半導(dǎo)體裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提高半導(dǎo)體裝置的耐性。實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括：第一電極；第二電極；第一導(dǎo)電類型的多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，在相對(duì)從所述第一電極朝向所述第二電極的第一方向交叉的第二方向上排列；第一導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，包圍所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域，雜質(zhì)濃度高于所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度；以及第二導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第一電極、與所述第二電極、所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域、以及所述第二半導(dǎo)體區(qū)域之間，與所述第一電極肖特基連接。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體裝置
[0001]本申請(qǐng)享受以日本專利申請(qǐng)2013-159637號(hào)(申請(qǐng)日:2013年7月31日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包括基礎(chǔ)申請(qǐng)的所有內(nèi)容。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置。

【背景技術(shù)】
[0003]由于使η型半導(dǎo)體層和金屬接觸的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)是單極元件，所以在通電狀態(tài)下在陽(yáng)極/陰極之間流過(guò)電子電流。作為將這樣的SBD的耐壓設(shè)定得較高的方法之一，有將η型半導(dǎo)體層的電阻率設(shè)定得較高的方法。但是，如果將η型半導(dǎo)體層的電阻率設(shè)定得較高，則正向電壓(Vf)變高。另外，在流過(guò)了浪涌正向電流的情況下，大電流區(qū)域中的正向電壓變大，在元件內(nèi)產(chǎn)生熱，有由于該熱導(dǎo)致元件破壞的可能性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明想要解決的問(wèn)題在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)大電流的通電，且耐性高的半導(dǎo)體
>J-U ρ?α裝直。
[0005]實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括:第一電極；第二電極；第一導(dǎo)電類型的多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，在相對(duì)從所述第一電極朝向所述第二電極的第一方向交叉的第二方向上排列；第一導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，包圍所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域，雜質(zhì)濃度高于所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度；以及第二導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第一電極、與所述第二電極、所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域、以及所述第二半導(dǎo)體區(qū)域之間，與所述第一電極肖特基連接。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1 (a)是示出第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意性的俯視圖，圖1 (b)是示出第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意性的剖面圖。
[0007]圖2 (a)以及圖2 (b)是示出第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖。
[0008]圖3 (a)以及圖3 (b)是示出第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖。
[0009]圖4 (a)是示出第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意性的剖面圖。圖4(b)是示出第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖。
[0010]圖5 Ca)是示出第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖，圖5 (b)是示出第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖。
[0011]圖6 (a)是示出第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意性的剖面圖，圖6 (b)是示出第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖，圖6 (c)是示出第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖。
[0012]圖7 (a)是示出第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的第一例的示意性的剖面圖，圖7 (b)是示出第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的第二例的示意性的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0013]以下，一邊參照附圖，一邊說(shuō)明實(shí)施方式。在以下的說(shuō)明中，對(duì)相同部件附上相同符號(hào)，關(guān)于曾說(shuō)明過(guò)的部件，適宜省略其說(shuō)明。另外，在實(shí)施方式中，將導(dǎo)入了 P+型、P型等的雜質(zhì)的半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型設(shè)為第一導(dǎo)電類型，將導(dǎo)入了 n+型、η型等的雜質(zhì)的半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型設(shè)為第二導(dǎo)電類型。P+型表示濃度高于P型的意思。η+型表示濃度高于η型的意思。
