集成電路、半導(dǎo)體管芯布置以及用于制造集成電路的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及集成電路、半導(dǎo)體管芯布置以及用于制造集成電路的方法。提供一種集成電路，該集成電路包括：芯片，其具有第一芯片側(cè)和與所述第一芯片側(cè)相對(duì)的第二芯片側(cè)，所述芯片在第二芯片側(cè)上具有至少一個(gè)接觸區(qū)域；至少部分覆蓋所述芯片的灌封材料；以及至少一個(gè)接觸通孔，其包括接觸所述至少一個(gè)接觸區(qū)域并且延伸通過(guò)所述灌封材料且通過(guò)所述第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間的芯片的導(dǎo)電材料。
【專利說(shuō)明】集成電路、半導(dǎo)體管芯布置以及用于制造集成電路的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]各種實(shí)施例總體上涉及集成電路、半導(dǎo)體管芯布置以及用于制造集成電路的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]功率半導(dǎo)體組件和電子電路通常使用用于形成標(biāo)準(zhǔn)外殼連接(諸如導(dǎo)線或夾子或電流接觸件)的技術(shù)來(lái)電接觸和/或電連線。利用標(biāo)準(zhǔn)方法，外殼級(jí)處的若干連續(xù)和復(fù)雜連接工藝是必需的，例如功率集成電路的前側(cè)和后側(cè)二者可能必須在外殼級(jí)處接觸，比如通過(guò)模塑化合物(mold compound)ο這可能對(duì)組件的有限集成密度和相當(dāng)大的集成開(kāi)銷起作用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]各種實(shí)施例提供一種集成電路，該集成電路包括:芯片，其具有第一芯片側(cè)和與所述第一芯片側(cè)相對(duì)的第二芯片側(cè)，所述芯片在第二芯片側(cè)上具有至少一個(gè)接觸區(qū)域；至少部分覆蓋所述芯片的灌封材料；以及至少一個(gè)接觸通孔，其包括接觸所述至少一個(gè)接觸區(qū)域并且延伸通過(guò)所述灌封材料且通過(guò)所述第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間的芯片的導(dǎo)電材料。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0004]在附圖中，相似的參考字符通常指代遍及不同視圖的相同部件。附圖沒(méi)必要按照比例繪制，而是通常將重點(diǎn)放在說(shuō)明本發(fā)明的原理上。在下面的描述中，參考下面的附圖來(lái)描述本發(fā)明的各種實(shí)施例，其中:
圖1示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例用于制造集成電路的方法；
圖2A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路的頂視圖和底視圖；
圖2B到2L示出根據(jù)各種實(shí)施例的集成電路的橫截面視圖；
圖3A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路的橫截面視圖；
圖3B示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路的頂視圖；
圖3C示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半橋集成電路的頂視圖；
圖4A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯布置的圖示的橫截面視圖；
圖4B示出根據(jù)各種實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯布置的圖示的橫截面視圖；以及 圖5示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路的圖示的橫截面視圖。
[0005]
【具體實(shí)施方式】
[0006]下面的詳細(xì)描述涉及通過(guò)圖示方式示出具體細(xì)節(jié)的附圖和可以在其中實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例。[0007]詞語(yǔ)“示例性”在這里被用來(lái)意指“充當(dāng)示例、實(shí)例或圖例”。在這里描述為“示例性”的任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)不必理解為比其他實(shí)施例或設(shè)計(jì)優(yōu)選的或有利的。
[0008]關(guān)于形成在側(cè)或表面“之上”的沉積材料而使用的詞語(yǔ)“之上”在這里可以被用來(lái)意指沉積材料可以被“直接”形成在所暗示的側(cè)或表面上，例如與所暗示的側(cè)或表面直接接觸。詞語(yǔ)“之上”在這里還被用來(lái)意指沉積材料可以被“間接”形成在所暗示的側(cè)或表面上，其中一個(gè)或多個(gè)附加層被布置在所暗示的側(cè)或表面與沉積材料之間。
[0009]各種實(shí)施例提供用于基于穿透性娃通孔(TSV, through silicon vias)來(lái)接觸和連線功率半導(dǎo)體組件的方法。
[0010]各種實(shí)施例提供一種集成電路，其中可以通過(guò)生成直接通過(guò)晶圓(例如硅晶圓)和/或在該晶圓中的電穿透性接觸件來(lái)接觸和連線前側(cè)或后側(cè)上的芯片接觸件。此外，可以通過(guò)將漏極接觸件重定向到與柵極接觸件和源極接觸件相同的側(cè)，來(lái)使漏極區(qū)形成在源極區(qū)和/或柵極區(qū)附近。
[0011]根據(jù)各種實(shí)施例，借助于功率半導(dǎo)體電路中的穿透性硅通孔，接觸件連接(例如外部接觸件連接)可以內(nèi)部地形成在晶圓內(nèi)并且可以產(chǎn)生在一側(cè)或一表面上。換言之，例如通過(guò)必須形成通過(guò)典型外殼材料(諸如模塑化合物)的接觸件，而使得不再需要在外殼級(jí)接觸集成電路的如側(cè)和后側(cè)。
[0012]圖1示出用于制造根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路的方法100。方法100可以包括: 利用灌封材料至少部分覆蓋芯片，該芯片具有第一芯片側(cè)和與所述第一芯片側(cè)相對(duì)的
第二芯片側(cè)，該芯片在第二芯片側(cè)上包括至少一個(gè)接觸區(qū)域(在110中)；以及
形成延伸通過(guò)所述灌封材料且通過(guò)所述第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間的芯片的至少一個(gè)接觸通孔，所述至少一個(gè)接觸通孔接觸所述至少一個(gè)接觸區(qū)域(在120中)。
[0013]圖2A到2L示出用于制造根據(jù)各種實(shí)施例的集成電路的方法200。
