Tft-lcd陣列基板及其數(shù)據(jù)線斷線的修復(fù)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種TFT-LCD陣列基板及其數(shù)據(jù)線斷線的修復(fù)方法，其中，該TFT-LCD陣列基板包括由下向上依次設(shè)置的第一金屬層、第二金屬層和透明電極層，所述第一金屬層中形成有柵線和共通電極線，所述第二金屬層中形成有數(shù)據(jù)線，所述透明電極層中形成有像素電極，所述柵線與數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域，所述像素電極以及所述共通電極線裝設(shè)于所述像素區(qū)域中，所述共通電極線包括相互連接的第一電極線和第二電極線，所述第二電極線與所述數(shù)據(jù)線在所述第二金屬層上的投影相互平行，所述第一電極線與所述數(shù)據(jù)線在所述第二金屬層上的投影相交。
【專利說明】TFT-LCD陣列基板及其數(shù)據(jù)線斷線的修復(fù)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種TFT-1XD基板制造領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT-1XD陣列基板及其數(shù)據(jù)線斷線的修復(fù)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著信息社會的發(fā)展，人們對顯示設(shè)備的需求得到了增長。為了滿足這種不斷增長地需求，平板顯示設(shè)備比如液晶顯示器件(Liquid Crystalline Display IXD)、等離子體顯不器件(Plasma Display Panel, PDP)、OLED (Organic Light-Emitting Diode)顯不器件等都得到了迅猛的發(fā)展。在平板顯示器件當(dāng)中，液晶顯示器件由于其重量低、體積小、能耗低的優(yōu)點(diǎn)，正在逐步取代冷陰極顯示設(shè)備。
[0003]最初的液晶顯示器件是被動驅(qū)動，所謂被動驅(qū)動，是將電壓直接加在像素的上下電極上。通過上下電極上的電壓差來驅(qū)動液晶，形成亮暗顯示。目前主流基本上都是使用薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)來驅(qū)動液晶，TFT開關(guān)在信號控制下打開和關(guān)斷，將不同的電壓寫入下基板(陣列基板)的像素電極。寫入后，TFT在信號作用下關(guān)斷，將電壓保持住，從而實(shí)現(xiàn)了高分辨率和高灰階數(shù)。其中TFT的控制信號通過柵線輸入，像素電極上的電壓通過數(shù)據(jù)線輸入。
[0004]目前TFT液晶顯示器件基本上分辨率都能實(shí)現(xiàn)1920X1080，甚至有的能達(dá)到3840X2160的分辨率。每個(gè)液晶顯示器件上有幾百萬個(gè)像素和接近一萬條數(shù)據(jù)線或者柵線。這么多線，不發(fā)生斷線是很難做到的。所以在實(shí)際生產(chǎn)過程中，一般都會引入斷線的修復(fù)流程。其中其修復(fù)方法的好壞，對于修復(fù)成功率有著很大的影響。
[0005]目前常用的修復(fù)方法是:采用Laser CVD(chemical vapor deposition)來修復(fù)。其原理是通過激光催化六羰基鎢分解，鎢金屬沉積在基板表面，起到導(dǎo)體作用來實(shí)現(xiàn)的。修復(fù)方法包括:通過Laser CVD在斷線的部位生長金屬鶴；通過Laser Cut把旁邊的像素電極ITO (Indium Tin Oxides)打斷；通過激光熔融兩個(gè)端點(diǎn)，讓金屬鶴和絕緣膜下面的金屬走線連接在一起。這種修復(fù)工藝對于一般的陣列基板而言比較適合。由于其各層膜厚都不是很高，一般0.3?0.4um,最厚的也一般不會超過0.6um。在修復(fù)時(shí)，這些不同厚度的膜厚造成的段差相對不大；所以金屬鎢在沉積的時(shí)候相對不容易斷線，修復(fù)成功率也相對有保障。
[0006]然而,對于采用COA技術(shù)(Color Filter On Array)制成的TFT-1XD陣列基板而言，其中色層(RGB層)的膜厚都比較厚，達(dá)到3um?5um，這樣按照上述方式進(jìn)行斷線修復(fù)時(shí)，其熔融的厚度較大，接觸深度較深，沉積上的金屬鎢非常容易斷線，導(dǎo)致修復(fù)成功率降低。
[0007]因此需要提供一種能夠提高采用COA技術(shù)制成的TFT-LCD陣列基板的斷線修復(fù)成功率的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]本發(fā)明的目的在于針對上述缺陷，提供一種TFT-1XD陣列基板，同時(shí)還提供一種能夠提高該TFT-LCD陣列基板修復(fù)成功率的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法。
