半導(dǎo)體布置及其形成方法
【專利摘要】提供了一種半導(dǎo)體布置及其形成方法。半導(dǎo)體布置包括設(shè)置在保護區(qū)的第一側(cè)的有源區(qū)。有源區(qū)包括有源器件。半導(dǎo)體布置的保護區(qū)包括有源區(qū)的殘留物。還提供了形成半導(dǎo)體布置的方法。
【專利說明】半導(dǎo)體布置及其形成方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體布置及其形成方法。

【背景技術(shù)】
[0002]多種材料被用于形成互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件和非易失性存儲器件。在制造柵極電介質(zhì)時使用高_k電介質(zhì)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]提供本
【發(fā)明內(nèi)容】
，以簡化形式介紹概念的選擇，以下在【具體實施方式】中進一步描述概念。本
【發(fā)明內(nèi)容】
不是所要求保護的主題的完整描述，不旨在確定所要求保護的主題的關(guān)鍵因素或基本特征，也不旨在被用于限制所要求保護的主題的范圍。
[0004]在此提供用于形成半導(dǎo)體布置的一種或多種技術(shù)和所得到的結(jié)構(gòu)。
[0005]以下說明書和附圖闡述特定示例性方面和實現(xiàn)。這些僅指示采用一個或多個方面的多種方式中的幾個。當(dāng)結(jié)合附圖考慮時，本公開的其他方面、優(yōu)點和/或新特征將從以下詳細說明變得明顯。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體布置，包括:保護區(qū)；以及有源區(qū)，設(shè)置在所述保護區(qū)的第一側(cè)，所述有源區(qū)包括有源器件，所述保護區(qū)包括來自所述有源區(qū)的殘留物。
[0007]在所述半導(dǎo)體布置中，所述殘留物包括介電層。
[0008]在所述半導(dǎo)體布置中，所述介電層包括高k材料。
[0009]在所述半導(dǎo)體布置中，所述殘留物包括導(dǎo)電層。
[0010]在所述半導(dǎo)體布置中，所述導(dǎo)電層包括金屬柵極。
[0011]在所述半導(dǎo)體布置中，所述保護區(qū)包括半導(dǎo)體區(qū)，并且所述殘留物包括在所述半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)。
[0012]在所述半導(dǎo)體布置中，所述半導(dǎo)體材料包括多晶硅材料。
[0013]在所述半導(dǎo)體布置中，所述殘留物的輪廓相對于其上形成所述布置的襯底表面形成約90度的角。
[0014]在所述半導(dǎo)體布置中，所述殘留物的輪廓包括角部。
[0015]在所述半導(dǎo)體布置中，所述殘留物的輪廓相對于其上形成所述布置的襯底表面形成鈍角。
[0016]在所述半導(dǎo)體布置中，所述鈍角至少約145度。
[0017]在所述半導(dǎo)體布置中，包括:非有源區(qū)，設(shè)置在所述保護區(qū)的第二側(cè)。
[0018]在所述半導(dǎo)體布置中，所述非有源區(qū)包括邏輯器件。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體布置，包括:保護區(qū)；以及有源區(qū)，設(shè)置在所述保護區(qū)的第一側(cè)，所述有源區(qū)包括有源器件，所述保護區(qū)包括介電區(qū)和所述介電區(qū)內(nèi)的來自所述有源區(qū)的殘留物，所述殘留物包括半導(dǎo)體層、介電層或?qū)щ妼又械闹辽僖粋€。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種形成半導(dǎo)體布置的方法，包括:在有源區(qū)之上和非有源區(qū)之上形成半導(dǎo)體材料的第一層；圖案化所述第一層，使得所述第一層的第一部分留在所述有源區(qū)之上，所述第一層的第二部分留在所述非有源區(qū)的第一區(qū)域之上，但是從所述非有源區(qū)的第二區(qū)域去除所述第一層的第三部分，由此暴露所述第二區(qū)域；在所述第一部分、所述第二部分和所述第二區(qū)域之上形成半導(dǎo)體材料的第二層；以及圖案化所述第二層，以形成鄰近所述有源區(qū)的保護區(qū)，其中，所述第一層的所述第二部分的至少一部分包括在所述保護區(qū)內(nèi)。
