發(fā)光裝置、發(fā)光裝置集合體以及帶有電極的基板的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供發(fā)光裝置、發(fā)光裝置集合體以及帶有電極的基板。能夠高效地制造散熱性和連接性優(yōu)異的發(fā)光裝置。發(fā)光裝置包括：基板；光半導(dǎo)體元件，其安裝于基板的表面；密封層，其以密封光半導(dǎo)體元件的方式形成于基板的表面；以及電極，其以與光半導(dǎo)體元件電連接的方式形成于基板的表面。在基板上僅形成有密封區(qū)域和電極區(qū)域，該密封區(qū)域包含光半導(dǎo)體元件，且由密封層劃分，該電極區(qū)域由電極的自密封層暴露的部分劃分。
【專利說明】發(fā)光裝置、發(fā)光裝置集合體以及帶有電極的基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及發(fā)光裝置、發(fā)光裝置集合體以及帶有電極的基板，詳細(xì)而言，涉及發(fā)光裝置、具有多個該發(fā)光裝置的發(fā)光裝置集合體以及用于制造該發(fā)光裝置的帶有電極的基板。
【背景技術(shù)】
[0002]公知發(fā)光裝置包括:基板；發(fā)光二極管元件(LED)，其安裝于基板之上；密封層，其用于密封該發(fā)光二極管元件；以及電極，其設(shè)于基板之上，用于與LED相連接并且將電源和LED連接起來。
[0003]例如，提出有一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括:絕緣基板；發(fā)光元件，其安裝于該絕緣基板的中央部之上；密封體，其形成于絕緣基板之上，并以內(nèi)含發(fā)光元件的方式密封發(fā)光元件；以及正電極外部連接盤和負(fù)電極外部連接盤，在絕緣基板之上，該正電極外部連接盤和負(fù)電極外部連接盤以與密封體的外側(cè)隔開間隔的方式配置于密封體的外側(cè)(例如，參照日本特開2008 — 227412號公報。)。
[0004]在日本特開2008 - 227412號公報所記載的發(fā)光裝置中，正電極外部連接盤以及負(fù)電極外部連接盤分別通過內(nèi)部電極等與發(fā)光元件電連接。另外，通過將上述正電極外部連接盤以及負(fù)電極外部連接盤分別與外部連接配線相連接，從而將正電極外部連接盤以及負(fù)電極外部連接盤與電源電連接。
[0005]然而，在發(fā)光裝置中，會伴隨著發(fā)光元件的發(fā)光而發(fā)熱，因此，溫度易于上升，因此要求優(yōu)異的散熱性。在專利文獻I所記載的發(fā)光裝置中，能夠?qū)l(fā)光元件的發(fā)熱經(jīng)由內(nèi)部電極自正電極外部連接盤和負(fù)電極外部連接盤向外部散熱。但是，由于正電極外部連接盤和負(fù)電極外部連接盤在發(fā)光裝置中形成得比較小，因此，謀求提高散熱性的程度存在限度。
[0006]另外，對于發(fā)光裝置，還要求外部連接配線的與正電極外部連接盤以及負(fù)電極外部連接盤之間的優(yōu)異的連接性。然而，在專利文獻I所記載的發(fā)光裝置中，由于正電極外部連接盤和負(fù)電極外部連接盤形成得比較小，因此，謀求提高連接性的程度也存在限度。
實用新型內(nèi)容
[0007]本實用新型的目的在于，提供散熱性優(yōu)異且與配線的連接性優(yōu)異的發(fā)光裝置、用于制造該發(fā)光裝置的發(fā)光裝置集合體以及帶有電極的基板。
[0008]本實用新型的發(fā)光裝置包括:基板；光半導(dǎo)體元件，其安裝于上述基板的表面；密封層，其以密封上述光半導(dǎo)體元件的方式形成于上述基板的表面；以及電極，其以與上述光半導(dǎo)體元件電連接的方式形成于上述基板的表面，在上述基板上僅形成有密封區(qū)域和電極區(qū)域，該密封區(qū)域包含上述光半導(dǎo)體元件，且由上述密封層劃分，該電極區(qū)域由上述電極的自上述密封層暴露的部分劃分。
[0009]采用該發(fā)光裝置，在上述基板上僅形成有密封區(qū)域和電極區(qū)域，該密封區(qū)域包含光半導(dǎo)體元件，且由密封層劃分，該電極區(qū)域由電極的自密封層暴露的部分劃分。也就是說，基板的除了密封區(qū)域以外的區(qū)域均形成為電極區(qū)域，因此，電極區(qū)域的導(dǎo)熱性優(yōu)異，所以能夠謀求提高發(fā)光裝置的散熱性。另外，由于基板的除了密封區(qū)域以外的區(qū)域均為電極區(qū)域，因此電極區(qū)域比較大，所以能夠容易且可靠地謀求配線與電極區(qū)域的連接。
[0010]其結(jié)果，該發(fā)光裝置在散熱性和與配線的連接性這兩方面優(yōu)異。
[0011]另外，能夠謀求該發(fā)光裝置的小型化。
[0012]另外，在本實用新型的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述密封區(qū)域和/或上述電極區(qū)域在一方向上連續(xù)地形成。
[0013]在該發(fā)光裝置中，由于密封區(qū)域和/或電極區(qū)域在一方向上連續(xù)地形成，因此能夠簡單地形成密封區(qū)域和/或電極區(qū)域。另外，由于電極區(qū)域在一方向上連續(xù)地形成，因此能夠謀求進一步提高電極區(qū)域的導(dǎo)熱性而進一步提高發(fā)光裝置的散熱性，并且，能夠進一步容易且進一步可靠地謀求與電極區(qū)域之間的連接。
[0014]另外，優(yōu)選本實用新型的發(fā)光裝置還包括用于將上述光半導(dǎo)體元件和上述電極連接的引線。
[0015]由于該發(fā)光裝置還包括引線，因此能夠利用引線將光半導(dǎo)體元件和電極相連接，而無需在基板上設(shè)置內(nèi)部電極。
[0016]因此，能夠使基板的結(jié)構(gòu)簡單。其結(jié)果，能夠謀求該發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)的簡單化。
[0017]另外，在本實用新型的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述弓I線被上述密封層密封。
[0018]在該發(fā)光裝置中，由于引線被密封層密封，因此能夠提高引線的可靠性。因此，該發(fā)光裝置的連接可靠性優(yōu)異。
[0019]另外，本實用新型的發(fā)光裝置集合體的特征在于，該發(fā)光裝置集合體包括多個上述發(fā)光裝置，各上述發(fā)光裝置包括:基板；光半導(dǎo)體元件，其安裝于上述基板的表面；密封層，其以密封上述光半導(dǎo)體元件的方式形成于上述基板的表面；以及電極，其以與上述光半導(dǎo)體元件電連接的方式形成于上述基板的表面，在上述基板上僅形成有密封區(qū)域和電極區(qū)域，該密封區(qū)域包含上述光半導(dǎo)體元件，且由上述密封層劃分，該電極區(qū)域由上述電極的自上述密封層暴露的部分劃分。
