一新凸塊的結(jié) 構(gòu)圖。在IC晶片100上形成的凸塊層，其結(jié)構(gòu)可分為兩部分，分別為多層金屬層108(稱 為 Under Bump Metallurgy，UBM 或 Ball LimitingMetallurgy, BLM)以及凸塊層 110(稱 為Bump Layer)本身，其中多層金屬層108至少由二層金屬所組成，其功能分別為粘附層 (Adhesion Layer，未圖示)，如鈦(Ti)、鉻(Cr)、鈦化鎢(Tiw)等，其主要目的在于提供與 接觸墊102和緩沖層106間有較強(qiáng)的粘著性。另一金屬層為障蔽層(WettingLayer，未圖 示)，如鎳(Ni)，銅(Cu)等。在障蔽層上會(huì)再鍍上一導(dǎo)電層(Conductive Layer，未圖示)， 如金(Au)等，目前對(duì)多層金屬層的制作主要是以蒸鍍及濺鍍的方式進(jìn)行。另形成一凸塊層110于多層金屬層108上方的位置處，凸塊層110與接觸墊102 間即透過(guò)多層金屬層108形成電性的連接。本例中凸塊層110可以電鍍(electroplated) 的方式形成于多層金屬層108上。在本例之中，凸塊層110圖案化的步驟可如下述，首先形 成光阻層114于多層金屬層108上，并以此光阻層定義出一用以形成凸塊層110的開口 ；接 著可以電鍍法于該開口處形成一凸塊層110，形成凸塊層后去除剩余的光阻層。凸塊層110，如金(Au)等，是以均勻的厚度，其厚度至少約為2. 5微米(μm)。接著請(qǐng)參閱圖9，去除未被凸塊層110所覆蓋的多層金屬層108與緩沖層106，本實(shí)施例中可以凸塊層110為罩幕，進(jìn)行蝕刻制程來(lái)加以去除。值得注意的是，本實(shí)施例亦可 以形成光阻層于凸塊層110上，并定義第三開口 112，再以定義完成后的光阻層為罩幕，對(duì) 凸塊層110及多層金屬層108進(jìn)行蝕刻，其蝕刻的方法可為濕式蝕刻法或干式蝕刻法。于 蝕刻完成后并將剩余的光阻層剝離而形成如圖9所示的截面圖形。另一方面，緩沖層106于接觸墊102上方形成的第一開口寬度Wl與第二開口寬度 W2，于本發(fā)明中，第一開口寬度Wl與第二開口寬度W2的比例較佳者為0.5 1 1 1， 且第一開口 116與第二開口 116’的寬度和(W1+W2)與接觸墊的比例較佳者為1 10 1 3，其整體的楊氏系數(shù)才得以有效降低，于接合過(guò)程時(shí)方可有效進(jìn)行排膠，僅需較小的 外力，即可產(chǎn)生形變來(lái)與玻璃基板14上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電點(diǎn)15接合。請(qǐng)參見(jiàn)圖10所示，在凸塊層110形成后，即可進(jìn)行IC晶片100與玻璃基板120的 接合，為便于描述，圖中的IC晶片100是以上下相反的方向顯示，IC晶片100與玻璃基板 120的間可以導(dǎo)電膠122進(jìn)行貼合。請(qǐng)參閱圖11 圖13，為本發(fā)明結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例，于基板200上具有第一接觸墊 202及第二接觸墊202’形成于其上，第一接觸墊202及第二接觸墊202’周圍區(qū)域并以保護(hù) 層204加以覆蓋，并用以保護(hù)基板200上的電路不與外界接觸。接著于基板200上方形成 一緩沖層206，并利用微影制程，將第一開口 216和第二開口 216’定義出來(lái)，形成多層金屬 208后利用光阻214定義出凸塊層210。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的最大不同點(diǎn)在于，于第一實(shí)施例時(shí)，僅為單一接觸 墊102的架構(gòu)，然而于第二實(shí)施例中，此時(shí)會(huì)以二個(gè)接觸墊，第一接觸墊202、第二接觸墊 202’，以上的架構(gòu)形成凸塊結(jié)構(gòu)，當(dāng)緩沖層206橫跨二個(gè)以上接觸墊202、202’時(shí)，可以維持 該區(qū)域的凸塊結(jié)構(gòu)具有一定的柔軟度，如此于后續(xù)的制程中，可與玻璃基板做更完美的結(jié) 合，以增加產(chǎn)品的良率。由于本發(fā)明的新凸塊結(jié)構(gòu)的緩沖層具有數(shù)個(gè)開口且其凸塊層亦具有開口，且其緩 沖層的厚度大于凸塊層的厚度，因此總凸塊結(jié)構(gòu)的楊氏系數(shù)可大為降低，且于接合過(guò)程中， 此緩沖層可形成一小形變，借由緩沖層的形變可解決傳統(tǒng)金凸塊可能造成接合不良的問(wèn) 題。本發(fā)明以較佳的實(shí)施例說(shuō)明如上，僅用于借以幫助了解本發(fā)明的實(shí)施，非用以限 定本發(fā)明的精神，而熟悉此領(lǐng)域技藝者于領(lǐng)悟本發(fā)明的精神后，在不脫離本發(fā)明的精神范 圍內(nèi)，當(dāng)可作些許更動(dòng)潤(rùn)飾及等同的變化替換，其專利保護(hù)范圍當(dāng)視申請(qǐng)專利范圍及其等 同領(lǐng)域而定。
