薄膜晶體管及其制備方法、顯示器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示器件，該薄膜晶體管包括有源層、刻蝕阻擋層、源電極和漏電極，所述有源層包括：被所述刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被所述刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所述源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于所述源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括在所述刻蝕阻擋層的縱向方向上的側(cè)翼部。本發(fā)明可以減小刻蝕阻擋層結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度。
【專利說明】薄膜晶體管及其制備方法、顯示器件【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0002]請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的采用刻蝕阻擋層(ESL，Etch Stop Layer)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管(TFT)的制備方法的流程示意圖，該制備方法包括:
[0003]步驟S11:形成柵電極102及柵絕緣層103 ；
[0004]步驟S12:通過一次構(gòu)圖工藝，在柵絕緣層103上形成有源層(Active layer) 104的圖形。
[0005]具體包括:在柵絕緣層103上形成金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，在所述金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜上涂覆光刻膠，并對(duì)該光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后形成有源層104的圖形，隨后剝離剩余的光刻膠；
[0006]步驟S13:通過一次構(gòu)圖工藝，在有源層104上形成刻蝕阻擋層105的圖形。
[0007]具體包括:在有源層104上形成刻蝕阻擋層薄膜，在所述刻蝕阻擋層薄膜上涂覆光刻膠，并對(duì)該光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后形成刻蝕阻擋層105的圖形，隨后剝離剩余的光刻膠；
[0008]步驟S14:在刻蝕阻擋層105上形成兩接觸孔106 (Hole)，該接觸孔是用于連接有源層104及后續(xù)形成的源電極(Source) /漏電極(Drain)。
[0009]步驟S15:通過一次構(gòu)圖工藝，在刻蝕阻擋層105上形成源電極107和漏電極108。
[0010]請(qǐng)同時(shí)參考圖2，圖2為采用圖1中所示的方法制備的氧化物TFT的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]兩接觸孔106之間的間隔L0稱之為TFT的溝道長(zhǎng)度(Channel Length)。設(shè)定兩接觸孔106之間的間隔時(shí)，需要考慮接觸孔106與源電極107/漏電極108的覆蓋(Overlay)公差以及曝光(Photo)工藝的解像力的誤差。換言之，需要考慮一般曝光機(jī)解像力的誤差(通常為4微米)、設(shè)計(jì)長(zhǎng)度(通常為3微米)以及覆蓋公差(通常為3微米)，這時(shí)溝道長(zhǎng)度L0為10微米左右，約為背面溝道刻蝕(BCE)型TFT的溝道長(zhǎng)度的2.5倍。溝道長(zhǎng)度大是降低TFT特性的重要原因之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]有鑒于此，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，以解決現(xiàn)有的ESL結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管溝道長(zhǎng)度大的問題。
[0013]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，包括:有源層、刻蝕阻擋層、源電極和漏電極，其中，所述有源層包括:被所述刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被所述刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所述源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于所述源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括從所述刻蝕阻擋層的縱向方向上延伸出的側(cè)翼部。
[0014]優(yōu)選地，所述有源層包括至少一個(gè)所述覆蓋部，每一所述覆蓋部均包括:位于所述源電極區(qū)域的第一子覆蓋部、位于所述漏電極區(qū)域的第二子覆蓋部以及不位于所述源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域的第三子覆蓋部。
[0015]優(yōu)選地，當(dāng)位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，與所述源電極接觸的側(cè)翼部位于所述第一子覆蓋部的縱向方向上；
[0016]當(dāng)位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，與所述漏電極接觸的側(cè)翼部位于所述第二子覆蓋部的縱向方向上。
[0017]優(yōu)選地，所述有源層包括一個(gè)所述覆蓋部；
[0018]當(dāng)位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括兩個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部，兩個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部分別位于所述第一子覆蓋部的兩側(cè)；
[0019]當(dāng)位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括兩個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部，兩個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部分別位于所述第二子覆蓋部的兩側(cè)。
[0020]優(yōu)選地，所述有源層包括兩個(gè)所述覆蓋部；
