二極體、二極體或其他二端積體電路的液體或膠體懸浮液的可印組成物及其制備方法【專利摘要】二極體液體或膠體懸浮液的例示性可印組成物包含復(fù)數(shù)個(gè)二極體、第一溶劑及/或黏度調(diào)節(jié)劑。在其他例示性具體實(shí)例中，亦包括第二溶劑，且該組成物在約25℃下的黏度實(shí)質(zhì)上介于約1,000cps與約25,000cps之間。在一例示性具體實(shí)例中，組成物包含：復(fù)數(shù)個(gè)二極體或其他二端積體電路；一或多種溶劑，其包含約15%至99.9%的N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物中任一者；黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約0.10%至2.5%的甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其混合物；以及約0.01%至2.5%的復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明且化學(xué)惰性的粒子，其尺寸范圍介于約10微米與約30微米之間。【專利說明】二極體、二極體或其他二端積體電路的液體或膠體懸浮液的可印組成物及其制備方法[0001]本申請(qǐng)為申請(qǐng)日為2011年09月01日、申請(qǐng)?zhí)枮?01180052528.8、發(fā)明名稱為《二極體、二極體或其他二端積體電路的液體或膠體懸浮液的可印組成物及其制備方法》的中國專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。[0002]版權(quán)聲明與許可[0003]此專利文件的一部分揭示內(nèi)容含有受版權(quán)保護(hù)的材料。版權(quán)所有者不反對(duì)任何人傳真復(fù)制專利與商標(biāo)局（PatentandTrademarkOffice)專利檔案或記錄中出現(xiàn)的該專利文件或該專利揭示內(nèi)容，但在其他任何情況下均保留所有版權(quán)。以下聲明應(yīng)適用于此文件、如下文所述的資料及內(nèi)容，以及其圖式：C()pyrighIt>010-2011,NthDegreeTechnologiesWorldwide公司。[0004]相關(guān)串請(qǐng)案[0005]本申請(qǐng)案為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2010年9月I日申請(qǐng)的題為「PrintableCompositionofaLiquidorGelSuspensionofDiodes」的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)案第61/379，225號(hào)之轉(zhuǎn)換案且主張其優(yōu)先權(quán)，該專利申請(qǐng)案與本申請(qǐng)案共同讓渡，且其全部內(nèi)容以引用方式并入本文中，具有如同在本文中闡述其全文一般的相同完全效力且針對(duì)所有共同揭示之標(biāo)的物主張優(yōu)先權(quán)。[0006]本申請(qǐng)案為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2010年9月I日申請(qǐng)的題為LightEmitting,PhotovoltaicandOtherElectronicApparatus」的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)案第61/379，284號(hào)的轉(zhuǎn)換案且主張其優(yōu)先權(quán)，該專利申請(qǐng)案與本申請(qǐng)案共同讓渡，且其全部內(nèi)容以引用方式并入本文中，具有如同在本文中闡述其全文一般的相同完全效力且針對(duì)所有共同揭示的標(biāo)的物主張優(yōu)先權(quán)。[0007]本申請(qǐng)案為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2010年9月3日申請(qǐng)的題為「PrintableCompositionofaLiquidorGelSuspensionofDiodesandMethodofMakingSame」的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)案第61/379，830號(hào)的轉(zhuǎn)換案且主張其優(yōu)先權(quán)，該專利申請(qǐng)案與本申請(qǐng)案共同讓渡，且其全部內(nèi)容以引用方式并入本文中，具有如同在本文中闡述其全文一般的相同完全效力且針對(duì)所有共同揭示之標(biāo)的物主張優(yōu)先權(quán)。[0008]本申請(qǐng)案為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2010年9月3日申請(qǐng)的題為LightEmitting,PhotovoltaicandOtherElectronicApparatus」的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)案第61/379，820號(hào)的轉(zhuǎn)換案且主張其優(yōu)先權(quán)，該專利申請(qǐng)案與本申請(qǐng)案共同讓渡，且其全部內(nèi)容以引用方式并入本文中，具有如同在本文中闡述其全文一般的相同完全效力且針對(duì)所有共同揭示的標(biāo)的物主張優(yōu)先權(quán)。[0009]本申請(qǐng)案為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2007年5月31日申請(qǐng)的題為「MethodofManufacturingAddressableandStaticElectronicDisplays」的美國專利申請(qǐng)案第11/756,616號(hào)的部分接續(xù)申請(qǐng)案且主張其優(yōu)先權(quán)，該專利申請(qǐng)案與本申請(qǐng)案共同讓渡，且其全部內(nèi)容以引用方式并入本文中，具有如同在本文中闡述其全文一般的相同完全效力且針對(duì)所有共同揭示的標(biāo)的物主張優(yōu)先權(quán)。[0010]本申請(qǐng)案為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2009年11月22日申請(qǐng)的題為「MethodofManufacturingAddressableandStaticElectronicDisplays,PowerGeneratingandOtherElectronicApparatus」的美國專利申請(qǐng)案第12/601，268號(hào)的部分接續(xù)申請(qǐng)案且主張其優(yōu)先權(quán)，美國專利申請(qǐng)案第12/601，268號(hào)為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2007年5月31日申請(qǐng)的題為「MethodofManufacturingAddressableandStaticElectronicDisplays」的美國專利申請(qǐng)案第11/756，616號(hào)的部分接續(xù)申請(qǐng)案且主張其優(yōu)先權(quán)，且為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2008年5月30日申請(qǐng)的題為「MethodofManufacturingAddressableandStaticElectronicDisplays,PowerGeneratingandOtherElectronicApparatus」的國際申請(qǐng)案PCT/US2008/65237遵循35U.S.C.第371章節(jié)的美國國家階段申請(qǐng)案且主張其優(yōu)先權(quán)，國際申請(qǐng)案PCT/US2008/65237主張2007年5月31日申請(qǐng)的美國專利申請(qǐng)案第11/756，616號(hào)的優(yōu)先權(quán)，該等申請(qǐng)案與本申請(qǐng)案共同讓渡，且其全部內(nèi)容以引用方式并入本文中，具有如同在本文中闡述其全文一般的相同完全效力且針對(duì)所有共同揭示的標(biāo)的物主張優(yōu)先權(quán)。[0011]本申請(qǐng)案亦為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2011年5月31日申請(qǐng)的題為「AddressableorStaticLightEmittingorElectronicApparatus」的美國專利申請(qǐng)案第13/149,681號(hào)的部分接續(xù)申請(qǐng)案且主張其優(yōu)先權(quán)，美國專利申請(qǐng)案第13/149,681號(hào)為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2007年5月31日申請(qǐng)且在2011年7月5日頒布為美國專利第US7,972,031B2號(hào)的題為「AddressableorStaticLightEmittingorElectronicApparatus」的美國專利申請(qǐng)案第11/756，619號(hào)的接續(xù)申請(qǐng)案且主張其優(yōu)先權(quán)，該等申請(qǐng)案與本申請(qǐng)案共同讓渡，且其全部內(nèi)容以引用方式并入本文中，具有如同在本文中闡述其全文一般的相同完全效力且針對(duì)所有共同揭示之標(biāo)的物主張優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)案為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2009年11月22日申請(qǐng)的題為「AddressableorStaticLightEmitting,PowerGeneratingorOtherElectronicApparatus」的美國專利申請(qǐng)案第12/601，271號(hào)的部分接續(xù)申請(qǐng)案且主張其優(yōu)先權(quán)，美國專利申請(qǐng)案第12/601，271號(hào)為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2007年5月31日申請(qǐng)的題為「AddressableorStaticLightEmittingorElectronicApparatus」的美國專利申請(qǐng)案第11/756,619號(hào)的部分接續(xù)申請(qǐng)案且主張其優(yōu)先權(quán)，且為WilliamJohnstoneRay等發(fā)明人在2008年5月30日申請(qǐng)的題為「AddressableorStaticLightEmitting,PowerGeneratingorOtherElectronicApparatus」的國際申請(qǐng)案PCT/US2008/65230遵循35U.S.C.第371章節(jié)的美國國家階段申請(qǐng)案且主張其優(yōu)先權(quán)，國際申請(qǐng)案PCT/US2008/65230主張2007年5月31日申請(qǐng)的美國專利申請(qǐng)案第11/756，619號(hào)的優(yōu)先權(quán)，該等申請(qǐng)案與本申請(qǐng)案共同讓渡，且其全部內(nèi)容以引用方式并入本文中，具有如同在本文中闡述其全文一般的相同完全效力且針對(duì)所有共同揭示的標(biāo)的物主張優(yōu)先權(quán)。[0012]本申請(qǐng)案亦為下列專利申請(qǐng)案的接續(xù)案且主張下列專利申請(qǐng)案之優(yōu)先權(quán)，該等申請(qǐng)案與本申請(qǐng)案共同讓渡，且其全部內(nèi)容以引用方式并入本文中，具有如同在本文中闡述其全文一般的相同完全效力且針對(duì)所有共同揭示的標(biāo)的物主張優(yōu)先權(quán)=(I)MarkD.Lowenthal等發(fā)明人在2011年8月31日申請(qǐng)的題為「PrintableCompositionofaLiquidorGelSuspensionofDiodes」的美國專利申請(qǐng)案第13/223，279號(hào)；（2)MarkD.Lowenthal等發(fā)明人在2011年8月31日申請(qǐng)的題為「LightEmitting,PowerGeneratingorOtherElectronicApparatus」的美國專利申請(qǐng)案第13/223，289號(hào)；（3)MarkD.Lowenthal等發(fā)明人在2011年8月31日申請(qǐng)的題為「MethodofManufacturingaPrintableCompositionofaLiquidorGelSuspensionofDiodes」的美國專利申請(qǐng)案第13/223,286號(hào)；（4)MarkD.Lowenthal等發(fā)明人在2011年8月31日申請(qǐng)的題為「MethodofManufacturingaLightEmitting,PowerGeneratingorOtherElectronicApparatus」的美國專利申請(qǐng)案第13/223，293號(hào)；（5)MarkD.Lowenthal等發(fā)明人在2011年8月31日申請(qǐng)的題為「DiodeForaPrintableComposition」的美國專利申請(qǐng)案第13/223,294號(hào)；（6)MarkD.Lowenthal等發(fā)明人在2011年8月31日申請(qǐng)的題為「DiodeForaPrintableComposition」的美國專利申請(qǐng)案第13/223，297號(hào)；以及（7)MarkD.Lowenthal等發(fā)明人在2011年8月31日申請(qǐng)的題為「PrintableCompositionofaLiquidorGelSuspensionofTwo-TerminalIntegratedCircuitsandApparatus」的美國專利申請(qǐng)案第13/223，302號(hào)。發(fā)明領(lǐng)域[0013]本發(fā)明大體關(guān)于發(fā)光及光電技術(shù)，且尤其關(guān)于發(fā)光或光電二極體或其他二端積體電路懸浮于液體或膠體中且能夠經(jīng)印刷的組成物，以及制造發(fā)光、光電或其他二極體或二端積體電路懸浮于液體或膠體中的組成物的方法。[0014]發(fā)明背景[0015]具有發(fā)光二極體（「LED」）的照明器件通常需要使用積體電路制程步驟在半導(dǎo)體晶圓上形成LED。所得LED實(shí)質(zhì)上呈平面且相當(dāng)大，寬200微米或200微米以上的量級(jí)。每一此種LED為二端器件，通常在LED的同一側(cè)上具有兩個(gè)金屬端以為LED的p型部分與n型部分提供歐姆接觸（Ohmiccontact)。接著通常經(jīng)由機(jī)械制程(諸如鋸切）將LED晶圓分成個(gè)別LED。接著將個(gè)別LED置于反射外殼中，且將接線個(gè)別地附接至LED的兩個(gè)金屬端中的各者。此制程耗時(shí)、勞動(dòng)密集且昂貴，使得基于LED的照明器件對(duì)于多數(shù)消費(fèi)者應(yīng)用而言一般過于昂貴。[0016]同樣，能量生成器件(諸如光電面板）亦通常需要使用積體電路制程步驟在半導(dǎo)體晶圓或其他基板上形成光電二極體。接著封裝且組裝所得晶圓或其他基板以形成光電面板。此制程亦耗時(shí)、勞動(dòng)密集且昂貴，使得光電器件在無第三方資助或無其他政府鼓勵(lì)下廣泛使用亦過于昂貴。[0017]已運(yùn)用各種技術(shù)試圖形成用于發(fā)光或能量生成目的的新型二極體或其他半導(dǎo)體器件。舉例而言，已提出可印刷經(jīng)有機(jī)分子官能化或封端從而可混溶于有機(jī)樹脂及溶劑中的量子點(diǎn)以形成圖形，接著在該等圖形經(jīng)第二光激發(fā)（pump)時(shí)發(fā)光。各種形成器件的方法亦已使用半導(dǎo)體奈米粒子，諸如處于約1.0nm至約1OOnm(十分之一微米）范圍內(nèi)的粒子進(jìn)行。另一方法已利用大量分散于溶劑-黏合劑載劑中的硅粉，其中利用所得硅粉膠態(tài)懸浮液形成印刷電晶體中的活性層。另一不同方法已使用形成于GaAs晶圓上的極平坦的AlInGaPLED結(jié)構(gòu)，其中各LED具有至晶圓上之兩個(gè)相鄰LED中之每一者的脫離光阻錨，且接著取放各LED以形成所得器件。[0018]其他途徑已使用「鎖與鑰（lockandkey)」流體自組裝，其中將梯形二極體置放于溶劑中，接著將其傾注于具有用以將梯形二極體捕獲且固持于適當(dāng)位置的匹配的梯形孔的基板上。然而，溶劑中的梯形二極體并非懸浮及分散于溶劑內(nèi)。反之，梯形二極體快速沈降成相互黏附的二極體塊，無法維持懸浮或分散于溶劑內(nèi)，且在臨用前須要活性音波處理或攪拌。溶劑中的此種梯形二極體不能用作能夠儲(chǔ)存、封裝或用作墨水的基于二極體的墨水，且進(jìn)一步不適用于印刷制程中。[0019]此等方法均未利用真正分散且懸浮于液體或膠體介質(zhì)中，諸如以形成墨水的含有二端積體電路或其他半導(dǎo)體器件的液體或膠體，其中該二端積體電路懸浮成粒子，其中完成半導(dǎo)體器件且其能夠起作用，且該含有二端積體電路或其他半導(dǎo)體器件的液體或膠體可使用印刷制程在非惰性大氣空氣環(huán)境中形成裝置或系統(tǒng)。[0020]對(duì)于基于LED的器件以及光電器件而言，此等基于二極體之技術(shù)的新近發(fā)展仍過于復(fù)雜且昂貴而無法達(dá)成商業(yè)上可行性。因此，仍須要經(jīng)設(shè)計(jì)成在并入的組件以及制造簡便性方面成本較低的發(fā)光及/或光電裝置。亦仍需要使用成本較低且較穩(wěn)固的制程制造該等發(fā)光或光電器件，從而產(chǎn)生可供廣泛使用且為消費(fèi)者及商業(yè)所接受之基于LED的照明器件以及光電面板的方法。因此，對(duì)能夠經(jīng)印刷以形成基于LED的器件及光電器件的完成的能夠起作用的二極體或其他二端積體電路的液體或膠體懸浮液、形成該等基于LED的器件及光電器件的印刷方法以及所得的印刷的基于LED的器件及光電器件仍有各種需求?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0021]例示性具體實(shí)例提供一種「二極體墨水」，即能夠諸如經(jīng)由例如網(wǎng)版印刷或快干印刷術(shù)印刷的二極體或其他二端積體電路的液體或膠體懸浮液及分散液。如下文所更詳細(xì)描述，二極體自身在包括于二極體墨水組成物中之前為完全成形的半導(dǎo)體器件，其在通電時(shí)能夠起作用以發(fā)光(在具體化為LED時(shí)）或在曝露于光源時(shí)提供電力（在具體化為光電二極體時(shí))。例示性方法亦包含制造二極體墨水的方法，如下文所更詳細(xì)論述，該方法使復(fù)數(shù)個(gè)二極體分散及懸浮于溶劑及黏性樹脂或聚合物混合物中，且可印刷該二極體墨水以制造基于LED的器件及光電器件。亦揭示藉由印刷該種二極體墨水而形成的例示性裝置及系統(tǒng)。[0022]雖然描述內(nèi)容集中于作為一種類型的二端積體電路的二極體，然而熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解可等效地替換成其他類型的半導(dǎo)體器件以形成更廣泛稱作「半導(dǎo)體器件墨水」之物，且所有該等變化應(yīng)視作等效且處于本發(fā)明范疇內(nèi)。因此，本文中任何對(duì)「二極體」的提及應(yīng)理解為意謂且包括任何種類之任何二端積體電路，諸如電阻器、電感器、電容器、RFID電路、感測器、壓電器件等，以及可使用兩個(gè)端子或電極操作之任何其他積體電路。[0023]一例示性具體實(shí)例提供一種組成物，其包含：復(fù)數(shù)個(gè)二極體；第一溶劑；以及黏度調(diào)節(jié)劑。[0024]在一例示性具體實(shí)例中，第一溶劑包含至少一種選自由以下組成的群的溶劑：水；醇，諸如甲醇、乙醇、N-丙醇(包括I-丙醇、2-丙醇(異丙醇)、I-甲氧基-2-丙醇)、丁醇(包括I-丁醇、2-丁醇(異丁醇)）、戊醇(包括I-戊醇、2-戊醇、3-戊醇)、辛醇、N-辛醇(包括I-辛醇、2-辛醇、3-辛醇)、四氫糠醇、環(huán)己醇、松香醇；醚，諸如甲基乙基醚、乙醚、乙基丙基醚及聚醚；酯，諸如乙酸乙酯、己二酸二甲酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、戊二酸二甲酯、丁二酸二甲酯、乙酸甘油酯；二醇，諸如乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二醇醚、二醇醚乙酸酯；碳酸酯，諸如碳酸伸丙酯；甘油類，諸如甘油；乙腈、四氫呋喃（THF)、二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基甲酰胺（NMF)、二甲亞砜（DMSO);及其混合物。第一溶劑可以例如約O.3%重量至50%重量或60%重量的量存在。[0025]在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體具有介于約20微米至30微米之間的直徑及介于約5微米至15微米之間的高度；或具有介于約10微米至50微米之間的直徑及介于約5微米至25微米之間的高度；或具有各自為介于約10微米至50微米之間的寬度及長度以及介于約5微米至25微米之間的高度；或具有各自為介于約20微米至30微米之間的寬度及長度以及介于約5微米至15微米之間的高度。復(fù)數(shù)個(gè)二極體可為例如發(fā)光二極體或光電二極體。[0026]例示性組成物可進(jìn)一步包含復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明且化學(xué)惰性的粒子，其尺寸范圍介于約10微米與約50微米之間且以約O.1%重量至2.5%重量的量存在。另一例示性組成物可進(jìn)一步包含復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明且化學(xué)惰性的粒子，其尺寸范圍介于約10微米與約30微米之間且以約O.1%重量至2.5%重量的量存在。[0027]在一例示性具體實(shí)例中，黏度調(diào)節(jié)劑包含至少一種選自由以下組成的群的黏度調(diào)節(jié)劑：黏土，諸如鋰膨潤石黏土、膨潤土黏土（garamiteclay)、有機(jī)改質(zhì)黏土；醣及多醣，諸如瓜爾膠（guargum)、三仙膠；纖維素及改質(zhì)纖維素，諸如羥甲基纖維素、甲基纖維素、乙基纖維素、丙基甲基纖維素、甲氧基纖維素、甲氧基甲基纖維素、甲氧基丙基甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、乙基羥乙基纖維素、纖維素醚、纖維素乙醚、聚葡萄胺糖；聚合物，諸如丙烯酸酯及（甲基）丙烯酸酯聚合物及共聚物；二醇，諸如乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二醇醚、二醇醚乙酸酯；煙霧狀二氧化硅、二氧化硅粉；改質(zhì)尿素；及其混合物。黏度調(diào)節(jié)劑可以例如約O.30%重量至5%重量或約O.10%重量至3%重量的量存在。[0028]組成物可進(jìn)一步包含不同于第一溶劑的第二溶劑。第二溶劑以例如約O.1%重量至60%重量的量存在。[0029]在一例示性具體實(shí)例中，第一溶劑包含N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、I-甲氧基-2-丙醇、I-辛醇、乙醇、四氫糠醇或環(huán)己醇，或其混合物，且以約5%重量至50%重量的量存在；黏度調(diào)節(jié)劑包含甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其混合物，且以約O.10%重量至5.0%重量的量存在；且第二溶劑包含N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、I-甲氧基-2-丙醇、I-辛醇、乙醇、四氫糠醇或環(huán)己醇，或其混合物，且以約O.3%重量至50%重量的量存在。[0030]在另一例示性具體實(shí)例中，第一溶劑包含N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、I-甲氧基-2-丙醇、I-辛醇、乙醇、四氫糠醇或環(huán)己醇，或其混合物，且以約5%重量至30%重量的量存在；黏度調(diào)節(jié)劑包含甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其混合物，且以約I.0%重量至3.0%重量的量存在；且第二溶劑包含N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、I-甲氧基-2-丙醇、I-辛醇、乙醇、四氫糠醇或環(huán)己醇，或其混合物，且以約O.2%重量至8.0%重量的量存在；且其中組成物之其余部分進(jìn)一步包含水。[0031]在另一例示性具體實(shí)例中，第一溶劑包含N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、I-甲氧基-2-丙醇、I-辛醇、乙醇、四氫糠醇或環(huán)己醇，或其混合物，且以約40%重量至60%重量的量存在；黏度調(diào)節(jié)劑包含甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其混合物，且以約O.10%重量至I.5%重量的量存在；且第二溶劑包含N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、I-甲氧基-2-丙醇、I-辛醇、乙醇、四氫糠醇或環(huán)己醇，或其混合物，且以約40%重量至60%重量的量存在。[0032]制備組成物的例示性方法可包含：混合復(fù)數(shù)個(gè)二極體與第一溶劑；將第一溶劑與復(fù)數(shù)個(gè)二極體的混合物添加至黏度調(diào)節(jié)劑中；添加第二溶劑；及在空氣氛圍中混合復(fù)數(shù)個(gè)二極體、第一溶劑、第二溶劑及黏度調(diào)節(jié)劑約25至30分鐘。例示性方法可進(jìn)一步包含自晶圓釋放復(fù)數(shù)個(gè)二極體，且自晶圓釋放復(fù)數(shù)個(gè)二極體的步驟包含例如蝕刻晶圓的背面，研磨且拋光晶圓的背面，或自晶圓背面雷射剝離。[0033]在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，組成物在約25°C下具有實(shí)質(zhì)上介于約50cps與約25，OOOcps之間的黏度，或在約25°C下具有實(shí)質(zhì)上介于約IOOcps與約25，OOOcps之間的黏度，或在約25°C下具有實(shí)質(zhì)上介于約1，OOOcps與約10，OOOcps之間的黏度，或在約25°C下具有實(shí)質(zhì)上介于約10，OOOcps與約25，OOOcps之間的黏度。[0034]在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體可包含GaN且其中復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的GaN部分為實(shí)質(zhì)上六角形、正方形、三角形、矩形、葉形、星形或超環(huán)形。在一例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體的各二極體的發(fā)光或光吸收區(qū)域可具有選自由以下組成的群的表面紋理：復(fù)數(shù)個(gè)圓環(huán)、復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上曲邊梯形、復(fù)數(shù)個(gè)平行條紋、星形圖案及其混合物。[0035]在一例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體在二極體的第一側(cè)上具有第一金屬端子且在二極體的第二側(cè)(背面）上具有第二金屬端子，且第一端子與第二端子的高度各自為介于約I至6微米之間。在另一例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體具有介于約20微米至30微米之間的直徑及介于5微米至15微米之間的高度，且復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體在第一側(cè)上具有復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬端子且在第一側(cè)上具有一個(gè)第二金屬端子，第二金屬端子的接點(diǎn)與復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬端子的接點(diǎn)在高度上間隔約2微米至5微米。在一例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬端子中之各第一金屬端子的高度為介于約O.5微米至2微米之間且第二金屬端子的高度為介于約I微米至8微米之間。在另一例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體具有介于約10微米至50微米之間的直徑及介于5微米至25微米之間的高度，且復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體在第一側(cè)上具有復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬端子且在第一側(cè)上具有一個(gè)第二金屬端子，第二金屬端子的接點(diǎn)與復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬端子的接點(diǎn)在高度上間隔約I微米至7微米。[0036]在另一例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體具有至少一個(gè)金屬導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)于二極體的第一側(cè)上的至少一個(gè)P+型或η+型GaN層與二極體的第二側(cè)（背面）之間延伸。金屬導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)包含例如中心導(dǎo)孔、周邊導(dǎo)孔或周圍導(dǎo)孔。[0037]在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的任何尺寸均小于約30微米。在另一例示性具體實(shí)例中，二極體具有介于約20微米至30微米之間的直徑及介于介于約5微米至15微米之間的高度；或介于約10微米至50微米之間的直徑及介于約5微米至25微米之間的高度；或在側(cè)向上實(shí)質(zhì)上為六角形，具有介于約10微米至50微米之間的相對(duì)面對(duì)面量測的直徑，及介于約5微米至25微米之間的高度；或在側(cè)向上實(shí)質(zhì)上為六角形，具有介于約20微米至30微米之間的相對(duì)面對(duì)面量測的直徑，及介于約5微米至15微米之間的高度；或具有各自為介于約10微米至50微米之間的寬度及長度以及介于約5微米至25微米之間的高度；或具有各自為介于約20微米至30微米之間的寬度及長度以及介于約5微米至15微米之間的高度。在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的側(cè)面的高度小于約10微米。在另一例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的側(cè)面的高度為介于約2.5微米至6微米之間。在另一例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的側(cè)面實(shí)質(zhì)上為S形且終止于彎曲點(diǎn)。[0038]在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，黏度調(diào)節(jié)劑進(jìn)一步包含黏著黏度調(diào)節(jié)劑。黏度調(diào)節(jié)劑在干燥或固化時(shí)可實(shí)質(zhì)上圍繞復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體周邊形成聚合物或樹脂網(wǎng)格或結(jié)構(gòu)。組成物例如在濕潤時(shí)可為視覺上不透明的而在干燥或固化時(shí)為實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明的。組成物之接觸角可大于約25度或大于約40度。組成物的相對(duì)蒸發(fā)率可小于1，其中該蒸發(fā)率系相對(duì)于乙酸丁酯而言，后者的蒸發(fā)率為I。使用組成物的方法可包含在基底上或在耦接至基底的第一導(dǎo)體上印刷組成物。[0039]在一例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體包含至少一種選自由以下組成的群的無機(jī)半導(dǎo)體：硅、砷化鎵（GaAs)、氮化鎵（GaN)、GaP、InAlGaP,InAlGaP、AlInGaAs、InGaNAs及AlInGASb。在另一例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體包含至少一種選自由以下組成的群的有機(jī)半導(dǎo)體^共軛聚合物、聚（乙炔）、聚（吡咯）、聚（噻吩）、聚苯胺、聚噻吩、聚（對(duì)苯硫醚）、聚（對(duì)伸苯基伸乙烯基）（PPV)及PPV衍生物、聚（3-烷基噻吩）、聚吲哚、聚芘、聚咔唑、聚甘菊環(huán)、聚氮呼、聚（弗）、聚萘、聚苯胺、聚苯胺衍生物、聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚吡咯、聚吡咯衍生物、聚苯并噻吩、聚苯并噻吩衍生物、聚對(duì)伸苯基、聚對(duì)伸苯基衍生物、聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚二乙炔、聚二乙炔衍生物、聚對(duì)伸苯基伸乙烯基、聚對(duì)伸苯基伸乙烯基衍生物、聚萘、聚萘衍生物、聚異苯并噻吩（polyisothianaphthene，PITN)、伸雜芳基為噻吩、呋喃或吡咯之聚伸雜芳基伸乙烯基(ParV)、聚苯硫醚（PPS)、聚迫萘（polyperinaphthalene,PPN)、聚酞菁（PPhc),及其衍生物、其共聚物及其混合物。[0040]另一例示性具體實(shí)例提供一種組成物，其包含：復(fù)數(shù)個(gè)二極體；第一溶劑；及黏度調(diào)節(jié)劑；其中該組成物在約25°C下的黏度實(shí)質(zhì)上為約lOOcps至約25，OOOcps。另一例示性具體實(shí)例提供一種組成物，其包含：復(fù)數(shù)個(gè)二極體，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的任何尺寸均小于約50微米；第一溶劑；不同于第一溶劑的第二溶劑；及黏度調(diào)節(jié)劑；其中該組成物在約25°C下的黏度實(shí)質(zhì)上為約50cps至約25，OOOcps。另一例示性具體實(shí)例提供一種組成物，其包含任何尺寸均小于約50微米的復(fù)數(shù)個(gè)二極體；及黏度調(diào)節(jié)劑，以使組成物在約25°C下的黏度實(shí)質(zhì)上為介于約IOOcps至約20，OOOcps之間。另一例示性具體實(shí)例提供一種組成物，其包含：復(fù)數(shù)個(gè)二極體；選自由以下組成的群的第一溶劑：N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；選自由以下組成的群的黏度調(diào)節(jié)劑：甲氧基丙基甲基纖維素樹脂、羥丙基甲基纖維素樹脂及其混合物；及不同于第一溶劑的第二溶劑，該第二溶劑選自由以下組成的群：N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物。[0041]另一例示性具體實(shí)例提供一種裝置，其包含：復(fù)數(shù)個(gè)二極體；至少痕量的第一溶劑；及至少部分圍繞復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的聚合物或樹脂膜。在一例示性具體實(shí)例中，聚合物或樹脂膜包含厚度為介于約IOnm至300nm之間的甲基纖維素樹脂。在另一例示性具體實(shí)例中，聚合物或樹脂膜包含甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其混合物。該裝置可進(jìn)一步包含至少痕量的不同于第一溶劑的第二溶劑。[0042]在一例示性具體實(shí)例中，聚合物或樹脂膜包含固化、干燥或聚合的黏度調(diào)節(jié)劑，該黏度調(diào)節(jié)劑選自由以下組成的群：黏土，諸如鋰膨潤石黏土、膨潤土（garamite)黏土、有機(jī)改質(zhì)黏土；醣及多醣，諸如瓜爾膠、三仙膠；纖維素及改質(zhì)纖維素，諸如羥甲基纖維素、甲基纖維素、乙基纖維素、丙基甲基纖維素、甲氧基纖維素、甲氧基甲基纖維素、甲氧基丙基甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、乙基羥乙基纖維素、纖維素醚、纖維素乙醚、聚葡萄胺糖；聚合物，諸如丙烯酸酯及（甲基）丙烯酸酯聚合物及共聚物；二醇，諸如乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二醇醚、二醇醚乙酸酯；煙霧狀二氧化硅、二氧化硅粉；改質(zhì)尿素；及其混合物。[0043]例示性裝置可進(jìn)一步包含復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明且化學(xué)惰性的粒子，復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明且化學(xué)惰性的粒子中之各惰性粒子介于約10微米與約50微米之間；其中聚合物或樹脂膜進(jìn)一步至少部分圍繞復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明且化學(xué)惰性的粒子中的各惰性粒子。[0044]例示性裝置可進(jìn)一步包含：基底；一或多個(gè)耦接至第一端子的第一導(dǎo)體；至少一個(gè)耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體的介電層；及一或多個(gè)耦接至第二端子且耦接至介電層的第二導(dǎo)體。在一例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中之至少一個(gè)二極體具有耦接至至少一個(gè)第二導(dǎo)體的第一端子及耦接至至少一個(gè)第一導(dǎo)體的第二端子。在另一例示性具體實(shí)例中，第一部分復(fù)數(shù)個(gè)二極體具有耦接至至少一個(gè)第一導(dǎo)體的第一端子及耦接至至少一個(gè)第二導(dǎo)體的第二端子，且其中第二部分復(fù)數(shù)個(gè)二極體具有耦接至至少一個(gè)第二導(dǎo)體的第一端子及耦接至至少一個(gè)第一導(dǎo)體的第二端子。例示性裝置可進(jìn)一步包含：耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體且耦接至一或多個(gè)第二導(dǎo)體的介面電路，該介面電路進(jìn)一步可耦接至電源。[0045]在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，一或多個(gè)第一導(dǎo)體可進(jìn)一步包含：第一電極，其包含第一匯流排及自第一匯流排延伸的第一復(fù)數(shù)個(gè)延長導(dǎo)體；及第二電極，其包含第二匯流排及自第二匯流排延伸的第二復(fù)數(shù)個(gè)延長導(dǎo)體。第二復(fù)數(shù)個(gè)延長導(dǎo)體可與第一復(fù)數(shù)個(gè)延長導(dǎo)體相間錯(cuò)雜。一或多個(gè)第二導(dǎo)體可進(jìn)一步耦接至第二復(fù)數(shù)個(gè)延長導(dǎo)體。[0046]在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，該裝置可折迭且可彎曲。該裝置可為實(shí)質(zhì)上平坦的且總厚度小于約3mm。裝置可用刀模切割且折迭成所選形狀。裝置的復(fù)數(shù)個(gè)二極體的平均表面積濃度可為每平方公分約25個(gè)至50，000個(gè)二極體。在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，裝置不包括散熱片或散熱片組件。[0047]在另一例示性具體實(shí)例中，裝置包含：基底；復(fù)數(shù)個(gè)二極體，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體具有第一端子及第二端子，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的任何尺寸均小于約50微米；實(shí)質(zhì)上圍繞復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體之膜，該膜包含聚合物或樹脂且厚度為介于約IOnm至300nm之間；一或多個(gè)耦接至第一復(fù)數(shù)個(gè)第一端子的第一導(dǎo)體；耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體的第一介電層；及一或多個(gè)耦接至第一復(fù)數(shù)個(gè)第二端子的第二導(dǎo)體。[0048]在另一例示性具體實(shí)例中，裝置包含：基底；一或多個(gè)第一導(dǎo)體；耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體的介電層；一或多個(gè)第二導(dǎo)體；復(fù)數(shù)個(gè)二極體，該復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的任何尺寸均小于約50微米，第一部分該復(fù)數(shù)個(gè)二極體以正向偏壓定向耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體且耦接至一或多個(gè)第二導(dǎo)體，且復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的至少一個(gè)二極體以反向偏壓定向耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體且耦接至一或多個(gè)第二導(dǎo)體；及實(shí)質(zhì)上圍繞復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的膜，該膜包含聚合物或樹脂且厚度為介于約IOnm至300nm之間。[0049]在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，二極體包含：直徑為介于約20微米至30微米之間且高度為介于約2.5微米至7微米之間的發(fā)光或光吸收區(qū)域；在第一側(cè)上耦接至發(fā)光區(qū)域的第一端子，該第一端子的高度為介于約I微米至6微米之間；及在與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上耦接至發(fā)光區(qū)域的第二端子，該第二端子的高度為介于約I微米至6微米之間。[0050]在另一例示性具體實(shí)例中，二極體包含：直徑為介于約6微米至30微米之間且高度為介于約I微米至7微米之間的發(fā)光或光吸收區(qū)域；在第一側(cè)上耦接至發(fā)光區(qū)域的第一端子，該第一端子的高度為介于約I微米至6微米之間；及在與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上耦接至發(fā)光區(qū)域的第二端子，該第二端子的高度為介于約I微米至6微米之間；其中該二極體在側(cè)向上實(shí)質(zhì)上為六角形，具有介于約10微米至50微米之間的相對(duì)面對(duì)面量測的直徑及介于約5微米至25微米之間的高度，且其中二極體的各側(cè)面的高度小于約10微米，二極體的各側(cè)面具有實(shí)質(zhì)上S形彎曲且終止于彎曲點(diǎn)。