[0021]在所述方法中，圖案化所述第二層包括:在所述第二區(qū)域的至少一部分上形成邏輯器件。
[0022]在所述方法中，包括:在所述第一部分、所述第二部分和所述第二區(qū)域之上形成介電層。
[0023]在所述方法中，包括:在所述介電層之上形成柵極層。
[0024]在所述方法中，包括:在所述有源區(qū)和所述非有源區(qū)之上形成阻擋層。
[0025]在所述方法中，半導(dǎo)體材料的所述第一層形成在所述阻擋層之上。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]當(dāng)結(jié)合附圖閱讀以下詳細說明時可理解本公開的多個方面。將想到，附圖的元件和/或結(jié)構(gòu)不必須按比例繪制。從而，為了論述的清楚起見，可以任意地增加和/或減小各個部件的尺寸。
[0027]圖1a示出根據(jù)實施例的半導(dǎo)體布置的正視圖；
[0028]圖1b示出根據(jù)實施例的半導(dǎo)體布置的平面圖；
[0029]圖2示出根據(jù)實施例的半導(dǎo)體布置的一部分；
[0030]圖3示出根據(jù)實施例的與形成半導(dǎo)體布置相關(guān)的形成第一層半導(dǎo)體材料；
[0031]圖4示出根據(jù)實施例的與形成半導(dǎo)體布置相關(guān)的圖案化；
[0032]圖5示出根據(jù)實施例的與形成半導(dǎo)體布置相關(guān)的圖案化；
[0033]圖6示出根據(jù)實施例的與形成半導(dǎo)體布置相關(guān)的形成第二層半導(dǎo)體材料；以及
[0034]圖7示出根據(jù)實施例的與形成半導(dǎo)體布置相關(guān)的圖案化第二層半導(dǎo)體材料。
[0035]圖8示出根據(jù)實施例的形成半導(dǎo)體布置的方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0036]現(xiàn)在參考附圖描述所要求保護的主題，其中，類似參考數(shù)字貫穿全文通常用于指類似元件。在以下說明書中，為了解釋的目的，闡述大量特定詳情，以提供所要求保護的主題的徹底理解。然而，明顯地，在沒有這些特定詳情的情況下，可以實現(xiàn)所要求保護的主題。在其他實例中，結(jié)構(gòu)和器件以框圖形式示出，以便于描述所要求保護的主題。
[0037]在此提供用于形成半導(dǎo)體布置的一個或多個技術(shù)以及由此形成的所得到的結(jié)構(gòu)。
[0038]圖1a是根據(jù)一些實施例的示出半導(dǎo)體布置100的平面圖。在實施例中，在襯底102上形成半導(dǎo)體布置100。單獨或結(jié)合地，襯底102包括任何數(shù)量的材料，例如，硅、鍺等。在一些實施例中，襯底102包括多種摻雜結(jié)構(gòu)，諸如η阱摻雜或P阱摻雜。根據(jù)一些實施例，襯底102包括外延層、絕緣體上硅(SOI)結(jié)構(gòu)等。根據(jù)一些實施例，襯底對應(yīng)于晶圓或由晶圓形成的管芯。
[0039]半導(dǎo)體布置100包括設(shè)置在襯底102的表面110上的有源區(qū)106。在一些實施例中，有源區(qū)106包括一個或多個有源器件。例如，在實施例中，有源區(qū)106包括第一有源器件112、第二有源器件114以及第三有源器件116。單獨或結(jié)合地，有源器件112、114、116包括任何類型的器件，例如，存儲器、非易失性存儲器、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、P溝道場效應(yīng)晶體管(PFET)、N溝道場效應(yīng)晶體管(nFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M0SFET)、互補金屬氧化物半導(dǎo)體(COMS)晶體管、雙極結(jié)型晶體管(BJT)、高壓晶體管、存儲單元、選擇柵、存儲柵等。在一些實施例中，有源器件112、114、116包括多-OX-SiN-OX-Si非易失性存儲器。在一些實施例中，有源器件112、114、116包括多-S1N CMOS晶體管。在一些實施例中，至少一個有源器件112、114、116包括相同的有源器件。在一些實施例中，至少一些有源器件不包括相同的有源器件。