[0009]本發(fā)明提供的一種TFT-1XD陣列基板，包括由下向上依次設(shè)置的第一金屬層、第二金屬層和透明電極層，所述第一金屬層中形成有柵線和共通電極線，所述第二金屬層中形成有數(shù)據(jù)線，所述透明電極層中形成有像素電極，所述柵線與數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域，所述像素電極以及所述共通電極線裝設(shè)于所述像素區(qū)域中，所述共通電極線包括相互連接的第一電極線和第二電極線，所述第二電極線與所述數(shù)據(jù)線在所述第二金屬層上的投影相互平行，所述第一電極線與所述數(shù)據(jù)線在所述第二金屬層上的投影相交。
[0010]上述的TFT-1XD陣列基板中，所述第一電極線為平行于所述柵線的整體結(jié)構(gòu)，所述第二電極線為垂直于所述柵線的間斷結(jié)構(gòu)。
[0011]上述的TFT-1XD陣列基板中，所述第二電極線包括相互平行設(shè)置的第一第二電極線和第二子電極線，所述共通電極線為由所述第一子電極線、第二子電極線以及第一電極線相互連接構(gòu)成的H型結(jié)構(gòu)。
[0012]上述的TFT-1XD陣列基板，所述TFT-LED陣列基板還包括連接線，所述連接線與所述像素電極同層設(shè)置，所述連接線跨設(shè)在所述柵線上，所述連接線的一端與所述柵線一側(cè)的第二子電極線連接，所述連接線的另一端與所述柵線另一側(cè)的第二子電極線連接。
[0013]上述的TFT-1XD陣列基板中，分別位于每條所述柵線兩側(cè)的所述共通電極線通過所述連接線相互連通。
[0014]本發(fā)明還提供一種TFT-1XD陣列基板的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法，包括:
[0015]S1、查找出數(shù)據(jù)線的斷點(diǎn)的位置；
[0016]S2、采用激光焊接方法將所述斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過共通電極線連接起來；其中，所述共通電極線包括相互連接的第一電極線和第二電極線，所述第二電極線與所述數(shù)據(jù)線在所述第二金屬層上的投影相互平行，所述第一電極線與所述數(shù)據(jù)線在所述第二金屬層上的投影相交；采用激光切割方法斷開所述斷點(diǎn)所在像素區(qū)域中的共通電極線與相鄰像素區(qū)域中的共通電極線的連接。
[0017]上述的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法中，所述步驟S2包括:
[0018]S21、采用激光焊接方法將斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線分別與其在所述第二金屬層上的投影相交的所述第一電極線熔接，在所述數(shù)據(jù)線與所述第一電極線的投影的交點(diǎn)處形成熔接
占.[0019]S22、采用激光切割方法將所述熔接點(diǎn)相鄰兩側(cè)的像素區(qū)域中的第一電極線切斷從而斷開所述斷點(diǎn)所在像素區(qū)域中的共通電極線與相鄰像素區(qū)域中的共通電極線的連接。
[0020]上述的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法，所述步驟S2包括:
[0021]S23、斷開的所述數(shù)據(jù)線通過所述第一電極線、連接在所述第一電極線與另一所述第一電極線之間的并連通的第二電極線以及另一所述第一電極線連通。
[0022]上述的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法中，所述步驟S2包括:
[0023]S21、采用激光焊接方法將斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線分別與其鄰近的所述第二電極線熔接，在所述數(shù)據(jù)線與所述第二電極線之間形成熔接點(diǎn)；
[0024]S22、采用激光切割方法將所述熔接點(diǎn)相鄰兩側(cè)的像素區(qū)域中的第一電極線切斷從而斷開所述斷點(diǎn)所在像素區(qū)域中的共通電極線與相鄰像素區(qū)域中的共通電極線的連接。[0025]上述的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法，所述步驟S2還包括:
[0026]S23、斷開的所述數(shù)據(jù)線通過所述第二電極線連通。
[0027]實(shí)施本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明通過將像素區(qū)域中的共通電極線作為修復(fù)數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的聯(lián)線，將其與數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線熔接，同時(shí)斷開斷點(diǎn)所在像素區(qū)域中的共通電極線與相鄰像素區(qū)域的共通電極線的連接，從而實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的修復(fù)。這種修復(fù)克服了傳統(tǒng)修復(fù)方法上的段差問題，提高了修復(fù)成功率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中:
