正溫系數(shù)熱敏電阻涌流抑制器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種正溫系數(shù)熱敏電阻涌流抑制器，包括正溫系數(shù)熱敏電阻瓷片，所述的瓷片的表層濺鍍有一層作為歐姆接觸電極的鉻層，所述的鉻層表面包裹有一層鎳層，鎳層表層有一層濺鍍有Ag電極；所述的瓷片在-40℃下，阻值低于10歐姆。本實(shí)用新型采用鉻層來克服瓷片表面的勢壘以與瓷片形成良好的歐姆接觸；用-40℃下阻值低于10歐姆來避免NTC涌流抑制器在低溫下阻值過高難于啟動的缺點(diǎn)。
【專利說明】正溫系數(shù)熱敏電阻涌流抑制器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種涌流抑制器，尤其是一種正溫系數(shù)熱敏電阻涌流抑制器。
【背景技術(shù)】
[0002]正溫系數(shù)熱敏電阻在-40攝氏度到室溫之間呈現(xiàn)有一定的負(fù)溫度特性，阻值低于10奧姆，當(dāng)環(huán)境溫度由室溫減低到-40度后其阻值呈現(xiàn)阻值有低到高的特性，且阻值變化率僅約2倍，此特性可避免傳統(tǒng)的NTC涌流抑制器在低溫下阻值達(dá)到千奧姆造成電路難于啟動的問題。
[0003]目前，正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器普遍采用的電極有以下幾種:1、印刷銀鋅+印刷銀；2、印刷鋁+印刷銀，其各自的缺點(diǎn)如下:
[0004]采用印刷銀鋅+印刷銀，真空濺鍍鉻+濺鍍鎳+印刷銀或采用印刷鋁+印刷銀的方式成本較高。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:提供一種具有較高的附著力及可靠性，可以有效避免傳統(tǒng)NTC涌流抑制器在低溫下阻值過高難于啟動的缺點(diǎn)的正溫系數(shù)熱敏電阻涌流抑制器。
[0006]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種正溫系數(shù)熱敏電阻涌流抑制器，包括正溫系數(shù)熱敏電阻瓷片，所述的瓷片的表層濺鍍有一層作為歐姆接觸電極的鉻層，所述的鉻層表面包裹有一層鎳層，鎳層表層有一層濺鍍有Ag電極；所述的瓷片在_40°C下，阻值低于10歐姆。
[0007]進(jìn)一步的說，為了形成良好的歐姆接觸，本實(shí)用新型所述的鉻層的厚度為0.3?3微米。
[0008]本實(shí)用新型所述的Ag電極的厚度為0.3?3微米。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果是，解決了【背景技術(shù)】中存在的缺陷，采用鉻層來克服瓷片表面的勢壘以與瓷片形成良好的歐姆接觸；用_40°C下阻值低于10歐姆來避免NTC涌流抑制器在低溫下阻值過高難于啟動的缺點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0011]圖1是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖中:1、瓷片；2、鉻層；3、鎳層;4、Ag電極。
【具體實(shí)施方式】
[0013]現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0014]如圖1所示的一種正溫系數(shù)熱敏電阻涌流抑制器，包括正溫系數(shù)熱敏電阻瓷片1，所述的瓷片I底層濺鍍有一層作為歐姆接觸電極的鉻層2，在鉻層表面有一層鎳層3，所述的鎳層3的厚度為0.3?3微米，鎳層3表層有一層Ag電極4厚度為0.3?3微米，瓷片I在_40°C下阻值低于10歐姆。
[0015]本實(shí)用新型的真空濺鍍過程為:向真空室腔體內(nèi)通入惰性氣體氬氣并利用電場將氬氣離子化，再通過磁場加速，形成高能量的入射等離子粒子流，此高能粒子流將其能量或動量轉(zhuǎn)移給該真空室內(nèi)的固體靶材，靶材累積足夠的能量或動量時，即脫離靶材表面，并沉淀在瓷片表面形成濺鍍層。
[0016]本實(shí)用新型的瓷片在_40°C下阻值小于10歐姆，為利用正溫系數(shù)熱敏電阻具有的NTC特性，控制其在室溫下的阻值在4歐姆以下以達(dá)到低穩(wěn)下阻值低于10歐姆的特性。
[0017]以上說明書中描述的只是本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，各種舉例說明不對本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對以前所述的【具體實(shí)施方式】做修改或變形，而不背離實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種正溫系數(shù)熱敏電阻涌流抑制器，其特征在于:包括正溫系數(shù)熱敏電阻瓷片，所述的瓷片的表層濺鍍有一層作為歐姆接觸電極的鉻層，所述的鉻層表面包裹有一層鎳層，鎳層表層有一層濺鍍有Ag電極；所述的瓷片在-40°c下，阻值低于10歐姆。
2.如權(quán)利要求1所述的正溫系數(shù)熱敏電阻涌流抑制器，其特征在于:所述的鉻層的厚度為0.3?3微米。
3.如權(quán)利要求1所述的正溫系數(shù)熱敏電阻涌流抑制器，其特征在于:所述的Ag電極的厚度為0.3?3微米。
【文檔編號】H01C1/142GK203415331SQ201320355809
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月20日
【發(fā)明者】馬學(xué)輝, 呂友紅 申請人:興勤（常州）電子有限公司