權(quán)利要求
一種新凸塊結(jié)構(gòu)，該新凸塊結(jié)構(gòu)是建立在一IC晶片的一接觸墊上，該新凸塊結(jié)構(gòu)至少包含一緩沖層，覆蓋于該接觸墊上，該緩沖層具有一第一開口及一第二開口，以暴露出部分該接觸墊，其中該第一開口及該第二開口位于該接觸墊上，該第一開口的寬度(W1)及該第二開口的寬度(W2)之和占該接觸墊的一邊長(zhǎng)的比例至少為1/3；一多層金屬層，覆蓋于該緩沖層與該接觸墊上；以及一凸塊層，覆蓋于該多層金屬層上。
2.如權(quán)利要求1所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二開口的寬度占該第一開口的 寬度的比例關(guān)系為1/2 ≤ W2/W1 ≤ 1。
3.如權(quán)利要求1所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該接觸墊至少包含一鋁接觸墊。
4.如權(quán)利要求1所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該緩沖層的材質(zhì)至少包含高分子材質(zhì)。
5.如權(quán)利要求4所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該高分子材質(zhì)至少包含聚亞酰胺。
6.如權(quán)利要求1所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該緩沖層是以旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成。
7.如權(quán)利要求1所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一開口及該第二開口是以濕蝕 刻法或干蝕刻法形成。
8.如權(quán)利要求1所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該多層金屬層至少包含一障蔽層及 一粘附層。
9.如權(quán)利要求8所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該粘附層的材料可為鈦(Ti)、鉻 (Cr)或鈦化鎢(Tiff)。
10.如權(quán)利要求8所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該障蔽層的材料可為鎳(Ni)或銅 (Cu)。
11.如權(quán)利要求8所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該多層金屬層進(jìn)一步包含一導(dǎo)電層。
12.如權(quán)利要求11所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)電層材料為金。
13.如權(quán)利要求11所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)電層是以電鍍的方式形成。
14.如權(quán)利要求1所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該金凸塊具有一第三開口。
15.如權(quán)利要求1所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該緩沖層厚度大于該凸塊層厚度。
16.一種新凸塊結(jié)構(gòu)，包含 一 IC晶片；一第一接觸墊，位于該IC晶片的一表面上； 一第二接觸墊，位于該IC晶片的該表面上；一緩沖層，覆蓋于該等接觸墊上，該緩沖層具有一第一開口及一第二開口，以暴露出 部分該等接觸墊，其中該第一開口位于該第一接觸墊上，而該第二開口位于該第二接觸墊 上；一多層金屬層，覆蓋于該緩沖層與該等接觸墊上；以及 一凸塊層，覆蓋于該多層金屬層上，該凸塊層具有一第三開口。
17.如權(quán)利要求16所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一開口的寬度占該第一接觸 墊的一邊長(zhǎng)的比例至少為1/3。