[0020]由于該發(fā)光裝置集合體包括多個上述發(fā)光裝置，因此，若將該發(fā)光裝置集合體單片化為多個發(fā)光裝置，則能夠高效地制造散熱性和連接性優(yōu)異的發(fā)光裝置。
[0021]本實用新型的帶有電極的基板用于制造發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括:基板；光半導(dǎo)體元件，其安裝于上述基板的表面；密封層，其以密封上述光半導(dǎo)體元件的方式形成于上述基板的表面；以及電極，其以與上述光半導(dǎo)體元件電連接的方式形成于上述基板的表面，在上述基板上僅形成有密封區(qū)域和電極區(qū)域，該密封區(qū)域包含上述光半導(dǎo)體元件，且由上述密封層劃分，該電極區(qū)域由上述電極的自上述密封層暴露的部分劃分，該帶有電極的基板的特征在于，上述帶有電極的基板包括上述基板和形成于上述基板的表面的電極。
[0022]在該帶有電極的基板中，若將光半導(dǎo)體元件形成于基板的表面并將密封層以密封光半導(dǎo)體元件的方式形成于基板的表面而制造發(fā)光裝置，則在基板上僅形成有密封區(qū)域和電極區(qū)域，該密封區(qū)域包含光半導(dǎo)體元件，且由密封層劃分，該電極區(qū)域由電極的自密封層暴露的部分劃分。也就是說，基板的除了密封區(qū)域以外的區(qū)域均形成為電極區(qū)域，因此，電極區(qū)域的導(dǎo)熱性優(yōu)異，所以能夠謀求提高發(fā)光裝置的散熱性。另外，由于基板的除了密封區(qū)域以外的區(qū)域均為電極區(qū)域，因此電極區(qū)域比較大，所以能夠容易且可靠地謀求配線與電極區(qū)域的連接。
[0023]其結(jié)果，由帶有電極的基板制造的發(fā)光裝置在散熱性和與配線的連接性這兩方面優(yōu)異。
[0024]本實用新型的發(fā)光裝置在散熱性和與配線的連接性這兩方面優(yōu)異。
[0025]本實用新型的發(fā)光裝置集合體以及帶有電極的基板能夠高效地制造散熱性和連接性優(yōu)異的發(fā)光裝置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1表示本實用新型的發(fā)光裝置集合體的第I實施方式的俯視圖。
[0027]圖2表示圖1所示的發(fā)光裝置集合體的放大俯視圖。
[0028]圖3表示圖2所示的發(fā)光裝置集合體的A — A放大剖視圖。
[0029]圖4是用于說明圖3所示的發(fā)光裝置集合體的制造方法的剖視圖，其中，圖4 (a)表示準(zhǔn)備基板的工序，圖4 (b)表示形成電極的工序，圖4 (C)表示將光半導(dǎo)體元件安裝于基板的工序，圖4 (d)表示利用引線將電極之間以及電極和光半導(dǎo)體元件之間電連接的工序。
[0030]圖5是用于接著圖4繼續(xù)說明圖3所示的發(fā)光裝置集合體的制造方法的剖視圖，其中，圖5 (e)表示利用密封層密封光半導(dǎo)體元件和引線的工序，圖5 (f)表示將發(fā)光裝置集合體單片化為各發(fā)光裝置的工序。
[0031]圖6表示本實用新型的發(fā)光裝置集合體的第2實施方式的俯視圖。
[0032]圖7表示圖6所示的發(fā)光裝置集合體的B — B放大剖視圖。
[0033]圖8表示本實用新型的發(fā)光裝置集合體的第3實施方式的俯視圖。
[0034]圖9表示圖8所示的發(fā)光裝置集合體的C 一 C放大剖視圖。
【具體實施方式】
[0035]第I實施方式
[0036]圖1中的方向以圖1的箭頭方向為基準(zhǔn)，以紙面的左右方向作為左右方向(第I方向)、以紙面的上下方向作為前后方向(與第I方向正交的第2方向)、以紙面的進深方向作為上下方向(與第I方向和第2方向這兩個方向正交的第3方向)，圖2之后的各圖以圖1的方向為基準(zhǔn)。此外，在圖1中，由于后述的LED3和引線6被后述的密封層5覆蓋，因此在俯視時不可視，但為了清楚地表示LED3及引線6與密封層5之間的相對配置，權(quán)宜利用實線表示了 LED3和引線6。
[0037]在圖1中，該發(fā)光裝置集合體I沿前后方向和左右方向延伸，呈在左右方向上較長的俯視大致矩形形狀，該發(fā)光裝置集合體I是通過多個(例如20個)發(fā)光裝置10連續(xù)成一體而形成的。在發(fā)光裝置集合體I中，多個發(fā)光裝置10分別沿左右方向和前后方向排列配置，具體而言，多個發(fā)光裝置10在左右方向上彼此相鄰地并列配置有10列，并在前后方向上彼此相鄰地并列配置有兩列。各發(fā)光裝置10以粗虛線所示的切割線11為邊界而形成于俯視大致矩形形狀的區(qū)域。
[0038]如圖1和圖3所示，該發(fā)光裝置集合體I包括:基板2 ;LED3，其作為光半導(dǎo)體元件而安裝于基板2的上表面(表面)；以及電極4，其以與LED3電連接的方式形成于基板2的上表面(表面)。
[0039]基板2形成為在俯視時與發(fā)光裝置集合體I的外形形狀相同的形狀的俯視大致矩形的平板形狀
[0040]LED3形成為俯視大致矩形的平板形狀，并在發(fā)光裝置集合體I中設(shè)有多個。LED3以能夠確保用于形成接下來說明的電極4的方式配置于基板2的上表面，也就是說，LED3設(shè)于基板2上的、除了前端部、前后方向中央部以及后端部以外的區(qū)域。即，LED3設(shè)于基板2的上表面的、前半分部分的前后方向中央部和后半分部分的前后方向中央部。
[0041]另外，在基板2的上表面，多個LED3沿左右方向和前后方向互相隔開間隔地排列配置成交錯狀。
[0042]具體而言，如圖2所示，對于每個發(fā)光裝置10設(shè)有多個(例如12個)LED3。在各發(fā)光裝置10中，LED3沿左右方向互相隔開間隔地設(shè)有多列(例如兩列)，各列的LED3沿前后方向互相隔開間隔地設(shè)有多個(例如6個)。并且，左列的LED3X和排列在左列的LED3X的右側(cè)的右列的LED3Y以在沿左右方向進行投影時在前后方向上錯開的方式配置。具體而言，左列的LED3X以在沿左右方向進行投影時相對于右列的LED3Y向前側(cè)錯開的方式配置。換言之，左列的LED3X相對于右列的LED3Y配置于左側(cè)斜前方。
[0043]另外，如圖2和圖3所示，發(fā)光裝置集合體I在各發(fā)光裝置10中具有用于將多個LED3互相電連接的引線6。
