降低硅凹陷的光阻去除工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種降低硅凹陷的光阻去除工藝,在對襯底表面的光阻進行去除時，采用洗凈溶液對所述襯底表面的光阻進行濕法去除工藝去除光阻，其中，所述洗凈溶液包括H2SO4溶液和H2O2溶液，預先加熱H2SO4溶液至其溫度高于150℃，然后向光阻噴灑溫度高于150℃的H2SO4溶液的同時，向光阻噴灑H2O2溶液。采用本發(fā)明的光阻去除工藝，可以有效降低硅凹陷，減少摻雜損耗，從而可以制成穩(wěn)定且性能較高的半導體器件，且該工藝簡單可控，能夠滿足工藝的需求，同時降低了生產(chǎn)成本。
【專利說明】降低硅凹陷的光阻去除工藝【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種降低硅凹陷的光阻去除工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導體器件制造工藝中，利用光刻過程將印在光掩模上的圖形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到襯底的表面上。在光刻過程中，首先將光阻旋轉(zhuǎn)涂布在襯底上，然后對其進行軟烘干，接著對涂布有光阻的晶片進行光刻和顯影，然后采用干法刻蝕對襯底進行蝕刻，使得光阻上的圖形深入到襯底中。在完成襯底蝕刻之后，已經(jīng)不再需要光阻作保護層，可以將其除去。傳統(tǒng)會采用灰化加濕法清洗的工藝將該光阻的去除，但該方法會對所接觸到的固有的硅層造成損害，即娃凹陷(Si Recess)。隨著器件尺寸的越來越小,娃凹陷帶來的影響越來越大,尤其是對于類似輕摻雜漏(LDD)的制程，在40nm以下的邏輯器件的制造過程中，由于LDD制程造成的硅凹陷已經(jīng)會對器件的穩(wěn)定性造成相當大的影響，同時，隨著關(guān)鍵尺寸的減小，灰化工藝已經(jīng)到達其工藝極限。需要尋找新的光阻去除工藝，以達到穩(wěn)定且性能高的器件。
[0003]例如圖1a-1c所示的傳統(tǒng)典型的輕摻雜漏(LDD)光阻去除的基本過程，在襯底I上不需要進行離子摻雜的區(qū)域覆蓋光阻2，首先通過離子注入技術(shù)對未被光阻2覆蓋區(qū)域進行離子摻雜，在摻雜完畢后，需要對光阻2進行去除，去除光阻2會先后采用灰化(asher)和濕法清洗的步驟?；一惺褂玫闹饕獨怏w是氧氣，在灰化過程中，沒有被光阻覆蓋的區(qū)域的硅層暴露在氧氣中，于是，表面的硅層被氧化或出現(xiàn)晶格破壞現(xiàn)象。在整個摻雜漏制程處理中，源漏區(qū)的硅都會出現(xiàn)氧化和晶格破壞(如圖1b所示);灰化處理后，需要進行的濕法清洗步驟對于氧化物有較強的去除能力，于是，該氧化的硅層就會在濕法清洗步驟中被消除，從而造成了硅凹陷和摻雜損失(如圖1c所示)。一般地，在整個摻雜漏過程中會造成的硅凹陷可達到3~4nm.隨著關(guān)鍵尺寸40nm以下技術(shù)節(jié)點的半導體工藝而言，這種程度的硅凹陷和摻雜損失已經(jīng)會明顯地影響器件的特性和可靠性。
[0004]中國專利(公開`號:CN102427039A)公開了一種光阻去除方法，應用于MM電容制作工藝，該光阻去除方法包括:在晶片表面形成光阻層，并對覆蓋光阻層的晶片進行曝光和顯影；當需要去除所述光阻層時，采用至少一種有機溶劑對所述光阻層進行濕法刻蝕，以去除晶片表面的光阻層。該發(fā)明光阻去除方法改變了傳統(tǒng)工藝中的干法刻蝕去除光阻的步驟，避免了產(chǎn)品表面形成不易刻蝕的氧化物，此外能夠更加有效地去除光阻，從而提高了產(chǎn)品良率。
[0005]中國專利(
【發(fā)明者】李芳 , 劉文燕, 方精訓 申請人:上海華力微電子有限公司