一種太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置。所述太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置包括上料電梯和下料電梯；所述上料電梯和下料電梯均包括安裝在固定板上的驅(qū)動(dòng)電缸、裝在驅(qū)動(dòng)電缸的導(dǎo)軌上且可相對(duì)驅(qū)動(dòng)電缸的導(dǎo)軌豎向運(yùn)動(dòng)的滑動(dòng)板、與該滑動(dòng)板固定相連的多層多列硅片承載臺(tái)；其中，某一列的多層硅片承載臺(tái)豎向布置，某一層的多列硅片承載臺(tái)近似水平布置。本實(shí)用新型能夠滿足在上下料傳送帶連續(xù)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)下進(jìn)行取放片動(dòng)作，同時(shí)實(shí)現(xiàn)硅片在傳送帶與機(jī)械手之間的中轉(zhuǎn)暫存功能，減少硅片傳送帶空轉(zhuǎn)時(shí)間和機(jī)械手的等待時(shí)間，提高硅片傳輸效率。
【專利說明】一種太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽能電池制造自動(dòng)化設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種獨(dú)特的用于太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在探索太陽能電池新工藝過程中，人們發(fā)現(xiàn)利用離子注入技術(shù)取代傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝，其除了提高了太陽能電池的一致性，明顯提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率外，還能消除傳統(tǒng)晶硅太陽能電池的多個(gè)生產(chǎn)步驟，如硅片邊沿刻蝕和二次清洗等。對(duì)比于傳統(tǒng)晶硅電池制造工藝，引入離子注入工藝后太陽能電池制造商能夠以更低的生產(chǎn)成本制造更高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池。因此太陽能離子注入機(jī)是發(fā)展高效電池片的一種關(guān)鍵裝備。
[0003]為了提高工作效率，太陽能離子注入機(jī)要求一次性將多個(gè)硅片有規(guī)則排列的送入靶臺(tái)進(jìn)行注入工藝，因此如何快速從硅片傳送帶上取片并在機(jī)械手上形成工藝所要求的硅片排列，提高硅片的傳輸效率成為太陽能離子注入機(jī)硅片傳輸系統(tǒng)需要解決的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]針對(duì)太陽能離子注入機(jī)硅片傳輸系統(tǒng)的技術(shù)需求，本實(shí)用新型提供了一種太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置，該緩存裝置可滿足在上下料傳送帶連續(xù)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)下進(jìn)行取放片動(dòng)作，同時(shí)實(shí)現(xiàn)娃片在傳送帶與機(jī)械手之間的中轉(zhuǎn)暫存功能，減少娃片傳送帶空轉(zhuǎn)時(shí)間和機(jī)械手的等待時(shí)間，從而提聞了娃片傳輸效率。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:
[0006]一種太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置，其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，包括上料電梯和下料電梯；所述上料電梯和下料電梯均包括安裝在固定板上的驅(qū)動(dòng)電缸、裝在驅(qū)動(dòng)電缸的導(dǎo)軌上且可相對(duì)驅(qū)動(dòng)電缸的導(dǎo)軌豎向運(yùn)動(dòng)的滑動(dòng)板、與該滑動(dòng)板固定相連的多層多列硅片承載臺(tái)；其中，某一列的多層硅片承載臺(tái)豎向布置，某一層的多列硅片承載臺(tái)近似水平布置。
[0007]本實(shí)用新型所述某一層的多列硅片承載臺(tái)近似水平布置是指某一層的多列硅片承載臺(tái)不一定絕對(duì)水平布置，與水平面呈較小的角度也可以實(shí)現(xiàn)實(shí)用新型目的，例如上料電梯某一層的多列硅片承載臺(tái)可呈階梯上升，下料電梯某一層的多列硅片承載臺(tái)可位于同一水平線上。
[0008]以下為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案:
[0009]進(jìn)一步地，所述滑動(dòng)板上固定連接有豎向布置的豎直板，該豎直板上水平安裝有水平布置的上頂板；所述上頂板的下表面固定連接有調(diào)節(jié)橫板，該調(diào)節(jié)橫板下表面固定安裝有多塊調(diào)節(jié)豎板，每塊調(diào)節(jié)豎板下端固定安裝有兩根支撐桿，相鄰兩塊調(diào)節(jié)豎板下端連接的支撐桿之間具有多層所述硅片承載臺(tái)。所述豎直支撐架以及支撐桿的位置是可以調(diào)節(jié)的，由此能夠用于貯存規(guī)格為156 X 156mm或125 X 125mm的太陽能硅片。