[0044]具體而言，各發(fā)光裝置10中的多個(例如6個)LED3由多個(例如5個)引線6以串聯(lián)的方式電連接。具體而言，在發(fā)光裝置10中，各引線6將左列的各個LED3X和右列的各個LED3Y交替地電連接，由此，由LED3和引線6構(gòu)成的串聯(lián)排列構(gòu)成為沿著前后方向的鋸齒狀。具體而言，在各發(fā)光裝置10的前側(cè)部分，左列的最前側(cè)的LED3X、引線6、右列的最前側(cè)的LED3Y、引線6以及在左列中的、與最前側(cè)的LED3X相鄰地配置于其后側(cè)的LED3X以串聯(lián)的方式電連接，這樣的連接以自前側(cè)起朝向后側(cè)去重復(fù)的方式配置。另外，在各發(fā)光裝置10的后側(cè)部分，右列的最后側(cè)的LED3Y、引線6、左列的最后側(cè)的LED3X、引線6以及在右列中的、與最后側(cè)的LED3Y相鄰地配置于其前側(cè)的LED3Y以串聯(lián)的方式電連接，這樣的連接以自后側(cè)起朝向前側(cè)去重復(fù)的方式配置。
[0045]如圖1所示，分別在基板2的前端部、前后方向中央部以及后端部形成有沿左右方向延伸的俯視大致矩形形狀(或俯視大致直線形狀)的電極4。另外，如圖3所示，前端部的電極4A的前端面和基板2的前端面以在俯視時配置于相同位置的方式、也就是說在俯視時兩者平齊的方式形成。另外，后端部的電極4B的后端面和基板2的后端面以在俯視時配置于相同位置的方式、也就是說以在俯視時兩者平齊的方式形成。前后方向中央部的電極4C包括:前側(cè)部分41，其設(shè)于前列的發(fā)光裝置IOA ;以及后側(cè)部分42，其設(shè)于后列的發(fā)光裝置10B，該后列的發(fā)光裝置IOB與前列的發(fā)光裝置IOA相鄰且配置于前列的發(fā)光裝置IOA的后偵隊前后方向中央部的電極4C利用上述前側(cè)部分41和后側(cè)部分42而沿前后方向(一方向)連續(xù)地形成。
[0046]另外，如圖2和圖3所示，電極4經(jīng)由引線與LED3電連接。具體而言，在位于前列的各發(fā)光裝置IOA中，前端部的電極4A通過引線6與左列的最前側(cè)的LED3X電連接，而前后方向中央部的電極4C通過引線6與右列的最后側(cè)的LED3Y電連接。另一方面，在后列的發(fā)光裝置IOB中，前后方向中央部的電極4C通過引線6與左列的最前側(cè)的LED3X電連接，而后端部的電極4B通過引線6與右列的最后側(cè)的LED3Y電連接。
[0047]此外，前端部的電極4A在其上表面的后端緣與引線6相連接，且后端部的電極4B在其上表面的前端緣與引線6相連接。另外，前后方向中央部的電極4C在其上表面的前端緣和后端緣這兩處與引線6相連接。
[0048]另外，該發(fā)光裝置集合體I包括密封層5。
[0049]密封層5以密封多個LED3的方式形成于基板2之上，具體而言，密封層5以沿左右方向(一方向)延伸的方式連續(xù)地形成于基板2的前側(cè)部分的上表面(表面)和后側(cè)部分的上表面(表面)。
[0050]具體而言，密封層5以在前后方向上隔開間隔的方式設(shè)有多個(例如兩個)，如圖1所示，各密封層5以沿左右方向(一方向)延伸的方式連續(xù)地形成。
[0051]前側(cè)的密封層5A呈在左右方向上較長地延伸的俯視大致矩形形狀，且形成為連續(xù)地覆蓋前列的各發(fā)光裝置10A、各發(fā)光裝置10的LED3以及引線6。如圖3所示，前側(cè)的密封層5A形成為覆蓋前列的發(fā)光裝置IOA的各LED3的上表面和側(cè)面(前表面、后表面、右側(cè)面以及左側(cè)面)以及電極4的至少內(nèi)側(cè)面(也就是說，由圖1和圖2的細(xì)虛線所示的前端部的電極4A的后端面和前后方向中央部的電極4C的前端面)。
[0052]另外，前側(cè)的密封層5A形成為覆蓋前端部的電極4A的上表面的后端緣且使前端部的電極4A的上表面的前端緣和前后方向中央部暴露。并且，前側(cè)的密封層5A形成為覆蓋前后方向中央部的電極4C的上表面的前端緣且使前后方向中央部的電極4C的上表面的如后方向中央部暴露。
[0053]也就是說，如圖2和圖3所示，前側(cè)的密封層5A的前端面以在沿厚度方向進行投影時與前端部的電極4A的前后方向途中部分(略靠后側(cè)的部分)重疊且沿左右方向延伸的方式形成，另外，前側(cè)的密封層5A的后端面以在沿厚度方向進行投影時與前后方向中央部的電極4C的前后方向途中部分重疊且沿左右方向延伸的方式形成。
[0054]由此，前列的發(fā)光裝置IOA中的所有的LED3和所有的引線6均被前側(cè)的密封層5A覆蓋。
[0055]如圖1所示，后側(cè)的密封層5B呈在左右方向上較長地延伸的俯視大致矩形形狀，且形成為連續(xù)地覆蓋后列的各發(fā)光裝置10B、各發(fā)光裝置10的LED3以及引線6。如圖3所示，后側(cè)的密封層5B形成為覆蓋后列的發(fā)光裝置IOB的各LED3的上表面、側(cè)面(前表面、后表面、右側(cè)面以及左側(cè)面)和電極4的至少內(nèi)側(cè)面(也就是說，由圖1和圖2的細(xì)虛線所示的、后端部的電極4B的前端面和前后方向中央部的電極4C的后端面)。
[0056]另外，后側(cè)的密封層5B形成為覆蓋后端部的電極4B的上表面的前端緣且使后端部的電極4B的上表面的后端緣和前后方向中央部暴露。并且，后側(cè)的密封層5B形成為覆蓋前后方向中央部的電極4C的上表面的后端緣且使前后方向中央部的電極4C的上表面的如后方向中央部暴露。
[0057]也就是說，后側(cè)的密封層5B的后端面以在沿厚度方向進行投影時與后端部的電極4B的前后方向途中部分(略靠前側(cè)的部分)重疊且沿左右方向延伸的方式形成，另外，后側(cè)的密封層5B的前端面以在沿厚度方向進行投影時在前側(cè)的密封層5A的后端面的后方與前后方向中央部的電極4C的前后方向途中部分(略靠后側(cè)的部分)重疊且沿左右方向延伸的方式形成。[0058]由此，后列的發(fā)光裝置IOB中的所有的LED3和所有的引線6均被后側(cè)的密封層5B覆蓋。
[0059]并且，在該發(fā)光裝置集合體I的基板2上僅形成有密封區(qū)域8和電極區(qū)域9。
[0060]如圖1和圖2所示，密封區(qū)域8是在俯視時至少包含LED3的區(qū)域、具體而言是包含所有的LED3和所有的引線6且由密封層5劃分的區(qū)域。也就是說，密封區(qū)域8在俯視時由密封層5的周端緣劃分。
[0061]B卩，密封區(qū)域8由與前側(cè)的密封層5A相對應(yīng)的前側(cè)的密封區(qū)域8A和與后側(cè)的密封層5B相對應(yīng)的后側(cè)的密封區(qū)域8B形成，前側(cè)的密封區(qū)域8A和后側(cè)的密封區(qū)域8B以在前后方向上隔開間隔地分割成多個(例如兩個)的方式被劃分，前側(cè)的密封區(qū)域8A和后側(cè)的密封區(qū)域8B被分別被劃分為以沿左右方向延伸的方式連續(xù)的俯視大致矩形形狀。
[0062]另一方面，電極區(qū)域9是基板2上的、除了密封區(qū)域8以外的所有區(qū)域，具體而言，電極區(qū)域9是由電極4的在俯視時自密封層5暴露的部分劃分的區(qū)域。
