一種過孔及其制作方法、陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種過孔及其制作方法、陣列基板，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠改善過孔技術(shù)中接觸電阻偏大及斷路的問題。該過孔包括在基板上依次形成有第一電極和金屬層；金屬層與第一電極電連接。在金屬層的表面依次形成有絕緣層和第二電極，在絕緣層的表面設(shè)置有過孔，第二電極通過該過孔與金屬層電連接。
【專利說明】一種過孔及其制作方法、陣列基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種過孔及其制作方法、陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管-液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點，而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003]TFT-LCD顯示面板的制造工藝包括:制造陣列(Array )基板和彩膜(Co I orFilter)基板，然后再將陣列基板和彩膜基板進行對位、成盒(Cell)。如圖1所示，典型的TFT陣列基板包括透明基板11以及依次位于透明基板11表面上柵極120、柵極絕緣層13、有源層14、位于有源層14兩側(cè)的漏極121和源級122、位于有源層14、漏極121和源級122表面上的鈍化層15、位于鈍化層15表面的IT016 (Indium tin oxide,氧化銦錫)。
[0004]在陣列基板的制作過程中，陣列基板上的布線設(shè)計是一項十分重要的內(nèi)容。其中，在數(shù)據(jù)線、柵線以及公共電極線等不同層級的膜層之間需要通過過孔實現(xiàn)相互電連接。例如，在鈍化層15的表面設(shè)置有過孔，以使得IT016與薄膜晶體管的漏極121導(dǎo)通。并且考慮到像素開口率的因素，可將該過孔設(shè)置為如圖1所示的半過孔20。該半過孔20表面的IT016的一部分搭接在漏極121的表面上，另一部分搭接在半過孔20底部柵極絕緣層13的表面，采用這樣一種半過孔可以增大像素開口率。
[0005]然而，現(xiàn)有技術(shù)中的半過孔存在以下缺陷:一方面，由于半過孔處相互接觸的膜層之間的接觸面積較小，導(dǎo)致其接觸電阻增大。如圖1所示，半過孔20處透明電極16與漏極121的接觸面積減小，因此其接觸電阻會相應(yīng)的上升，這樣一來TFT的導(dǎo)電性能會下降使得TFT的充電時間延長；另一方面，半過孔處的膜層邊緣存在一定的斷差，如圖1中，半過孔20處漏極121存在斷差，當(dāng)該斷差處的坡度角較大或者因為刻蝕工藝出現(xiàn)倒角時，位于漏極121坡度角或者倒角處的IT016會發(fā)生斷路，使得漏極121與IT016無法連接。從而影響顯示器件的性能，降低產(chǎn)品質(zhì)量。當(dāng)然，其他類型的過孔中也會存在上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實施例提供一種過孔及其制作方法、陣列基板。能夠改善過孔技術(shù)中接觸電阻偏大及斷路的問題。
[0007]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0008]本發(fā)明實施例的一方面提供一種過孔的制作方法，包括:
[0009]在基板上通過構(gòu)圖工藝形成第一電極的圖案；
[0010]在形成有所述第一電極圖案的基板表面形成有金屬層；所述金屬層與所述第一電極的圖案電連接；
[0011]在形成有所述金屬層的基板表面形成絕緣層；
[0012]在所述絕緣層的表面通過構(gòu)圖工藝形成過孔；[0013]在形成有所述過孔的基板表面通過構(gòu)圖工藝形成第二電極的圖案；
[0014]其中，所述第二電極通過所述過孔與所述金屬層電連接。
[0015]本發(fā)明實施例的另一方面提供一種過孔，包括:
[0016]在基板上形成有第一電極；
[0017]在所述第一電極的表面形成有金屬層；所述金屬層與所述第一電極電連接；
[0018]在所述金屬層的表面形成有絕緣層；
[0019]在所述絕緣層的表面形成有過孔；
[0020]在所述過孔的表面形成有第二電極；
[0021 ] 其中，所述第二電極通過所述過孔與所述金屬層電連接。
[0022]本發(fā)明實施例的又一方面提供一種陣列基板，包括如上所述的任意一種過孔。
