技術(shù)編號(hào)：7016223
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，其包括在襯底上形成多個(gè)像素單元的光電二極管、MOS晶體管和懸浮漏極；形成接觸孔和第一層金屬互連線，所述第一層金屬互連線包括通過(guò)所述接觸孔與所述MOS晶體管和所述懸浮漏極電連接的部分；可選擇地形成第一通孔及第二層金屬互連線，其中所述第二層金屬互連線未和所述第一層金屬互連線與所述懸浮漏極電連接的部分相連；以及形成第二通孔及第三層金屬互連線，其中所述第二通孔位于所述第一層金屬互連線與所述懸浮漏極電連接的部分的正上方，所述第三層金屬互連線通過(guò)所述第二...
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