[0063]具體而言，電極區(qū)域9由與前端部的電極4A的自密封層5暴露的部分相對應(yīng)的前端部的電極區(qū)域9A、與后端部的電極4B的自密封層5暴露的部分相對應(yīng)的后端部的電極區(qū)域9B以及與前后方向中央部的電極4C的自密封層5暴露的部分相對應(yīng)的前后方向中央部的電極區(qū)域9C形成。前端部的電極區(qū)域9A、后端部的電極區(qū)域9B以及前后方向中央部的電極區(qū)域9C分別被劃分為以沿左右方向延伸的方式連續(xù)的俯視大致矩形形狀。
[0064]由此，在發(fā)光裝置集合體I的基板2上以條紋狀的圖案形成有多個(例如3個)電極區(qū)域9和多個(例如兩個)密封區(qū)域8，具體而言，各電極區(qū)域9和各密封區(qū)域8以沿前后方向交替地排列、且在前后方向兩端部分別配置有兩個電極區(qū)域9的方式進行排列。
[0065]接下來，參照圖4和圖5說明該發(fā)光裝置集合體I的制造方法。
[0066]在該方法中，如圖4 (a)所示，首先，準(zhǔn)備基板2。
[0067]作為基板2，可列舉出通常應(yīng)用于光半導(dǎo)體裝置的基板，例如氧化鋁等陶瓷基板、聚酰亞胺等樹脂基板以及對芯體使用了金屬板的金屬芯體基板等。
[0068]接著，該方法中，如圖4 (b)所示，將電極4形成為上述圖案。
[0069]作為用于構(gòu)成電極4的材料，可列舉出銀、金、銅、鐵、鉬、上述金屬的合金等導(dǎo)體材料等。優(yōu)選列舉出銀。
[0070]為了形成電極4，可列舉出例如電鍍、涂敷以及導(dǎo)體層的貼合等，優(yōu)選列舉出涂敷。涂敷包含印刷，涂敷(包含印刷)含有上述導(dǎo)體材料的導(dǎo)體糊劑(優(yōu)選含有銀的銀漿)，之后，根據(jù)需要而進行干燥，將電極4形成為上述圖案。此外，導(dǎo)體層的貼合包含以下方法:例如，在基板2由金屬芯體基板等具有導(dǎo)體部分的基板構(gòu)成的情況下，將絕緣層(未圖示)以與電極4相同的圖案層疊于基板2的上表面，之后，將預(yù)先成形為電極4的形狀的導(dǎo)體層粘貼在絕緣層之上。
[0071 ] 能夠適當(dāng)選擇電極4的尺寸，前端部的電極4A和后端部的電極4B的寬度(前后方向長度)W1例如為0.3mm以上，優(yōu)選為Imm以上，并且例如為5mm以下，優(yōu)選為3mm以下。另夕卜，前后方向中央部的電極4C的寬度W2被設(shè)定為例如大于前端部的電極4A和后端部的電極4B的寬度W1，具體而言，相對于前端部的電極4A和后端部的電極4B的寬度W1，該寬度W2例如超過該寬度Wl的I倍，優(yōu)選為該寬度Wl的1.5倍以上，并且例如為該寬度Wl的5倍以下，優(yōu)選為該寬度Wl的3倍以下。具體而言，前后方向中央部的電極4C的寬度W2例如為0.3mm以上，優(yōu)選為Imm以上，并且例如為15mm以下，優(yōu)選為9mm以下。
[0072]電極4的厚度例如為I μ m以上，優(yōu)選為5 μ m以上，并且例如為100 μ m以下，優(yōu)選為50 μ m以下。
[0073]由此，制得包括基板2和形成于基板2的上表面(表面)的電極4的帶有電極的基板 102。
[0074]接著，在該方法中，如圖4 (C)所示，將LED3以上述配置安裝于基板2。
[0075]各LED3的尺寸和間距能夠根據(jù)發(fā)光裝置10的用途和目的而適當(dāng)設(shè)定，具體而言，與各發(fā)光裝置10相對應(yīng)的左列的各LED3X的前后方向上的距離(間隔)D1和各右列的LED3Y的前后方向上的距離(間隔)D2例如為0.3mm以上，優(yōu)選為0.5mm以上，并且例如為5mm以下，優(yōu)選為3皿1以下。
[0076]另外，如參照圖2那樣，在各發(fā)光裝置10中，在沿前后方向進行投影時的、左列的LED3X與右列的LED3Y之間的左右方向上的距離(間隔)D3例如為0.3mm以上，優(yōu)選為0.5mm以上，并且例如為5皿1以下，優(yōu)選為3皿1以下。
[0077]另外，在各發(fā)光裝置10的前側(cè)部分，左列的最前側(cè)的LED3X與前端部的電極4A之間的距離(間隔)D5以及右列的最后側(cè)的LED3Y與前后方向中央部的電極4C之間的距離(間隔)D6例如為0.3mm以上，優(yōu)選為0.5mm以上，并且例如為5mm以下，優(yōu)選為3mm以下。另夕卜，在各發(fā)光裝置10的后側(cè)部分，左列的最前側(cè)的LED3X與前后方向中央部的電極4C之間的距離(間隔)D7以及右列的最后側(cè)的LED3Y與后端部的電極4B之間的距離(間隔)D8例如為0.3mm以上，優(yōu)選為0.5mm以上，并且例如為5mm以下，優(yōu)選為3mm以下。
[0078]LED3的前后方向長度和左右方向長度并沒有特別限制，而能夠根據(jù)作為目標(biāo)的發(fā)光裝置10的照度來決定。
[0079]另外，LED3的厚度例如為I μ m以上，優(yōu)選為100 μ m以上，并且例如為500 μ m以下，優(yōu)選為200 μ m以下。
[0080]接著，在該方法中，如圖4 (d)所示，例如利用超聲波接合等以使多個LED3之間以及LED3與電極4之間成為上述排列的方式使用引線6將多個LED3之間以及LED3與電極4之間電連接。引線6的高度、也就是說引線6的上端部與基板2的上表面之間的距離例如為0.0lmm以上，優(yōu)選為0.1mm以上，并且例如為1.0mm以下，優(yōu)選為0.6mm以下。
[0081]接著，在該方法中，如圖5 (e)所示，將密封層5形成為上述圖案。
[0082]為了將密封層5形成為上述圖案，例如，預(yù)先形成由包含密封樹脂的密封樹脂組合物制備的密封片12 (假想線)，接著，以使密封片12內(nèi)含電極4的一部分、LED3以及引線6的方式將密封片12層疊于基板2之上。
[0083]作為密封樹脂，可列舉出:例如能夠通過加熱而塑化的熱塑性樹脂，例如通過加熱而固化的熱固性樹脂，例如通過活性能量射線(例如紫外線、電子束等)的照射而固化的活性能量射線固化性樹脂等。
[0084]作為熱塑性樹脂，可列舉出例如醋酸乙烯酯樹脂、乙烯.醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、氯乙烯樹脂、EVA.氯乙烯樹脂共聚物等。
[0085]作為熱固性樹脂以及活性能量射線固化性樹脂，可列舉出例如硅樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂以及不飽和聚酯樹脂等。
[0086]作為上述密封樹脂，可優(yōu)選列舉出熱固性樹脂，更優(yōu)選列舉出硅樹脂。[0087]另外，作為包含密封樹脂即硅樹脂的密封樹脂組合物，可列舉出例如2階段固化型硅樹脂組合物、I階段固化型硅樹脂組合物等熱固性硅樹脂組合物等。
