一種晶體管的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種晶體管，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種晶體管，包括晶體管主體和應(yīng)力施加部，所述的晶體管主體包括形成基板、層疊于形成基板上的第一半導(dǎo)體層和比第一半導(dǎo)體層帶隙大的第二半導(dǎo)體層，所述的晶體管主體設(shè)置于應(yīng)力施加部上；所述的應(yīng)力施加部為由雙金屬構(gòu)成的保持基板；在所述第二半導(dǎo)體層和應(yīng)力施加部之間形成有絕緣層。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn)：能實(shí)現(xiàn)溫度變化引起的薄層電阻的變動(dòng)小。
【專利說明】—種晶體管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種晶體管，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的HEMT存在薄層電阻隨溫度上升而顯著增大的問題。若大電流流過HEMT，則HEMT發(fā)熱，從而溫度會(huì)上升。這樣，薄層電阻會(huì)增大。若薄層電阻增大，則HEMT進(jìn)一步發(fā)熱，從而薄層電阻進(jìn)一步增大。因此，薄層電阻隨溫度上升而增大的特性對(duì)流過大電
[0003]流的功率晶體管而言是致命的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的是提供一種能實(shí)現(xiàn)溫度變化引起的薄層電阻的變動(dòng)小的晶體管。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:一種晶體管，包括晶體管主體和應(yīng)力施加部，所述的晶體管主體包括形成基板、層疊于形成基板上的第一半導(dǎo)體層和比第一半導(dǎo)體層帶隙大的第二半導(dǎo)體層，所述的晶體管主體設(shè)置于應(yīng)力施加部上；所述的應(yīng)力施加部為由雙金屬構(gòu)成的保持基板；在所述第二半導(dǎo)體層和應(yīng)力施加部之間形成有絕緣層。
[0006]所述雙金屬為銅和招。
[0007]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn):能實(shí)現(xiàn)溫度變化引起的薄層電阻的
變動(dòng)小。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]其中:1-晶體管主體；10-形成基板；11-低溫緩沖層；12_第一半導(dǎo)體層；13_第二半導(dǎo)體層；14-漏極電極；15-柵極電極；16-源極電極；2_應(yīng)力施加部；20_低膨脹率層；21高膨脹率層。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖1對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的詳述:一種晶體管，包括晶體管主體I和應(yīng)力施加部2，所述的晶體管主體包括形成基板10、層疊于形成基板上的未摻雜的GaN構(gòu)成的第一半導(dǎo)體層12和比第一半導(dǎo)體層帶隙大的未摻雜的AlGaN構(gòu)成的第二半導(dǎo)體層13，所述的晶體管主體設(shè)置于應(yīng)力施加部上；所述的應(yīng)力施加部為由雙金屬構(gòu)成的保持基板，所述雙金屬為銅和鋁；在第二導(dǎo)體層上設(shè)置有漏極電極14、柵極電極15和源極電極16，源極電極16以及漏極電極14是例如層疊了鈦(Ti)和鋁(Al)的歐姆電極。柵極電極15是例如層疊了鉬(Pt)和金(Au)的肖特基電極。在所述第二半導(dǎo)體層和應(yīng)力施加部之間形成有絕緣層17 ;在第一半導(dǎo)體層12和形成基板10之間設(shè)置有低溫緩沖層11。[0011]保持基板由對(duì)以厚度為1200μπι的銅構(gòu)成的低膨脹率層20、和以厚度為IOOOym的Al構(gòu)成的高膨脹率層21進(jìn)行層疊的雙金屬構(gòu)成。
【權(quán)利要求】
1.一種晶體管，包括晶體管主體和應(yīng)力施加部，其特征在于:所述的晶體管主體包括形成基板、層疊于形成基板上的第一半導(dǎo)體層和比第一半導(dǎo)體層帶隙大的第二半導(dǎo)體層，所述的晶體管主體設(shè)置于應(yīng)力施加部上；所述的應(yīng)力施加部為由雙金屬構(gòu)成的保持基板；在所述第二半導(dǎo)體層和應(yīng)力施加部之間形成有絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于:所述雙金屬為銅和鋁。
【文檔編號(hào)】H01L29/06GK203589040SQ201320554966
【公開日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年9月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月9日
【發(fā)明者】洪元本, 彭成炫 申請(qǐng)人:江西省一元數(shù)碼科技有限公司