[0051]在另一例示性具體實(shí)例中，二極體包含：直徑為約6微米至30微米且高度為約I微米至7微米的發(fā)光或光吸收區(qū)域；在第一側(cè)上耦接至發(fā)光區(qū)域的第一端子，該第一端子的高度為約I微米至6微米；及在與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上耦接至發(fā)光區(qū)域的第二端子，該第二端子的高度為約I微米至6微米；其中該二極體具有各自為介于約10微米至50微米之間的寬度及長度以及介于約5微米至25微米之間的高度，且其中二極體的各側(cè)面的高度小于約10微米，二極體的各側(cè)面具有實(shí)質(zhì)上S形彎曲且終止于彎曲點(diǎn)。[0052]在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，二極體包含：直徑為約6微米至30微米且高度為約2.5微米至7微米的發(fā)光或光吸收區(qū)域；在第一側(cè)上耦接至發(fā)光區(qū)域的第一端子，該第一端子的高度為約3微米至6微米；及在與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上耦接至發(fā)光區(qū)域的第二端子，該第二端子的高度為約3微米至6微米；其中該二極體具有各自為約10微米至30微米的寬度及長度以及介于約5微米至15微米之間的高度，且其中二極體的各側(cè)面的高度小于約10微米，二極體的各側(cè)面具有實(shí)質(zhì)上S形彎曲且終止于彎曲點(diǎn)。[0053]在另一例示性具體實(shí)例中，二極體包含：直徑為介于約20微米至30微米之間且高度為介于2.5微米至7微米之間的發(fā)光或光吸收區(qū)域；在第一側(cè)上間隔開且周邊耦接至發(fā)光區(qū)域的復(fù)數(shù)個(gè)第一端子，復(fù)數(shù)個(gè)第一端子中的各第一端子的高度為約O.5微米至2微米；以及在第一側(cè)上中心耦接至發(fā)光區(qū)域的臺(tái)面區(qū)域的一個(gè)第二端子，該第二端子的高度為I微米至8微米。[0054]在另一例示性具體實(shí)例中，二極體包含：具有臺(tái)面區(qū)域的發(fā)光或光吸收區(qū)域，該臺(tái)面區(qū)域的高度為O.5微米至2微米且直徑為約6微米至22微米；在第一側(cè)上間隔開且耦接至發(fā)光區(qū)域且周邊耦接至臺(tái)面區(qū)域的復(fù)數(shù)個(gè)第一端子，復(fù)數(shù)個(gè)第一端子中的各第一端子的高度為約O.5微米至2微米；以及在第一側(cè)上中心耦接至發(fā)光區(qū)域的臺(tái)面區(qū)域的一個(gè)第二端子，該第二端子的高度為I微米至8微米；其中二極體的側(cè)向的側(cè)向尺寸為約10微米至50微米且高度為約5微米至25微米。[0055]在另一例示性具體實(shí)例中，二極體包含：直徑為約20微米至30微米且高度為2.5微米至7微米的發(fā)光或光吸收區(qū)域；在第一側(cè)上間隔開且周邊耦接至發(fā)光區(qū)域的復(fù)數(shù)個(gè)第一端子，各第一端子的高度為約O.5微米至2微米；以及在第一側(cè)上中心耦接至發(fā)光區(qū)域的臺(tái)面區(qū)域的一個(gè)第二端子，該第二端子的高度為3微米至6微米；其中該二極體在側(cè)向上實(shí)質(zhì)上為六角形，具有約20至30微米的直徑及介于約5微米至15微米之間的高度，其中二極體的各側(cè)面的高度小于約10微米，二極體的各側(cè)面具有實(shí)質(zhì)上S形彎曲且終止于彎曲點(diǎn)。[0056]在另一例示性具體實(shí)例中，二極體包含：具有臺(tái)面區(qū)域的發(fā)光或光吸收區(qū)域，該臺(tái)面區(qū)域的高度為O.5微米至2微米且直徑為約6微米至22微米；在第一側(cè)上間隔開且耦接至發(fā)光區(qū)域且周邊耦接至臺(tái)面區(qū)域的復(fù)數(shù)個(gè)第一端子，復(fù)數(shù)個(gè)第一端子中的各第一端子的高度為約O.5微米至2微米；以及在第一側(cè)上中心耦接至發(fā)光區(qū)域的臺(tái)面區(qū)域的一個(gè)第二端子，該第二端子的高度為I微米至8微米，該第二金屬端子具有一個(gè)接點(diǎn)，且第二端子的一個(gè)接點(diǎn)與復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬端子的接點(diǎn)在高度上間隔約I微米至7微米；其中二極體在側(cè)向上實(shí)質(zhì)上為六角形，具有介于約10微米至50微米之間的直徑及介于介于約5微米至25微米之間的高度，其中二極體的各側(cè)面的高度小于約15微米，二極體的各側(cè)面具有實(shí)質(zhì)上S形彎曲且終止于彎曲點(diǎn)。[0057]制備供印刷的二極體液體或膠體懸浮液的例示性方法包含：將黏度調(diào)節(jié)劑添加至第一溶劑中的復(fù)數(shù)個(gè)二極體中；及混合復(fù)數(shù)個(gè)二極體、第一溶劑及黏度調(diào)節(jié)劑以形成含復(fù)數(shù)個(gè)二極體的液體或膠體懸浮液。[0058]在另一例示性具體實(shí)例中，制備供印刷的二極體液體或膠體懸浮液的方法包含：將第二溶劑添加至第一溶劑中的復(fù)數(shù)個(gè)二極體中，第二溶劑不同于第一溶劑；將黏度調(diào)節(jié)劑添加至復(fù)數(shù)個(gè)二極體、第一溶劑及第二溶劑中；將復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上化學(xué)惰性的粒子添加至復(fù)數(shù)個(gè)二極體、第一溶劑、第二溶劑及黏度調(diào)節(jié)劑中；及混合復(fù)數(shù)個(gè)二極體、第一溶劑、第二溶劑、黏度調(diào)節(jié)劑及復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上化學(xué)惰性的粒子直至在約25°C下量測的黏度為至少約100厘泊（cps)為止以形成含復(fù)數(shù)個(gè)二極體的液體或膠體懸浮液。[0059]在另一例示性具體實(shí)例中，制備供印刷的二極體液體或膠體懸浮液的方法包含：將黏度調(diào)節(jié)劑添加至復(fù)數(shù)個(gè)二極體、第一溶劑及第二溶劑中，第二溶劑不同于第一溶劑，其中復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的側(cè)向尺寸為約10微米至50微米且高度為約5微米至25微米；將復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上化學(xué)惰性的粒子添加至復(fù)數(shù)個(gè)二極體、第一溶劑、第二溶劑及黏度調(diào)節(jié)劑中，其中復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上化學(xué)惰性的粒子中的各粒子的任何尺寸為約10微米至約70微米；以及混合復(fù)數(shù)個(gè)二極體、第一溶劑、第二溶劑、黏度調(diào)節(jié)劑及復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上化學(xué)惰性的粒子直至在約25°C下量測的黏度為至少約1，000厘泊（cps)為止以形成含復(fù)數(shù)個(gè)二極體的液體或膠體懸浮液。[0060]在一例示性具體實(shí)例中，制造電子器件的方法包含：沈積一或多個(gè)第一導(dǎo)體；以及沈積懸浮于第一溶劑與黏度調(diào)節(jié)劑的混合物中的復(fù)數(shù)個(gè)二極體。[0061]在另一例示性具體實(shí)例中，方法包含：在光學(xué)透射性基底的第一側(cè)上沈積懸浮于第一溶劑與黏度調(diào)節(jié)劑的混合物中的復(fù)數(shù)個(gè)二極體，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體在第一側(cè)上具有復(fù)數(shù)個(gè)第一端子且在第一側(cè)上具有一個(gè)第二端子，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的側(cè)向尺寸為約10微米至50微米且高度為5微米至25微米；沈積一或多個(gè)耦接至第一端子的第一導(dǎo)體；沈積至少一個(gè)耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體的介電層；沈積一或多個(gè)耦接至第二端子的第二導(dǎo)體；以及在光學(xué)透射性基底的第二側(cè)上沈積第一磷光體層。[0062]在另一例示性具體實(shí)例中，方法包含：在基底的第一側(cè)上沈積一或多個(gè)第一導(dǎo)體；在一或多個(gè)第一導(dǎo)體上沈積懸浮于第一溶劑與黏度調(diào)節(jié)劑的混合物中的復(fù)數(shù)個(gè)二極體，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體在第一側(cè)上具有第一端子且在第二側(cè)上具有第二端子，復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的側(cè)向尺寸為約10微米至50微米且高度為5微米至25微米；在復(fù)數(shù)個(gè)二極體及一或多個(gè)第一導(dǎo)體上沈積至少一個(gè)介電層；在介電層上沈積一或多個(gè)光學(xué)透射性第二導(dǎo)體；以及沈積第一磷光體層。[0063]在另一例示性具體實(shí)例中，組成物包含：復(fù)數(shù)個(gè)二端積體電路，復(fù)數(shù)個(gè)二端積體電路中的各二端積體電路的任何尺寸均小于約75微米；第一溶劑；不同于第一溶劑的第二溶劑；以及黏度調(diào)節(jié)劑；其中該組成物在約25°C下的黏度實(shí)質(zhì)上為約50cps至約25，OOOcps。在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)二端積體電路包含選自由以下組成的群的二端積體電路：二極體、發(fā)光二極體、光電二極體、電阻器、電感器、電容器、RFID積體電路、感測器積體電路以及壓電積體電路。[0064]在另一例示性具體實(shí)例中，裝置包含：基底；復(fù)數(shù)個(gè)二端積體電路，復(fù)數(shù)個(gè)二端積體電路中的各二端積體電路的任何尺寸均小于約75微米；至少痕量的第一溶劑；實(shí)質(zhì)上圍繞復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的膜，該膜包含甲基纖維素樹脂且具有約IOnm至300nm的厚度；一或多個(gè)耦接至復(fù)數(shù)個(gè)二端積體電路的第一導(dǎo)體；耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體的第一介電層；以及一或多個(gè)耦接至復(fù)數(shù)個(gè)二端積體電路的第二導(dǎo)體。[0065]在另一例示性具體實(shí)例中，組成物包含：復(fù)數(shù)個(gè)二端積體電路，復(fù)數(shù)個(gè)二端積體電路中的各二端積體電路的任何尺寸均小于約75微米；第一溶劑；不同于第一溶劑的第二溶劑；復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上化學(xué)惰性的粒子，其尺寸范圍介于約10微米至約100微米之間且以約O.1%重量至2.5%重量的量存在；以及黏度調(diào)節(jié)劑；其中該組成物在約25°C下的黏度實(shí)質(zhì)上為約50cps至約25,OOOcps。[0066]本發(fā)明的多種其他優(yōu)勢及特征經(jīng)由下列對(duì)本發(fā)明及其具體實(shí)例之詳細(xì)描述、權(quán)利要求以及隨附圖式將容易地變得顯而易見?！緦＠綀D】【附圖說明】[0067]在連同隨附圖式一起考慮時(shí)參閱下列揭示內(nèi)容后，將更容易地了解本發(fā)明的目的、特征及優(yōu)勢，其中在各個(gè)視圖中，使用相同參考數(shù)字來標(biāo)識(shí)相同組件，且其中在各個(gè)視圖中，利用帶有字母字符的參考數(shù)字來標(biāo)識(shí)所選組件具體實(shí)例之其他類型、示例或變化形式。[0068]圖I為說明例示性第一二極體具體實(shí)例的透視圖。[0069]圖2為說明例示性第一二極體具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖）。[0070]圖3為說明例示性第一二極體具體實(shí)例的橫截面圖。[0071]圖4為說明例示性第二二極體具體實(shí)例的透視圖。[0072]圖5為說明例示性第二二極體具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖）。[0073]圖6為說明例示性第三二極體具體實(shí)例的透視圖。[0074]圖7為說明例示性第三二極體具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖）。[0075]圖8為說明例示性第四二極體具體實(shí)例的透視圖。[0076]圖9為說明例示性第四二極體具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖）。[0077]圖10為說明例示性第二、第三及/或第四二極體具體實(shí)例的橫截面圖。[0078]圖11為說明例示性第五及第六二極體具體實(shí)例的透視圖。[0079]圖12為說明例示性第五及第六二極體具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖）。[0080]圖13為說明例示性第五二極體具體實(shí)例的橫截面圖。[0081]圖14為說明例示性第六二極體具體實(shí)例的橫截面圖。[0082]圖15為說明例示性第七二極體具體實(shí)例的透視圖。[0083]圖16為說明例示性第七二極體具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖)。[0084]圖17為說明例示性第七二極體具體實(shí)例的橫截面圖。[0085]圖18為說明例示性第八二極體具體實(shí)例的透視圖。[0086]圖19為說明例示性第八二極體具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖)。[0087]圖20為說明例示性第八二極體具體實(shí)例的橫截面圖。[0088]圖21為說明例示性第十二極體具體實(shí)例的透視圖。[0089]圖22為說明例示性第十二極體具體實(shí)例的橫截面圖。[0090]圖23為說明例示性第十一二極體具體實(shí)例的透視圖。[0091]圖24為說明例示性第十一二極體具體實(shí)例的橫截面圖。[0092]圖25為說明一部分復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)及金屬層的橫截面圖,其說明復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外表面及/或內(nèi)表面的視情況呈現(xiàn)的幾何形狀及紋理。[0093]圖26為具有氧化物層(諸如二氧化硅)的晶圓的橫截面圖。[0094]圖27為具有蝕刻成網(wǎng)格圖案的氧化物層的晶圓的橫截面圖。[0095]圖28為具有蝕刻成網(wǎng)格圖案的氧化物層的晶圓的平面圖(或俯視圖)。[0096]圖29為具有緩沖層(諸如氮化鋁或氮化硅)、呈網(wǎng)格圖案的二氧化硅層及氮化鎵(GaN)層的晶圓的橫截面圖。[0097]圖30為具有緩沖層及復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層、量子井區(qū)及P+型GaN層)的基板的橫截面圖。[0098]圖31為具有緩沖層及第一臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的基板的橫截面圖。[0099]圖32為具有緩沖層及第二臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的基板的橫截面圖。[0100]圖33為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)以及用于導(dǎo)孔連接的經(jīng)蝕刻基板的基板的橫截面圖。[0101]圖34為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與P+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層以及形成導(dǎo)孔的金屬化層的基板的橫截面圖。[0102]圖35為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、形成導(dǎo)孔的金屬化層以及側(cè)向蝕刻的渠溝的基板的橫截面圖。[0103]圖36為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、形成導(dǎo)孔的金屬化層、側(cè)向蝕刻的渠溝及鈍化層(諸如氮化硅)的基板的橫截面圖。[0104]圖37為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與P+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、形成導(dǎo)孔的金屬化層、側(cè)向蝕刻的渠溝、鈍化層及形成突出或凸塊結(jié)構(gòu)的金屬化層的基板的橫截面圖。[0105]圖38為具有復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層、量子井區(qū)及ρ+型GaN層)的基板的橫截面圖。[0106]圖39為具有第三臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的基板的橫截面圖。[0107]圖40為具有臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、用于導(dǎo)孔連接的經(jīng)蝕刻基板及側(cè)向蝕刻的渠溝的基板的橫截面圖。[0108]圖41為具有臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與η+型GaN層形成歐姆接觸且形成貫穿導(dǎo)孔的金屬化層以及側(cè)向蝕刻的渠溝的基板的橫截面圖。[0109]圖42為具有臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與η+型GaN層形成歐姆接觸且形成貫穿導(dǎo)孔的金屬化層、與P+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層以及側(cè)向蝕刻的渠溝的基板的橫截面圖。[0110]圖43為具有臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與η+型GaN層形成歐姆接觸且形成貫穿導(dǎo)孔的金屬化層、與P+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、側(cè)向蝕刻的渠溝及鈍化層(諸如氮化硅)的基板的橫截面圖。[0111]圖44為具有臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與η+型GaN層形成歐姆接觸且形成貫穿導(dǎo)孔的金屬化層、與P+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、側(cè)向蝕刻的渠溝、鈍化層(諸如氮化硅)及形成突出或凸塊結(jié)構(gòu)的金屬化層的基板的橫截面圖。[0112]圖45為具有緩沖層、復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層、量子井區(qū)及ρ+型GaN層)及與P+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層的基板的橫截面圖。[0113]圖46為具有緩沖層、第四臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)及與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層的基板的橫截面圖。[0114]圖47為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層及與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層的基板的橫截面圖。[0115]圖48為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層及側(cè)向蝕刻的渠溝的基板的橫截面圖。[0116]圖49為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層及具有形成周圍貫穿導(dǎo)孔的金屬化層的側(cè)向蝕刻的渠溝的基板的橫截面圖。[0117]圖50為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層及具有形成周圍貫穿導(dǎo)孔的金屬化層的側(cè)向蝕刻的渠溝、鈍化層(諸如氮化硅)以及形成突出或凸塊結(jié)構(gòu)的金屬化層的基板的橫截面圖。[0118]圖51為具有緩沖層、第五臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)以及與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層的基板的橫截面圖。[0119]圖52為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層以及用于中心導(dǎo)孔連接的經(jīng)蝕刻GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的基板的橫截面圖。[0120]圖53為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層及形成中心導(dǎo)孔且與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層的基板的橫截面圖。[0121]圖54為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與P+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、形成中心導(dǎo)孔且與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層及第一鈍化層(諸如氮化硅)的基板的橫截面圖。[0122]圖55為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、形成中心導(dǎo)孔且與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、第一鈍化層(諸如氮化硅)及形成突出或凸塊結(jié)構(gòu)的金屬化層的基板的橫截面圖。[0123]圖56為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、形成中心導(dǎo)孔且與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、第一鈍化層(諸如氮化硅)、形成突出或凸塊結(jié)構(gòu)的金屬化層及側(cè)向(或周圍)蝕刻的渠溝的基板的橫截面圖。[0124]圖57為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、形成中心導(dǎo)孔且與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、第一鈍化層(諸如氮化硅)、形成突出或凸塊結(jié)構(gòu)的金屬化層、側(cè)向(或周圍)蝕刻的渠溝及第二鈍化層(諸如氮化硅)的基板的橫截面圖。[0125]圖58為具有緩沖層、第六臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)以及與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層的基板的橫截面圖。[0126]圖59為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層及與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層的基板的橫截面圖。[0127]圖60為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層及與ρ+型GaN層形成接觸的其他金屬化層的基板的橫截面圖。[0128]圖61為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、與ρ+型GaN層形成接觸的其他金屬化層及形成突出或凸塊結(jié)構(gòu)的金屬化層的基板的橫截面圖。[0129]圖62為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、與ρ+型GaN層形成接觸的其他金屬化層、形成突出或凸塊結(jié)構(gòu)的金屬化層及鈍化層(諸如氮化硅)的基板的橫截面圖。[0130]圖63為具有緩沖層、臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)、與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、與η+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層、與ρ+型GaN層形成接觸的其他金屬化層、形成突出或凸塊結(jié)構(gòu)的金屬化層、鈍化層(諸如氮化硅)及側(cè)向(或周圍)蝕刻的渠溝的基板的橫截面圖。[0131]圖64為說明黏著至固持裝置的例示性二極體晶圓具體實(shí)例的橫截面圖。[0132]圖65為說明黏著至固持裝置的例示性二極體晶圓具體實(shí)例的橫截面圖。[0133]圖66為說明黏著至固持裝置的例示性第十二極體具體實(shí)例的橫截面圖。[0134]圖67為說明在背面金屬化之前黏著至固持裝置的例示性第十二極體具體實(shí)例的橫截面圖。[0135]圖68為說明黏著至固持裝置的例示性二極體具體實(shí)例的橫截面圖。[0136]圖69為說明黏著至固持裝置的例示性第十一二極體具體實(shí)例的橫截面圖。[0137]圖70為說明用于制造二極體的例示性第一方法具體實(shí)例的流程圖。[0138]圖71分成圖71Α及圖71Β，為說明用于制造二極體的例示性第二方法具體實(shí)例的流程圖。[0139]圖72分成圖72Α及圖72Β，為說明用于制造二極體的例示性第三方法具體實(shí)例的流程圖。[0140]圖73分成圖73Α及圖73Β，為說明用于制造二極體的例示性第四方法具體實(shí)例的流程圖。[0141]圖74為說明黏著至固持裝置且懸浮于含黏著劑溶劑之器皿中的例示性經(jīng)研磨及拋光二極體晶圓具體實(shí)例的橫截面圖。[0142]圖75為說明用于制造二極體懸浮液的例示性方法具體實(shí)例的流程圖。[0143]圖76為例示性第一裝置具體實(shí)例的透視圖。[0144]圖77為說明例示性裝置具體實(shí)例之第一導(dǎo)電層的例示性第一電極結(jié)構(gòu)的平面圖(或俯視圖)。[0145]圖78為例示性第一裝置具體實(shí)例的第一橫截面圖。[0146]圖79為例示性第一裝置具體實(shí)例的第二橫截面圖。[0147]圖80為例示性第二裝置具體實(shí)例的透視圖。[0148]圖81為例示性第二裝置具體實(shí)例的第一橫截面圖。[0149]圖82為例示性第二裝置具體實(shí)例的第二橫截面圖。[0150]圖83為耦接至第一導(dǎo)體的例示性二極體的第二橫截面圖。[0151]圖84為第一例示性系統(tǒng)具體實(shí)例的方塊圖。[0152]圖85為第二例示性系統(tǒng)具體實(shí)例的方塊圖。[0153]圖86為說明用于制造裝置的例示性方法具體實(shí)例的流程圖。[0154]圖87為自兩側(cè)發(fā)光的例示性第三裝置具體實(shí)例的橫截面圖。[0155]圖88為自兩側(cè)發(fā)光的例示性第四裝置具體實(shí)例的橫截面圖。[0156]圖89為例示性第一裝置具體實(shí)例的更詳細(xì)的部分橫截面圖。[0157]圖90為例示性第二裝置具體實(shí)例的更詳細(xì)的部分橫截面圖。[0158]圖91為例示性第五裝置具體實(shí)例的透視圖。[0159]圖92為例示性第五裝置具體實(shí)例的橫截面圖。[0160]圖93為例示性第六裝置具體實(shí)例的透視圖。[0161]圖94為例示性第六裝置具體實(shí)例的橫截面圖。[0162]圖95為例示性第七裝置具體實(shí)例的透視圖。[0163]圖96為例示性第七裝置具體實(shí)例的橫截面圖。[0164]圖97為例示性第八裝置具體實(shí)例的透視圖。[0165]圖98為例示性第八裝置具體實(shí)例的橫截面圖。[0166]圖99為說明例示性裝置具體實(shí)例之第一導(dǎo)電層的例示性第二電極結(jié)構(gòu)的平面圖(或俯視圖)。[0167]圖100為第三及第四例示性系統(tǒng)具體實(shí)例的透視圖。[0168]圖101為例示性第九及第十裝置具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖)。[0169]圖102為例示性第九裝置具體實(shí)例的橫截面圖。[0170]圖103為例示性第十裝置具體實(shí)例的橫截面圖。[0171]圖104為說明例示性發(fā)光或光吸收區(qū)域的例示性第一表面幾何形狀的透視圖。[0172]圖105為說明例示性發(fā)光或光吸收區(qū)域的例示性第二表面幾何形狀的透視圖。[0173]圖106為說明例示性發(fā)光或光吸收區(qū)域的例示性第三表面幾何形狀的透視圖。[0174]圖107為說明例示性發(fā)光或光吸收區(qū)域的例示性第四表面幾何形狀的透視圖。[0175]圖108為說明例示性發(fā)光或光吸收區(qū)域的例示性第五表面幾何形狀的透視圖。[0176]圖109為發(fā)光之通電例示性裝置具體實(shí)例的照片。[0177]圖110為例示性第二二極體具體實(shí)例的掃描電子顯微照片。[0178]圖111為復(fù)數(shù)個(gè)例示性第二二極體具體實(shí)例的掃描電子顯微照片?！揪唧w實(shí)施方式】[0179]雖然本發(fā)明容許有呈多種不同形式的具體實(shí)例，但僅其特定例示性具體實(shí)例展示于圖式中且在本文中將加以詳細(xì)描述，應(yīng)了解本發(fā)明揭示內(nèi)容應(yīng)被視作本發(fā)明原理的例證而非意欲將本發(fā)明限于所說明的特定具體實(shí)例。就此而言，在詳細(xì)說明符合本發(fā)明的至少一個(gè)具體實(shí)例之前，應(yīng)了解本發(fā)明在其應(yīng)用方面并非限于上下文所闡述、圖式中所說明或如實(shí)施例中所述的組件的構(gòu)造細(xì)節(jié)及配置。符合本發(fā)明的方法及裝置能夠達(dá)成其他具體實(shí)例且能夠以各種方式實(shí)踐及進(jìn)行。亦應(yīng)了解，本文所用的措辭及術(shù)語以及下文所包括的抽象名詞(abstract)系出于描述的目的，而不應(yīng)被認(rèn)為具限制性。[0180]本發(fā)明的例示性具體實(shí)例提供二極體100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H、1001、100J、100K、100L(在本文及圖中統(tǒng)稱作「二極體100-100L」)的液體及/或膠體分散液及懸浮液，其能夠經(jīng)印刷且在本文中可等效地稱作「二極體墨水」，應(yīng)了解「二極體墨水」意謂且系指二極體或其他二端積體電路(諸如例示性二極體100-100L)的液體及/或膠體懸浮液。如下文所更詳細(xì)描述，二極體100-100L自身在包括于二極體墨水組成物中之前為完全成形的半導(dǎo)體器件，其在通電時(shí)能夠起作用以發(fā)光(在具體化為LED時(shí))或在曝露于光源時(shí)提供電力(在具體化為光電二極體時(shí))。本發(fā)明的例示性方法亦包含制造二極體墨水的方法，如下文所更詳細(xì)論述，該二極體墨水分散及懸浮復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L于溶劑及黏性樹脂或聚合物混合物中，其中二極體100-100L或其他二端積體電路在室溫(25°C)或冷藏條件(5°C至10°C)下維持分散及懸浮達(dá)較長時(shí)段，諸如一或多個(gè)月，對(duì)于較高黏度、較呈膠體狀的組成物及冷凍誘導(dǎo)的膠體狀組成物尤其如此，且該液體或膠體懸浮液能夠經(jīng)印刷以制造基于LED的器件及光電器件。雖然描述內(nèi)容集中于作為一種類型二端積體電路的二極體100-100L，但熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解可等效地替換為其他類型的半導(dǎo)體器件以形成更廣泛稱作「半導(dǎo)體器件墨水」之物，該等其他類型的半導(dǎo)體器件諸如(但不限于)任何類型的電晶體(場效電晶體(FET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(M0SFET)、接面場效電晶體(JFET)、雙極接面電晶體(BJT)等)、二端交流開關(guān)(diac)、三端雙向可控硅元件(triac)、娃控整流器等。[0181]二極體墨水(或半導(dǎo)體器件墨水)可經(jīng)沈積、印刷或以其他方式涂覆以形成下文更詳細(xì)論述的各種產(chǎn)品中的任一者，諸如裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770具體實(shí)例或系統(tǒng)350、375、800、810，或可經(jīng)沈積、印刷或以其他方式涂覆至任何種類之任何產(chǎn)品或以形成任何種類之任何產(chǎn)品，包括用于產(chǎn)品封裝之標(biāo)牌或標(biāo)記，諸如消費(fèi)產(chǎn)品、個(gè)人產(chǎn)品、商業(yè)產(chǎn)品、工業(yè)產(chǎn)品、建筑產(chǎn)品、建設(shè)產(chǎn)品等。[0182]圖1為說明例示性第一二極體100具體實(shí)例的透視圖。圖2為說明例示性第一二極體100具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖)。圖3為說明例示性第一二極體100具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖2之10-10’平面)。圖4為說明例示性第二二極體100A具體實(shí)例的透視圖。圖5為說明例示性第二二極體100A具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖)。圖6為說明例示性第三二極體100B具體實(shí)例的透視圖。圖7為說明例示性第三二極體100B具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖)。圖8為說明例示性第四二極體100C具體實(shí)例的透視圖。圖9為說明例示性第四二極體100C具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖)。圖10為說明例示性第二、第三及/或第四二極體100A、100B、100C具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖5、7、9的20-20’平面)。圖11為說明例示性第五及第六二極體100DU00E具體實(shí)例的透視圖。圖12為說明例示性第五及第六二極體100DU00E具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖)。圖13為說明例示性第五二極體100D具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖12的40-40’平面)。圖14為說明例示性第六二極體100E具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖12的40-40’平面)。圖15為說明例示性第七二極體100F具體實(shí)例的透視圖。圖16為說明例示性第七二極體100F具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖)。圖17為說明例示性第七二極體100F具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖16的42-42’平面)。圖18為說明例示性第八二極體100G具體實(shí)例的透視圖。圖19為說明例示性第八二極體100G具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖)。圖20為說明例示性第八二極體100G具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖19的43-43’平面)。圖21為說明例示性第十二極體100K具體實(shí)例的透視圖。圖22為說明例示性第十二極體100K具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖21的47-47’平面)。圖23為說明例示性第十一二極體100L具體實(shí)例的透視圖。圖24為說明例示性第十一二極體100L具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖23的48-48’平面)。第九、第十二及第十三二極體100H、1001及100J具體實(shí)例的橫截面圖分別說明于圖44、50及66中，作為對(duì)例示性制造制程之說明的一部分。圖110為例示性第二二極體100A具體實(shí)例之掃描電子顯微照片。圖111為復(fù)數(shù)個(gè)例示性第二二極體100A具體實(shí)例的掃描電子顯微照片。[0183]在透視圖及平面圖(或俯視圖)圖1、2、4-9、11、12、15、16、18、19、21及23中，省去對(duì)外部鈍化層135的說明以提供關(guān)于其他下伏層及結(jié)構(gòu)的視圖，該等下伏層及結(jié)構(gòu)否則將由該鈍化層135覆蓋(因此不可見)。在圖3、10、13、14、17、20、22、24、44、50、57、62、63及66-69橫截面圖中說明鈍化層135，且熟習(xí)電子技術(shù)者應(yīng)了解，所制造的二極體100-100L—般將包括至少一個(gè)該種鈍化層135。另外，參考圖1-69、74、76-85及87-103，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者亦應(yīng)了解，各圖系出于描述及說明的目的，而非按比例繪制。[0184]如下文所更詳細(xì)描述，例示性第一至第十三二極體具體實(shí)例100-100L主要在以下方面有所不同:可使用的基板105及晶圓150、150A的形狀、材料、摻雜及其他組成；所制造的二極體發(fā)光區(qū)域形狀；導(dǎo)孔(130、131、132、133、134、136)的深度及位置(諸如淺或「盲」、深或「貫穿」、中心、周邊及周圍);在第一側(cè)(頂面或前面)上具有第一端子125或具有第一端子及第二端子125、127;為形成第一端子125或第二端子127的背面(第二側(cè))金屬化層(122)的使用及尺寸；其他接點(diǎn)金屬的形狀、范圍及位置；且亦可在其他特征的形狀或位置方面有所不同，如下文所更詳細(xì)描述。制造例示性二極體100-100L的例示性方法及方法變化形式亦描述于下文中。一或多個(gè)例示性二極體100-100L亦可自Tempe,Arizona,USA的NthDegreeTechnologiesWorldwide公司得到且可經(jīng)由其獲得。[0185]參考圖1至24，例示性二極體100-100L使用基板105形成，諸如重?fù)诫s的η+型或P+型基板105，例如重?fù)诫s的η+型或P+型硅基板，其可為硅晶圓或可為更復(fù)雜的基板或晶圓，諸如包含例如(但不限于)絕緣體上之硅基板(105)(「SOI」)，或藍(lán)寶石(106)晶圓150A上的氮化鎵(GaN)基板105(圖11至20中所說明)。亦可等效地使用其他類型的基板(及/或形成或具有基板的晶圓)105，包括例如(但不限于)Ga、GaAs、GaN、SiC、Si02、藍(lán)寶石、有機(jī)半導(dǎo)體等，且如下文所更詳細(xì)論述。因此，對(duì)基板105或105A的提及應(yīng)廣泛地理解為亦包括任何類型的基板，諸如η+型或ρ+型娃、η+型或ρ+型GaN,諸如使用娃晶圓150形成的η+型或ρ+型硅基板或在藍(lán)寶石晶圓105Α上制造的η+型或ρ+型GaN(下文參考圖11-20及38-50所述)。在圖21至24中所說明的具體實(shí)例中，在制造期間移除基板后，可忽略至無基板105U05A(及緩沖層145)保留(在適當(dāng)位置留下復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)，下文更詳細(xì)論述)，且可使用例如(但不限于)任一基板105、105A。在使用娃具體化時(shí),基板105通常具有〈I11>或〈I10>晶體結(jié)構(gòu)或定向，盡管可等效地使用其他結(jié)晶結(jié)構(gòu)。通常在硅基板105上制造視情況存在的緩沖層145(諸如氮化鋁或氮化硅)以有助于后續(xù)制造具有不同晶格常數(shù)的GaN層。[0186]在緩沖層145上，諸如經(jīng)由磊晶成長來制造GaN層以形成復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)，一般性說明為η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115。在其他具體實(shí)例中，不使用或可能不使用緩沖層145，諸如當(dāng)在GaN基板105上(或直接在藍(lán)寶石(106)晶圓105Α上)制造復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)時(shí)，如圖15-17中作為更特定可選方案所說明。熟習(xí)電子技術(shù)者應(yīng)了解，可能存在多個(gè)量子井(內(nèi)部)及可能多個(gè)含多種摻雜劑的P+型、η+型、其他GaN層，且可能存在含各種摻雜劑中之任一者之非GaN層以形成發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140，其中η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115僅具說明性且僅提供對(duì)形成一或多個(gè)發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)或任何其他半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之概括性或簡要描述。熟習(xí)電子技術(shù)者亦應(yīng)了解，諸如對(duì)于使用P+型娃或GaN基板105而言,η+型GaN層110及ρ+型GaN層115的位置可能相同或可能等效地顛倒，且可使用其他組成及材料形成一或多個(gè)發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140(其中多者描述于下文中)，且所有該等變化處于本發(fā)明的范疇內(nèi)。雖然參考GaN作為用以形成發(fā)光或光吸收區(qū)域140的一組具有不同化合物、摻雜劑及結(jié)構(gòu)的例示性材料進(jìn)行描述，但熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解可等效地使用任何其他適合的半導(dǎo)體材料且其處于本發(fā)明的范疇內(nèi)。