[0021]當(dāng)位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括一個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部，一個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部位于兩個(gè)所述第一子覆蓋部的中間；
[0022]當(dāng)位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述漏電極區(qū)域的所述接觸部包括一個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部，一個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部位于兩個(gè)所述第二子覆蓋部的中間。
[0023]優(yōu)選地，位于所述源電極區(qū)域的接觸部還包括:位于所述刻蝕阻擋層橫向方向上的延伸部。
[0024]優(yōu)選地，位于所述漏電極區(qū)域的接觸部還包括:位于所述刻蝕阻擋層橫向方向上的延伸部。
[0025]優(yōu)選地，所述薄膜晶體管還包括柵電極和覆蓋所述柵電極上的柵絕緣層，所述有源層形成在所述柵絕緣層上。
[0026]優(yōu)選地，所述薄膜晶體管還包括鈍化層，所述鈍化層形成在所述源電極和所述漏電極上。
[0027]優(yōu)選地，所述有源層采用氧化物金屬半導(dǎo)體材料制成。
[0028]本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括:
[0029]形成有源層和刻蝕阻擋層，所述有源層包括:被所述刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被所述刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所述源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于所述源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括在所述刻蝕阻擋層的縱向方向上的側(cè)翼部；
[0030]形成源電極和漏電極。
[0031]優(yōu)選地，通過一次構(gòu)圖工藝形成有源層和刻蝕阻擋層，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成有源層和刻蝕阻擋層具體包括:
[0032]形成氧化物半導(dǎo)體薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；
[0033]在所述刻蝕阻擋層薄膜上涂覆光刻膠；
[0034]采用半色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，形成光刻膠全保留區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域以及光刻膠去除區(qū)域，其中，所述光刻膠全保留區(qū)域?qū)?yīng)刻蝕阻擋層圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)有源層除去刻蝕阻擋層圖形的區(qū)域，所述光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠全保留區(qū)域及所述光刻膠半保留區(qū)域之外的其他區(qū)域；
[0035]采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜及金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，形成有源層；
[0036]利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；
[0037]利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜，形成刻蝕阻擋層的圖形；
[0038]剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，以形成所述刻蝕阻擋層和有源層。
[0039]優(yōu)選地，通過一次構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極具體包括:
[0040]在所述有源層及刻蝕阻擋層上形成源漏電極金屬薄膜；
[0041]在所述源/漏電極金屬薄膜上涂覆光刻膠；
[0042]對(duì)所述源/漏電極金屬薄膜上的光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成對(duì)應(yīng)源/漏電極圖形區(qū)域的光刻膠保留區(qū)域及除對(duì)應(yīng)源漏電極圖形區(qū)域的光刻膠保留區(qū)域之外的光刻膠去除區(qū)域；
[0043]采用刻蝕工藝去除所述除對(duì)應(yīng)源漏電極圖形區(qū)域的光刻膠保留區(qū)域之外的光刻膠去除區(qū)域的源漏電極金屬薄膜以及所述有源層的裸露部，形成源電極、漏電極和有源層的圖形；所述有源層的裸露部指裸露于所述刻蝕阻擋層并不被所述源電極和漏電極覆蓋的部分；
[0044]剝離所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠，以露出所述源電極和漏電極。
[0045]本發(fā)明還提供一種顯示器件，包括襯底基板以及形成在襯底基板上的上述薄膜晶體管。
[0046]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0047]形成的有源層包括:被刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括在刻蝕阻擋層的縱向方向上的側(cè)翼部。采用該方案不需要在刻蝕阻擋層上形成用于連接有源層和源/漏電極的接觸孔，可以回避現(xiàn)有的制備流程中的接觸孔與源/漏電極的覆蓋公差，減小了氧化物TFT的溝道長(zhǎng)度，形成微細(xì)的溝道，從而提升了氧化物TFT的啟動(dòng)電流(1nCurrent),進(jìn)一步提升了氧化物TFT的特性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0048]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的采用刻蝕阻擋層結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的制備方法的流程示意圖；
