亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

一種用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法

文檔序號:7016223閱讀:179來源:國知局
一種用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法,其包括在襯底上形成多個像素單元的光電二極管、MOS晶體管和懸浮漏極;形成接觸孔和第一層金屬互連線,所述第一層金屬互連線包括通過所述接觸孔與所述MOS晶體管和所述懸浮漏極電連接的部分;可選擇地形成第一通孔及第二層金屬互連線,其中所述第二層金屬互連線未和所述第一層金屬互連線與所述懸浮漏極電連接的部分相連;以及形成第二通孔及第三層金屬互連線,其中所述第二通孔位于所述第一層金屬互連線與所述懸浮漏極電連接的部分的正上方,所述第三層金屬互連線通過所述第二通孔與所述第二通孔下方的金屬互連線電連接。本發(fā)明可實現(xiàn)圖像傳感器常規(guī)像素陣列的復(fù)用。
【專利說明】一種用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及圖像傳感器領(lǐng)域,特別涉及一種可實現(xiàn)圖像傳感器功能或懸浮漏極電容測量的結(jié)構(gòu)的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]CMOS圖像傳感器的像素單元是圖像傳感器實現(xiàn)感光的核心器件。如圖1所示,最常用像素單元為包含一個光電二極管1,四個MOS晶體管,懸浮漏極2的有源像素結(jié)構(gòu),這些器件中光電二極管I是感光單元,實現(xiàn)對光線的收集和光電轉(zhuǎn)換,其它的MOS晶體管是控制單元,包括行選管5,復(fù)位管6,傳輸管3,源極跟隨管4,主要實現(xiàn)對光電二極管的選中,復(fù)位,信號輸出,信號放大和讀出的控制,懸浮漏極進行電荷向電壓轉(zhuǎn)換。圖2為使用圖1所示的像素單元組成的CMOS圖像傳感器像素陣列示意圖,為了將圖像的光信號轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的電信號并最終形成圖像,CMOS圖像傳感器通常采用將感光單元進行陣列式排布的方式,每個像素單元為最小的感光單位,根據(jù)不同的應(yīng)用和分辨率,圖像傳感器中的像素單元可以是幾十萬、幾百萬、甚至上千萬個。在像素陣列中的信號線包括了傳輸管、復(fù)位管和行選管控制信號,以及輸出信號線7,這些信號線通常使用金屬互連線引出。為了防止像素單元之間的串?dāng)_和避免金屬影響光電轉(zhuǎn)換效率,連接電源信號VDD的金屬互連線9在陣列上呈網(wǎng)格狀排列,覆蓋像素單元的外圍非感光區(qū)域,只在光電二極管區(qū)域被移除,即整個陣列中的連接電源信號VDD的金屬互連線9是連在一起的,只是在光電二極管區(qū)域開出一個個用于收集入射光的窗口 10。
[0003]如圖3所示為圖1的電路結(jié)構(gòu)對應(yīng)的常規(guī)像素陣列的版圖結(jié)構(gòu),圖3中使用2x2的像素陣列來進行示意,更大的像素陣列只是將像素單元重復(fù),因此原理完全一樣。如圖3所示,2x2像素陣列中共有4個像素單元,每個像素單元中包括光電二極管1,傳輸管3、復(fù)位管6、源極跟隨管4和行選管5,進行電荷向電壓轉(zhuǎn)換的懸浮漏極2,用于將懸浮漏極2和復(fù)位管6及源極跟隨管4互連的接觸孔CT和第一層金屬互連線8,用于連接電源信號VDD的金屬互連線9。如圖3所示懸浮漏極的電容Cfd是一個節(jié)點電容,不同懸浮漏極2之間沒有連接,每個懸浮漏極都是孤立的。懸浮漏極的電容結(jié)構(gòu)組成非常復(fù)雜,包括了結(jié)電容、晶體管源漏與柵極的耦合電容、柵電容,金屬與襯底之間的耦合電容等,分電容之間通過第一層金屬互連線8并聯(lián)在一起,但是每個分電容的面積都較小,即懸浮漏極的總電容值較小,而且在像素陣列中的像素單元的懸浮漏極是不引出的,因此單個懸浮漏極的電容無法從像素陣列上直接測量得到。