[0014](第一實(shí)施方式)
[0015]圖1 (a)是示出第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意性的俯視圖，圖1 (b)是示出第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意性的剖面圖。另外，在圖1 (a)中，省略了陽(yáng)極電極11、絕緣層50、以及接合線90。
[0016]圖1 (a)示出沿著圖1 (b)的B-B’線的位置處的切剖面。圖1 (b)示出沿著圖1 Ca)的A-A’線的位置處的切剖面。
[0017]圖1 (a)以及圖1 (b)所示的半導(dǎo)體裝置I具有肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)。半導(dǎo)體裝置I包括陽(yáng)極電極11 (第一電極)、陰極電極10 (第二電極)、多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31(第一半導(dǎo)體區(qū)域)、P+型半導(dǎo)體區(qū)域32 (第二半導(dǎo)體區(qū)域)、η型半導(dǎo)體層21 (第一半導(dǎo)體層)、以及η+型半導(dǎo)體層20。另外，圖1(b)顯示與陽(yáng)極電極11接合的接合線90。以下，說(shuō)明這些部位的詳細(xì)情況。
[0018]在實(shí)施方式中，將從陰極電極10朝向陽(yáng)極電極11的方向設(shè)為Z方向(第一方向)。另外，將與Z方向交叉的方向設(shè)為X方向，將與X方向和Z方向交叉的方向設(shè)為Y方向(第二方向)。
[0019]在Y方向上設(shè)置了多個(gè)的P型半導(dǎo)體區(qū)域31是低濃度的P型層。P型半導(dǎo)體區(qū)域31位于陽(yáng)極電極11與陰極電極10之間，與陽(yáng)極電極11接觸。P型半導(dǎo)體區(qū)域31在X方向上條狀地延伸。
[0020]P型半導(dǎo)體區(qū)域31的每一個(gè)也可以在X方向以及Y方向的二維平面中島狀排列。另外，島狀地排列的情況下的每一個(gè)島的平面形狀既可以是多邊形，也可以是圓。
[0021]ρ+型半導(dǎo)體區(qū)域32是高濃度的P+型層。P+型半導(dǎo)體區(qū)域32位于陽(yáng)極電極11與陰極電極10之間，與陽(yáng)極電極11接觸。P+型半導(dǎo)體區(qū)域32的雜質(zhì)濃度高于多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的雜質(zhì)濃度。例如，P+型半導(dǎo)體區(qū)域32與陽(yáng)極電極11歐姆接觸。
[0022]圖1 (a)所示的P+型半導(dǎo)體區(qū)域32被設(shè)置為包圍P型半導(dǎo)體區(qū)域31。p+型半導(dǎo)體區(qū)域32與陰極電極10之間的距離比多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31與陰極電極10之間的距離短。在圖1 (a)中，例示了環(huán)狀的P+型半導(dǎo)體區(qū)域32，但P+型半導(dǎo)體區(qū)域32的構(gòu)造也可以是其各處被間斷的構(gòu)造。
[0023]η型半導(dǎo)體層21是低濃度的η型層。η型半導(dǎo)體層21設(shè)置于陽(yáng)極電極11、與陰極電極10、多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31、以及P+型半導(dǎo)體區(qū)域32之間。η型半導(dǎo)體層21與陽(yáng)極電極11肖特基連接。在半導(dǎo)體裝置I中，在截止時(shí)在陽(yáng)極電極11與η型半導(dǎo)體層21之間形成肖特基勢(shì)壘。另外，η型半導(dǎo)體層21與多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的每一個(gè)接觸。由此，半導(dǎo)體裝置I具有由η型半導(dǎo)體層21和P型半導(dǎo)體區(qū)域31形成的ρη結(jié)部。
[0024]η+型半導(dǎo)體層20是高濃度的η+型層。η+型半導(dǎo)體層20設(shè)置于η型半導(dǎo)體層21與陰極電極10之間。η+型半導(dǎo)體層20與陰極電極10歐姆接觸。
[0025]在陽(yáng)極電極11、與η型半導(dǎo)體層21以及ρ+型半導(dǎo)體區(qū)域32之間，設(shè)置了絕緣層50。絕緣層50包含例如氧化硅(Si02)。
[0026]P型半導(dǎo)體區(qū)域31、p+型半導(dǎo)體區(qū)域32、η型半導(dǎo)體層21、以及η.型半導(dǎo)體層20各自的材料包含例如硅晶體(Si)。并且，在各個(gè)硅晶體中，導(dǎo)入了雜質(zhì)元素。在該情況下，作為P+型、P型等導(dǎo)電類型(第一導(dǎo)電類型)的雜質(zhì)元素，例如，應(yīng)用硼(B)、Ga (鎵)、A1 (招)等。作為n+型、η型等導(dǎo)電類型(第二導(dǎo)電類型)的雜質(zhì)元素，例如，應(yīng)用磷(P)、砷(As)、N(氮)等。
[0027]另外，半導(dǎo)體的材料并不限于硅，P型半導(dǎo)體區(qū)域31、ρ+型半導(dǎo)體區(qū)域32、η型半導(dǎo)體層21、以及η.型半導(dǎo)體層20的每一個(gè)也可以例如包含碳化硅晶體(SiC)。
[0028]在半導(dǎo)體的材料是硅的情況下，P+型層以及n+型層中包含的雜質(zhì)元素的濃度是3X 117Catoms.αιΓ3)以上。p型層以及η型層中包含的雜質(zhì)濃度是例如3X 117Catoms.αιΓ3)以下。
[0029]關(guān)于P+型層、η+型層、P型層、以及η型層的雜質(zhì)濃度，能夠根據(jù)元件的耐壓設(shè)計(jì)而設(shè)定為任意的雜質(zhì)濃度。
[0030]在實(shí)施方式中，“雜質(zhì)元素的濃度(雜質(zhì)濃度)”是指對(duì)半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性作出貢獻(xiàn)的雜質(zhì)元素的有效的濃度。例如，在半導(dǎo)體材料中含有作為施主的雜質(zhì)元素和作為受主的雜質(zhì)元素的情況下，將活性化了的雜質(zhì)元素中的、除了施主與受主的抵消量以外的濃度設(shè)為雜質(zhì)濃度。
[0031]陰極電極10的材料以及陽(yáng)極電極11的材料例如包括從鋁(Al)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鶴(W)、金(Au)等的組中選擇的至少I個(gè)。
[0032]說(shuō)明半導(dǎo)體裝置I的動(dòng)作。