[0010]為了保證硅片在硅片承載臺(tái)上穩(wěn)定地上下傳輸，單層單列的所述硅片承載臺(tái)包括四個(gè)承載薄板，在承載薄板上裝有限制硅片邊角的兩邊位置的限位塊。[0011]在上料電梯內(nèi)，每一層的所述硅片承載臺(tái)成階梯狀，每一層相鄰兩個(gè)硅片承載臺(tái)之間的距離相等，且上一層硅片承載臺(tái)的最后一列與下一層硅片承載臺(tái)的第一列之間的距離與階梯的距離相等。由此，所述上料電梯的每一層硅片承載臺(tái)成階梯狀，每個(gè)階梯之間的距離相等，且上一層硅片承載臺(tái)的最后一列與下一層硅片承載臺(tái)的第一列之間的距離與階梯的距離相等；階梯的距離依據(jù)電缸與硅片傳送帶的速度確定。
[0012]為了便于實(shí)現(xiàn)同時(shí)取片和放片，在下料電梯內(nèi)，每一層的硅片承載臺(tái)均優(yōu)選位于同一水平位置。
[0013]為了保證連接強(qiáng)度，所述豎直板與上頂板之間連接有筋板。
[0014]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述娃片為規(guī)格156X 156mm或125X 125mm的太陽能娃片。
[0015]進(jìn)一步地，所述下料電梯的最上一層硅片承載臺(tái)一側(cè)設(shè)有取片機(jī)械手，該下料電梯的最下一層硅片承載臺(tái)一側(cè)設(shè)有下料傳送帶；所述上料電梯的最下一層硅片承載臺(tái)一側(cè)設(shè)有上料傳送帶，可以保證硅片的進(jìn)料、緩存和取料的連續(xù)性。
[0016]藉由上述結(jié)構(gòu)，所述太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置，包括上料電梯與下料電梯各一部。所述上料電梯包括沿著豎直方向的驅(qū)動(dòng)電缸、電缸的安裝固定板、在電缸導(dǎo)軌上運(yùn)動(dòng)的滑動(dòng)板、與滑動(dòng)板固定安裝的豎直板、水平安裝在豎直板上的上頂板、設(shè)置在上頂板與豎直板之間的兩個(gè)三角形筋板、與上頂板下表面貼裝在一起的調(diào)節(jié)橫板、安裝在調(diào)節(jié)橫板下表面的四個(gè)豎直支撐架。其中所述豎直支撐架包括豎板、安裝在豎板上的兩個(gè)支撐桿、連接在支撐桿上的四層硅片承載薄板、及承載薄板上的兩個(gè)限位塊。
[0017]所述四個(gè)豎直支撐架構(gòu)成了四層三列的硅片承載臺(tái)，每層可以承載三片硅片。每片硅片的硅片承載臺(tái)其特征在于由四個(gè)承載薄板構(gòu)成，硅片存放采取托起硅片四個(gè)邊角的方式。承載薄板上的兩個(gè)限位塊用于限制硅片邊角的兩邊位置。
[0018]所述下料電梯與上料電梯相比，除了承載薄板的位置不同使每層硅片承載臺(tái)位于同一水平位置以外，其他的結(jié)構(gòu)一樣。所述上、下料電梯硅片承載臺(tái)的層數(shù)與列數(shù)僅作為一實(shí)例，不作為數(shù)量限定，可以根據(jù)情況改變。
[0019]由此，上料電梯從上料傳送帶上取片，作為緩存區(qū)，然后向機(jī)械手上放片；下料電梯從機(jī)械手上取片，作為緩存區(qū)，然后向下料傳送帶上放片。上、下料電梯作為獨(dú)立的單元，互不干涉。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0021]1、上、下料電梯為獨(dú)立的單元，互不干涉可同時(shí)進(jìn)行作業(yè)，提高了硅片的傳輸效率。
[0022]2、根據(jù)硅片上下料的特點(diǎn)，上、下料電梯硅片承載臺(tái)的結(jié)構(gòu)不同。其中上料電梯硅片承載臺(tái)采用階梯狀設(shè)計(jì)，能實(shí)現(xiàn)在傳送帶連續(xù)運(yùn)動(dòng)時(shí)取片，省去了硅片的傳送定位時(shí)間，從而減少了硅片的取片時(shí)間；
[0023]3、通過與機(jī)械手動(dòng)作的配合，能使多個(gè)硅片在機(jī)械手上按照離子注入工藝要求的整齊排列，避免了硅片位置的再調(diào)整。
[0024]4、上、下料電梯硅片承載臺(tái)的長寬度可以調(diào)節(jié)，適用于常用規(guī)格的硅片存放。
[0025]總之，本實(shí)用新型能夠滿足在上下料傳送帶連續(xù)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)下進(jìn)行取放片動(dòng)作，同時(shí)實(shí)現(xiàn)硅片在傳送帶與機(jī)械手之間的中轉(zhuǎn)暫存功能，減少硅片傳送帶空轉(zhuǎn)時(shí)間和機(jī)械手的等待時(shí)間，提聞娃片傳輸效率。
[0026]以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步闡述。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1為本實(shí)用新型所述上料電梯的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2為圖1的前視圖；