[0023]本發(fā)明實施例提供一種過孔及其制作方法、陣列基板。該過孔包括在基板上依次形成有第一電極和金屬層；金屬層與第一電極電連接。在金屬層的表面依次形成有絕緣層和第二電極，在絕緣層的表面設(shè)置有過孔，第二電極通過該過孔與金屬層電連接。這樣一來，可以減小過孔的深度，并增大相互電連接的膜層之間的接觸面積，從而改善過孔技術(shù)中接觸電阻偏大及斷路的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種過孔的制作工藝流程圖；
[0027]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4為本發(fā)明實施例提供的另一種過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明實施例提供的又一種過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0031]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0032]本發(fā)明實施例提供一種過孔的制作方法，如圖2所示，包括:
[0033]S101、如圖3所示，在基板10上通過構(gòu)圖工藝形成第一電極21的圖案。
[0034]S102、在形成有第一電極21圖案的基板表面形成有金屬層22 ;金屬層22與第一電極21的圖案電連接。
[0035]S103、在形成有金屬層22的基板表面形成絕緣層23。
[0036]S104、在絕緣層23的表面通過構(gòu)圖工藝形成過孔24。[0037]S105、在形成有過孔24的基板表面通過構(gòu)圖工藝形成第二電極25的圖案。
[0038]其中，第二電極25通過過孔24與金屬層22電連接。
[0039]需要說明的是，本發(fā)明實施例中的構(gòu)圖工藝，可以指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0040]本發(fā)明實施例提供一種過孔及其制作方法、陣列基板。該過孔的制作方法包括在基板上依次形成第一電極和金屬層的圖案；金屬層與第一電極的圖案電連接。在金屬層圖案的表面依次形成絕緣層和第二電極的圖案，在絕緣層圖案的表面形成過孔，第二電極通過該過孔與金屬層電連接。這樣一來，可以減小過孔的深度，并增大相互電連接的膜層之間的接觸面積，從而改善過孔技術(shù)中接觸電阻偏大及斷路的問題。
[0041]進一步地，如圖4所示，在絕緣層23的表面通過構(gòu)圖工藝形成過孔24的方法還可以包括:
[0042]在絕緣層23的表面對應(yīng)金屬層22和第一電極21的位置通過構(gòu)圖工藝形成過孔24。
[0043]其中，第二電極25通過過孔24與第一電極21和金屬層22電連接。
[0044]需要說明的是，上述絕緣層23的表面對應(yīng)金屬層22和第一電極21的位置具體是指通過構(gòu)圖工藝例如刻蝕工藝在絕緣層23的表面形成的過孔24的底部露出部分金屬層22和第一電極21。這樣一來，在接下來的步驟中，形成于絕緣層23表面的第二電極25的圖案可以覆蓋該過孔24，并通過過孔24與金屬層22和第一電極21均電連接。
[0045]需要說明的是上述過孔24為半過孔，通過該半過孔可以實現(xiàn)第二電極25與金屬層22電連接的同時不僅可以提高開口率，而且可以增加金屬層22與第一電極21以及第二電極25的接觸面積，這樣一來可以減小金屬層22與電極之間的接觸電阻，從而提升陣列基板的導(dǎo)電性能。此外，由于該半過孔處的金屬層22雖然存在斷差，當(dāng)該斷差處的坡度角較大或者因為刻蝕工藝出現(xiàn)倒角時，會導(dǎo)致位于金屬層22坡度角或者倒角處的第二電極25發(fā)生斷路，這時金屬層22任然可以通過第一電極21與第二電極25相連接，從而避免陣列基板發(fā)生斷路。
[0046]或者，如圖5所示，在絕緣層23的表面通過構(gòu)圖工藝形成過孔24的方法還可以包括:
[0047]在絕緣層23的表面對應(yīng)第一電極21的位置通過構(gòu)圖工藝形成過孔24。
[0048]其中，第二電極25通過過孔24與第一電極21電連接。
[0049]需要說明的是，絕緣層23的表面對應(yīng)第一電極21圖案的位置具體是指通過構(gòu)圖工藝例如刻蝕工藝在絕緣層23的表面形成的過孔24的底部露出部分第一電極21的圖案。這樣一來，在接下來的步驟中，形成于絕緣層23表面的第二電極25的圖案可以覆蓋該過孔24，并通過過孔24與第一電極21的圖案電連接。這樣一來，不僅可以實現(xiàn)第二電極25與金屬層22的電連接，而且可以通過增大金屬層22與第一電極21的接觸面積以及第一電極21與第二電極25的接觸面積來減小相互電連接膜層之間的接觸電阻。從而提升陣列基板的導(dǎo)電性能。此外，由于第二電極25與基板10之間具有第一電極21，使得過孔24的斷差減小，從而減小了過孔倒角處的第二電極25發(fā)生斷裂的幾率，進而提高了陣列基板的質(zhì)量。[0050]優(yōu)選的，第一電極21與第二電極25均可以為透明導(dǎo)電材料。例如:氧化銦錫(Indium Tin Oxide,簡稱 ITO)。