[0088]2階段固化型硅樹脂組合物是指，具有2階段的反應(yīng)機理，在第I階段的反應(yīng)中B階段化(半固化)，在第2階段的反應(yīng)中C階段化(完全固化)的熱固性硅樹脂組合物。另一方面，I階段固化型硅樹脂是指，具有I階段的反應(yīng)機理，在第I階段的反應(yīng)中完全固化的熱固性硅樹脂。
[0089]另外，B階段是熱固性硅樹脂組合物在液狀的A階段與完全固化的C階段之間的狀態(tài)，是固化以及凝膠化只進行一點點、彈性模量小于C階段的彈性模量的狀態(tài)。
[0090]作為2階段固化型硅樹脂組合物的未固化體(第I階段的固化前)，可列舉出例如縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物。
[0091]縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物是通過加熱能夠進行縮合反應(yīng)以及加成反應(yīng)的熱固性硅樹脂組合物，更具體而言，是指，通過加熱而進行縮合反應(yīng)，能變?yōu)锽階段(半固化)，然后通過進一步的加熱，進行加成反應(yīng)(具體而言，例如氫化硅烷化反應(yīng))，能變成C階段(完全固化)的熱固性硅樹脂組合物。
[0092]作為這樣的縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物，可舉出:例如第I縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物，其含有硅醇兩末端聚硅氧烷、含烯基三烷氧基硅烷，有機氫硅氧烷、縮合催化劑以及氫化硅烷化催化劑；例如第2縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物，其含有硅醇基兩末端聚硅氧烷、含乙烯系不飽和烴基的硅化合物(以下稱乙烯系硅化合物。)、含環(huán)氧基硅化合物、有機氫硅氧烷、縮合催化劑以及加成催化劑(氫化硅烷化催化劑);例如第3 縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物，其含有兩末端硅醇型硅油、含烯基二烷氧基硅烷、有機氫硅氧烷、縮合催化劑以及氫化硅烷化催化劑；例如第4縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物，其含有在I分子中具有至少2個烯基甲硅烷基的有機聚硅氧烷、在I分子中具有至少2個氫化硅烷基的有機聚硅氧烷、氫化硅烷化催化劑和固化延遲劑；例如第5縮合反應(yīng)?加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物，其含有I分子中兼有至少2個乙烯系不飽和烴基和至少2個氫化硅烷基的第I有機聚硅氧烷、不包含乙烯系不飽和烴基且I分子中具有至少2個氫化硅烷基的第2有機聚硅氧烷、氫化硅烷化催化劑、以及氫化硅烷化抑制劑；例如第6縮合反應(yīng)?加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物，其含有I分子中兼有至少2個乙烯系不飽和烴基和至少2個硅醇基的第I有機聚硅氧烷、不包含乙烯系不飽和烴基且I分子中具有至少2個氫化硅烷基的第2有機聚硅氧烷、氫化硅烷化抑制劑、以及氫化硅烷化催化劑；例如第7縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物，其含有硅化合物、以及硼化合物或鋁化合物；例如第8縮合反應(yīng)?加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物，其含有聚鋁硅氧烷以及桂燒偶聯(lián)劑；等。
[0093]上述縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物能夠單獨使用或并用兩種以上。
[0094]作為縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物，可優(yōu)選列舉出第2縮合反應(yīng).加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物。
[0095]在第2縮合反應(yīng)?加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物中，硅醇基兩末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物以及含環(huán)氧基硅化合物是縮合原料(供給至縮合反應(yīng)的原料)，乙烯系硅化合物及有機氫硅氧烷是加成原料(供給至加成反應(yīng)的原料)。
[0096]作為I階段固化型硅樹脂組合物，可列舉出例如加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物坐寸O
[0097]加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物含有例如作為主劑的含乙烯系不飽和烴基的聚硅氧烷、和作為交聯(lián)劑的有機氫硅氧烷。
[0098]作為含乙烯系不飽和烴基的聚硅氧烷，可列舉出例如含有烯基的聚二甲基硅氧燒、含有烯基的聚甲基苯基桂氧燒、含有烯基的聚二苯基桂氧燒等。
[0099]在加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物中，通常，含乙烯系不飽和烴基的聚硅氧烷和有機氫硅氧烷以分開的密封來提供。具體而言，以含有主劑(含有乙烯系不飽和烴基的聚硅氧烷)的A液、和含有交聯(lián)劑(有機氫硅氧烷)的B液的這兩種液體的形式提供。需要說明的是，兩者的加成反應(yīng)所必需的公知的催化劑添加在含乙烯系不飽和烴基的聚硅氧烷中。
[0100]對于這樣的加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物，將主劑(A液)和交聯(lián)劑(B液)混合而制備混合液，在由混合液成形為密封片12的形狀的工序中，含乙烯系不飽和烴基的聚硅氧烷與有機氫硅氧烷進行加成反應(yīng)，加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物固化，形成有機硅彈性體(固化體)。
[0101]另外，根據(jù)需要能夠在密封樹脂組合物中以適當(dāng)?shù)谋壤袩晒怏w、填充劑。
[0102]作為熒光體，可列舉出例如能夠?qū)⑺{(lán)色光轉(zhuǎn)換成黃色光的黃色熒光體等。作為這樣的熒光體，可列舉出例如在復(fù)合金屬氧化物、金屬硫化物等中摻雜例如鈰(Ce)、銪(Eu)等金屬原子而得到的熒光體。
