一種微帶正交平面3dB電橋的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種微帶正交平面3dB電橋，包括底面微波基板、弱耦合枝節(jié)和強(qiáng)耦合枝節(jié)；所述弱耦合枝節(jié)印制于底面微波基板上；所述弱耦合枝節(jié)為對(duì)稱(chēng)的兩個(gè)弱耦合枝節(jié)；所述兩個(gè)弱耦合枝節(jié)中間連接有強(qiáng)耦合枝節(jié)。本發(fā)明避免了傳統(tǒng)的多層疊加的帶線結(jié)構(gòu)，使安裝、調(diào)試簡(jiǎn)單；微波平面電橋易于和常用的微波平面電路綜合布局，減少電路之間的過(guò)渡；大大地縮小了體積、實(shí)現(xiàn)了小型化、減小了損耗。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種微帶正交平面3dB電橋
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種微帶正交平面3dB電橋，特別是涉及一種適用于微波領(lǐng)域微帶電路中的一種微帶正交平面3dB電橋。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)同軸3dB電橋絕大部分是采用帶線的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，圖1所示為帶線3dB電橋原理框圖，從圖1可以看出，帶線3dB電橋的微波電路結(jié)構(gòu)是對(duì)稱(chēng)的，當(dāng)一個(gè)端口作為輸入端，相應(yīng)的耦合端、直通端和隔離端(ISO)就相應(yīng)確定。圖2所示為帶線3dB電橋的模型圖，按照微波帶線電路設(shè)計(jì)原理，整個(gè)結(jié)構(gòu)分為上下金屬壓塊、三層介質(zhì)以及兩條金屬帶線構(gòu)成，結(jié)構(gòu)如圖3所示。為了增強(qiáng)電磁波的耦合能力，兩條金屬帶線之間的介質(zhì)厚度一般為0.127_，金屬帶線的寬度跟其之間的介質(zhì)的介電常數(shù)和厚度有關(guān)。
[0003]從圖3可以看出，傳統(tǒng)的帶線3dB電橋物理結(jié)構(gòu)復(fù)雜，不是平面結(jié)構(gòu)，不方便裝配、調(diào)試以及和其它微波電路結(jié)合。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種方便裝配、調(diào)試的微帶正交平面3dB電橋。
[0005]本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:一種微帶正交平面3dB電橋，其特征在于:包括底面微波基板、弱耦合枝節(jié)和強(qiáng)耦合枝節(jié)；所述弱耦合枝節(jié)印制于底面微波基板上；所述弱耦合枝節(jié)為對(duì)稱(chēng)的兩個(gè)弱耦合枝節(jié)；所述兩個(gè)弱耦合枝節(jié)中間連接有強(qiáng)耦合枝節(jié)。
[0006]作為優(yōu)選，所述強(qiáng)耦合枝節(jié)垂直固定于兩側(cè)的弱耦合枝節(jié)中間。
[0007]作為優(yōu)選，所述強(qiáng)耦合枝節(jié)的長(zhǎng)度為其中心頻率的四分之一波長(zhǎng)。
[0008]作為優(yōu)選，所述弱耦合枝節(jié)的長(zhǎng)度為其中心頻率的四分之一波長(zhǎng)。
[0009]作為優(yōu)選，所述底面微波基板表面做鍍金處理，鍍金厚度為2um。
[0010]作為優(yōu)選，所述強(qiáng)耦合枝節(jié)表面做鍍金處理，鍍金厚度為2um。
[0011]作為優(yōu)選，所述底面微波基板采用介電常數(shù)為3.48的材料。
[0012]作為優(yōu)選，所述強(qiáng)耦合枝節(jié)采用介電常數(shù)為2.2的材料。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
1、避免了傳統(tǒng)的多層疊加的帶線結(jié)構(gòu)，使安裝、調(diào)試簡(jiǎn)單；
2、本微波平面電橋易于和常用的微波平面電路綜合布局，減少電路之間的過(guò)渡；
3、這種結(jié)構(gòu)大大地縮小了體積、實(shí)現(xiàn)了小型化、減小了損耗。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為【背景技術(shù)】帶線3dB電橋原理框圖。
[0015]圖2為圖1所示帶線3dB電橋模型圖。
[0016]圖3為圖2所示帶線電橋側(cè)面視圖。
[0017]圖4為本發(fā)明其中一實(shí)施例的原理框圖。[0018]圖5為圖4所示實(shí)施例的微帶平面3dB電橋外形圖。
[0019]圖6為圖5的側(cè)面視圖。
