專利名稱：：結(jié)合ic整合基板與載板的結(jié)構(gòu)及其制造方法與電子裝置的制造方法結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)及其制造方法與電子裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于一種結(jié)合積體電路(ic)整合基板與載板的結(jié)構(gòu)及其制造方法與電子裝置的制造方法，特別是關(guān)于一種借由差異附著處理所制造的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)及其制造方法，與電子裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
：隨著資訊、通訊及消費(fèi)性電子等產(chǎn)品朝向輕、薄、短、小及搭配多功能化的趨勢(shì)發(fā)展，晶片的線寬、線間距與尺寸日益微型化，且晶片所要求的傳輸速度愈來愈快，因此也相對(duì)應(yīng)地提高晶片電連接到外部的構(gòu)裝技術(shù)的要求，以產(chǎn)生高密度細(xì)導(dǎo)線與導(dǎo)線間距。因此，晶片構(gòu)裝的技術(shù)從引腳插入型漸漸轉(zhuǎn)進(jìn)到表面粘著型，從導(dǎo)線架打金線的連接型態(tài)漸漸轉(zhuǎn)進(jìn)到使用凸塊的方式，電路板從PCB硬板、軟性印刷電路板FPC漸漸轉(zhuǎn)進(jìn)到多層薄膜基板。一般六層BT材料的PCB硬板重約4克，厚度約lram，因而無法撓曲，而軟性印刷電路板在厚度約50um的情況下，僅能制作2層內(nèi)連線，相對(duì)的，在厚度約50um的情況下，多層薄膜基板可以制作出6層內(nèi)連線，總重量約0.21克，因此多層薄膜基板的可撓曲性最好，并且最輕薄。此外在內(nèi)連線密度上，PCB硬板與軟性印刷電路板的通孔最小需為50ym，通孔焊墊最小需為100ym，線寬與線間距最小需為25um，而相對(duì)的，多層薄膜基板的通孔最小需為20um，通孔焊墊最小需為25um，線寬與線間距最小需為20um，因此多層薄膜基板可大幅增加內(nèi)連線密度。由于其可撓特性，對(duì)于體積有特殊限制或結(jié)構(gòu)中有可撓設(shè)計(jì)的產(chǎn)品尤其適合。一般而言，上述多層薄膜基板主要是作為IC封裝用承載基板(ICpackagingsubstrate)，傳統(tǒng)上僅扮演電氣訊號(hào)傳送與介面接合的角色。隨著電子產(chǎn)品需求朝向高功能化、訊號(hào)傳輸高速化及電路裝置高密度化發(fā)展，多層薄膜基板將因具有如電容、電阻等功能性的被動(dòng)裝置、驅(qū)動(dòng)IC、或TFT等半導(dǎo)體裝置而大幅提升其功能性，因此賦予多層薄膜基板技術(shù)更大的成長(zhǎng)空間。以下將以IC整合基板來表示此等高功能性的多層薄膜基板。在光電、電子、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，隨著IC整合基板尺寸的縮小化且所搭配的各種功能性電子裝置數(shù)量亦隨的遽增，對(duì)于IC整合基板的精密度要求也同時(shí)提高，IC整合基板的制造程序也面臨新的挑戰(zhàn)，尤其是在制造程序中如何提高線路密度、或結(jié)合各種電子裝置成為具有高功能性的IC整合基板己成為產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的一環(huán)。上述IC整合基板制造的其中一關(guān)鍵技術(shù)在于制造程序中IC整合基板的尺寸安定性。習(xí)知的一種解決方法是在一剛性載板上進(jìn)行IC整合基板的制作，借由載板較佳的尺寸安定性而來增加IC整合基板在制程中的尺寸安定性，但是在IC整合基板制作完成后要如何將IC整合基板與載板分離是此類技術(shù)的一大課題。在美國專利第4480288號(hào)中，其先將雙層薄膜基板形成于由鋁所組成的載板上，接著再用鹽酸將鋁載板去除。此外，在美國專利第4812191號(hào)中，揭露一種以犧牲載板制造技術(shù)來制作具有多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的多層薄膜基板的方法，其在載板上制作多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，載板的熱膨脹系數(shù)小于多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，接著進(jìn)行硬化，在升溫、降溫的程序中使得載板與多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)之間產(chǎn)生足夠的張力，再以支持裝置吸附在多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)上及酸液浸蝕的方式將多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與載板分離開。