[0103]具體而言，作為熒光體，可列舉出:例如Y3Al5O12 = Ce (YAG (釔?鋁?石榴石):Ce)、(Y，Gd) 3Al5012:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2 (Si，Ge) 3012:Ce 等具有石槽石型晶體構(gòu)造的石榴石型熒光體；例如(Sr，Ba) 2Si04: Eu、Ca3SiO4Cl2: Eu、Sr3SiO5: Eu、Li2SrSiO4IEu, Ca3Si2O7 = Eu 等硅酸鹽熒光體；例如 CaAl12019:Mn、SrAl2O4:Eu 等鋁酸鹽熒光體；例如 ZnS:Cu, Al、CaS:Eu, CaGa2S4:Eu, SrGa2S4:Eu 等硫化物熒光體；例如 CaSi2O2N2:Eu,SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、C"_SiA10N 等氮氧化合物熒光體；例如 CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8IEu等氮化物熒光體；例如K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mn等氟化物系熒光體等。優(yōu)選列舉出石榴石型熒光體，進一步優(yōu)選列舉出Y3Al5O12:Ce。
[0104]作為填充劑，可列舉出例如有機硅微粒、玻璃、氧化鋁、二氧化硅(熔融二氧化硅、結(jié)晶性二氧化硅、超微粉無定形二氧化硅、疏水超微粉二氧化硅等)、氧化鈦、氧化鋯、滑石、粘土、硫酸鋇等，上述填充劑能夠單獨使用或并用兩種以上。優(yōu)選列舉出有機硅微粒、二氧化桂。
[0105]另外，在密封樹脂組合物中，能夠以適當(dāng)?shù)谋壤砑永绺男詣?、表面活性劑、染料、顏料、防變色劑、紫外線吸收劑等公知的添加物。
[0106]進而，密封片12由例如完全固化前或完全固化后的熱固性硅樹脂組合物構(gòu)成，優(yōu)選由完全固化前的熱固性硅樹脂組合物構(gòu)成。
[0107]進一步優(yōu)選的是，在熱固性硅樹脂組合物為2階段固化型硅樹脂組合物時，密封片12由2階段固化型硅樹脂組合物的I階段固化體構(gòu)成，或在熱固性硅樹脂組合物為I階段固化型硅樹脂組合物時，密封片12由I階段固化型硅樹脂組合物的未固化體(固化前)構(gòu)成。
[0108]特別優(yōu)選的是，密封片12由2階段固化型硅樹脂組合物的I階段固化體構(gòu)成。
[0109]在形成密封片12時，例如通過鑄造、旋涂、輥涂等方法在未圖示的剝離薄膜上以上述圖案涂覆適當(dāng)?shù)暮穸鹊纳鲜雒芊鈽渲M合物(根據(jù)需要而含有熒光劑、填充劑等)，并根據(jù)需要而進行加熱。在密封片12含有2階段固化型硅樹脂組合物的情況下，使密封片12B階段化(半固化)。
[0110]由此，形成上述圖案(也就是說，與前側(cè)的密封層5A和后側(cè)的密封層5B相對應(yīng)的圖案)的片狀的密封片12。
[0111]密封片12的硬度為以下那樣的硬度:其壓縮彈性模量為例如0.0lMPa以上，優(yōu)選為0.04MPa以上，并且例如為1.0MPa以下，優(yōu)選為0.2MPa以下。
[0112]另外，密封片12的厚度并不特別限定，例如為100 μ m以上，優(yōu)選為300 μ m以上，并且例如2000 μ m以下，優(yōu)選為1000 μ m以下。
[0113]并且，在形成密封層5時，如圖5 (e)的假想線所示，使密封片12以該密封片12在上下方向上與LED3以及引線6隔開間隔地相對，接下來，如箭頭所示，使密封片12下降(壓下)而利用密封片12來覆蓋LED3以及引線6。
[0114]接著，將密封片12壓接于基板2。此外，壓接優(yōu)選在減壓環(huán)境下實施。壓接的溫度例如為0°C以上，優(yōu)選為15°C以上，并且例如為40°C以下，優(yōu)選為35°C以下。在壓接中，雖未圖示，但使用公知的壓力機。
[0115]之后，例如，在密封片12含有熱固性樹脂的情況下，利用加熱使密封片12固化而形成為密封層5。具體而言，在密封片12含有2階段固化型硅樹脂組合物的情況下，使密封片12C階段化(完全固化)。更具體而言，固化條件是在2階段固化型硅樹脂組合物含有縮合.加成反應(yīng)固化型硅樹脂組合物的情況下進行加成反應(yīng)(氫化硅烷化反應(yīng))的條件。
[0116]具體而言，加熱溫度例如為80°C以上，優(yōu)選為100°C以上，并且例如為200°C以下，優(yōu)選為180°C以下，加熱時間例如為0.1小時以上，優(yōu)選為I小時以上，并且例如為20小時以下，優(yōu)選為10小時以下。
[0117]由此，能夠形成密封層5，利用該密封層5來密封電極4的一部分、LED3以及引線6。
[0118]通過形成該密封層5，在基板2上劃分出密封區(qū)域8和電極區(qū)域9。
[0119]從散熱性和配線13 (后述)的連接性(具體而言為錫焊性)的觀點考慮，前端部的電極區(qū)域9A和后端部的電極區(qū)域9B的寬度(前后方向長度)W3例如為0.5mm以上，優(yōu)選為
0.75mm以上，并且例如為5mm以下，優(yōu)選為3mm以下。另外，從散熱性和配線13 (后述)的連接性(具體而言為錫焊性)的觀點考慮，前后方向中央部的電極區(qū)域9C的寬度(前后方向長度)W4例如為1.0mm以上，優(yōu)選為1.5mm以上，并且例如為IOmm以下，優(yōu)選為6mm以下。
[0120]由此，能夠制造發(fā)光裝置集合體I。
[0121]接下來，說明由制得的發(fā)光裝置集合體I來獲得發(fā)光裝置10的方法。
[0122]為了獲得發(fā)光裝置10，如圖5 (e)所示，沿著切割線11切斷發(fā)光裝置集合體1，以便將發(fā)光裝置集合體I單片化為各發(fā)光裝置10。作為將發(fā)光裝置集合體I切斷的方法，可列舉出例如切割等方法。
[0123]如圖1所示，切割線11以將發(fā)光裝置集合體I分隔的方式形成，例如，切割線11以將發(fā)光裝置集合體I沿左右方向分隔成10列發(fā)光裝置10、沿前后方向分隔成兩列發(fā)光裝置10的方式形成。具體而言，切割線11以每一個由各發(fā)光裝置10中的左列的LED3X和右列的LED3Y構(gòu)成的單元就進行分隔的方式沿著前后方向形成，并以在左右方向上橫穿前側(cè)的密封層5A和后側(cè)的密封層5B之間的電極區(qū)域9的前后方向中央部的方式沿著左右方向形成。
[0124]由此，如圖5 (f)所示，制得多個(例如20個)發(fā)光裝置10。
[0125]在制得的發(fā)光裝置10的基板2上僅形成有密封區(qū)域8和電極區(qū)域9。密封區(qū)域8和電極區(qū)域9分別沿著一方向、即左右方向連續(xù)。
[0126]之后，如圖5 (f)的假想線所示，配線13的一端部通過例如超聲波接合等與制得的發(fā)光裝置10的電極區(qū)域9電連接。此外，配線13的另一端部與未圖示的電源電連接，由此，LED3經(jīng)由電極區(qū)域9和配線13與未圖示的電源相連接。自未圖示的電源經(jīng)由配線13向該發(fā)光裝置10供給電力，由此使LED3發(fā)光。