[0029]圖3為上料電梯調(diào)節(jié)橫板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖4為上料電梯調(diào)節(jié)豎板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖5為本實(shí)用新型下料電梯的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖6為圖5的前視圖；
[0033]圖7為本實(shí)用新型一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]為了使本實(shí)用新型的技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0035]圖1為太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置上料電梯的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，按照本實(shí)用新型的上料電梯100包括安裝在固定板101上的沿著豎直方向的電缸102、在電缸102導(dǎo)軌上運(yùn)動(dòng)的滑動(dòng)板103、豎直板104、上頂板105、兩個(gè)三角形筋板106、與上頂板105下表面貼裝在一起的調(diào)節(jié)橫板107、四個(gè)調(diào)節(jié)豎板108、八個(gè)支撐桿109、四十八個(gè)承載薄板110以及每個(gè)承載薄板110上的兩個(gè)限位塊111、硅片112。四個(gè)承載薄板110構(gòu)成了硅片112的硅片承載臺(tái)，每個(gè)承載薄板110托起硅片112的一個(gè)邊角，兩個(gè)限位塊111用于限制硅片112邊角的兩條邊。需要說明的是，附圖中僅給出了一片硅片作為示例，其余沒有給出。
[0036]圖2為太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置上料電梯的前視圖。如圖1、圖2所示，上料電梯100的八個(gè)支撐桿109上的四十八個(gè)承載薄板110構(gòu)成了 4層3列的硅片承載臺(tái)，從下至上分別為層100A、層100B、層100C、層100D，從左至右分別為列100a、列100b、列100c。每一層硅片承載臺(tái)為階梯狀，每個(gè)階梯之間的距離相等，且硅片承載臺(tái)上一層的列IOOc與下一層的列IOOa之間的距離與階梯的距離相等。
[0037]圖3為上料電梯調(diào)節(jié)橫板107的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為上料電梯調(diào)節(jié)豎板108的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3、圖4所示，調(diào)節(jié)橫板107上開有8列孔，列107A、107B、107C、107D為一組孔，列107a、107b、107c、107d為另一組孔。調(diào)節(jié)豎板108上開有4列孔，列108A、108B為一組孔，列108a、108b為另一組孔。4個(gè)調(diào)節(jié)豎板108在調(diào)節(jié)橫板107上的安裝位置可以在兩組孔間改變，同樣的2個(gè)支撐桿109在調(diào)節(jié)豎板108上的安裝位置也可以在兩組孔間改變，從而實(shí)現(xiàn)用于貯存規(guī)格為156X156或125X 125的太陽能硅片。
[0038]圖5為太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置下料電梯的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置下料電梯的前視圖。如圖5、圖6所示，下料電梯200與上料電梯100相比，除了承載薄板在支撐桿上的位置不同，使每一層硅片承載臺(tái)處于同一水平位置以外，其他的結(jié)構(gòu)一樣，在此不再敘述。[0039]下面介紹上、下料電梯用于實(shí)現(xiàn)硅片傳輸?shù)墓ぷ髁鞒獭?br> [0040]圖7為太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置取放片的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，其包括上料電梯100、下料電梯200、上料傳送帶300、下料傳送帶400、機(jī)械手500。本實(shí)施例硅片為2X3的排列方式，緩存裝置的硅片承載臺(tái)通常只是用到下面兩層。
[0041]上料時(shí)，上料電梯100下降至其硅片承載臺(tái)的層100B取片初始位置，初始位置保證娃片承載臺(tái)的層100B列IOOa位于上料傳送帶300下方。上料電梯100開始勻速上升，在此過程中第一片硅片到達(dá)上料傳送帶300位置a并定位，直至上料電梯100硅片承載臺(tái)的層100B列IOOa將其托起暫存。上料電梯100繼續(xù)勻速上升，在此過程中第二片硅片到達(dá)上料傳送帶300位置b并定位，直至上料電梯100硅片承載臺(tái)的層100B列IOOb將其托起暫存。上料電梯100繼續(xù)勻速上升，在此過程中第三片硅片到達(dá)上料傳送帶300位置c并定位，直至上料電梯100硅片承載臺(tái)的層100B列IOOc將其托起暫存。上料電梯100運(yùn)動(dòng)至其硅片承載臺(tái)的層100A取片初始位置，至此硅片承載臺(tái)的層100B取片結(jié)束。上料電梯100硅片承載臺(tái)的層100A取片的流程與其層100B —樣，不再贅述。