[0049]圖2為采用圖1中所示的方法制備的氧化物TFT的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖4為本發(fā)明實(shí)施例一的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖5為本發(fā)明實(shí)施例二的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖6為本發(fā)明實(shí)施例二的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖7為本發(fā)明實(shí)施例三的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；[0055]圖8為本發(fā)明實(shí)施例三的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0056]圖9為本發(fā)明實(shí)施例四的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖10為本發(fā)明實(shí)施例四的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0058]圖11為本發(fā)明實(shí)施例五的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖12為本發(fā)明實(shí)施例五的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0060]圖13為本發(fā)明實(shí)施例六的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0061]圖14為本發(fā)明實(shí)施例七的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0062]圖15為本發(fā)明實(shí)施例八的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0063]圖16A-16C為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的制備方法的流程示意圖；
[0064]圖17為圖16A-圖16C中采用的半色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后形成的光刻膠的圖形；
[0065]圖18為本發(fā)明的另一實(shí)施例中采用的半色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后形成的光刻膠的圖形。
【具體實(shí)施方式】
[0066]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0067]除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義?！耙粋€(gè)”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在“包括”或者“包含”后面列舉的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“兩側(cè)”、“中間”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。“縱向”指豎直方向、“橫向”指左右方向，“縱向”、“橫向”等僅用于表示相對(duì)方向，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)方向改變后，則該相對(duì)方向也可能相應(yīng)地改變。
[0068]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，包括:有源層、刻蝕阻擋層、源電極和漏電極。
[0069]所述有源層包括:被所述刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被所述刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所述源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于所述源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括在所述刻蝕阻擋層的縱向方向上的側(cè)翼部。
[0070]S卩，位于所述源電極區(qū)域的接觸部可以包括所述側(cè)翼部，與所述源電極形成側(cè)翼接觸，位于所述漏電極區(qū)域的接觸部也可以包括所述側(cè)翼部，與所述漏電極形成側(cè)翼接觸，或者，位于所述源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域的接觸部均包括所述側(cè)翼部，與所述源電極和漏電極形成側(cè)翼接觸。
[0071]上述結(jié)構(gòu)中，通過刻蝕阻擋層的部分遮擋，在有源層上形成部分未覆蓋區(qū)，從而與源/漏電極形成側(cè)翼接觸(Side wing contact)，因而不需要在刻蝕阻擋層上形成用于連接有源層和源/漏電極的接觸孔，可以回避現(xiàn)有的制備流程中的接觸孔與源/漏電極的覆蓋公差，與減小了氧化物TFT的溝道長(zhǎng)度，形成微細(xì)的溝道，從而提升了氧化物TFT的啟動(dòng)電流(1n Current),進(jìn)一步提升了氧化物TFT的特性。
[0072]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0073]實(shí)施例一
[0074]請(qǐng)參考圖3，圖3為本發(fā)明實(shí)施例一的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，所述薄膜晶體管包括有源層204、刻蝕阻擋層205、源電極206和漏電極207。
[0075]請(qǐng)同時(shí)參考圖4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例一的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖，所述有源層204包括:一個(gè)被所述刻蝕阻擋層205覆蓋的覆蓋部2041，未被所述刻蝕阻擋層205覆蓋的位于所述源電極206的接觸部2042，未被所述刻蝕阻擋層205覆蓋的位于所述漏電極207區(qū)域的接觸部2043。
[0076]所述覆蓋部2041包括:位于所述源電極206區(qū)域的第一子覆蓋部20411、位于所述漏電極207區(qū)域的第二子覆蓋部20412以及不位于所述源電極206區(qū)域和漏電極207區(qū)域的第三子覆蓋部20413。
[0077]位于所述源電極206區(qū)域的接觸部2042包括兩個(gè)與所述源電極206接觸的側(cè)翼部20421，兩個(gè)與所述源電極206接觸的側(cè)翼部20421位于所述第一子覆蓋部20411的縱向方向上，且分別位于所述第一子覆蓋部20411的兩側(cè)。
[0078]位于所述漏電極207區(qū)域的接觸部2043包括兩個(gè)與所述漏電極207接觸的側(cè)翼部20431，兩個(gè)與所述漏電極207接觸的側(cè)翼部20431位于所述第二子覆蓋部20412的縱向方向上，且分別位于所述第二子覆蓋部20412的兩側(cè)。
[0079]請(qǐng)參考圖3，由于采用側(cè)翼接觸，本發(fā)明實(shí)施例中的源電極206和漏電極207之間的溝道長(zhǎng)度L1明顯要小于現(xiàn)有技術(shù)中的采用過孔連接的源電極和漏電極之間的溝道長(zhǎng)度L0 (請(qǐng)參考圖2)。