[0004]在圖像傳感器芯片的性能各種評價指標中,像素單元的轉(zhuǎn)換增益(Conver s i onGain, CG)是一個重要的評價指標,因為需要通過轉(zhuǎn)換增益才能計算出像素單元的其它性能指標,例如量子效率、信噪比和動態(tài)范圍等。像素單元的轉(zhuǎn)換增益是指一個光生載流子在電荷向電壓轉(zhuǎn)換的節(jié)點上引起的電壓變化幅度,在有源像素單元中這個轉(zhuǎn)換節(jié)點通常是懸浮漏極,由于CG= Δ V/n,其中Λ V為電壓變化,η為光生載流子數(shù),而Λ V=Q/CFD=q*n/CFD,其中Q為光生載流子的電荷量,Cfd為懸浮漏極的電容,q為單位電荷,因此可以推導(dǎo)出轉(zhuǎn)換增益CG=q/CFD,即我們只需知道懸浮漏極的電容就可以得到像素單元的轉(zhuǎn)換增益。如前所述,懸浮漏極的電容無法通過測量直接得到,傳統(tǒng)計算轉(zhuǎn)換增益是通過統(tǒng)計的方法來估算,即把光生載流子的吸收看成泊松分布,通過連續(xù)測量100幅以上的圖像,統(tǒng)計輸出數(shù)據(jù)的標準偏差,標準偏差和輸出電壓之間的比值為轉(zhuǎn)換增益。但這種方法的缺點是工作量大,而且估算值可能和實際值之間有較大誤差,造成后續(xù)像素性能評估的不準確。此外,還可以通過將懸浮漏極點的電容并聯(lián)來形成一個大電容,然后通過測量來得到這個大電容的電容值,除以并聯(lián)的懸浮漏極個數(shù)就可以得到單個懸浮漏極的電容值,但使用這種方法需要設(shè)計一個懸浮漏極電容的陣列,這個陣列需要占用較大的芯片面積,在通常的量產(chǎn)芯片中,工藝監(jiān)控結(jié)構(gòu)僅放在劃片槽區(qū)域,由于并聯(lián)的懸浮漏極陣列的面積太大,而劃片槽的寬度通常僅有100微米左右,因此這種結(jié)構(gòu)無法放入劃片槽中,也就無法實現(xiàn)懸浮漏極電容監(jiān)控。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的旨在提供一種用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法,通過對工藝步驟稍作修改可相應(yīng)實現(xiàn)感光功能或測量懸浮漏極電容功能,且所制造的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)不占用芯片面積。
[0006]為達成上述目的,本發(fā)明提供一種用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法,包括以下步驟:步驟S1:在襯底上形成多個像素單元的光電二極管、MOS晶體管和懸浮漏極;步驟S2:形成接觸孔和第一層金屬互連線,所述第一層金屬互連線包括通過所述接觸孔與所述MOS晶體管和所述懸浮漏極電連接的部分;步驟S3:可選擇地形成第一通孔及第二層金屬互連線,其中所述第二層金屬互連線未和所述第一層金屬互連線與所述懸浮漏極電連接的部分相連;步驟S4:形成第二通孔及第三層金屬互連線,其中所述第二通孔位于所述第一層金屬互連線與所述懸浮漏極電連接的部分的正上方,所述第三層金屬互連線通過所述第二通孔與所述第二通孔下方的金屬互連線相連。
[0007]優(yōu)選地,步驟S4中形成第三層金屬互連線的步驟包括:沉積第三層金屬層;在所述第三層金屬層中形成露出所述多個像素單元的光電二極管的窗口。
[0008]優(yōu)選地,所述第三層金屬互連線連接至電源電壓。
[0009]優(yōu)選地,步驟S3為不形成所述第一通孔及第二層金屬互連線,所述第三層金屬互連線通過所述第二通孔和所述第一層金屬互連線與所述懸浮漏極電連接的部分相連,將所述懸浮漏極引出。
[0010]優(yōu)選地,步驟S3為形成所述第一通孔及第二層金屬互連線,所述第三層金屬互連線通過所述第二通孔和所述第二層金屬互連線相連,所述懸浮漏極未引出。
[0011]優(yōu)選地,所述多個像素單元的懸浮漏極互不相連。
[0012]優(yōu)選地,所述第一層金屬連線還包括用于連接外圍處理電路,以及連接地的部分。
[0013]優(yōu)選地,所述第二層金屬互連線通過所述第一通孔和所述第一層金屬互連線未與所述懸浮漏極電連接的部分相連。