[0040]半導(dǎo)體布置100包括設(shè)置在襯底102的表面110上的保護區(qū)120。在實施例中，在襯底102中的淺溝槽隔離區(qū)的表面110上設(shè)置保護區(qū)120。在一些實施例中，淺溝槽隔離區(qū)包括單獨氧化物或與其他材料的結(jié)合。在實施例中，保護區(qū)120包括第一側(cè)122和第二側(cè)124，其中有源區(qū)106設(shè)置在保護區(qū)120的第一側(cè)122上。根據(jù)一些實施例，保護區(qū)120圍繞有源區(qū)106和有源器件112、114、116。如圖1b中所示，在一些實施例中，保護區(qū)120包括四邊形形狀，諸如，矩形、正方形等。然而，單獨或結(jié)合地，保護區(qū)120預(yù)期包括任何數(shù)量的形狀，包括諸如圓形和橢圓形的圓形形狀、線、多邊形、破碎形狀等。
[0041]在一些實施例中，保護區(qū)120包括殘留物140，殘留物包括一個或多個層。根據(jù)一些實施例，殘留物140包括介電層144。在實施例中，諸如在襯底102的表面110處或附近，朝向保護區(qū)120的底部設(shè)置介電層144。在實施例中，介電層144包括具有相對高介電常數(shù)的介電材料。在一些實施例中，單獨或結(jié)合地，介電層144包括HfS1、HfS1N, HfTaO,HfT1, HfZrO, A10、ZrO, T1、Ta2O5, Y2O3> SrT13 (STO)、BaT13 (BTO)、BaZrO, HfLaO, HfS1、LaSi0、AlSi0、(Ba, Sr) T13 (BST)、A1203、Si3N4、氮氧化物、高 _k 介電材料等。根據(jù)一些實施例，例如，介電層144包括具有中間介電常數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)介電材料，諸如，Si02。介電層144諸如通過原子層沉積(ALD)、化學(xué)汽相沉積(CVD)、物理汽相沉積(PVD)等，以任何數(shù)量的方式形成。在實施例中，例如，介電層包括約Inm至約6nm的厚度154。
[0042]在一些實施例中，殘留物140包括導(dǎo)電層150。在一些實施例中，導(dǎo)電層包括金屬柵極、或者在形成金屬柵極時使用的金屬層的一部分。在實施例中，導(dǎo)電層150設(shè)置在介電層144之上的保護區(qū)120內(nèi)。根據(jù)一些實施例，單獨或結(jié)合地，導(dǎo)電層150包括鋁、銅、鎢、鈦、TiN、TaN、AlN等。在實施例中，例如，導(dǎo)電層150包括約Inm至約6nm的厚度148。如以下進一步所述，根據(jù)一些實施例，殘留物140包括第一層半導(dǎo)體材料320的第二部分504。
[0043]在一些實施例中，殘留物140包括在保護區(qū)120內(nèi)的輪廓160。在實施例中，輪廓160相對于其上形成半導(dǎo)體布置100的襯底102的表面110形成約90度的角164。根據(jù)一些實施例，殘留物140的輪廓160包括角部168。在一些實施例中，輪廓包括第二角165，其是相對于形成半導(dǎo)體布置100的襯底102的表面的鈍角(例如，約90度至約180度的角)。在實施例中，鈍角至少約145度。