[0080]實(shí)施例一的有源層204與源電極206和漏電極207均形成側(cè)翼接觸。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中有源層204也可以僅與源電極206形成側(cè)翼接觸，或者，僅與漏電極207形成側(cè)翼接觸。
[0081]實(shí)施例二
[0082]請(qǐng)同時(shí)參考圖5和圖6，圖5為本發(fā)明實(shí)施例二的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，圖6為本發(fā)明實(shí)施例二的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖，從圖5和圖6中可以看出，實(shí)施例二的薄膜晶體管與實(shí)施例一的薄膜晶體管的區(qū)別在于:
[0083]僅位于所述源電極206區(qū)域的接觸部2042包括在所述刻蝕阻擋層205的縱向方向上的側(cè)翼部20421，位于漏電極207區(qū)域的接觸部2043不包括在所述刻蝕阻擋層205的縱向方向上的側(cè)翼部。
[0084]具體的，所述有源層204包括:一個(gè)被所述刻蝕阻擋層205覆蓋的覆蓋部2041，未被所述刻蝕阻擋層205覆蓋的位于所述源電極206的接觸部2042，未被所述刻蝕阻擋層205覆蓋的位于所述漏電極207區(qū)域的接觸部2043。
[0085]所述覆蓋部2041包括:位于所述源電極206區(qū)域的第一子覆蓋部20411、位于所述漏電極207區(qū)域的第二子覆蓋部20412以及不位于所述源電極206區(qū)域和漏電極207區(qū)域的第三子覆蓋部20413。[0086]位于所述源電極206區(qū)域的接觸部2042包括兩個(gè)與所述源電極206接觸的側(cè)翼部20421，兩個(gè)與所述源電極206接觸的側(cè)翼部20421位于所述第一子覆蓋部20411的縱向方向上，且分別位于所述第一子覆蓋部20411的兩側(cè)。
[0087]當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，有源層204也可以僅與漏電極207形成側(cè)翼接觸，在此不再詳細(xì)描述。
[0088]實(shí)施例三
[0089]請(qǐng)同時(shí)參考圖7和圖8,圖7為本發(fā)明實(shí)施例二的薄I旲晶體管的結(jié)構(gòu)不意圖，圖8為本發(fā)明實(shí)施例三的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖，從圖7和圖8中可以看出，實(shí)施例三的薄膜晶體管與實(shí)施例一的薄膜晶體管的區(qū)別在于:
[0090]位于所述源電極206區(qū)域的接觸部2042除了包括:兩個(gè)與所述源電極206接觸的側(cè)翼部20421之外，還包括:位于所述刻蝕阻擋層205橫向方向上的延伸部20422，所述延伸部20422也與所述源電極206接觸。
[0091]位于所述漏電極207區(qū)域的接觸部2043除了包括:兩個(gè)與所述漏電極207接觸的側(cè)翼部20431之外，還包括:位于所述刻蝕阻擋層205橫向方向上的延伸部20432，所述延伸部20432也與所述漏電極207接觸。
[0092]實(shí)施例三中，位于所述源電極206區(qū)域的接觸部2042和位于所述漏電極207區(qū)域的接觸部2043均包括延伸部，當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以僅位于所述源電極206區(qū)域的接觸部2042，或者，僅位于所述漏電極207區(qū)域的接觸部2043包括延伸部，具體結(jié)構(gòu)在此不再詳細(xì)描述。
[0093]實(shí)施例四
[0094]請(qǐng)參考圖9，圖9為本發(fā)明實(shí)施例四的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，所述薄膜晶體管包括有源層204、刻蝕阻擋層205、源電極206和漏電極207。
[0095]請(qǐng)同時(shí)參考圖10，圖10為本發(fā)明實(shí)施例四的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖，所述有源層204包括:兩個(gè)被所述刻蝕阻擋層205覆蓋的覆蓋部2041，未被所述刻蝕阻擋層205覆蓋的位于所述源電極206的接觸部2042，未被所述刻蝕阻擋層205覆蓋的位于所述漏電極207區(qū)域的接觸部2043。
[0096]所述覆蓋部2041包括:位于所述源電極206區(qū)域的第一子覆蓋部20411、位于所述漏電極207區(qū)域的第二子覆蓋部20412以及不位于所述源電極206區(qū)域和漏電極207區(qū)域的第三子覆蓋部20413。
[0097]位于所述源電極206區(qū)域的接觸部2042包括一個(gè)與所述源電極206接觸的側(cè)翼部20421 (本實(shí)施例中，即接觸部2042本身)，與所述源電極206接觸的側(cè)翼部20421位于所述第一子覆蓋部20411的縱向方向上，且位于兩個(gè)所述第一子覆蓋部20411的中間。
[0098]位于所述漏電極207區(qū)域的接觸部2043包括一個(gè)與所述漏電極207接觸的側(cè)翼部20431 (本實(shí)施例中，即接觸部2043本身)，與所述漏電極207接觸的側(cè)翼部20431位于所述第二子覆蓋部20412的縱向方向上，且位于兩個(gè)所述第二子覆蓋部20412的中間。
[0099]請(qǐng)參考圖9，由于采用側(cè)翼接觸，本發(fā)明實(shí)施例中的源電極206和漏電極207之間的溝道長(zhǎng)度L2明顯要小于現(xiàn)有技術(shù)中的采用過孔連接的源電極和漏電極之間的溝道長(zhǎng)度L0 (請(qǐng)參考圖2)。
[0100]實(shí)施例四的有源層204與源電極206和漏電極207均形成側(cè)翼接觸。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，該種結(jié)構(gòu)下，有源層204也可以僅與源電極206形成側(cè)翼接觸，或者，僅與漏電極207形成側(cè)翼接觸。
[0101]實(shí)施例五
[0102]請(qǐng)同時(shí)參考圖11和圖12，圖11為本發(fā)明實(shí)施例五的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，圖12為本發(fā)明實(shí)施例五的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖，從圖11和圖12中可以看出，實(shí)施例五的薄膜晶體管與實(shí)施例四的薄膜晶體管的區(qū)別在于:
[0103]位于所述源電極206區(qū)域的接觸部2042除了包括:兩個(gè)與所述源電極206接觸的側(cè)翼部20421之外，還包括:位于所述刻蝕阻擋層205橫向方向上的延伸部20422，所述延伸部20422也與所述源電極206接觸。