[0014]本發(fā)明的有益效果在于,通過將第二通孔和第一層金屬互連線與接觸孔電連接的部分對準,只需對制造工藝流程稍作修改就能相應(yīng)實現(xiàn)對懸浮漏極電容的精確測量或常規(guī)感光成像像素陣列的功能,實現(xiàn)了對常規(guī)像素陣列的復(fù)用。【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器像素單元的電路示意圖;
[0016]圖2為現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器像素陣列的示意圖;
[0017]圖3為現(xiàn)有技術(shù)像素單元的版圖結(jié)構(gòu)的示意圖;
[0018]圖4為本發(fā)明的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖;
[0019]圖5為本發(fā)明的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)圖像傳感器常規(guī)感光成像像素陣列功能時的制造方法的流程圖;
[0020]圖6為本發(fā)明的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)圖像傳感器常規(guī)感光成像像素陣列功能時的版圖結(jié)構(gòu);
[0021]圖7為圖6所示的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)沿A-B方向的剖視圖;
[0022]圖8為本發(fā)明的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)懸浮漏極電容測量時的制造方法的流程圖;
[0023]圖9為本發(fā)明的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)懸浮漏極電容測量時的版圖結(jié)構(gòu);
[0024]圖10為圖9所示的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
【具體實施方式】
[0025]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂,以下結(jié)合說明書附圖,對本發(fā)明的內(nèi)容作進一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實施例,本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
[0026]其次,本發(fā)明利用示意圖進行了詳細的表述,在詳述本發(fā)明實例時,為了便于說明,示意圖不依照一般比例局部放大,不應(yīng)以此作為對本發(fā)明的限定。
[0027]下面將結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法進行詳細的說明。
[0028]首先請參考圖4,本發(fā)明的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟:
[0029]步驟S1:在襯底上形成多個像素單元的光電二極管,MOS晶體管和懸浮漏極。MOS晶體管包括傳輸管,行選管,復(fù)位管以及源極跟隨管,懸浮漏極通過傳輸管與光電二極管相連。其中光電二極管負責(zé)將光子轉(zhuǎn)換為電荷,傳輸管負責(zé)將光電二極管中產(chǎn)生的電子傳輸?shù)綉腋÷O,懸浮漏極將收集到的電荷轉(zhuǎn)換為電壓信號,源極跟隨管將電壓信號放大,行選管負責(zé)選中像素單元并將電壓信號Voutl輸出到外圍處理電路。光電二極管,MOS晶體管和懸浮漏極均可使用常規(guī)的CMOS圖像傳感器前道工藝來形成。完成步驟SI之后,跳轉(zhuǎn)至步驟S2。
[0030]步驟S2:形成接觸孔和第一層金屬互連線。該第一層金屬互連線I包括通過接觸孔與MOS晶體管和懸浮漏極電連接,將每一像素單元的懸浮漏極和對應(yīng)的MOS晶體管相連的部分,具體的是將懸浮漏極和復(fù)位管的源極以及源極跟隨器的柵極相連。此外第一層金屬連線還包括用于連接外圍處理電路,以及連接地GND的部分。較佳的,像素單元之間未共用懸浮漏極,多個像素單元的懸浮漏極彼此互不相連。完成步驟S2之后,可選擇地進行步驟S3或步驟S4。