[0029]圖1為本發(fā)明提供的TFT-LCD陣列基本的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明TFT-1XD陣列基板修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線的示意圖；
[0031]圖3為本發(fā)明TFT-1XD陣列基板修復(fù)數(shù)據(jù)斷線的第二實(shí)施例示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面通過附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0033]圖1為本發(fā)明TFT-1XD陣列基板第一實(shí)施例的平面圖，所反映的是四個(gè)像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板的主體結(jié)構(gòu)包括由下至上依次設(shè)置的基板(未示出)、第一金屬層(未標(biāo)號)、第二金屬層(未標(biāo)號)、透明電極層(未標(biāo)號)、設(shè)置在該第一金屬層與第二金屬層之間的柵極絕緣層(未示出)、設(shè)置在第二金屬層與透明電極層之間的鈍化層(未示出)以及形成在鈍化層與透明電極層之間的色層(RGB層K未示出)。如圖1所示，第一金屬層上形成有柵線2和共通電極線(未標(biāo)號)；第二金屬層上形成有數(shù)據(jù)線1，透明電極層上形成有像素電極3和薄膜晶體管(未示出)。柵線I和數(shù)據(jù)線I相互交叉形成了像素區(qū)域。薄膜晶體管和像素電極3裝設(shè)在該像素區(qū)域內(nèi)。柵線2用于向薄膜晶體管提供開啟或關(guān)斷信號，數(shù)據(jù)線I用于向像素電極3提供數(shù)據(jù)信號，共通電極線與像素電極3構(gòu)成存儲電容。
[0034]具體地，在基板上沉積第一金屬層，該第一金屬層可以采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻或銅等金屬的單層金屬層，也可以采用上述單層金屬層構(gòu)成的多層復(fù)合層。采用掩模板對第一金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，在基板上形成柵線2以及共通電極線的圖形。在柵線2上設(shè)置有柵極(未示出)。共通電極線包括第一電極線4和第二電極線(未標(biāo)號)。第一電極線4為平行于柵線2的整體結(jié)構(gòu)，第二電極線為垂直于柵線2的間斷結(jié)構(gòu)且位于相鄰的兩條柵線2之間。第二電極線與數(shù)據(jù)線I在第二金屬層上的投影相互平行，第一電極線4與數(shù)據(jù)線I在第二金屬層上的投影相交。第二電極線包括相互平行設(shè)置的第一子電極線5和第二子電極線6。在每個(gè)像素區(qū)域中，共通電極線為由第一電極線4和第一子電極線5、第二子電極線6相互連接構(gòu)成的H型結(jié)構(gòu)。
[0035]在柵線2、共通電極線以及基板的表面上形成柵極絕緣層，柵極絕緣層為非晶硅膜層。
[0036]在柵極絕緣層的表面沉積第二金屬層，采用光刻工藝在所述第二金屬層內(nèi)形成數(shù)據(jù)線1、源極(未示出)和漏極(未示出)，所述數(shù)據(jù)線I與源極為一整體結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線I與第二電極線在第二金屬層上的投影相平行，數(shù)據(jù)線I與第一電極線4在第二金屬層上的投影相交。[0037]在所述數(shù)據(jù)線1、源極、漏極和柵極絕緣層表面上形成鈍化層，對所述鈍化層進(jìn)行刻蝕，形成接觸孔(未示出)。具體地，采用化學(xué)氣相淀積工藝在所述數(shù)據(jù)線1、共通電極線和柵極絕緣層表面上形成鈍化層，之后，采用光刻工藝在所述鈍化層內(nèi)形成接觸孔，所述接觸孔位于漏極上方的鈍化層內(nèi)。
[0038]在所述鈍化層表面上形成色層(RGB層)，RGB層在鈍化層上成膜后經(jīng)曝光、顯影，位于像素區(qū)域中。在本實(shí)施例中，由于透明電極層與第一金屬層之間增加了 RGB層，該RGB層的厚度在3 μ m到5 μ m，這樣就增加了透明電極層與第一金屬層之間的距離，從而使得兩者之間形成的電容小，繼而減小了 RC延遲。