[0104]位于所述漏電極207區(qū)域的接觸部2043除了包括:兩個(gè)與所述漏電極207接觸的側(cè)翼部20431之外，還包括:位于所述刻蝕阻擋層205橫向方向上的延伸部20432，所述延伸部20432也與所述漏電極207接觸。
[0105]實(shí)施例五中，位于所述源電極206區(qū)域的接觸部2042和位于所述漏電極207區(qū)域的接觸部2043均包括延伸部，當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以僅位于所述源電極206區(qū)域的接觸部2042，或者，僅位于所述漏電極207區(qū)域的接觸部2043包括延伸部，具體結(jié)構(gòu)在此不再詳細(xì)描述。
[0106]從上面實(shí)施例可以看出:
[0107]當(dāng)所述有源層包括一個(gè)所述覆蓋部，且位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括兩個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部，兩個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部分別位于所述第一子覆蓋部的兩側(cè)；
[0108]當(dāng)所述有源層包括一個(gè)所述覆蓋部，且位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括兩個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部，兩個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部分別位于所述第二子覆蓋部的兩側(cè)。
[0109]當(dāng)所述有源層包括兩個(gè)所述覆蓋部，且位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括一個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部，一個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部位于兩個(gè)所述第一子覆蓋部的中間；
[0110]當(dāng)所述有源層包括兩個(gè)所述覆蓋部，且位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述漏電極區(qū)域的所述接觸部包括一個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部，一個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部位于兩個(gè)所述第二子覆蓋部的中間。
[0111]實(shí)施例六和實(shí)施例七
[0112]上述各實(shí)施例中，位于源電極206區(qū)域的有源層(包括側(cè)翼部20421和第一覆蓋部20411，或者，包括側(cè)翼部20421、第一覆蓋部20411和延伸部20422)以及漏電極207區(qū)域的有源層(包括側(cè)翼部20431和第一覆蓋部20412，或者，包括側(cè)翼部20431、第一覆蓋部20412和延伸部20432)的形狀均為長(zhǎng)方形，但是，位于源電極206和漏電極207區(qū)域的有源層并不限于此，可以為圓形、橢圓形或其它形狀。
[0113]請(qǐng)參考圖13和圖14，圖13為本發(fā)明實(shí)施例六的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，該實(shí)施例中第位于源電極206和漏電極207區(qū)域的有源層的形狀為圓形，圖14為本發(fā)明實(shí)施例七的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，該實(shí)施例中位于源電極206和漏電極207區(qū)域的有源層的形狀為橢圓形。[0114]此外，上述任一實(shí)施例中的薄膜晶體管除了包括有源層、刻蝕阻擋層、源電極和漏電極之外，還可以包括:柵電極以及覆蓋所述柵電極上的柵絕緣層，所述有源層形成在所述柵絕緣層上。
[0115]進(jìn)一步的，為了對(duì)薄膜晶體管形成保護(hù)，上述任一實(shí)施例中的薄膜晶體管還可以包括鈍化層，所述鈍化層形成在所述源電極和所述漏電極上。
[0116]實(shí)施例八
[0117]請(qǐng)參考圖15，圖15為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的立體結(jié)構(gòu)示意圖，所述薄膜晶體管包括:
[0118]柵電極202;
[0119]覆蓋所述柵電極上的柵絕緣層203 ；
[0120]形成在所述柵絕緣層上的有源層204，所述有源層204可以為上述任一實(shí)施例中的有源層204 ；
[0121]形成在所述有源層204上的刻蝕阻擋層205 ；
[0122]形成在所述刻蝕阻擋層205上的源電極206和漏電極207 ；
[0123]形成在所述源電極206和漏電極207上的鈍化層208。
[0124]上述結(jié)構(gòu)中，通過刻蝕阻擋層的部分遮擋，在有源層上形成部分未覆蓋區(qū)，從而與源/漏電極形成側(cè)翼接觸(Side wing contact)，因而不需要在刻蝕阻擋層上形成用于連接有源層和源/漏電極的接觸孔，可以回避現(xiàn)有的制備流程中的接觸孔與源/漏電極的覆蓋公差，與減小了氧化物TFT的溝道長(zhǎng)度，形成微細(xì)的溝道，從而提升了氧化物TFT的啟動(dòng)電流(1n Current),進(jìn)一步提升了氧化物TFT的特性。
[0125]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示器件包括上述陣列基板。該顯示器件可以為:陣列基板、顯示面板、顯示器等，例如:液晶面板、電子紙、OLED (Organic Light EmittingDiode，有機(jī)發(fā)光二極管)面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0126]對(duì)應(yīng)于上述薄膜晶體管，本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括:
[0127]形成有源層和刻蝕阻擋層，所述有源層包括:被所述刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被所述刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所述源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于所述源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括在所述刻蝕阻擋層的縱向方向上的側(cè)翼部；
[0128]形成源電極和漏電極。
[0129]進(jìn)一步地，上述方法中通過一次構(gòu)圖工藝形成有源層及刻蝕阻擋層。