[0051]進一步地，第一電極21可以包括至少一個膜層。由于第一電極21與金屬層22之間可以電連接，因此，第一電極21靠近金屬層22這一側(cè)的膜層具有導(dǎo)電的功能。這樣一來，在保證第一電極21與金屬層22電連接的前提下，本領(lǐng)域技術(shù)人員在生產(chǎn)加工過程中，可以根據(jù)實際需要來增減第一電極21中膜層的數(shù)量，從而可以控制過孔24的深度。
[0052]本發(fā)明實施例提供一種過孔，如圖3所示，包括:
[0053]在基板10上形成有第一電極21。
[0054]在第一電極21的表面形成有金屬層22 ;該金屬層22與第一電極21電連接。
[0055]在金屬層22的表面形成有絕緣層23。
[0056]在絕緣層23的表面形成有過孔24。
[0057]在過孔24的表面形成有第二電極25。
[0058]其中，第二電極25通過過孔24與金屬層22電連接。
[0059]本發(fā)明實施例提供一種過孔。該過孔包括在基板上依次形成有第一電極和金屬層；金屬層與第一電極電連接。在金屬層的表面依次形成有絕緣層和第二電極的圖案，在絕緣層的表面形成有過孔，第二電極通過該過孔與金屬層電連接。這樣一來，可以減小過孔的深度，并增大相互電連接的膜層之間的接觸面積，從而改善過孔技術(shù)中接觸電阻偏大及斷路的問題。
[0060]進一步地，如圖4所示，過孔24的位置與金屬層22和第一電極21的位置相對應(yīng)。
[0061]其中，第二電極25通過過孔24與第一電極21和金屬層22電連接。
[0062]需要說明的是，過孔24的位置與金屬層22和第一電極21的位置相對應(yīng)具體是指通過構(gòu)圖工藝例如刻蝕工藝在絕緣層23的表面形成的過孔24的底部露出部分金屬層22和第一電極21。這樣一來，在接下來的步驟中，形成于絕緣層23表面的第二電極25的圖案可以覆蓋該過孔24，并通過過孔24與金屬層22和第一電極21均電連接。
[0063]需要說明的是上述過孔24為半過孔，通過該半過孔可以實現(xiàn)第二電極25與金屬層22電連接的同時不僅可以提高開口率，而且可以增加金屬層22與第一電極21以及第二電極25的接觸面積，這樣一來可以減小金屬層22與電極之間的接觸電阻，從而提升陣列基板的導(dǎo)電性能。此外，由于該半過孔處的金屬層22雖然存在斷差，當(dāng)該斷差處的坡度角較大或者因為刻蝕工藝出現(xiàn)倒角時，會導(dǎo)致位于金屬層22坡度角或者倒角處的第二電極25發(fā)生斷路，這時金屬層22任然可以通過第一電極21與第二電極25相連接，從而避免陣列基板發(fā)生斷路。
[0064]或者，如圖5所示，過孔24的位置與第一電極21的位置相對應(yīng)。
[0065]其中，第二電極25通過過孔24與第一電極21電連接。
[0066]需要說明的是，過孔24的位置與第一電極21的位置相對應(yīng)具體是指通過構(gòu)圖工藝例如刻蝕工藝在絕緣層23的表面形成的過孔24的底部露出部分第一電極21的圖案。這樣一來，在接下來的步驟中，形成于絕緣層23表面的第二電極25的圖案可以覆蓋該過孔24，并通過過孔24與第一電極21的圖案電連接。這樣一來，不僅可以實現(xiàn)第二電極25與金屬層22的電連接，而且可以通過增大金屬層22與第一電極21的接觸面積以及第一電極21與第二電極25的接觸面積來減小相互電連接膜層之間的接觸電阻。從而提升陣列基板的導(dǎo)電性能。此外，由于第二電極25與基板10之間具有第一電極21，使得過孔24的斷差減小，從而減小了過孔倒角處的第二電極25發(fā)生斷裂的幾率，進而提高了陣列基板的質(zhì)量。
[0067]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括如上所述的任意一種過孔。具有與本發(fā)明前述實施例提供的過孔具有相同的有益效果，由于過孔在前述實施例中已經(jīng)進行了詳細說明，此處不再贅述。
[0068]本發(fā)明實施例提供陣列基板。該陣列基板包括過孔，該過孔包括在基板上依次形成有第一電極和金屬層；金屬層與第一電極電連接。在金屬層的表面依次形成有絕緣層和第二電極，在絕緣層的表面設(shè)置有過孔，第二電極通過該過孔與金屬層電連接。這樣一來，可以減小過孔的深度，并增大相互電連接的膜層之間的接觸面積，從而改善過孔技術(shù)中接觸電阻偏大及斷路的問題。
[0069]進一步地,如圖6所示,上述陣列基板還包括:
[0070]在透明基板11的表面形成有柵極120。
[0071]在柵極120的表面依次形成有柵極絕緣層13、有源層14。
[0072]在柵極絕緣層13的表面形成有第一電極21。
[0073]在有源層14的表面兩側(cè)形成有源級122和漏極121。