[0044]半導(dǎo)體布置100包括設(shè)置在襯底102的表面110上的非有源區(qū)180。在一些實施例中，非有源區(qū)180包括高k金屬柵極區(qū)域。根據(jù)一些實施例，非有源區(qū)180設(shè)置在與有源區(qū)106相對的保護區(qū)的第二側(cè)124。在一些實施例中，非有源區(qū)180包括一個或多個非有源器件，例如，第一非有源器件184和第二非有源器件186。單獨或結(jié)合地，非有源器件184、186包括任何類型的器件，例如，邏輯器件、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、選擇柵、存儲柵、互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管等。在一些實施例中，非有源區(qū)180的非有源器件184、186包括多-S1N器件。在一些實施例中，至少一些非有源器件包括高k金屬柵極器件。
[0045]圖2是根據(jù)一些實施例的諸如處于特定制造階段的半導(dǎo)體布置100的正視圖。在實施例中，半導(dǎo)體布置100包括在非有源區(qū)180中形成的偽結(jié)構(gòu)200。在一些實施例中，在保護區(qū)120的第二側(cè)124在襯底102的表面110上設(shè)置偽結(jié)構(gòu)200。例如，偽結(jié)構(gòu)200以任何數(shù)量的方式形成，諸如通過CVD。
[0046]圖3是根據(jù)一些實施例的諸如在特定制造階段的半導(dǎo)體布置100的正視圖。在實施例中，在有源區(qū)106、有源器件112、114、116、非有源區(qū)180、以及偽結(jié)構(gòu)200之上形成介電層300。例如，介電層300以任何數(shù)量的方式形成，諸如，通過化學(xué)汽相沉積(CVD)、高密度等離子體CVD (HDP-CVD)或其他合適方法。單獨或結(jié)合地，介電層300包括任何數(shù)量的材料，包括例如氧化物、二氧化硅等。在一些實施例中，例如，介電層300包括約2nm至約8nm的厚度302。
[0047]在實施例中，在介電層300之上形成阻擋層306。單獨或結(jié)合地，阻擋層306包括任何數(shù)量的材料，包括氮化物、氮化硅等。在實施例中，阻擋層306用作停止層或蝕刻停止層(ESL)。根據(jù)一些實施例，在有源區(qū)106和非有源區(qū)180之上形成阻擋層306，使得阻擋層306覆蓋有源器件112、114、116和偽結(jié)構(gòu)200。在一些實施例中，例如，阻擋層306包括約2nm至約8nm的厚度308。
[0048]在實施例中，在有源區(qū)106之上和非有源區(qū)180之上形成第一層半導(dǎo)體材料320。在實施例中，在阻擋層306之上形成第一層半導(dǎo)體材料320。例如，第一層半導(dǎo)體材料320以任何數(shù)量的方式形成，諸如，通過沉積。根據(jù)一些實施例中，單獨或結(jié)合地，第一層半導(dǎo)體材料320包括硅、多晶硅等。在實施例中，例如，第一層半導(dǎo)體材料320包括約10nm至約200nm的厚度322。在一些實施例中，第一層半導(dǎo)體材料320包括基本非平面形狀，使得第一層半導(dǎo)體材料320包括至少部分地反映在其下面的結(jié)構(gòu)的位置和形狀的部件324，諸如，有源器件112、114、116。
[0049]在實施例中，在有源區(qū)106之上和非有源區(qū)180之上形成底部抗反射涂布(BARC)層330。在實施例中，在第一層半導(dǎo)體材料320之上形成BARC層330。單獨或結(jié)合地，BARC層330包括任何數(shù)量的材料。在實施例中，例如，BARC層330包括約10nm至約200nm的厚度334。
[0050]轉(zhuǎn)向圖4，在實施例中，例如，諸如通過蝕刻去除BARC層330。根據(jù)一些實施例，單獨或結(jié)合地，包括SF6、CF4、CL2、O2氣體等的蝕刻化學(xué)物質(zhì)(chemistry)被用于蝕刻BARC層330和至少一些第一層半導(dǎo)體材料320。根據(jù)一些實施例，例如，然后諸如通過化學(xué)機械拋光(CMP)處理，平坦化第一層半導(dǎo)體材料320。在一些實施例中，通過被平坦化，第一層半導(dǎo)體材料320具有通常平坦的平面形狀。