另夕卜，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解任何對(duì)GaN之提及不應(yīng)視作「純」GaN，而應(yīng)理解為意謂且包括所有各種其他可用以形成發(fā)光或光吸收區(qū)域140及/或允許發(fā)光或光吸收區(qū)域140沈積的化合物、摻雜劑及層，包括任何中間非GaN層。[0187]亦應(yīng)注意，雖然論述各種二極體(二極體100-100L)中有多個(gè)二極體中硅及GaN可能為或?yàn)樗x半導(dǎo)體，但可等效地使用其他無機(jī)或有機(jī)半導(dǎo)體且其處于本發(fā)明范疇內(nèi)。無機(jī)半導(dǎo)體之實(shí)例包括(但不限于):硅、鍺及其混合物；二氧化鈦、二氧化硅、氧化鋅、氧化銦錫、氧化銻錫及其混合物；第I1-VI族半導(dǎo)體，其為含至少一種二價(jià)金屬(鋅、鎘、汞及鉛)及至少一種二價(jià)非金屬(氧、硫、硒及碲)的化合物，諸如氧化鋅、硒化鎘、硫化鎘、硒化汞及其混合物;第II1-V族半導(dǎo)體，其為含至少一種三價(jià)金屬(鋁、鎵、銦及鉈)與至少一種三價(jià)非金屬(氮、磷、砷及銻)的化合物，諸如砷化鎵、磷化銦及其混合物；以及第IV族半導(dǎo)體，包括氫封端的硅、碳、鍺及α-錫，及其組合。[0188]除GaN發(fā)光/光吸收區(qū)域140(例如，沈積于基板105(諸如η+型或ρ+型硅)上或沈積于硅晶圓150或藍(lán)寶石(106)晶圓150Α上的GaN(105)上的GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu))之外，復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L亦可包含任何類型之半導(dǎo)體元件、材料或化合物,諸如娃、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)，或任何無機(jī)或有機(jī)半導(dǎo)體材料，且呈任何形式，包括例如(但不限于)GaP、InAlGaP、InAlGaP、AlInGaAs、InGaNAs、AlInGASb。另外，用以制造二端積體電路的晶圓亦可為任何類型或種類，例如(但不限于)娃、GaAs>GaN、藍(lán)寶石、碳化娃。[0189]本發(fā)明的范疇因此應(yīng)理解為涵蓋半導(dǎo)體基板上的任何磊晶或化合物半導(dǎo)體，包括(但不限于)使用半導(dǎo)體基板制造之此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉的任何種類之任何LED或光電半導(dǎo)體。[0190]在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，η+型或ρ+型基板105傳導(dǎo)電流，該電流如所說明流至η+型GaN層110。再次應(yīng)注意，發(fā)光或光吸收區(qū)域140的所說明的各個(gè)層中的任一者可等效地顛倒或不同排序，諸如顛倒所說明的η+型與ρ+型GaN層110、115的位置。電流路徑亦穿過形成一或多個(gè)導(dǎo)孔(130)的金屬層(其亦可用以提供介于η+型或ρ+型基板105與η+型GaN層110之間的極薄(約25埃)緩沖層145的電旁路(electricalbypass))。下文描述提供與導(dǎo)電層之其他連接的其他類型之導(dǎo)孔131-134及136。一或多個(gè)金屬層120(說明為兩個(gè)(或兩個(gè)以上)各別沈積的金屬層120A及120B)(其亦可用于形成導(dǎo)孔(130、131、132、133、134、136))提供與ρ+型GaN層115、與第二其他金屬層120B(諸如用以形成「凸塊」或突出結(jié)構(gòu)的模用金屬)、與形成各個(gè)二極體100-100L之第一電端子(或接點(diǎn))125或第二端子127的金屬層120AU20B的歐姆接觸。如下文所論述亦可使用其他金屬層。對(duì)于所說明的例示性二極體100、100A、100B、100C具體實(shí)例，電端子125可為在制造期間形成于二極體100、100A、100B、100C上唯一之歐姆金屬端子以用于后續(xù)電力(電壓)輸送(對(duì)于LED應(yīng)用)或接收(對(duì)于光電應(yīng)用)，η+型或ρ+型基板105用以提供二極體100、100A、100B、100C的第二電端子以用于電力輸送或接收。應(yīng)注意，電端子125與η+型或ρ+型基板105處于二極體100、100Α、100Β、100C各自的相對(duì)側(cè)(即頂面(第一側(cè))與底面(或背面、第二側(cè)))上，而非處于同一側(cè)上。作為此等二極體100、100Α、100Β、100C具體實(shí)例之可選方案且如對(duì)于其他例示性二極體具體實(shí)例所說明，在二極體(例如二極體100D、100F、100G、100J)的第二側(cè)(背面)上使用金屬層122形成視情況存在之第二歐姆金屬端子127。作為圖21及22中所說明的二極體100Κ具體實(shí)例之可選方案，在二極體100Κ的第二側(cè)(背面)上使用金屬層122形成第一歐姆金屬端子125，接著翻轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)二極體100Κ以供使用。作為圖23及24中對(duì)于例示性二極體100L所說明之另一可選方案，第一端子125與第二端子127皆處于二極體100L的同一第一側(cè)(頂面)上。尤其使用氮化硅鈍化層135(或任何其他等效鈍化層)以達(dá)成電絕緣、環(huán)境穩(wěn)定及可能其他結(jié)構(gòu)完整性。不作單獨(dú)說明，如下文所論述，在制造期間沿二極體100-100L的側(cè)面形成復(fù)數(shù)個(gè)渠溝155，其用以使二極體100-100L在晶圓150、150Α上彼此分離(單體化)且用以使二極體100-100L與晶圓150、150Α的其余部分分離。[0191]圖1-24亦說明一或多個(gè)發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140(其說明為GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115))的各種形狀及形態(tài)因數(shù)(formfactor)以及基板105及/或復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的各種形狀及形態(tài)因數(shù)中之一些形狀及形態(tài)因數(shù)。亦如所說明，雖然例示性二極體100-100L在x-y平面上實(shí)質(zhì)上為六角形(具有彎曲或拱形側(cè)面121、凹出或凸入(或兩者，形成更復(fù)雜之S形形狀)，如下文所更詳細(xì)論述)，以提供每個(gè)硅晶圓更大的器件密度，但其他二極體形狀及形態(tài)視作等效且處于所主張之本發(fā)明范疇內(nèi)，諸如正方形、圓形、卵圓形、橢圓形、矩形、三角形、八角形、環(huán)形等。亦如例示性具體實(shí)例中所說明，六角形側(cè)面121亦可略微彎曲或呈拱形，諸如凸出(圖1、2、4、5)或凹入(圖6-9)，以便在自晶圓釋放且懸浮于液體中時(shí)，二極體100-100L可避免彼此黏著或黏附。另外，對(duì)于裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770制造，使用厚度相對(duì)較小的二極體100-100L以防止個(gè)別晶粒(個(gè)別二極體100-100L)在其側(cè)面或側(cè)緣(121)上豎立。亦如例示性具體實(shí)例中所說明，六角形側(cè)面121亦可略微彎曲或呈拱形以在各側(cè)面121的中心或中心部分周圍凸出而周邊/側(cè)向凹入，從而形成更復(fù)雜的S形形狀(重迭之雙「S」形狀)，產(chǎn)生比較尖銳或突出之頂點(diǎn)114(圖11至24)，以便在自晶圓釋放且懸浮于液體中時(shí)，二極體100-100L亦可避免彼此黏著或黏附且可在相對(duì)于另一二極體滾動(dòng)或移動(dòng)時(shí)彼此推開。二極體100-100L之不同于平坦表面型態(tài)的變化(亦即非平坦表面型態(tài))亦有助于防止晶粒在懸浮于液體或膠體中時(shí)彼此黏著。再次，亦對(duì)于裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770制造，厚度或高度相對(duì)較小的二極體100-100L(或二極體IOOK及100L的發(fā)光區(qū)域)(與其側(cè)向尺寸(直徑或?qū)挾?長度)相t匕)趨于防止個(gè)別晶粒(個(gè)別二極體100-100L)在其側(cè)面或側(cè)緣(121)上豎立。[0192]亦說明發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)的各種形狀及形態(tài)因數(shù)，其中圖1-3說明實(shí)質(zhì)上圓形或圓盤形發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)，且圖4及5說明實(shí)質(zhì)上圓環(huán)形(或超環(huán)形)發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)，其中第二金屬層120Β延伸至超環(huán)狀體中心(且可能提供反射表面)。在圖6及7中，發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)具有實(shí)質(zhì)上圓形內(nèi)(側(cè))表面及實(shí)質(zhì)上葉形的外(側(cè))表面，而在圖8及9中，發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)亦具有實(shí)質(zhì)上圓形內(nèi)(側(cè))表面，而外(側(cè))表面實(shí)質(zhì)上為星形。在圖11-24中，一或多個(gè)發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140具有實(shí)質(zhì)上六角形(側(cè))表面(其可能或可能不延伸至晶粒周圍)且可能具有(至少部分具有)實(shí)質(zhì)上圓形或橢圓形內(nèi)(側(cè))表面。在未單獨(dú)說明之其他例示性具體實(shí)例中，可能存在多個(gè)發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140，其在晶粒上可為連續(xù)的或可間隔開?？山?gòu)具有圓形內(nèi)表面之一或多個(gè)發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)的此等各種組態(tài)以提高光輸出(對(duì)于LED應(yīng)用而言)及光吸收(對(duì)于光電應(yīng)用而言)之潛能。如下文所更詳細(xì)論述，η+型GaN層110或ρ+型GaN層115中任一者之內(nèi)表面及/或外表面亦可具有例如(但不限于)各種表面紋理或表面幾何形狀中之任一者。[0193]在一例示性具體實(shí)例中，第一端子125(或二極體100Κ的第二端子127)包含一或多個(gè)金屬層120Α、120Β且具有凸塊或突出結(jié)構(gòu)，以使二極體100-100L之一顯著部分由一或多個(gè)絕緣或介電層覆蓋(在由第一導(dǎo)體310或310Α與η+型或ρ+型硅基板105(或與由金屬層122形成的第二端子，或與由金屬層128形成的第二端子)形成電接觸之后)，同時(shí)為一或多個(gè)其他導(dǎo)電層(諸如下文論述的第二導(dǎo)體320)與電端子125接觸提供充足結(jié)構(gòu)。另夕卜，端子125之凸塊或突出結(jié)構(gòu)可能亦可為除側(cè)面121之彎曲度及側(cè)面121的厚度(高度)之外影響二極體100-100L于二極體墨水內(nèi)旋轉(zhuǎn)及其隨后在所制造之裝置300、300Α、300Β、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770中之定向(頂部朝上(正向偏壓)或底部朝上(反向偏壓))的復(fù)數(shù)個(gè)因素中之一者。[0194]參考圖11-22，例示性二極體100D、100E、100F、100G、100K以各種組合說明若干其他及視情況存在的特征。如所說明，通常由模用金屬制造的形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B之周緣實(shí)質(zhì)上為橢圓形(或卵圓形)(及圖21中之實(shí)質(zhì)上六角形)而非實(shí)質(zhì)上圓形，盡管端子125之其他形狀及形態(tài)因數(shù)亦處于本發(fā)明范疇內(nèi)。另外，形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B可具有兩個(gè)或兩個(gè)以上延長延伸件124，其在裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770制造中用于若干其他目的，諸如有助于與第二導(dǎo)體320形成電接觸及有助于絕緣介電質(zhì)315(及/或第一導(dǎo)體310)遠(yuǎn)離端子125(金屬層120B或金屬122)流動(dòng)。橢圓形形態(tài)因數(shù)亦可允許沿形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的橢圓形金屬層120B之長軸側(cè)自發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140另外發(fā)光(或光吸收)或向發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140另外發(fā)光(或光吸收)。對(duì)于所選具體實(shí)例而言，與P+型GaN層115形成歐姆接觸之亦可在多個(gè)步驟中沈積為多層的金屬層120A在ρ+型GaN層115上亦具有延長延伸件，其在圖11、12、15、16、18及19中說明為彎曲之金屬接點(diǎn)延伸件126，有助于向ρ+型GaN層115傳導(dǎo)電流，同時(shí)允許(而非過度阻遏)發(fā)光(或光吸收)區(qū)域140發(fā)光或光吸收之潛能?？傻刃У厥褂脽o數(shù)其他形狀之金屬接點(diǎn)延伸件126，諸如網(wǎng)格圖案、其他曲邊形狀等。雖然未單獨(dú)說明，但在圖1-10及21-24中所說明之其他具體實(shí)例中亦可使用該等延長金屬接點(diǎn)延伸件。亦可使用其他晶種或反射金屬層，如下文所更詳細(xì)描述。[0195]圖11-22中亦說明除先前所描述之在所制造的二極體100、100A、100B、100C中延伸穿過緩沖層145且進(jìn)入基板105中但并非比較深地進(jìn)入或穿過基板105中之周邊(亦即偏心)比較淺或「盲」導(dǎo)孔130之外其他類型之導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)(131、132、133、134、136)。如圖13(及圖44、66)中所說明，中心(或位于中心)的比較深的「貫穿」導(dǎo)孔131延伸完全穿過基板105，且用以與η+型GaN層110形成歐姆接觸且在第二側(cè)(背面)金屬層122與η+型GaN層110之間傳導(dǎo)電流(或以其他方式形成電接觸)。如圖22中所說明，中心(或位于中心)的深度較小或較淺的「貫穿」導(dǎo)孔136延伸完全穿過復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(115、185、110)，且用以與η+型GaN層110形成歐姆接觸且在第二側(cè)(背面)金屬層122與η+型GaN層110之間傳導(dǎo)電流(或以其他方式形成電接觸)。如圖14中所說明，中心(或位于中心)的比較淺或盲導(dǎo)孔132(亦稱為「盲」導(dǎo)孔132)延伸穿過緩沖層145且進(jìn)入基板105中，且其用以與η+型GaN層110形成歐姆接觸且在η+型GaN層110與基板105之間傳導(dǎo)電流(或以其他方式形成電接觸)。如圖15-17及49-50中所說明，周圍之比較深或貫穿導(dǎo)孔133沿側(cè)面121(盡管由鈍化層135覆蓋)自η+型GaN層110延伸且延伸至二極體100F的第二側(cè)(背面)，在此具體實(shí)例中二極體100F亦包括第二側(cè)(背面)金屬層122，完全圍繞基板105的側(cè)面，且其用以與η+型GaN層110形成歐姆接觸且在第二側(cè)(背面)金屬層122與η+型GaN層110之間傳導(dǎo)電流(或以其他方式形成電接觸)。如圖18-20中所說明，周邊之比較深之「貫穿」導(dǎo)孔134延伸完全穿過基板105，且其用以與η+型GaN層110形成歐姆接觸且在第二側(cè)(背面)金屬層122與η+型GaN層110之間傳導(dǎo)電流(或以其他方式形成電接觸)。在不使用第二側(cè)(背面)金屬層122的具體實(shí)例中，該等貫穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)(131、133、134、136)可用以與導(dǎo)體310Α形成電接觸(在裝置300、300A、300B、300C、300D、720、730、760中)且在導(dǎo)體310A與η+型GaN層110之間傳導(dǎo)電流(或以其他方式形成電接觸)。此等貫穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)(131、133、134、136)在制造期間，在經(jīng)由背面研磨及拋光或雷射剝離(下文參考圖64及65所論述)單體化二極體后暴露于二極體110D、100F、100G、100K的第二側(cè)(背面)上，且可保持暴露或可由第二側(cè)(背面)金屬層122覆蓋(且與第二側(cè)(背面)金屬層122形成電接觸)(如圖66中所說明)。[0196]貫穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)(131、133、134、136)比此項(xiàng)技術(shù)中已知之典型導(dǎo)孔窄得多。貫穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)(131、133、134)的深度(延伸穿過基板105的高度)大致為約7微米至9微米，且貫穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)136的深度(延伸穿過復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的高度)大致為約2微米至4微米，且其寬度為約3微米至5微米，與傳統(tǒng)導(dǎo)孔約30微米或大于30微米的寬度比較。[0197]圖11-13、17、18、20-22、66及68中亦說明視情況存在的形成第二端子或接點(diǎn)127或第一端子125(二極體100K)的第二側(cè)(背面)金屬層122。該第二端子或接點(diǎn)127例如(但不限于)可用以有助于電流諸如經(jīng)由各種貫穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)(131、133、134、136)傳導(dǎo)至η+型GaN層110，及/或有助于與導(dǎo)體310Α形成電接觸。[0198]參考圖21-22，例示性二極體100Κ說明若干其他及視情況存在的特征。圖22說明制造層橫截面，以說明如何制造例示性二極體100Κ;接著翻轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)例示性二極體100Κ以使其如圖21中所說明正面向上，以用于例示性裝置300、300A、300B、300C、300D、720、730、760具體實(shí)例中，其中光穿過上部η+型GaN層110發(fā)射(在LED具體實(shí)例中)。因此，第一端子125由第二側(cè)(背面)金屬122形成，η+型GaN層110與ρ+型GaN層115之定向同樣可顛倒(在圖21中η+型GaN層110現(xiàn)為上層)(相較于其他具體實(shí)例100-100J)，其中第二端子127由一或多個(gè)金屬層120Β形成。說明極少甚至無基板105、105Α或緩沖層145，其在制造期間已經(jīng)實(shí)質(zhì)上移除，在適當(dāng)位置留下復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(ρ+型GaN層115、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)，且可能亦移除一定量的其他GaN層或基板。側(cè)面或側(cè)緣(121)t匕其他所說明的具體實(shí)例相對(duì)較薄(或厚度較小)，在例示性具體實(shí)例中為10微米以下，或更尤其為約2微米至8微米，或更尤其為約2微米至6微米，或更尤其為約2微米至4微米，或更尤其為2.5微米至3.5微米，或?yàn)榧s3微米，亦用以防止個(gè)別二極體100K在裝置300、300A、300B、300C、300D、720、730、760制造期間在其側(cè)面或側(cè)緣(121)上豎立。[0199]形成第一端子125的第二側(cè)(背面)金屬122比較厚，在例示性具體實(shí)例中為約3微米至6微米，或4.5微米至約5.5微米，或約5微米，以使二極體100K的高度為約11微米至15微米，或12微米至14微米，或約13微米，以允許介電層315沈積且與第二導(dǎo)體320接觸，且呈例如(但不限于)長軸為約14微米且短軸為約6微米的橢圓形形狀。形成第一端子125的第二側(cè)(背面)金屬122亦不延伸越過整個(gè)背面以便于背面對(duì)準(zhǔn)及二極體100K單體化。第二端子127由金屬層120B形成，且在例示性具體實(shí)例中，其厚度一般亦為約3微米至6微米，或厚度為4.5微米至約5.5微米，或厚度為約5微米。亦如所說明，絕緣(鈍化)層135A亦用以使金屬層120B與導(dǎo)孔136電絕緣或電隔離，且可以獨(dú)立于圍繞周邊沈積鈍化(氮化物)層135的步驟沈積，因此說明為135A。在例示性具體實(shí)例中，二極體100K的寬度(一般呈六角形的形狀的面與面之間的距離而非頂點(diǎn)與頂點(diǎn)之間的距離)為例如(但不限于)約10微米至50微米，或更尤其為約20微米至30微米，或更尤其為約22微米至28微米，或更尤其為約25微米至27微米，或更尤其為約25.5微米至26.5微米，或更尤其為約26微米。未作單獨(dú)說明，在制造第二端子127過程中亦可包括金屬層120A。在制造二極體100K期間(且在其他例示性二極體100-100L具體實(shí)例中)，頂部GaN層(說明為P+型GaN層115，但亦可為其他類型之GaN層，如圖25中所說明)亦可經(jīng)極薄之光學(xué)反射金屬層(在圖25中說明為銀層103)及/或光學(xué)透射性金屬層(未作單獨(dú)說明K諸如厚度約100埃的鎳-金或鎳-金-鎳)金屬化且與其形成合金，以有助于歐姆接觸形成(且可能提供朝向η+型GaN層110的光反射)，其中一些接著與其他GaN層一起諸如在形成GaN臺(tái)面期間移除。[0200]參考圖23及24，例示性第十一二極體100L具體實(shí)例與所有其他所說明的二極體100-100K具體實(shí)例的不同之處在于在二極體100L的同一側(cè)(上面或頂面)上具有第一及第二端子125、127。當(dāng)用于例示性裝置700、700A、700B、740、750、770具體實(shí)例中時(shí)，光將穿過(下部)n+型GaN層110，通常穿過實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明之基底305A發(fā)射(在LED具體實(shí)例中)或吸收(對(duì)于光電具體實(shí)例而言)，如圖80-82中所說明。由于在二極體100L的同一側(cè)(上面或頂面)上具有第一及第二端子125、127，所以此例示性二極體IOOL不使用任何第二側(cè)(背面)金屬122，且一般不需要任何先前所論述的各種導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)。說明極少甚至無基板105、105A或緩沖層145，其亦在制造期間已經(jīng)實(shí)質(zhì)上移除，在適當(dāng)位置上留下復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(ρ+型GaN層115、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)，且可能亦移除一定量的其他GaN。側(cè)面或側(cè)緣(121)亦比其他所說明的具體實(shí)例相對(duì)較薄(或厚度較小)，在例示性具體實(shí)例中為約2微米至4微米，或更尤其2.5微米至3.5微米，或約3微米，亦用以防止個(gè)別二極體100L在裝置700、700A、700B、740、750、770制造期間在其側(cè)面或側(cè)緣(121)上豎立。未作單獨(dú)說明，在制造二極體100L期間(及在其他例示性二極體100-100K具體實(shí)例中)，頂部GaN層(說明為P+型GaN層115，但亦可為其他類型之GaN層，如圖25中所說明)亦可經(jīng)極薄的光學(xué)反射金屬層(在圖25中說明為銀層103)及/或光學(xué)透射性金屬層(未作單獨(dú)說明)(諸如厚度約100埃之鎳-金或鎳-金-鎳)金屬化且與其形成合金，以有助于歐姆接觸形成(且可能提供朝向η+型GaN層110的光反射)，其中一些接著與其他GaN層一起諸如在形成GaN臺(tái)面期間移除。[0201]如圖23及24中所說明，GaN臺(tái)面(ρ+型GaN層115及量子井層185)—般呈非典型形狀，有點(diǎn)類似于頂部經(jīng)修平之三角形(例如，藉由自六角形或圓形提供復(fù)數(shù)個(gè)(三個(gè))劃出部分而形成)，以在η+型GaN層110的上表面上為金屬接點(diǎn)128(說明三個(gè)金屬接點(diǎn)128)提供空間，該等金屬接點(diǎn)128在二極體100L的上面或頂面上形成第二端子127。在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，GaN臺(tái)面的高度一般為約0.5微米至1.5微米，或更尤其為0.8微米至1.2微米，或更尤其為0.9至1.1微米，或更尤其為約1.0微米。金屬接點(diǎn)128可由導(dǎo)孔金屬形成，高度約為約0.75微米至1.5微米，或高度更尤其為約0.9微米至1.1微米，或高度更尤其為約1.0微米，諸如約100埃的鈦、500nm的鋁、500nm的鎳及IOOnm的金，且寬度為約2.5至3.5微米(徑向量測)。在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，由金屬層120A及120B形成的第一端子125形狀類似于GaN臺(tái)面但小于GaN臺(tái)面，其高度一般為約4微米至8微米，或更尤其為5微米至7微米，或更尤其為約6微米，以允許沈積與金屬接點(diǎn)128接觸的第一導(dǎo)體310A且允許沈積介電層315，繼而第一端子125與第二導(dǎo)體320接觸(圖80-82中所說明)。在此例示性具體實(shí)例中，由金屬層120A及120B形成的第一端子125亦經(jīng)鈍化(135)，該鈍化除提供絕緣及保護(hù)以免接觸第一導(dǎo)體310之外，亦可用以有助于第一端子125的結(jié)構(gòu)完整性，適用于抵御印刷制程中所施加之各種力。在例示性具體實(shí)例中，二極體100L的寬度(一般呈六角形的形狀之面與面之間的距離而非頂點(diǎn)與頂點(diǎn)之間的距離)為約10微米至50微米，或更尤其為約20微米至30微米，或更尤其為約22微米至28微米，或更尤其為約25微米至27微米，或更尤其為約25.5微米至26.5微米，或更尤其為約26微米。在例示性具體實(shí)例中，二極體100L的高度一般為約8微米至15微米，或更尤其為9微米至12微米，或更尤其為約10.5微米至11.5微米。[0202]應(yīng)注意，二端器件之尺寸更一般可為較大的，諸如直徑(寬度或長度，視形狀而定，亦為面對(duì)面量測)為約10微米至75微米，且高度為約5至25微米。[0203]圖25為穿過一部分復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(或GaN臺(tái)面)(n+型GaN層110、量子井區(qū)185、ρ+型GaN層115)及金屬層120A、120B的橫截面圖，其說明復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之外表面及/或內(nèi)表面(例如，P+型GaN層115或η+型GaN層110或其他銀或鏡面層(103)的表面)的視情況呈現(xiàn)之幾何形狀及紋理。圖25中所說明之各種特征中之任一者可用作各種例示性二極體100-100L中的任一者的可選方案。如圖1-24中所說明，復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之外表面及/或內(nèi)表面可比較平滑。如圖25中所說明，復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之各種外表面及/或內(nèi)表面中之任一者可制造成具有各種紋理、幾何形狀、鏡面、反射器或其他表面處理中之任一者。舉例而言(但不加以限制)，復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之外表面(上表面或頂表面)(說明為η+型GaN層110)可經(jīng)蝕刻以提供表面粗糙結(jié)構(gòu)112(說明為鋸齒狀圓錐形或錐形結(jié)構(gòu))，諸如以減少內(nèi)部反射且提高二極體100-100L具體實(shí)例內(nèi)之光提取。另外，復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之外表面(例如ρ+型GaN層115或η+型GaN層110的表面)可經(jīng)遮蓋且蝕刻或以其他方式制造成具有各種幾何結(jié)構(gòu)，亦例如(但不限于)穹隆形或透鏡形狀116;超環(huán)狀體、蜂巢或華夫餅干(waffle)形狀118;條紋113或其他幾何形狀(例如六角形、三角形等)117。另夕卜，側(cè)面121亦可包括各種鏡面或反射器109，諸如介電反射器(例如Si02/Si3N4)或金屬反射器。多種表面處理及反射器已描述于例如Fujii等人之美國專利第7，704，763號(hào)(2010年4月27日頒予)、Chu等人之美國專利第7，897，420號(hào)(2011年3月I日頒予)、Kang等人之美國專利申請(qǐng)公開案第2010/0295014A1號(hào)(2010年11月25日公開)及Shum之美國專利第7，825，425號(hào)(2010年11月2日頒予)中，上述所有專利均以引用方式并入本文中。其他表面紋理及幾何形狀說明于圖104-108中。[0204]繼續(xù)參考圖25，復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(或更一般，二極體100-100L)之內(nèi)表面亦可制造成具有各種紋理、幾何形狀、鏡面、反射器或其他表面處理中之任一者。如所說明，舉例而言(但不加以限制)，反射層103可用于諸如藉由使用在制造期間(在制造金屬層102A、102B之前)涂覆之銀層而提供朝向二極體100-100L之暴露表面向外的光反射且提高光提取，該反射層103可為平滑(111)或具有帶紋理(107)表面。亦舉例而言(但不加以限制)，復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之內(nèi)表面亦可為平滑的或諸如藉由使用可為例如漫射η型InGaN材料之其他層108而具有帶紋理表面。另外，此等各種視情況呈現(xiàn)的表面幾何形狀及紋理中之任一者可單獨(dú)使用或彼此組合使用，諸如具有外表面紋理112與內(nèi)表面紋理(107)及/或反射層103之復(fù)漫射結(jié)構(gòu)。亦可出于其他原因使用各種視情況存在之層，諸如在層108中使用η型InGaN材料以提供較佳之歐姆接觸，與可能使用或可能不使用之任何表面處理無關(guān)。[0205]二極體100-100L之所有尺寸一般小于約450微米，且所有尺寸更尤其小于約200微米，且所有尺寸更尤其小于約100微米，且所有尺寸更尤其小于50微米。在所說明的例示性具體實(shí)例中，二極體100-100L的寬度一般大致為約10微米至50微米，或?qū)挾雀绕錇榧s20微米至30微米，且高度為約5微米至25微米，或高度更尤其為5微米至15微米，或直徑為約25微米至28微米(側(cè)面對(duì)側(cè)面而非頂點(diǎn)對(duì)頂點(diǎn)量測)且高度為10微米至15微米。在例示性具體實(shí)例中，二極體100-100L不包括形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120Β或122在內(nèi)的高度(亦即，包括GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的側(cè)面121的高度)視具體實(shí)例而定大致為約2微米至15微米，或更尤其為約2微米至4微米，或更尤其為7微米至12微米，或更尤其為8微米至11微米，或更尤其為9微米至10微米，或更尤其小于10微米至30微米，而形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120Β的高度一般大致為約3微米至7微米。由于二極體之尺寸經(jīng)工程改造成處于器件制造期間之所選容許度范圍內(nèi)，所以可例如(但不限于)使用光學(xué)顯微鏡(其亦可包括量測軟體)、掃描電子顯微鏡(SEM)或HoribaLA-920(例如，在粒子處于稀溶液中，其可處于二極體墨水或任何其他液體或膠體中時(shí)使用夫朗和裴繞射(Fraunhoferdiffraction)及光散射來量測粒徑(及粒徑分布))來量測二極體之尺寸。二極體100-100L之所有尺寸或其他量測值應(yīng)視作復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L之平均值(例如平均值及/或中值)，且將視所選具體實(shí)例而顯著變化(例如二極體110-100J或IOOK或100L—般將皆具有不同之各別尺寸)。[0206]二極體100-100L可使用當(dāng)前已知或?qū)黹_發(fā)之任何半導(dǎo)體制造技術(shù)來制造。圖26-66說明制造例示性二極體100-100L的復(fù)數(shù)個(gè)例示性方法且說明若干其他例示性二極體100H、100I及100J(在橫截面上)。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解，制造二極體100-100L之各個(gè)步驟中的多個(gè)步驟可按各種次序中之任一者進(jìn)行，在其他次序中可省去或納入，且可產(chǎn)生除所說明之結(jié)構(gòu)之外的諸多二極體結(jié)構(gòu)。舉例而言，圖38-44說明在視情況存在或不存在第二側(cè)(背面)金屬層122下分別包括中心及周邊貫穿(或深)導(dǎo)孔131及134的二極體100H之形成(組合二極體100D及100G之特征)，而圖45-50說明在視情況存在或不存在第二側(cè)(背面)金屬層122下包括周圍導(dǎo)孔133的二極體1001的形成，且其可與其他所說明之制造步驟組合以包括中心或周邊貫穿導(dǎo)孔131及134，例如以形成二極體100F。[0207]圖26、27及29-37為說明根據(jù)本發(fā)明之教示制造二極體100、100A、100B、100C的例示性方法的橫截面圖，其中圖26-29說明在晶圓150層級(jí)上制造且圖30-37說明在二極體100、100A、100B、100C層級(jí)上制造。所說明之各個(gè)制造步驟亦可用以形成其他二極體100D-100L,圖26-32適用于任何二極體100-100L，視所選基板105、105A而定。圖26及圖27為具有二氧化硅(或「氧化物」)層190的晶圓150(諸如硅晶圓)的橫截面圖。圖28為具有蝕刻成網(wǎng)格圖案之二氧化硅層190之硅晶圓150的平面圖(或俯視圖)。氧化物層190(厚度一般為約0.1微米)沈積或生長于晶圓150上，如圖26所示。如圖27中所說明，經(jīng)由如此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，已移除部分氧化物層190，留下呈網(wǎng)格圖案(亦稱為「路狀物(street)」)之氧化物190，如圖28中所說明。[0208]圖29為具有緩沖層145、二氧化硅(或「氧化物」)層190及GaN層(在一例示性具體實(shí)例中，通常磊晶生長或沈積至約1.25微米至2.50微米的厚度，盡管較小或較大的厚度亦處于本發(fā)明范疇內(nèi))的晶圓150(諸如硅晶圓)的橫截面圖，該等GaN層系說明為氧化物190上之多晶GaN195，以及如上所述形成復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115。如上所示，將緩沖層145(諸如氮化鋁或氮化硅且厚度一般為約25埃)沈積于硅晶圓150上以有助于后續(xù)GaN沈積。使用生長或沈積于氧化物190上之多晶GaN195降低通常具有單晶結(jié)構(gòu)的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)中之應(yīng)力及/或應(yīng)變(例如因GaN與硅晶圓之熱失配所致)。處于本發(fā)明范疇內(nèi)使該應(yīng)力及/或應(yīng)變降低之其他等效方法例如(但不限于)包括使硅晶圓150及/或緩沖層145所選區(qū)域的表面變粗糙，以使相應(yīng)GaN區(qū)域不為單晶體，或在硅晶圓150中蝕刻渠溝以使得在整個(gè)晶圓150上亦不存在連續(xù)之GaN晶體。在其他例示性制造方法中，諸如當(dāng)使用其他基板，諸如藍(lán)寶石晶圓150Α上之GaN(基板105)時(shí)，可省去該路狀物形成及應(yīng)力降低制造步驟。為形成復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的GaN沈積或生長可經(jīng)由如此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉之任何所選制程來提供及/或可為器件制造者所專有。在一例示性具體實(shí)例中，包含η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)可自例如(但不限于)Walnut,California,USA之BluePhotonics公司及其他供應(yīng)商獲得。[0209]圖30為根據(jù)本發(fā)明之教示具有緩沖層145及復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及P+型GaN層115)的基板105的橫截面圖，其說明晶圓150之一極小部分(諸如圖29之區(qū)域191)以說明單個(gè)二極體100-100L之制造。經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及P+型GaN層115)經(jīng)蝕刻以形成GaN臺(tái)面結(jié)構(gòu)187，如圖31及32中所說明，其中圖32說明具有相對(duì)較傾斜的側(cè)面的GaN臺(tái)面結(jié)構(gòu)187Α，其可能會(huì)有助于光產(chǎn)生及/或吸收。亦可建構(gòu)其他GaN臺(tái)面結(jié)構(gòu)187，諸如部分或?qū)嵸|(zhì)上超環(huán)形之GaN臺(tái)面結(jié)構(gòu)187，如圖10、13、14、17、20、22、39-44及66中所說明。在蝕刻GaN臺(tái)面(亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻)后，進(jìn)行(淺或盲)導(dǎo)孔蝕刻，如圖33中所說明，形成穿過GaN層及緩沖層145且進(jìn)入硅基板105中之比較淺的渠溝186。[0210]亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，接著沈積金屬化層，形成與P+型GaN層115之金屬接點(diǎn)120Α且形成導(dǎo)孔130，如圖34中所說明。在例示性具體實(shí)例中，沈積若干層金屬，第一層或初始層與ρ+型GaN層115形成歐姆接觸，其通常包含各自約50埃至200埃之兩個(gè)金屬層(鎳層，繼而金層)，繼而在約450°C至500°C下于含約20%氧氣及80%氮?dú)庵趸諊型嘶穑沟面嚿仙另敳砍蔀檠趸噷?，且形成與P+型GaN層115具有比較優(yōu)良之歐姆接觸的金屬層(作為120A之一部分)。作為另一實(shí)施例，在制造二極體100L期間(及在其他例示性二極體100-100K具體實(shí)例中)，頂部GaN層(說明為P+型GaN層115，但亦可為其他類型之GaN層，如圖25中所說明)亦可經(jīng)極薄之光學(xué)反射金屬層(在圖25中說明為銀層103)及/或光學(xué)透射性金屬層(未作單獨(dú)說明)(諸如厚度約100埃之鎳-金或鎳-金-鎳)金屬化且與其形成合金，以有助于歐姆接觸形成(且可能提供朝向η+型GaN層110的光反射)，其中一些接著與其他GaN層一起諸如在形成GaN臺(tái)面期間移除。亦可沈積另一金屬化層，諸如以形成較厚之互連金屬從而塑造且完全形成金屬層120Α(例如用于電流分布)及形成導(dǎo)孔130。在另一例示性具體實(shí)例(圖45-50中所說明)中，與P+型GaN層115形成歐姆接觸之金屬接點(diǎn)120Α可在GaN臺(tái)面蝕刻之前形成，繼而進(jìn)行GaN臺(tái)面蝕刻、導(dǎo)孔蝕刻等。諸多其他金屬化制程及構(gòu)成金屬層120Α及120Β之相應(yīng)材料亦處于本發(fā)明范疇內(nèi)，其中不同制造設(shè)施常使用不同制程及材料選擇。舉例而言(但不加以限制)，任一或兩個(gè)金屬層120Α及120Β可藉由沈積鈦以形成厚度通常為50埃至200埃之黏著層或晶種層，繼而沈積2微米至4微米之鎳層及金薄層或「快閃層」(金「快閃層」為厚度為約50埃至500埃之層)、沈積3微米至5微米的鋁，繼而沈積鎳(約0.5微米，物理氣相沈積或電鍍)及金「快閃層」，或藉由沈積鈦，繼而沈積金，繼而沈積鎳(對(duì)于120Β，厚度通常為3微米至5微米)，繼而沈積金，或藉由沈積鋁，繼而沈積鎳，繼而沈積金等而形成。另外，形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120Β的高度亦可變化，在例示性具體實(shí)例中通常介于約3.5微米至5.5微米之間，視基板105的厚度而定(例如，約7微米至8微米之GaN相對(duì)于約10微米之硅)，以使所得二極體100-100L具有實(shí)質(zhì)上均勻的高度及形態(tài)因數(shù)。[0211]對(duì)于后續(xù)將二極體100-100L彼此單體化及自晶圓150單體化，經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，如圖35及其他圖40及48中所說明，圍繞各二極體100-100L周邊形成渠溝155(例如，亦如圖2、5、7及9中所說明)。渠溝155的寬度一般為約3微米至5微米且其深度為10微米至12微米。接著亦使用此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，如圖36中所說明，諸如藉由例如(但不限于)電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沈積(PECVD)氮化硅來生長或沈積氮化物鈍化層135，一般達(dá)約0.35微米至1.0微米的厚度，繼而沈積光阻且進(jìn)行蝕刻步驟以移除不必要的氮化硅區(qū)域。在其他例示性具體實(shí)例中，該等單體化渠溝之側(cè)壁可能經(jīng)鈍化或可能未經(jīng)鈍化。接著經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，形成具有凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B，其通常具有3微米至5微米的高度，如圖37中所說明。在一例示性具體實(shí)例中，金屬層120B之形成以若干步驟，使用金屬晶種層，繼而使用電鍍或剝離制程再沈積金屬，移除抗蝕劑并清潔晶種層區(qū)域來進(jìn)行。