[0039]在所述RGB層表面上形成透明電極層，對所述透明電極層進(jìn)行刻蝕，形成像素電極3、薄膜晶體管(未示出)。具體的，采用物理氣相淀積工藝在所述RGB層表面上形成透明電極層，所述透明電極層為透明金屬層，制作材料為氧化銦錫(ΙΤ0)。之后，采用光刻工藝在透明電極層上形成像素電極3，所述像素電極3通過接觸孔和漏極電連接。
[0040]在本實(shí)施例中，在透明電極層中還形成有連接線7。在同一列像素區(qū)域中每兩個(gè)相鄰的像素區(qū)域之間設(shè)置連接線7，該連接線7跨設(shè)在位于該兩個(gè)相鄰的像素區(qū)域之間的柵線2上。連接線7的一端通過柵線2 —側(cè)的像素區(qū)域中的鈍化層上的接觸孔與該像素區(qū)域中的第二子電極線6相連接，連接線7的另一端通過柵線2另一側(cè)的像素區(qū)域中的鈍化層上的接觸孔與該像素區(qū)域中的第二子電極線6相連接。位于柵線2兩側(cè)的第二子電極線6通過連接線7連接成整體，即位于同一列像素區(qū)域中相鄰的兩個(gè)像素區(qū)域中的共通電極線通過連接線7連接成網(wǎng)格式整體的共通電極線(Mesh Com)。這種Mesh Com可以使得位于柵線2兩側(cè)的共通電極線連通，從而使得TFT-1XD陣列基板上的位于不同像素區(qū)域中的共通電極線完全連通。由于連接線7采用氧化銦錫(ITO)制成，其為透明材料，這樣就增大了該TFT-1XD陣列基板的透光率，而且也不會造成漏光。此外，第一金屬層上共通電極線呈H型結(jié)構(gòu)，通過還種結(jié)構(gòu)及其上方的透明電極層的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使得該TFT-LCD陣列基板的透光率增加。
[0041]圖2為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線的示意圖。如圖3所示，查找出數(shù)據(jù)線I出現(xiàn)第一斷點(diǎn)41的位置。首先通過激光焊接方法將數(shù)據(jù)線I第一斷點(diǎn)41上側(cè)的數(shù)據(jù)線I與其右側(cè)相鄰的第二子電極線6熔接，并在該第二子電極線6與數(shù)據(jù)線I之間形成第一熔接點(diǎn)51 ;再將第一斷點(diǎn)41下側(cè)的數(shù)據(jù)線I與其右側(cè)相鄰的第二子電極線6熔接，并在該第二子電極線6與數(shù)據(jù)線I之間形成第二熔接點(diǎn)52。再采用切割方法將與第一熔接點(diǎn)51、第二熔接點(diǎn)52相鄰兩側(cè)的像素區(qū)域中的第一電極線4切斷，分別形成斷開點(diǎn)31、32，從而使第一斷點(diǎn)41所在像素區(qū)域的共通電極線與相鄰像素區(qū)域的共通電極線隔絕，保證柵線信號的傳輸。采用這種修復(fù)方式，通過第二子電極線6使所述數(shù)據(jù)線I重新連接起來。在本實(shí)施例中，第二子電極線6指一條電極線或?yàn)橥ㄟ^連接線7連通的兩條第二子電極線6。
[0042]圖3為本發(fā)明TFT-1XD陣列基板修復(fù)數(shù)據(jù)斷線的第二實(shí)施例示意圖。如圖3所示，查找出數(shù)據(jù)線I出現(xiàn)第二斷點(diǎn)15的位置。首先通過激光焊接方法將第二斷點(diǎn)15上側(cè)的數(shù)據(jù)線I與與其在第二金屬層上投影相交的第一電極線4熔接，在兩者投影的交點(diǎn)處形成第三熔接點(diǎn)21 ;再將第二斷點(diǎn)15下側(cè)的數(shù)據(jù)線I與另一與其在第二金屬層上投影相交的第一電極線4熔接，在兩者投影的交點(diǎn)處形成第四熔接點(diǎn)22。采用激光切割方法將與第三熔接點(diǎn)21相鄰兩側(cè)的像素區(qū)域中的第一電極線4打斷，形成斷開點(diǎn)11、12，同時(shí)將第四熔接點(diǎn)22相鄰兩側(cè)像素區(qū)域中的第一電極線4打斷，形成斷開點(diǎn)13、14 ;從而使第二斷點(diǎn)15所在像素區(qū)域的共通電極線與其他像素區(qū)域的共通電極線隔絕，保證柵線信號的傳輸。采用這種修復(fù)方式，通過一個(gè)像素區(qū)域中的第一電極線4及該像素區(qū)域中的第二子電極線6、連接線7以及另一個(gè)相鄰像素區(qū)域中的第一電極線4及該區(qū)域中的第二子電極線6使數(shù)據(jù)線I重新連接起來。該兩個(gè)像素區(qū)域中的第二子電極線6通過連接線7連通。
[0043]綜上所述，本發(fā)明通過將像素區(qū)域中的共通電極線作為修復(fù)數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的聯(lián)線，將其與數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線熔接，同時(shí)斷開斷點(diǎn)所在像素區(qū)域中的共通電極線與相鄰像素區(qū)域的共通電極線的連接，從而實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的修復(fù)。這種修復(fù)克服了傳統(tǒng)修復(fù)方法上的段差問題，提高了修復(fù)成功率。