[0033]在實(shí)施方式中，將基于陽(yáng)極電極11與η型半導(dǎo)體層21之間的肖特基接合的能量位壘稱為肖特基位壘。另外，將基于P+型半導(dǎo)體區(qū)域32與η型半導(dǎo)體層21之間的ρη結(jié)的能量位魚稱為ρη能量位魚。
[0034]在半導(dǎo)體裝置I中，ρη能量位壘被設(shè)定為與肖特基位壘相同的高度、或者ρη能量位壘高于肖特基位壘。在以下的說(shuō)明中，作為一個(gè)例子，說(shuō)明被設(shè)定為ρη能量位壘高于肖特基位壘的情況。
[0035]圖2 (a)以及圖2 (b)是示出第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖。
[0036]如圖2 (a)所示，以使陽(yáng)極電極11的電位高于陰極電極10的電位的方式，對(duì)陰極/陽(yáng)極之間施加電壓(V1)15即，對(duì)陰極/陽(yáng)極之間施加正偏置。在該情況下，陽(yáng)極電極11與η型半導(dǎo)體層21之間的肖特基位壘變低，從陰極電極10注入到η+型半導(dǎo)體層20的電子ei經(jīng)由η型半導(dǎo)體層21流入到陽(yáng)極電極11。
[0037]在該階段中，在P+型半導(dǎo)體區(qū)域32與η型半導(dǎo)體層21之間不流過(guò)電流。在半導(dǎo)體裝置I中，調(diào)整P+型半導(dǎo)體區(qū)域32的雜質(zhì)濃度和η型半導(dǎo)體層21的雜質(zhì)濃度，以使得即使對(duì)陰極/陽(yáng)極之間施加電壓(V1),在P+型半導(dǎo)體區(qū)域32與η型半導(dǎo)體層21之間的ρη結(jié)之間也不流過(guò)電流。
[0038]接下來(lái)，如圖2(b)所示，以使陽(yáng)極電極11的電位高于陰極電極10的電位的方式，對(duì)陰極/陽(yáng)極之間施加更高的電壓(V2)。即，(^的絕對(duì)值)> (%的絕對(duì)值)。
[0039]在該情況下，陽(yáng)極電極11與η型半導(dǎo)體層21之間的肖特基位壘進(jìn)一步變低。由此，從陰極電極10注入到η+型半導(dǎo)體層20的電子ei經(jīng)由η型半導(dǎo)體層21流入到陽(yáng)極電極11。
[0040]另一方面，在陰極/陽(yáng)極之間施加了電壓(V2)的情況下，P+型半導(dǎo)體區(qū)域32與η型半導(dǎo)體層21之間的ρη能量位壘也變低。由此，從高濃度的P+型半導(dǎo)體區(qū)域32向η型半導(dǎo)體層21注入載流子(空穴h)。
[0041]如果該載流子被注入到η型半導(dǎo)體層21，則在注入了載流子的η型半導(dǎo)體層21的部分中，引起對(duì)于電子而言η型半導(dǎo)體層21的電阻變低的電導(dǎo)率調(diào)制。因此，注入了載流子的η型半導(dǎo)體層21的部分為對(duì)于電子而言低電阻的層，成為電子更易于流過(guò)的狀態(tài)。在圖中，用電子62表示流過(guò)該部分的電子。S卩，在圖2 (b)的狀態(tài)下，相比于圖2 (a)的狀態(tài)，能夠從陰極電極10注入到n+型半導(dǎo)體層20的電子的數(shù)量增加。換言之，在圖2 (b)的狀態(tài)下，相比于圖2 Ca)的狀態(tài)，在陰極/陽(yáng)極電極之間流過(guò)的電流增加。
[0042]這樣，根據(jù)半導(dǎo)體裝置1，能夠在施加正偏置時(shí)利用電導(dǎo)率調(diào)制來(lái)使得在陰極/陽(yáng)極電極之間流過(guò)大電流。另外，即使ρη能量位壘和肖特基位壘是相同的高度，通過(guò)電壓(V2)的施加也得到圖2 (b)所示的狀態(tài)。
[0043]圖3 (a)以及圖3 (b)是示出第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖。圖3 (a)是放大了圖3 (b)的P型半導(dǎo)體區(qū)域31附近的放大圖。
[0044]如圖3 Ca)以及圖3 (b)所示，以使陽(yáng)極電極11的電位低于陰極電極10的電位的方式，對(duì)陰極/陽(yáng)極之間施加電壓(-V3X即，對(duì)陰極/陽(yáng)極之間施加逆偏置。
[0045]如果對(duì)陰極/陽(yáng)極之間施加逆偏置，則耗盡層從陰極電極10與n+型半導(dǎo)體層20的接合界面延伸到η型半導(dǎo)體層21。進(jìn)而，耗盡層還從P型半導(dǎo)體區(qū)域31與η型半導(dǎo)體層21之間的ρη結(jié)部延伸到P型半導(dǎo)體區(qū)域31以及η型半導(dǎo)體層21的每一個(gè)。另外，耗盡層從陽(yáng)極電極11和η型半導(dǎo)體層21的接合部延伸到η型半導(dǎo)體層21。在圖3 (a)中，用箭頭Dn-1表示從ρη結(jié)部延伸到η型半導(dǎo)體層21 —側(cè)的耗盡層的情況。另外，用箭頭Dn_2表示從陽(yáng)極電極11和η型半導(dǎo)體層21的接合部延伸到η型半導(dǎo)體層21 —側(cè)的耗盡層的情況。
[0046]在半導(dǎo)體裝置I中，在Y方向上排列了多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31。因此，在施加逆偏置時(shí)，引起從相鄰的Pn結(jié)部延伸的各耗盡層相連接的所謂夾斷。另外，該相連接的耗盡層還連接了從陽(yáng)極電極11和η型半導(dǎo)體層21的接合部延伸到η型半導(dǎo)體層21側(cè)的耗盡層。進(jìn)而，耗盡層還從多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的每一個(gè)的底部延伸到η型半導(dǎo)體層21 —側(cè)。
[0047]因此，除了相鄰的P型半導(dǎo)體區(qū)域31之間的η型半導(dǎo)體層21以外，耗盡層還擴(kuò)展至位于多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的每一個(gè)的下側(cè)的η型半導(dǎo)體層21。在圖3 (b)中，用線21d表示耗盡層端的位置。耗盡層端位于多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的每一個(gè)的下側(cè)。另外，線21d的位置是一個(gè)例子，能夠通過(guò)調(diào)整陽(yáng)極電極11的材料、或者調(diào)整η型半導(dǎo)體層21以及P型半導(dǎo)體區(qū)域31各自的雜質(zhì)濃度來(lái)變更其位置。
[0048]即使在不設(shè)置多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的情況下，耗盡層也從陰極電極10和n+型半導(dǎo)體層20的接合界面延伸到η型半導(dǎo)體層21。但是，未形成從ρη結(jié)部延伸的耗盡層，耗盡層不會(huì)擴(kuò)大到圖3 (b)所示的程度。即，在不設(shè)置多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的情況下，耗盡層端相比于圖3 (b)的線21d的位置，位于陽(yáng)極電極11 一側(cè)。