除后續(xù)自晶圓150單體化二極體(在此狀況下，二極體100、100A、100B、100C)以外，如下文所述，以其他方式完成二極體100、100A、100B、100C，且應(yīng)注意，此等完成的二極體100、100A、100B、100C在各二極體100、100A、100B、100C的上表面上僅具有一個(gè)金屬接點(diǎn)或端子(第一端子125)。作為可選方案，可如下文所述且如上文參考其他例示性二極體所提及，可制造第二側(cè)(背面)金屬層122以形成第二端子127。[0212]圖38-44說明制造二極體100-100L的另一例示性方法，其中圖38說明在晶圓150A層級(jí)上制造且圖39-44說明在二極體100-100L層級(jí)上制造。圖38為具有基板105且具有復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)的晶圓150Α的橫截面圖。在此例示性具體實(shí)例中，于藍(lán)寶石(106)(藍(lán)寶石晶圓150Α之藍(lán)寶石(106))上生長或沈積比較厚之GaN層(以形成基板105)，繼而沈積或生長GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)。[0213]圖39為具有第三臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的基板105的橫截面圖，其說明晶圓150Α之一極小部分(諸如圖38之區(qū)域192)以說明單個(gè)二極體(例如二極體100Η、100Κ)之制造。經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，蝕刻復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)以形成GaN臺(tái)面結(jié)構(gòu)187Β。在GaN臺(tái)面蝕刻之后，亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，進(jìn)行(貫穿或深)導(dǎo)孔渠溝及單體化渠溝蝕刻，如圖40中所說明，形成一或多個(gè)穿過GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之非臺(tái)面部分(η+型GaN層110)且穿過GaN基板105至晶圓150Α之藍(lán)寶石(106)的比較深之導(dǎo)孔渠溝188且形成上文所述的單體化渠溝155。如所說明，形成中心導(dǎo)孔渠溝188及復(fù)數(shù)個(gè)周邊導(dǎo)孔渠溝188。對(duì)于二極體100Κ具體實(shí)例，亦可在臺(tái)面結(jié)構(gòu)187Β中心處進(jìn)行淺或盲導(dǎo)孔蝕刻，而不形成任何周邊導(dǎo)孔或渠溝。[0214]接著亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，沈積金屬化層，形成中心貫穿導(dǎo)孔131及復(fù)數(shù)個(gè)周邊貫穿導(dǎo)孔134，其亦與η+型GaN層110形成歐姆接觸，如圖41中所說明。在例示性具體實(shí)例中，沈積若干層金屬以形成貫穿導(dǎo)孔131、134。舉例而言，可濺鍍鈦及鎢以涂布渠溝188的側(cè)面及底部，形成晶種層，繼而用鍍鎳，形成實(shí)心金屬導(dǎo)孔131、134。[0215]接著亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，沈積金屬化層，形成與P+型GaN層115形成歐姆接觸的金屬層120Α，如圖42中所說明。在例示性具體實(shí)例中，可如先前所述沈積若干層金屬以形成金屬層120Α且與ρ+型GaN層115形成歐姆接觸。接著亦使用此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，如圖43中所說明，諸如藉由例如(但不限于)電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沈積(PECVD)氮化硅或氮氧化硅來生長或沈積氮化物鈍化層135，一般達(dá)約0.35微米至1.0微米的厚度，繼而沈積光阻且進(jìn)行蝕刻步驟以移除不必要的氮化硅區(qū)域。接著經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，形成具有凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120Β，如圖44中所說明。在一例示性具體實(shí)例中，亦如上文所述，金屬層120Β之形成以若干步驟，使用金屬晶種層，繼而使用電鍍或剝離制程再沈積金屬，移除抗蝕劑并清潔晶種層區(qū)域來進(jìn)行。除后續(xù)自晶圓150A單體化二極體(在此狀況下，二極體100H)以外，如下文所述，以其他方式完成二極體100H，且應(yīng)注意，此等完成的二極體IOOH在各二極體100H的上表面上亦僅具有一個(gè)金屬接點(diǎn)或端子(亦為第一端子125)。同樣作為可選方案，可如下文所述且如上文參考其他例示性二極體所提及，可制造第二側(cè)(背面)金屬層122以形成第二端子127。[0216]圖45-50說明制造二極體100-100L的另一例示性方法，其中圖45說明在晶圓150或150A層級(jí)上制造且圖46-50說明在二極體100-100L層級(jí)上制造。圖45為具有緩沖層145、復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)及與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層(金屬層120Α)的基板105的橫截面圖。如上所述，當(dāng)基板105為硅(例如，使用硅晶圓150)時(shí)通常制造緩沖層145，且對(duì)于其他基板(諸如GaN基板105)而言，可省去緩沖層145。另外，藍(lán)寶石106說明為可選方案，諸如對(duì)于生長或沈積于藍(lán)寶石晶圓150Α上之厚GaN基板105。亦如上所述，在制造二極體之較早步驟中，在GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)沈積或生長后，而非在較遲步驟中，沈積金屬層119(作為用于后續(xù)沈積金屬層120Α之晶種層)。舉例而言，金屬層119可為鎳與金快閃層，其總厚度為約幾百埃，或可經(jīng)極薄之光學(xué)反射金屬層(在圖25中說明為銀層103)及/或光學(xué)透射性金屬層(諸如厚度為約100埃之鎳-金或鎳-金-鎳)金屬化且與其形成合金，以有助于歐姆接觸形成(且可能提供朝向η+型GaN層110的光反射)，其中一些接著與其他GaN層一起，諸如在GaN臺(tái)面形成期間移除。[0217]圖46為具有緩沖層、第四臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)及與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層(金屬層119)的基板的橫截面圖，其說明晶圓150或150Α之一極小部分(諸如圖45之區(qū)域193)，以說明單個(gè)二極體(例如二極體1001)之制造。經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，蝕刻復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)(連同金屬層119一起)以形成GaN臺(tái)面結(jié)構(gòu)187C(連同金屬層119一起)。在GaN臺(tái)面蝕刻之后，亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層，沈積金屬化層(使用先前所述之任何制程及金屬，諸如鈦及鋁，繼而退火)以形成金屬層120Α且亦形成與η+型GaN層110具有歐姆接觸的金屬層129，如圖47中所說明。[0218]在金屬化之后，亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，如圖48中所說明，穿過GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之非臺(tái)面部分(η+型GaN層110)且穿過或比較深地進(jìn)入基板105中(例如如先前所述，穿過GaN基板105至晶圓150Α之藍(lán)寶石(106)或穿過一部分硅基板105)進(jìn)行單體化渠溝蝕刻，且形成上文所述的單體化渠溝155。[0219]接著亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，在渠溝155內(nèi)沈積金屬化層，形成貫穿或深之周圍導(dǎo)孔133(圍繞二極體(1001)的整個(gè)外圍或側(cè)圍提供導(dǎo)電性)，其亦與η+型GaN層110形成歐姆接觸，如圖49中所說明。在例示性具體實(shí)例中，亦可沈積若干層金屬以形成周圍貫穿導(dǎo)孔133。舉例而言，可濺鍍鈦及鎢以涂布渠溝155的側(cè)面及底部，形成晶種層，繼而用鍍鎳，形成實(shí)心金屬周圍導(dǎo)孔133。[0220]接著再次亦使用此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，如圖50中所說明，諸如藉由例如(但不限于)電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沈積(PECVD)氮化硅來生長或沈積氮化物鈍化層135，一般達(dá)約0.35微米至1.0微米的厚度，繼而沈積光阻且進(jìn)行蝕刻步驟以移除不必要的氮化硅區(qū)域。接著經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕亥|J，如先前所述形成具有凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B，如圖50中所說明。除后續(xù)自晶圓150或150A單體化二極體(在此狀況下，二極體1001)以外，如下文所述，以其他方式完成二極體1001，且應(yīng)注意，此等完成的二極體1001在各二極體1001的上表面上亦僅具有一個(gè)金屬接點(diǎn)或端子(亦為第一端子125)。同樣作為可選方案，可如下文所述且如上文參考其他例示性二極體所提及，可制造第二側(cè)(背面)金屬層122以形成第二端子127。[0221]圖51_57、67及68說明在圖45中所說明的在晶圓150或150A層級(jí)上制造之后制造二極體100K的另一例示性方法。圖51為具有緩沖層、第五臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)187D及與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層的基板的橫截面圖。如上所述，當(dāng)基板105為硅(例如，使用硅晶圓150)時(shí)通常制造緩沖層145，且對(duì)于其他基板(諸如GaN基板105)而言，可省去緩沖層145。另外，藍(lán)寶石106說明為可選方案，諸如對(duì)于生長或沈積于藍(lán)寶石晶圓150A上的厚GaN基板105，在該狀況下可省去緩沖層145。亦如上所述，在制造二極體之較早步驟中，在GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)沈積或生長后，而非在較遲步驟中，沈積金屬層119(作為用于后續(xù)沈積金屬層120Α的晶種層)。舉例而言，金屬層119可為鎳與金快閃層，其總厚度為約幾百埃，或可經(jīng)極薄之光學(xué)反射金屬層(在圖25中說明為銀層103)及/或光學(xué)透射性金屬層(諸如厚度為約100埃之鎳、鎳-金或鎳-金-鎳)金屬化且與其形成合金，以有助于與P+型GaN層115形成歐姆接觸(且可能提供朝向η+型GaN層110的光反射)，其中一些接著與其他GaN層一起，諸如在GaN臺(tái)面形成期間移除。經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，蝕刻復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)(連同金屬層119一起)以形成深度為約I微米之GaN臺(tái)面結(jié)構(gòu)187D(連同金屬層119一起)，其一般具有超環(huán)形形狀，內(nèi)圓直徑為約14微米且外部一般六角形的直徑為約26微米(側(cè)面對(duì)側(cè)面量測)。[0222]在GaN臺(tái)面蝕刻(187D)后，亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，進(jìn)行盲或淺導(dǎo)孔渠溝蝕刻，如圖52中所說明，形成進(jìn)入GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之非臺(tái)面部分(η+型GaN層110)中之比較淺之中心導(dǎo)孔渠溝211。如所說明，形成深度為約2微米且直徑為6微米之圓形中心導(dǎo)孔渠溝211。[0223]接著經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，沈積金屬化層，形成中心導(dǎo)孔136，該中心導(dǎo)孔136亦與η+型GaN層110形成歐姆接觸，如圖53中所說明。在例示性具體實(shí)例中，沈積若干層金屬(例如導(dǎo)孔金屬)以形成中心導(dǎo)孔136。舉例而言，可濺鍍或電鍍約100埃的鈦及約1.5微米至2微米的鋁以涂布渠溝211的側(cè)面、底部以及一部分頂部，繼而在約550°C下形成合金，以在η+型GaN層110頂部上形成最大直徑為約10微米的實(shí)心金屬導(dǎo)孔136。接著亦使用此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，如圖54中所說明，諸如藉由例如(但不限于)電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沈積(PECVD)氮化硅或氮氧化硅來生長或沈積第一氮化物鈍化層135Α，一般達(dá)約0.35微米至1.0微米，或更尤其約0.5微米的厚度以及約18微米之最大直徑，繼而沈積光阻且進(jìn)行蝕刻步驟以移除不必要的氮化硅區(qū)域。[0224]接著亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，沈積金屬化層，形成如圖55中所說明與ρ+型GaN層115形成接觸之通常使用模用金屬形成之具有凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120Β。在例示性具體實(shí)例中，可如本文先前所述沈積若干層金屬以形成用于與P+型GaN層115形成接觸的金屬層120A及/或120B，且出于簡要起見，此處將不重復(fù)。在一例示性具體實(shí)例中，金屬層120B的形狀一般為六角形且直徑為約22微米(側(cè)面對(duì)側(cè)面量測)，且包含約100埃之鎳、約4.5微米的鋁、約0.5微米之鎳以及約IOOnm之金。[0225]在金屬化之后，亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層以及蝕刻，如圖56中所說明，使用先前所述的方法，穿過一部分GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(進(jìn)入但不完全穿過η+型GaN層110)(在一例示性具體實(shí)例中深度一般為約2微米)進(jìn)行單體化渠溝蝕刻，且形成上文所述的單體化渠溝155。[0226]如圖57中所說明，接著諸如藉由例如(但不限于)電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沈積(PECVD)氮化硅或氮氧化硅來生長或沈積第二氮化物鈍化層135，一般達(dá)約0.35微米至1.0微米，或更尤其約0.5微米的厚度。接著使用此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕亥IJ，移除不必要的氮化硅區(qū)域，諸如以清潔金屬層102Β之頂部，其將形成第二端子127。[0227]下文參考圖64、65、67及68描述后續(xù)基板移除、第二側(cè)(背面)金屬層122的單體化及制造。[0228]圖58-63及69說明在圖45中所說明之在晶圓150或150Α層級(jí)上制造之后制造二極體100L的另一例示性方法。圖58為具有緩沖層、第六臺(tái)面蝕刻的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)187Ε及與ρ+型GaN層形成歐姆接觸的金屬化層的基板的橫截面圖。如上所述，當(dāng)基板105為硅(例如，使用硅晶圓150)時(shí)通常制造緩沖層145，且對(duì)于其他基板(諸如GaN基板105)而言，可省去緩沖層145。另外，藍(lán)寶石106說明為可選方案，諸如對(duì)于生長或沈積于藍(lán)寶石晶圓150Α上的厚GaN基板105，在該狀況下可省去緩沖層145。亦如上所述，在制造二極體的較早步驟中，在GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)沈積或生長后，而非在較遲步驟中，沈積金屬層119(作為用于后續(xù)沈積金屬層120Α之晶種層)。舉例而言，金屬層119可為鎳與金快閃層，其總厚度為約幾百埃，或可經(jīng)極薄的光學(xué)反射金屬層(在圖25中說明為銀層103)及/或光學(xué)透射性金屬層(諸如厚度為約100埃至約2.5nm之鎳、鎳-金或鎳-金-鎳)金屬化且與其形成合金，以有助于與P+型GaN層115形成歐姆接觸(且可能提供朝向η+型GaN層110的光反射)，其中一些金屬層119接著與其他GaN層一起,諸如在GaN臺(tái)面形成期間移除。在一例示性具體實(shí)例中，沈積約2nm至3nm,或更尤其約2.5nm之鎳或鎳及金且在500V下使其形成合金以形成與P+型GaN層115歐姆接觸的金屬層119。經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，蝕刻復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(η+型GaN層110、量子井區(qū)185及ρ+型GaN層115)(連同金屬層119一起)以形成深度為約I微米之GaN臺(tái)面結(jié)構(gòu)187Ε(連同金屬層119一起)，其具有上文所論述之修平三角形形狀，至為接點(diǎn)128保留空間之切去區(qū)域的第一半徑為約8微米且至三角形頂點(diǎn)/側(cè)面之第二半徑為約11微米。[0229]在GaN臺(tái)面蝕刻(187Ε)之后，接著亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，沈積第一金屬化層，形成接點(diǎn)128，該等接點(diǎn)128亦與η+型GaN層110形成歐姆接觸，如圖59中所說明。在例示性具體實(shí)例中，沈積若干層導(dǎo)孔金屬以形成接點(diǎn)128，該等接點(diǎn)128用作第二端子127。舉例而言(但不加以限制)，可濺鍍或電鍍約100埃的鈦、約500nm的鋁、500nm之鎳及IOOnm之金以形成實(shí)心金屬接點(diǎn)128，其厚度各自為約1.1微米，徑向量測的寬度為約3微米，且如圖23中所說明圍繞η+型GaN層110之周邊延伸。在一例示性具體實(shí)例中，亦如圖23中所說明，形成三個(gè)接點(diǎn)128。[0230]在沈積接點(diǎn)128之后，亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層，沈積其他金屬化層(使用先前所述之任何制程及金屬，諸如鈦及鋁，繼而退火)以形成金屬層120A作為用于ρ+型GaN層115之歐姆接觸的一部分，如圖60中所說明。舉例而言，在一例示性具體實(shí)例中，可濺鍍或電鍍約200nm之銀(形成反射層或鏡面層)、200nm之鎳、約500nm的鋁及200nm之鎳，以形成位于中心的金屬層120A，其厚度為約1.1微米且直徑為約8微米。[0231]接著亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，沈積其他金屬化層，形成如圖61中所說明與ρ+型GaN層115形成接觸之通常使用模用金屬形成之具有凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B。在例示性具體實(shí)例中，可如本文先前所述沈積若干層金屬以形成用于與P+型GaN層115形成接觸的金屬層120A及/或120B，且出于簡要起見，此處將不重復(fù)。在一例示性具體實(shí)例中，金屬層120B—般具有圖23中所說明之修平三角形形狀，其中至切去區(qū)域(用于接點(diǎn)128)之第一半徑為約6微米，至三角形頂點(diǎn)/側(cè)面之第二半徑為約9微米，其寬度各自為約3.7微米，且其包含約200nm之銀(亦在ρ+型GaN層115上形成反射層或鏡面層)、約200nm之鎳、約200nm的鋁、約250nm之鎳、約200nm的鋁、約250nm之鎳及約IOOnm之金，上述金屬各自添加作為連續(xù)層，繼而在550°C下于氮?dú)猸h(huán)境中形成合金約10分鐘，以達(dá)成約5微米之總高度(除金屬層120A之約1.1微米高度之外)。應(yīng)注意，此使第一端子與第二端子125、127之間在高度上隔開約5微米。[0232]如圖62中所說明，接著諸如藉由例如(但不限于)電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沈積(PECVD)氮化硅或氮氧化硅來生長或沈積第二氮化物鈍化層135，一般達(dá)約0.35微米至1.0微米，或更尤其約0.5微米的厚度。接著使用此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕亥IJ，移除不必要的氮化硅區(qū)域，諸如以清潔金屬層102B之頂部，其將形成第一端子125。[0233]在鈍化之后，亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層以及蝕刻，如圖63中所說明，使用先前所述的方法，穿過一部分GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(進(jìn)入但未完全穿過η+型GaN層110)(在一例示性具體實(shí)例中深度一般為約2微米至3.5微米)進(jìn)行單體化渠溝蝕刻，且形成上文所述的單體化渠溝155。[0234]下文參考圖64、65、67及69描述后續(xù)基板移除及單體化。[0235]制造二極體100-100L的方法之多種變化形式根據(jù)本發(fā)明之教示可顯而易見，所有變化形式皆視作等效且處于本發(fā)明范疇內(nèi)。在其他例示性具體實(shí)例中，該渠溝155形成及(氮化物)鈍化層形成可在器件制造制程中較早或較遲進(jìn)行。舉例而言，可在制造過程中較遲，在形成金屬層120B后形成渠溝155，且可留下暴露的基板105或之后可進(jìn)行第二次鈍化。亦舉例而言，可在制造過程中較早，諸如在GaN臺(tái)面蝕刻后形成渠溝155，繼而沈積(氮化物)鈍化層135。在后一實(shí)施例中，為在器件制造制程之其余部分期間維持平坦化，鈍化的渠溝155可用氧化物、光阻或其他材料填充(沈積層，繼而使用抗光蝕遮罩及蝕刻或無遮罩蝕刻制程移除不必要區(qū)域)或可用抗蝕劑填充(且在金屬接點(diǎn)120A形成之后可能再填充)。在另一實(shí)施例中，氮化硅135沈積(繼之以遮罩及蝕刻步驟)可在GaN臺(tái)面蝕刻之后且在金屬接點(diǎn)120A沈積之前進(jìn)行。[0236]圖64為說明黏著至固持裝置160(諸如固持、操作或固持器晶圓)之具有復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L的例示性硅晶圓150具體實(shí)例的橫截面圖。圖65為說明黏著至固持裝置160的例示性二極體藍(lán)寶石晶圓150A具體實(shí)例的橫截面圖。如圖64及65中所說明，使用任何已知之市售晶圓黏著劑或晶圓黏結(jié)劑165將含有復(fù)數(shù)個(gè)未釋放二極體100-100L(出于解說之目的一般性說明而無任何顯著之特征細(xì)節(jié))的二極體晶圓150、150A在二極體晶圓150U50A具有制造的二極體100-100L的第一側(cè)上黏著至固持裝置160(諸如晶圓固持器)。如所說明且如上文所述，已在晶圓加工期間，諸如經(jīng)由蝕刻在各二極體100-100L之間形成單體化或個(gè)別化渠溝155，接著使用該等單體化或個(gè)別化渠溝155在不進(jìn)行機(jī)械制程(諸如鋸切)下使各二極體100-100L與相鄰二極體100-100L分離。如圖64中所說明，在二極體晶圓150仍黏著至固持裝置160的同時(shí)，接著將二極體晶圓150的第二側(cè)(背面)180蝕刻(例如，濕式或干式蝕刻)或機(jī)械研磨且拋光至某一位準(zhǔn)(以虛線說明)，或蝕刻并機(jī)械研磨且拋光以暴露渠溝155，或留下某些其他基板，該其他基板接著可經(jīng)由例如(但不限于)蝕刻移除。當(dāng)充分蝕刻或研磨且拋光，或充分蝕刻并研磨且拋光(及/或連同任何其他蝕刻一起)時(shí)，各個(gè)別二極體100-100L已彼此釋放且自任何剩余的二極體晶圓150釋放，而仍由黏著劑165黏著至固持裝置160。如圖65中所說明，亦在二極體晶圓150A仍黏著至固持裝置160的同時(shí)，接著使二極體晶圓150A的第二側(cè)(背面)180曝露于雷射光(說明為一或多個(gè)雷射束162)，該雷射光接著自晶圓150A之藍(lán)寶石106切割GaN基板105(以虛線說明)(亦稱為雷射剝離)，亦可繼而進(jìn)行任何其他化學(xué)機(jī)械拋光及任何所需之蝕刻(例如濕式或干式蝕刻)，從而使各個(gè)別二極體100-100L彼此釋放且自晶圓150A釋放，而仍由黏著劑165黏著至固持裝置160。在此例示性具體實(shí)例中，可接著研磨及/或拋光晶圓150A且再使用。[0237]一般亦圍繞晶圓150之周邊涂覆環(huán)氧樹脂珠粒(未作單獨(dú)說明)以防止非二極體片段在下文所論述的二極體釋放制程期間自晶圓邊緣釋放至二極體(100-100L)流體中。[0238]圖66為說明黏著至固持裝置的例示性二極體100J具體實(shí)例的橫截面圖。在單體化二極體100-100K(如上文參考圖64及65所述)之后，且在二極體100-100K仍由黏著劑165黏著至固持裝置160的同時(shí)，暴露二極體100-100K的第二側(cè)(背面)。如圖66中所說明，可接著諸如經(jīng)由氣相沈積(傾斜以避免填充渠溝155)沈積金屬化層至第二側(cè)(背面)，形成第二側(cè)(背面)金屬層122及二極體100J具體實(shí)例。亦如所說明，二極體100J具有與η+型GaN層110形成歐姆接觸且與第二側(cè)(背面)金屬層122形成接觸之一個(gè)中心貫穿導(dǎo)孔131以于η+型GaN層110與第二側(cè)(背面)金屬層122之間傳導(dǎo)電流。例示性二極體100D與例示性二極體100J頗為相似，后者具有第二側(cè)(背面)金屬層122以形成第二端子127。如先前所提及，第二側(cè)(背面)金屬層122(或基板105或各個(gè)貫穿導(dǎo)孔131、133、134中之任一者)可用于在裝置300、300A、300B、300C、300D、720、730、760中與第一導(dǎo)體310形成電連接以對(duì)二極體100-100K通電。[0239]圖67為說明在背面金屬化之前黏著至固持裝置160的例示性第十二極體具體實(shí)例的橫截面圖。如圖67中所說明，單體化例示性制程中二極體，其中如上文所述且亦以蝕刻步驟(例如濕式或干式蝕刻)移除任何基板105U05A，暴露η+型GaN層110及導(dǎo)孔136的表面，留下深度為約2微米至6微米(或更尤其為約2微米至4微米，或更尤其為約3微米)的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)。接著使用此項(xiàng)技術(shù)中已知的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻，諸如經(jīng)由濺鍍、電鍍或氣相沈積沈積金屬化層至第二側(cè)(背面)，形成第二側(cè)(背面)金屬層122及二極體100Κ具體實(shí)例，如圖68中所說明。在一例示性具體實(shí)例中，金屬層122呈橢圓形，如圖21中所說明，其長軸寬度一般為約12微米至16微米，短軸寬度為約4微米至8微米，且深度為約4微米至6微米，或其長軸寬度更尤其一般為約14微米，短軸寬度為約6微米，且深度為約5微米，且其包含約100埃的鈦、約4.5微米的鋁、約0.5微米之鎳及IOOnm之金。亦如對(duì)于二極體100K所說明，最初為比較淺之中心導(dǎo)孔者現(xiàn)為與η+型GaN層110形成歐姆接觸且與第二側(cè)(背面)金屬層122形成接觸以于η+型GaN層110與第二側(cè)(背面)金屬層122之間傳導(dǎo)電流的貫穿導(dǎo)孔136。如先前所提及，對(duì)于此例示性二極體100Κ具體實(shí)例，接著翻轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)二極體100Κ，且第二側(cè)(背面)金屬層122形成第一端子125且可用于在裝置300、300A、300B、300C、300D、720、730、760中與第二導(dǎo)體320形成電連接以使二極體100K通電。[0240]圖69為說明黏著至固持裝置的例示性第十一二極體100L具體實(shí)例的橫截面圖。如圖69中所說明，單體化例示性二極體100L，其中如上文所述且以蝕刻步驟移除任何基板105、105A，暴露η+型GaN層110的表面，留下深度為約2微米至6微米(或更尤其為約3微米至5微米，或更尤其為約4微米至5微米，或更尤其為約4.5微米)的復(fù)合GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)。[0241]在單體化二極體100-100L之后，可使用其形成二極體墨水，下文參考圖74及75進(jìn)行論述。[0242]亦應(yīng)注意，亦可對(duì)于各個(gè)二極體100-100L中之任一者制造各種表面幾何形狀及/或紋理，以有助于在建構(gòu)成LED時(shí)減少內(nèi)部反射及提高光提取。此等各種表面幾何形狀中之任一者亦可具有先前參考圖25所論述之各種表面紋理中之任一者。圖104為說明例示性發(fā)光或光吸收區(qū)域的例示性第一表面幾何形狀的透視圖，其建構(gòu)為二極體100Κ之上部發(fā)光(或光吸收)表面上復(fù)數(shù)個(gè)同心環(huán)或超環(huán)形形狀。通常在添加背面金屬122之前或之后，經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻將該幾何形狀蝕刻至二極體100Κ的第二側(cè)(背面)中。圖105為說明例示性發(fā)光或光吸收區(qū)域的例示性第二表面幾何形狀的透視圖，其建構(gòu)為二極體100Κ之上部發(fā)光(或光吸收)表面上復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上曲邊梯形形狀。亦通常在添加背面金屬122之前或之后，亦經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻將該幾何形狀蝕刻至二極體100Κ的第二側(cè)(背面)中。[0243]圖106為說明例示性發(fā)光或光吸收區(qū)域的例示性第三表面幾何形狀的透視圖，其建構(gòu)為二極體100L的下部(或底部)發(fā)光(或光吸收)表面上復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上曲邊梯形形狀。圖107為說明例示性發(fā)光或光吸收區(qū)域的例示性第四表面幾何形狀的透視圖，其建構(gòu)為二極體100L的下部(或底部)發(fā)光(或光吸收)表面上實(shí)質(zhì)上星形形狀。圖108為說明例示性發(fā)光或光吸收區(qū)域的例示性第五表面幾何形狀的透視圖，其建構(gòu)為二極體100L的下部(或底部)發(fā)光(或光吸收)表面上復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上平行桿狀或條紋形狀。亦通常經(jīng)由此項(xiàng)技術(shù)中已知或即將知曉的適當(dāng)或標(biāo)準(zhǔn)遮罩及/或光阻層及蝕刻將該等幾何形狀蝕刻至二極體100L的第二側(cè)(背面)中，作為先前參考圖69所論述的基板移除制程及/或二極體單體化制程的一部分。[0244]圖70、71、72及73分別為說明用于制造二極體100-100L的例示性第一、第二、第三及第四方法具體實(shí)例的流程圖，且提供適用概述。應(yīng)注意，此等方法中的多個(gè)步驟可按各種次序中的任一者進(jìn)行，且一個(gè)例示性方法的步驟亦可用于其他例示性方法中。因此，各方法將一般性涉及二極體100-100L中任一者的制造，而非特定二極體100-100L具體實(shí)例之制造，且熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)知曉哪些步驟可「混合且配合」以形成任何所選的二極體100-100L具體實(shí)例。[0245]參考圖70，自起始步驟240開始，于半導(dǎo)體晶圓(諸如硅晶圓)上生長或沈積氧化物層(步驟245)。蝕刻氧化物層(步驟250)諸如以形成網(wǎng)格或其他圖案。生長或沈積緩沖層及發(fā)光或光吸收區(qū)域(諸如GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu))(步驟255)，接著蝕刻以形成各二極體100-100L的臺(tái)面結(jié)構(gòu)(步驟260)。接著蝕刻晶圓150以在各二極體100-100L的基板105中形成導(dǎo)孔渠溝(步驟265)。接著沈積一或多個(gè)金屬化層以形成各二極體100-100L之金屬接點(diǎn)及導(dǎo)孔(步驟270)。接著在二極體100-100L之間蝕刻單體化渠溝(步驟275)。接著生長或沈積鈍化層(步驟280)。接著于金屬接點(diǎn)上沈積或生長凸塊或突出金屬結(jié)構(gòu)(步驟285)且方法可結(jié)束，返回步驟290。應(yīng)注意，此等制造步驟中的多個(gè)步驟可藉由不同實(shí)體及試劑進(jìn)行，且該方法可包括上文所論述的步驟的其他變化形式及排序。[0246]參考圖71，自起始步驟500開始，于晶圓(諸如藍(lán)寶石晶圓150A)上生長或沈積比較厚的GaN層(例如7微米至8微米)(步驟505)。生長或沈積發(fā)光或光吸收區(qū)域(諸如GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu))(步驟510)，接著蝕刻以形成各二極體100-100L的臺(tái)面結(jié)構(gòu)(在各二極體100-100L的第一側(cè)上)(步驟515)。接著蝕刻晶圓150以在各二極體100-100L的基板105中形成一或多個(gè)貫穿或深導(dǎo)孔渠溝及單體化渠溝(步驟520)。接著通常藉由使用上文所述之任何方法沈積晶種層(步驟525)，繼而進(jìn)行其他金屬沈積來沈積一或多個(gè)金屬化層以形成各二極體100-100L之貫穿導(dǎo)孔，其可為中心、周邊或周圍貫穿導(dǎo)孔(分別為131、134、133)。亦沈積金屬以形成一或多個(gè)與GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(諸如與ρ+型GaN層115或與η+型GaN層110)之金屬接點(diǎn)(步驟535)及形成任何其他電流分布金屬(例如120Α、126)(步驟540)。接著生長或沈積鈍化層(步驟545)，其中如先前所述及所說明蝕刻或移除一定區(qū)域。接著于金屬接點(diǎn)上沈積或生長凸塊或突出金屬結(jié)構(gòu)(120Β)(步驟550)。接著將晶圓150Α附接至固持晶圓(步驟555)且移除藍(lán)寶石或其他晶圓(例如經(jīng)由雷射切割)以單體化或個(gè)別化二極體100-100L(步驟560)。接著將金屬沈積于二極體100-100L的第二側(cè)(背面)上以形成第二側(cè)(背面)金屬層122(步驟565)，且該方法可結(jié)束，返回步驟570。亦應(yīng)注意，此等制造步驟中之多個(gè)步驟可藉由不同實(shí)體及試劑進(jìn)行，且該方法可包括上文所論述的步驟的其他變化形式及排序。[0247]參考圖72，自起始步驟600開始，于晶圓150(諸如藍(lán)寶石晶圓150Α)上生長或沈積比較厚之GaN層(例如7微米至8微米)(步驟605)。生長或沈積發(fā)光或光吸收區(qū)域(諸如GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu))(步驟610)。沈積金屬以形成一或多個(gè)與GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(諸如與P+型GaN層115，如圖45中所說明)之金屬接點(diǎn)(步驟615)。接著蝕刻發(fā)光或光吸收區(qū)域(諸如GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu))與金屬接觸層(119)，形成各二極體100-100L的臺(tái)面結(jié)構(gòu)(在各二極體100-100L的第一側(cè)上)(步驟620)。沈積金屬以形成一或多個(gè)與GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之金屬接點(diǎn)(諸如與η+型GaN層110的η+型金屬接觸層129，如圖47中所說明)(步驟625)。接著蝕刻晶圓150Α以在各二極體100-100L的基板105中形成一或多個(gè)貫穿或深導(dǎo)孔渠溝及/或單體化渠溝(步驟630)。接著使用上文所述的任何金屬沈積方法沈積一或多個(gè)金屬化層以形成各二極體100-100L之貫穿導(dǎo)孔，其可為中心、周邊或周圍貫穿導(dǎo)孔(分別為131、134、133)。亦沈積金屬以形成一或多個(gè)與GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(諸如與P+型GaN層115或與η+型GaN層110)的金屬接點(diǎn)，及形成任何其他電流分布金屬(例如120Α、126)(步驟640)。若先前未形成單體化渠溝(在步驟630中)，則蝕刻單體化渠溝(步驟645)。接著生長或沈積鈍化層(步驟650)，其中如先前所述及所說明蝕刻或移除一定區(qū)域。接著于金屬接點(diǎn)上沈積或生長凸塊或突出金屬結(jié)構(gòu)(120B)(步驟655)。接著將晶圓150、150A附接至固持晶圓(步驟660)，且移除藍(lán)寶石或其他晶圓(例如經(jīng)由雷射切割或背面研磨及拋光)以單體化或個(gè)別化二極體100-100L(步驟665)。接著將金屬沈積于二極體100-100L的第二側(cè)(背面)上以形成第二側(cè)(背面)導(dǎo)電(例如金屬)層122(步驟670)，且該方法可結(jié)束，返回步驟675。亦應(yīng)注意，此等制造步驟中的多個(gè)步驟可藉由不同實(shí)體及試劑進(jìn)行，且該方法可包括上文所論述的步驟的其他變化形式及排序。[0248]參考圖73，自起始步驟611開始，于晶圓150(諸如藍(lán)寶石晶圓150A)或硅晶圓150的緩沖層145上生長或沈積比較厚之GaN層(例如7微米至8微米)(步驟611)。生長或沈積發(fā)光或光吸收區(qū)域(諸如GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu))(步驟616)。沈積金屬以形成一或多個(gè)與GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(諸如與P+型GaN層115，如圖45中所說明)之金屬接點(diǎn)(步驟621)。接著蝕刻發(fā)光或光吸收區(qū)域(諸如GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu))與金屬接觸層(119)，形成各二極體100-100L的臺(tái)面結(jié)構(gòu)(在各二極體100-100L的第一側(cè)上)(步驟626)。對(duì)于二極體100K具體實(shí)例，接著蝕刻GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)以形成各二極體100K之中心導(dǎo)孔渠溝(步驟631)，且在其他情況下可省去步驟631。接著使用上文所述之任何金屬沈積方法沈積一或多個(gè)金屬化層以形成各二極體100K之中心導(dǎo)孔136或二極體100L之金屬接點(diǎn)128(步驟636)。對(duì)于二極體100K具體實(shí)例，接著生長或沈積鈍化層135A(步驟641)，其中如先前所述且如所說明蝕刻或移除一定區(qū)域，且在其他情況下可省去步驟641。亦沈積金屬以形成一或多個(gè)與GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)(諸如P+型GaN層115)之金屬接點(diǎn)，諸如金屬層120B或金屬層120A及120B(步驟646)。若先前未形成單體化渠溝，則蝕刻單體化渠溝(步驟651)。接著生長或沈積鈍化層(步驟656)，其中如先前所述及所說明蝕刻或移除一定區(qū)域。應(yīng)注意，對(duì)于制造二極體100L而言，步驟656與651按相反次序進(jìn)行，其中先進(jìn)行鈍化，繼而蝕刻單體化渠溝。接著將晶圓150U50A附接至固持晶圓(步驟661)，且移除硅、藍(lán)寶石或其他晶圓(例如經(jīng)由雷射切割或背面研磨及拋光)以單體化或個(gè)別化二極體100-100L(步驟666)，諸如經(jīng)由蝕刻移除任何其他GaN。對(duì)于二極體100K具體實(shí)例，接著將金屬沈積于二極體100K的第二側(cè)(背面)上以形成第二偵U(背面)導(dǎo)電(例如金屬)層122(步驟671)，且該方法可結(jié)束，返回步驟676。亦應(yīng)注意，此等制造步驟中之多個(gè)步驟可藉由不同實(shí)體及試劑進(jìn)行，且該方法可包括上文所論述的步驟的其他變化形式及排序。舉例而言，步驟611及612可由專門供應(yīng)商進(jìn)行。[0249]圖74為說明個(gè)別二極體100-100L(亦出于解說之目的一般性說明而無任何顯著的特征細(xì)節(jié))的橫截面圖，該等二極體不再在二極體晶圓150、150A上耦接在一起(由于二極體晶圓150、150A的第二側(cè)現(xiàn)已經(jīng)研磨或拋光、切割(雷射剝離)及/或蝕刻至完全暴露單體化(個(gè)別化)渠溝155)，但由晶圓黏著劑165黏著至固持裝置160且懸浮或浸沒于含晶圓黏著劑溶劑170之器皿175中?？墒褂萌魏芜m合之器皿175，諸如皮氏培養(yǎng)皿(petridish)，其中一例示性方法使用聚四氟乙烯(PTFE或鐵氟龍(Teflon))器皿175。晶圓黏著劑溶劑170可為任何市售的晶圓黏著劑溶劑或晶圓黏結(jié)劑移除劑，包括(不限于)例如可自Rolla,MissouriUSA的BrewerScience公司獲得的2-十二烯晶圓黏結(jié)劑移除劑,或任何其他相對(duì)長鏈烷烴或烯烴或短鏈庚烷或庚烯。通常在室溫(例如約65T-75T或更高溫度)下將黏著至固持裝置160的二極體100-100L浸沒于晶圓黏著劑溶劑170中約5至約15分鐘，且在例示性具體實(shí)例中，亦可進(jìn)行音波處理。隨著晶圓黏著劑溶劑170溶解黏著劑165，二極體100-100L與黏著劑165及固持裝置160分離且大部分或一般個(gè)別地或以群組或團(tuán)塊形式下沈至器皿175底部。當(dāng)所有或大部分二極體100-100L已自固持裝置160釋放且沈淀至器皿175的底部時(shí)，自器皿175移出固持裝置160及一部分當(dāng)前使用的晶圓黏著劑溶劑170。接著再添加晶圓黏著劑溶劑170(約120ml至140ml)，且通常在室溫或更高溫度下，攪拌晶圓黏著劑溶劑170與二極體100-100L的混合物(例如，使用音波處理器或葉輪混合器)約5至15分鐘，繼而再次使二極體100-100L沈淀至器皿175底部。接著一般至少再次重復(fù)此制程，以便當(dāng)所有或大部分二極體100-100L已沈淀至器皿175的底部時(shí)，自器皿175移出一部分當(dāng)前使用的晶圓黏著劑溶劑170，接著再添加(約120ml至140ml)晶圓黏著劑溶劑170，繼而在室溫或更高溫度下攪拌晶圓黏著劑溶劑170與二極體100-100L的混合物約5至15分鐘，繼而再次使二極體100-100L沈淀至器皿175之底部且移出一部分剩余晶圓黏著劑溶劑170。