在美國專利第5258236號(hào)中，揭露一種以雷射剝離法分離載板與具有多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的多層薄膜基板的方法，如圖1所示，其中在以聚合物層2、金屬層3與多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)4的次序依序地形成在透明載板1上之后，再以雷射紫外光透過透明載板1照射在聚合物層2上來分解聚合物層2，而使得透明載板l能夠與其他部分結(jié)構(gòu)分離開。然而，上述習(xí)知技術(shù)的分離方法非常繁瑣、復(fù)雜。因此，如何提供一個(gè)方法與結(jié)構(gòu)，能夠同時(shí)制作尺寸精密度高的IC整合基板，又能在不增加生產(chǎn)成本的情況下，輕易使IC整合基板與載板分離，仍是IC整合基板制造工藝目前所努力追尋的目標(biāo)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)合ic整合基板與載板的結(jié)構(gòu)及其制造方法與電子裝置的制造方法，可使ic整合基板與載板的分離簡(jiǎn)單、快速且可降低成本。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明一種結(jié)合ic整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，包含一載板；及一IC整合基板，位于該載板上，其特征在于該IC整合基板與該載板間的介面具有一特定區(qū)域，該特定區(qū)域上的介面附著力相異于該介面的其余區(qū)域。本發(fā)明還提供一種結(jié)合ic整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包含以下步驟-a,提供一載板；b，對(duì)該載板進(jìn)行差異附著處理；及C，在該載板上形成一IC整合基板，其中該差異附著處理使得該IC整合基板與該載板間的介面形成一特定區(qū)域，該特定區(qū)域上的介面附著力相異于該介面的其余區(qū)域。本發(fā)明還提供一種電子裝置的制造方法，其特征在于包含以下步驟a,提供一載板；b，對(duì)該載板進(jìn)行差異附著處理；c，在該載板上形成一IC整合基板，其中該差異附著處理使得該IC整合基板與該載板間的介面形成一特定區(qū)域，該特定區(qū)域上的介面附著力相異于該介面的其余區(qū)域；及d,切割該IC整合基板，使切割后的IC整合基板與該載板自然分離而形成電子裝置。本發(fā)明的一實(shí)施態(tài)樣提供一種結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其包含一載板及一位于該載板上的IC整合基板，其中該IC整合基板與該載板間的介面具有一特定區(qū)域，該特定區(qū)域上的介面附著力相異于該介面的其余區(qū)域。本發(fā)明的另一實(shí)施態(tài)樣提供一種結(jié)合ic整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，包含下列步驟提供一載板；對(duì)該載板進(jìn)行差異附著處理；及在該載板上形成一IC整合基板，其中該差異附著處理使得該IC整合基板與該載板間的介面形成一特定區(qū)域，該特定區(qū)域上的介面附著力相異于該介面的其余區(qū)域。本發(fā)明的另一實(shí)施態(tài)樣提供一種電子裝置的制造方法，包含以下步驟提供一載板；對(duì)該載板進(jìn)行差異附著處理；在該載板上形成一IC整合基板，其中該差異附著處理使得該IC整合基板與該載板間的介面形成一特定區(qū)域，該特定區(qū)域上的介面附著力相異于該介面的其余區(qū)域；及切割該IC整合基板，使切割后的IC整合基板與該載板自然分離而形成電子裝置。在本發(fā)明中，「IC整合基板」是與傳統(tǒng)封裝用的多層薄膜基板有所不同。具體而言，本發(fā)明的IC整合基板可具有用于電氣連接的多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)、或至少一半導(dǎo)體裝置，例如被動(dòng)裝置、驅(qū)動(dòng)電子裝置、薄膜電晶體(TFT)裝置及其它電子裝置等、或其組合等。