[0031]步驟S3:可選擇地形成第一通孔及第二層金屬互連線,其中第二層金屬互連線不和第一層金屬互連線與懸浮漏極電連接的部分相連。該步驟可根據(jù)需要可選擇性地形成或不形成第一通孔及第二層金屬互連線。當(dāng)形成第一通孔和第二層金屬互連線時,由于第二層金屬互連線不和第一層金屬互連線與懸浮漏極電連接的部分相連,各懸浮漏極未通過第二層金屬互連線引出。而第二層金屬互連線可通過第一通孔和第一層金屬互連線未與懸浮漏極電連接的部分電連接,例如可與外圍處理電路相連。
[0032]步驟S4:形成第二通孔及第三層金屬互連線。其中第二通孔是位于第一層金屬互連線與懸浮漏極電連接的部分的正上方,第三層金屬互連線通過第二通孔和第二通孔下方的金屬互連線電連接。為了防止各像素單元之間的串?dāng)_和避免金屬影響光電轉(zhuǎn)換效率,第三層金屬互連線的形成方法例如是在上述形成的結(jié)構(gòu)上沉積一層金屬層,之后在金屬層中形成露出光電二極管的窗口,使第三層金屬互連線僅覆蓋像素單元的外圍非感光區(qū)域,由此在像素陣列上呈網(wǎng)格狀排列。第三層金屬互連線用于連接至電源電壓VDD。
[0033]對于步驟S3為不形成第一通孔和第二層金屬互連線的情況,第二通孔下方為第一層金屬互連線,由于第二通孔恰好對準與懸浮漏極電連接的第一層金屬互連線,且第三層金屬互連線在整個像素陣列上是全部連在一起,因此通過第二通孔將第三層金屬互連線和與懸浮漏極電連接的第一層金屬互連線相連,就實現(xiàn)了整個像素陣列上各個相互獨立的懸浮漏極的并聯(lián)和引出。通常的CMOS圖像傳感器的像素陣列都包括了幾十萬、幾百萬、甚至上千萬個像素單元,這就意味著幾十萬、幾百萬,甚至上千萬個懸浮漏極并聯(lián)在了一起,電容并聯(lián)以后得到的總電容值是單個電容值乘以并聯(lián)電容的個數(shù),雖然每個懸浮漏極的電容僅幾個fF,但通過幾十萬甚至上百萬個電容的并聯(lián),就得到一個大電容,通過電容測量儀器直接測量就可以得到電容值,再除以并聯(lián)的懸浮漏極電容個數(shù)就可以得到單個懸浮漏極的電容值。由此,形成的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)可作為懸浮漏極電容的測量結(jié)構(gòu)。
[0034]對于步驟S3為形成第一通孔及第二層金屬互連線的情況,此時,第三層金屬互連線通過第二通孔與第二層金屬互連線電連接,而由于第二層金屬互連線并未和第一層金屬互連線與各懸浮漏極電連接的部分相連,因此各懸浮漏極仍未被引出。此外,第三層金屬互連線在像素陣列中只用于連接電源電壓信號VDD,形成第二層金屬互連線和第二通孔的步驟并不會對像素陣列的功能產(chǎn)生影響,因此所形成的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)可以作為實現(xiàn)圖像傳感器的感光成像功能的像素陣列,且使用常規(guī)的制造工藝步驟就可完成。
[0035]由此,通過將第二通孔和第一層金屬互連線與接觸孔電連接的部分相對準,在本發(fā)明的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造過程中僅需對工藝步驟稍作修改就能實現(xiàn)對懸浮漏極電容的精確測量或常規(guī)感光成像像素陣列的功能,實現(xiàn)了對常規(guī)像素陣列的復(fù)用。此外,由于不需要另外設(shè)計一個用于懸浮漏極電容測量的陣列結(jié)構(gòu),節(jié)省了芯片面積。
[0036]接下來,將結(jié)合圖5至圖10詳細說明本發(fā)明的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)不同功能時的制造工藝。
[0037]首先,請參考圖5至圖7,其所示為本發(fā)明第一實施例的用于實現(xiàn)圖像傳感器常規(guī)感光成像像素陣列的結(jié)構(gòu)的制造方法,當(dāng)需要實現(xiàn)像素陣列正常的感光功能時,進行以下步驟:
[0038]步驟SlO:在襯底上形成多個像素單元的光電二極管1,MOS晶體管和懸浮漏極2。MOS晶體管包括傳輸管3,行選管5,復(fù)位管6以及源極跟隨管4,懸浮漏極2通過傳輸管3與光電二極管I相連。光電二極管1,MOS晶體管和懸浮漏極2均可使用常規(guī)的CMOS圖像傳感器前道工藝來形成。[0039]步驟Sll:形成接觸孔和第一層金屬互連線。該第一層金屬互連線包括通過接觸孔CT與MOS晶體管電和懸浮漏極2電連接的部分8,該部分的第一層金屬互連線8將每一像素單元的懸浮漏極2和對應(yīng)的MOS晶體管相連,具體的是將懸浮漏極2和復(fù)位管6的源極以及源極跟隨器4的柵極相連(如圖6所示)。此外第一層金屬連線還包括連接至外圍處理電路,以及連接至地GND的部分。較佳的,像素單元之間未共用懸浮漏極,各像素單元的懸浮漏極彼此互不相連。
[0040]步驟S12:形成第一通孔及第二層金屬互連線。第二層金屬互連線10不和第一層金屬互連線與懸浮漏極電連接的部分8相連,各懸浮漏極2未通過第二層金屬互連線10引出。第二層金屬互連線10也可通過第一通孔(圖中未示)和未與懸浮漏極電連接的第一層金屬互連線電連接,例如可與外圍處理電路相連。
[0041]步驟S13:形成第二通孔及第三層金屬互連線。請參見圖6和圖7,第二通孔11是位于第一層金屬互連線與懸浮漏極電連接的部分8的正上方并對準,第三層金屬互連線9通過第二通孔11與第二層金屬互連線10相連。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚,上述第一,第二層金屬互連線,接觸孔,第一通孔和第二通孔均形成于層間介質(zhì)層中,在此不作詳細說明。第三層金屬互連線是用于連接電源電壓信號VDD,為了防止各像素單元之間的串?dāng)_和避免金屬影響光電轉(zhuǎn)換效率,可通過沉積金屬層并在金屬層中形成露出光電二極管的窗口的方式,使第三層金屬互連線僅覆蓋像素單元的外圍非感光區(qū)域,由此在像素陣列上呈網(wǎng)格狀排列。
[0042]上述工藝步驟中所形成的第二層金屬互連線10不和第一層金屬互連線與懸浮漏極電連接的部分8相連,因此在懸浮漏極上方增加的第二層金屬互連線10和第二通孔11對像素陣列不產(chǎn)生影響,通過正常的工藝制造過程就可以實現(xiàn)常規(guī)的像素陣列的感光功倉泛。
[0043]接下來,請參考圖8至圖10,其所示為本發(fā)明第二實施例的用于實現(xiàn)像素單元懸浮漏極電容精確測量的結(jié)構(gòu)的制造方法,當(dāng)需要實現(xiàn)懸浮漏極電容測量時,進行以下步驟:
[0044]步驟S20:在襯底上形成多個像素單元的光電二極管1,MOS晶體管和懸浮漏極2。MOS晶體管包括傳輸管3,行選管5,復(fù)位管6以及源極跟隨管4,懸浮漏極2通過傳輸管3與光電二極管I相連。光電二極管1,MOS晶體管和懸浮漏極2均可使用常規(guī)的CMOS圖像傳感器前道工藝來形成。
[0045]步驟S21:形成接觸孔和第一層金屬互連線。該第一層金屬互連線包括通過接觸孔與MOS晶體管電和懸浮漏極電連接的部分8,該部分的第一層金屬互連線8將每一像素單元的懸浮漏極和對應(yīng)的MOS晶體管相連,具體的是將懸浮漏極和復(fù)位管6的源極以及源極跟隨器4的柵極相連,如圖9所示。第一層金屬互連線將各個像素單元的懸浮漏極和對應(yīng)的MOS晶體管相連,并未將各懸浮漏極引出。此外第一層金屬連線還包括連接至外圍處理電路,以及連接至地GND的部分。較佳的,多個像素單元之間的懸浮漏極彼此互不相連。
[0046]步驟S12:形成第二通孔及第三層金屬互連線。請參見圖9和圖10,第二通孔11是位于與懸浮漏極電連接的第一層金屬互連線8的正上方并與之對準,第三層金屬互連線9通過第二通孔11和第一層金屬互連線與懸浮漏極電連接的部分8相連。上述第一層金屬互連線,接觸孔,第二通孔均形成于層間介質(zhì)層中,在此不作詳細說明。第三層金屬互連線用于連接電源電壓信號VDD,為了防止各像素單元之間的串?dāng)_和避免金屬影響光電轉(zhuǎn)換效率,可以沉積金屬層并在金屬層中形成露出光電二極管的窗口的方式形成第三層金屬互連線,第三層金屬互連線僅覆蓋像素單元的外圍非感光區(qū)域,在像素陣列上呈網(wǎng)格狀排列。