[0127]并且，采用該發(fā)光裝置10，在基板2上僅形成有包含LED3且由密封層5劃分的密封區(qū)域8和由電極4的自密封層5暴露的部分劃分的電極區(qū)域9。也就是說，基板2的除了密封區(qū)域8以外的區(qū)域均形成為電極區(qū)域9，因此，電極區(qū)域9的導(dǎo)熱性優(yōu)異，所以能夠謀求提高發(fā)光裝置10的散熱性。另外，由于基板2的除了密封區(qū)域8以外的區(qū)域均為電極區(qū)域9，因此電極區(qū)域9比較大，所以能夠容易且可靠地謀求配線13與電極區(qū)域9的連接。
[0128]其結(jié)果，該發(fā)光裝置10在散熱性和與配線的連接性這兩方面優(yōu)異。
[0129]另外，能夠謀求該發(fā)光裝置10的小型化。
[0130]在該發(fā)光裝置10中，由于密封區(qū)域8和電極區(qū)域9均在一方向上、具體而言在左右方向上連續(xù)地形成，因此能夠簡單地形成密封區(qū)域8和電極區(qū)域9。另外，由于電極區(qū)域9在左右方向上連續(xù)地形成，因此能夠進一步提高電極區(qū)域9的導(dǎo)熱性而進一步謀求提高發(fā)光裝置10的散熱性，并且，能夠進一步容易且進一步可靠地謀求配線與電極區(qū)域9的連接。
[0131]另外，由于該發(fā)光裝置10還包括引線6，因此能夠利用引線6將LED3和電極相連接，而無需在基板2上設(shè)置內(nèi)部電極。
[0132]因此，能夠使基板2的結(jié)構(gòu)簡單。其結(jié)果，能夠謀求該發(fā)光裝置10的結(jié)構(gòu)的簡單化。
[0133]另外，在該發(fā)光裝置10中，由于引線6被密封層5密封，因此能夠提高引線6的可靠性。因此，該發(fā)光裝置10的連接可靠性優(yōu)異。
[0134]另外，由于該發(fā)光裝置集合體I包括多個上述發(fā)光裝置10，因此，若將該發(fā)光裝置集合體I單片化為多個發(fā)光裝置10，則能夠高效地制造散熱性和連接性優(yōu)異的發(fā)光裝置IOo
[0135]在圖4 (b)所示的帶有電極的基板102中，若將LED3形成于基板2的表面并將密封層5以密封LED3的方式形成于基板2的表面而制造發(fā)光裝置10，則在基板2上僅形成有包含LED3且由密封層5劃分的密封區(qū)域8和由電極4的自密封層5暴露的部分劃分的電極區(qū)域9。也就是說，基板2的除了密封區(qū)域8以外的區(qū)域均形成為電極區(qū)域9，因此，電極區(qū)域9的導(dǎo)熱性優(yōu)異，所以能夠謀求提高發(fā)光裝置10的散熱性。另外，由于基板2的除了密封區(qū)域8以外的區(qū)域均為電極區(qū)域9，因此電極區(qū)域9比較大，所以能夠容易且可靠地謀求配線13與電極區(qū)域9的連接。
[0136]其結(jié)果，由帶有電極的基板102制造的發(fā)光裝置10在散熱性和與配線的連接性這兩方面優(yōu)異。[0137]變形例
[0138]在第I實施方式中，通過將包括多個發(fā)光裝置10的發(fā)光裝置集合體I切斷而將其單片化為各發(fā)光裝置10，但是，例如也可以直接將發(fā)光裝置集合體I用作發(fā)光裝置10，而不進行切斷和單片化。
[0139]在該情況下，使配線的一端部與各電極4、也就是說前端部的電極4A、后端部的電極4B以及前后方向中央部的電極4C分別電連接。
[0140]另外，在第I實施方式中，如圖1所示，以每一個由左列的LED3X和右列的LED3Y構(gòu)成的單元就進行分隔的方式沿著前后方向形成了切割線11，但是，雖未圖示，例如也可以以每多個單元就進行分隔的方式沿著前后方向形成切割線11。
[0141]另外，在第I實施方式中，在各發(fā)光裝置10中，利用引線6將多個LED3之間電連接，但是，雖未圖示，例如也可以是，在基板2上設(shè)置內(nèi)部電極，利用基板2的內(nèi)部電極將各LED3之間電連接，而不經(jīng)由引線6。
[0142]并且，在第I實施方式中，在各發(fā)光裝置10中，利用引線6將電極4和LED3電連接，但是，雖未圖示，例如也可以是，在基板2上設(shè)置內(nèi)部電極，利用基板2的內(nèi)部電極將電極4和LED3電連接，而不經(jīng)由引線6。
[0143]另外，在第I實施方式中，在各發(fā)光裝置10中，將LED3配置為在左右方向上兩個、在前后方向上6個(2X6個)，但LED3的數(shù)量和配置并不限定于上述的數(shù)量和配置。雖未圖示，例如也可以是，在各發(fā)光裝置10中，僅設(shè)置I個LED3。
[0144]并且，在第I實施方式中，密封層5由圖5 (e)的假想線所示的密封片12形成，但是，例如也可以通過對上述密封樹脂組合物進行灌注密封等而形成密封層5。此外，在灌注密封中，在與電極區(qū)域9相對應(yīng)的區(qū)域預(yù)先設(shè)置阻擋構(gòu)件(未圖示)等保護構(gòu)件，在一邊保護與電極區(qū)域9相對應(yīng)的區(qū)域一邊形成密封層5之后，去除保護構(gòu)件。
[0145]優(yōu)選密封層5由密封片12形成。若密封層5由密封片12形成，則不需要設(shè)置和去除保護構(gòu)件的工序，從而能夠相應(yīng)地簡單地形成密封層5。
[0146]另外，在第I實施方式中，如圖4所示，設(shè)置電極4 (參照圖4 (b))，之后，依次設(shè)置LED3和引線6 (參照圖4 (c)和圖4 (d))，但該順序并不特別限定，雖未圖示，例如也可以是，依次設(shè)置LED3和引線6，之后設(shè)置電極4。
[0147]另外，在第I實施方式中，作為本實用新型的光半導(dǎo)體元件，例示出了 LED3而進行了說明，但是，例如也可以采用LD (激光二極管)3。
[0148]第2實施方式
[0149]在圖6和圖7中，對于與第I實施方式相同的構(gòu)件，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略其詳細(xì)的說明。
[0150]如圖6和圖7所示，也可以將由LED3和引線6構(gòu)成的串聯(lián)排列形成為沿著前后方向的大致直線狀。
[0151]在各發(fā)光裝置10中，沿前后方向串聯(lián)排列的LED3在寬度方向上隔開間隔地配置有多列(例如5列)。
[0152]通過第2實施方式，也能夠發(fā)揮與第I實施方式相同的作用效果。
[0153]另一方面，在第I實施方式中，如圖1和圖2所示，LED3呈交錯狀排列，具體而言，左列的LED3X以在沿左右方向進行投影時相對于右列的LED3Y錯開的方式配置。因此，與圖6所示的、LED3沿著前后方向和左右方向排列的第2實施方式相比，在第I實施方式中，能夠降低每個LED3的熱負(fù)荷，也就是說，能夠提高自LED3散熱的散熱性。因此，與第2實施方式相比，第I實施方式是優(yōu)選的實施方式。