[0042]上料電梯100硅片承載臺(tái)的層100BU00A從上料傳送帶300取片結(jié)束后，其進(jìn)入向機(jī)械手500放片流程。上料電梯100上升至放片初始位置，初始位置保證其硅片承載臺(tái)的層100A列IOOc位于機(jī)械手500上方。上料電梯100開始勻速下降，在此過程中機(jī)械手500內(nèi)側(cè)運(yùn)動(dòng)至上料電梯100正下方，上料電梯100硅片承載臺(tái)的層100A列100c、層100A列100b、層100A列IOOa依次將硅片放置在機(jī)械手500的內(nèi)側(cè)。上料電梯100繼續(xù)勻速下降，在此過程中機(jī)械手500后移使其外側(cè)位于上料電梯100正下方，上料電梯100硅片承載臺(tái)的層100B列100c、層100B列100b、層100B列IOOa依次將硅片放置在機(jī)械手500的外偵U。至此上料電梯100向機(jī)械手500放片流程結(jié)束。
[0043]下料時(shí)，下料電梯200從機(jī)械手500上取片流程和向下料傳送帶400放片流程分別與上料電梯100向機(jī)械手500放片流程和從上料傳送帶300取片流程相反。與上料不同的是，下料電梯200硅片承載臺(tái)每一層處于同一水平位置，因此其每一層的三列同時(shí)取片與放片。
[0044]本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本實(shí)用新型的特定實(shí)例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的顯而易見的修改都不會(huì)超過本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置，其特征在于，包括上料電梯(100)和下料電梯(200);所述上料電梯(100)和下料電梯(200)均包括安裝在固定板(101)上的驅(qū)動(dòng)電缸(102)、裝在驅(qū)動(dòng)電缸(102)的導(dǎo)軌上且可相對(duì)驅(qū)動(dòng)電缸(102)的導(dǎo)軌豎向運(yùn)動(dòng)的滑動(dòng)板(103)、與該滑動(dòng)板(103)固定相連的多層多列硅片承載臺(tái)；其中，某一列的多層硅片承載臺(tái)豎向布置，某一層的多列硅片承載臺(tái)近似水平布置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置，其特征在于，所述滑動(dòng)板(103)上固定連接有豎向布置的豎直板(104)，該豎直板(104)上水平安裝有水平布置的上頂板(105);所述上頂板(105)的下表面固定連接有調(diào)節(jié)橫板(107)，該調(diào)節(jié)橫板(107)下表面固定安裝有多塊調(diào)節(jié)豎板(108)，每塊調(diào)節(jié)豎板下端固定安裝有兩根支撐桿(109)，相鄰兩塊調(diào)節(jié)豎板下端連接的支撐桿(109)之間具有多層所述硅片承載臺(tái)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置，其特征在于，單層單列的所述硅片承載臺(tái)包括四個(gè)承載薄板(110)，在承載薄板(110)上裝有限制硅片(112)邊角的兩邊位置的限位塊(111)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置，其特征在于，在上料電梯(100)內(nèi)，每一層的所述硅片承載臺(tái)成階梯狀，每一層相鄰兩個(gè)硅片承載臺(tái)之間的距離相等，且上一層硅片承載臺(tái)的最后一列與下一層硅片承載臺(tái)的第一列之間的距離與階梯的距離相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置，其特征在于，在下料電梯(101)內(nèi)，每一層的硅片承載臺(tái)均位于同一水平位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置，其特征在于，所述豎直板(104)與上頂板(105)之間連接有筋板(106)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置，其特征在于，所述硅片為規(guī)格156 X 156mm或125 X 125mm的太陽能硅片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置，其特征在于，所述下料電梯(200 )的最上一層硅片承載臺(tái)一側(cè)設(shè)有取片機(jī)械手(500 )，該下料電梯(200 )的最下一層硅片承載臺(tái)一側(cè)設(shè)有下料傳送帶(400);所述上料電梯(100)的最下一層硅片承載臺(tái)一側(cè)設(shè)有上料傳送帶(300)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能離子注入機(jī)硅片緩存裝置，其特征在于，所述硅片承載臺(tái)包括四層三列。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK203553196SQ201320531996
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】胡凡, 袁衛(wèi)華, 易文杰 申請(qǐng)人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所