[0047]與上述第一實施例相比較,本實施例在制造工藝過程中省略了第一通孔和第二層金屬互連線的工藝步驟,由于第二通孔11正好對準第一層金屬互連線和懸浮漏極電連接的部分8,使得第三層金屬互連線9可與該部分的第一層金屬互連線8電連接,而第三層金屬互連線在整個像素陣列上是全部連在一起的,由此可將整個像素陣列的各個懸浮漏極2并聯(lián)和引出,電容并聯(lián)以后得到的總電容值是單個電容值乘以并聯(lián)電容的個數(shù),雖然每個懸浮漏極的電容僅幾個fF,但通過幾十萬甚至上百萬個電容的并聯(lián),就可以得到一個大電容,通過電容測量儀器直接測量就可以得到電容值,再除以并聯(lián)的懸浮漏極電容個數(shù)就可以得到懸浮漏極的電容值。由此,本實施例所形成的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)可用作懸浮漏極電容的測量結(jié)構(gòu)。
[0048]綜上所述,本發(fā)明的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法,通過將第二通孔和第一層金屬互連線與接觸孔電連接的部分對準,只需對制造工藝流程稍作修改就能實現(xiàn)對懸浮漏極電容的精確測量或常規(guī)感光成像像素陣列的功能,實現(xiàn)了對常規(guī)像素陣列的復(fù)用。此夕卜,由于不需要另外設(shè)計一個用于懸浮漏極電容測量的陣列結(jié)構(gòu),節(jié)省了芯片面積。
[0049]雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上,然所述諸多實施例僅為了便于說明而舉例而已,并非用以限定本發(fā)明,本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動與潤飾,本發(fā)明所主張的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準。
【權(quán)利要求】
1.一種用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,包括以下步驟: 步驟S1:在襯底上形成多個像素單元的光電二極管、MOS晶體管和懸浮漏極; 步驟S2:形成接觸孔和第一層金屬互連線,所述第一層金屬互連線包括通過所述接觸孔與所述MOS晶體管和所述懸浮漏極電連接的部分; 步驟S3:可選擇地形成第一通孔及第二層金屬互連線,其中所述第二層金屬互連線未和所述第一層金屬互連線與所述懸浮漏極電連接的部分相連; 步驟S4:形成第二通孔及第三層金屬互連線,其中所述第二通孔位于所述第一層金屬互連線與所述懸浮漏極電連接的部分的正上方,所述第三層金屬互連線通過所述第二通孔與所述第二通孔下方的金屬互連線電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,步驟S4中形成第三層金屬互連線的步驟包括: 沉積第三層金屬層; 在所述第三層金屬層中形成露出所述多個像素單元的光電二極管的窗口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述第三層金屬互連線連接至電源電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,步驟S3為不形成所述第一通孔及第二層金屬互連線,所述第三層金屬互連線通過所述第二通孔和所述第一層金屬互連線與所述懸浮漏極電連接的部分相連,將所述懸浮漏極引出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,步驟S3為形成所述第一通孔及第二層金屬互連線,所述第三層金屬互連線通過所述第二通孔和所述第二層金屬互連線相連,所述懸浮漏極未引出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述多個像素單元的懸浮漏極互不相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述第一層金屬連線還包括用于連接外圍處理電路,以及連接地的部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述第二層金屬互連線通過所述第一通孔和所述第一層金屬互連線未與所述懸浮漏極電連接的部分相連。
【文檔編號】H01L27/146GK103681722SQ201310747025
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】顧學(xué)強, 周偉, 陳力山 申請人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1