顯示基板、顯示面板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種顯示基板、顯示面板和顯示裝置，該顯示基板包括：襯底基板和形成于所述襯底基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極連接，所述漏電極與所述像素電極至少一側(cè)的邊緣區(qū)域相連接。本實(shí)用新型的技術(shù)方案可以增加像素電極與漏電極連接的接觸點(diǎn)及接觸面積，提升顯示質(zhì)量。
【專利說明】顯示基板、顯示面板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種顯示基板、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]柔性顯示器以其輕薄，可彎折甚至卷曲，機(jī)械性能好等特點(diǎn)在我們的生活當(dāng)中得到越來越廣泛的應(yīng)用。柔性顯示器件通常是制作在柔性載體上的，由于其具有彎折的特性，給其設(shè)計(jì)和制作也帶來很大的挑戰(zhàn)。一般柔性顯示器件都會用到銦錫氧化物(ΙΤ0)電極作為陽極以進(jìn)行像素顯示。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的顯示基板像素單元的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1中的顯示基板像素單元的A-A向剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1和圖2所示，該顯示基板包括:襯底基板9、形成于襯底基板9上的薄膜晶體管8、形成于薄膜晶體管8上的像素電極7，薄膜晶體管8包括:依次設(shè)置的柵電極1、柵絕緣層2、有源層4、源電極31和漏電極32。源電極31和漏電極32上形成有鈍化層5，鈍化層5上形成有像素電極7。鈍化層5上設(shè)置有過孔13，像素電極7通過過孔13與漏電極32相連接，從而實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管8控制像素電極7以進(jìn)行像
[0004]然而，現(xiàn)有技術(shù)顯示基板的結(jié)構(gòu)中，漏電極32與像素電極7通過過孔13相連，漏電極32與像素電極7的接觸面積非常小，若像素電極7發(fā)生斷裂，像素電極7與漏電極32斷開，不能實(shí)現(xiàn)電連接，導(dǎo)致外界信號無法驅(qū)動像素進(jìn)行正常顯示，進(jìn)而降低了顯示質(zhì)量。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型提供一種顯示基板、顯示面板和顯示裝置，其可以增加像素電極與漏電極連接的接觸點(diǎn)及接觸面積，從而提升顯示質(zhì)量。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種顯示基板，包括:襯底基板和形成于所述襯底基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極相連接，所述漏電極與所述像素電極至少一側(cè)的邊緣區(qū)域相連接。
[0007]優(yōu)選地，所述漏電極的上方形成有鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔，所述像素電極通過所述過孔實(shí)現(xiàn)與所述漏電極的電連接。
[0008]優(yōu)選地，所述過孔的形狀為環(huán)狀。
[0009]優(yōu)選地，所述過孔的形狀為由多個過孔呈陣列排布形成的面狀。
[0010]優(yōu)選地，所述過孔的形狀包括由多個過孔呈陣列排布形成的環(huán)狀、連續(xù)的環(huán)狀或局部斷開的環(huán)狀。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述漏電極的形狀為環(huán)形或面狀。
[0012]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種顯示面板，包括上述的顯示基板。
[0013]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。
[0014]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種顯示基板的制作方法，包括:[0015]在襯底基板上形成柵線和數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極；
[0016]其中，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極連接，所述漏電極與所述像素電極至少一側(cè)的邊緣區(qū)域相連接。
[0017]優(yōu)選地，該方法還包括:在漏電極的上方形成鈍化層，所述鈍化層上形成過孔，所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極電連接。
[0018]優(yōu)選地，所述漏電極的形狀為環(huán)形或面狀。