[0014]圖2A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路202的一部分的圖示的頂視圖2IOA和底視圖210B。集成電路202可以包括芯片204。芯片204可以是半導(dǎo)體芯片204，并且可以包括或可以被稱為半導(dǎo)體管芯。頂視圖210A示出芯片204的第一芯片側(cè)206(即被稱為頂側(cè)或前側(cè))的圖示。底視圖210B示出芯片204的第二芯片側(cè)208 (即被稱為底側(cè)或背側(cè))的圖示。第二芯片側(cè)208可以與第一芯片側(cè)206相對(duì)，換言之第二芯片側(cè)208可以面對(duì)基本上與第一芯片側(cè)206所面對(duì)的方向相反的方向。芯片204可以包括至少一個(gè)接觸區(qū)域212，在根據(jù)方法200的工藝階段期間所述至少一個(gè)接觸區(qū)域212可以被形成在第二芯片側(cè)208之上或上面。至少一個(gè)接觸區(qū)域212可以被稱為(多個(gè))背側(cè)電極或者背側(cè)金屬化，并且可以在工藝的該階段或稍后階段被形成在第二芯片側(cè)208之上。芯片204可以包括功率半導(dǎo)體芯片或是功率半導(dǎo)體芯片，其中電流(即電子)可以沿著第一芯片側(cè)206和第二芯片側(cè)208之間的垂直方向流動(dòng)。芯片204可以包括功率半導(dǎo)體芯片，其中該功率半導(dǎo)體芯片可以包括來(lái)自功率半導(dǎo)體器件組的至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件，該組包括:功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極型晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率絕緣柵雙極型晶體管、晶閘管、MOS控制晶閘管、硅控制整流器、功率肖特基二極管、硅碳化物二極管、氮化鎵器件。
[0015]功率半導(dǎo)體芯片通常可以支持在接觸區(qū)域212和另一接觸區(qū)域214之間流動(dòng)的垂直電流。芯片204可以包括半導(dǎo)體晶圓襯底或者可以由半導(dǎo)體晶圓襯底形成，該半導(dǎo)體晶圓襯底可以包括各種材料，諸如硅(例如摻雜硅或未摻雜硅)、鍺、III族到V族材料、聚合物、半導(dǎo)體化合物材料(例如砷化鎵(GaAs )、磷化銦(InP )、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC))、半導(dǎo)體化合物材料(例如銦鎵砷化物)或者絕緣體上硅(SOI)晶圓。
[0016]如在視圖210A中所示，芯片204可以包括形成在第一芯片側(cè)206之上或直接形成在第一芯片側(cè)206上面的至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域214。至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域214可以包括或指代一個(gè)或多個(gè)另外的接觸區(qū)域214。至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域214可以被稱為(多個(gè))前側(cè)電極。通常，包括功率晶體管的芯片可以包括前側(cè)電極，例如源電極和柵電極。接觸區(qū)域212可以是背面金屬化并且可以是漏電極。功率晶體管中流動(dòng)的垂直電流可以通過(guò)耗盡層發(fā)生在源電極和漏電極之間。
[0017]圖2B示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路202的一部分的圖示的橫截面視圖220。如所示的那樣，芯片204可以是包括與芯片204類似或不同的一個(gè)或多個(gè)芯片的晶圓襯底的一部分。特別對(duì)于圖2B，芯片204被示為具有至少一個(gè)相鄰芯片204A。根據(jù)一些實(shí)施例，芯片204和芯片204A可以形成半橋集成電路布置202。根據(jù)其他實(shí)施例，芯片204A和芯片可以是分離地起作用的芯片，它們可能最終彼此被獨(dú)立?？梢岳斫獾氖牵酒?04為其一部分的晶圓襯底可以包括與芯片204類似或不同的多個(gè)芯片。晶圓襯底可以承載或包括一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)或多個(gè)芯片，或者高達(dá)幾十、幾百或超過(guò)幾千個(gè)芯片。
[0018]還可以理解的是，方法100和200可以應(yīng)用于包括個(gè)體芯片204的集成電路(諸如芯片封裝)的制造，或者應(yīng)用于包括具有多個(gè)芯片(例如204、204A等等)的晶圓襯底的集成電路(例如芯片封裝)的批量制造。
[0019]芯片204可以具有在前側(cè)金屬化下面(即在至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域214下面)的植入和有源區(qū)域216 (耗盡層或耗盡區(qū))。芯片204可以包括形成在芯片204中(即在有源區(qū)域216中)的一個(gè)或多個(gè)電子電路218。電子電路218可以電耦合(例如電連接)到形成在第一芯片側(cè)206上的至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域214 (例如源極區(qū)和/或柵極區(qū))。例如可以在前端線(FEOL, front end of line)工藝制作之前、期間形成電子電路218。可以借助于例如在后端線(BE0L,back end of line)工藝制作期間形成在有源區(qū)域216之上的導(dǎo)電互連通孔和/或插孔將電子電路218電連接到至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域214。
[0020]圖2C示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路202的一部分的圖示的橫截面視圖230。如視圖230中所示的那樣，孔或腔222可以靠近有源區(qū)域216形成在芯片204中?？谆蚯?22可以形成在芯片204的晶圓襯底中?？谆蚯?22可以形成在第一芯片側(cè)206處，且孔或腔222可以達(dá)到比有源區(qū)域216離第一芯片側(cè)206的垂直深度更深的基本上垂直深度。可以通過(guò)蝕刻工藝來(lái)形成孔或腔222，所述蝕刻工藝從芯片204的晶圓襯底去除材料。這樣的蝕刻工藝可以包括博施工藝(Bosch process),例如在芯片204的晶圓襯底包括娃的情況下。芯片204可以具有范圍從約300 μ m到約Imm的原始厚度t?？谆蚯?22可以具有范圍從約20 μ m到約400 μ m (例如從約50 μ m到約350 μ m、例如從約80 μ m到約250 μ m)的深度d。然而，可以理解的是，深度d可不限于這些值且另外根據(jù)其他實(shí)施例可以包括其他值?？梢岳斫獾氖?，根據(jù)一些實(shí)施例，孔或腔222可以不完全穿透芯片204 (例如從第一芯片側(cè)206到第二芯片側(cè)208)，并且相鄰芯片(例如204、204A)通?？梢杂墒Ｓ嗑A襯底材料保持。
[0021]圖2D示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路202的一部分的圖示的橫截面視圖240。在視圖240中，芯片204可以至少部分覆蓋有灌封材料224。灌封材料224 (例如鈍化材料)可以被沉積在芯片204之上。灌封材料224可以是電絕緣的。灌封材料224可以被沉積在第一芯片側(cè)206之上，例如緊挨著前側(cè)金屬化接觸區(qū)域(例如緊鄰(多個(gè))另外的接觸區(qū)域214)且緊挨著蝕刻結(jié)構(gòu)(即芯片204中的孔或腔222)。根據(jù)一些實(shí)施例，灌封材料224可以基本上完整地沉積在除了(多個(gè))另外的接觸區(qū)域214和腔222以外的芯片第一側(cè)206之上。換言之，(多個(gè))另外的接觸區(qū)域214和腔222可以沒(méi)有灌封材料224。
[0022]另一選項(xiàng)可以是旋涂灌封材料(例如PI)(如果在多個(gè)層中期望的話)以使得灌封材料(例如PI)遍布在晶圓之上。然后灌封材料(例如PI)也將覆蓋IC的側(cè)壁(如果它們被預(yù)切割的話)；它將進(jìn)一步蠕動(dòng)(creep)到TSV孔中?？商鎿Q地且對(duì)于大面板，將通過(guò)噴涂工藝來(lái)涂敷灌封材料(例如PD。在涂敷之后，通常接著是成像、顯影和剝離(照片結(jié)構(gòu)化)，然后固化。最后利用PI (諸如通孔的壁)來(lái)覆蓋IC側(cè)壁。