[0130]所述通過一次構(gòu)圖工藝形成有源層及刻蝕阻擋層可以具體包括:
[0131]步驟S21:形成金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；
[0132]具體地，可以利用沉積的方法一次性沉積金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜和刻蝕阻擋層薄膜。
[0133]所述金屬氧化物半導(dǎo)體可以為IGZ0 (銦鎵鋅氧化物)、ΙΤ0 (納米銦錫氧化物)或ΙΖ0 (鋅氧化銦氧化物)等。
[0134]步驟S22:在所述刻蝕阻擋層薄膜上涂覆光刻膠；
[0135]步驟S23:采用半色調(diào)(Halftone)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，形成光刻膠全保留區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域以及光刻膠去除區(qū)域，其中，所述光刻膠全保留區(qū)域?qū)?yīng)刻蝕阻擋層圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)有源層除去刻蝕阻擋層圖形的區(qū)域，所述光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠全保留區(qū)域及所述光刻膠半保留區(qū)域之外的其他區(qū)域；
[0136]步驟S24:采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜及金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，形成有源層；
[0137]具體的，可以采用干法刻蝕(Dry Etch)工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋
層薄膜。
[0138]可以采用濕法刻蝕(Wet Etch)工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜。
[0139]步驟S25:利用灰化(Ashing)工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；
[0140]步驟S26:利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜，形成刻蝕阻擋層的圖形；
[0141]步驟S27:剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，以露出所述刻蝕阻擋層和有源層。
[0142]上述實(shí)施例中形成的有源層包括:被所述刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被所述刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所述源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于所述源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括在所述刻蝕阻擋層的縱向方向上的側(cè)翼部。
[0143]另外，所述有源層還可能包括裸露于所述刻蝕阻擋層并不與所述源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域?qū)?yīng)的裸露部，所述有源層的裸露部可以在后續(xù)的形成源/漏電極的工藝中被刻蝕。
[0144]進(jìn)一步地，可以通過一次構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極。
[0145]所述通過一次構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極具體包括:
[0146]步驟S31:在所述有源層及刻蝕阻擋層上形成源漏電極金屬薄膜；
[0147]步驟S32:在所述源/漏電極金屬薄膜上涂覆光刻膠；
[0148]步驟S33:對(duì)所述源/漏電極金屬薄膜上的光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成對(duì)應(yīng)源/漏電極圖形區(qū)域的光刻膠保留區(qū)域及除對(duì)應(yīng)源漏電極圖形區(qū)域的光刻膠保留區(qū)域之外的光刻膠去除區(qū)域；
[0149]步驟S34:采用刻蝕工藝去除所述除對(duì)應(yīng)源漏電極圖形區(qū)域的光刻膠保留區(qū)域之外的光刻膠去除區(qū)域的源漏電極金屬薄膜以及所述有源層的裸露部，形成源電極、漏電極和有源層的圖形；所述有源層的裸露部指裸露于所述刻蝕阻擋層并不被源漏電極覆蓋的部分；
[0150]步驟S35:剝離所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠，以露出所述源電極和漏電極。
[0151]由于有源層容易被刻蝕劑刻蝕掉，因此，在進(jìn)行源/漏電極金屬刻蝕時(shí)，可以用一次性刻蝕的方法，同時(shí)把裸露的有源層的裸露部刻蝕掉。
[0152]或者，上述有源層的裸露部也可以不在形成源/漏電極的工藝中被刻蝕，而是在形成源/漏電極之后，單獨(dú)進(jìn)行刻蝕，或者，不進(jìn)行刻蝕，通過轉(zhuǎn)換工藝將裸露部轉(zhuǎn)換成絕緣體。
[0153]進(jìn)一步地，為了保護(hù)氧化物TFT，上述制備方法還可以包括:在所述源電極和漏電極上形成鈍化層(PVX)。[0154]請(qǐng)參考圖16A-16C，圖16A-16C為本發(fā)明實(shí)施例的氧化物TFT的制備方法的流程示意圖，所述方法包括以下步驟:
[0155]步驟S161:通過一次構(gòu)圖工藝，形成柵電極202。
[0156]步驟S162:在柵電極202上形成柵絕緣層203。
[0157]具體地，可以采用沉積的方法形成柵絕緣層203。
[0158]步驟S163:在柵絕緣層203上形成金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜301。
[0159]該氧化物半導(dǎo)體薄膜可以為IGZ0、ΙΤ0或ΙΖ0等。
[0160]具體地，可以采用沉積的方法形成金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜301。
[0161]步驟S164:在金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜301上形成刻蝕阻擋層薄膜302。
[0162]具體地，可以采用沉積的方法形成刻蝕阻擋層薄膜302。