在此階段，一般已自二極體100-100L移除足量的任何殘留晶圓黏著劑165，或重復(fù)晶圓黏著劑溶劑170制程，直至不再有可能干擾二極體100-100L的印刷或起作用為止。[0250]可以各種方式中之任一者移除晶圓黏著劑溶劑170(含溶解的晶圓黏著劑165)或下文所論述的任何其他溶劑、溶液或其他液體。舉例而言，可藉由真空、抽氣、抽吸、抽汲等，諸如經(jīng)由吸液管移除晶圓黏著劑溶劑170或其他液體。亦舉例而言，可藉由諸如使用具有適當(dāng)開口或微孔尺寸的篩或多孔硅膜過濾二極體100-100L與晶圓黏著劑溶劑170(或其他液體)的混合物來移除晶圓黏著劑溶劑170或其他液體。亦應(yīng)提及的是，過濾二極體墨水(及下文所論述的介電墨水)中使用的所有各種流體以移除大于約10微米的粒子。[0251]二極體墨水實(shí)施例1:[0252]包含以下的組成物:[0253]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L;及[0254]溶劑。[0255]接著移除實(shí)質(zhì)上所有或大部分晶圓黏著劑溶劑170。在一例示性具體實(shí)例中且舉例而言，將溶劑，且更尤其極性溶劑(諸如異丙醇(「IPA」))添加至晶圓黏著劑溶劑170與二極體100-100L的混合物中，繼而一般在室溫下(盡管可等效地使用更高溫度)攪拌IPA^as圓黏著劑溶劑170及二極體100-100L的混合物約5至15分鐘，繼而再次使二極體100-100L沈淀至器皿175之底部且移出一部分IPA與晶圓黏著劑溶劑170的混合物。再添加IPA(120ml至140ml)，且重復(fù)該制程兩次或兩次以上，即一般在室溫下攪拌IPA、晶圓黏著劑溶劑170及二極體100-100L的混合物約5至15分鐘，繼而再次使二極體100-100L沈淀至器皿175之底部，移出一部分IPA與晶圓黏著劑溶劑170的混合物且再添加IPA。在一例示性具體實(shí)例中，所得混合物為約100ml至IlOmlIPA與來自四吋晶圓之約900萬-1000萬個(gè)二極體100-100L(每個(gè)四吋晶圓150約970萬個(gè)二極體100-100L)，接著將其轉(zhuǎn)移至另一較大容器(諸如PTFE杯瓶)中，可包括例如再用IPA再洗滌二極體至杯瓶中。可等效地使用一或多種溶劑，例如(但不限于):水；醇，諸如甲醇、乙醇、N-丙醇(「NPA」)(包括1-丙醇、2-丙醇(IPA)、1-甲氧基-2-丙醇)、丁醇(包括1-丁醇、2-丁醇(異丁醇))、戊醇(包括1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇)、辛醇、N-辛醇(包括1-辛醇、2-辛醇、3-辛醇)、四氫糠醇(THFA)、環(huán)己醇、松香醇；醚，諸如甲基乙基醚、乙醚、乙基丙基醚及聚醚；酯，諸如乙酸乙酯、己二酸二甲酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、戊二酸二甲酯、丁二酸二甲酯、乙酸甘油酯；二醇，諸如乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二醇醚、二醇醚乙酸酯；碳酸酯，諸如碳酸伸丙酯；甘油類，諸如甘油；乙腈、四氫呋喃(THF)、二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基甲酰胺(NMF)、二甲亞砜(DMSO);及其混合物。二極體100-100L與溶劑(諸如IPA)之所得混合物為二極體墨水之第一實(shí)施例作為上述實(shí)施例1，且可作為獨(dú)立組成物提供，例如用于后續(xù)改質(zhì)或亦例如用于印刷中。在下文論述之其他例示性具體實(shí)例中，二極體100-100L與溶劑(諸如IPA)之所得混合物為中間混合物，其如下文所述經(jīng)進(jìn)一步改質(zhì)以形成用于印刷中的二極體墨水。[0256]在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，基于至少兩種特性或特征來選擇第一(或第二)溶劑。溶劑之第一特征為其溶于黏度調(diào)節(jié)劑或黏著黏度調(diào)節(jié)劑(諸如羥丙基甲基纖維素樹脂、甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素樹脂或甲基纖維素樹脂)中之能力或其溶解黏度調(diào)節(jié)劑或黏著黏度調(diào)節(jié)劑之能力。第二特征或特性為其蒸發(fā)率，其蒸發(fā)率應(yīng)足夠緩慢以允許二極體墨水充分網(wǎng)版滯留(對(duì)于網(wǎng)版印刷)或符合其他印刷參數(shù)。在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，例示性蒸發(fā)率小于I(〈I，與乙酸丁酯相比較之相對(duì)速率)或更尤其為0.0001至0.9999。[0257]二極體墨水實(shí)施例2:[0258]包含以下的組成物:[0259]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L;及[0260]黏度調(diào)節(jié)劑。[0261]二極體墨水實(shí)施例3:[0262]包含以下的組成物:[0263]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L;及[0264]溶劑化劑。[0265]二極體墨水實(shí)施例4:[0266]包含以下的組成物:[0267]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L;及[0268]濕潤溶劑。[0269]二極體墨水實(shí)施例5:[0270]包含以下的組成物:[0271]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L;[0272]溶劑；及[0273]黏度調(diào)節(jié)劑。[0274]二極體墨水實(shí)施例6:[0275]包含以下的組成物:[0276]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L；[0277]溶劑；及[0278]黏著黏度調(diào)節(jié)劑。[0279]二極體墨水實(shí)施例7:[0280]包含以下的組成物:[0281]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L;[0282]溶劑；及[0283]黏度調(diào)節(jié)劑；[0284]其中該組成物在濕潤時(shí)不透明而在干燥時(shí)具實(shí)質(zhì)上光學(xué)透射性或另外為透明的。[0285]二極體墨水實(shí)施例8:[0286]包含以下的組成物:[0287]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L；[0288]第一極性溶劑；[0289]黏度調(diào)節(jié)劑；及[0290]第二非極性溶劑(或再濕潤劑)。[0291]二極體墨水實(shí)施例9:[0292]包含以下的組成物:[0293]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L，復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L中的各二極體的任何尺寸均小于450微米；及[0294]溶劑。[0295]二極體墨水實(shí)施例10:[0296]包含以下的組成物:[0297]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L;及[0298]至少一種實(shí)質(zhì)上非絕緣載劑或溶劑。[0299]二極體墨水實(shí)施例11:[0300]包含以下的組成物:[0301]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L;[0302]溶劑；及[0303]黏度調(diào)節(jié)劑；[0304]其中該組成物之抗?jié)駶?dewetting)或接觸角大于25度或大于40度。[0305]參考二極體墨水實(shí)施例1-11，多種例示性二極體墨水組成物處于本發(fā)明范疇內(nèi)。一般而言，如實(shí)施例1中，二極體(100-100L)的液體懸浮液包含復(fù)數(shù)個(gè)二極體(100-100L)及第一溶劑(諸如上文所論述之IPA或下文論述之N-丙醇、1-甲氧基-2-丙醇、二丙二醇、1-辛醇(或更一般為N-辛醇)，或二乙二醇)；如實(shí)施例2中，二極體(100-100L)的液體懸浮液包含復(fù)數(shù)個(gè)二極體(100-100L)及黏度調(diào)節(jié)劑(諸如下文所論述的黏度調(diào)節(jié)劑，其亦可為如實(shí)施例6中之黏著黏度調(diào)節(jié)劑);且如實(shí)施例3及4中，二極體(100-100L)的液體懸浮液包含復(fù)數(shù)個(gè)二極體(100-100L)及溶劑化劑或濕潤溶劑(諸如下文所論述的第二溶劑中之一者，例如二元酯)。更特定而言，諸如在實(shí)施例2、5、6、7及8中，二極體(100-100L)的液體懸浮液包含復(fù)數(shù)個(gè)二極體(100-100L)(及/或復(fù)數(shù)個(gè)二極體(100-100L)及第一溶劑(諸如N-丙醇、1-辛醇、1-甲氧基-2-丙醇、二丙二醇、松香醇或二乙二醇))，以及黏度調(diào)節(jié)劑(或等效地為黏性化合物、黏性劑、黏性聚合物、黏性樹脂、黏性黏合劑、增稠劑及/或流變改質(zhì)劑)或黏著黏度調(diào)節(jié)劑(下文更詳細(xì)論述)，以例如(但不限于)使二極體墨水在室溫(約25°C)下的黏度為約1,000厘泊(cps)至25，OOOcps(或在冷藏溫度(例如5°C至10°C)下的黏度為約20，OOOcps至60，OOOcps)，諸如下文所述之E-1O黏度調(diào)節(jié)劑。視黏度而定，所得組成物可等效地稱作二極體或其他二端積體電路液體懸浮液或膠體懸浮液，且本文中任何對(duì)液體或膠體之提及應(yīng)理解為意謂且包括另一者。[0306]另外，二極體墨水之所得黏度一般將視欲使用之印刷制程之類型而變化且亦可視二極體組成(諸如硅基板105或GaN基板105)而變化。舉例而言，二極體100-100L具有硅基板105之用于網(wǎng)版印刷的二極體墨水在室溫下可具有約1，000厘泊(cps)至25，OOOcps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約6，000厘泊(cps)至15，OOOcps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約6，000厘泊(cps)至15，OOOcps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約8，000厘泊(cps)至12，OOOcps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約9,000厘泊(cps)至11，OOOcps的黏度。另外舉例而言，二極體100-100L具有GaN基板105之用于網(wǎng)版印刷的二極體墨水在室溫下可具有約10,000厘泊(cps)至25，OOOcps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約15,000厘泊(cps)至22，OOOcps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約17，500厘泊(cps)至20，500cps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約18，000厘泊(cps)至20，OOOcps的黏度。亦舉例而言，二極體100-100L具有硅基板105之用于快干印刷的二極體墨水在室溫下可具有約1，000厘泊(cps)至10，OOOcps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約1，500厘泊(cps)至4，OOOcps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約1，700厘泊(cps)至3，OOOcps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約1，800厘泊(cps)至2，200cps的黏度。亦舉例而言，二極體100-100L具有GaN基板105之用于快干印刷的二極體墨水在室溫下可具有約1，000厘泊(cps)至10，OOOcps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約2，000厘泊(cps)至6，OOOcps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約2，500厘泊(cps)至4，500cps的黏度，或在室溫下可更尤其具有約2，000厘泊(cps)至4，OOOcps的黏度。[0307]可以多種方式量測黏度。出于比較之目的，本文所說明及/或主張之各種黏度范圍皆使用布氏黏度計(jì)(Brookfieldviscometer)(可獲自BrookfieldEngineeringLaboratories,MiddleboroMassachusetts,USA)以約200帕(或更一般為190帕至210帕)之剪應(yīng)力，于水夾套中于約25°C下，使用轉(zhuǎn)軸SC4-27以約IOrpm(或更一般為Irpm至30rpm,尤其對(duì)于例如(但不限于)冷藏流體而言)之速度來量測。[0308]可使用一或多種增稠劑(作為黏度調(diào)節(jié)劑)，例如(但不限于):黏土，諸如鋰膨潤石黏土、膨潤土黏土、有機(jī)改質(zhì)黏土；醣及多醣，諸如瓜爾膠、三仙膠；纖維素及改質(zhì)纖維素，諸如羥甲基纖維素、甲基纖維素、乙基纖維素、丙基甲基纖維素、甲氧基纖維素、甲氧基甲基纖維素、甲氧基丙基甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、乙基羥乙基纖維素、纖維素醚、纖維素乙醚、聚葡萄胺糖；聚合物，諸如丙烯酸酯及(甲基)丙烯酸酯聚合物及共聚物；二醇，諸如乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二醇醚、二醇醚乙酸酯；煙霧狀二氧化硅(諸如Cabosil)、二氧化硅粉；以及改質(zhì)尿素，諸如BYK@420(可自BYKChemieGmbH獲得);及其混合物?？墒褂闷渌ざ日{(diào)節(jié)劑，以及添加粒子以控制黏度，如Lewis等人之專利申請(qǐng)公開案第US2003/0091647號(hào)中所述。亦可使用下文參考介電墨水所論述之其他黏度調(diào)節(jié)劑，包括(不限于)聚乙烯吡咯啶酮、聚乙二醇、聚乙酸乙烯酯(PVA)、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚氧化乙烯、聚乙烯醇縮丁醛(PVB);二乙二醇、丙二醇、2-乙基唑啉。[0309]參考二極體墨水實(shí)施例6，二極體(100-100L)的液體懸浮液可進(jìn)一步包含黏著黏度調(diào)節(jié)劑，即具有另外黏著特性之任何上述黏度調(diào)節(jié)劑。該黏著黏度調(diào)節(jié)劑在制造(例如印刷)裝置(300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770)期間使二極體(100-100L)黏著至第一導(dǎo)體(例如310A)或黏著至基底305、305A，接著進(jìn)一步提供將二極體(100-100L)固持于裝置(300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770)中之適當(dāng)位置上的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)(例如聚合物)(當(dāng)干燥或固化時(shí))。在提供該黏著的同時(shí)，該黏度調(diào)節(jié)劑亦應(yīng)具有某種使二極體(100-100L)的接點(diǎn)(諸如端子125及/或127)抗?jié)駶櫟哪芰?。該等黏著、黏度以及抗?jié)駶櫶匦詾樵诟鱾€(gè)例示性具體實(shí)例中使用甲基纖維素、甲氧基丙基甲基纖維素或羥丙基甲基纖維素樹脂的原因之一。亦可憑經(jīng)驗(yàn)選擇其他適合的黏度調(diào)節(jié)劑。[0310]黏度調(diào)節(jié)劑或黏著黏度調(diào)節(jié)劑的其他特性亦適用且處于本發(fā)明范疇內(nèi)。首先，該黏度調(diào)節(jié)劑應(yīng)防止懸浮的二極體(100-100L)在所選溫度下沈淀出來。其次，該黏度調(diào)節(jié)劑應(yīng)有助于在制造裝置(300、30(^、30(?、300(:、3000、700、70(^、70(?、720、730、740、750、760、770)期間以均一方式定向二極體(100-100L)及印刷二極體(100-100L)。第三，在一些具體實(shí)例中，黏度調(diào)節(jié)劑亦應(yīng)用以在印刷制程期間緩沖或以其他方式保護(hù)二極體(100-100L)，而在其他具體實(shí)例中，另外添加惰性粒子(諸如玻璃珠粒)用以在印刷制程期間保護(hù)二極體100-100L(下文所論述的二極體墨水實(shí)施例17-19)。[0311]參考二極體墨水實(shí)施例3、4及8，二極體(100-100L)的液體懸浮液可進(jìn)一步包含第二溶劑(實(shí)施例8)或溶劑化劑(實(shí)施例3)或濕潤溶劑(實(shí)施例4)，其中多個(gè)實(shí)施例更詳細(xì)論述于下文中。在后續(xù)器件制造期間在印刷二極體墨水且二極體墨水干燥之后，選擇該(第一或第二)溶劑作為濕潤劑(等效地為溶劑化劑)或再濕潤劑以有助于第一導(dǎo)體(例如310A，其可包含導(dǎo)電聚合物，諸如銀墨水、碳墨水或銀墨水與碳墨水的混合物)與二極體100-100L(經(jīng)由基板105、貫穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)(131、133、134)及/或第二側(cè)(背面)金屬層122，如圖83中所說明)之間的歐姆接觸，諸如非極性樹脂溶劑，包括亦例如(但不限于)一或多種二元酯。舉例而言，當(dāng)在第一導(dǎo)體310上印刷二極體墨水時(shí)，濕潤劑或溶劑化劑部分溶解第一導(dǎo)體310;隨著濕潤劑或溶劑化劑隨后消散，第一導(dǎo)體310再硬化且與二極體(100-100L)形成接觸。[0312]二極體(100-100L)液體或膠體懸浮液之其余部分一般為另一第三溶劑，諸如去離子水，且本文對(duì)百分比之任何描述可假定二極體(100-100L)液體或膠體懸浮液之其余部分為該第三溶劑(諸如水)，且所有所述之百分比皆以重量計(jì)而非以體積或某種其他量度計(jì)。亦應(yīng)注意，各種二極體墨水懸浮液皆可在典型大氣環(huán)境中混合，而無需任何特定之空氣組成或其他所含或過濾之環(huán)境。[0313]亦可基于溶劑之極性選擇溶劑。在一例示性具體實(shí)例中，第一溶劑(諸如醇)可選為極性或親水性溶劑以有助于在制造裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770期間二極體(100-100L)及其他導(dǎo)體(例如310)抗?jié)駶?，同時(shí)伴隨能夠溶于黏度調(diào)節(jié)劑中或溶解黏度調(diào)節(jié)劑。[0314]例示性二極體墨水的另一適用特性由實(shí)施例7說明。對(duì)于此例示性具體實(shí)例，二極體墨水在印刷期間在濕潤時(shí)可為不透明的，以有助于各種印刷制程，諸如對(duì)齊。然而，當(dāng)干燥或固化時(shí)，干燥或固化的二極體墨水在所選波長下具實(shí)質(zhì)上光學(xué)透射性或另外為透明的，諸如以實(shí)質(zhì)上不干擾由二極體(100-100L)產(chǎn)生之可見光發(fā)射。然而，在其他例示性具體實(shí)例中，二極體墨水亦可具實(shí)質(zhì)上光學(xué)透射性或?yàn)橥该鞯摹0315]另一特性化例示性二極體墨水之方式基于二極體(100-100L)之尺寸，如實(shí)施例9所說明，其中二極體100-100L的任何尺寸一般小于約450微米，且其任何尺寸更尤其小于約200微米，且其任何尺寸更尤其小于約100微米，且其任何尺寸更尤其小于50微米，且其任何尺寸更尤其小于30微米。在所說明的例示性具體實(shí)例中，二極體100-100L的寬度一般大致為約10微米至50微米，或?qū)挾雀绕錇榧s20微米至30微米，且高度為約5微米至25微米，或直徑為約25微米至28微米(側(cè)面對(duì)側(cè)面而非頂點(diǎn)對(duì)頂點(diǎn)量測)，且高度為8微米至15微米或高度為9微米至12微米。在一些例示性具體實(shí)例中，二極體100-100L不包括形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B在內(nèi)的高度(亦即，包括GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的側(cè)面121的高度)大致為約5微米至15微米，或更尤其為7微米至12微米，或更尤其為8微米至11微米，或更尤其為9微米至10微米，或更尤其小于10微米至30微米，而形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B的高度一般大致為約3微米至7微米。[0316]在其他例示性具體實(shí)例中，二極體(例如100L)不包括形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B及背面金屬122在內(nèi)的高度(亦即，包括GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的側(cè)面121的高度)大致為約小于約10微米，或更尤其小于約8微米，或更尤其為約2微米至6微米，或更尤其為約3微米至5微米，或更尤其為約4.5微米，而形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B的高度一般大致為約3微米至7微米，或更尤其大致為約5微米至7微米，而二極體100L之總高度大致為約小于約15微米，或更尤其小于約12微米，或更尤其為約9微米至11微米，或更尤其為約10微米至11微米，或更尤其為約10.5微米。[0317]在其他例示性具體實(shí)例中，二極體(例如100K)不包括形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B及背面金屬122在內(nèi)的高度(亦即，包括GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的側(cè)面121的高度)大致為約小于約10微米，或更尤其小于約8微米，或更尤其為約2微米至6微米，或更尤其為約2微米至4微米，或更尤其為約3.0微米，而形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B及背面金屬122的高度一般大致為約3微米至7微米，或更尤其大致為約4微米至6微米，或更尤其為約5微米，而二極體100K之總高度大致為約小于約15微米，或更尤其小于約14微米，或更尤其為約12微米至14微米，或更尤其為約13微米。在其他例示性具體實(shí)例中，在不包括形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的背面金屬122的高度但包括金屬層120B的高度下二極體100K的高度大致為約5微米至10微米。[0318]二極體墨水亦可由其電學(xué)特性特性化，如實(shí)施例10中所說明。在此例示性具體實(shí)例中，二極體(100-100L)懸浮于至少一種實(shí)質(zhì)上非絕緣的載劑或溶劑中，與例如絕緣黏合劑形成對(duì)比。[0319]二極體墨水亦可由其表面特性特性化，如實(shí)施例11中所說明。在此例示性具體實(shí)例中，二極體墨水之抗?jié)駶櫥蚪佑|角大于25度，或大于40度，視例如用于量測的基板的表面能(諸如34達(dá)因至42達(dá)因)而定。[0320]二極體墨水實(shí)施例12:[0321]包含以下的組成物:[0322]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L；[0323]第一溶劑，其包含約5%至50%之N-丙醇、松香醇或二乙二醇、乙醇、四氫糠醇及/或環(huán)己醇，或其混合物；[0324]黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約0.75%至5.0%之甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂，或其混合物；[0325]第二溶劑(或再濕潤劑)，其包含約0.5%至10%之非極性樹脂溶劑，諸如二元酯；及[0326]其余部分包含第三溶劑，諸如水。[0327]二極體墨水實(shí)施例13:[0328]包含以下的組成物:[0329]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L；[0330]第一溶劑，其包含約15%至40%之N-丙醇、松香醇或二乙二醇、乙醇、四氫糠醇及/或環(huán)己醇，或其混合物；[0331]黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約1.25%至2.5%之甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂，或其混合物；[0332]第二溶劑(或再濕潤劑)，其包含約0.5%至10%之非極性樹脂溶劑，諸如二元酯；及[0333]其余部分包含第三溶劑，諸如水。[0334]二極體墨水實(shí)施例14:[0335]包含以下的組成物:[0336]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L；[0337]第一溶劑，其包含約17.5%至22.5%之N-丙醇、松香醇或二乙二醇、乙醇、四氫糠醇及/或環(huán)己醇，或其混合物；[0338]黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約1.5%至2.25%之甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂，或其混合物；[0339]第二溶劑(或再濕潤劑)，其包含約0.0%至6.0%之至少一種二元酯；及[0340]其余部分包含第三溶劑，諸如水，其中該組成物在25°C下的黏度實(shí)質(zhì)上為約5,OOOcps至約20,OOOcps。[0341]二極體墨水實(shí)施例15:[0342]包含以下的組成物:[0343]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L；[0344]第一溶劑，其包含約20%至40%之N-丙醇、松香醇或二乙二醇、乙醇、四氫糠醇及/或環(huán)己醇，或其混合物；[0345]黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約1.25%至1.75%之甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂，或其混合物；[0346]第二溶劑(或再濕潤劑)，其包含約0%至6.0%之至少一種二元酯；及[0347]其余部分包含第三溶劑，諸如水，其中該組成物在25°C下的黏度實(shí)質(zhì)上為約I,OOOcps至約5,OOOcps。[0348]二極體墨水實(shí)施例16:[0349]包含以下的組成物:[0350]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L，其直徑(寬度及/或長度)為約10微米至50微米且高度為5微米至25微米；[0351]溶劑；及[0352]黏度調(diào)節(jié)劑。[0353]二極體墨水實(shí)施例17:[0354]包含以下的組成物:[0355]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L；[0356]溶劑；[0357]黏度調(diào)節(jié)劑；及[0358]至少一種機(jī)械穩(wěn)定劑或間隔劑。[0359]二極體墨水實(shí)施例18:[0360]包含以下的組成物:[0361]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L，其直徑(寬度及/或長度)為約10微米至50微米且高度為5微米至25微米；[0362]溶劑；[0363]黏度調(diào)節(jié)劑；及[0364]復(fù)數(shù)個(gè)惰性粒子，其尺寸范圍為約10微米至50微米。[0365]二極體墨水實(shí)施例19:[0366]包含以下的組成物:[0367]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L，其直徑(寬度及/或長度)為約20微米至30微米且高度為約9微米至15微米；[0368]溶劑；[0369]黏度調(diào)節(jié)劑；及[0370]復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明且化學(xué)惰性的粒子，其尺寸范圍為約15微米至約25微米。[0371]二極體墨水實(shí)施例20:[0372]包含以下的組成物:[0373]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L，其直徑(寬度及/或長度)為約10微米至50微米且高度為5微米至25微米；[0374]第一溶劑，其包含醇；[0375]第二溶劑，其包含二醇；[0376]黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約0.10%至2.5%之甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂，或其混合物；及[0377]復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明且化學(xué)惰性的粒子，其尺寸范圍為約10微米至約50微米。[0378]二極體墨水實(shí)施例21:[0379]包含以下的組成物:[0380]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L，其直徑(寬度及/或長度)為約10微米至50微米且高度為5微米至25微米；[0381]至少第一溶劑與不同于第一溶劑的第二溶劑的混合物，其包含約15%至99.99%之至少兩種選自由以下組成的群之溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；及[0382]黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約0.10%至2.5%之甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂，或其混合物。[0383]二極體墨水實(shí)施例22:[0384]包含以下的組成物:[0385]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L，其直徑(寬度及/或長度)為約10微米至50微米且高度為5微米至25微米；[0386]至少第一溶劑與不同于第一溶劑的第二溶劑的混合物，其包含約15%至99.99%之至少兩種選自由以下組成的群之溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；[0387]黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約0.10%至2.5%之甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂，或其混合物；[0388]約0.01%至2.5%的復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明且化學(xué)惰性的粒子，其尺寸范圍為約10微米至約50微米。[0389]二極體墨水實(shí)施例23:[0390]包含以下的組成物:[0391]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L，其直徑(寬度及/或長度)為約10微米至50微米且高度為5微米至25微米；[0392]至少第一溶劑與不同于第一溶劑的第二溶劑的混合物，其包含約15%至50.0%之至少兩種選自由以下組成的群之溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；[0393]黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約1.0%至2.5%之甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂，或其混合物；[0394]約0.01%至2.5%的復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明且化學(xué)惰性的粒子，其尺寸范圍為約10微米至約50微米；及[0395]其余部分包含第三溶劑，諸如水。[0396]二極體墨水實(shí)施例24:[0397]包含以下的組成物:[0398]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L，其直徑(寬度及/或長度)為約10微米至50微米且高度為5微米至25微米；[0399]第一溶劑，其包含約15%至40%之選自由以下組成的群的溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；[0400]第二溶劑，其不同于第一溶劑且包含約2%至10%之選自由以下組成的群的溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；[0401]第三溶劑，其不同于第一溶劑及第二溶劑且包含約0.01%至2.5%之選自由以下組成的群的溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；[0402]黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約1.0%至2.5%之甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂，或其混合物；及[0403]其余部分包含第三溶劑，諸如水。[0404]二極體墨水實(shí)施例25:[0405]包含以下的組成物:[0406]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L，其直徑(寬度及/或長度)為約10微米至50微米且高度為5微米至25微米；[0407]第一溶劑，其包含約15%至30%之選自由以下組成的群的溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；[0408]第二溶劑，其不同于第一溶劑且包含約3%至8%之選自由以下組成的群的溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；[0409]第三溶劑，其不同于第一溶劑及第二溶劑且包含約0.01%至2.5%之選自由以下組成的群的溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；[0410]黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約1.25%至2.5%之甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂，或其混合物；[0411]約0.01%至2.5%的復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明且化學(xué)惰性的粒子，其尺寸范圍為約10微米至約50微米；及[0412]其余部分包含第三溶劑，諸如水。[0413]二極體墨水實(shí)施例26:[0414]包含以下的組成物:[0415]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L，其直徑(寬度及/或長度)為約10微米至50微米且高度為5微米至25微米；[0416]第一溶劑，其包含約40%至60%之選自由以下組成的群的溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；[0417]第二溶劑，其不同于第一溶劑且包含約40%至60%之選自由以下組成的群的溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物'及[0418]黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約0.10%至1.25%之甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂，或其混合物。[0419]二極體墨水實(shí)施例27:[0420]包含以下的組成物:[0421]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L，其直徑(寬度及/或長度)為約10微米至50微米且高度為5微米至25微米；[0422]第一溶劑，其包含約40%至60%之選自由以下組成的群的溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；[0423]第二溶劑，其不同于第一溶劑且包含約40%至60%之選自由以下組成的群的溶劑:N-丙醇、異丙醇、二丙二醇、二乙二醇、丙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-辛醇、乙醇、四氫糠醇、環(huán)己醇及其混合物；[0424]黏度調(diào)節(jié)劑，其包含約0.10%至1.25%之甲氧基丙基甲基纖維素樹脂或羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂，或其混合物'及[0425]約0.01%至2.5%的復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上光學(xué)透明且化學(xué)惰性的粒子，其尺寸范圍為約10微米至50微米。[0426]參考二極體墨水實(shí)施例12-27，在一例示性具體實(shí)例中，作為第一溶劑之另一醇，即N-丙醇(「NPA」)(及/或N-辛醇(例如1-辛醇(或各種二級(jí)或三級(jí)辛醇異構(gòu)體中之任一者)、1_甲氧基-2-丙醇、松香醇、二乙二醇、二丙二醇、四氫糠醇或環(huán)己醇)替換實(shí)質(zhì)上全部或大部分IPA。在二極體100-100L—般或大部分沈淀于容器底部的情況下，移出IPA，添加NPA，在室溫下攪拌或混合IPA、NPA及二極體100-100L的混合物，繼而再次使二極體100-100L沈淀至容器底部，且移出一部分IPA與NPA的混合物，且再添加NPA(約120ml至140ml)。一般重復(fù)此添加NPA及移出IPA與NPA的混合物的制程兩次，產(chǎn)生主要含NPA、二極體100-100L、痕量或少量IPA以及可能一般亦以痕量或少量殘留的晶圓黏著劑及晶圓黏著劑溶劑170的混合物。在一例示性具體實(shí)例中，殘留之IPA之殘留或痕量少于約1%，且更一般為約0.4%。亦在一例示性具體實(shí)例中，例示性二極體墨水中可能存在之NPA之最終百分比為約0.5%至50%，或更尤其為約1.0%至10%，或更尤其為約3%至7%，或在其他具體實(shí)例中，更尤其為約15%至40%，或更尤其為約17.5%至22.5%，或更尤其為約25%至約35%，視欲使用之印刷類型而定。當(dāng)連同NPA—起或替代NPA使用松香醇及/或二乙二醇時(shí)，松香醇之典型濃度為約0.5%至2.0%，且二乙二醇之典型濃度為約15%至25%。亦可以約25微米或25微米以下過濾IPA、NPA、再濕潤劑、去離子水(及用于形成例示性二極體墨水之其他化合物及混合物)，以移除比二極體100-100L大或與二極體100-100L處于相同尺寸等級(jí)的粒子污染物。[0427]接著將實(shí)質(zhì)上NPA或另一第一溶劑與二極體100-100L的混合物添加至黏度調(diào)節(jié)劑中且與其一起混合或短暫攪拌，該黏度調(diào)節(jié)劑例如甲氧基丙基甲基纖維素樹脂、羥丙基甲基纖維素樹脂或其他纖維素或甲基纖維素樹脂。在一例示性具體實(shí)例中，使用E-3及E-1O甲基纖維素樹脂(可自TheDowChemical公司(www.dow.com)及HerculesChemicalCompany公司(www.herchem.com)獲得)，以使得在例示性二極體墨水中之最終百分比為約0.10%至5.0%，或更尤其為約0.2%至1.25%，或更尤其為約0.3%至0.7%，或更尤其為約0.4%至0.6%，或更尤其為約1.25%至2.5%，或更尤其為1.5%至2.0%，或更尤其小于或等于2.0%。在一例示性具體實(shí)例中，使用約3.0%之E-1O調(diào)配物且用去離子且過濾之水稀釋以達(dá)成于完成組成物中之最終百分比。可等效地使用其他黏度調(diào)節(jié)劑，包括上文所論述的黏度調(diào)節(jié)劑及下文參考介電墨水所論述的黏度調(diào)節(jié)劑。黏度調(diào)節(jié)劑為二極體100-100L提供充足黏度以使其尤其在冷藏下實(shí)質(zhì)上分散且維持懸浮而不自液體或膠體懸浮液中沈淀出來。[0428]如上所述，接著可添加第二溶劑(或?qū)τ趯?shí)施例3及4，添加第一溶劑)，其一般為非極性樹脂溶劑，諸如一或多種二元酯。在一例示性具體實(shí)例中，使用兩種二元酯的混合物以達(dá)到約0.0%至約10%，或更尤其約0.5%至約6.0%，或更尤其約1.0%至約5.0%，或更尤其約2.0%至約4.0%，或更尤其約2.5%至約3.5%之最終百分比，諸如戊二酸二甲酯或諸如約三分之二(2/3)戊二酸二甲酯與約三分之一(1/3)丁二酸二甲酯的混合物，最終百分比為約3.73%，例如分別使用DBE-5或DBE-9(可自InvistaUSA,Wilmington,Delaware,USA獲得)，其亦具有痕量或少量雜質(zhì)，諸如約0.2%之己二酸二甲酯及0.04%水?？赡苄枰虮匾獣r(shí)，亦添加第三溶劑(諸如去離子水)以調(diào)節(jié)相對(duì)百分比且降低黏度。除二元酯之外，可等效使用之其他第二溶劑亦包括例如(但不限于)水；醇，諸如甲醇、乙醇、N-丙醇(包括1-丙醇、2-丙醇(異丙醇)、1-甲氧基-2-丙醇)、異丁醇、丁醇(包括1-丁醇、2-丁醇)、戊醇(包括1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇)、N-辛醇(包括1-辛醇、2-辛醇、3-辛醇)、四氫糠醇、環(huán)己醇；醚，諸如甲基乙基醚、乙醚、乙基丙基醚及聚醚；酯，諸如乙酸乙酯、己二酸二甲酯、丙二醇單甲醚乙酸酯(及如上所述之戊二酸二甲酯及丁二酸二甲酯)；二醇，諸如乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二醇醚、二醇醚乙酸酯；碳酸酯，諸如碳酸伸丙酯；甘油類，諸如甘油；乙腈、四氫呋喃(THF)、二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基甲酰胺(NMF)、二甲亞砜(DMSO)；及其混合物。在一例示性具體實(shí)例中，第一溶劑的量與第二溶劑的量的莫耳比處于至少約2:1之范圍內(nèi)，且更尤其處于至少約5:1范圍內(nèi)，且更尤其處于至少約12:1或12:1以上之范圍內(nèi)；在其他情況下，兩種溶劑之功能可組合于單一試劑中，在一例示性具體實(shí)例中，使用一種極性或非極性溶劑。亦除上文所論述之二元酯之外，例如(但不限于)例示性溶解劑、濕潤劑或溶劑化劑亦如下文所提及包括丙二醇單甲醚乙酸酯(C6H12O3)(由Eastman以名稱「PM乙酸酯(PMAcetate)」出售)，其與1-丙醇(或異丙醇)以約1:8莫耳比(或22:78重量t匕)使用以形成懸浮介質(zhì)；以及多種二元酯，及其混合物，諸如丁二酸二甲酯、己二酸二甲酯及戊二酸二甲酯(其不同混合物可自Invista以產(chǎn)品名稱DBE、DBE-2、DBE-3、DBE-4、DBE-5、DBE-6、DBE-9及DBE-1B獲得)。在一例示性具體實(shí)例中，使用DBE-9。溶劑之莫耳比將基于所選溶劑而變化，其中1:8及1:12為典型比率。[0429]參考二極體墨水實(shí)施例17_20、22、25及27，包括一或多種機(jī)械穩(wěn)定劑或間隔劑，諸如化學(xué)惰性粒子及/或光學(xué)透明的粒子，諸如通常包含例如(但不限于)硅酸鹽或硼硅酸鹽玻璃之玻璃珠粒。