[0023]如果期望利用非光敏材料來(lái)工作(例如根據(jù)低結(jié)構(gòu)化需求)，則在固化之后通過(guò)激光來(lái)施加后面的結(jié)構(gòu)化(在不需要的情況下PI可能逐漸消失)。灌封材料224可以包括二氧化硅和氮化硅中的至少一個(gè)并且可以借助于沉積工藝(例如化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝)來(lái)沉積和/或形成。根據(jù)一些實(shí)施例，灌封材料224可以包括通過(guò)層壓來(lái)沉積的層壓制件或模塑材料(例如聚合物、環(huán)氧樹脂、丙烯酸脂、高溫?zé)崴軜渲蚬铇渲?。
[0024]根據(jù)其他實(shí)施例，在芯片第一側(cè)206上形成灌封材料224可以包括三維結(jié)構(gòu)化工藝。如圖2E的集成電路的橫截面視圖250中所示，可選地可以進(jìn)一步通過(guò)CVD工藝和掩模和/或選擇性去除的組合來(lái)形成和/或結(jié)構(gòu)化灌封材料224。因此，可以根據(jù)集成電路的設(shè)計(jì)和/或需求來(lái)形成灌封材料224的各種幾何形狀。
[0025]可以理解的是，根據(jù)各種實(shí)施例，芯片204A和芯片204可以形成在連續(xù)晶圓襯底中，并且可以因此被布置為具有至少兩個(gè)半導(dǎo)體電路元件(例如在芯片204A和芯片204中)的另一半橋電路。
[0026]如圖2F和2G中所示，已被蝕刻、金屬化和鈍化的芯片204可以被設(shè)置和/或安置在臨時(shí)載體226之上或者直接在臨時(shí)載體226上面。如橫截面視圖260和270中所示，例如借助于熱釋放膠和/或粘合劑第一芯片側(cè)206可以被臨時(shí)粘附到臨時(shí)載體226。在準(zhǔn)備例如從第二芯片側(cè)208減薄芯片204的過(guò)程中，芯片204可以被安置在臨時(shí)載體226之上或者直接在臨時(shí)載體226上面。
[0027]圖2H示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路202的一部分的圖示的橫截面視圖280?？梢詫?shí)施減薄工藝，其中可以從第二芯片側(cè)208 (例如從芯片背側(cè))減薄芯片204，以實(shí)現(xiàn)芯片204的需求的厚度?？梢詸C(jī)械地(例如通過(guò)機(jī)械研磨)、或化學(xué)地(例如通過(guò)蝕刻)、或通過(guò)化學(xué)和機(jī)械工藝的混合來(lái)實(shí)施減薄工藝?？梢詫?shí)施從第二芯片側(cè)208去除材料(即減薄)直到孔或腔222形成通過(guò)芯片204的溝道228為止，其中溝道228可以在第一芯片側(cè)206和第二芯片側(cè)208T之間延伸。可以理解的是，溝道228可以完全穿透經(jīng)過(guò)芯片204在第一芯片側(cè)206的表面(例如芯片204的頂表面)到達(dá)芯片204在第二芯片側(cè)208的表面(例如芯片204的底表面)。第二芯片側(cè)208T可能類似于已經(jīng)提到的第二芯片側(cè)208，除了第二芯片側(cè)208T可以是減薄之后的第二芯片側(cè)208之外。在蝕刻結(jié)構(gòu)孔或腔222之上和/或之下可能不會(huì)發(fā)現(xiàn)晶圓襯底材料(例如娃)。在減薄之后芯片204的厚度tn的范圍可能從約20 μ m到約400 μ m,例如從約50 μ m到約350 μ m,例如從約80 μ m到約250 μ m。
[0028]圖21示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路202的一部分的圖示的橫截面視圖290。
[0029]可以在類似于根據(jù)圖2D和/或2E所述的在第一芯片側(cè)206之上形成灌封材料224的工藝中，將灌封材料224形成在芯片204的第二芯片側(cè)208之上。灌封材料224可以被結(jié)構(gòu)化和設(shè)置在第二芯片側(cè)208之上，以便根據(jù)圖2D和/或2E所述那樣使第二芯片側(cè)208鈍化。結(jié)果，芯片204可以至少部分覆蓋有沉積在第一芯片側(cè)206和第二芯片側(cè)208之上的灌封材料224。灌封材料224可以包括設(shè)置在第一芯片側(cè)206之上的第一灌封部2241和設(shè)置在第二芯片側(cè)208之上的第二灌封部2242。第二灌封部2242可以基本上整個(gè)設(shè)置在第二芯片側(cè)208之上，除了在區(qū)域232 (在該區(qū)域232處可以隨后形成至少一個(gè)接觸區(qū)域212 (未示出))中以及在溝道228之上之外。芯片204的兩側(cè)可以被鈍化，而芯片204留在臨時(shí)載體226上?？梢酝ㄟ^(guò)側(cè)壁鈍化來(lái)隔離通孔236。
[0030]圖2J示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路202的一部分的圖示的橫截面視圖2100。
[0031]可以實(shí)施電接觸和連線以提供接觸芯片接觸焊盤(諸如(多個(gè))接觸區(qū)域212和另外的(多個(gè))接觸區(qū)域214)的外部電互連。
[0032]根據(jù)一些實(shí)施例，可以可選地實(shí)施沉積工藝以在區(qū)域232之上形成背側(cè)金屬化，以便形成背側(cè)電極(例如漏電極)。該背側(cè)電極可以包括接觸區(qū)域212或者是接觸區(qū)域212，并且還可以與電子電路218電連接。
[0033]根據(jù)其他實(shí)施例,可以通過(guò)電鍍工藝(galvanic process)以及甚至在單個(gè)工藝中形成接觸件、通孔和連線(包括接觸區(qū)域212的形成)?？梢詫?shí)施掩模工藝(例如光刻)以使電連線到的(例如鍍的)區(qū)域暴露。可以使用掩模(例如光掩模)來(lái)覆蓋不需要金屬化的區(qū)域。
[0034]金屬種子層可以被沉積在(多個(gè))接觸區(qū)域214和/或區(qū)域232之上(例如直接在其上面)和/或在溝道228中。特別地，金屬種子層可以被沉積在沒(méi)有被灌封材料228覆蓋的區(qū)域中。換言之，金屬種子層可以被沉積在通過(guò)灌封材料228的沉積而被選擇性地暴露(即未覆蓋)的區(qū)域(例如接觸區(qū)域212)以及溝道228的至少一部分中，如根據(jù)圖2D和21所述的那樣。隨后，可以實(shí)施電鍍，并且可以利用導(dǎo)電材料234和/或金屬來(lái)鍍和/或覆蓋沉積金屬種子層的區(qū)域。典型金屬種子層和/或電鍍材料可以包括金屬(例如銅)。然而，各種實(shí)施例不限于僅包括銅。
[0035]通過(guò)鍍，導(dǎo)電材料234可以被沉積在芯片204之上。導(dǎo)電材料234可以被形成在區(qū)域232中和/或之上并且還可以形成接觸區(qū)域212，即可以與一個(gè)或多個(gè)電子電路218電連接的背側(cè)金屬化層。導(dǎo)電材料234可以被形成在接觸區(qū)域212上和/或包括接觸區(qū)域212。導(dǎo)電材料234可以被形成在沉積于第二芯片側(cè)208 (例如第二灌封部2242)之上的灌封材料224的至少一部分之上。
[0036]因?yàn)楣喾獠牧?24被選擇性地放置在第一芯片側(cè)206和第二芯片側(cè)208之上，所以導(dǎo)電材料234可以被鍍并且可以形成至少一個(gè)接觸通孔236。導(dǎo)電材料234可以被鍍以形成在第一芯片側(cè)206和第二芯片側(cè)208之間延伸的連續(xù)結(jié)構(gòu)。例如，接觸通孔236可以延伸通過(guò)灌封材料224且通過(guò)第一芯片側(cè)206和第二芯片側(cè)208之間的芯片204。接觸通孔236可以接觸或形成至少一個(gè)接觸區(qū)域212 (即背側(cè)金屬化區(qū)域)的至少一部分。