[0019]本實(shí)用新型提供的顯示基板、顯示面板和顯示裝置，通過增加漏電極與像素電極的接觸點(diǎn)及接觸面積，在像素電極的一部分發(fā)生斷裂時，可通過利用像素電極中未發(fā)生斷裂的部分與漏電極連接，有效增大了像素電極與漏電極連接的可靠性，從而提升了顯示質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的顯示基板像素單元的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為圖1中的顯示基板像素單元的A-A向剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種顯示基板像素單元的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4為圖3中顯示基板像素單元的B-B向剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種顯示基板像素單元的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖6為圖5中顯示基板像素單元的C-C向剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例五提供的一種顯示基板的制作方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型提供的一種顯示基板、顯示面板和顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0028]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種顯示基板像素單元的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為圖3中顯示基板像素單元的B-B向剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖3和圖4所示,該顯示基板包括:襯底基板9和形成于襯底基板9上的柵線11和數(shù)據(jù)線12，柵線11和數(shù)據(jù)線12限定像素單元，像素單元包括薄膜晶體管8和像素電極7，薄膜晶體管8的漏電極33與像素電極7至少一側(cè)的邊緣區(qū)域通過過孔6相連接。
[0029]進(jìn)一步地，該顯示基板還包括:形成于襯底基板上的電源線19。其中，薄膜晶體管8包括:柵電極1、形成于柵電極I上的柵絕緣層2、形成于柵絕緣層2上的有源層4、形成于有源層4上的源電極31和漏電極33。該顯示基板還包括:薄膜晶體管10，薄膜晶體管10包括:柵電極18、形成于柵電極18上的柵絕緣層、形成于柵絕緣層上的有源層16、形成于有源層16上的源電極14和漏電極15，漏電極15通過過孔17與柵電極I連接。可選地，有源層4與源電極31和漏電極33之間還設(shè)置有刻蝕阻擋層(圖中未示出)。漏電極33的上方形成有鈍化層5，鈍化層5上設(shè)置有過孔6，像素電極7通過過孔6實(shí)現(xiàn)與漏電極33電連接。
[0030]優(yōu)選的，過孔6的形狀為環(huán)狀。過孔6的形狀包括由多個過孔呈陣列排布形成的環(huán)狀、連續(xù)的環(huán)狀或者局部斷開的環(huán)狀。進(jìn)一步地，漏電極33的形狀為環(huán)形或者面狀。當(dāng)過孔6的形狀為由多個過孔呈陣列排布形成的環(huán)狀時,漏電極33的形狀為環(huán)形時,像素電極7通過過孔6與漏電極33電連接，像素電極7與漏電極33連接的部位呈環(huán)形，增加了像素電極7與漏電極33的接觸面積，提高了像素電極7與漏電極33的連接可靠性，提升顯示基板的顯示質(zhì)量。進(jìn)一步地，過孔6的形狀可以為連續(xù)的環(huán)狀或者局部斷開的環(huán)狀，但本實(shí)施例中的過孔的形狀并不局限于此，只要能保證在像素電極7發(fā)生斷裂時，像素電極7與漏電極33還能實(shí)現(xiàn)電連接的形狀均在本實(shí)施例的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0031]本實(shí)施例中，當(dāng)像素電極7發(fā)生斷裂時，即使像素電極7有多個部位發(fā)生斷裂，若發(fā)生斷裂的像素電極7中有一部分通過過孔6與漏電極33電連接，則像素電極7還可以驅(qū)動像素進(jìn)行顯示，從而保證了顯示質(zhì)量。而現(xiàn)有技術(shù)中的顯示基板的結(jié)構(gòu)中，像素電極與漏電極通過過孔相連接，接觸部位較小，若像素電極發(fā)生斷裂時，不與漏電極相連的像素電極無法驅(qū)動像素進(jìn)行正常顯示，本實(shí)施例的顯示基板可以有效增大像素電極與漏電極連接的可靠性。
[0032]需要說明的是，在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)開口率的大小需求以及像素電極和漏電極之間連接性能的需求來確定像素電極和漏電極連接部位的面積和分布。
[0033]本實(shí)施例提供的顯示基板中，漏電極與像素電極至少一側(cè)的邊緣區(qū)域通過過孔相連接時，通過增加漏電極與像素電極的連接點(diǎn)及接觸面積，設(shè)計(jì)過孔的形狀為環(huán)狀，漏電極的形狀為環(huán)形或面狀，并相應(yīng)地增大漏電極的面積，從而保證像素電極的一部分發(fā)生斷裂時，可通過利用像素電極的中未發(fā)生斷裂部分與漏電極連接，有效增大像素電極與漏電極連接的可靠性，提升了顯示質(zhì)量。可選地，本實(shí)施例的過孔也可設(shè)計(jì)成由多個過孔呈陣列排布形成的面狀，此時漏電極的形狀為面狀。