[0049]在這樣的情況下，在施加逆偏置時(shí)，有時(shí)無(wú)法充分抑制所謂逆泄漏電流。其原因?yàn)?，施加逆偏置時(shí)的耗盡層的延伸不足，耗盡層內(nèi)的η型半導(dǎo)體層21的電場(chǎng)梯度變得陡峭。
[0050]相對(duì)于此，在半導(dǎo)體裝置I中，在相鄰的P型半導(dǎo)體區(qū)域31之間的η型半導(dǎo)體層21、和位于多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的每一個(gè)的下側(cè)的η型半導(dǎo)體層21中形成耗盡層。SP，在施加逆偏置時(shí)，耗盡層內(nèi)的η型半導(dǎo)體層21的電場(chǎng)梯度進(jìn)一步緩和。其結(jié)果，能夠抑制逆泄漏電流。
[0051]另外，如果使多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的間距極小，而過(guò)于提高多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的占有率，則相鄰的P型半導(dǎo)體區(qū)域31之間的距離變得極短。在這樣的情況下，相鄰的P型半導(dǎo)體區(qū)域31之間的η型半導(dǎo)體層21的電阻上升。其結(jié)果，導(dǎo)致正向電壓(Vf)的極端的增大。在半導(dǎo)體裝置I中，按照不引起正向電壓(Vf)的極端的增大的程度，調(diào)整多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的間距。
[0052]另外，在半導(dǎo)體裝置I中，在Y方向上，P+型半導(dǎo)體區(qū)域32的寬度比P型半導(dǎo)體區(qū)域31的寬度更寬。如果使P+型半導(dǎo)體區(qū)域32的寬度比P型半導(dǎo)體區(qū)域31的寬度更窄，則P+型半導(dǎo)體區(qū)域32的剖面形狀成為細(xì)的突起狀。在這樣的情況下，在施加逆偏置時(shí)，電場(chǎng)選擇性地集中到P+型半導(dǎo)體區(qū)域32。其成為雪崩電流的主要原因。在半導(dǎo)體裝置I中，將P+型半導(dǎo)體區(qū)域32的寬度設(shè)定為比P型半導(dǎo)體區(qū)域31的寬度更寬，抑制了該雪崩電流。這樣，在第一實(shí)施方式中，提供了耐壓高的半導(dǎo)體裝置I。
[0053](第二實(shí)施方式)
[0054]圖4 Ca)是示出第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意性的剖面圖，圖4 (b)是示出第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖。
[0055]圖4 Ca)所示的半導(dǎo)體裝置2具有肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)。半導(dǎo)體裝置2具備陽(yáng)極電極11、陰極電極10、多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31、多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33 (第三半導(dǎo)體區(qū)域)、η型半導(dǎo)體層21、以及η+型半導(dǎo)體層20。
[0056]在圖4 (a)中，顯示了 P+型半導(dǎo)體區(qū)域32，但關(guān)于P+型半導(dǎo)體區(qū)域32也可以從半導(dǎo)體裝置2去除。在設(shè)置有P+型半導(dǎo)體區(qū)域32的情況下，以包圍多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31以及多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的方式，設(shè)置有P+型半導(dǎo)體區(qū)域32。另外，將P+型半導(dǎo)體區(qū)域33中包含的雜質(zhì)濃度設(shè)為與半導(dǎo)體裝置I的P+型半導(dǎo)體區(qū)域32中包含的雜質(zhì)濃度相同。
[0057]多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33位于陽(yáng)極電極11與陰極電極10之間。多個(gè)p+型半導(dǎo)體區(qū)域33設(shè)置于η型半導(dǎo)體層21與陽(yáng)極電極11之間。多個(gè)ρ+型半導(dǎo)體區(qū)域33設(shè)置于ρ+型半導(dǎo)體區(qū)域32的內(nèi)側(cè)。在Y方向上排列了多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33。多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的每一個(gè)與陽(yáng)極電極11接觸。多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的雜質(zhì)濃度高于多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的雜質(zhì)濃度。
[0058]在Y方向上，相鄰的P型半導(dǎo)體區(qū)域31與陽(yáng)極電極11接觸的部分之間的距離Dl比多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的間距P3更短。另外，在Y方向上，多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的間距P3比位于相鄰的P+型半導(dǎo)體區(qū)域33之間的多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的間距Pl更長(zhǎng)。另外，在Y方向上，P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的寬度比P型半導(dǎo)體區(qū)域31的寬度更寬。
[0059]根據(jù)這樣的構(gòu)造，在施加正偏置時(shí)，如圖4 (b)所示，從多個(gè)p+型半導(dǎo)體區(qū)域33的每一個(gè)向η型半導(dǎo)體層21注入載流子(空穴h)。S卩，在多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的每一個(gè)附近的η型半導(dǎo)體層21中引起電導(dǎo)率調(diào)制。因此，在圖4 (b)的狀態(tài)下，相比于圖2 (b)的狀態(tài)，能夠從陰極電極10注入到n+型半導(dǎo)體層20的電子ei的數(shù)量進(jìn)一步增加。即，在施加正偏置時(shí)，在陰極/陽(yáng)極電極之間流過(guò)的電流進(jìn)一步增加。