[0037]可以通過(guò)將導(dǎo)電材料234沉積在溝道228中來(lái)形成接觸通孔236，其中導(dǎo)電材料234可以至少部分被灌封材料224包圍。此外，導(dǎo)電材料234可以填充溝道228。
[0038]可以理解的是，可以利用單個(gè)連續(xù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(即導(dǎo)電材料234)至少部分地填充溝道228以形成接觸通孔236，其中單個(gè)連續(xù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以接觸至少一個(gè)接觸區(qū)域212并且可以在第一芯片側(cè)206和第二芯片側(cè)208之間延伸。作為單個(gè)連續(xù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的接觸通孔236可以延伸通過(guò)芯片204，以及第一灌封部2241和第二灌封部2242。
[0039]接觸通孔236可以延伸通過(guò)灌封材料224且通過(guò)第一芯片側(cè)206和第二芯片側(cè)208之間的芯片204，其中接觸通孔236可以被連接到接觸區(qū)域212。
[0040]接觸通孔236可以包括設(shè)置在接觸區(qū)域212之上的第一導(dǎo)電部238和設(shè)置在灌封材料224之上(例如第二灌封部2242之上)的第二導(dǎo)電部242。接觸通孔236可以與接觸區(qū)域212直接物理連接和電連接。
[0041]接觸通孔236和例如導(dǎo)電材料234可以包括來(lái)自以下材料組的至少一種材料、元件或合金，該材料組包括銅、招、銀、錫、金、鈕、鋅、鎳、鐵。
[0042]接觸通孔236可以包括延伸通過(guò)第一灌封部2241的導(dǎo)電接觸部244。導(dǎo)電接觸部244可以至少部分被第一灌封部2241包圍，例如在導(dǎo)電部244的橫向側(cè)上。此外，導(dǎo)電部244可以從灌封材料224 (例如從第一灌封部2241)突出。
[0043]接觸通孔236可以至少部分被第一灌封部2241和第二灌封部2242包圍，例如分別在芯片第一側(cè)206和第二芯片側(cè)208處。
[0044]還可以通過(guò)電鍍來(lái)形成接觸結(jié)構(gòu)246。接觸結(jié)構(gòu)246可以例如直接和/或物理地接觸另外的接觸區(qū)域214，例如接觸結(jié)構(gòu)246可以形成在另外的接觸區(qū)域214之上并且可以延伸通過(guò)灌封材料224，例如第一灌封部2241。
[0045]圖2K示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路202的一部分的圖示的橫截面視圖2110。
[0046]焊接材料248可以被沉積在第一芯片側(cè)206和/或第二芯片側(cè)208之上。焊接材料248可以被鍍?cè)诰A的背側(cè)(例如208)和前側(cè)206上面。例如，焊接材料248可以形成在導(dǎo)電材料234的表面區(qū)域之上或者直接在其上面。焊接材料248可以形成在接觸通孔236之上或者直接在其上。例如，焊接材料248可以直接形成在接觸結(jié)構(gòu)246的表面、和/或第一導(dǎo)電部238的表面、和/或第二導(dǎo)電部242的表面、和/或?qū)щ娊佑|部244的表面上。焊接材料248形成在其上的表面可以是沒(méi)有被灌封材料224覆蓋的表面。此外，焊接材料248可以直接沉積在這些表面上。
[0047]焊接材料248例如可以是焊接層(其可以通過(guò)鍍例如電鍍來(lái)沉積)，并可以包括NiPcU NiPdAu、PdAu、Sn、AuSnJP SnAg 中的至少一個(gè)。
[0048]圖2L示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路202的一部分的圖示的橫截面視圖2120。
[0049]另外的灌封材料252可以可選地形成在第二芯片側(cè)208 (例如芯片背側(cè))之上，以使得集成電路器件的背側(cè)可以被模塑。另外的灌封材料252可以至少部分或基本上包圍第一導(dǎo)電部238、第二導(dǎo)電部242和接觸通孔236的至少一部分。另外的灌封材料252可以包括典型的模塑化合物，例如填充的或未填充的環(huán)氧樹脂、預(yù)浸潰的合成纖維、強(qiáng)化纖維、層壓制件、模塑材料、熱固材料、熱塑材料、填充顆粒、纖維強(qiáng)化層壓制件、纖維強(qiáng)化聚合物層壓制件、具有纖維顆粒的纖維強(qiáng)化聚合物層壓制件。
[0050]隨后，可以實(shí)施芯片的獨(dú)立，例如切割，以使得單獨(dú)的芯片組件彼此分離。如果需要，可以通過(guò)經(jīng)過(guò)切割線254分離來(lái)使芯片204與相鄰的芯片(例如芯片204A)分離。如果如根據(jù)上述實(shí)施例那樣芯片204和芯片204A可形成單個(gè)集成電路(例如半橋布置)，則可以使用其他切割線使它們彼此分離。
[0051]在焊接材料248和接觸通孔236 (包括導(dǎo)電接觸部244)之間可以不形成其他附加互連。在焊接材料248和接觸結(jié)構(gòu)246之間可以不形成其他附加互連。此外，焊接材料248可以經(jīng)由焊接材料248直接耦合(例如直接電和/或直接物理連接)到外部電路，例如外部電路板(未示出)(例如PCB)?？梢允褂煤附庸に噥?lái)實(shí)施耦合。
[0052]根據(jù)各種實(shí)施例，可能需要較少的包括模塑化合物的典型裝殼工藝(housingprocess)或者不需要所述典型裝殼工藝。可以通過(guò)晶圓級(jí)的較少并行工藝來(lái)替代在常規(guī)工藝期間可以使用的外殼級(jí)上的許多串行工藝。可以避免模塑化合物和/或形成通過(guò)典型模塑化合物的互連以及相關(guān)聯(lián)的復(fù)雜性。可以利用良好的高效冷卻和高組件可靠性來(lái)實(shí)現(xiàn)較高集成密度。
[0053]圖2J到2L示出根據(jù)各種實(shí)施例的集成電路202。集成電路202可以包括:具有第一芯片側(cè)206和與所述第一芯片側(cè)206相對(duì)的第二芯片側(cè)208的芯片204。該芯片在第二芯片側(cè)208上可以具有至少一個(gè)接觸區(qū)域212。灌封材料224可以至少部分覆蓋芯片204。至少一個(gè)接觸通孔236可以接觸至少一個(gè)接觸區(qū)域212且延伸通過(guò)灌封材料224且通過(guò)第一芯片側(cè)206和第二芯片側(cè)208之間的芯片204。
[0054]圖3A至3C示出根據(jù)各種實(shí)施例的集成電路的圖示的視圖。
[0055]圖3A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路302的圖示的橫截面視圖310。根據(jù)各種實(shí)施例，集成電路302可以類似于集成電路202并且可以包括前面已經(jīng)關(guān)于集成電路202所述的特征的一個(gè)或多個(gè)或所有。如根據(jù)一個(gè)實(shí)施例所示的那樣，集成電路302可以包括接觸通孔236，其可以包括多個(gè)接觸通孔，例如接觸通孔2361、2362、2363、2364、2365。根據(jù)各種實(shí)施例，可以通過(guò)使用通孔第一方法形成接觸通孔236或通孔來(lái)制造集成電路302，所述通孔第一方法可以將漏極區(qū)域(例如背側(cè)金屬化區(qū)域)連接到晶圓前側(cè)(即第一芯片側(cè)206)。換言之，可以甚至在形成孔或腔222或溝道228之前形成至少一個(gè)接觸通孔236或通孔 2361、2362、2363、2364、2365。