在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，使用約0.01%重量至2.5%重量，或更尤其約0.05%重量至1.0%重量，或更尤其約0.1%重量至0.3%重量之玻璃球，其平均尺寸或尺寸范圍為約10微米至30微米，或更尤其為約12微米至28微米，或更尤其為約15微米至25微米。此等粒子在印刷制程期間提供機(jī)械穩(wěn)定性及/或間隔，諸如在將印刷薄板饋送至印刷機(jī)中時(shí)充當(dāng)薄板間隔物，因?yàn)槎O體100-100L最初僅經(jīng)由由干燥或固化的二極體墨水形成之比較薄之膜固持于適當(dāng)位置上(如圖89及90中所說明)。一般而言，惰性粒子之濃度足夠低以使得每單位面積(裝置面積，在沈積之后)惰性粒子之?dāng)?shù)目小于每單位面積二極體100-100L之密度。惰性粒子提供機(jī)械穩(wěn)定性及間隔，趨于防止二極體100-100L在沈積導(dǎo)電層(310)及/或介電層(315)時(shí)將印刷薄板送至印刷機(jī)中時(shí)印刷薄板彼此滑過時(shí)移位且丟失，類似于滾珠軸承提供穩(wěn)定性。在沈積導(dǎo)電層(310)及/或介電層(315)之后，二極體100-100L被有效地固持或鎖定于適當(dāng)位置上，移位之可能性顯著降低。惰性粒子亦被固持或鎖定于適當(dāng)位置上，但在完成之裝置300、700、720、730、740、750、760、770中不發(fā)揮其他功能且實(shí)際上具電學(xué)及化學(xué)惰性。在圖94中之橫截面中說明復(fù)數(shù)個(gè)惰性粒子292，且盡管未在其他圖中單獨(dú)說明，但可包括于任何其他所說明之裝置中。[0430]說明二極體墨水實(shí)施例20-27以提供有效用于制造各種裝置300、700、720、730、740、750、760、770具體實(shí)例的二極體墨水組成物之其他且更特定的實(shí)施例。具有纖維素或甲基纖維素樹脂(諸如羥丙基甲基纖維素樹脂)的二極體墨水實(shí)施例20及其他實(shí)施例亦可包括未各別提及之其他溶劑，例如(但不限于)水或1-甲氧基-2-丙醇。[0431]雖然一般按上文所述之次序混合各種二極體墨水，但亦應(yīng)注意可按其他次序?qū)⒏鞣N第一溶劑、黏度調(diào)節(jié)劑、第二溶劑及第三溶劑(諸如水)添加或混合在一起，任何及所有次序均處于本發(fā)明范疇內(nèi)。舉例而言，可首先添加去離子水(作為第三溶劑)，繼而添加1-丙醇及DBE-9，繼而添加黏度調(diào)節(jié)劑，接著可能需要時(shí)繼而再添加水以調(diào)節(jié)例如相對(duì)百分比及黏度。[0432]接著在室溫下于空氣氛圍中，諸如藉由使用葉輪混合器以比較低之速度(以避免將空氣并入混合物中)混合或攪拌實(shí)質(zhì)上第一溶劑(諸如NPA)、二極體100-1OOL、黏度調(diào)節(jié)齊U、第二溶劑及第三溶劑(若存在)(諸如水)的混合物約25分鐘至30分鐘。在一例示性具體實(shí)例中，二極體墨水之所得體積通常大致為約二分之一公升至一公升(每晶圓)含有900萬至1000萬個(gè)二極體100-100L，且可視需要向上或向下調(diào)節(jié)二極體100-100L之濃度，諸如視下文所述之所選印刷LED或光電器件所需之濃度而定，其例示性黏度范圍為上文對(duì)于不同類型之印刷及不同類型的二極體100-100L所述。第一溶劑(諸如NPA)亦趨于充當(dāng)防腐劑且抑制細(xì)菌及真菌生長以用于儲(chǔ)存所得二極體墨水。在欲使用其他第一溶劑時(shí)，亦可添加各別防腐劑、抑制劑或殺真菌劑。對(duì)于一例示性具體實(shí)例，可使用用于印刷之其他界面活性劑或消泡劑作為可選方案，但并非為適當(dāng)起作用及例示性印刷所需。[0433]可根據(jù)裝置需要調(diào)節(jié)二極體100-100L之濃度。舉例而言，對(duì)于照明應(yīng)用，較低表面亮度燈每平方公分可使用約25個(gè)二極體100-100L，使用二極體100-100L之濃度為每毫升(cm3)約12，500個(gè)二極體的二極體墨水。對(duì)于另一例示性具體實(shí)例，一個(gè)晶圓150可含有約720萬個(gè)二極體100-100L以得到約570ml的二極體墨水。每毫升二極體墨水在印刷時(shí)可用于覆蓋約500平方公分，570ml二極體墨水覆蓋約28.8平方公尺。亦舉例而言，對(duì)于每平方公分使用約100個(gè)二極體100-100L之極高表面亮度燈，其需要每毫升(cm3)約50，000個(gè)二極體100-100L之濃度。[0434]圖75為說明制造二極體墨水的例示性方法具體實(shí)例的流程圖且提供適用概述。該方法開始(起始步驟200)，自晶圓150、150A釋放二極體100-100L(步驟205)。如上文所論述，此步驟涉及用晶圓黏結(jié)黏著劑使晶圓的第一側(cè)(二極體側(cè))黏著至晶圓固持器，使用雷射剝離、研磨及/或拋光及/或蝕刻晶圓的第二側(cè)(背面)以暴露單體化渠溝且視需要或視規(guī)定移除任何其他基板或GaN，且溶解晶圓黏結(jié)黏著劑以釋放二極體100-100L至溶劑(諸如IPA)或另一溶劑(諸如NPA)或本文所述的任何其他溶劑中。當(dāng)使用IPA時(shí)，該方法包括視情況選用的步驟210，將二極體100-100L轉(zhuǎn)移至(第一)溶劑(諸如NPA)中。該方法接著將于第一溶劑中的二極體100-100L添加至黏度調(diào)節(jié)劑(諸如甲基纖維素)中(步驟215)且添加一或多種第二溶劑，諸如一或兩種二元酯，諸如戊二酸二甲酯及/或丁二酸二甲酯(步驟220)?？墒褂玫谌軇?諸如去離子水)調(diào)節(jié)任何重量百分比(步驟225)。在步驟230中，該方法接著在室溫下(約25°C)于空氣氛圍中混合復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L、第一溶劑、黏度調(diào)節(jié)劑、第二溶劑(及復(fù)數(shù)個(gè)化學(xué)及電學(xué)惰性粒子，諸如玻璃珠粒)及任何其他去離子水約25至30分鐘，所得黏度為約1，OOOcps至約25，OOOcps。接著該方法可結(jié)束，返回步驟235。亦應(yīng)注意，如上文所述，步驟215、220及225可按其他次序進(jìn)行，且需要時(shí)可重復(fù)，且亦可使用視情況選用的其他混合步驟。[0435]圖76為例示性裝置300具體實(shí)例的透視圖。圖77為說明例示性裝置具體實(shí)例之第一導(dǎo)電層的例示性電極結(jié)構(gòu)的平面圖(或俯視圖)。圖78為例示性裝置300具體實(shí)例的第一橫截面圖(穿過圖76之30-30’平面)。圖79為例示性裝置300具體實(shí)例的第二橫截面圖(穿過圖76之31-31’平面)。圖80為例示性第二裝置700具體實(shí)例的透視圖。圖81為例示性第二裝置700具體實(shí)例的第一橫截面圖(穿過圖80之88-88’平面)。圖82為例示性第二裝置700具體實(shí)例的第二橫截面圖(穿過圖80之87-87’平面)。圖83為耦接至第一導(dǎo)體310A的例示性二極體100J、100K、100D及IOOE的第二橫截面圖。圖87為自兩側(cè)發(fā)光的例示性第三裝置300C具體實(shí)例的橫截面圖。圖88為自兩側(cè)發(fā)光的例示性第四裝置300D具體實(shí)例的橫截面圖。圖89為例示性第一裝置具體實(shí)例之更詳細(xì)部分橫截面圖。圖90為例示性第二裝置具體實(shí)例之更詳細(xì)部分橫截面圖。圖91為例示性第五裝置720具體實(shí)例的透視圖。圖92為例示性第五裝置720具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖91之57-57’平面)。圖93為例示性第六裝置730具體實(shí)例的透視圖。圖94為例示性第六裝置730具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖93之58-58’平面)。圖95為例示性第七裝置740具體實(shí)例的透視圖。圖96為例示性第七裝置740具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖95之59-59’平面)。圖97為例示性第八裝置750具體實(shí)例的透視圖。圖98為例示性第八裝置750具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖97之61-61’平面)。圖99為說明例示性裝置具體實(shí)例之第一導(dǎo)電層的例示性第二電極結(jié)構(gòu)的平面圖(或俯視圖)。圖101為通常用于圖100中所說明之系統(tǒng)800、810具體實(shí)例的例示性第九及第十裝置760、770具體實(shí)例的平面圖(或俯視圖)。圖102為例示性第九裝置760具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖101之63-63’平面)。圖103為例示性第十裝置770具體實(shí)例的橫截面圖(穿過圖101之63-63’平面)。圖109為發(fā)光之通電例示性裝置300A具體實(shí)例之照片。[0436]參考圖76-79，在裝置300中，于基底305上第一側(cè)上沈積一或多個(gè)第一導(dǎo)體310，繼而沈積復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K(使第二端子127耦接至導(dǎo)體310)、介電層315、第二導(dǎo)體320(一般為耦接至第一端子之透明導(dǎo)體)，視情況繼而沈積穩(wěn)定化層335、發(fā)光(或發(fā)射)層325及保護(hù)層或涂層330。在此裝置300具體實(shí)例中，若使用光學(xué)不透明之基底305及第一導(dǎo)體310，則光主要穿過裝置300之頂部第一側(cè)發(fā)射或吸收，且若使用光學(xué)透射性基底305及第一導(dǎo)體310，則光自裝置300之兩側(cè)發(fā)射或吸收或發(fā)射或吸收至裝置300之兩側(cè)(尤其若用AC電壓通電以使具有第一或第二定向的二極體100-100K通電)。[0437]參考圖80-83，在裝置700中，于具光學(xué)透射性且因此在本文中稱作基底305A之基底305的第一側(cè)上沈積復(fù)數(shù)個(gè)二極體100L，繼而沈積一或多個(gè)第一導(dǎo)體310(使導(dǎo)體310耦接至第二端子127)、介電層315、第二導(dǎo)體320(耦接至第一端子)(其可能或可能不具光學(xué)透射性)，且視情況繼而沈積穩(wěn)定化層335及保護(hù)層或涂層330。在基底305的第一側(cè)上進(jìn)行任何沈積步驟之前或之后，視情況存在的發(fā)光(或發(fā)射)層325可連同任何其他保護(hù)層或涂層330—起涂覆至基底305的第二側(cè)。在此裝置700具體實(shí)例中，若使用一或多個(gè)光學(xué)不透明的第二導(dǎo)體320，則光主要在第二側(cè)上穿過裝置700之基底305A發(fā)射或吸收，且若使用一或多個(gè)光學(xué)透射性第二導(dǎo)體320，則光在裝置700之兩側(cè)上發(fā)射或吸收。[0438]各種裝置300、700、720、730、740、750、760、770具體實(shí)例可印刷為基于LED之照明之可撓性薄板或其他照明器具，例如，其可經(jīng)卷曲、折迭、扭曲、盤旋、修平、纏結(jié)、皺折及以其他方式成型為任何種類之各種形式及設(shè)計(jì)中之任一者，包括例如(但不限于)建筑形狀、其他藝術(shù)或想象設(shè)計(jì)之折迭及皺折折紙手工形狀、愛迪生(Edison)燈泡形狀、螢光燈泡形狀、枝形吊燈形狀，其中一種該皺折及折迭之愛迪生燈泡形狀在圖100中說明為系統(tǒng)800、810。各種裝置300、700具體實(shí)例亦可以各種方式組合(諸如背對(duì)背)以使光自所得器件之兩側(cè)發(fā)射或吸收。舉例而言(但不加以限制)，兩個(gè)裝置300可在各別基板305的第二側(cè)上背對(duì)背組合以形成裝置300C具體實(shí)例，或裝置300可印刷于基板305之兩側(cè)上以形成裝置300D具體實(shí)例，裝置300C具體實(shí)例與裝置300D具體實(shí)例分別在圖87及88中以橫截面說明。亦舉例而言(但不加以限制)，未作單獨(dú)說明，兩個(gè)裝置700亦可背對(duì)背組合于非基板305(第一側(cè))上，亦自所得器件之兩側(cè)發(fā)光。[0439]參考圖91-92，在裝置720中，在基底305上第一側(cè)上沈積一或多層第一導(dǎo)體310，繼而沈積碳接點(diǎn)322A以耦接至導(dǎo)體310，繼而沈積復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K(使第二端子127耦接至導(dǎo)體310)、介電層315、亦沈積一或多層第二導(dǎo)體320(—般為耦接至第一端子之透明導(dǎo)體)，繼而沈積碳接點(diǎn)322B以耦接至導(dǎo)體320，視情況繼而沈積穩(wěn)定化層335、發(fā)光(或發(fā)射)層325及保護(hù)層或涂層330。在此裝置300具體實(shí)例中，光主要穿過裝置720之頂部第一側(cè)發(fā)射或吸收，且若使用光學(xué)透射性基底305及第一導(dǎo)體310，則光自裝置720之兩側(cè)發(fā)射或吸收或發(fā)射或吸收至裝置720之兩側(cè)(尤其若用AC電壓通電)。[0440]參考圖93-94，在裝置730中，在光學(xué)透射性基底305A上第一側(cè)上沈積一或多層實(shí)質(zhì)上光學(xué)透射性第一導(dǎo)體310，繼而沈積碳接點(diǎn)322A以耦接至導(dǎo)體310，繼而沈積復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K(使第二端子127耦接至導(dǎo)體310)連同復(fù)數(shù)個(gè)惰性粒子292、介電層315、亦沈積一或多層第二導(dǎo)體320(亦一般為耦接至第一端子之透明導(dǎo)體)，繼而沈積碳接點(diǎn)322B以耦接至導(dǎo)體320，視情況繼而沈積穩(wěn)定化層335、第一發(fā)光(或發(fā)射)層325及保護(hù)層或涂層330，繼而在基底305A的第二側(cè)上沈積第二發(fā)光(或發(fā)射)層325及保護(hù)層或涂層330。在此裝置730具體實(shí)例中，光穿過裝置730之頂部第一側(cè)及底部第二側(cè)兩者發(fā)射或吸收。另夕卜，使用第二發(fā)光(或發(fā)射)層325亦可使穿過第二側(cè)發(fā)射之光的波長移位(除使穿過第一側(cè)所發(fā)射之光之光譜移位的第一發(fā)光(或發(fā)射)層325之外)。[0441]參考圖95-96，在裝置740中，于具光學(xué)透射性且亦在本文中稱作基底305A之基底305的第一側(cè)上沈積復(fù)數(shù)個(gè)二極體100L，繼而沈積一或多層第一導(dǎo)體310(使導(dǎo)體310耦接至第二端子127)，繼而沈積碳接點(diǎn)322A以耦接至導(dǎo)體310，沈積介電層315，亦沈積一或多層第二導(dǎo)體320(耦接至第一端子)，繼而沈積碳接點(diǎn)322B以耦接至導(dǎo)體320，且視情況繼而沈積穩(wěn)定化層335及保護(hù)層或涂層330。在基底305的第一側(cè)上進(jìn)行任何沈積步驟之前或之后，視情況存在的發(fā)光(或發(fā)射)層325可連同任何其他保護(hù)層或涂層330—起涂覆至基底305的第二側(cè)。在此裝置740具體實(shí)例中，光主要在第二側(cè)上穿過裝置740之基底305A發(fā)射或吸收(亦經(jīng)第一發(fā)光(或發(fā)射)層325發(fā)生任何波長移位)，且若使用一或多個(gè)光學(xué)透射性第二導(dǎo)體320，則光在裝置740之兩側(cè)上發(fā)射或吸收。[0442]參考圖97-98，在裝置750中，于具光學(xué)透射性且亦在本文中稱作基底305A之基底305的第一側(cè)上沈積復(fù)數(shù)個(gè)二極體100L，繼而沈積一或多層第一導(dǎo)體310(使導(dǎo)體310耦接至第二端子127)，繼而沈積碳接點(diǎn)322A以耦接至導(dǎo)體310，沈積介電層315，亦沈積一或多層實(shí)質(zhì)上光學(xué)透射性第二導(dǎo)體320(耦接至第一端子)，繼而沈積碳接點(diǎn)322B以耦接至導(dǎo)體320，且視情況繼而沈積穩(wěn)定化層335、視情況存在之第一發(fā)光(或發(fā)射)層325及保護(hù)層或涂層330。在基底305的第一側(cè)上進(jìn)行任何沈積步驟之前或之后，視情況存在之第二發(fā)光(或發(fā)射)層325可連同任何其他保護(hù)層或涂層330—起涂覆至基底305A的第二側(cè)。在此裝置750具體實(shí)例中，光穿過裝置750之頂部第一側(cè)及底部第二側(cè)兩者發(fā)射或吸收，亦經(jīng)第一及第二發(fā)光(或發(fā)射)層325發(fā)生任何波長移位。[0443]下文將參考圖100-103更詳細(xì)描述裝置760及770，且其與其他所說明之裝置的不同之處在于使用亦通常沈積為一或多層之第三導(dǎo)體312。另外，亦說明裝置770使用下文更詳細(xì)論述之障壁層318。[0444]如上所述，裝置300、700、720、730、740、750、760、770藉由以下步驟形成:在基底305上(即對(duì)于裝置300、720、730、750而言)沈積(例如印刷)復(fù)數(shù)層，在基底305上沈積一或多個(gè)第一導(dǎo)體310，呈導(dǎo)體310層狀物或復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)體310形式，繼而在二極體100-100L處于液體或膠體懸浮液中時(shí)沈積二極體100-100L(達(dá)約18微米至20微米或20微米以上之濕膜厚度)(亦即二極體墨水)，且蒸發(fā)或以其他方式分散懸浮液的液體/膠體部分，而對(duì)于裝置700，740，750而言，在光學(xué)透射性基底305A的第一側(cè)上在二極體100-100L處于液體或膠體懸浮液中時(shí)沈積二極體100-100L(達(dá)約18微米至20微米或20微米以上之濕膜厚度)(亦即二極體墨水)且蒸發(fā)或以其他方式分散懸浮液的液體/膠體部分，繼而沈積一或多個(gè)第一導(dǎo)體310。[0445]隨著二極體100-100L液體或膠體懸浮液干燥或固化，二極體墨水之組分(尤其如上所述的黏度調(diào)節(jié)劑或黏著黏度調(diào)節(jié)劑)圍繞二極體100-100L形成比較薄之膜、涂層、網(wǎng)格或網(wǎng)孔，其有助于將二極體100-100L固持于基底305或第一導(dǎo)體310上的適當(dāng)位置上，其在圖89及90中說明為膜295，厚度通常大致為約50nm至約300nm(當(dāng)完全固化或干燥時(shí))，視所使用的黏度調(diào)節(jié)劑的濃度而定，諸如對(duì)于較低黏度調(diào)節(jié)劑濃度而言，厚度為約50至lOOnm，而對(duì)于較高黏度調(diào)節(jié)劑濃度而言，厚度為約200至300nm。所沈積之膜295可連續(xù)地圍繞二極體100-100L，如圖89中所說明，或可為間斷的，留有間隙且僅部分圍繞二極體100-100L，如圖90中所說明。雖然端子125、127通常涂布有二極體墨水膜295，但端子125、127—般存在足夠的表面粗糙度以使膜295不干擾與第一及第二導(dǎo)體310、320形成電連接。膜295通常包含固化或干燥形式的黏度調(diào)節(jié)劑，且可能亦包含少量或痕量之各種溶齊U，諸如第一或第二溶劑，如下文參考固化或干燥的二極體墨水具體實(shí)例所提及。亦如下文所更詳細(xì)論述，黏度調(diào)節(jié)劑亦可用于形成下文參考圖103所論述之障壁層318。[0446]對(duì)于裝置300，二極體100-100K物理且電耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體310A，且對(duì)于裝置700，二極體100K物理耦接至基底305，隨后耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體310，且在裝置300,700具體實(shí)例中，由于二極體100-100L在以任何定向懸浮于液體或膠體中時(shí)沈積，所以二極體100-100L可呈第一定向(第一端子125呈向上方向)、呈第二定向(第一端子125呈向下方向)或可能呈第三定向(第一端子125橫向)。另外，由于二極體100-100L在懸浮于液體或膠體中時(shí)沈積，所以二極體100-1OOL在裝置300、700內(nèi)一般相當(dāng)不規(guī)則地間隔。另夕卜，如上所述，在例示性具體實(shí)例中，二極體墨水可包括復(fù)數(shù)個(gè)化學(xué)惰性之通常具光學(xué)透射性的粒子，諸如玻璃珠粒，其尺寸范圍為約10微米至30微米，或更尤其為約12微米至28微米，或更尤其為約15微米至25微米。[0447]在第一向上定向或方向下，如圖83中所說明，第一端子125(二極體100-100J之形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B或二極體100K的金屬層122)向上定向，且二極體100-100K經(jīng)由第二端子127(其可為二極體100K的金屬層120B或如對(duì)于二極體100J所說明的背面金屬層122)，或經(jīng)由如對(duì)于二極體100D所說明之中心導(dǎo)孔131(在無二極體100J之視情況存在的背面金屬層122下具體化)，或經(jīng)由周邊導(dǎo)孔134(未作單獨(dú)說明)，或經(jīng)由如對(duì)于二極體100E所說明的基板105耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體310A。在第二向下定向或方向下，如圖78及79中所說明，第一端子125向下定向，且二極體100-100K經(jīng)由或可經(jīng)由第一端子125(例如二極體100-100J之形成凸塊或突出結(jié)構(gòu)的金屬層120B或二極體100K的金屬層122)稱接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體310A。[0448]對(duì)于二極體100L，二極體IOOL可以圖81及82中所說明之第一向上定向或方向定向，其中第一及第二端子125、127向上定向，且未單獨(dú)說明，二極體100L可以第二向下定向或方向定向，其中第一及第二端子125、127向下定向。對(duì)于該向下定向，應(yīng)注意，雖然第一端子125可與一或多個(gè)第一導(dǎo)體310電接觸,但第二端子127很可能處于介電層135內(nèi)且將不與第二導(dǎo)體320接觸，使得二極體100L在具有第二定向時(shí)電隔離且無功能，此在許多具體實(shí)例中可能合乎需要。[0449]就二極體100-100L在懸浮于液體或膠體中時(shí)在其之間間距不確定下且以任何360度定向沈積而言，預(yù)先不能準(zhǔn)確地以任何確定性知曉(例如最高品質(zhì)制造之平均值之4σ-6σ無缺陷率范圍內(nèi))任何特定二極體100-100L將落在基板305A或一或多個(gè)第一導(dǎo)體310上之何處及呈何種定向。實(shí)際上，二極體100-100L彼此之間的間距及二極體100-100L之定向(第一向上或第二向下)存在統(tǒng)計(jì)分布。可以很確定地說，在可能數(shù)百萬個(gè)沈積于基板305、305A薄板或一系列薄板上的二極體100-100L中，至少一個(gè)該種二極體100-100L將以第二定向豎立，因?yàn)槠湓诜稚⒓皯腋∮谝后w或膠體中時(shí)沈積。[0450]因此，二極體100-100L在裝置300、700、720、730、740、750、760、770中之分布及定向可以統(tǒng)計(jì)學(xué)方式描述。舉例而言，雖然在沈積之前可能不能準(zhǔn)確地知曉或不確定任何特定二極體100-100L將落于且適當(dāng)固持于基板305A或一或多個(gè)第一導(dǎo)體310上之何處且呈何種定向，但平均一定數(shù)目的二極體100-100L將以每單位面積某一二極體100-100L濃度，例如(但不限于)每平方公分25個(gè)二極體100-100L呈特定定向。[0451]因此，二極體100-100L可被認(rèn)為將或已以實(shí)際上隨機(jī)或偽隨機(jī)定向且以不規(guī)則間距沈積，且可以第一定向向上(第一端子125向上)，該第一定向通常為二極體100-100J之正向偏壓電壓及二極體100K之反向偏壓之方向(視施加電壓之極性而定)，或可以第二定向向下(第一端子125向下)，該第二定向通常為二極體100-100J之反向偏壓電壓及二極體100K之正向偏壓之方向(亦視施加電壓之極性而定)。同樣對(duì)于二極體100L而言，其可以第一定向向上(第一及第二端子125、127向上),該第一定向通常為二極體100L之正向偏壓電壓之方向，或可以第二定向向下(第一及第二端子125、127向下)，該第二定向通常為二極體100L之反向偏壓電壓之方向(亦視施加電壓之極性而定)，盡管如上所述且如下文所更詳細(xì)描述，呈第二定向的二極體100L通常不完全電耦接且不發(fā)揮功能。二極體100-100L亦有可能以第三定向(二極體側(cè)面121向下而另一二極體側(cè)面121向上)橫向沈積或豎立。[0452]二極體墨水之流體動(dòng)力學(xué)、黏度或流變學(xué)、網(wǎng)孔計(jì)數(shù)、網(wǎng)孔開口、網(wǎng)孔材料(網(wǎng)孔材料的表面能)、印刷速度、第一導(dǎo)體310之相間錯(cuò)雜或梳狀結(jié)構(gòu)之尖齒之定向(尖齒垂直于基底305通過印刷機(jī)移動(dòng)之方向)、上面沈積有二極體100-100L之基底305或第一導(dǎo)體310的表面能、二極體100-100L的形狀及尺寸、所印刷或沈積的二極體100-100L密度、二極體側(cè)面121的形狀、尺寸及/或厚度，以及在二極體墨水固化或干燥之前二極體100-100L液體或膠體懸浮液之音波處理或其他機(jī)械振動(dòng)似乎會(huì)影響一第一、第二或第三定向相較于另一第一、第二或第三定向之優(yōu)勢。舉例而言，二極體側(cè)面121的高度(或垂直厚度，垂直系關(guān)于第一或第二定向)小于約10微米，且高度更尤其小于約8微米，以使得二極體100-100L具有比較薄的側(cè)面或側(cè)緣，顯著降低具有第三定向的二極體100-100L之百分比。[0453]同樣，流體動(dòng)力學(xué)、較高黏度及較低篩孔計(jì)數(shù)以及上述其他因素對(duì)二極體100-100L之定向提供一定程度之控制，從而針對(duì)既定應(yīng)用調(diào)諧或調(diào)節(jié)呈第一或第二定向的二極體100-100L之百分比。舉例而言，可調(diào)節(jié)上文列舉之因素以提高第一定向之出現(xiàn)率，使得多達(dá)80%至90%或90%以上的二極體100-100L呈第一定向。亦舉例而言，可調(diào)節(jié)上文所列舉之因素以平衡第一定向與第二定向之出現(xiàn)率，使得二極體100-100L之第一定向與第二定向大致或?qū)嵸|(zhì)上平均分配，例如40%至60%的二極體100-100L呈第一定向且60%至40%的二極體100-100L呈第二定向。[0454]應(yīng)注意，即使顯著較高百分比之耦接至第一導(dǎo)體310A或基底305的二極體100-100L呈第一向上定向或方向，但在統(tǒng)計(jì)學(xué)上仍很有可能至少一或多個(gè)二極體100-100L將具有第二向下定向或方向，且在統(tǒng)計(jì)學(xué)上，二極體100-100L亦將展現(xiàn)不規(guī)則間距，其中一些二極體100-100J間距相對(duì)較近，而至少一些二極體100-100J間距遠(yuǎn)得多。[0455]換言之，視施加電壓之極性而定，雖然顯著較高百分比的二極體100-100L會(huì)或?qū)?huì)以第一正向偏壓定向或方向耦接，但在統(tǒng)計(jì)學(xué)上，至少一或多個(gè)二極體100-100L將具有第二反向偏壓定向或方向。若發(fā)光或光吸收區(qū)域140不同定向，則熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解亦視施加電壓之極性而定，第一定向應(yīng)為反向偏壓定向，且第二定向應(yīng)為正向偏壓定向。[0456]舉例而言，不同于使用抓放機(jī)定位電組件(諸如二極體)以在所選容許度內(nèi)表面黏著至電路板上之預(yù)定位置且呈預(yù)定定向的傳統(tǒng)電子學(xué)制造，在任何既定情況下，二極體100-100L在裝置300、700中不存在該等預(yù)定或確定的位置(在χ-y平面中)及定向(z軸)(亦即，至少一個(gè)二極體100-100L于裝置300、700中將呈第二定向)。[0457]此顯著不同于現(xiàn)有裝置結(jié)構(gòu)，在現(xiàn)有裝置結(jié)構(gòu)中，所有該等二極體(諸如LED)相對(duì)于電壓軌道具有單一定向，即所有二極體之相應(yīng)陽極耦接至較高電壓且其陰極耦接至較低電壓。由于統(tǒng)計(jì)定向，視具有第一或第二定向的二極體100-100L之百分比而定且視各種二極體特征(諸如對(duì)反向偏壓之容許度)而定，可使用AC或DC電壓或電流使二極體100-100L通電而不另外轉(zhuǎn)換電壓或電流。[0458]參考圖77及99，可使用復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)體310，形成至少兩個(gè)各別電極結(jié)構(gòu)，其說明為第一(第一)導(dǎo)體電極或接點(diǎn)310A以及第二(第一)導(dǎo)體電極或接點(diǎn)310B之相間錯(cuò)雜或梳狀電極結(jié)構(gòu)。如圖77中所說明，導(dǎo)體310A與310B具有相同寬度，且在圖76及78中，其說明為具有不同寬度，其中所有該等變化皆處于本發(fā)明范疇內(nèi)。對(duì)于例示性裝置300具體實(shí)例，二極體墨水或懸浮液(具有二極體100-100K)沈積于導(dǎo)體310A上。第二透明導(dǎo)體320(具光學(xué)透射性，如下文所論述)隨后沈積(于介電層上，如下文所論述)以與導(dǎo)體310B形成單獨(dú)電接觸，如圖78中所說明。盡管未作單獨(dú)說明，但作為可選方案，例示性裝置700具體實(shí)例亦可具有此等310A、310B電連接:在二極體墨水或懸浮液(具有二極體100L)沈積于基底305A上之后，可沈積一或多個(gè)導(dǎo)體310A及310B(呈相間錯(cuò)雜或梳狀結(jié)構(gòu))，繼而在導(dǎo)體310A上沈積介電層315。無需具光學(xué)透射性的第二導(dǎo)體320隨后沈積(于介電層315上,如下文所論述)，且亦可具有相間錯(cuò)雜或梳狀結(jié)構(gòu)，以與導(dǎo)體310B形成單獨(dú)電接觸，如圖78中對(duì)于裝置300所說明。如圖80-82對(duì)于裝置700所說明，為說明另一結(jié)構(gòu)替代方案，第二端子127耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體310且第一端子125耦接至一或多個(gè)第二導(dǎo)體320。圖81及91-98亦說明另一適用于裝置300、700、720、730、740、750、760、770具體實(shí)例中之任一者的結(jié)構(gòu)可選方案，其中碳電極322A及322B分別耦接至第一導(dǎo)體310與第二導(dǎo)體320且延伸至保護(hù)涂層330以外，以為裝置300、700提供電連接或耦接。[0459]應(yīng)注意，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體310具有圖77中所說明之相間錯(cuò)雜或梳狀結(jié)構(gòu)時(shí)，可使用第一導(dǎo)體310B使第二導(dǎo)體320通電。第一導(dǎo)體之相間錯(cuò)雜或梳狀結(jié)構(gòu)提供電流平衡，以使得通過第一導(dǎo)體310A、二極體100-100L、第二導(dǎo)體320及第一導(dǎo)體310B之每個(gè)電流路徑實(shí)質(zhì)上處于預(yù)定范圍內(nèi)。此用以使電流須穿過第二透明導(dǎo)體之距離減至最小，從而降低電阻及熱生成，且一般同時(shí)且在預(yù)定電流位準(zhǔn)范圍內(nèi)向所有或大部分二極體100-100L提供電流。[0460]另外，第一導(dǎo)體310之多個(gè)相間錯(cuò)雜或梳狀結(jié)構(gòu)亦可串聯(lián)耦接，諸如以產(chǎn)生具有所需多個(gè)二極體100-100J正向電壓之總器件電壓，諸如(但不限于)高達(dá)典型家用電壓。舉例而言，如圖99中所說明，對(duì)于第一區(qū)域711(其中二極體100-100L并聯(lián)耦接)，導(dǎo)體310B可耦接至第二區(qū)域712(其二極體100-100L亦并聯(lián)耦接)之導(dǎo)體310A或與第二區(qū)域712之導(dǎo)體310A沈積成整體層，且對(duì)于第二區(qū)域712(其中二極體100-100L并聯(lián)耦接)，導(dǎo)體310B可耦接至第三區(qū)域713(其二極體100-100L亦并聯(lián)耦接)之導(dǎo)體310A或與第三區(qū)域713之導(dǎo)體310A沈積成整體層，諸如此類，以使第一、第二及第三區(qū)域(711、712、713)串聯(lián)耦接，其中每一該種區(qū)域所具有的二極體100-100L并聯(lián)耦接。此串聯(lián)連接亦可用于圖100-103中所說明之系統(tǒng)800、810及裝置760、770具體實(shí)例。[0461]亦如圖99中所說明，可藉由對(duì)耦接至所有各別尖齒(310A、310B)之匯流排714施加電壓位準(zhǔn)來使任何相間錯(cuò)雜或梳狀電極結(jié)構(gòu)通電。匯流排714通常經(jīng)訂定尺寸以具有比較低之薄層電阻或阻抗。[0462]對(duì)于相對(duì)較小區(qū)域或?qū)τ谄渌麘?yīng)用(諸如繪圖術(shù)(graphicalart)),不需要該等電流平衡及阻抗匹配(薄層電阻匹配)結(jié)構(gòu)，且可使用較簡單之第一及第二導(dǎo)體310、320結(jié)構(gòu)，諸如圖91-98、102、103中所說明之層狀結(jié)構(gòu)。舉例而言，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體與第二導(dǎo)體310、320之薄層電阻占第一及第二導(dǎo)體310、320連同二極體100-100L之總電阻之比例比較或相對(duì)小時(shí)，可使用該等層狀結(jié)構(gòu)。亦如圖102及103中所說明，亦可使用第三導(dǎo)電層312，諸如以沿比較長之裝置300、700、720、730、740、750、760、770條狀物提供并聯(lián)匯流排連接。[0463]接著將一或多個(gè)介電層315以留下暴露的第一端子125(呈第一定向時(shí))或二極體100-100K的第二側(cè)(背面)(或二極體100L之GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu))(呈第二定向時(shí))或兩者的方式，以足以在一或多個(gè)第一導(dǎo)體310(耦接至二極體100-100L)與沈積于一或多個(gè)介電層315上且與第一端子125或二極體100-100K的第二側(cè)(背面)(視定向而定)形成相應(yīng)物理及電接觸的一或多個(gè)第二導(dǎo)體320之間提供電絕緣的量沈積于二極體100-100L上。對(duì)于裝置300，可接著沈積視情況存在的發(fā)光(或發(fā)射)層325，繼而沈積視情況存在之穩(wěn)定化層335及/或任何透鏡化、分散或密封層330。舉例而言，該視情況存在的發(fā)光(或發(fā)射)層325可包含斯托克斯移位磷光體(stokesshiftingphosphor)層以產(chǎn)生發(fā)射所需色彩或其他所選波長范圍或光譜之燈或其他裝置。此等各個(gè)層、導(dǎo)體及其他所沈積的化合物在下文中更詳細(xì)論述。對(duì)于裝置700，透鏡化、分散或密封層330—般在第一側(cè)上沈積于一或多個(gè)第二導(dǎo)體320上，且視情況存在的發(fā)光(或發(fā)射)層325接著可在第二側(cè)上沈積于基板305上，繼而沈積視情況存在之穩(wěn)定化層335及/或任何透鏡化、分散或密封層330。視第一及第二導(dǎo)體310、320的位置而定，可在沈積相應(yīng)第一及第二導(dǎo)體之后或在任何透鏡化、分散或密封層330沈積之后涂覆碳電極322A、322B。此等各個(gè)層、導(dǎo)體及其他所沈積的化合物在下文中更詳細(xì)論述。[0464]基底305可由任何適合材料形成或包含任何適合材料，諸如(但不限于)塑膠、紙、紙板或涂料紙或紙板?；?05可包含任何可撓性材料，其具有可經(jīng)受預(yù)期使用條件之強(qiáng)度。在一例示性具體實(shí)例中，基底305、305A包含實(shí)質(zhì)上光學(xué)透射性聚酯或塑膠薄板，諸如經(jīng)處理以達(dá)成印刷可接受性且可自Denver,Colorado,USA之MacDermid公司之MacDermidAutotype公司購得之CT-5或CT-75或7密耳聚酯(Mylar)薄板,或例如Coveme酸處理之Mylar。在另一例示性具體實(shí)例中，基底305包含例如聚酰亞胺膜，諸如可自WilmingtonDelaware,USA之DuPont公司購得之Kapton。亦在一例示性具體實(shí)例中，基底305包含介電常數(shù)能夠或適用于針對(duì)所選擇之激發(fā)電壓提供足夠電絕緣的材料?；?05可包含例如以下任一或多者:紙、涂料紙、塑膠涂布紙、纖維紙、紙板、廣告紙、廣告板、書、雜志、報(bào)紙、木板、膠合板及其他呈任何所選形式之基于紙或木材之產(chǎn)品；呈任何所選形式之塑膠或聚合物材料(薄板、膜、板等)；呈任何所選形式之天然及合成橡膠材料及產(chǎn)品；呈任何所選形式之天然及合成織物，包括聚合不織布(梳織、熔噴及紡結(jié)不織布)；擠出聚烯烴膜，包括LDPE膜；呈任何所選形式之玻璃、陶瓷及其他源自硅或二氧化硅之材料及產(chǎn)品；混凝土(固化)、石料及其他建筑材料及產(chǎn)品；或當(dāng)前現(xiàn)有或?qū)懋a(chǎn)生之任何其他產(chǎn)品。在第一例示性具體實(shí)例中，可選擇如下基底305、305A，其提供一定程度之電絕緣(亦即，具有足以使沈積或涂覆于基底305的第一側(cè)(前面)上之一或多個(gè)第一導(dǎo)體310電絕緣(彼此電絕緣或與其他裝置或系統(tǒng)組件電絕緣)的介電常數(shù)或絕緣特性)。舉例而言，雖然玻璃薄板或硅晶圓為比較昂貴之選擇，但其亦可用作基底305。然而，在其他例示性具體實(shí)例中，使用塑膠薄板或涂有塑膠之紙產(chǎn)品來形成基底305，諸如上述聚酯或可自Sappi有限公司獲得之專利紙料及1001b.覆蓋紙料,或自其他紙制造商(諸如MitsubishiPaperMills、Mead)獲得之類似涂料紙，及其他紙產(chǎn)品。在另一例示性具體實(shí)例中，使用亦可自Sappi有限公司獲得之具有復(fù)數(shù)個(gè)凹槽之軋花塑膠薄板或涂有塑膠之紙產(chǎn)品，其中該等凹槽用于形成導(dǎo)體310。在其他例示性具體實(shí)例中，可使用任何類型之基底305，包括(不限于)具有其他密封或囊封層(諸如塑膠、漆及乙烯樹脂)沈積至基底305之一或多個(gè)表面的基底?；?05、305A亦可包含上述任何材料之層壓物或其他黏結(jié)物。[0465]在一例示性具體實(shí)例中，展布于基板305、305A上的二極體100-100L之比較小之尺寸提供比較快速之熱耗散而無需散熱片，且使廣泛材料適用作基底305、305A，包括驟燃溫度相對(duì)較低之材料。此等溫度可包括例如(但不限于)50°C或50°C以上，或75°C或75°C以上，或100°C，或125°C或150°C，或200°C，或300°C，且可使用例如(但不限于)IS0871:2006標(biāo)準(zhǔn)量測。裝置300、700之操作溫度亦一般相對(duì)較低，例如，其平均操作溫度低于約150°C，或低于約125°C，或低于約100°C或低于約75°C，或低于約50°C。該平均操作溫度一般應(yīng)在例如(但不加以限制)裝置300、700已開啟且升溫，諸如提供其最大光輸出至少約10分鐘之后測定，且可使用市售之紅外溫度計(jì)在典型環(huán)境條件(諸如約20°C至30°C之環(huán)境溫度)下，在裝置300、700之最外層表面量測操作溫度增量(且計(jì)算算術(shù)平均值)。[0466]如各個(gè)圖中所說明的例示性基底305、305A具有總體而言實(shí)質(zhì)上平坦之形態(tài)因數(shù)，諸如包含例如(但不限于)可饋送穿過印刷機(jī)之由所選材料(例如紙或塑膠)形成之薄板，且其可在第一表面(或側(cè)面)上具有包括表面粗糙度、凹穴、通道或凹槽之型態(tài)或具有在預(yù)定容許度內(nèi)實(shí)質(zhì)上平滑之第一表面(而不包括凹穴、通道或凹槽)之型態(tài)。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解，諸多其他形狀及表面型態(tài)可用，其視作等效且處于本發(fā)明范疇內(nèi)。[0467]對(duì)于裝置300、720、730具體實(shí)例，接著諸如經(jīng)由印刷制程將一或多個(gè)第一導(dǎo)體310涂覆或沈積(于基底305的第一側(cè)或表面上)，或涂覆于裝置700、740、750具體實(shí)例的二極體IOOL上達(dá)一定厚度，視導(dǎo)電墨水或聚合物之類型而定，諸如達(dá)約0.1至15微米(例如對(duì)于典型銀墨水或奈米粒子銀墨水而言，約10微米至12微米濕膜厚度，干燥或固化膜厚度為約0.2微米或0.3微米至1.0微米)。在其他例示性具體實(shí)例中，視所涂覆的厚度而定，第一導(dǎo)體310亦可經(jīng)砂磨以使表面平滑且亦可經(jīng)壓延以壓縮導(dǎo)電粒子(諸如銀)。在制造例示性裝置300、700、720、730、740、750、760、770的例示性方法中，諸如經(jīng)由印刷或其他沈積制程將導(dǎo)電墨水、聚合物或其他導(dǎo)電液體或膠體(諸如銀(Ag)墨水或聚合物、奈米粒子或奈米纖維銀墨水組成物、碳奈米管墨水或聚合物，或銀/碳混合物，諸如分散于銀墨水中之非晶形奈米碳(其粒徑為約75nm至IOOnm))沈積于基底305上或沈積于二極體100L上，隨后可使其固化或部分固化(諸如經(jīng)由紫外線(Uv)固化制程)，形成一或多個(gè)第一導(dǎo)體310。在另一例示性具體實(shí)例中，可藉由濺鍍、旋轉(zhuǎn)澆鑄(或旋涂)、氣相沈積或電鍍導(dǎo)電化合物或元素(諸如金屬(例如鋁、銅、銀、金、鎳))形成一或多個(gè)第一導(dǎo)體310。亦可使用不同類型之導(dǎo)體及/或?qū)щ娀衔锘虿牧?例如墨水、聚合物、元素金屬等)之組合產(chǎn)生一或多個(gè)復(fù)合第一導(dǎo)體310。多層及/或多種類型之金屬或其他導(dǎo)電材料可組合形成一或多個(gè)第一導(dǎo)體310，諸如第一導(dǎo)體310包含例如(但不限于)鎳上之鍍金層。舉例而言，可使用氣相沈積的鋁或銀或混合之碳-銀墨水。在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，沈積復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)體310，且在其他具體實(shí)例中，第一導(dǎo)體310可沈積為單個(gè)導(dǎo)電薄板或以其他方式附接(例如，耦接至基底305的鋁薄板)(未作單獨(dú)說明)。亦在各個(gè)具體實(shí)例中，可用于形成一或多個(gè)第一導(dǎo)體310之導(dǎo)電墨水或聚合物在沈積復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K之前可能未固化或可能僅部分固化，接著在與復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K接觸時(shí)完全固化，諸如以與復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K形成歐姆接觸。