[0060]另外，由于在多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的每一個(gè)附近的η型半導(dǎo)體層21中引起電導(dǎo)率調(diào)制，所以能夠?qū)⑹┘诱脮r(shí)的正向電壓(Vf)設(shè)定得更低。進(jìn)而，即使在陰極/陽(yáng)極電極之間流過(guò)的電流進(jìn)一步增加，由于能夠?qū)⒄螂妷?Vf)設(shè)定得較低，所以陰極/陽(yáng)極電極之間的發(fā)熱被抑制。
[0061]另外，半導(dǎo)體裝置2具有由多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31和η型半導(dǎo)體層21形成的ρη結(jié)部。因此，在施加逆偏置時(shí)，除了相鄰的P型半導(dǎo)體區(qū)域31之間的η型半導(dǎo)體層21以外，耗盡層還擴(kuò)展至位于多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的每一個(gè)的下側(cè)的η型半導(dǎo)體層21。其結(jié)果，逆泄漏電流被可靠地抑制。
[0062]另外，在半導(dǎo)體裝置2中，按照不引起正向電壓(Vf)的極端的增大的程度，調(diào)整多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的間距以及多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的間距。
[0063]另外，在半導(dǎo)體裝置2中，在Y方向上，P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的寬度比P型半導(dǎo)體區(qū)域31的寬度更寬。如果使P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的寬度比P型半導(dǎo)體區(qū)域31的寬度更窄，則P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的剖面形狀成為細(xì)的突起。在這樣的情況下，在施加逆偏置時(shí)，電場(chǎng)選擇性地集中到P+型半導(dǎo)體區(qū)域33。其成為雪崩電流的主要原因。
[0064]在半導(dǎo)體裝置2中，將P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的寬度設(shè)定為比P型半導(dǎo)體區(qū)域31的寬度更寬，抑制該雪崩電流。另外，即使發(fā)生了雪崩電流，在半導(dǎo)體裝置2中，也能夠?qū)⒀┍离娏?例如，空穴電流)經(jīng)由多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的每一個(gè)排出到陽(yáng)極電極11。S卩，半導(dǎo)體裝置2的耐壓比半導(dǎo)體裝置I的耐壓變得更高。
[0065]圖5 Ca)是示出第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖，圖5 (b)是示出第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖。
[0066]也可以如圖5 (a)所示，對(duì)陽(yáng)極電極11連接多個(gè)接合線90。在對(duì)陽(yáng)極電極11連接了 I個(gè)接合線90的情況下，在半導(dǎo)體裝置2導(dǎo)通時(shí)，電流集中到I個(gè)接合線90，例如，存在接合線90從陽(yáng)極電極11剝離、或者接合線90斷線的可能性。
[0067]相對(duì)于此，根據(jù)圖5 (a)所示的方法，將在陰極/陽(yáng)極電極之間流過(guò)的電流分散到各個(gè)接合線90。因此，抑制向I個(gè)接合線90的電流集中，并防止上述剝離、斷線。
[0068]另外，也可以如圖5 (b)所示，對(duì)陽(yáng)極電極11，經(jīng)由焊錫等導(dǎo)電性粘接層91，連接板狀的導(dǎo)電層92。根據(jù)這樣的方法，將在陰極/陽(yáng)極電極之間流過(guò)的電流均勻地分散到導(dǎo)電層92的內(nèi)部。因此，進(jìn)一步防止上述剝離、斷線。
[0069](第三實(shí)施方式)
[0070]圖6 (a)是示出第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意性的剖面圖，圖6 (b)是示出第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖，圖6 (c)是示出第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的示意性的剖面圖。
[0071]圖6 (a)所示的半導(dǎo)體裝置3具有肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)。半導(dǎo)體裝置3包括陽(yáng)極電極11、陰極電極10、P+型半導(dǎo)體區(qū)域32、多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33、p型半導(dǎo)體區(qū)域31、P型半導(dǎo)體區(qū)域35、η型半導(dǎo)體層21、以及η+型半導(dǎo)體層20。
[0072]在半導(dǎo)體裝置3中，P型半導(dǎo)體區(qū)域31設(shè)置于多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的每一個(gè)與η型半導(dǎo)體層21之間。換言之，在半導(dǎo)體裝置3中，在圖1 (b)中示出的P型半導(dǎo)體區(qū)域31中，設(shè)置有P+半導(dǎo)體區(qū)域33。P+半導(dǎo)體區(qū)域33與陽(yáng)極電極11相接，除與陽(yáng)極電極11相接的部分以外被P型半導(dǎo)體區(qū)域31包圍。此處，將多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的Y方向上的寬度設(shè)為與圖1 (b)中示出的P型半導(dǎo)體區(qū)域31的Y方向上的寬度相同。P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的雜質(zhì)濃度高于P型半導(dǎo)體區(qū)域31的雜質(zhì)濃度。另外，P型半導(dǎo)體區(qū)域35設(shè)置于P+型半導(dǎo)體區(qū)域32與η型半導(dǎo)體層21之間。P型半導(dǎo)體區(qū)域35的雜質(zhì)濃度低于P+型半導(dǎo)體區(qū)域32的雜質(zhì)濃度。P+型半導(dǎo)體區(qū)域32和P型半導(dǎo)體區(qū)域35也可以適當(dāng)?shù)厝コ?br> [0073]在半導(dǎo)體裝置3中，在Y方向上，相鄰的P型半導(dǎo)體區(qū)域31與陽(yáng)極電極11接觸的部分之間的距離Dl比多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的間距Ρ3短。另外，在Y方向上，多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的間距Pl與多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的間距Ρ3相同。