借由本發(fā)明的技術(shù)手段，相較于習(xí)知技術(shù)須以溶劑、雷射等繁復(fù)的方式來將多層薄膜基板與載板分離，本發(fā)明可以簡(jiǎn)單、快速且低成本的方式將IC整合基板與載板分離，以制作具有多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)、具有至少一半導(dǎo)體裝置、或其組合的電子裝置。圖l顯示一種習(xí)知以雷射剝離法分離載板與電子裝置的方法。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，結(jié)合具有至少一半導(dǎo)體裝置的IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，結(jié)合具有至少一半導(dǎo)體裝置的IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法與電子裝置的制造方法的流程圖。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，結(jié)合具有多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5顯示如本發(fā)明的差異附著處理區(qū)域?yàn)榫W(wǎng)格狀。圖6顯示如本發(fā)明的差異附著處理區(qū)域?yàn)辄c(diǎn)狀。具體實(shí)施方式現(xiàn)在將參照本發(fā)明的實(shí)施例以促進(jìn)對(duì)本發(fā)明的徹底了解。其中使用適當(dāng)、相同的參考符號(hào)代表相同的特征部。然而，應(yīng)該了解在此所提出的實(shí)施利僅作為說明性、而非限制性的范例。因此，本發(fā)明并不僅限于所提出的實(shí)施利、更包含熟習(xí)此項(xiàng)技藝者所了解的任意變化及其同等物。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，結(jié)合IC整合基板30與載板21的結(jié)構(gòu)20的示意圖。圖2的上半部表示整個(gè)結(jié)構(gòu)的俯視圖，下半部則表示其橫剖面圖。由圖2可看出，結(jié)構(gòu)20是包含載板21與形成于其上的IC整合基板30，并且在載板21與IC整合基板30間的介面上具有一周圍區(qū)域23,在周圍區(qū)域23上的介面附著力與該介面的其余區(qū)域不同。為了后續(xù)切割處理時(shí)，方便將載板21與IC整合基板30分離，周圍區(qū)域23的介面附著力可大于其余區(qū)域。此外，本實(shí)施例所例示的IC整合基板30包含至少一半導(dǎo)體裝置，其可為被動(dòng)裝置、驅(qū)動(dòng)電子裝置、薄膜電晶體(TFT)裝置、或其它電子裝置等。須注意在圖2中，僅顯示具有一半導(dǎo)體裝置的IC整合基板，但熟習(xí)此項(xiàng)技藝人士可知，一IC整合基板可包含許多半導(dǎo)體裝置，并可在后續(xù)制程利用切割而制作成數(shù)百數(shù)千個(gè)電子裝置，在此僅為了方便表示與說明而將其結(jié)構(gòu)加以簡(jiǎn)化。接下來，參考圖3，說明根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，制造上述結(jié)構(gòu)20與電子裝置38的方法。首先，如圖3中的3A所示，提供載板21。接著，如圖3中的3B所示，先對(duì)載板21進(jìn)行差異附著處理，再將IC整合基板30的底部介電層31形成于載板21之上，使載板21與底部介電層31間的介面在周圍區(qū)域23的介面附著力大于介面的其余區(qū)域。此外，差異附著處理使得載板21與底部介電層31在周圍區(qū)域23產(chǎn)生實(shí)質(zhì)附著，并使該二者在其余區(qū)域?qū)嵸|(zhì)不附著。此處需了解，本發(fā)明的「實(shí)質(zhì)附著J代表二接觸表面牢固貼合，不會(huì)因后續(xù)制程中所產(chǎn)生的應(yīng)力而互相分離，且「實(shí)質(zhì)不附著」代表二接觸表面的間附著力非常微弱(或沒有附著力)，其二者可自然分離，亦即在不施加外力或施加少許外力(如借著真空吸附或膠帶粘附等方式)的情況下即可將其分離而不破壞其結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所謂的「差異附著處理」是泛指可使載板與ic整合基板間的介面附著力產(chǎn)生區(qū)域不一致性的處理，其處理方式可視載板與IC整合基板的底層的材料特性來決定，舉例來說，差異附著處理可針對(duì)特定區(qū)域進(jìn)行附著強(qiáng)化處理，或針對(duì)特定區(qū)域進(jìn)行減弱附著處理，或先對(duì)載板進(jìn)行全區(qū)附著強(qiáng)化處理之后，再對(duì)特定區(qū)域進(jìn)行減弱附著處理，或者先對(duì)載板進(jìn)行全區(qū)減弱附著處理之后，再對(duì)特定區(qū)域進(jìn)行附著強(qiáng)化處理。