在一例示性具體實(shí)例中，一或多個(gè)第一導(dǎo)體310在沈積復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K之前完全固化，其中二極體墨水之其他化合物使一或多個(gè)第一導(dǎo)體310發(fā)生一定程度的溶解，其隨后在與復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K接觸時(shí)再固化，且對(duì)于裝置700具體實(shí)例，一或多個(gè)第一導(dǎo)體310在沈積之后完全固化。亦對(duì)于裝置700具體實(shí)例，亦可使用導(dǎo)電粒子濃度較低之導(dǎo)電墨水以形成一或多個(gè)第一導(dǎo)體310,從而有助于第一端子125抗?jié)駶櫋Ｒ曀x具體實(shí)例而定，亦可使用光學(xué)透射性導(dǎo)電材料來形成一或多個(gè)第一導(dǎo)體310。[0468]亦可使用其他導(dǎo)電墨水或材料形成一或多個(gè)第一導(dǎo)體310、第二導(dǎo)體320、第三導(dǎo)體(未作單獨(dú)說明)以及下文所論述之任何其他導(dǎo)體，諸如銅、錫、鋁、金、貴金屬、碳、碳黑、碳奈米管(「CNT」)、單壁或雙壁或多壁CNT、石墨薄膜、石墨薄膜薄片、奈米石墨薄膜薄片、奈米碳以及奈米碳與銀的組成物、具有優(yōu)良或可接受之光學(xué)透射性之奈米粒子及奈米纖維銀組成物，或其他有機(jī)或無機(jī)導(dǎo)電聚合物、墨水、膠體或其他液體或半固體材料。在一例示性具體實(shí)例中，將碳黑(其粒徑為約IOOnm)添加至銀墨水中以使所得碳濃度處于約0.025%至0.5%范圍內(nèi)，從而增強(qiáng)二極體100-100L與第一導(dǎo)體310之間的歐姆接觸及黏著。另外，可等效地使用任何其他可印或可涂布導(dǎo)電物質(zhì)形成第一導(dǎo)體310、第二導(dǎo)體320及/或第三導(dǎo)體，且例示性導(dǎo)電化合物包括:(I)來自ConductiveCompounds(Londonberry,NH,USA)之AG-500、AG-800及AG-510銀導(dǎo)電墨水，其亦可包括其他涂料UV-1006S紫外線可固化介電質(zhì)(諸如第一介電層125之一部分)；(2)來自DuPont之7102碳導(dǎo)體(若套印5000Ag)、7105碳導(dǎo)體、5000銀導(dǎo)體、7144碳導(dǎo)體(連同UV囊封劑)、7152碳導(dǎo)體(連同7165囊封劑)以及9145銀導(dǎo)體；(3)來自SunPoly公司之128A銀導(dǎo)電墨水、129A銀及碳導(dǎo)電墨水、140A導(dǎo)電墨水以及150A銀導(dǎo)電墨水；(4)來自DowCorning公司之P1-2000系列高導(dǎo)電銀墨水；(5)來自Henkel/Emerson&Cumings之Electrodag725A；(6)可自Boston,Massachusetts,USA之Cabot公司獲得之MonarchM120,其用作碳黑添加劑諸如以添加至銀墨水中從而形成碳與銀墨水的混合物；(7)Acheson725A導(dǎo)電銀墨水(可自Henkel獲得)單獨(dú)或與其他銀奈米纖維組合；以及(8)可自Gyeongg1-do,Korea之Inktec.獲得之InktekPA-OlO或PA-030奈米粒子或奈米纖維可網(wǎng)版印刷銀導(dǎo)電墨水。如下文所論述，亦可使用此等化合物形成其他導(dǎo)體(包括第二導(dǎo)體320)及任何其他導(dǎo)電跡線或連接件。另外，導(dǎo)電墨水及化合物可自多種其他來源獲得。[0469]亦可使用具實(shí)質(zhì)上光學(xué)透射性之導(dǎo)電聚合物形成一或多個(gè)第一導(dǎo)體310以及第二導(dǎo)體320及/或第三導(dǎo)體。舉例而言，除下文所論述之其他任何透射性導(dǎo)體及其等效物之外，亦可使用聚乙烯-二氧噻吩，諸如可以商標(biāo)名「Orgacon」自RidgefieldPark,NewJersey,USA之AGFA公司購得之聚乙烯-二氧噻吩?？傻刃褂弥渌麑?dǎo)電聚合物包括例如(不限于)聚苯胺及聚吡咯聚合物。在另一例示性具體實(shí)例中，使用已懸浮或分散于可聚合離子液體或其他流體中之碳奈米管形成具實(shí)質(zhì)上光學(xué)透射性或透明之各種導(dǎo)體，諸如一或多個(gè)第二導(dǎo)體320。應(yīng)注意，對(duì)于裝置300具體實(shí)例，一或多個(gè)第二導(dǎo)體320—般具實(shí)質(zhì)上光學(xué)透射性以在裝置的第一側(cè)上提供較大光發(fā)射或吸收，且對(duì)于裝置700具體實(shí)例，除非在第一側(cè)上亦需要光輸出，否則一或多個(gè)第二導(dǎo)體320—般不明顯具有光學(xué)透射性以提供相對(duì)較低之電阻抗。在一些例示性裝置700具體實(shí)例中，一或多個(gè)第二導(dǎo)體320具高度不透明性及反射性以充當(dāng)鏡面且提高自裝置700的第二側(cè)的光輸出。[0470]已用于形成一或多個(gè)第二導(dǎo)體320之光學(xué)透射性導(dǎo)電墨水包括可自Tempe,Arizona,USA之NthDegreeTechnologiesWorldwide公司購得之透明導(dǎo)電墨水，且已描述于MarkD.Lowenthal等人于2011年2月28日申請(qǐng)且題為「MetallicNanofiberInk,SubstantiallyTransparentConductor,andFabricationMethod」之美國臨時(shí)專利申請(qǐng)案第61/447，160號(hào)中，該專利申請(qǐng)案之全部內(nèi)容以引用方式并入本文中，具有如同在本文中闡述其全文一般之相同完全效力。另一透明導(dǎo)體包括于諸如1-丁醇、環(huán)己醇、冰乙酸之溶劑(約1%重量)與聚乙烯吡咯啶酮(麗為約100萬)(約2%重量至4%重量，或更尤其約3%重量)的混合物中之銀奈米纖維(約3%重量至50%重量，或更尤其約4%重量至40%重量，或更尤其約5%重量至30%重量，或更尤其約6%重量至20%重量，或更尤其約5%重量至15%重量，或更尤其約7%重量至13%重量，或更尤其約9%重量至11%重量，或更尤其約10%重量)。另一導(dǎo)電墨水亦可包含與復(fù)數(shù)種其他溶劑(諸如與約50%重量至65%重量之丙二醇及約1%重量至10%重量之正丙醇或1-甲氧基-2-丙醇)混合之奈米粒子或奈米纖維銀墨水(諸如InktekPA-010或PA-030奈米粒子或奈米纖維可網(wǎng)版印刷銀導(dǎo)電墨水)(約30%重量至50%重量)。另一導(dǎo)電墨水亦可包含與復(fù)數(shù)種如上所述之其他溶劑混合之奈米粒子或奈米纖維銀墨水(諸如InktekPA-OlO或PA-030奈米粒子或奈米纖維可網(wǎng)版印刷銀導(dǎo)電墨水)，銀濃度為約0.30%重量至3.0%重量。[0471]有機(jī)半導(dǎo)體(另稱為共軛聚合物、導(dǎo)電聚合物或合成金屬)因碳原子之間沿聚合物主鏈之η共軛而固有地具半導(dǎo)電性。其結(jié)構(gòu)含有一維有機(jī)主鏈，由此在η-型或ρ+型摻雜之后能夠?qū)щ姟＝?jīng)充分研究之有機(jī)導(dǎo)電聚合物之類別包括聚(乙炔)、聚(吡咯)、聚(噻吩)、聚苯胺、聚噻吩、聚(對(duì)苯硫醚)、聚(對(duì)伸苯基伸乙烯基)(PPV)及PPV衍生物、聚(3-烷基噻吩)、聚吲哚、聚芘、聚咔唑、聚甘菊環(huán)、聚氮呼、聚(弗)及聚萘。其他實(shí)例包括聚苯胺、聚苯胺衍生物、聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚吡咯、聚吡咯衍生物、聚苯并噻吩、聚苯并噻吩衍生物、聚對(duì)伸苯基、聚對(duì)伸苯基衍生物、聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚二乙炔、聚二乙炔衍生物、聚對(duì)伸苯基伸乙烯基、聚對(duì)伸苯基伸乙烯基衍生物、聚萘、及聚萘衍生物、聚異苯并噻吩(PITN)、伸雜芳基可為例如噻吩、呋喃或吡咯之聚伸雜芳基伸乙烯基(ParV)、聚苯硫醚(PPS)、聚迫萘(PPN)、聚酞菁(PPhc)等，及其衍生物、其共聚物及其混合物。如本文所用之術(shù)語衍生物意謂該聚合物由經(jīng)側(cè)鏈或基團(tuán)取代之單體形成。[0472]使導(dǎo)電聚合物聚合的方法不受特定限制，且適用方法包括例如(但不限于)UV或其他電磁聚合、熱聚合、電解氧化聚合、化學(xué)氧化聚合及催化聚合。由聚合方法獲得之聚合物常呈中性且不具導(dǎo)電性直至經(jīng)摻雜為止。因此，對(duì)聚合物進(jìn)行P型摻雜或η型摻雜以使其轉(zhuǎn)化為導(dǎo)電聚合物。半導(dǎo)體聚合物可經(jīng)化學(xué)摻雜或電化學(xué)摻雜。用于摻雜之物質(zhì)不受特定限制；一般使用能夠接受電子對(duì)之物質(zhì)，諸如路易斯酸(Lewisacid)。實(shí)例包括鹽酸、硫酸、有機(jī)磺酸衍生物(諸如對(duì)磺酸、聚苯乙烯磺酸、烷基苯磺酸、樟腦磺酸、烷基磺酸、磺柳酸等)、氯化鐵、氯化銅及硫酸鐵。[0473]應(yīng)注意，對(duì)于「顛倒」之裝置300構(gòu)造，選擇具光學(xué)透射性之基底305及一或多個(gè)第一導(dǎo)體310以使光穿過基底305的第二側(cè)進(jìn)入及/或離開。另外，當(dāng)?shù)诙?dǎo)體320亦透明時(shí)，光可自裝置300之兩側(cè)或在裝置300之兩側(cè)上發(fā)射或吸收。[0474]一或多個(gè)第一導(dǎo)體310可具有各種紋理，諸如具有比較平滑的表面，或相反具有粗糙或有尖端的表面，或具有工程改造之微軋花結(jié)構(gòu)(例如可自Sappi有限公司獲得)以潛在地改良其他層(諸如介電層315)之黏著及/或有助于后續(xù)與二極體100-100L形成歐姆接觸。亦可在沈積二極體100-100L之前對(duì)一或多個(gè)第一導(dǎo)體310進(jìn)行電暈處理，該電暈處理趨于移除可能已形成之任何氧化物且亦有助于后續(xù)與復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L形成歐姆接觸。熟習(xí)電子或印刷技術(shù)者應(yīng)想到可形成一或多個(gè)第一導(dǎo)體310之方式的諸多變化，其中所有該等變化視作等效且處于本發(fā)明范疇內(nèi)。舉例而言(但不加以限制)，亦可經(jīng)由濺鍍或氣相沈積來沈積一或多個(gè)第一導(dǎo)體310。另外，對(duì)于其他各個(gè)具體實(shí)例，可諸如經(jīng)由涂布、印刷、濺鍍或氣相沈積以單個(gè)或連續(xù)層形式沈積一或多個(gè)第一導(dǎo)體310。[0475]因此，如本文所用之「沈積」包括此項(xiàng)技術(shù)中已知之沖擊式或非沖擊式之任何及所有印刷、涂布、輥軋、噴霧、層鋪、濺鍍、電鍍、旋轉(zhuǎn)澆鑄(或旋涂)、氣相沈積、層合、貼附及/或其他沈積制程?！赣∷ⅰ拱ù隧?xiàng)技術(shù)中已知之沖擊式或非沖擊式之任何及所有印刷、涂布、輥軋、噴霧、層鋪、旋涂、層合及/或貼附制程，且尤其包括例如(但不限于)網(wǎng)版印刷、噴墨印刷、電光印刷、電墨印刷、光阻及其他抗蝕劑印刷、熱感印刷、雷射噴印、磁性印刷、移印、快干印刷、混合平版微影、凹板印刷(Gravure)及其他凹紋印刷。所有該等制程在本文中視作沈積制程且可供使用。例示性沈積或印刷制程不需要顯著生產(chǎn)控制或限制。不需要特定溫度或壓力。可能使用某種清潔室或經(jīng)過濾空氣，但其程度可能與已知印刷或其他沈積制程之標(biāo)準(zhǔn)一致。然而，對(duì)于一致性而言，諸如為使形成各個(gè)具體實(shí)例之各個(gè)依次沈積之層正確對(duì)準(zhǔn)(對(duì)齊)，可能需要相對(duì)恒溫(可能有例外，如下文論述)及濕度。另外，所用之各種化合物可含于各種聚合物、黏合劑或其他分散劑中，其可經(jīng)熱固化或干燥，在環(huán)境條件下空氣干燥，或IR或Uv固化。[0476]亦應(yīng)注意，一般對(duì)于諸如經(jīng)由印刷或其他沈積對(duì)本文中之各種化合物進(jìn)行任何涂覆，亦可諸如經(jīng)由使用抗蝕劑涂層或藉由以其他方式改良該表面之「可濕性」，例如藉由改良表面(諸如基底305的表面、各個(gè)第一或第二導(dǎo)體(分別為310、320)的表面及/或二極體100-100L的表面)的例如親水性、疏水性或電學(xué)(正電荷或負(fù)電荷)特征來控制表面特性或表面能。連同所沈積的化合物、懸浮液、聚合物或墨水之特征(諸如表面張力)，可使所沈積的化合物黏著至所需或所選位置，且有效避開其他區(qū)域。[0477]舉例而言(但不加以限制)，使用任何蒸發(fā)性或揮發(fā)性有機(jī)或無機(jī)化合物(諸如水、醇、醚等)使復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L懸浮于液體、半液體或膠體載劑中，亦可包括黏著劑組分(諸如樹脂)及/或界面活性劑或其他助流劑。在一例示性具體實(shí)例中，舉例而言(但不加以限制)復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L如上文在實(shí)施例中所述而懸浮。亦可使用界面活性劑或助流劑，諸如辛醇、甲醇、異丙醇或去離子水，且亦可使用黏合劑，諸如含有實(shí)質(zhì)上或比較小之鎳珠粒(例如I微米)之各向異性導(dǎo)電黏合劑(其例如在壓縮及固化之后提供導(dǎo)電性且可用以改良或增強(qiáng)歐姆接觸之形成)，或任何其他可uv、熱或空氣固化之黏合劑或聚合物，包括下文更詳細(xì)論述者(且其亦可與介電化合物、透鏡等一起使用)。[0478]另外，各個(gè)二極體100-100L可組態(tài)為例如具有各種色彩(諸如紅色、綠色、藍(lán)色、黃色、琥珀色等)中之任一者的發(fā)光二極體。具有不同色彩的發(fā)光二極體100-100L接著可混合于例示性二極體墨水中，以便在裝置300、300A中通電時(shí)，產(chǎn)生所選色溫。[0479]干燥或固化的二極體墨水實(shí)施例1:[0480]包含以下的組成物:[0481]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L;及[0482]固化或聚合之樹脂或聚合物。[0483]干燥或固化的二極體墨水實(shí)施例2:[0484]包含以下的組成物:[0485]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L;及[0486]固化或聚合之樹脂或聚合物，其形成至少部分圍繞各二極體且厚度為約IOnm至300nm之膜。[0487]干燥或固化的二極體墨水實(shí)施例3:[0488]包含以下的組成物:[0489]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L;及[0490]至少痕量之固化或聚合之樹脂或聚合物。[0491]干燥或固化的二極體墨水實(shí)施例4:[0492]包含以下的組成物:[0493]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L；[0494]固化或聚合之樹脂或聚合物；及[0495]至少痕量之溶劑。[0496]干燥或固化的二極體墨水實(shí)施例5:[0497]包含以下的組成物:[0498]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L；[0499]至少痕量之固化或聚合之樹脂或聚合物；及[0500]至少痕量之溶劑。[0501]干燥或固化的二極體墨水實(shí)施例6:[0502]包含以下的組成物:[0503]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L；[0504]固化或聚合之樹脂或聚合物；[0505]至少痕量之溶劑；及[0506]至少痕量之界面活性劑。[0507]干燥或固化的二極體墨水實(shí)施例7:[0508]包含以下的組成物:[0509]復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L；[0510]至少痕量之固化或聚合之樹脂或聚合物；[0511]至少痕量之溶劑；及[0512]至少痕量之界面活性劑。[0513]接著諸如藉由使用280目涂有聚酯或PTFE之網(wǎng)進(jìn)行印刷使二極體墨水(懸浮的二極體100-100L及視情況存在之惰性粒子)沈積于裝置700具體實(shí)例之基底305A上或沈積于裝置300具體實(shí)例之一或多個(gè)第一導(dǎo)體310上，且諸如經(jīng)由例如加熱、uv固化或任何干燥制程使揮發(fā)性或蒸發(fā)性組分消散以留下二極體100-100L實(shí)質(zhì)上或至少部分接觸且黏著至基底305A或一或多個(gè)第一導(dǎo)體310。在一例示性具體實(shí)例中，在約110°C下使沈積的二極體墨水固化通常5分鐘或不到5分鐘。如干燥或固化的二極體墨水實(shí)施例1及2中殘留之干燥或固化的二極體墨水一般包含復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L及固化或聚合之樹脂或聚合物(至少以痕量存在)(其如上所述可一般將二極體100-100L固定或固持于適當(dāng)位置上)，且如先前所論述形成膜295。雖然揮發(fā)性或蒸發(fā)性組分(諸如第一及/或第二溶劑及/或界面活性劑)實(shí)質(zhì)上消散，但可殘留痕量或更多量，如干燥或固化的二極體墨水實(shí)施例3-6中所說明。如本文所用之「痕量」之成分應(yīng)理解為相較于初始沈積于第一導(dǎo)體310及/或基底305、305A上時(shí)二極體墨水中最初存在之成分的量大于零但小于或等于5%的量。[0514]完成之裝置(300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770)中所得二極體100-100L密度或濃度(例如每平方公分二極體100-100L之?dāng)?shù)目)將視二極體墨水中二極體100-100L之濃度而定。當(dāng)二極體100-100L之尺寸處于20微米至30微米之范圍內(nèi)時(shí)，可使用極高密度但仍僅覆蓋較小百分比的表面積(一優(yōu)勢在于允許較大程度的熱耗散而不另外需要散熱片)。舉例而言，當(dāng)使用尺寸處于20微米至30微米范圍內(nèi)的二極體100-100L時(shí)，一平方吋中10，000個(gè)二極體僅覆蓋約1%的表面積。亦舉例而言，在一例示性具體實(shí)例中，對(duì)于在裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750,760,770中使用，多種二極體密度可用且處于本發(fā)明范疇內(nèi)，包括(不限于):每平方公分2至10，000個(gè)二極體100-100L;或更尤其，每平方公分5至10，000個(gè)二極體100-100L；或更尤其，每平方公分5至1，000個(gè)二極體100-100L;或更尤其，每平方公分5至100個(gè)二極體100-100L;或更尤其，每平方公分5至50個(gè)二極體100-100L;或更尤其，每平方公分5至25個(gè)二極體100-100L;或更尤其，每平方公分10至8，000個(gè)二極體100-100L;或更尤其，每平方公分15至5，000個(gè)二極體100-100L;或更尤其，每平方公分20至1，000個(gè)二極體100-100L;或更尤其，每平方公分25至100個(gè)二極體100-100L;或更尤其，每平方公分25至50個(gè)二極體100-100L。[0515]亦可使用其他步驟或若干步驟制程將二極體100-100L沈積于一或多個(gè)第一導(dǎo)體310上。亦舉例而言(但不加以限制)，可首先沈積黏合劑，諸如甲氧基化二醇醚丙烯酸酯單體(其亦可包括水溶性光引發(fā)劑，諸如TPO((2，4，6-三甲基苯甲?；?二苯基氧化膦(triphospheneoxide)),或各向異性導(dǎo)電黏合劑,繼而如上文所論述沈積已懸浮于液體或膠體中的二極體100-100L。[0516]在一例示性具體實(shí)例中，對(duì)于裝置300、720、730、760具體實(shí)例，二極體100-100K之懸浮介質(zhì)亦可包含溶解溶劑或其他反應(yīng)劑，諸如一或多種二元酯，其最初溶解或再濕潤一或多個(gè)第一導(dǎo)體310中之一些第一導(dǎo)體310。當(dāng)沈積復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K之懸浮液且一或多個(gè)第一導(dǎo)體310的表面接著變得部分溶解或未固化時(shí)，復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K可略微或部分包埋于一或多個(gè)第一導(dǎo)體310內(nèi)，亦有助于形成歐姆接觸，且使復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K與一或多個(gè)第一導(dǎo)體310之間形成黏著黏結(jié)或黏著耦接。由于溶解劑或反應(yīng)劑諸如經(jīng)由蒸發(fā)而消散，所以一或多個(gè)第一導(dǎo)體310在實(shí)質(zhì)接觸復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K時(shí)再硬化(或再固化)。除上文所論述之二元酯之外，例示性溶解劑、濕潤劑或溶劑化劑例如(但不限于)亦如上所述包括丙二醇單甲醚乙酸酯(C6H12O3)(由Eastman以名稱「PM乙酸酯」出售)，其與1-丙醇(或異丙醇)以約1:8莫耳比(或22:78重量比)用于形成懸浮介質(zhì)；以及多種二元酯，及其混合物，諸如丁二酸二甲酯、己二酸二甲酯及戊二酸二甲酯(其不同混合物可自Invista以產(chǎn)品名稱DBE、DBE-2、DBE-3、DBE-4、DBE-5、DBE-6、DBE-9及DBE-1B獲得)。在一例示性具體實(shí)例中，使用DBE-9。溶劑之莫耳比將基于所選溶劑而變化，其中1:8及1:12為典型比率。亦可使用各種化合物或其他試劑來控制此反應(yīng):例如，1-丙醇與水之組合或混合物可明顯抑制一或多個(gè)第一導(dǎo)體310經(jīng)BE-9溶解或再濕潤直至在固化制程中相對(duì)較遲在二極體墨水之各種化合物已蒸發(fā)或以其他方式消散且二極體墨水的厚度小于二極體100-100K的高度為止，因此第一導(dǎo)體310之任何溶解之材料(諸如銀墨水樹脂及銀墨水粒子)不沈積于二極體100-100K的上表面上(該等二極體100-100K接著能夠與第二導(dǎo)體320形成電接觸)。[0517]介電墨水實(shí)施例1:[0518]包含以下的組成物:[0519]介電樹脂，其包含約0.5%至約30%甲基纖維素樹脂；[0520]第一溶劑，其包含醇；及[0521]界面活性劑。[0522]介電墨水實(shí)施例2:[0523]包含以下的組成物:[0524]介電樹脂，其包含約4%至約6%甲基纖維素樹脂；[0525]第一溶劑，其包含約0.5%至約1.5%辛醇；[0526]第二溶劑，其包含約3%至約5%IPA;及[0527]界面活性劑。[0528]介電墨水實(shí)施例3:[0529]包含以下的組成物:[0530]約10%至約30%之介電樹脂；[0531]第一溶劑，其包含二醇醚乙酸酯；[0532]第二溶劑，其包含二醇醚；及[0533]第三溶劑。[0534]介電墨水實(shí)施例4:[0535]包含以下的組成物:[0536]約10%至約30%之介電樹脂；[0537]第一溶劑，其包含約35%至50%乙二醇單丁醚乙酸酯；[0538]第二溶劑，其包含約20%至35%二丙二醇單甲醚；及[0539]第三溶劑，其包含約0.01%至0.5%甲苯。[0540]介電墨水實(shí)施例5:[0541]包含以下的組成物:[0542]約15%至約20%之介電樹脂；[0543]第一溶劑，其包含約35%至50%乙二醇單丁醚乙酸酯；[0544]第二溶劑，其包含約20%至35%二丙二醇單甲醚；及[0545]第三溶劑，其包含約0.01%至0.5%甲苯。[0546]介電墨水實(shí)施例6:[0547]包含以下的組成物:[0548]約10%至約30%之介電樹脂；[0549]第一溶劑，其包含約50%至85%二丙二醇單甲醚；及[0550]第二溶劑，其包含約0.01%至0.5%甲苯。[0551]介電墨水實(shí)施例7:[0552]包含以下的組成物:[0553]約15%至約20%之介電樹脂；[0554]第一溶劑,其包含約50%至90%乙二醇單丁醚乙酸酯；及[0555]第二溶劑，其包含約0.01%至0.5%甲苯。[0556]介電墨水實(shí)施例8:[0557]包含以下的組成物:[0558]約15%至約20%之介電樹脂；[0559]第一溶劑，其包含約50%至85%二丙二醇單甲醚；及[0560]其余部分，其包含第二溶劑，該第二溶劑包含約0.01%至8.0%丙二醇或去離子水。[0561]接著在沈積第二導(dǎo)體320之前，諸如經(jīng)由印刷或涂布制程將絕緣材料(稱為介電墨水，諸如描述為介電墨水實(shí)施例1-8之介電墨水)沈積于二極體100-100L上或二極體100-100L之周邊或側(cè)向部分上以形成絕緣或介電層315。介電層315之濕膜厚度大致為約30微米至40微米且干燥或固化膜厚度大致為約5微米至7微米。絕緣或介電層315可包含懸浮于如上下文所論述之各種任何介質(zhì)中之任何絕緣或介電化合物。在一例示性具體實(shí)例中，絕緣或介電層315包含甲基纖維素樹脂，其量處于約0.5%至15%范圍內(nèi)，或更尤其處于約1.0%至約8.0%范圍內(nèi)，或更尤其處于約3.0%至約6.0%范圍內(nèi)，或更尤其處于約4.5%至約5.5%范圍內(nèi)，諸如可自DowChemical獲得之E-3「甲基纖維素(methocel)」；以及界面活性劑，其量處于約0.1%至1.5%范圍內(nèi)，或更尤其處于約0.2%至約1.0%范圍內(nèi)，或更尤其處于約0.4%至約0.6%范圍內(nèi)，諸如來自BYKChemieGmbH之0.5%BYK381;懸浮于以下溶劑中:第一溶劑，其量處于約0.01%至0.5%范圍內(nèi)，或更尤其處于約0.05%至約0.25%范圍內(nèi)，或更尤其處于約0.08%至約0.12%范圍內(nèi)，諸如約0.1%辛醇；及第二溶劑，其量處于約0.0%至8%范圍內(nèi)，或更尤其處于約1.0%至約7.0%范圍內(nèi)，或更尤其處于約2.0%至約6.0%范圍內(nèi)，或更尤其處于約3.0%至約5.0%范圍內(nèi)，諸如約4%IPA，其余部分為第三溶齊U，諸如去離子水。用E-3調(diào)配物沈積4至5個(gè)涂層，以形成總厚度大致為6微米至10微米之絕緣或介電層315，其中各涂層在約110°C下固化約5分鐘。在其他例示性具體實(shí)例中，介電層315可經(jīng)IR(紅外光)固化、Uv固化或兩者。在其他例示性具體實(shí)例中，不同介電調(diào)配物可涂覆成不同層以形成絕緣或介電層315;舉例而言(但不加以限制)，涂覆由可自Dusseldorf,Germany之Henkel公司獲得之基于溶劑之透明介電質(zhì)形成之第一層,諸如HenkelBIK-20181-40A、HenkelBIK-20181-40B及/或HenkelBIK-20181-24B，繼而涂覆上文所述之基于水之E-3調(diào)配物，形成介電層315。在其他例示性具體實(shí)例中，其他介電化合物可自Henkel購得且可等效地使用，諸如于介電墨水實(shí)施例8中。介電層315可為透明的，但亦可包括例如(而不限于)比較低濃度之光漫射、散射或反射性粒子以及導(dǎo)熱粒子(諸如氧化鋁)。在各個(gè)例示性具體實(shí)例中，介電墨水亦將使二極體100-100L的上表面抗?jié)駶?，使二極體100-100K之至少一些第一端子125或第二側(cè)(背面)(視定向而定)暴露以后續(xù)接觸第二導(dǎo)體320。[0562]在例示性介電墨水中可使用一或多種例示性溶劑，例如(但不限于):7jC;醇，諸如甲醇、乙醇、N-丙醇(包括1-丙醇、2-丙醇(異丙醇)、1_甲氧基-2-丙醇)、異丁醇、N-丁醇(包括1-丁醇、2-丁醇)、N-戊醇(包括1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇)、N-辛醇(包括1-辛醇、2-辛醇、3-辛醇)；醚，諸如甲基乙基醚、乙醚、乙基丙基醚及聚醚；酯，諸如乙酸乙酯、己二酸二甲酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、戊二酸二甲酯、丁二酸二甲酯、乙酸甘油酯、二元酯(例如InvistaDBE-9);酯，諸如乙酸乙酯；二醇，諸如乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二醇醚、二醇醚乙酸酯、PM乙酸酯(丙二醇單甲醚乙酸酯)、二丙二醇單甲醚、乙二醇單丁醚乙酸酯；碳酸酯，諸如碳酸伸丙酯；甘油類，諸如甘油；乙腈、四氫呋喃(THF)、二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基甲酰胺(NMF)、二甲亞砜(DMSO);及其混合物。除水溶性樹脂之外，亦可使用其他基于溶劑之樹脂?？墒褂靡换蚨喾N增稠劑，例如黏土，諸如鋰膨潤石黏土、膨潤土(garamite)黏土、有機(jī)改質(zhì)黏土；醣及多醣,諸如瓜爾膠、三仙膠；纖維素及改質(zhì)纖維素，諸如羥甲基纖維素、甲基纖維素、乙基纖維素、丙基甲基纖維素、甲氧基纖維素、甲氧基甲基纖維素、甲氧基丙基甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、乙基羥乙基纖維素、纖維素醚、纖維素乙醚、聚葡萄胺糖；聚合物，諸如丙烯酸酯及(甲基)丙烯酸酯聚合物及共聚物、聚乙烯吡咯啶酮、聚乙二醇、聚乙酸乙烯酯(PVA)、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚氧化乙烯、聚乙烯醇縮丁醛(PVB);二乙二醇、丙二醇、2-乙基唑啉、煙霧狀二氧化硅(諸如硅石粉)、二氧化硅粉；以及改質(zhì)尿素，諸如BYK?420(可自BYKChemie獲得)?？墒褂闷渌ざ日{(diào)節(jié)劑，以及添加粒子以控制黏度，如Lewis等人之專利申請(qǐng)公開案第US2003/0091647號(hào)中所述。亦可使用例如助流劑或界面活性劑，諸如辛醇及埃默拉爾德高效能材料公司(EmeraldPerformanceMaterials)之Foamblast339。在其他例不性具體實(shí)例中，一或多種絕緣體135可為聚合物，諸如在去離子水中包含通常12%以下之PVA或PVB。[0563]在沈積絕緣或介電層315之后，沈積一或多個(gè)第二導(dǎo)體320(例如經(jīng)由印刷導(dǎo)電墨水、聚合物或其他導(dǎo)體，諸如金屬)，其可為上文所論述之任何類型之導(dǎo)體、導(dǎo)電墨水或聚合物，或可為光學(xué)透射性(或透明)導(dǎo)體，以與二極體100-100L之暴露或非絕緣部分(一般為二極體100-100L的第一端子125，呈第一定向)形成歐姆接觸。一或多個(gè)光學(xué)透射性第二導(dǎo)體320之濕膜厚度大致為約6微米至18微米且干燥或固化之膜厚度大致為約0.1微米至0.4微米，且光學(xué)不透明之一或多個(gè)第二導(dǎo)體320(諸如Acheson725A導(dǎo)電銀)之濕膜厚度一般大致為約14微米至18微米且干燥或固化之膜厚度大致為約5微米至8微米。舉例而言，光學(xué)透射性第二導(dǎo)體可沈積為單個(gè)連續(xù)層(形成單個(gè)電極)，諸如用于照明或光電應(yīng)用。對(duì)于上述顛倒構(gòu)造，且對(duì)于裝置700具體實(shí)例，第二導(dǎo)體320無需具光學(xué)透射性(盡管其可具光學(xué)透射性)以允許光自裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750,760,770之頂面及底面進(jìn)入或離開。光學(xué)透射性第二導(dǎo)體320可包含如下任何化合物，該化合物:(I)具有足夠?qū)щ娦砸允寡b置300通電或自其第一或上端部分接收能量(且可能必要或需要時(shí)，一般具有足夠低之電阻或阻抗以降低或最小化功率損耗及熱生成)；且(2)對(duì)于所選波長之電磁輻射(諸如可見光譜之部分)具有至少預(yù)定或所選之透明度或透射度。形成光學(xué)透射性或非透射性第二導(dǎo)體320之材料的選擇可視裝置300、700之所選應(yīng)用且視視情況存在之一或多個(gè)第三導(dǎo)體之利用而不同。諸如藉由使用如印刷或涂布技術(shù)中已知或即將知曉之印刷或涂布制程將一或多個(gè)第二導(dǎo)體320沈積于二極體100-100L之暴露及/或非絕緣部分上，及/或亦沈積于任何絕緣或介電層315上,其中可能必要或需要時(shí),提供適當(dāng)控制以達(dá)成任何所選之對(duì)準(zhǔn)或?qū)R。[0564]舉例而言，用于形成一或多個(gè)第二導(dǎo)體320的例示性透明導(dǎo)電墨水可包含約0.4%至3.0%銀奈米纖維(或3.0%以上，在其他具體實(shí)例中)、約2%至4%聚乙烯吡咯啶酮(麗為100萬)、0.5%至2%冰乙酸,其余部分為1-丁醇及/或環(huán)己醇。[0565]在一例示性具體實(shí)例中，除上文所述之導(dǎo)體之外，可使用碳奈米管(CNT)、奈米粒子或奈米纖維銀、聚乙烯-二氧噻吩(例如AGFAOrgacon)、聚-3，4-伸乙二氧基噻吩與聚苯乙烯磺酸之組合(以BaytronP出售且可自Leverkusen,Germany之BayerAG獲得)、聚苯胺或聚吡咯聚合物、氧化銦錫(ITO)及/或氧化銻錫(ATO)(其中ITO或ATO通常以粒子形式懸浮于先前所論述之各種黏合劑、聚合物或載劑中之任一者中)來形成光學(xué)透射性第二導(dǎo)體320。在一例示性具體實(shí)例中，碳奈米管懸浮于含界面活性劑之揮發(fā)性液體中，諸如可自Norman,Oklahoma,USA之SouthWestNanoTechnologies公司獲得之碳奈米管組成物。另外，阻抗或電阻相對(duì)較低之一或多個(gè)第三導(dǎo)體(未作單獨(dú)說明)并入或可并入相應(yīng)透射性第二導(dǎo)體320中。舉例而言，為形成一或多個(gè)第三導(dǎo)體，可使用印刷于透射性第二導(dǎo)體320之相應(yīng)部分或?qū)由现畬?dǎo)電墨水或聚合物(例如銀墨水、CNT或聚乙烯-二氧噻吩聚合物)形成一或多個(gè)精細(xì)導(dǎo)線，或可使用印刷于較大顯示器中之較大整體透明第二導(dǎo)體320上之導(dǎo)電墨水或聚合物形成一或多個(gè)精細(xì)導(dǎo)線(例如具有網(wǎng)格或梯形圖案)。[0566]可等效地用于形成實(shí)質(zhì)上光學(xué)透射性第二導(dǎo)體320之其他化合物包括如上所述之氧化銦錫(ΙΤ0)，及此項(xiàng)技術(shù)中當(dāng)前已知或可能即將知曉之其他透射性導(dǎo)體，包括一或多種上文所論述之導(dǎo)電聚合物，諸如可以商標(biāo)名「Orgacon」得到之聚乙烯-二氧噻吩，及各種基于碳及/或碳奈米管之透明導(dǎo)體。代表性透射性導(dǎo)電材料可例如得自DuPont，諸如7162及7164AT0半透明導(dǎo)體。透射性第二導(dǎo)體320亦可與各種黏合劑、聚合物或載劑組合，包括先前所論述之黏合劑、聚合物或載劑，諸如在各種條件下可固化(諸如暴露于紫外線輻射可固化(uv可固化))之黏合劑。[0567]可能必要或需要時(shí)，視情況存在之穩(wěn)定化層335可沈積于第二導(dǎo)體320上，且用于保護(hù)第二導(dǎo)體320以防止發(fā)光(或發(fā)射)層325或任何插入保形涂層使第二導(dǎo)體320之導(dǎo)電性降級(jí)?？墒褂糜上挛?參考保護(hù)涂層330)論述之任何墨水、化合物或涂料形成之一或多個(gè)比較薄之涂層，諸如Nazdar9727透明基質(zhì)或DuPont5018或紅外光可固化樹脂,諸如于環(huán)己醇中之約7%聚乙烯醇縮丁醛。另外，穩(wěn)定化層335中亦可視情況包括熱耗散及/或光散射粒子。例示性穩(wěn)定化層呈干燥或固化形式時(shí)通常為約10微米至40微米。[0568]作為可選方案，可使用碳電極322(說明為322A及322B)在密封或保護(hù)層330外部與一或多個(gè)第一導(dǎo)體310及一或多個(gè)第二導(dǎo)體320形成接觸，如對(duì)于各個(gè)例示性具體實(shí)例所說明，且有助于保護(hù)一或多個(gè)第一導(dǎo)體310及一或多個(gè)第二導(dǎo)體320免遭腐蝕及磨損。在一例示性具體實(shí)例中，使用碳墨水，諸如AcheSOn440A，其濕膜厚度大致為約18微米至20微米且干燥或固化之膜厚度大致為約7微米至10微米。[0569]亦作為圖102及103中所說明之可選方案，可使用視情況存在之第三導(dǎo)電層312，且可包含本文對(duì)于一或多個(gè)第一導(dǎo)體310及/或一或多個(gè)第二導(dǎo)體320所述之任何導(dǎo)電材料。[0570]一或多個(gè)發(fā)光(或發(fā)射)層325(例如包含一或多個(gè)磷光體層或涂層)可沈積于穩(wěn)定化層335上(或當(dāng)不使用穩(wěn)定化層335時(shí)，沈積于第二導(dǎo)體320上)，或直接沈積于裝置700具體實(shí)例之基底305A的第二側(cè)上。亦可使用多個(gè)發(fā)光(或發(fā)射)層325，如所說明，諸如裝置300、300A、300C、300D、700、700A、720、730、740、750、760、770之各側(cè)上一個(gè)發(fā)光(或發(fā)射)層325。在一例示性具體實(shí)例(諸如LED具體實(shí)例)中,例如(但不加以限制),可諸如經(jīng)由上文所論述之印刷或涂布制程將一或多個(gè)發(fā)射層325沈積于裝置300具體實(shí)例之穩(wěn)定化層335之整個(gè)表面上(或當(dāng)不使用穩(wěn)定化層335時(shí)，沈積于第二導(dǎo)體320上)，或直接沈積于裝置700具體實(shí)例之基底305A的第二側(cè)上，或兩者。一或多個(gè)發(fā)射層325可由任何能夠或適于回應(yīng)于自二極體100-100L所發(fā)射之光(或其他電磁福射)發(fā)射可見光譜中之光或使發(fā)射光之頻率(或任何所選頻率之其他電磁輻射)移位(例如斯托克斯移位)的物質(zhì)或化合物形成。舉例而言，基于黃色磷光體之發(fā)射層325可與發(fā)射藍(lán)光的二極體100-100L—起使用以產(chǎn)生實(shí)質(zhì)上白光。該等發(fā)光化合物包括各種磷光體，其可以各種形式中之任一者且與各種摻雜劑中之任一者一起提供。形成一或多個(gè)發(fā)射層325的發(fā)光化合物或粒子可以具有各種黏合劑之聚合物形式使用或懸浮，且亦可單獨(dú)與各種黏合劑(諸如可自DuPont或ConductiveCompounds獲得之磷光體黏合劑)組合，有助于印刷或其他沈積制程，且使磷光體黏著至下伏層及后續(xù)上覆層。亦可以u(píng)v可固化或熱可固化形式提供一或多個(gè)發(fā)射層325。[0571]多種等效的發(fā)光或其他光發(fā)射性化合物可用且處于本發(fā)明范疇內(nèi)，包括(不限于):(1)G1758、G2060、G2262、G3161、EG2762、EG3261、EG3560、EG3759、Y3957、EY4156、EY4254、EY4453、EY4651、EY4750、05446、05544、05742、06040、R630、R650、R6733、R660、R670、NYAG-1、NYAG-4、NYAG-2、NYAG-5、NYAG-3、NYAG-6、TAG-1、TAG-2、SY450-A、SY450-B、SY460-A、SY460-B、0G450-75、0G450-27、0G460-75、0G460-27、RG450-75、RG450-65、RG450-55、RG450-50、RG450-45、RG450-40、RG450-35、RG450-30、RG450-27、RG460-75、RG460-65、RG460-55、RG460-50、RG460-45、RG460-40、RG460-35、RG460-30及RG460-27，可自Fremont,California,USA之Intematix獲得;(2)13C1380、13D1380、14C1220及GG-84，可自Towanda,Pennsylvania,USA之GlobalTungsten&Powders公司獲得；(3)FL63/S_D1、HPL63/F-F1、HL63/S-D1、QMK58/F-U1、QUMK58/F-D1、KEMK63/F-P1、CPK63/N-U1、ZMK58/N-Dl及UKL63/F-U1,可自Herts,England之PhosphorTechnology有限公司獲得；(4)BYffO1A/PTCW01AN,BYW01B/PTCW01BN,BUV0R02、BUVGO1、BUVR02、BUVY02、BUVG02、BUVR03/PTCR03及BUVY03，可自LithiaSprings,Georgia,USA之PhosphorTech公司獲得；以及(5)Hawaii655>Maui535、Bermuda465及Bahama560,可自Princeton,NewJersey,USA之LightscapeMaterials公司獲得。另外,視所選具體實(shí)例而定,在任何該種發(fā)光(或發(fā)射)層325內(nèi)可包括著色劑、染料及/或摻雜劑。在一例示性具體實(shí)例中，使用釔鋁石榴石(「YAG」)憐光體，其可自PhosphorTechnology有限公司及GlobalTungsten&Powders公司獲得，諸如含40%YAG之uv可固化樹脂(其濕膜及干燥/固化膜厚度為約40至100微米)，或含70%YAG之紅外光可固化樹脂-溶劑系統(tǒng)(諸如約5%聚乙烯醇縮丁醛于約95%環(huán)己醇中)(其濕膜厚度為約15微米至17微米且干燥/固化膜厚度為約13微米至15微米)。另外，用于形成發(fā)射層325之磷光體或其他化合物可包括在特定光譜(諸如綠色或藍(lán)色)內(nèi)發(fā)射之摻雜齊U。在彼等狀況下，發(fā)射層可經(jīng)印刷以界定任何既定或所選色彩(諸如RGB或CMYK)之像素以提供彩色顯示。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解任何裝置300具體實(shí)例亦可包含該一或多個(gè)發(fā)射層325耦接至或沈積于穩(wěn)定化層335或第二導(dǎo)體320上。[0572]視用于形成一或多個(gè)第二導(dǎo)體320之溶劑而定，可使用視情況存在之一或多個(gè)障壁層318，如圖103中所說明，諸如以防止一或多個(gè)第二導(dǎo)體320的化合物穿透介電層315至一或多個(gè)第一導(dǎo)體310。在一例示性具體實(shí)例中，使用黏度調(diào)節(jié)劑，諸如E-10黏度調(diào)節(jié)劑或上文所論述之任何其他黏度調(diào)節(jié)劑，使其沈積以形成約IOOnm至200nm之固化或干燥膜或薄膜厚度。亦可使用任何用于形成保護(hù)或密封涂層330或穩(wěn)定化層335之材料來形成一或多個(gè)障壁層318。[0573]裝置300亦可包括視情況存在之保護(hù)或密封涂層330(其亦可與視情況存在之穩(wěn)定化層335組合)，其亦可包括任何類型之透鏡化或光漫射或分散結(jié)構(gòu)或?yàn)V光片，諸如實(shí)質(zhì)上透明之塑膠或其他聚合物以提供保護(hù)而免受各種因素(諸如天氣、空氣傳播之腐蝕性物質(zhì)等)影響，或該種密封及/或保護(hù)功能可由發(fā)射層325所用之聚合物(樹脂或其他黏合劑)提供。為便于說明，圖76、78-82、87、88、91-98、102及103使用虛線說明該種形成保護(hù)或密封涂層330之聚合物(樹脂或其他黏合劑)以指示實(shí)質(zhì)透明度。在一例示性具體實(shí)例中，使用基于胺基甲酸酯之材料(諸如可以NAZDAR9727(www.nazdar.com)獲得之專用樹脂或可自Dusseldorf,Germany之Henkel公司獲得之uv可固化丙烯酸胺基甲酸酯PF455BC)沈積保護(hù)或密封涂層330作為一或多個(gè)保形涂層，達(dá)約10微米至40微米的厚度。在另一例示性具體實(shí)例中，藉由層合裝置300達(dá)成保護(hù)或密封涂層330。