[0074]根據(jù)這樣的構(gòu)造，在施加正偏置時(shí)，如圖6 (b)所示，從多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的每一個(gè)向η型半導(dǎo)體層21注入載流子(空穴h)。即，在多個(gè)p+型半導(dǎo)體區(qū)域33的每一個(gè)附近的η型半導(dǎo)體層21中引起電導(dǎo)率調(diào)制。因此，在圖6 (b)的狀態(tài)下，相比于圖2 (b)的狀態(tài)，能夠從陰極電極10向n+型半導(dǎo)體層20注入的電子ei的數(shù)量進(jìn)一步增加。即，在施加正偏置時(shí)，在陰極/陽(yáng)極電極之間流過(guò)的電流進(jìn)一步增加。
[0075]另外，由于在多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的每一個(gè)附近的η型半導(dǎo)體層21中引起電導(dǎo)率調(diào)制，所以能夠?qū)⑹┘诱脮r(shí)的正向電壓(Vf)設(shè)定得更低。進(jìn)而，即使在陰極/陽(yáng)極電極之間流過(guò)的電流進(jìn)一步增加，由于能夠?qū)⒄螂妷?Vf)設(shè)定得較低，所以陰極/陽(yáng)極電極之間的發(fā)熱被抑制。
[0076]另外，半導(dǎo)體裝置3具有由多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31和η型半導(dǎo)體層21形成的ρη結(jié)部。因此，如圖6 (c)所示，在施加逆偏置時(shí)，除了相鄰的P型半導(dǎo)體區(qū)域31之間的η型半導(dǎo)體層21以外，耗盡層還擴(kuò)展至位于多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的每一個(gè)的下側(cè)的η型半導(dǎo)體層21。在圖6 (c)中，用線21d表示耗盡層端的位置。其結(jié)果，逆泄漏電流被可靠地抑制。
[0077]另外，在半導(dǎo)體裝置3中，按照不引起正向電壓(Vf)的極端的增大的程度，調(diào)整了多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域31的間距以及多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的間距。
[0078]另外，在半導(dǎo)體裝置3中，在P+型半導(dǎo)體區(qū)域33與η型半導(dǎo)體層21之間設(shè)置有ρ型半導(dǎo)體區(qū)域31，并且在ρ+型半導(dǎo)體區(qū)域32與η型半導(dǎo)體層21之間設(shè)置有ρ型半導(dǎo)體區(qū)域35。即，將在Y方向上與陽(yáng)極電極11相接的ρ型層的寬度設(shè)定得較寬。由此，在施加逆偏置時(shí)，向P型層的電場(chǎng)集中被緩和，不易引起雪崩電流。
[0079]另外，即使發(fā)生了雪崩電流，在半導(dǎo)體裝置3中，也能夠?qū)⒀┍离娏?例如，空穴電流)經(jīng)由多個(gè)P+型半導(dǎo)體區(qū)域33的每一個(gè)而排出到陽(yáng)極電極11。即，半導(dǎo)體裝置3的耐壓相比于半導(dǎo)體裝置I的耐壓進(jìn)一步變高。
[0080]在半導(dǎo)體裝置3的半導(dǎo)體材料包含碳化硅(SiC)的情況下，有在高濃度的P+型半導(dǎo)體區(qū)域32、33中形成由于雜質(zhì)注入產(chǎn)生的缺陷的可能性。在高濃度的P+型半導(dǎo)體區(qū)域中發(fā)生這樣的缺陷的情況下，有在施加逆偏置時(shí)發(fā)生從P+型半導(dǎo)體區(qū)域32、33向陽(yáng)極電極11的泄漏的可能性。
[0081]在半導(dǎo)體裝置3中，在高濃度的P+型半導(dǎo)體區(qū)域32、33與η型半導(dǎo)體層21之間設(shè)置有低濃度的P型半導(dǎo)體區(qū)域31、35。因此，在施加逆偏置時(shí)，在低濃度的P型半導(dǎo)體區(qū)域31、35與η型半導(dǎo)體層21之間形成耗盡層，泄漏電流被可靠地抑制。
[0082](第四實(shí)施方式)
[0083]圖7 (a)是示出第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的第一例的示意性的剖面圖，圖7 (b)是示出第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的第二例的示意性的剖面圖。
[0084]在圖7 (a)所示的半導(dǎo)體裝置4A中，在多個(gè)ρ+型半導(dǎo)體區(qū)域33的每一個(gè)與η型半導(dǎo)體層21之間設(shè)置有ρ型半導(dǎo)體區(qū)域34 (第四半導(dǎo)體區(qū)域)。另外，在ρ+型半導(dǎo)體區(qū)域32與η型半導(dǎo)體層21之間設(shè)置有ρ型半導(dǎo)體區(qū)域35 (第五半導(dǎo)體區(qū)域)。P+型半導(dǎo)體區(qū)域32和ρ型半導(dǎo)體區(qū)域35也可以適當(dāng)?shù)厝コ?br> [0085]另外，在半導(dǎo)體裝置4Α中，在Y方向上，在相鄰的P型半導(dǎo)體區(qū)域34之間設(shè)置有P型半導(dǎo)體區(qū)域31。根據(jù)這樣的構(gòu)造，在施加逆偏置時(shí)，耗盡層也從P型半導(dǎo)體區(qū)域31和η型半導(dǎo)體層21的ρη結(jié)部擴(kuò)展。其結(jié)果，在半導(dǎo)體裝置4Α中，相比于半導(dǎo)體裝置3，逆泄漏電流被進(jìn)一步抑制。
[0086]另外，圖7 (b)所示的半導(dǎo)體裝置4Β除了半導(dǎo)體裝置I的基本構(gòu)造以外，還包括在P+型半導(dǎo)體區(qū)域32與η型半導(dǎo)體層21之間設(shè)置的P型半導(dǎo)體區(qū)域35。因此，在施加逆偏置時(shí)，在低濃度的P型半導(dǎo)體區(qū)域35與η型半導(dǎo)體層21之間形成耗盡層，泄漏電流被可靠地抑制。
[0087]在實(shí)施方式中，也可以將ρ型設(shè)為第二導(dǎo)電類型、將η型設(shè)為第一導(dǎo)電類型。
[0088]另外，在實(shí)施方式中，表現(xiàn)為“部位A設(shè)置于部位B上”的情況的“上”有按部位A與部位B接觸且部位A設(shè)置于部位B上的情況的意思來(lái)使用的情況，還有按部位A不與部位B接觸且部位A設(shè)置于部位B的上方的情況的意思來(lái)使用的情況。另外，“部位A設(shè)置于部位B上”有在使部位A和部位B翻轉(zhuǎn)而部位A位于部位B下的情況、部位A和部位B橫向排列的情況下也應(yīng)用的情況。其原因?yàn)?，即使使?shí)施方式的半導(dǎo)體裝置旋轉(zhuǎn)，在旋轉(zhuǎn)前后，半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造也不變化。
