干法刻蝕機(jī)夾具座的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種干法刻蝕機(jī)夾具座。其技術(shù)方案是：包括酸槽、左下支架、第一聚偏氟乙烯管、右下支架、左上支架、第二聚偏氟乙烯管、右上支架，所述的酸槽的中部安設(shè)有左下支架、右下支架、左上支架、右上支架，所述的左下支架和右下支架上固定第一聚偏氟乙烯管，所述的左上支架、右上支架上固定第二聚偏氟乙烯管；所述的第一聚偏氟乙烯管和第二聚偏氟乙烯管組成刻蝕平面。有益效果是：通過夾具座的改造，硅片在放置的過程中整齊的程度得到了保障，從而保障了硅片在干刻過程中刻蝕邊緣的寬度，極大程度了降低了過刻片的產(chǎn)生降低了硅片的返工率和失效、低效片的產(chǎn)生。
【專利說明】干法刻蝕機(jī)夾具座
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種硅片生產(chǎn)設(shè)備，特別涉及一種干法刻蝕機(jī)夾具座。
【背景技術(shù)】
[0002]刻蝕是半導(dǎo)體、微電子及LED制造過程中的一個重要工序，刻蝕是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片或者藍(lán)寶石襯底表面去除不需要的材料的過程。隨著半導(dǎo)體器件的集成度提高，半導(dǎo)體器件的線寬越來越小，關(guān)鍵尺寸的控制也越來越重要，對刻蝕工藝的要求也越來越高。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。干法刻蝕即等離子體刻蝕，通常在等離子體處理裝置中通入刻蝕氣體，并電離刻蝕氣體成等離子體，利用所述等離子體對待刻蝕的晶圓進(jìn)行刻蝕?，F(xiàn)有的等離子體刻蝕方法通常在待刻蝕表面形成光刻膠圖形，以該光刻膠圖形為掩膜對待刻蝕層進(jìn)行刻蝕。干法刻蝕由于各項異性好，選擇比高，可控性好，靈活性高，重復(fù)形好，易實現(xiàn)自動化，潔凈度高的優(yōu)點成為當(dāng)今最常用的刻蝕工藝之一。但是目前仍然存在的問題是:在生產(chǎn)156硅片時，夾具底座在底座中放置不穩(wěn)定且硅片與夾具座接觸板接觸的面積過小，導(dǎo)致裝片時硅片抹不齊，出現(xiàn)過刻現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的目的就是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，提供一種干法刻蝕機(jī)夾具座，降低了過刻片的產(chǎn)生降低了硅片的返工率和失效、低效片的產(chǎn)生。
[0004]其技術(shù)方案是:包括酸槽、左下支架、第一聚偏氟乙烯管、右下支架、左上支架、第二聚偏氟乙烯管、右上支架，所述的酸槽的中部安設(shè)有左下支架、右下支架、左上支架、右上支架，所述的左下支架和右下支架上固定第一聚偏氟乙烯管，所述的左上支架、右上支架上固定第二聚偏氟乙烯管；所述的第一聚偏氟乙烯管和第二聚偏氟乙烯管組成刻蝕平面。
[0005]上述的酸槽為長方形結(jié)構(gòu)。
[0006]本實用新型的有益效果是:通過夾具座的改造，硅片在放置的過程中整齊的程度得到了保障，從而保障了硅片在干刻過程中刻蝕邊緣的寬度，極大程度了降低了過刻片的產(chǎn)生降低了硅片的返工率和失效、低效片的產(chǎn)生。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]附圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0008]上圖中:酸槽1、左下支架2、第一聚偏氟乙烯管3、右下支架4、左上支架5、第一聚偏氟乙烯管6、右上支架7。
【具體實施方式】
[0009]結(jié)合附圖1，對本實用新型作進(jìn)一步的描述:
[0010]本實用新型包括酸槽1、左下支架2、第一聚偏氟乙烯管3、右下支架4、左上支架5、第二聚偏氟乙烯管6、右上支架7，所述的酸槽I的中部安設(shè)有左下支架2、右下支架4、左上支架5、右上支架7，所述的左下支架2和右下支架4上固定第一聚偏氟乙烯管3，所述的左上支架5、右上支架7上固定第二聚偏氟乙烯管6 ;所述的第一聚偏氟乙烯管3和第二聚偏氟乙烯管6組成刻蝕平面，上述的酸槽I為長方形結(jié)構(gòu)。
[0011]用銑床把聚偏氟乙烯管材切割成215*75*12大小，在上面打上螺絲孔，從而固定在支架上。
[0012]通過夾具座的改造，由第一聚偏氟乙烯管3和第二聚偏氟乙烯管6組成刻蝕平面，代替兩塊原有的平面板，使硅片在放置的過程中整齊的程度得到了保障，從而保障了硅片在干刻過程中刻蝕邊緣的寬度，極大程度了降低了過刻片的產(chǎn)生降低了硅片的返工率和失效、低效片的產(chǎn)生。
【權(quán)利要求】
1.一種干法刻蝕機(jī)夾具座，其特征是:包括酸槽(I)、左下支架(2)、第一聚偏氟乙烯管(3)、右下支架(4)、左上支架(5)、第二聚偏氟乙烯管(6)、右上支架(7)，所述的酸槽(I)的中部安設(shè)有左下支架(2)、右下支架(4)、左上支架(5)、右上支架(7)，所述的左下支架(2)和右下支架(4)上固定第一聚偏氟乙烯管(3)，所述的左上支架(5)、右上支架(7)上固定第二聚偏氟乙烯管(6);所述的第一聚偏氟乙烯管(3)和第二聚偏氟乙烯管(6)組成刻蝕平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干法刻蝕機(jī)夾具座，其特征是:所述的酸槽(I)為長方形結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L21/67GK203760434SQ201320884238
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】宋道新, 萬福旺, 張振興 申請人:山東天信光伏新能源有限公司