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片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器的制作方法

文檔序號(hào):6826848閱讀:264來源:國知局
專利名稱:片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器由電極元件和電阻元件組合而成。按電極元件結(jié)構(gòu)可分為柱狀和片狀兩大類。柱狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器的電極元件為兩根多股金屬絞線包裹在電阻元件內(nèi)部,相互間隔一定距離構(gòu)成電極;片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器的電極元件為兩塊緊貼在片狀電阻元件兩面的金屬箔構(gòu)成電極。
片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器有一種為光片,沒有引線,通過夾在兩個(gè)彈性導(dǎo)體接頭之間,與外電路接通;而另一種即大量被使用的片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器都帶有引線?,F(xiàn)在,市場上銷售的產(chǎn)品,是將引線放置在光片兩面的金屬箔上,用錫鉛熔體焊接起來的。焊接時(shí),熔體對電阻元件中高分子材料會(huì)有一定的熱損傷。因此,Gruves,Gregory,A.等,對高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器的電極結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn),將電極制成橫截面為正方形或矩形的引腳,插入電路板上特制的正方形或矩形的孔中,與外電路接通。詳情可參考世界專利WO.94/01876。這樣,就避免了錫鉛熔體在焊接時(shí)對電阻元件中高分子材料的熱損傷。但其缺點(diǎn)是需要在電路板上有特制的正方形孔或矩形孔,給標(biāo)準(zhǔn)化的工業(yè)生產(chǎn)帶來不便。
本設(shè)計(jì)工藝是將引線直接焊到片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器中沿伸出來的金屬箔引腳上,不用錫鉛熔體。這樣做,既避免了錫鉛熔體對電阻元件中高分子材料的熱損傷和對環(huán)境的污染,又不會(huì)給標(biāo)準(zhǔn)化工業(yè)生產(chǎn)帶來不便。
本設(shè)計(jì)示意圖簡述

圖1.為片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器的正視圖。
圖2.為片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器的側(cè)視圖。
圖3.為片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器的透視圖。
圖4.為側(cè)視圖的A-A剖面圖。
圖5.為側(cè)視圖的B-B剖面圖。
具體敘述先擠出高分子正溫系數(shù)熱敏電阻帶材,再用帶材剪切出一定尺寸的片料,在片料兩面放置同樣尺寸的金屬箔,移置壓機(jī)的模具中,熱壓成型。拿出壓好的片料,用沖床沖出帶有兩引腳狀片料的元件。在元件的一個(gè)面上,移去一個(gè)引腳狀片料上的金屬箔和高分子電阻材料,保留其對應(yīng)面上的金屬箔;在元件的另一個(gè)面上,移去另一個(gè)引腳狀片料上的金屬箔和高分子電阻材料,保留其對應(yīng)面上的金屬箔。在保留下來的兩個(gè)金屬箔引腳上,直接點(diǎn)焊上金屬線作為引線,再用環(huán)氧樹脂粉包封后,即成為片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器。
實(shí)施例用高密度聚乙烯、碳黑等原材料按一定比例混合后,經(jīng)密煉、開煉、造粒,擠出厚度為1mm的片料,在其兩面各放置一張同樣尺寸的厚度為0.025mm的電沉積鎳箔,熱壓成型后,取出壓制片料。用機(jī)械方法,在沖出的元件每一個(gè)表面上保留一個(gè)延伸出來的鎳箔引腳。因鎳與銅在固態(tài)和液態(tài)時(shí)能形成無限互熔體,則用儲(chǔ)能式點(diǎn)焊機(jī),將φ0.6mm鍍錫銅絲直接點(diǎn)焊于鎳箔引腳上,再用環(huán)氧樹脂粉末包封,熱處理,輻射交聯(lián)后,即成為性能優(yōu)良的片狀帶引線的高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器。
權(quán)利要求1.片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器由三層片料疊壓而成,中間層為顯示正溫系數(shù)特性的高分子電阻材料,兩外表層為緊密貼合中間層的金屬箔,其特征在于兩外表層金屬箔邊緣各直接點(diǎn)焊一根金屬線作為兩根電極引線,構(gòu)成外表面平滑的帶引線的片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器。
專利摘要本實(shí)用新型涉及片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器引線的焊連形式。它由三層片料疊壓而成,中間層為顯示正溫系數(shù)特性的高分子電阻材料,外層為兩面緊密貼合中間層的金屬箔,將兩根金屬線分別點(diǎn)焊到兩外層金屬箔上,形成帶引線的外表面平滑的直焊式片狀高分子正溫系數(shù)熱敏電阻器。該器件不僅結(jié)構(gòu)簡單,外形優(yōu)美,而且提高了產(chǎn)品質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01C7/02GK2457705SQ9922963
公開日2001年10月31日 申請日期1999年10月18日 優(yōu)先權(quán)日1999年10月18日
發(fā)明者殷芳卿, 汪武, 殷念文, 殷金杭, 殷念平 申請人:殷芳卿
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