[0074]在形成有上述圖案的基板表面覆蓋有鈍化層15。
[0075]在鈍化層15的表面對應(yīng)第一電極21以及漏極121的位置設(shè)置有過孔24。
[0076]在設(shè)置有過孔24的基板表面形成有第二電極25。
[0077]其中，過孔24為半過孔，第二電極25通過該半過孔與第一電極21和漏極121電連接。
[0078]上述的陣列基板上，半過孔處的TFT漏極121位于第一電極21與第二電極25之間，暴露于半過孔內(nèi)的TFT漏極121被上述電極包圍。這樣一來，可以在提高開口率的同時，增大TFT漏極121與第一、第二電極之間的接觸面積，從而降低相互電連接的膜層之間的接觸電阻，提升TFT的導(dǎo)電性能。此外，由于該半過孔處的漏極121存在斷差，當(dāng)該斷差處的坡度角較大或者因為刻蝕工藝出現(xiàn)倒角時，會導(dǎo)致位于漏極121坡度角或者倒角處的第二電極25發(fā)生斷路，這時漏極121任然可以通過第一電極21與第二電極25相連接，從而保證TFT能夠正常工作。
[0079]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種過孔的制作方法，其特征在于，包括: 在基板上通過構(gòu)圖工藝形成第一電極的圖案； 在形成有所述第一電極圖案的基板表面形成有金屬層；所述金屬層與所述第一電極的圖案電連接； 在形成有所述金屬層的基板表面形成絕緣層； 在所述絕緣層的表面通過構(gòu)圖工藝形成過孔； 在形成有所述過孔的基板表面通過構(gòu)圖工藝形成第二電極的圖案； 其中，所述第二電極通過所述過孔與所述金屬層電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述絕緣層的表面通過構(gòu)圖工藝形成過孔的方法還包括: 在所述絕緣層的表面對應(yīng)所述金屬層和所述第一電極的位置通過構(gòu)圖工藝形成過孔； 其中，第二電極通過所述過孔與所述第一電極和所述金屬層電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述絕緣層的表面通過構(gòu)圖工藝形成過孔的方法還包括: 在所述絕緣層的表面對應(yīng)所述第一電極的位置通過構(gòu)圖工藝形成所述過孔； 其中，所述第二電極通過所述過孔與所述第一電極電連接。`
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述制作方法，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極均為透明導(dǎo)電材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一電極層包括至少一個膜層。
6.一種過孔，其特征在于，包括: 在基板上形成有第一電極； 在所述第一電極的表面形成有金屬層；所述金屬層與所述第一電極電連接； 在所述金屬層的表面形成有絕緣層； 在所述絕緣層的表面形成有過孔； 在所述過孔的表面形成有第二電極； 其中，所述第二電極通過所述過孔與所述金屬層電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的過孔，其特征在于，所述過孔的位置與所述金屬層和所述第一電極的位置相對應(yīng)； 所述第二電極通過所述過孔與所述第一電極和所述金屬層電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的過孔，其特征在于，所述過孔的位置與所述第一電極的位置相對應(yīng)； 所述第二電極通過所述過孔與所述第一電極電連接。
9.一種陣列基板，其特征在于，包括:如權(quán)利要求6-9任一項所述的過孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 在透明基板的表面形成有柵極； 在所述柵極的表面依次形成有柵極絕緣層、有源層； 在所述柵極絕緣層的表面形成有第一電極； 在所述有源層的表面兩側(cè)形成有源級和漏極；在形成有上述圖案的基板表面覆蓋有鈍化層；在所述鈍化層的表面對應(yīng)所述第一電極以及所述漏極的位置設(shè)置有所述過孔；在設(shè)置有所述過孔的基板表面形成有第二電極；其中， 所述第二電極通過所述過孔與所述第一電極和所述漏極電連接。
【文檔編號】H01L27/12GK103715135SQ201310689054
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年12月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月16日
【發(fā)明者】封賓 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司