[0034]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種顯示基板像素單元的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖6為圖5中顯示基板像素單元的C-C向剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖5和圖6所示,該顯示基板包括:襯底基板9和形成于襯底基板9上的柵線11和數(shù)據(jù)線12，柵線11和數(shù)據(jù)線12限定像素單元，像素單元包括薄膜晶體管8和像素電極7，薄膜晶體管8的漏電極34與像素電極7相連接，漏電極34與像素電極7相對設(shè)置。
[0035]其中，薄膜晶體管8包括:柵電極1、形成于柵電極I上的柵絕緣層2、形成于柵絕緣層2上的有源層4、形成于有源層4上的源電極31和漏電極34。該顯示基板還包括:薄膜晶體管10，薄膜晶體管10包括:柵電極18、形成于柵電極18上的柵絕緣層、形成于柵絕緣層上的有源層16、形成于有源層16上的源電極14和漏電極15，漏電極15通過過孔17與柵電極I連接。可選地，有源層4與源電極31和漏電極34之間還設(shè)置有刻蝕阻擋層(圖中未示出)。
[0036]優(yōu)選地，漏電極34的形狀為面狀。漏電極34的形狀為面狀時，像素電極7通過與漏電極34直接連接，像素電極7與漏電極34連接的部位呈面狀，從而增加了像素電極7與漏電極34的接觸點(diǎn)及接觸面積，提高了像素電極7與漏電極34的連接可靠性，提升了顯示基板的顯示質(zhì)量。在實(shí)際應(yīng)用中，漏電極34面積的大小可以根據(jù)與像素電極7和漏電極34之間的接觸的面積大小來設(shè)置，也就是說，在像素電極7發(fā)生斷裂時，通過增大漏電極34的面積，保證像素電極7與漏電極34之間能夠連接。
[0037]本實(shí)施例中，當(dāng)像素電極7發(fā)生斷裂時，即使像素電極7有多個部位發(fā)生斷裂，若發(fā)生斷裂的像素電極7中有一部分通過漏電極34連接，則像素電極7還可以驅(qū)動像素進(jìn)行顯示，從而保證了顯示質(zhì)量。而現(xiàn)有技術(shù)中的顯示基板的結(jié)構(gòu)中，像素電極與漏電極通過過孔連接部位較小，若像素電極發(fā)生斷裂時，則不與漏電極相連的像素電極無法驅(qū)動像素進(jìn)行正常顯示，本實(shí)施例的顯示基板可以有效增大像素電極與漏電極連接的可靠性。
[0038]需要說明的是，在實(shí)際應(yīng)用中，可通過平鋪一層金屬電極層作為漏電極，像素電極作為OLED發(fā)光顯示的陽極，像素電極、漏電極之間相互連接。
[0039]本實(shí)施例提供的顯示基板中，漏電極與像素電極至少一側(cè)的邊緣區(qū)域相連接，通過增加漏電極與像素電極的連接點(diǎn)及接觸面積，從而保證像素電極的一部分發(fā)生斷裂時，可通過利用像素電極的中未發(fā)生斷裂部分與漏電極連接，有效增大像素電極與漏電極連接的可靠性，提升了顯示質(zhì)量。
[0040]需要說明的是，本實(shí)用新型中的薄膜晶體管，作為驅(qū)動OLED進(jìn)行顯示的驅(qū)動薄膜晶體管，可以為非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)、氧化物薄膜晶體管(Oxide TFT)或者低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)。
[0041]本實(shí)用新型實(shí)施例三提供一種顯示面板，該顯示面板采用上述實(shí)施例一或?qū)嵤├械娘@示基板。
[0042]本實(shí)施例中的顯示基板的【具體實(shí)施方式】請參見上述實(shí)施例一或?qū)嵤├械娘@示基板，此處不再贅述。
[0043]本實(shí)施例的顯不面板包括顯不基板，該顯不基板包括:襯底基板和形成于襯底基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線限定像素單元，像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的漏電極與像素電極連接，漏電極與像素電極至少一側(cè)的邊緣區(qū)域相連接，通過增加漏電極與像素電極的接觸點(diǎn)及接觸面積，在像素電極的一部分發(fā)生斷裂時，可通過利用像素電極的中未發(fā)生斷裂部分與漏電極連接，有效增大像素電極與漏電極連接的可靠性，提升了顯示質(zhì)量。
[0044]本實(shí)用新型實(shí)施例四提供一種顯示裝置，該顯示裝置采用上述實(shí)施例一或?qū)嵤├械娘@示基板。
[0045]本實(shí)施例中的顯示基板的【具體實(shí)施方式】請參見上述實(shí)施例一或?qū)嵤├械娘@示基板，此處不再贅述。
[0046]本實(shí)施例的顯示裝置包括顯示基板，該顯示基板包括:襯底基板和形成于襯底基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線限定像素單元，像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的漏電極與像素電極連接，漏電極與像素電極至少一側(cè)的邊緣區(qū)域相連接，通過增加漏電極與像素電極的接觸點(diǎn)，在像素電極的一部分發(fā)生斷裂時，可通過利用像素電極的中未發(fā)生斷裂部分與漏電極連接，有效增大像素電極與漏電極連接的可靠性，提升了顯示質(zhì)量。