18.如權(quán)利要求16所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二開口的寬度占該第二接觸 墊的一邊長(zhǎng)的比例至少為1/3。
19.如權(quán)利要求16所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該接觸墊至少包含一鋁接觸墊。
20.如權(quán)利要求16所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該緩沖層的材質(zhì)至少包含高分子 材質(zhì)。
21.如權(quán)利要求20所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該高分子材質(zhì)至少包含聚亞酰胺。
22.如權(quán)利要求16所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該緩沖層是以旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成。
23.如權(quán)利要求16所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該多層金屬層至少包含一障蔽層 及一粘附層。
24.如權(quán)利要求23所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該粘附層的材料可為鈦(Ti)、鉻 (Cr)或鈦化鎢(Tiff)。
25.如權(quán)利要求23所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該障蔽層的材料可為鎳(Ni)或銅 (Cu)。
26.如權(quán)利要求23所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該多層金屬層進(jìn)一步包含一導(dǎo)電層。
27.如權(quán)利要求26所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)電層材料為金。
28.如權(quán)利要求26所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)電層是以電鍍的方式形成。
29.如權(quán)利要求16所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該緩沖層厚度大于該凸塊層厚度。
30.一種新凸塊結(jié)構(gòu)，包含 一 IC晶片；一第一接觸墊，位于該IC晶片的一表面上； 一第二接觸墊，位于該IC晶片的該表面上；一緩沖層，覆蓋于該等接觸墊上，該緩沖層具有一第一開口及一第二開口，以暴露出 部分該等接觸墊，其中該第一開口位于該第一接觸墊上，而該第二開口位于該第二接觸墊 上；一多層金屬層，覆蓋于該緩沖層與該等接觸墊上；以及 一凸塊層，覆蓋于該多層金屬層上。
31.如權(quán)利要求30所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一開口的寬度占該第一接觸 墊的一邊長(zhǎng)的比例至少為1/3。
32.如權(quán)利要求30所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二開口的寬度占該第二接觸 墊的一邊長(zhǎng)的比例至少為1/3。
33.如權(quán)利要求16所述的新凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于該緩沖層厚度大于該凸塊層厚度。
全文摘要
一種新凸塊結(jié)構(gòu)，該新凸塊結(jié)構(gòu)是建立在一IC晶片的一接觸墊上，該新凸塊結(jié)構(gòu)至少包含一緩沖層，覆蓋于該接觸墊上，該緩沖層具有一第一開口及一第二開口，以暴露出部分該接觸墊，其中該第一開口及該第二開口位于該接觸墊上，該第一開口的寬度及該第二開口的寬度之和占該接觸墊的一邊長(zhǎng)的比例至少為1/3；一多層金屬層，覆蓋于該緩沖層與該接觸墊上；以及一凸塊層，覆蓋于該多層金屬層上。該新凸塊結(jié)構(gòu)至少包含一緩沖層，此緩沖層于接合過(guò)程中可借由緩沖層的開口排膠并降低新凸塊結(jié)構(gòu)整體硬度，可避免傳統(tǒng)金凸塊間可能造成接合不良的問(wèn)題，并借此增加制程的可變異范圍，提高產(chǎn)品生產(chǎn)的良率。
文檔編號(hào)H01L23/485GK101989590SQ20091016509
公開日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月30日
發(fā)明者孫偉豪, 湯寶云 申請(qǐng)人:瀚宇彩晶股份有限公司