[0163]步驟S165:在刻蝕阻擋層薄膜302上涂覆光刻膠，并采用半色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，形成光刻膠全保留區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域以及光刻膠去除區(qū)域，其中，所述光刻膠全保留區(qū)域?qū)?yīng)刻蝕阻擋層圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)有源層除去刻蝕阻擋層圖形的區(qū)域，所述光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠全保留區(qū)域及所述光刻膠半保留區(qū)域之外的其他區(qū)域。
[0164]請(qǐng)參考圖17，圖17為步驟S165中采用的半色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后形成的光刻膠的圖形，圖中，401為光刻膠全保留區(qū)域的光刻膠，402為光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠。
[0165]步驟S166:采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜。
[0166]具體的，可以采用干法刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜。
[0167]步驟S167:采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，形成有源層204。
[0168]具體的，可以采用濕法刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜。
[0169]步驟S168:利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠。
[0170]步驟S169:利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜，形成刻蝕阻擋層205的圖形；
[0171]步驟S170:剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，以露出所述刻蝕阻擋層205和有源層204。
[0172]上述形成的有源層204包括:被所述刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被所述刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所述源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于所述源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括在所述刻蝕阻擋層的縱向方向上的側(cè)翼部。
[0173]步驟S171:在所述有源層204及刻蝕阻擋層205上形成源漏電極金屬薄膜303 ；
[0174]步驟S172:在所述源漏電極金屬薄膜303上涂覆光刻膠，并對(duì)所述源漏電極金屬薄膜303上的光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成對(duì)應(yīng)源漏電極圖形區(qū)域的光刻膠保留區(qū)域及除對(duì)應(yīng)源漏電極圖形區(qū)域的光刻膠保留區(qū)域之外的光刻膠去除區(qū)域；
[0175]步驟S173:采用刻蝕工藝去除所述除對(duì)應(yīng)源漏電極圖形區(qū)域的光刻膠保留區(qū)域之外的光刻膠去除區(qū)域的源漏電極金屬薄膜以及有源層的裸露部，形成源電極206、漏電極207和有源層204的圖形。其中，有源層的裸露部為裸露于刻蝕阻擋層205，但是不位于源電極和漏電極區(qū)域的有源部分。
[0176]步驟S174:剝離所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠，以露出所述源電極206和漏電極207。
[0177]步驟S175:在所述源電極206和漏電極207上形成鈍化層208。
[0178]采用圖17中所示的半色調(diào)掩膜板可以制備出如圖7所示的氧化物TFT。
[0179]上述實(shí)施例的步驟S165中，也可以采用其他類型的半色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光。請(qǐng)參考圖18，圖18為本發(fā)明的另一實(shí)施例中采用的半色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后形成的光刻膠的圖形，其中，601為光刻膠全保留區(qū)域的光刻膠，602為光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠。采用圖18中所示的半色調(diào)掩膜板可以制備出如圖11所示的氧化物TFT。
[0180]上述實(shí)施例中的有源層可以采用氧化物金屬半導(dǎo)體材料或單晶硅(a-si)，多晶硅等材料制成。
[0181]上述實(shí)施例中形成的氧化物TFT的溝道長(zhǎng)度為2至20微米，優(yōu)選的可以為4微米左右，形成微細(xì)的溝道，在同樣的氧化物TFT大小下，啟動(dòng)電流可提升約3倍。
[0182]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管，包括有源層、刻蝕阻擋層、源電極和漏電極，其特征在于:所述有源層包括:被所述刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被所述刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所述源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于所述源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括從所述刻蝕阻擋層的縱向方向上延伸出的側(cè)翼部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于:所述有源層包括至少一個(gè)所述覆蓋部，每一所述覆蓋部均包括:位于所述源電極區(qū)域的第一子覆蓋部、位于所述漏電極區(qū)域的第二子覆蓋部以及不位于所述源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域的第三子覆蓋部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于:當(dāng)位于所述 