[0089]另外，上述各實(shí)施方式具備的各要素能夠在技術(shù)上盡可能復(fù)合，將它們組合而得到的結(jié)構(gòu)只要包括實(shí)施方式的特征就包含于實(shí)施方式的范圍內(nèi)。另外，在實(shí)施方式的思想的范疇中，只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員就能夠想到各種的變更例以及修正例，能夠了解到關(guān)于這些變更例以及修正例也屬于實(shí)施方式的范圍。
[0090]雖然說(shuō)明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但這些實(shí)施方式僅和為例子而提出，并未意在限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠通過(guò)其他各種方式實(shí)施，能夠在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式或其變形包含于發(fā)明的范圍、主旨中，并且包含于權(quán)利要求書記載的發(fā)明和其等同發(fā)明的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括: 第一電極； 第二電極； 第一導(dǎo)電類型的多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，在相對(duì)從所述第一電極朝向所述第二電極的第一方向交叉的第二方向上排列； 第一導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，包圍所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域，雜質(zhì)濃度高于所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度； 第二導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第一電極、與所述第二電極、所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域、以及所述第二半導(dǎo)體區(qū)域之間，與所述第一電極肖特基連接；以及 多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域，設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層與所述第一電極之間且所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的內(nèi)側(cè)， 所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域在所述第二方向上排列， 所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度， 在所述第二方向上，所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的間距長(zhǎng)于所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的間距。
2.—種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括: 第一電極； 第二電極； 第一導(dǎo)電類型的多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，在相對(duì)從所述第一電極朝向所述第二電極的第一方向交叉的第二方向上排列； 第一導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，包圍所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域，雜質(zhì)濃度高于所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度；以及 第二導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第一電極、與所述第二電極、所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域、以及所述第二半導(dǎo)體區(qū)域之間，與所述第一電極肖特基連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 還包括與所述第一電極相接，被所述第二半導(dǎo)體區(qū)域包圍的第一導(dǎo)電類型的多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域， 所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域在所述第二方向上排列， 所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度， 在所述第二方向上，所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的間距長(zhǎng)于所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的間距。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的每一個(gè)與所述第一半導(dǎo)體層之間，還設(shè)置有第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體區(qū)域， 所述第四半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度低于所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括: 第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)域，與所述第一電極相接，除與所述第一電極相接的部分以外被所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的每一個(gè)包圍；以及 第一導(dǎo)電類型的第五半導(dǎo)體區(qū)域，設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體區(qū)域與所述第一半導(dǎo)體層之間， 所述第三半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度， 所述第五半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度低于所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度。