[0056]接觸通孔236可以包括形成在第二芯片側(cè)208之上的第一導(dǎo)電部238和第二導(dǎo)電部242以及形成在第一芯片側(cè)206之上的導(dǎo)電接觸部244。接觸結(jié)構(gòu)246可以形成在第一芯片側(cè)206上的另外的接觸區(qū)域214 (例如源極和漏極區(qū))之上。例如，至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)246可以形成在每一個(gè)另外的接觸區(qū)域214 (例如每一個(gè)源極或柵極區(qū)域)之上。
[0057]圖3B示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路302的圖示的頂視圖320。接觸結(jié)構(gòu)246(其可以是源極和柵極外部接觸件)和導(dǎo)電接觸部244 (其可以是漏極外部接觸件)二者可以形成在第一芯片側(cè)206之上。
[0058]圖3C示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的集成電路302H的圖示的頂視圖330。集成電路302H可以包括已經(jīng)描述的集成電路202和302的特征的一個(gè)或多個(gè)或所有。此外，集成電路302H示出單個(gè)集成電路中的半橋電路布置的可能性。接觸結(jié)構(gòu)246 (其可以是第一晶體管的源極和柵極外部接觸件)和導(dǎo)電接觸部244 (其可以是第一晶體管的漏極外部接觸件)可以被形成在第一芯片側(cè)206之上。此外，接觸結(jié)構(gòu)346 (其可以是第二晶體管的柵極外部接觸件)和導(dǎo)電接觸部344 (其可以是第二晶體管的漏極外部接觸件)也可以被形成在第一芯片側(cè)206之上。
[0059]控制電子器件可以附加地集成為分離的集成電路。
[0060]圖4A不出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯布置402的圖不的橫截面視圖410。半導(dǎo)體管芯布置402可以包括: 半導(dǎo)體管芯404 ；
延伸通過(guò)管芯第一側(cè)206和管芯第二側(cè)208之間的半導(dǎo)體管芯404的至少一個(gè)接觸通孔 236 ；
其中至少一個(gè)接觸通孔236可以電連接管芯第二側(cè)208上的接觸區(qū)域212 ;以及 其中至少一個(gè)接觸通孔236可以耦合到外部電路板462的接觸焊盤458。
[0061]圖4B示出根據(jù)各種實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯布置402的圖示的橫截面視圖420。
[0062]半導(dǎo)體管芯布置402可以類似于集成電路202，并且可以包括前面已經(jīng)關(guān)于集成電路202和302所述的特征的一個(gè)或多個(gè)或所有。
[0063]半導(dǎo)體管芯404可以類似于芯片204。
[0064]半導(dǎo)體管芯布置402還可以包括形成在管芯第一側(cè)206和管芯第二側(cè)208之上的灌封材料224，并且接觸通孔236可以延伸通過(guò)半導(dǎo)體管芯404和灌封材料224。
[0065]類似于焊接材料248的焊接層248可以被設(shè)置在接觸通孔236上。接觸通孔236可以經(jīng)由焊接層248耦合到外部電路板462的接觸焊盤458。接觸通孔236經(jīng)由焊接層248直接耦合到外部電路板462的接觸焊盤458。
[0066]半導(dǎo)體管芯布置402還可以包括形成在管芯第一側(cè)206上的至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域214，以及接觸至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域214的至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)246，其中至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)246可以耦合到外部電路板462的另外的接觸焊盤464。例如，接觸結(jié)構(gòu)246可以通過(guò)設(shè)置在接觸結(jié)構(gòu)246之上的焊接層248直接耦合到外部電路板462的另外的接觸焊盤464。
[0067]圖5示出根據(jù)各種實(shí)施例的集成電路502的圖示的橫截面視圖510。
[0068]集成電路502可以類似于集成電路202和半導(dǎo)體管芯布置402，并且可以包括前面已經(jīng)關(guān)于集成電路202、302和402所述的特征的一個(gè)或多個(gè)或所有。
[0069]集成電路502可以包括具有第一芯片側(cè)206和與第一芯片側(cè)206相對(duì)的第二芯片側(cè)208的芯片204。芯片204可以包括在第一芯片側(cè)206和第二芯片側(cè)208之間的耗盡區(qū)216，以及形成在第二芯片側(cè)208上的至少一個(gè)接觸區(qū)域212。灌封材料224可以至少部分覆蓋芯片204 ;并且包括導(dǎo)電材料的至少一個(gè)接觸通孔236可以連接到接觸區(qū)域212并且延伸通過(guò)耗盡區(qū)216。
[0070]接觸通孔236可以延伸通過(guò)灌封材料224且通過(guò)在第一芯片側(cè)206和第二芯片側(cè)208之間的芯片204。
[0071]接觸通孔236可以包括形成在灌封材料224之上的至少一個(gè)導(dǎo)電部232。接觸通孔236可以包括延伸焊盤和蘑菇狀焊盤中的至少一個(gè)?？梢酝ㄟ^(guò)(過(guò))鍍來(lái)產(chǎn)生蘑菇狀焊盤。首先金屬可以在通孔中生長(zhǎng)；在通孔頂部它可能橫向且垂直生長(zhǎng)以形成蘑菇形狀。延伸焊盤可以比初始IC金屬化或通孔直徑更大。
[0072]各種實(shí)施例考慮到以每200mm晶圓大概小于100 €的成本在晶圓級(jí)制造集成電路。區(qū)域開(kāi)銷可以構(gòu)成管芯的一部分，例如管芯的大約1/4，并且可以花費(fèi)小于lc€。此外，部件可以直接用作裸露管芯組件。
[0073]各種實(shí)施例提供一種集成電路，其包括:具有第一芯片側(cè)和與所述第一芯片側(cè)相對(duì)的第二芯片側(cè)的芯片，所述芯片在第二芯片側(cè)上包括至少一個(gè)接觸區(qū)域；至少部分覆蓋所述芯片的灌封材料；以及至少一個(gè)接觸通孔，其接觸所述至少一個(gè)接觸區(qū)域并且延伸通過(guò)所述灌封材料且通過(guò)所述第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間的芯片。
[0074]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述芯片包括半導(dǎo)體管芯。
[0075]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述芯片包括形成在該芯片中的一個(gè)或多個(gè)電子電路，所述一個(gè)或多個(gè)電子電路電耦合到形成在第一芯片側(cè)上的至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域。
[0076]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述芯片包括功率半導(dǎo)體芯片，其中所述功率半導(dǎo)體芯片包括來(lái)自功率半導(dǎo)體器件的組的至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件，所述組包括:功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率絕緣柵雙極晶體管、晶閘管、MOS控制晶閘管、硅控制整流器、功率肖特基二極管、硅碳化物二極管、氮化鎵器件。