未作單獨(dú)說明但如相關(guān)美國專利申請(qǐng)案(美國專利申請(qǐng)案第12/560，334號(hào)、美國專利申請(qǐng)案第12/560，340號(hào)、美國專利申請(qǐng)案第12/560，355號(hào)、美國專利申請(qǐng)案第12/560，364號(hào)及美國專利申請(qǐng)案第12/560，371號(hào)，以全文引用之方式并入本文中，具有如同在本文中闡述其全文一般之相同完全效力)中所論述，復(fù)數(shù)個(gè)透鏡(懸浮于聚合物(樹脂或其他黏合劑)中)亦可直接沈積于一或多個(gè)發(fā)射層325及其他特征上，形成各種發(fā)光裝置300具體實(shí)例中之任一者。[0574]熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解在所主張之本發(fā)明范疇內(nèi)可使用任何數(shù)目的第一導(dǎo)體310、絕緣體315、第二導(dǎo)體320等。另外，除所說明之定向之外，任何裝置300的復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)體310、一或多個(gè)絕緣體(或介電層)315及復(fù)數(shù)個(gè)第二導(dǎo)體320(以及任何并入之相應(yīng)及視情況存在之一或多個(gè)第三導(dǎo)體)可能存在多種定向及組態(tài)，諸如實(shí)質(zhì)上平行定向。舉例而言，復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)體310可皆實(shí)質(zhì)上彼此平行，且復(fù)數(shù)個(gè)第二導(dǎo)體320亦可皆實(shí)質(zhì)上彼此平行。隨后，復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)體310與復(fù)數(shù)個(gè)第二導(dǎo)體320可彼此垂直(界定列及行)，因此其重迭區(qū)域可用于界定像元(「像素」)且可各別且獨(dú)立地定址。當(dāng)復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)體310及復(fù)數(shù)個(gè)第二導(dǎo)體320中之任一者或兩者可建構(gòu)成具有預(yù)定寬度之間隔開且實(shí)質(zhì)上平行之線(兩者皆界定列或兩者皆界定行)時(shí)，其亦可由列及/或行定址，例如(但不限于)對(duì)各列接連地進(jìn)行順序定址)。另外，復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)體310及復(fù)數(shù)個(gè)第二導(dǎo)體320中之任一者或兩者可建構(gòu)成如上所述之層狀物或薄板。[0575]如可自本發(fā)明所顯而易見，視復(fù)合材料(諸如基底305)之選擇而定，例示性裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770可經(jīng)設(shè)計(jì)并制造成具有高度可撓性及可變形性，可能甚至可折迭、可拉伸且可能可穿著，而非硬質(zhì)的。舉例而言(但不加以限制)，例示性裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750,760,770可包含可撓性、可折迭及可穿著之衣服或可撓性燈或壁紙燈。例示性裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770因具有該可撓性而可經(jīng)輥軋(諸如海報(bào))，或如紙張一樣折迭且在再打開時(shí)發(fā)揮完全功能。亦舉例而言，例示性裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770因具有該可撓性而可具有多種形狀及尺寸，且可經(jīng)組態(tài)以用于多種任何風(fēng)格及其他美學(xué)目標(biāo)。該例示性裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770亦比先前技術(shù)器件具有顯著更大之彈性，易破碎性及脆性比(例如)典型之大螢?zāi)浑娨曅〉枚?。[0576]如上所示，復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L可經(jīng)組態(tài)(經(jīng)由材料選擇及相應(yīng)摻雜)為例如(但不限于)光電(PV)二極體或LED。圖84為第一例不性系統(tǒng)350具體實(shí)例的方塊圖,其中復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L建構(gòu)成任何類型或色彩之LED。系統(tǒng)350包含發(fā)光裝置300A、300C、300D、300C、300D、700A(及二極體為LED之任何裝置720、730、740、750、760、770)、可耦接至電源340(諸如AC線或DC電池組)的介面電路355及視情況存在之控制器345(具有控制邏輯電路360及視情況存在之記憶體365)。(裝置300A在其他方面一般與裝置300相同，但具有復(fù)數(shù)個(gè)建構(gòu)成LED的二極體100-100L，且對(duì)于裝置300C、300D具體實(shí)例，具有雙偵牝且同樣，裝置700A在其他方面一般與裝置700相同，但具有復(fù)數(shù)個(gè)建構(gòu)成LED的二極體IOO-1OOL0)當(dāng)諸如經(jīng)由施加相應(yīng)電壓(例如，自電源340)使一或多個(gè)第一導(dǎo)體310及一或多個(gè)第二導(dǎo)體320(或第三導(dǎo)體312)通電時(shí)，能量將供應(yīng)至復(fù)數(shù)個(gè)LED(二極體100-100L)中之一或多者，完全越過裝置300A、300C、300D、300C、300D、700A、720、730、740、750、760、770(當(dāng)導(dǎo)體及絕緣體各自建構(gòu)成單個(gè)層時(shí))，或于通電的第一導(dǎo)體310與第二導(dǎo)體320之相應(yīng)相交處(重迭區(qū))，該等相交處視其定向及組態(tài)界定例如像素、薄板或列/行。因此，藉由選擇性地使第一導(dǎo)體310及第二導(dǎo)體320通電，裝置300A(及/或系統(tǒng)350)提供像素可定址性動(dòng)態(tài)顯示器或照明器件或標(biāo)牌等。舉例而言，復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)體310可包含相應(yīng)復(fù)數(shù)列，且復(fù)數(shù)個(gè)透射性第二導(dǎo)體320包含相應(yīng)復(fù)數(shù)行，其中各像素由相應(yīng)列與相應(yīng)行之相交或重迭所界定。當(dāng)復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)體310及復(fù)數(shù)個(gè)第二導(dǎo)體320中之任一者或兩者可建構(gòu)為如圖76-82、87、88、91-98、102、103中所說明時(shí)，亦例如，使導(dǎo)體310、320通電將為實(shí)質(zhì)上所有(或大部分)復(fù)數(shù)個(gè)LED(二極體100-100L)提供電力，諸如以使照明器件或靜態(tài)顯示器(諸如標(biāo)牌)發(fā)光。該像素計(jì)數(shù)可能相當(dāng)高，遠(yuǎn)高于典型高清晰度水準(zhǔn)。[0577]繼續(xù)參考圖84，裝置300A、300C、300D、300C、300D、700A、720、730、740、750、760、770經(jīng)由介面電路355耦接至電源340，且亦視情況耦接至控制器345，該電源340可為DC電源(諸如電池組或光電電池)或AC電源(諸如家用或建筑電力)。介面電路355可以多種方式具體化，諸如全波整流器或半波整流器、阻抗匹配電路、減少DC漣波之電容器、耦接至AC線之開關(guān)電源等，且可包括例如(但不限于)多種控制二極體100-100L之通電的組件(未作單獨(dú)說明)。當(dāng)控制器345經(jīng)建構(gòu)諸如用于可定址發(fā)光顯示系統(tǒng)350具體實(shí)例及/或動(dòng)態(tài)發(fā)光顯示系統(tǒng)350具體實(shí)例時(shí)，控制器345可如電子技術(shù)中已知或即將知曉用于控制二極體100-100L之通電(經(jīng)由各種復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)體310及復(fù)數(shù)個(gè)透射性第二導(dǎo)體320)，且通常包含控制邏輯電路360(其可為組合邏輯電路、有限狀態(tài)機(jī)、處理器等)及記憶體365。亦可使用其他輸入/輸出(I/O)電路。當(dāng)未建構(gòu)控制器345，諸如用于各種照明系統(tǒng)350具體實(shí)例(其通常不可定址及/或?yàn)榉莿?dòng)態(tài)發(fā)光顯示系統(tǒng)350具體實(shí)例)時(shí)，系統(tǒng)350通常耦接至電開關(guān)或電子開關(guān)(未作單獨(dú)說明)，該電開關(guān)或電子開關(guān)可包含任何適合類型之開關(guān)布置，諸如用于照明系統(tǒng)開啟、關(guān)閉及/或減光。下文在論述圖100-103、85及86之后更詳細(xì)論述控制邏輯電路360、記憶體365。[0578]介面電路355可如此項(xiàng)技術(shù)中已知或可能即將知曉來建構(gòu)，且可包括阻抗匹配能力、電壓整流電路、使低電壓處理器與例如較高電壓控制匯流排成介面之電壓轉(zhuǎn)換、回應(yīng)于自控制邏輯電路360之傳信開啟或關(guān)閉各種線或連接器之各種開關(guān)機(jī)構(gòu)(例如電晶體)及/或物理耦接機(jī)構(gòu)。另外，介面電路355亦可經(jīng)調(diào)適例如以諸如經(jīng)由硬連線或RF傳信以自系統(tǒng)350外部接收及/或傳輸信號(hào)，例如以接收即時(shí)資訊來控制動(dòng)態(tài)顯示器，或亦例如以控制光輸出之亮度(減光)。介面電路355A亦可為獨(dú)立器件(例如模組)且可由例如與經(jīng)組態(tài)以搭扣連接至、旋擰至、鎖接至或以其他方式耦接至介面電路355A之裝置760、770再使用，因此介面電路355A可隨時(shí)間推移由多個(gè)替換裝置760、770重復(fù)使用。[0579]舉例而言，如圖100中所說明，例示性系統(tǒng)具體實(shí)例800、810包含裝置760(若使用二極體100-100K建構(gòu))或裝置770(若使用二極體100L建構(gòu))(其中復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L為發(fā)光二極體)，及介面電路355以配合燈泡之各種標(biāo)準(zhǔn)淺圓螺紋插座(Edisonsocket)中之任一者。繼續(xù)舉例而言(但不加以限制)，介面電路355可訂定尺寸且成型以符合一或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化螺旋組態(tài)，諸如E12、E14、E26及/或E27螺旋座標(biāo)準(zhǔn),諸如中型螺旋座(E26)或燭臺(tái)形螺旋座(candelabrascrewbase)(E12),及/或由例如美國國家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)(AmericanNationalStandardsInstitute,「ANSI」)及/或照明工程學(xué)會(huì)(IlluminatingEngineeringSociety)所發(fā)布之其他各種標(biāo)準(zhǔn)。在其他例示性具體實(shí)例中，介面電路355可訂定尺寸且成型以符合例如(但不限于)標(biāo)準(zhǔn)螢光燈泡插座或雙插塞插座，諸如GU-10插座。該種例示性系統(tǒng)具體實(shí)例亦可等效地視作另一類型之裝置，當(dāng)具有適于插入例如(但不限于)淺圓螺紋插座或螢光插座中之形態(tài)因數(shù)時(shí)尤其如此。[0580]舉例而言，基于LED之「燈泡」可形成為具有類似于傳統(tǒng)白熾電燈泡之設(shè)計(jì)，具有螺旋型連接件作為介面電路355之一部分，諸如ES、E27、SES或E14，其可經(jīng)調(diào)適以與任何電源插座類型連接，例如(但不限于)L1、PL-2插腳、PL-4插腳、G9鹵素膠囊燈(halogencapsule)、G4鹵素膠囊燈、⑶10、⑶5.3、卡口、小卡口或此項(xiàng)技術(shù)中已知之任何其他連接件。[0581]裝置300A、300C、300D、700及第一系統(tǒng)350可用于形成多種照明器件或其他照明產(chǎn)品，用于多種目的，用作燈泡及燈管、燈、照明器具、室內(nèi)及室外照明、經(jīng)組態(tài)以具有燈罩形態(tài)因數(shù)之燈、建筑照明、工作或作業(yè)照明、裝飾或情調(diào)照明、頂部照明、安全照明、可減光照明、彩色照明、劇場及/或色彩可變照明、顯示照明及具有本文所提及之各種裝飾或想象形式中之任一者的照明。未作單獨(dú)說明，第一系統(tǒng)350—般亦包括處于系統(tǒng)350內(nèi)之呈任何所需形狀或形式的各種機(jī)械結(jié)構(gòu)以提供對(duì)裝置300A、300C、300D之足夠物理支撐。[0582]參考圖100，例示性系統(tǒng)800包含裝置760及介面電路355A，且例示性系統(tǒng)810包含裝置770及介面電路355A。介面電路355A經(jīng)組態(tài)以配合于標(biāo)準(zhǔn)愛迪生燈泡螺旋型插座中以耦接至標(biāo)準(zhǔn)AC電源(諸如AC總線)(未作單獨(dú)說明)。該介面電路355A通常包含整流電路以使AC電壓轉(zhuǎn)換為DC電壓，且亦可包括阻抗匹配電路及各種電容器及/或電阻器(且常包括使用電晶體建構(gòu)之開關(guān))以減少DC電壓之漣波，如LED照明及LED電力供應(yīng)領(lǐng)域中已知。如圖102及103中所說明，裝置760包含復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100K，而裝置770包含復(fù)數(shù)個(gè)二極體100L，裝置結(jié)構(gòu)及材料之相應(yīng)差異如上文所論述且如下文所更詳細(xì)論述。圖100亦用以說明例示性裝置(300、300A、300B、300C、300D、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770)之極薄且可撓的形態(tài)因數(shù)，其已扭轉(zhuǎn)并折迭成奇特之裝飾形式。[0583]圖101為說明裝置760、770之印刷布局的平面圖。如所說明，裝置760、770印刷成具有極薄形態(tài)因數(shù)之平坦薄板，接著在區(qū)域716中進(jìn)行刀模切割，形成比較窄之燈條717(串聯(lián)耦接，如上文所述)。電極(說明為碳電極322A、322B)提供于各末端處。接著卷曲裝置760,770且使燈條717之末端718聚集于一起且彼此重迭呈環(huán)形，通向電極322A及322B以經(jīng)由介面電路355A向裝置760、770提供電力，且燈條717彼此間存在一定間隔，如圖100中所說明。[0584]參考圖102，裝置760類似于其他所說明之裝置，其中再增加兩層，即一或多個(gè)第三導(dǎo)體312(其亦可使用本文所論述之任何透明或不透明導(dǎo)電墨水及化合物沈積為單層)及在一或多個(gè)第三導(dǎo)體312與一或多個(gè)第一導(dǎo)體310之間的另外介電層(說明為315A以使其區(qū)別于說明為315B之另一介電層)。使用一或多個(gè)第三導(dǎo)體312以沿?zé)魲l717之邊緣提供電力(例如電壓位準(zhǔn))且耦接至一或多個(gè)第二導(dǎo)體320(其可沈積為如上文所論述之透明導(dǎo)電材料層)，且提供降低裝置760之總阻抗、電流位準(zhǔn)及功率消耗的方法，有效地充當(dāng)沿各燈條717之長度的并聯(lián)匯流排。[0585]參考圖103，裝置770亦類似于其他所說明之裝置，其中再增加三層:(I)一或多個(gè)第三導(dǎo)體312(其亦可使用本文論述之任何透明或不透明導(dǎo)電墨水及化合物沈積為單層)；(2)在一或多個(gè)第三導(dǎo)體312與一或多個(gè)第二導(dǎo)體320之間的另外介電層(說明為315A以使其區(qū)別于說明為315B之另一介電層);及(3)如上所述沈積于介電層315B與一或多個(gè)第二導(dǎo)體320之間的一或多個(gè)障壁層318。使用一或多個(gè)第三導(dǎo)體312以沿?zé)魲l717之邊緣提供電力(例如電壓位準(zhǔn))且耦接至一或多個(gè)第一導(dǎo)體310，且亦提供降低裝置770之總阻抗、電流位準(zhǔn)及功率消耗的方法，亦有效地充當(dāng)沿各燈條717之長度的并聯(lián)匯流排。[0586]各種光輸出水準(zhǔn)中之任一者可由裝置300A、300C、300D、300C、300D、700A、720、730、740、750、760、770提供，且一般將基于所用二極體100-100L之濃度、第一系統(tǒng)350中所用之裝置300A、300C、300D、300C、300D、700A、720、730、740、750、760、770之?dāng)?shù)目、所選或允許之功率消耗及施加電壓及/或電流位準(zhǔn)而變化。在一例示性具體實(shí)例中，裝置300A、300C、300D、300C、300D、700A、720、730、740、750、760、770可提供例如(但不限于)約25流明至1300流明范圍內(nèi)之光輸出，視功率消耗、二極體IOO-1OOL之濃度或密度、二極體100-100L之電流位準(zhǔn)(亦即驅(qū)動(dòng)二極體100-100L之難度)、總阻抗位準(zhǔn)等而定。[0587]如上所示，復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L亦可經(jīng)組態(tài)(經(jīng)由材料選擇及相應(yīng)摻雜)為光電(PV)二極體。圖85為第二例示性系統(tǒng)375具體實(shí)例的方塊圖，其中二極體100-100L建構(gòu)成光電(PV)二極體。系統(tǒng)375包含裝置300B、700B(其在其他方面一般與裝置300、700(或任何其他所說明之裝置)相同，但具有復(fù)數(shù)個(gè)建構(gòu)成光電(PV)二極體的二極體100-100L)，且包含能量儲(chǔ)存器件380(諸如電池組)或介面電路385中之任一者或兩者以將電力或能量傳遞至另一系統(tǒng)(未作單獨(dú)說明)，例如機(jī)動(dòng)器件或電力設(shè)施。(在不包含介面電路385之其他例示性具體實(shí)例中，可使用其他電路組態(tài)以直接向該能量使用裝置或系統(tǒng)抑或能量分配裝置或系統(tǒng)提供能量或電力。)在系統(tǒng)375內(nèi)，裝置300B、700B之一或多個(gè)第一導(dǎo)體310(或電極322A)耦接形成第一端子(諸如負(fù)或正端子)，且裝置300B、700B之一或多個(gè)第二導(dǎo)體320(或電極322B)耦接形成第二端子(諸如相應(yīng)正或負(fù)端子)，其接著可耦接以連接至能量儲(chǔ)存器件380或介面電路385中之任一者或兩者。當(dāng)光(諸如日光)入射至裝置300B、700B上時(shí)，光可集中于一或多個(gè)光電(PV)二極體100-100L上，其隨后將入射光子轉(zhuǎn)換成電子電洞對(duì)，使得第一端子及第二端子上產(chǎn)生輸出電壓且輸出至能量儲(chǔ)存器件380或介面電路385中之任一者或兩者。[0588]應(yīng)注意，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體310具有圖77中所說明之相間錯(cuò)雜或梳狀結(jié)構(gòu)時(shí)，可使用第一導(dǎo)體310B使第二導(dǎo)體320通電，或同樣，可接收第一導(dǎo)體310A及310B上所產(chǎn)生之電壓。[0589]圖86為說明用于制造裝置300、300A、300B、300C、300D、700、700A、700B、720、730、740、750、760、770的例示性方法具體實(shí)例的流程圖，且提供適用概述。自起始步驟400開始，諸如藉由印刷導(dǎo)電墨水或聚合物或用一或多種金屬氣相沈積、濺鍍或涂布基底(305)，繼而固化或部分固化導(dǎo)電墨水或聚合物，或可能移除不必要位置上沈積之金屬(視具體實(shí)施而定)將一或多個(gè)第一導(dǎo)體(310)沈積于基底(305)上(步驟405)。接著亦通常經(jīng)由印刷或涂布將已通常懸浮于液體、膠體或其他化合物或混合物(亦可包括復(fù)數(shù)個(gè)惰性粒子292)中(例如懸浮于二極體墨水中)的復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L沈積于一或多個(gè)第一導(dǎo)體上(步驟410)，以在復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L與一或多個(gè)第一導(dǎo)體之間形成歐姆接觸(其亦可涉及例如(但不限于)各種化學(xué)反應(yīng)、壓縮及/或加熱)。對(duì)于裝置700具體實(shí)例，如上文所論述，步驟405與410按相反次序進(jìn)行。[0590]接著將介電或絕緣材料(諸如介電墨水)沈積于復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L上或周圍，諸如圍繞二極體100-100L周邊(且固化或加熱)(步驟415)，形成一或多個(gè)絕緣體或介電層315。對(duì)于裝置760具體實(shí)例，未作單獨(dú)說明，可沈積一或多個(gè)第三導(dǎo)體312及介電層315A(作為步驟405及415)，接著繼而進(jìn)行另一步驟405及步驟410。對(duì)于裝置770具體實(shí)例，亦可沈積障壁層318，其亦未作單獨(dú)說明。其次，接著將一或多個(gè)第二導(dǎo)體320(其可能具或可能不具光學(xué)透射性)沈積于復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L上且與復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L形成接觸，諸如沈積于介電層315上且圍繞二極體100-100L的上表面且固化(或加熱)(步驟420)，亦在一或多個(gè)第二導(dǎo)體(320)與復(fù)數(shù)個(gè)二極體100-100L之間形成歐姆接觸。在例示性具體實(shí)例中，諸如對(duì)于可定址顯示器，復(fù)數(shù)個(gè)(透射性)第二導(dǎo)體320經(jīng)定向成實(shí)質(zhì)上垂直于復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)體310。對(duì)于裝置770具體實(shí)例，未作單獨(dú)說明，可沈積介電層315A(作為步驟415)，繼而沈積一或多個(gè)第三導(dǎo)體312(作為步驟405)。[0591]作為另一可選方案，在步驟420之前或期間，可進(jìn)行測試，其中移除或停用無功能或另外有缺陷的二極體100-100L。舉例而言，對(duì)于PV二極體，可用雷射或其他光源掃描部分完成之裝置的表面(第一側(cè))且當(dāng)區(qū)域(或個(gè)別二極體100-100L)不提供預(yù)期之電響應(yīng)時(shí)，可使用高強(qiáng)度雷射或其他移除技術(shù)將其移除。亦舉例而言，對(duì)于已通電的發(fā)光二極體，可用光感測器掃描表面(第一側(cè))，且當(dāng)區(qū)域(或個(gè)別二極體100-100L)不提供預(yù)期之光輸出及/或汲取過量電流(亦即電流超過預(yù)定量)時(shí)，亦可使用高強(qiáng)度雷射或其他移除技術(shù)將其移除。視具體實(shí)施而定，諸如視如何移除無功能或有缺陷的二極體100-100L而定，該測試步驟實(shí)際上可在下文論述的步驟425、430或435之后進(jìn)行。接著將穩(wěn)定化層335沈積于一或多個(gè)第二導(dǎo)體320或如對(duì)于各個(gè)裝置所說明之其他層上(步驟425)，繼而于穩(wěn)定化層上沈積發(fā)射層325(步驟430)。在裝置700具體實(shí)例中，如上所述，層325通常沈積于基底305A的第二側(cè)上。接著亦通常經(jīng)由印刷將亦通常已懸浮于聚合物、黏合劑或其他化合物或混合物中以形成透鏡化或透鏡粒子墨水或懸浮液的復(fù)數(shù)個(gè)透鏡(未作單獨(dú)說明)置于或沈積于發(fā)射層上，或?qū)瑧腋∮诰酆衔镏械膹?fù)數(shù)個(gè)透鏡的預(yù)成型透鏡面板附接至部分完成之裝置的第一側(cè)(諸如經(jīng)由層合制程)，繼而視情況沈積保護(hù)涂層(及/或所選色彩)(諸如經(jīng)由印刷)(步驟355)，且該方法可結(jié)束，返回步驟440。[0592]再參考圖84，控制邏輯電路360可為任何類型之控制器、處理器或控制邏輯電路，且可具體化為一或多個(gè)處理器以執(zhí)行本文論述之功能性。由于本文使用術(shù)語處理器，所以處理器360可包括使用單個(gè)積體電路(「1C」)，或可包括使用復(fù)數(shù)個(gè)積體電路或其他連接、排列或會(huì)集在一起的組件，諸如控制器、微處理器、數(shù)位信號(hào)處理器(「DSP」)、并行處理器、多核處理器、定制積體電路、特殊應(yīng)用積體電路(「ASIC」)、現(xiàn)場可程式閘陣列(「FPGA」)、自適應(yīng)計(jì)算1C、相關(guān)記憶體(諸如RAM、DRAM及ROM)以及其他IC及組件。因此，如本文所用之術(shù)語處理器應(yīng)理解為等效地意謂且包括單個(gè)1C，或定制積體電路、ASIC、處理器、微處理器、控制器、FPGA、自適應(yīng)計(jì)算IC或一些其他執(zhí)行下文所論述之功能的積體電路群組之配置，及相關(guān)記憶體，諸如微處理器記憶體或其他RAM、DRAM、SDRAM、SRAM、MRAM、ROM、FLASH、EPROM或E2PR0M。處理器及其相關(guān)記憶體可經(jīng)調(diào)適或組態(tài)(經(jīng)由程式化、FPGA互連或硬連線)以執(zhí)行本發(fā)明的方法，諸如對(duì)于動(dòng)態(tài)顯示器具體實(shí)例進(jìn)行選擇性像素定址，或諸如對(duì)于標(biāo)牌具體實(shí)例進(jìn)行列/行定址。舉例而言，方法可處理器及其相關(guān)記憶體(及/或記憶體365)及其他等效組件中程式化且儲(chǔ)存為一組程式指令或其他編碼(或等效組態(tài)或其他程式)用于后續(xù)在處理器可操作(亦即通電且起作用)時(shí)執(zhí)行。等效地，當(dāng)控制邏輯電路360可完全或部分建構(gòu)成FPGA、定制積體電路及/或ASIC時(shí)，該等FPGA、定制積體電路或ASIC亦可經(jīng)設(shè)計(jì)、組態(tài)及/或硬連線以執(zhí)行本發(fā)明的方法。舉例而言，控制邏輯電路360可建構(gòu)成處理器、控制器、微處理器、DSP及/或ASIC之配置，統(tǒng)稱為「控制器」或「處理器」，其分別經(jīng)程式化、設(shè)計(jì)、調(diào)適或組態(tài)以連同記憶體365—起執(zhí)行本發(fā)明的方法。[0593]控制邏輯電路360及其相關(guān)記憶體可經(jīng)組態(tài)(經(jīng)由程式化、FPGA互連或硬連線)以控制向各種復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)體310及復(fù)數(shù)個(gè)第二導(dǎo)體320(及視情況存在之一或多個(gè)第三導(dǎo)體312)通電(施加電壓)，以相應(yīng)控制正在顯示之資訊。舉例而言，靜態(tài)或時(shí)變顯示資訊可在控制邏輯電路360及其相關(guān)記憶體(及/或記憶體365)及其他等效組件中程式化并儲(chǔ)存、組態(tài)及/或硬連線為一組程式指令(或等效組態(tài)或其他程式)用于后續(xù)在控制邏輯電路360可操作時(shí)執(zhí)行形式。[0594]可包括資料儲(chǔ)存庫(或資料庫)的記憶體365可以多種形式具體化，包括于當(dāng)前已知或?qū)砜傻弥魏坞娔X或其他機(jī)器可讀資料儲(chǔ)存媒體、記憶體器件或其他用于資訊儲(chǔ)存或通信之儲(chǔ)存或通信器件內(nèi)，包括(但不限于)記憶體積體電路(「1C」)或積體電路之記憶體部分(諸如處理器內(nèi)之常駐記憶體)，其可為揮發(fā)性或非揮發(fā)性、可卸除式或不可卸除式記憶體，包括(不限于)RAM、FLASH、DRAM、SDRAM、SRAM、MRAM、FeRAM、ROM、EPROM或E2PR0M，或任何其他記憶體器件形式，諸如磁性硬碟機(jī)、光碟機(jī)、磁碟或磁帶機(jī)、硬碟機(jī)、其他機(jī)器可讀儲(chǔ)存或記憶體媒體，諸如軟碟、CDROM、CD-RW、數(shù)位多功能光碟(DVD)或其他光記憶體，或已知或即將知曉之任何其他類型之記憶體、儲(chǔ)存媒體或資料儲(chǔ)存裝置或電路，視所選具體實(shí)例而定。另外，該種電腦可讀媒體包括任何通信媒體形式，其可使電腦可讀指令、資料結(jié)構(gòu)、程式模組或其他資料具體化成資料信號(hào)或調(diào)變信號(hào)，諸如電磁或光學(xué)載波或其他傳送機(jī)構(gòu)，包括任何資訊傳輸媒體，其可以有線或無線方式將資料或其他資訊編碼成信號(hào)，包括電磁、光學(xué)、聲學(xué)、RF或紅外信號(hào)等。記憶體365可經(jīng)調(diào)適以儲(chǔ)存各種查找表、參數(shù)、系數(shù)、其他資訊及資料、(本發(fā)明軟體之)程式或指令，及其他類型之表格，諸如資料庫表。[0595]如上文所示，使用例如本發(fā)明之軟體及資料結(jié)構(gòu)使處理器360程式化以執(zhí)行本發(fā)明的方法。因此，本發(fā)明的系統(tǒng)及方法可具體化為提供上文所論述的該等程式化或其他指令(諸如具體化于電腦可讀媒體內(nèi)之一組指令及/或元資料)的軟體。另外，元資料亦可用于定義查找表或資料庫之各種資料結(jié)構(gòu)。該軟體可呈例如(但不限于)原始碼或目標(biāo)碼形式。原始碼進(jìn)一步可編譯成某種形式的指令或目標(biāo)碼(包括組合語言指令或組態(tài)資訊)。本發(fā)明的軟體、原始碼或元資料可具體化為任何類型之編碼，諸如C、C++、SyStemC、LISA、XML、Java、Brew,SQL及其變化形式，或執(zhí)行本文中所論述的功能性的任何其他類型之程式化語言，包括各種硬體定義或硬體模型化語言(例如Verilog、VHDL、RTL)及所得資料庫檔案(例如⑶SII)。因此，如本文中所等效使用之「構(gòu)造」、「程式構(gòu)造」、「軟體構(gòu)造」或「軟體」意謂且指具有任何語法或簽名之任何種類之任何程式化語言，其提供或可經(jīng)解譯以提供所指定之相關(guān)功能性或方法(當(dāng)具現(xiàn)化或載入處理器或電腦(包括例如處理器360)中且執(zhí)行時(shí))。[0596]本發(fā)明之軟體、元資料或其他原始碼以及任何所得位元檔案(目標(biāo)碼、資料庫或查找表)可于任何有形儲(chǔ)存媒體(諸如任何電腦或其他機(jī)器可讀資料儲(chǔ)存媒體)內(nèi)具體化為電腦可讀指令、資料結(jié)構(gòu)、程式模組或其他資料，諸如上文對(duì)于記憶體365所述者，例如如上所述之軟碟、CDROM、CD-RW、DVD、磁性硬碟機(jī)、光碟機(jī)或任何其他類型的資料儲(chǔ)存裝置或媒體。[0597]除圖84中所說明的控制器345之外，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解存在此項(xiàng)技術(shù)中已知之諸多等效組態(tài)、布局、種類及類型之控制電路，其處于本發(fā)明范疇內(nèi)。[0598]盡管已關(guān)于特定具體實(shí)例描述本發(fā)明，但此等具體實(shí)例僅具說明性而非限制本發(fā)明。在本文的描述中，提供許多特定細(xì)節(jié)，諸如電子組件、電子及結(jié)構(gòu)連接、材料及結(jié)構(gòu)變化形式之實(shí)例以充分了解本發(fā)明的具體實(shí)例。然而，熟習(xí)相關(guān)技術(shù)者應(yīng)了解本發(fā)明的具體實(shí)例可在無一或多個(gè)特定細(xì)節(jié)下或以其他裝置、系統(tǒng)、總成、組件、材料、零件等實(shí)踐。在其他情況下，不特定展示或詳細(xì)描述熟知結(jié)構(gòu)、材料或操作以避免使本發(fā)明的具體實(shí)例的態(tài)樣不明確。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)進(jìn)一步了解可使用其他或等效方法步驟，或可與其他步驟組合，或可按不同次序進(jìn)行，其任何及所有者皆處于所主張之本發(fā)明范疇內(nèi)。另外，各圖不按比例描繪且不應(yīng)視作具限制性。[0599]在本發(fā)明說明書中通篇對(duì)「一個(gè)具體實(shí)例」、「一具體實(shí)例」或一特定「具體實(shí)例」之提及意謂關(guān)于該具體實(shí)例所述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括于至少一個(gè)具體實(shí)例中而未必包括于所有具體實(shí)例中，且此外，未必指同一具體實(shí)例。此外，任何特定具體實(shí)例的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可與一或多個(gè)其他具體實(shí)例以任何適合方式組合且組合成任何適合組合，包括使用所選特征而不相應(yīng)使用其他特征。另外，可作出多種修改以使特定應(yīng)用、情況或材料適于本發(fā)明的基本范疇及精神。應(yīng)了解，根據(jù)本文中的教示有可能對(duì)本文中所描述及說明之本發(fā)明具體實(shí)例作出其他變化及修改，且該等變化及修改將視作本發(fā)明精神及范疇的一部分。[0600]亦應(yīng)了解，圖中所描繪的一或多個(gè)元件亦可以較各別或完整之方式建構(gòu)，或甚至在某些狀況下可移除或使其不可操作，根據(jù)特定應(yīng)用可能適用。整體成形的組件組合亦在本發(fā)明范疇內(nèi)，尤其對(duì)于個(gè)別組件分離或組合不清楚或難辨別的具體實(shí)例。另外，本文中使用術(shù)語「耦接」(包括其各種形式，諸如「可耦接」)意謂且包括任何直接或間接電、結(jié)構(gòu)或磁耦接、連接或附接，或該直接或間接電、結(jié)構(gòu)或磁耦接、連接或附接之適合性或能力，包括整體成形的組件及經(jīng)或經(jīng)由另一組件耦接的組件。[0601]如本文中出于本發(fā)明的目的所用，術(shù)語「LED」及其復(fù)數(shù)形式應(yīng)理解為包括任何電致發(fā)光二極體或能夠回應(yīng)于電信號(hào)產(chǎn)生輻射之其他類型之基于載子注入或接合的系統(tǒng)，包括(但不限于)回應(yīng)于電流或電壓發(fā)光的各種基于半導(dǎo)體或碳之結(jié)構(gòu)、發(fā)光聚合物、有機(jī)LED等，該輻射包括可見光譜或其他光譜(諸如紫外光或紅外光)內(nèi)、任何帶寬或任何色彩或色溫之輻射。亦如本文中出于本發(fā)明的目的所用，術(shù)語「光電二極體(或PV)」及其復(fù)數(shù)形式應(yīng)理解為包括任何光電二極體或能夠回應(yīng)于入射能量(諸如光或其他電磁波)產(chǎn)生電信號(hào)(諸如電壓)之其他類型之基于載子注入或接合之系統(tǒng)，包括(但不限于)回應(yīng)于光產(chǎn)生提供電信號(hào)的各種基于半導(dǎo)體或碳之結(jié)構(gòu)，該光包括可見光譜或其他光譜(諸如紫外光或紅外光)內(nèi)，任何帶寬或光譜之光。[0602]本文中所揭示的尺寸及值不應(yīng)理解為嚴(yán)格限于所述的精確數(shù)值。實(shí)際上，除非另作說明，否則每一該種尺寸意謂所述值及圍繞該值之功能等效范圍。舉例而言，揭示為「40mm」之尺寸意謂「約40mm」。[0603]【【具體實(shí)施方式】】中所引用的所有文獻(xiàn)在相關(guān)部分中以引用方式并入本文中；對(duì)任何文獻(xiàn)的引用不應(yīng)視作承認(rèn)其為關(guān)于本發(fā)明之先前技術(shù)。若本發(fā)明中的術(shù)語的任何意義或定義與以引用方式并入本文中的文獻(xiàn)中同一術(shù)語的任何意義或定義相矛盾，則應(yīng)以本發(fā)明中賦予該術(shù)語的意義或定義為準(zhǔn)。[0604]此外，除非另外特定說明，否則圖式/圖中的任何信號(hào)箭頭應(yīng)視作僅具例示性，而不具限制性。步驟之組成部分的組合亦應(yīng)視作處于本發(fā)明范疇內(nèi)，尤其在不清楚或可預(yù)見能夠分離或組合的情況下。除非另外指示，否則如本文中且貫穿隨附之權(quán)利要求所用之轉(zhuǎn)折術(shù)語「或」一般意謂「及/或」，具有連接及轉(zhuǎn)折兩種意義(而非限于「排他性或」之意義)。除非上下文另外明確規(guī)定，否則如本文描述中及貫穿隨附之權(quán)利要求所用之「一」及「該」包括復(fù)數(shù)個(gè)參考物。除非上下文另外明確規(guī)定，否則亦如本文描述中及貫穿隨附之權(quán)利要求所用之「于...中」的意義包括「于...中」及「于...上」。[0605]上文對(duì)所說明的本發(fā)明具體實(shí)例的描述(包括【【
發(fā)明內(nèi)容】】或【發(fā)明摘要】中所述者)不意欲為詳盡的或使本發(fā)明限于本文所揭示的精確形式。自上文，可觀察到，預(yù)期作出多種變化、修改及替換且可在不背離本發(fā)明新穎概念的精神及范疇下達(dá)成。應(yīng)了解，不應(yīng)預(yù)期或不應(yīng)推斷對(duì)于本文所說明的特定方法及裝置的限制。當(dāng)然，所有該等修改意欲由隨附的權(quán)利要求涵蓋而屬于權(quán)利要求范疇內(nèi)。【權(quán)利要求】1.一種組成物，其包含：復(fù)數(shù)個(gè)二極體，其中該復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的直徑為介于約10微米至50微米之間且高度為介于5微米至25微米之間，在該二極體的第一側(cè)上的第一金屬端子及在該二極體的第二側(cè)(背面）的第二金屬端子；第一溶劑'及黏度調(diào)節(jié)劑。2.如權(quán)利要求1的組成物，其中該第一溶劑以約O.3%重量至50%重量的量存在。3.如權(quán)利要求1的組成物，其中該黏度調(diào)節(jié)劑以約O.30%重量至5%重量的量存在。4.如權(quán)利要求1的組成物，其中該黏度調(diào)節(jié)劑包含至少一種選自由以下組成的群的黏度調(diào)節(jié)劑：黏土（包括鋰膨潤石黏土、膨潤土黏土、有機(jī)改質(zhì)黏土）；醣及多醣（包括瓜爾膠、三仙膠）；纖維素及改質(zhì)纖維素（包括羥甲基纖維素、甲基纖維素、乙基纖維素、丙基甲基纖維素、甲氧基纖維素、甲氧基甲基纖維素、甲氧基丙基甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、乙基羥乙基纖維素、纖維素醚、纖維素乙醚、聚葡萄胺糖）；聚合物（包括丙烯酸酯及（甲基）丙烯酸酯聚合物及共聚物）；二醇（包括乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二醇醚、二醇醚乙酸酯）；聚乙烯吡咯啶酮、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚氧化乙烯、聚乙烯醇縮丁醛；2-乙基唑啉；煙霧狀二氧化硅、二氧化硅粉；改質(zhì)尿素；及其混合物。5.如權(quán)利要求1的組成物，其進(jìn)一步包含不同于該第一溶劑的第二溶劑，其中該第一溶劑及該第二溶劑各為至少一種選自由以下組成的群的溶劑：水；醇（包括甲醇、乙醇、N-丙醇、I-甲氧基-2-丙醇、丁醇、戊醇、2-辛醇、N-辛醇、四氫糠醇、環(huán)己醇、松香醇；醚（包括甲基乙基醚、乙醚、乙基丙基醚及聚醚）；酯（包括乙酸乙酯、己二酸二甲酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、戊二酸二甲酯、丁二酸二甲酯、乙酸甘油酯）；二醇（包括乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二醇醚、二醇醚乙酸酯）；碳酸酯（包括碳酸伸丙酯）；甘油類（包括甘油）；乙腈、四氫呋喃、二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、二甲亞砜；及其混合物。6.如權(quán)利要求5的組成物，其中該第二溶劑以約O.1%重量至10%重量的量存在。7.如權(quán)利要求5的組成物，其中該第二溶劑以約10%重量至50%重量的量存在。8.如權(quán)利要求1的組成物，其中該組成物在約25°C下的黏度實(shí)質(zhì)上為介于約IOOcps至約25，OOOcps之間。9.如權(quán)利要求1的組成物，其中該復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的發(fā)光或光吸收區(qū)域可具有選自由以下組成的群的表面紋理：復(fù)數(shù)個(gè)圓環(huán)、復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)質(zhì)上曲邊梯形、復(fù)數(shù)個(gè)平行條紋、星形圖案及其混合物。10.如權(quán)利要求1的組成物，其中該第一端子及該第二端子的高度各自為介于約I微米至6微米之間。11.如權(quán)利要求1的組成物，其中該復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的側(cè)面的高度小于約.10微米。12.如權(quán)利要求1的組成物，其中該復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體的側(cè)面實(shí)質(zhì)上為S形且終止于彎曲點(diǎn)。13.如權(quán)利要求1的組成物，其中該復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體包含至少一種選自由以下組成的群的無機(jī)半導(dǎo)體：娃、砷化鎵、氮化鎵、GaP>InAlGaP、AlInGaAs、InGaNAs及AlInGaSb。14.如權(quán)利要求1的組成物，其中該復(fù)數(shù)個(gè)二極體中的各二極體包含至少一種選自由以下組成的群的有機(jī)半導(dǎo)體：η共軛聚合物、聚（乙炔）、聚（吡咯）、聚（噻吩）、聚苯胺、聚噻吩、聚（對(duì)苯硫醚）、聚（對(duì)伸苯基伸乙烯基）及聚（對(duì)伸苯基伸乙烯基）衍生物、聚(3-烷基噻吩）、聚吲哚、聚芘、聚咔唑、聚甘菊環(huán)、聚氮呼、聚（弗）、聚萘、聚苯胺、聚苯胺衍生物、聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚吡咯、聚吡咯衍生物、聚苯并噻吩、聚苯并噻吩衍生物、聚對(duì)伸苯基、聚對(duì)伸苯基衍生物、聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚二乙炔、聚二乙炔衍生物、聚對(duì)伸苯基伸乙烯基、聚對(duì)伸苯基伸乙烯基衍生物、聚萘、聚萘衍生物、聚異苯并噻吩、伸雜芳基為噻吩、呋喃或吡咯之聚伸雜芳基伸乙烯基、聚苯硫醚、聚迫萘、聚酞菁，及其衍生物、其共聚物及其混合物。15.一種使用如權(quán)利要求1的組成物的方法，該方法包含：將該組成物印刷于基底上或印刷于耦接至該基底的第一導(dǎo)體上?！疚臋n編號(hào)】H01L25/075GK103594460SQ201310544340【公開日】2014年2月19日申請(qǐng)日期:2011年9月1日優(yōu)先權(quán)日:2010年9月1日【發(fā)明者】馬克·D·洛文索,威廉·約翰斯頓·雷,尼爾·O·莎頓,理查德·A·布蘭查德,布萊德·歐羅,馬克·亞倫·里王道斯基,杰佛瑞·巴德瑞君,艾瑞克·安東尼·皮羅奇洛申請(qǐng)人:無限科技全球公司