[0020]圖7為圖4所示實(shí)施例的仿真效果圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0022]本說(shuō)明書(shū)(包括任何附加權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開(kāi)的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或者具有類(lèi)似目的的替代特征加以替換。即，除非特別敘述，每個(gè)特征只是一系列等效或類(lèi)似特征中的一個(gè)例子而已。
[0023]本發(fā)明中根據(jù)微波理論，創(chuàng)新設(shè)計(jì)出一種基于微波平面電路的微帶正交平面3dB電橋，經(jīng)仿真設(shè)計(jì)及測(cè)試，微波性能優(yōu)異，易于裝配，方便調(diào)試，并且能和微波平面電路直接集成。
[0024]如圖4所示，為本發(fā)明原理框圖，創(chuàng)新設(shè)計(jì)一種方式代替帶線電橋交叉帶線的強(qiáng)耦合方法，兩個(gè)弱耦合枝節(jié)中間連接有強(qiáng)耦合枝節(jié)。
[0025]下面以2?6GHz微帶平面3dB電橋外形圖為例進(jìn)行具體說(shuō)明。
[0026]如圖5和圖6所不,一種微帶正交平面3dB電橋,包括底面微波基板、弱稱(chēng)合枝節(jié)和強(qiáng)耦合枝節(jié)；所述弱耦合枝節(jié)印制于底面微波基板上；所述弱耦合枝節(jié)為對(duì)稱(chēng)的兩個(gè)弱耦合枝節(jié)；所述兩個(gè)弱耦合枝節(jié)中間連接有強(qiáng)耦合枝節(jié)。
[0027]所述強(qiáng)耦合枝節(jié)垂直固定于兩側(cè)的弱耦合枝節(jié)中間，可以采用環(huán)氧樹(shù)脂導(dǎo)電銀漿燒結(jié)的方式、焊錫焊接等方式固定。兩個(gè)對(duì)稱(chēng)的弱耦合枝節(jié)與中間強(qiáng)耦合枝節(jié)垂直連接，兩路輸出相位相差90度。
[0028]所述強(qiáng)耦合枝節(jié)的長(zhǎng)度為其中心頻率的四分之一波長(zhǎng)。
[0029]所述弱耦合枝節(jié)的長(zhǎng)度為其中心頻率的四分之一波長(zhǎng)。
[0030]所述底面微波基板表面做鍍金處理，鍍金厚度為2um。
[0031]所述強(qiáng)耦合枝節(jié)表面做鍍金處理，鍍金厚度為2um。
[0032]所述底面微波基板采用介電常數(shù)為3.48的材料，厚度為0.508mm。
[0033]所述強(qiáng)耦合枝節(jié)采用介電常數(shù)為2.2的材料，厚度為0.127mm,高0.6mm。
[0034]如圖7所示，為平面2?6GHz微帶3dB電橋仿真數(shù)據(jù)，從仿真數(shù)據(jù)可以看出兩路輸出幅度不平度很小，端口反射性能優(yōu)異。
【權(quán)利要求】
1.一種微帶正交平面3dB電橋，其特征在于:包括底面微波基板、弱耦合枝節(jié)和強(qiáng)耦合枝節(jié)；所述弱耦合枝節(jié)印制于底面微波基板上；所述弱耦合枝節(jié)為對(duì)稱(chēng)的兩個(gè)弱耦合枝節(jié)；所述兩個(gè)弱耦合枝節(jié)中間連接有強(qiáng)耦合枝節(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3dB電橋，其特征在于:所述強(qiáng)耦合枝節(jié)垂直固定于兩側(cè)的弱耦合枝節(jié)中間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的3dB電橋，其特征在于:所述強(qiáng)耦合枝節(jié)的長(zhǎng)度為其中心頻率的四分之一波長(zhǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的3dB電橋，其特征在于:所述弱耦合枝節(jié)的長(zhǎng)度為其中心頻率的四分之一波長(zhǎng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的3dB電橋，其特征在于:所述底面微波基板表面做鍍金處理，鍍金厚度為2um。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的3dB電橋，其特征在于:所述強(qiáng)耦合枝節(jié)表面做鍍金處理，鍍金厚度為2um。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的3dB電橋，其特征在于:所述底面微波基板采用介電常數(shù)為3.48的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的3dB電橋，其特征在于:所述強(qiáng)耦合枝節(jié)采用介電常數(shù)為2.2的材料。
【文檔編號(hào)】H01P5/12GK103700916SQ201310746994
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】何備, 吳仕喜, 王正偉, 田殷, 陳熙 申請(qǐng)人:四川九洲電器集團(tuán)有限責(zé)任公司