[0077]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述灌封材料包括二氧化硅和氮化硅中的至少一個(gè)。
[0078]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述灌封材料包括設(shè)置在第一芯片側(cè)之上的第一灌封部以及設(shè)置在第二芯片側(cè)之上的第二灌封部。
[0079]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)接觸區(qū)域的至少一部分不被灌封材料覆蓋。
[0080]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)接觸通孔包括設(shè)置在所述至少一個(gè)接觸區(qū)域之上的第一導(dǎo)電部和設(shè)置在所述灌封材料之上的第二導(dǎo)電部。
[0081]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)接觸通孔包括設(shè)置在所述至少一個(gè)接觸區(qū)域之上的第一導(dǎo)電部和設(shè)置在所述第二灌封部之上的第二導(dǎo)電部。所述至少一個(gè)接觸通孔可以具有小于或等于I毫歐(例如小于或等于0.1毫歐、例如小于或等于0.01毫歐)的電阻。
[0082]而且，所述至少一個(gè)接觸通孔可以包括多個(gè)或大量接觸通孔，例如至少兩個(gè)、例如至少三個(gè)、例如至少五個(gè)、例如至少10個(gè)、例如至少20個(gè)、例如至少50個(gè)、例如至少100、或者甚至更多，它們可以都連接到同一(公共)節(jié)點(diǎn)(例如同一電焊盤)以及因此可以連接到同一電勢(shì)。
[0083]此外，所述至少一個(gè)接觸通孔可以具有至少100 μ m (例如至少200 μ m、例如至少500 μ m)的通孔尺寸(例如通孔直徑)。
[0084]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)接觸通孔包括來(lái)自以下材料組的至少一種材料、元件或合金，該材料組包括銅、招、銀、錫、金、鈕、鋅、鎳、鐵。
[0085]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)接觸通孔包括延伸通過(guò)第一灌封部的導(dǎo)電接觸部。
[0086]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述導(dǎo)電接觸部從所述灌封材料突出。
[0087]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)接觸通孔至少部分被所述第一灌封部和第二灌封部包圍。
[0088]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述集成電路還包括形成在所述第一芯片側(cè)上的至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域，和接觸所述至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域的至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)。
[0089]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，形成在所述至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域之上的所述至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)延伸通過(guò)所述灌封材料。
[0090]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述集成電路還包括形成在所述第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之上的焊接材料，其中所述焊接材料被設(shè)置在所述至少一個(gè)接觸通孔上。
[0091]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)接觸通孔包括延伸通過(guò)所述芯片、第一灌封部和第二灌封部的單個(gè)連續(xù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0092]各種實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體管芯布置，其包括:半導(dǎo)體管芯；延伸通過(guò)管芯第一側(cè)和管芯第二側(cè)之間的半導(dǎo)體管芯的至少一個(gè)接觸通孔；其中所述至少一個(gè)接觸通孔電接觸管芯第二側(cè)上的接觸區(qū)域；以及其中所述至少一個(gè)接觸通孔耦合到外部電路板的接觸焊盤。
[0093]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述半導(dǎo)體管芯布置還包括形成在管芯第一側(cè)和管芯第二側(cè)之上的灌封材料，并且其中所述至少一個(gè)接觸通孔延伸通過(guò)所述灌封材料。
[0094]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述半導(dǎo)體管芯布置還包括設(shè)置在所述至少一個(gè)接觸通孔上的焊接層，其中所述至少一個(gè)接觸通孔經(jīng)由所述焊接層耦合到所述外部電路板的接觸焊盤。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)接觸通孔經(jīng)由所述焊接層直接耦合到所述外部電路板的接觸焊盤。
[0095]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述半導(dǎo)體管芯布置還包括形成在管芯第一側(cè)上的至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域，以及接觸所述至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域的至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)耦合到所述外部電路板的另外的接觸焊盤。
[0096]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)通過(guò)設(shè)置在所述至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)之上的另外的焊接層直接耦合到所述外部電路板的另外的接觸焊盤。
[0097]各種實(shí)施例提供一種用于制造集成電路的方法，該方法包括:利用灌封材料至少部分地覆蓋芯片，所述芯片具有第一芯片側(cè)和與所述第一芯片側(cè)相對(duì)的第二芯片側(cè)，所述芯片在第二芯片側(cè)上包括至少一個(gè)接觸區(qū)域；以及形成延伸通過(guò)所述灌封材料且通過(guò)所述第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間的芯片的至少一個(gè)接觸通孔，所述至少一個(gè)接觸通孔接觸所述至少一個(gè)接觸區(qū)域。