在本實(shí)施例中，載板21的材料為硅晶圓，而底部介電層31的材料選用低介電系數(shù)(小于4)的聚醯亞胺(PI，polyimide，杜邦公司所生產(chǎn)的PI-2611)，由于此二材料間的附著力非常微弱(亦即「實(shí)質(zhì)不附著」)，因此本實(shí)施例的「差異附著處理」僅針對(duì)周圍區(qū)域23進(jìn)行附著強(qiáng)化處理。其處理方式是于載板21的周圍區(qū)域23涂布硅甲烷系的附著增強(qiáng)劑(杜邦公司所生產(chǎn)的VM-651)以增加載板21與底部介電層31間的附著力，而載板21的其余區(qū)域則不做任何處理，再將底部介電層31旋轉(zhuǎn)涂布在載板21，如此，可使載板21與底部介電層31在周圍區(qū)域23產(chǎn)生實(shí)質(zhì)附著。其后，如圖3中的3C所示，在底部介電層31上形成半導(dǎo)體裝置的其他部分，如閘極32、源極33、汲極34、介電層35、半導(dǎo)體層36等，借此形成具有半導(dǎo)體裝置的IC整合基板30。最后，如圖3中的3D所示，在IC整合基板30的適當(dāng)位置進(jìn)行切割，此時(shí)由于IC整合基板30(底部介電層31)與載板21僅在周圍區(qū)域23實(shí)質(zhì)附著，其余區(qū)域?yàn)閷?shí)質(zhì)不附著的狀態(tài)，因此切割后的電子裝置38可與載板21自然分離，舉例來說，其二者可在不施加外力的情況下分離或可借由真空吸取裝置將其二者分離。如上所述，相較于習(xí)知技術(shù)須以溶劑、雷射等繁復(fù)的方式將IC整合基板與載板分離以形成電子裝置，本實(shí)施例可以簡(jiǎn)單、快速的方式將IC整合基板與載板分離，以制作尺寸精密度高、輕薄、且可撓性佳的具有至少一半導(dǎo)體裝置的電子裝置。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，結(jié)合IC整合基板50與載板41的結(jié)構(gòu)40的示意圖。與圖2類似，結(jié)構(gòu)40包含載板41與形成于其上的IC整合基板50，并且在載板41與IC整合基板50間的介面的周圍區(qū)域43上，其介面附著力大于該介面的其余區(qū)域。其兩者不同之處在于本實(shí)施例的IC整合基板50具有一多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，且其為一雙面基板，即正面與背面皆電氣連接至外部。在此雙面基板之中，基板正面是電連接至基板背面，但多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)也可以是其他內(nèi)連接方式，如同面多點(diǎn)的內(nèi)連接或其他各種情形，此外，多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的層數(shù)也沒有限制，可依各種應(yīng)用來作適當(dāng)?shù)淖兓?。在本?shí)施例中，載板41是使用硅晶圓，載板41上依序交疊介電層與金屬層以形成具有多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的IC整合基板50，其中介電層51、53、55、57是選用低介電系數(shù)(小于4)的聚醯亞胺PI(polyimide)，上金屬層52與下金屬層56選用Cr/Cu/Ni/Au結(jié)構(gòu)的凸塊底層金屬(UBM，underbumpmetallurgy),以作為后續(xù)錫球電連接之用，中間的金屬層54選用Cr/Cu/Cr多層金屬線。在多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)上可以利用蝕刻方法或雷射鉆孔方法貫通介電層53、55、57，使得金屬內(nèi)連線可以彼此電氣連接，或電氣連接至外部。在制作上述結(jié)構(gòu)40時(shí)，由于載板41(硅晶圓)與介電層51(PI)的材料間的附著力非常微弱(亦即「實(shí)質(zhì)不附著」)，因此，本實(shí)施例的「差異附著處理」僅針對(duì)周圍區(qū)域43進(jìn)行附著強(qiáng)化處理，其處理方式與圖3所示的實(shí)施例相同，此處不再贅述。在進(jìn)行差異附著處理之后，可使載板41與介電層51在周圍區(qū)域43產(chǎn)生實(shí)質(zhì)附著。其后，將金屬層52、介電層53、金屬層54、介電層55、金屬層56、介電層57依序?qū)盈B于介電層51而形成IC整合基板50。