[0047]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例五提供的一種顯示基板的制作方法的流程示意圖，如圖7所示,該顯示基板的制作方法包括:
[0048]步驟S11、在襯底基板上形成柵線和數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極。
[0049]具體地，可通過構(gòu)圖工藝形成柵線和數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極，構(gòu)圖工藝至少包括:光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。其中，柵線和數(shù)據(jù)線限定像素單元，像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的漏電極與像素電極連接，漏電極與像素電極至少一側(cè)的邊緣區(qū)域相連接。[0050]步驟S12、在漏電極的上方形成鈍化層，在所述鈍化層上形成過孔，所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極連接。
[0051]具體地，可通過構(gòu)圖工藝在漏電極的上方形成鈍化層，在鈍化層上形成過孔，像素電極通過過孔并與漏電極電連接。其中，過孔的形狀為環(huán)形，過孔的形狀包括由多個過孔呈陣列排布形成的環(huán)狀、連續(xù)的環(huán)狀或者局部斷開的環(huán)狀，漏電極的形狀為環(huán)狀。
[0052]本實(shí)施例中，通過設(shè)計(jì)過孔的形狀為環(huán)狀，從而增加漏電極和像素電極之間的接觸點(diǎn)及接觸面積，在像素電極的一部分發(fā)生斷裂時，可通過利用像素電極的中未發(fā)生斷裂部分與漏電極連接，有效增大像素電極與漏電極連接的可靠性，提升了顯示質(zhì)量。
[0053]本實(shí)用新型實(shí)施例六提供一種顯示基板的制作方法，該顯示基板的制作方法包括:
[0054]在襯底基板上形成柵線和數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極。
[0055]具體地，可通過構(gòu)圖工藝形成柵線和數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極，構(gòu)圖工藝至少包括:光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。其中，柵線和數(shù)據(jù)線限定像素單元，像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的漏電極與像素電極相連接，漏電極與像素電極至少一側(cè)的邊緣區(qū)域相連接。
[0056]優(yōu)選地，漏電極的形狀為面狀。在實(shí)際應(yīng)用中，可通過構(gòu)圖工藝在像素電極下方平鋪一層漏電極與像素電極連接。
[0057]本實(shí)施例中，通過在像素電極下方平鋪一層漏電極與像素電極連接，從而增加漏電極和像素電極之間的接觸點(diǎn)及接觸面積，在像素電極的一部分發(fā)生斷裂時，可通過利用像素電極的中未發(fā)生斷裂部分與漏電極連接，有效增大像素電極與漏電極連接的可靠性，提升了顯示質(zhì)量。
[0058]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示基板，包括:襯底基板和形成于所述襯底基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極相連接，其特征在于，所述漏電極與所述像素電極至少一側(cè)的邊緣區(qū)域相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述漏電極的上方形成有鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔，所述像素電極通過所述過孔實(shí)現(xiàn)與所述漏電極的電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述過孔的形狀為環(huán)狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述過孔的形狀為由多個過孔呈陣列排布形成的面狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述過孔的形狀包括由多個過孔呈陣列排布形成的環(huán)狀、連續(xù)的環(huán)狀或局部斷開的環(huán)狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的顯示基板，其特征在于，所述漏電極的形狀為環(huán)形或面狀。
7.—種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求6中的顯示基板。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的顯示面板。
【文檔編號】H01L27/32GK203644316SQ201320642636
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月17日
【發(fā)明者】李云飛 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司