[0098]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，形成所述至少一個(gè)接觸通孔包括:形成通過(guò)所述芯片的溝道，所述溝道在第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間延伸；以及將導(dǎo)電材料沉積在所述溝道中以形成所述至少一個(gè)接觸通孔。
[0099]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，利用灌封材料至少部分覆蓋芯片包括將灌封材料沉積在第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之上，其中所述至少一個(gè)接觸區(qū)域的至少一部分和所述溝道的至少一部分不被所述灌封材料覆蓋。
[0100]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，形成所述至少一個(gè)接觸通孔還包括將導(dǎo)電材料沉積在所述至少一個(gè)接觸區(qū)域之上以及沉積在設(shè)置在第二芯片側(cè)之上的灌封材料的至少一部分之上。
[0101]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，形成所述至少一個(gè)接觸通孔還包括將導(dǎo)電材料沉積在溝道中，其中所述導(dǎo)電材料至少部分被所述灌封材料包圍。
[0102]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，形成所述至少一個(gè)接觸通孔包括:形成通過(guò)所述芯片的溝道，所述溝道在第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間延伸；以及利用單個(gè)連續(xù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少部分填充所述溝道，所述單個(gè)連續(xù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸所述至少一個(gè)接觸區(qū)域且在第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間延伸。
[0103]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該方法還包括將焊接材料沉積在第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)的至少一個(gè)之上，其中所述焊接材料形成在所述至少一個(gè)接觸通孔之上。
[0104]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該方法還包括經(jīng)由所述焊接材料將所述至少一個(gè)接觸通孔耦合到外部電路板。
[0105]各種實(shí)施例提供一種集成電路，其包括:具有第一芯片側(cè)和與所述第一芯片側(cè)相對(duì)的第二芯片側(cè)的芯片，所述芯片包括在第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間的耗盡區(qū)和形成在第二芯片側(cè)上的至少一個(gè)接觸區(qū)域；至少部分覆蓋所述芯片的灌封材料；以及至少一個(gè)接觸通孔，其包括接觸至少一個(gè)接觸區(qū)域并且延伸通過(guò)所述耗盡區(qū)的導(dǎo)電材料。
[0106]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)接觸通孔延伸通過(guò)所述灌封材料且通過(guò)第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間的芯片。
[0107]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)接觸通孔包括形成在所述灌封材料之上的至少一個(gè)導(dǎo)電部。
[0108]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)接觸通孔包括至少一個(gè)導(dǎo)電部，包括延伸焊盤和蘑菇狀焊盤中的至少一個(gè)。
[0109]盡管已經(jīng)參考具體實(shí)施例特別示出且描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在不偏離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以做出形式和細(xì)節(jié)方面的各種變化。本發(fā)明的范圍因此由所附權(quán)利要求指示且因此意圖包括進(jìn)入權(quán)利要求的等同物的含義和范圍之內(nèi)的所有變化。
【權(quán)利要求】
1.一種集成電路，其包括: 具有第一芯片側(cè)和與所述第一芯片側(cè)相對(duì)的第二芯片側(cè)的芯片，所述芯片在第二芯片側(cè)上包括至少一個(gè)接觸區(qū)域； 至少部分覆蓋所述芯片的灌封材料；以及 至少一個(gè)接觸通孔，其包括接觸所述至少一個(gè)接觸區(qū)域并且延伸通過(guò)所述灌封材料且通過(guò)所述第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間的芯片的導(dǎo)電材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路，其中， 所述芯片包括半導(dǎo)體管芯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路，其中， 所述芯片包括形成在該芯片中的一個(gè)或多個(gè)電子電路，所述一個(gè)或多個(gè)電子電路電耦合到形成在第一芯片側(cè)上的至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路，其中， 所述芯片包括功率半導(dǎo)體芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路，其中， 所述灌封材料包括來(lái)自以下材料組的至少一個(gè)或混合物，所述材料組包括:聚合物、環(huán)氧樹脂、丙烯酸脂、 硅樹脂和高溫?zé)崴軜渲?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路，其中， 所述導(dǎo)電材料具有大于IO5 (l/Ωπι)的導(dǎo)電率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路，其中， 所述灌封材料包括設(shè)置在第一芯片側(cè)之上的第一灌封部以及設(shè)置在第二芯片側(cè)之上的第二灌封部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路，其中， 所述至少一個(gè)接觸區(qū)域的至少一部分不被所述灌封材料覆蓋。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路，其中， 所述至少一個(gè)接觸通孔包括設(shè)置在所述至少一個(gè)接觸區(qū)域之上的第一導(dǎo)電部和設(shè)置在所述灌封材料之上的第二導(dǎo)電部。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的集成電路，其中， 所述至少一個(gè)接觸通孔包括設(shè)置在所述至少一個(gè)接觸區(qū)域之上的第一導(dǎo)電部和設(shè)置在所述第二灌封部之上的第二導(dǎo)電部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的集成電路，其中， 所述至少一個(gè)接觸通孔包括延伸通過(guò)所述第一灌封部的導(dǎo)電接觸部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的集成電路,其中， 所述導(dǎo)電接觸部從所述灌封材料突出。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的集成電路,其中， 所述至少一個(gè)導(dǎo)電接觸部被形成為延伸焊盤和蘑菇狀焊盤中的至少一個(gè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求7的集成電路，其中， 所述至少一個(gè)接觸通孔至少部分被所述第一灌封部和第二灌封部包圍。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路， 還包括形成在第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之上的焊接材料，其中所述焊接材料設(shè)置在所述至少一個(gè)接觸通孔上。