最后，在IC整合基板50的適當(dāng)位置進(jìn)行切割，此時(shí)由于IC整合基板50(介電層51)與載板41僅在周圍區(qū)域43實(shí)質(zhì)附著，其余區(qū)域?yàn)閷?shí)質(zhì)不附著的狀態(tài)，因此切割后的電子裝置可與載板41自然分離，舉例來說，其二者可在不施加外力的情況下分離或可借由真空吸取裝置將其二者分離。同樣地，相較于習(xí)知技術(shù)須以溶劑、雷射等繁復(fù)的方式將多層薄膜基板與載板分離以形成電子裝置，本實(shí)施例可以簡(jiǎn)單、快速的方式將IC整合基板與載板分離，以制作尺寸精密度高、輕薄、且可撓性佳的具有多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的電子裝置。須注意在本發(fā)明中，載板可以是所有的固體材料，包含金屬、玻璃、陶瓷、硅晶圓、藍(lán)寶石基板、砷化鎵、聚醯亞胺等等。介電層材料可以是任何的有機(jī)材料，包含聚醯亞胺PI(polyimide)、苯并環(huán)丁烯BCB(benzo-cyclobutene)、聚甲基丙烯酸甲酯P腿(poly(methyl-methacrylate))、液晶聚合物L(fēng)CP(liquidcrystalpolymer)等等。此外，針對(duì)以上材料，本發(fā)明的「差異附著處理」的處理方式可在特定區(qū)域進(jìn)行附著強(qiáng)化處理，其可以利用載板表面的原生特性，或利用提升表面能的方式，如以電漿處理等等，或利用加強(qiáng)介面分子交聯(lián)與交纏的材料，如涂布硅甲烷系的增強(qiáng)劑等等方式來達(dá)成。表一顯示各種不同載板材料與介電層材料可以選用的附著強(qiáng)化處理方式的示例，但不限于此。表一:<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，差異附著處理可先對(duì)載板進(jìn)行全區(qū)附著強(qiáng)化處理，再對(duì)特定區(qū)域進(jìn)行減弱附著處理。舉例來說，若載板材料為硅，且介電層材料為聚醯亞胺，則可先在載板整個(gè)表面涂布聚醯亞胺，再以Ar電漿進(jìn)行全面性處理，如此可達(dá)成全區(qū)附著強(qiáng)化處理。接著以噴墨或點(diǎn)膠方式，在特定區(qū)域涂布硅甲垸系的附著增強(qiáng)劑，經(jīng)過烘烤的后再涂布介電層。由于硅甲烷系的附著增強(qiáng)劑會(huì)降低聚醯亞胺/聚醯亞胺間的介面附著力，因此可減弱該特定區(qū)域的附著力(亦即減弱附著處理)。在本發(fā)明的又另一實(shí)施例中，差異附著處理亦可針對(duì)特定區(qū)域進(jìn)行減弱附著處理。舉例來說，若載板材料為硅，且介電層材料為聚醯亞胺，則可先以噴墨或點(diǎn)膠方式，在載板上的特定區(qū)域涂布聚醯亞胺，接著再涂布內(nèi)含硅甲垸系的附著增強(qiáng)劑的介電層。由于介電層包含該附著增強(qiáng)劑，且該特定區(qū)域涂布有聚醯亞胺，因此該特定區(qū)域的附著力被減弱(亦即減弱附著處理)，同時(shí)，該附著增強(qiáng)劑可增強(qiáng)載板與介電層在其余區(qū)域的介面附著力。上述實(shí)施例僅為例示性而非限制性，本發(fā)明「差異附著處理J的目的在于使載板與IC整合基板間的介面附著力產(chǎn)生區(qū)域不一致性，而其處理方式可視制程要求而任意調(diào)整。一般來說，可借著參考下列文獻(xiàn)中所提出的附著力理論來控制載板與IC整合基板間的介面附著力，以達(dá)到「差異附著處理」的目的1、Fowkes，F(xiàn).M.，"ContactAngle,Wettability,andAdhesion"AmericanChemicalSociety,Washington,D.C.,1964.2、Berg，J.C.，"Wettability"MarcelDekker,Inc.,NewYork,1993.3、薛敬和，"接著劑全書"高立，臺(tái)北，1985.附著力理論說明附著的3個(gè)必要條件濕潤(rùn)、固體化、充分變形以減少接合時(shí)的彈性壓力，秉持此三項(xiàng)原則即可選擇及控制附著力以達(dá)到本發(fā)明所需的功效，以下詳述此三原則。對(duì)于濕潤(rùn)原則可以參考Cooper&Nuttall理論，對(duì)于一液體1于一固體s表面的濕潤(rùn)條件S=Ys—Y-Ysi濕潤(rùn)S〉0不濕潤(rùn)S〈0y尸該固體與飽和蒸汽介面自由能YF該液體與飽和蒸汽介面自由能Ys產(chǎn)該固體與該液體介面自由能S二起始擴(kuò)散系數(shù)對(duì)于以涂布方式形成的介電層可以根據(jù)濕潤(rùn)原則，S值越大最終的附著力也越大，S值越小最終的附著力也越小，根據(jù)此原則，可以利用表面處理的方式來適當(dāng)改變自由能，以增強(qiáng)或減弱附著性質(zhì)，以達(dá)到本發(fā)明所需要的附著力結(jié)果。