技術編號：7012023
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提高半導體裝置的耐性。實施方式的半導體裝置包括第一電極；第二電極；第一導電類型的多個第一半導體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，在相對從所述第一電極朝向所述第二電極的第一方向交叉的第二方向上排列；第一導電類型的第二半導體區(qū)域，位于所述第一電極與所述第二電極之間，與所述第一電極接觸，包圍所述多個第一半導體區(qū)域，雜質(zhì)濃度高于所述多個第一半導體區(qū)域的雜質(zhì)濃度；以及第二導電類型的第一半導體層，設置于所述第一電極、與所述第二電極、所...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。