16.根據(jù)權(quán)利要求7的集成電路，其中， 所述至少一個(gè)接觸通孔是延伸通過(guò)所述芯片、第一灌封部和第二灌封部的單個(gè)連續(xù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路,其中， 所述至少一個(gè)接觸通孔包括小于或等于I毫歐的電阻。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路,其中， 所述至少一個(gè)接觸件包括電連接到一個(gè)公共節(jié)點(diǎn)的多個(gè)接觸通孔。
19.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路,其中， 所述至少一個(gè)接觸件具有至少100 μ m的通孔尺寸。
20.一種半導(dǎo)體管芯布置，其包括: 半導(dǎo)體管芯； 至少一個(gè)接觸通孔，其包括延伸通過(guò)管芯第一側(cè)和管芯第二側(cè)之間的半導(dǎo)體管芯的導(dǎo)電材料； 其中所述至少一個(gè)接觸通孔電接觸管芯第二側(cè)上的接觸區(qū)域；以及 其中所述至少一個(gè)接觸通孔耦合到外部電路板的接觸焊盤。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體管芯布置，還包括形成在管芯第一側(cè)和管芯第二側(cè)之上的灌封材料，并且 其中所述至少一個(gè)接觸通孔延伸通過(guò)所述灌封材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體管芯布置，還包括設(shè)置在所述至少一個(gè)接觸通孔上的焊接層，其中所述至少一個(gè)接觸通孔經(jīng)由所述焊接層耦合到所述外部電路板的接觸焊盤。
23.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體管芯布置， 還包括形成在管芯第一側(cè)上的至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域，以及接觸所述至少一個(gè)另外的接觸區(qū)域的至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)耦合到所述外部電路板的另外的接觸焊盤。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體管芯布置，其中， 所述至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)通過(guò)設(shè)置在所述至少一個(gè)接觸結(jié)構(gòu)之上的另外的焊接層直接耦合到所述外部電路板的另外的接觸焊盤。
25.一種用于制造集成電路的方法，該方法包括: 利用灌封材料至少部分覆蓋芯片，所述芯片具有第一芯片側(cè)和與所述第一芯片側(cè)相對(duì)的第二芯片側(cè)，所述芯片在第二芯片側(cè)上包括至少一個(gè)接觸區(qū)域；以及 形成延伸通過(guò)所述灌封材料且通過(guò)所述第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間的芯片的至少一個(gè)接觸通孔，所述至少一個(gè)接觸通孔接觸所述至少一個(gè)接觸區(qū)域。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中， 形成所述至少一個(gè)接觸通孔包括: 形成通過(guò)所述芯片的溝道，所述溝道在第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間延伸；以及 將導(dǎo)電材料沉積 在所述溝道中以形成所述至少一個(gè)接觸通孔。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的方法，其中， 形成所述至少一個(gè)接觸通孔還包括將導(dǎo)電材料沉積在所述至少一個(gè)接觸區(qū)域之上以及沉積在設(shè)置在第二芯片側(cè)之上的灌封材料的至少一部分之上。
28.根據(jù)權(quán)利要求26的方法，其中， 形成所述至少一個(gè)接觸通孔還包括將導(dǎo)電材料沉積在溝道中，其中所述導(dǎo)電材料至少部分被所述灌封材料包圍。
29.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中， 形成所述至少一個(gè)接觸通孔包括: 形成通過(guò)所述芯片的溝道，所述溝道在第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間延伸；以及利用單個(gè)連續(xù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少部分填充所述溝道，所述單個(gè)連續(xù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸所述至少一個(gè)接觸區(qū)域且在第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間延伸。
30.一種集成電路，其包括: 具有第一芯片側(cè)和與所述第一芯片側(cè)相對(duì)的第二芯片側(cè)的芯片，所述芯片包括在第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間的耗盡區(qū)和形成在第二芯片側(cè)上的至少一個(gè)接觸區(qū)域； 至少部分覆蓋所述芯片的灌封材料；以及 至少一個(gè)接觸通孔，其包括接觸至少一個(gè)接觸區(qū)域并且延伸通過(guò)所述耗盡區(qū)的導(dǎo)電材料。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的集成電路，其中， 所述至少一個(gè)接觸通孔 延伸通過(guò)所述灌封材料且通過(guò)第一芯片側(cè)和第二芯片側(cè)之間的芯片。
32.根據(jù)權(quán)利要求30的集成電路，其中， 所述至少一個(gè)接觸通孔包括形成在所述灌封材料之上的至少一個(gè)導(dǎo)電部。
33.根據(jù)權(quán)利要求30的集成電路，其中， 所述至少一個(gè)接觸通孔包括延伸焊盤和蘑菇狀焊盤中的至少一個(gè)。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK103824842SQ201310569053
【公開(kāi)日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2013年11月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月16日
【發(fā)明者】K.侯賽因, J.馬勒, G.邁爾-貝格 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司