由于附著力實(shí)際數(shù)值受制程品質(zhì)影響甚巨，所以熟悉此項(xiàng)技藝者應(yīng)該了解本原則為一定性上的結(jié)果，而非以具體s值限定其適用范圍，但依此定性原則與試誤法同時(shí)進(jìn)行，即可在本發(fā)明中得到載板與介電層間的適當(dāng)附著力，以達(dá)成本發(fā)明所謂「自然分離」的功效。對(duì)于非涂布方式形成的介電層，如壓合、冷鍛等，濕潤(rùn)原則亦可適用，因?yàn)閴汉?、冷鍛等處理的微觀接觸點(diǎn)會(huì)形成所謂的"塑性流動(dòng)"，濕潤(rùn)原則亦可適用。由于本發(fā)明產(chǎn)品必為固體，自然符合固體化原則。對(duì)于非涂布方式形成的介電層需要同時(shí)參考充分變形原則，接觸面處理時(shí)若能充分變形則附著力較大，反的較小，適當(dāng)利用此原則也可達(dá)成本發(fā)明所謂「自然分離j的功效。此外，在圖2與圖4的實(shí)施例中，僅針對(duì)周圍區(qū)域進(jìn)行附著強(qiáng)化處理，但本發(fā)明的差異附著處理區(qū)域并不限于上述實(shí)施例的周圍區(qū)域，其可以是各種形態(tài)，如網(wǎng)格狀、點(diǎn)狀，只要不至于在后續(xù)各種制程中產(chǎn)生脫層、氣泡等各種缺陷即可，圖5顯示本發(fā)明的差異附著處理區(qū)域?yàn)榫W(wǎng)格狀的情形，圖6則顯示本發(fā)明的差異附著處理區(qū)域?yàn)辄c(diǎn)狀的情形。雖然以上僅詳述本發(fā)明的示范性實(shí)施例，但凡熟習(xí)此項(xiàng)技藝者應(yīng)了解上述的說明僅是描述性而非限制性，在不脫離本發(fā)明的新穎教示及優(yōu)點(diǎn)的情況下，可根據(jù)上述實(shí)施例而進(jìn)行各種變化修改。因此,所有此類修改應(yīng)視為包含于本發(fā)明的專利范疇內(nèi)。符號(hào)的說明1透明載板2聚合物層3金屬層4多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)20結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)21載板23周圍區(qū)域30IC整合基板31底部介電層32閘極33源極34汲極35介電層36半導(dǎo)體層38電子裝置40結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)41載板43周圍區(qū)域50IC整合基板51介電層52金屬層53介電層54金屬層55介電層56金屬層57介電層權(quán)利要求1.一種結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，包含一載板；及一IC整合基板，位于該載板上，其特征在于該IC整合基板與該載板間的介面具有一特定區(qū)域，該特定區(qū)域上的介面附著力相異于該介面的其余區(qū)域。2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其特征在于該特定區(qū)域的介面附著力較該其余區(qū)域強(qiáng)。3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其特征在于該特定區(qū)域是在載板的周圍區(qū)域。4.如權(quán)利要求1所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其特征在于該特定區(qū)域是為點(diǎn)狀分布。5.如權(quán)利要求1所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其特征在于該特定區(qū)域是為網(wǎng)格狀分布。6.如權(quán)利要求1所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其特征在于該IC整合基板包含一多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。7.如權(quán)利要求1所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其特征在于該IC整合基板包含至少一半導(dǎo)體裝置。8.—種結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:包含以下步驟a,提供一載板；b,對(duì)該載板進(jìn)行差異附著處理；及c，在該載板上形成一IC整合基板，其中該差異附著處理使得該IC整合基板與該載板間的介面形成一特定區(qū)域，該特定區(qū)域上的介面附著力相異于該介面的其余區(qū)域。9.