6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括: 第一電極； 第二電極； 第一導(dǎo)電類型的多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，在相對(duì)從所述第一電極朝向所述第二電極的第一方向交叉的第二方向上排列； 第一導(dǎo)電類型的多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，在所述第二方向上排列，雜質(zhì)濃度高于所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度；以及 第二導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第一電極、與所述第二電極、所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域、以及所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域之間，與所述第一電極肖特基連接， 在所述第二方向上，相鄰的所述第一半導(dǎo)體區(qū)域與所述第一電極接觸的部分之間的距離短于所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的間距。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述第二方向上，所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的間距比在相鄰的第三半導(dǎo)體區(qū)域之間配置的所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的間距更長(zhǎng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或者7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 還包括雜質(zhì)濃度高于所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度的第一導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域， 所述第二半導(dǎo)體區(qū)域位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，包圍所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域以及所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或者7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 還包括在所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的每一個(gè)與所述第一半導(dǎo)體層之間設(shè)置的第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體區(qū)域， 所述第四半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度低于所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 還包括在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域與所述第一半導(dǎo)體層之間設(shè)置的第一導(dǎo)電類型的第五半導(dǎo)體區(qū)域， 所述第五半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度低于所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度。
11.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括: 第一電極； 第二電極； 第一導(dǎo)電類型的多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，在相對(duì)從所述第一電極朝向所述第二電極的第一方向交叉的第二方向上排列； 第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)域，與所述第一電極相接，除與所述第一電極相接的部分以外被所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的每一個(gè)包圍，雜質(zhì)濃度高于所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度； 第二導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第一電極、與所述第二電極、所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域、以及所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域之間，與所述第一電極肖特基連接， 在所述第二方向上，相鄰的所述第一半導(dǎo)體區(qū)域與所述第一電極接觸的部分之間的距離短于所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的間距。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述第二方向上，所述多個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)域的間距與所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的間距相同， 所述多個(gè)所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的每一個(gè)設(shè)置在所述多個(gè)第三半導(dǎo)體區(qū)域的每一個(gè)與所述第一半導(dǎo)體層之間。
【文檔編號(hào)】H01L29/41GK104347685SQ201310598619
【公開(kāi)日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2013年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日
【發(fā)明者】大田剛志, 堀陽(yáng)一, 野田隆夫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