一種受溫度影響小的晶體管的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種晶體管，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種受溫度影響小的晶體管，包括晶體管主體和應(yīng)力施加部，所述的晶體管主體包括形成基板、層疊于形成基板上的第一半導(dǎo)體層和比第一半導(dǎo)體層帶隙大的第二半導(dǎo)體層，所述的晶體管主體設(shè)置于應(yīng)力施加部上；應(yīng)力施加部為與形成基板的形成有半導(dǎo)體層的面為相反側(cè)的面的應(yīng)力施加膜；在所述第二半導(dǎo)體層和應(yīng)力施加部之間形成有絕緣層。本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點：能實現(xiàn)溫度變化引起的薄層電阻的變動小。
【專利說明】—種受溫度影響小的晶體管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種晶體管，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的HEMT存在薄層電阻隨溫度上升而顯著增大的問題。若大電流流過HEMT，則HEMT發(fā)熱，從而溫度會上升。這樣，薄層電阻會增大。若薄層電阻增大，則HEMT進(jìn)一步發(fā)熱，從而薄層電阻進(jìn)一步增大。因此，薄層電阻隨溫度上升而增大的特性對流過大電
[0003]流的功率晶體管而言是致命的。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的是提供一種能實現(xiàn)溫度變化引起的薄層電阻的變動小的晶體管。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案:一種受溫度影響小的晶體管，包括晶體管主體和應(yīng)力施加部，所述的晶體管主體包括形成基板、層疊于形成基板上的第一半導(dǎo)體層和比第一半導(dǎo)體層帶隙大的第二半導(dǎo)體層，所述的晶體管主體設(shè)置于應(yīng)力施加部上；應(yīng)力施加部為與形成基板的形成有半導(dǎo)體層的面為相反側(cè)的面的應(yīng)力施加膜；在所述第二半導(dǎo)體層和應(yīng)力施加部之間形成有絕緣層。
[0006]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點:能實現(xiàn)溫度變化引起的薄層電阻的
變動小。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]其中:1-晶體管主體；10-形成基板；11-低溫緩沖層；12_第一半導(dǎo)體層；13_第二半導(dǎo)體層；14-漏極電極；15-柵極電極；16-源極電極；2_應(yīng)力施加膜。
【具體實施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖1對本實用新型做進(jìn)一步的詳述:一種受溫度影響小的晶體管，包括晶體管主體I和應(yīng)力施加部2，所述的晶體管主體包括形成基板10、層疊于形成基板上的未摻雜的GaN構(gòu)成的第一半導(dǎo)體層12和比第一半導(dǎo)體層帶隙大的未摻雜的AlGaN構(gòu)成的第二半導(dǎo)體層13，所述的晶體管主體設(shè)置于應(yīng)力施加部上；所述應(yīng)力施加部為與形成基板的形成有半導(dǎo)體層的面為相反側(cè)的面的應(yīng)力施加膜；在第二導(dǎo)體層上設(shè)置有漏極電極
14、柵極電極15和源極電極16，源極電極16以及漏極電極14是例如層疊了鈦(Ti)和鋁(Al)的歐姆電極。柵極電極15是例如層疊了鉬(Pt)和金(Au)的肖特基電極；在第一半導(dǎo)體層12和形成基板10之間設(shè)置有低溫緩沖層11。
[0010]應(yīng)力施加部為形成于與形成基板10的形成有半導(dǎo)體層的面為相反側(cè)的面(背面)的應(yīng)力施加膜2。在這種情況下，作為應(yīng)力施加膜2，使用與形成基板10相比熱膨脹系數(shù)小的膜即可。例如，在以形成基板10為Si基板的情況下，作為應(yīng)力施加膜2，使用Si02或者抑制溫度依賴性的鐵鎳合金等即可。
【權(quán)利要求】
1.一種受溫度影響小的晶體管，包括晶體管主體和應(yīng)力施加部，其特征在于:所述的晶體管主體包括形成基板、層疊于形成基板上的第一半導(dǎo)體層和比第一半導(dǎo)體層帶隙大的第二半導(dǎo)體層，所述的晶體管主體設(shè)置于應(yīng)力施加部上；所述應(yīng)力施加部為與形成基板的形成有半導(dǎo)體層的面為相反側(cè)的面的應(yīng)力施加膜；在所述第二半導(dǎo)體層和應(yīng)力施加部之間形成有絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于:所述應(yīng)力施加膜為與形成基板相比熱膨脹系數(shù)小的膜。
【文檔編號】H01L29/06GK203481238SQ201320554470
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年9月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月9日
【發(fā)明者】洪元本, 彭成炫 申請人:江西省一元數(shù)碼科技有限公司