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該差異附著處理包含對(duì)該特定區(qū)域進(jìn)行附著強(qiáng)化處理。10.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該差異附著處理包含對(duì)該其余區(qū)域進(jìn)行減弱附著處理。11.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該差異附著處理包含對(duì)該載板進(jìn)行全區(qū)附著強(qiáng)化處理；及對(duì)該其余區(qū)域進(jìn)行進(jìn)行減弱附著處理。12.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該差異附著處理包含對(duì)該載板進(jìn)行全區(qū)減弱附著處理；及對(duì)該特定區(qū)域進(jìn)行附著強(qiáng)化處理。13.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該特定區(qū)域是在載板的周圍區(qū)域。14.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該特定區(qū)域是為點(diǎn)狀分布。15.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該特定區(qū)域是為網(wǎng)格狀分布。16.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該IC整合基板包含一多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。17.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該IC整合基板包含至少一半導(dǎo)體裝置。18.—種電子裝置的制造方法，其特征在于包含以下步驟-a，提供一載板；b，對(duì)該載板進(jìn)行差異附著處理；c,在該載板上形成一IC整合基板，其中該差異附著處理使得該IC整合基板與該載板間的介面形成一特定區(qū)域，該特定區(qū)域上的介面附著力相異于該介面的其余區(qū)域；及d，切割該IC整合基板，使切割后的IC整合基板與該載板自然分離而形成電子裝置。19.如權(quán)利要求18所述的電子裝置的制造方法，其特征在于該差異附著處理包含對(duì)該特定區(qū)域進(jìn)行附著強(qiáng)化處理。20.如權(quán)利要求18所述的電子裝置的制造方法，其特征在于該差異附著處理包含對(duì)該其余區(qū)域進(jìn)行減弱附著處理。21.如如權(quán)利要求18所述的電子裝置的制造方法，其特征在于:該差異附著處理包含對(duì)該載板進(jìn)行全區(qū)附著強(qiáng)化處理；及對(duì)該其余區(qū)域進(jìn)行進(jìn)行減弱附著處理。22.如權(quán)利要求18所述的電子裝置的制造方法，其特征在于該差異附著處理包含-對(duì)該載板進(jìn)行全區(qū)減弱附著處理；及對(duì)該特定區(qū)域進(jìn)行附著強(qiáng)化處理。23.如權(quán)利要求18所述的電子裝置的制造方法，其特征在于該特定區(qū)域是在載板的周圍區(qū)域。24.如權(quán)利要求18所述的電子裝置的制造方法，其特征在于-該特定區(qū)域是為點(diǎn)狀分布。25.如權(quán)利要求18所述的電子裝置的制造方法，其特征在于該特定區(qū)域是為網(wǎng)格狀分布。26.如權(quán)利要求18所述的電子裝置的制造方法，其特征在于該ic整合基板包含一多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。27.如權(quán)利要求18所述的電子裝置的制造方法，其特征在于該IC整合基板包含至少一半導(dǎo)體裝置。全文摘要一種結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其包含一載板及一位于該載板上的IC整合基板，其中該IC整合基板與該載板間的介面具有一特定區(qū)域，該特定區(qū)域上的介面附著力相異于該介面的其余區(qū)域。本發(fā)明亦提供上述結(jié)構(gòu)的制造方法、及電子裝置的制造方法，本發(fā)明可以簡(jiǎn)單、快速且低成本的方式將IC整合基板與載板分離。文檔編號(hào)H01L23/538GK101127343SQ20061011552公開日2008年2月20日申請(qǐng)日期2006年8月18日優(yōu)先權(quán)日2006年8月18日發(fā)明者楊之光申請(qǐng)人:巨擘科技股份有限公司