[0044]應(yīng)當(dāng)理解的是，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT-1XD陣列基板，包括由下向上依次設(shè)置的第一金屬層、第二金屬層和透明電極層，所述第一金屬層中形成有柵線和共通電極線，所述第二金屬層中形成有數(shù)據(jù)線，所述透明電極層中形成有像素電極，所述柵線與數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域，所述像素電極以及所述共通電極線裝設(shè)于所述像素區(qū)域中，其特征在于，所述共通電極線包括相互連接的第一電極線和第二電極線，所述第二電極線與所述數(shù)據(jù)線在所述第二金屬層上的投影相互平行，所述第一電極線與所述數(shù)據(jù)線在所述第二金屬層上的投影相交。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一電極線為平行于所述柵線的整體結(jié)構(gòu)，所述第二電極線為垂直于所述柵線的間斷結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二電極線包括相互平行設(shè)置的第一子電極線和第二子電極線，所述共通電極線為由所述第一子電極線、第二子電極線以及第一電極線相互連接構(gòu)成的H型結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述TFT-LED陣列基板還包括連接線，所述連接線與所述像素電極同層設(shè)置，所述連接線跨設(shè)在所述柵線上，所述連接線的一端與所述柵線一側(cè)的第二子電極線連接，所述連接線的另一端與所述柵線另一側(cè)的第二子電極線連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，分別位于每條所述柵線兩側(cè)的所述共通電極線通過所述連接線相互連通。
6.一種TFT-1XD陣列基板的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法，其特征在于，包括: s1、查找出數(shù)據(jù)線的斷點(diǎn)的位置； s2、采用激光焊接方法將所述斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過共通電極線連接起來；其中，所述共通電極線包括相互連接的第一電極線和第二電極線，所述第二電極線與所述數(shù)據(jù)線在所述第二金屬層上的投影相互平行，所述第一電極線與所述數(shù)據(jù)線在所述第二金屬層上的投影相交；采用激光切割方法斷開所述斷點(diǎn)所在像素區(qū)域中的共通電極線與相鄰像素區(qū)域中的共通電極線的連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法，其特征在于，所述步驟S2包括: s21、采用激光焊接方法將斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線分別與其在所述第二金屬層上的投影相交的所述第一電極線熔接，在所述數(shù)據(jù)線與所述第一電極線的投影的交點(diǎn)處形成熔接點(diǎn)； s22、采用激光切割方法將所述熔接點(diǎn)相鄰兩側(cè)的像素區(qū)域中的第一電極線切斷從而斷開所述斷點(diǎn)所在像素區(qū)域中的共通電極線與相鄰像素區(qū)域中的共通電極線的連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法，其特征在于，所述步驟S2包括: s23、斷開的所述數(shù)據(jù)線通過所述第一電極線、連接在所述第一電極線與另一所述第一電極線之間的并連通的第二電極線以及另一所述第一電極線連通。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法，其特征在于，所述步驟S2包括: s21、采用激光焊接方法將斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線分別與其鄰近的所述第二電極線熔接，在所述數(shù)據(jù)線與所述第二電極線之間形成熔接點(diǎn)； s22、采用激光切割方法將所述熔接點(diǎn)相鄰兩側(cè)的像素區(qū)域中的第一電極線切斷從而斷開所述斷點(diǎn)所在像素區(qū)域中的共通電極線與相鄰像素區(qū)域中的共通電極線的連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法，其特征在于，所述步驟S2還包括: s23、斷開的所述數(shù)據(jù)線通過所述第二電極線連通。
【文檔編號】H01L27/12GK103885262SQ201310747068
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】徐亮 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司