[0154]變形例
[0155]在第2實施方式中，如圖6所示，使各發(fā)光裝置10配置有多列(例如5列)沿前后方向串聯(lián)排列的LED3，但是，雖未圖示，例如也可以使各發(fā)光裝置10配置有最小列數(shù)、具體而言為I列的沿前后方向串聯(lián)排列的LED3。
[0156]第3實施方式
[0157]在圖8和圖9中，對于與第I實施方式以及第2實施方式相同的構(gòu)件，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略其詳細(xì)的說明。
[0158]在第I實施方式和第2實施方式中，如圖1和圖6所示，使電極4形成為沿左右方向延伸的俯視大致矩形形狀(或俯視大致直線形狀)，但在第3實施方式中，也可以將電極4形成為俯視大致梳狀。
[0159]另外，在第2實施方式中，沿著前后方向形成了由LED3和引線6構(gòu)成的串聯(lián)排列，但在第3實施方式中，也可以沿著左右方向形成上述串聯(lián)排列。
[0160]如圖8和圖9所示，在各發(fā)光裝置10中，沿左右方向串聯(lián)排列的LED3在前后方向上隔開間隔地配置有多列(例如5列)。
[0161]前端部的電極4A和前后方向中央部的電極4C (與前列的發(fā)光裝置IOA相對應(yīng)的部分)分別形成為梳狀，具體而言，前端部的電極4A和前后方向中央部的電極4C包括沿左右方向延伸的基體部分14和自基體部分14沿前后方向延伸的伸出部分15(細(xì)虛線)，該基體部分14和伸出部分15形成為一體。另外，前端部的電極4A和前后方向中央部的電極4C以在前后方向上隔開間隔的方式設(shè)置。并且，前端部的電極4A和前后方向中央部的電極4C呈互相齟齬狀(日文:齟齬狀)配置。也就是說，伸出部分15在左右方向上隔開間隔地相對配置，具體而言，前端部的電極4A的伸出部分15和前后方向中央部的電極4C的伸出部分15沿左右方向交替地配置。
[0162]后端部的電極4B和前后方向中央部的電極4C (與后列的發(fā)光裝置IOB相對應(yīng)的部分)分別形成為梳狀，具體而言，后端部的電極4B和前后方向中央部的電極4C包括沿左右方向延伸的基體部分14和自基體部分14沿前后方向延伸的伸出部分15(細(xì)虛線)，該基體部分14和伸出部分15形成為一體。另外，后端部的電極4B和前后方向中央部的電極4C以在前后方向上隔開間隔的方式設(shè)置。并且，后端部的電極4B和前后方向中央部的電極4C呈互相齟齬狀配置。也就是說，伸出部分15在左右方向上隔開間隔地相對配置，具體而言，后端部的電極4B的伸出部分15和前后方向中央部的電極4C的伸出部分15沿左右方向交替地配置。
[0163]并且，在各發(fā)光裝置10中，最右側(cè)的LED3以及最左側(cè)的LED3經(jīng)由引線6與電極4 (具體而言為前端部的電極4A或后端部的電極4B)的伸出部分15相連接。
[0164]通過第3實施方式，也能夠發(fā)揮與第I實施方式和第2實施方式相同的作用效果。
[0165]另一方面，在第3實施方式中，如圖8所示，電極4形成為包含伸出部分15的俯視大致梳形狀，因此，與電極4不包含上述伸出部分15而形成為圖1和圖6所示的俯視大致直線形狀的第I實施方式和第2實施方式相比，在第3實施方式中，用于安裝LED3的空間變狹窄，因此，各列中的LED3之間的距離(間隔)形成得較短。
[0166]因此，與第3實施方式相比，第I實施方式和第2實施方式中的各LED3的散熱性優(yōu)異，因此是優(yōu)選實施方式。
[0167]變形例
[0168]在第3實施方式中，如圖8所示，使各發(fā)光裝置10配置有多列(例如5列)沿左右方向串聯(lián)排列的LED3，但是，雖未圖示，例如也可以使各發(fā)光裝置10配置有最小列數(shù)、具體而言為I列的沿左右方向串聯(lián)排列的LED3。
[0169]此外，雖然作為本實用新型的例示的實施方式提供了上述說明，但這僅僅是例示，不應(yīng)做限定性解釋。本領(lǐng)域技術(shù)人員容易得出的本實用新型的變形例包括在本實用新型的權(quán)利要求書中。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于， 該發(fā)光裝置包括:基板；光半導(dǎo)體元件，其安裝于上述基板的表面；密封層，其以密封上述光半導(dǎo)體元件的方式形成于上述基板的表面；以及電極，其以與上述光半導(dǎo)體元件電連接的方式形成于上述基板的表面， 在上述基板上僅形成有密封區(qū)域和電極區(qū)域，該密封區(qū)域包含上述光半導(dǎo)體元件，且由上述密封層劃分，該電極區(qū)域由上述電極的自上述密封層暴露的部分劃分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 上述密封區(qū)域和/或上述電極區(qū)域在一方向上連續(xù)地形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 該發(fā)光裝置還包括用于將上述光半導(dǎo)體元件和上述電極連接的引線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 上述引線被上述密封層密封。
5.一種發(fā)光裝置集合體，其特征在于， 該發(fā)光裝置集合體包括多個發(fā)光裝置， 各上述發(fā)光裝置包括:基板；光半導(dǎo)體元件，其安裝于上述基板的表面；密封層，其以密封上述光半導(dǎo)體元件的方式形成于上述基板的表面；以及電極，其以與上述光半導(dǎo)體元件電連接的方式形成于上述基板的表面， 在上述基板上僅形成有密封區(qū)域和電極區(qū)域，該密封區(qū)域包含上述光半導(dǎo)體元件，且由上述密封層劃分，該電極區(qū)域由上述電極的自上述密封層暴露的部分劃分。
6.一種帶有電極的基板，其用于制造發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括:基板；光半導(dǎo)體元件，其安裝于上述基板的表面；密封層，其以密封上述光半導(dǎo)體元件的方式形成于上述基板的表面；以及電極，其以與上述光半導(dǎo)體元件電連接的方式形成于上述基板的表面，在上述基板上僅形成有密封區(qū)域和電極區(qū)域，該密封區(qū)域包含上述光半導(dǎo)體元件，且由上述密封層劃分，該電極區(qū)域由上述電極的自上述密封層暴露的部分劃分，該帶有電極的基板的特征在于， 上述帶有電極的基板包括上述基板和形成于上述基板的表面的電極。
【文檔編號】H01L33/62GK203607404SQ201320780245
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月10日
【發(fā)明者】大藪恭也, 北山善彥, 三谷宗久 申請人:日東電工株式會社