源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，與所述源電極接觸的側(cè)翼部位于所述第一子覆蓋部的縱向方向上；當(dāng)位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，與所述漏電極接觸的側(cè)翼部位于所述第二子覆蓋部的縱向方向上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于:所述有源層包括一個(gè)所述覆蓋部；當(dāng)位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括兩個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部，兩個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部分別位于所述第一子覆蓋部的兩側(cè)；當(dāng)位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括兩個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部，兩個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部分別位于所述第二子覆蓋部的兩側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于:所述有源層包括兩個(gè)所述覆蓋部；當(dāng)位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括一個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部，一個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部位于兩個(gè)所述第一子覆蓋部的中間；當(dāng)位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述漏電極區(qū)域的所述接觸部包括一個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部，一個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部位于兩個(gè)所述第二子覆蓋部的中間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于:位于所述源電極區(qū)域的接觸部還包括:位于所述刻蝕阻擋層橫向方向上的延伸部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于:位于所述漏電極區(qū)域的接觸部還包括:位于所述刻蝕阻擋層橫向方向上的延伸部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括柵電極和覆蓋所述柵電極上的柵絕緣層，所述有源層形成在所述柵絕緣層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層形成在所述源電極和所述漏電極上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層采用氧化物金屬半導(dǎo)體材料制成。
11.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括:形成有源層和刻蝕阻擋層，所述有源層包括:被所述刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被所述刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所述源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于所述源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括在所述刻蝕阻擋層的縱向方向上的側(cè)翼部；形成源電極和漏電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于:通過一次構(gòu)圖工藝形成有源層和刻蝕阻擋層，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成有源層和刻蝕阻擋層具體包括:形成氧化物半導(dǎo)體薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；在所述刻蝕阻擋層薄膜上涂覆光刻膠；采用半色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，形成光刻膠全保留區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域以及光刻膠去除區(qū)域，其中，所述光刻膠全保留區(qū)域?qū)?yīng)刻蝕阻擋層圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)有源層除去刻蝕阻擋層圖形的區(qū)域，所述光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠全保留區(qū)域及所述光刻膠半保留區(qū)域之外的其他區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜及金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，形成有源層；利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜，形成刻蝕阻擋層的圖形；剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，以形成所述刻蝕阻擋層和有源層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的制備方法，其特征在于，通過一次構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極具體包括:在所述有源層及刻蝕阻擋層上形成源漏電極金屬薄膜；在所述源/漏電極金屬薄膜上涂覆光刻膠；對(duì)所述源/漏電極金屬薄膜上的光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成對(duì)應(yīng)源/漏電極圖形區(qū)域的光刻膠保留區(qū)域及除對(duì)應(yīng)源漏電極圖形區(qū)域的光刻膠保留區(qū)域之外的光刻膠去除區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述除對(duì)應(yīng)源漏電極圖形區(qū)域的光刻膠保留區(qū)域之外的光刻膠去除區(qū)域的源漏電極金屬薄膜以及所述有源層的裸露部，形成源電極、漏電極和有源層的圖形；所述有源層的裸露部指裸露于所述刻蝕阻擋層并不被所述源電極和漏電極覆蓋的部分；剝離所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠，以露出所述源電極和漏電極。
14.一種顯示器件，其特征在于，包括襯底基板以及形成在襯底基板上如權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK103730512SQ201310753220
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】鄭在紋, 崔仁哲, 崔星花 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 重慶京東方光電科技有限公司