[0051]轉(zhuǎn)向圖5，在實施例中，圖案化第一層半導(dǎo)體材料320，使得第一層320的第一部分500保留在有源區(qū)106之上，第一層320的第二部分504保留在非有源區(qū)180的第一區(qū)域508之上。在一些實施例中，非有源區(qū)180包括高k金屬柵極區(qū)域。在實施例中，從非有源區(qū)180的第二區(qū)域516去除第一層320的第三部分512和偽結(jié)構(gòu)200，由此暴露第二區(qū)域516。諸如通過一個或多個操作，以任何數(shù)量的方式圖案化和去除第一層320和偽結(jié)構(gòu)200。根據(jù)一些實施例，例如，諸如通過濕蝕刻或干蝕刻圖案化第一層320和去除偽結(jié)構(gòu)200。在一些實施例中，單獨或結(jié)合地，合適的蝕刻化學(xué)物質(zhì)包括SF6、CL2、CF4、HBr、O2氣體、HeO2等。
[0052]根據(jù)一些實施例，在圖案化第一層320之后，第一層320的第一部分500保留在有源區(qū)106之上。在一些實施例中，例如，第一層320的第一部分500將覆蓋第一有源器件112、第二有源器件114、和第三有源器件116。在實施例中，第一部分500的上表面502具有基本平面形狀。在一些實施例中，第一層320的第二部分504保留在非有源區(qū)180的第一區(qū)域508之上。在實施例中，第二部分504包括輪廓形狀(contoured shape)506。輪廓形狀506包括任何數(shù)量的尺寸、形狀、角、結(jié)構(gòu)等。在實施例中，例如,輪廓形狀506相對于襯底102的表面110形成鈍角520。在實施例中，輪廓形狀506包括角部530。在一些實施例中，輪廓形狀506包括相對于襯底102的表面100約90度的角540。將想到，例如，至少一些輪廓形狀506對應(yīng)于、包括或限定如圖1a中所示的保護區(qū)120中的殘留物140的輪廓160。
[0053]轉(zhuǎn)到圖6，在實施例中，在第一部分500、第二部分504以及第二區(qū)域516之上形成介電層144。在一些實施例中，介電層144覆蓋第一層半導(dǎo)體材料320。單獨或結(jié)合地，介電層144包括任何數(shù)量的材料，包括例如HfS1、HfS1N, HfTaO, HfT1, HfZrO, A10、ZrO,T1、Ta2O5' Y2O3> SrT13(STO)、BaT13 (BTO)、BaZrO, HfLaO, HfS1、LaS1、AlS1、(Ba, Sr)T13(BST)、A1203、Si3N4、氮氧化物、高k介電材料等。根據(jù)一些實施例，例如，介電層144包括具有中間介電常數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)介電材料，諸如Si02。單獨地或結(jié)合地，介電層144以任何數(shù)量的方式形成，諸如通過原子層沉積(ALD)、化學(xué)汽相沉積(CVD)、物理汽相沉積(PVD)等。在實施例中，例如，介電層144包括約Inm至約6nm的厚度604。在一些實施例中，厚度604相當(dāng)于厚度154。然而，在一些實施例中，厚度604不相當(dāng)于厚度154。
[0054]在實施例中，在第一部分500、第二部分504和第二區(qū)域516之上形成導(dǎo)電層150。在一些實施例中，導(dǎo)電層150覆蓋介電層144。單獨或結(jié)合地，導(dǎo)電層150包括任何數(shù)量的材料，諸如，導(dǎo)電金屬材料，包括例如鋁、銅、鎢、鈦、TiN、TaN、AlN等。在實施例中，例如，導(dǎo)電層150包括約Inm至約6nm的厚度614。在一些實施例中，厚度614相當(dāng)于厚度148。然而，在一些實施例中，厚度614不相當(dāng)于厚度148。在實施例中，導(dǎo)電層150包括在形成一個或多個金屬柵極時使用的材料。
[0055]根據(jù)一些實施例，介電層144和導(dǎo)電層150附著至第一層320的波形輪廓形狀506，使得介電層144和導(dǎo)電層150包括角164、角部168和第二角165。
[0056]根據(jù)一些實施例，介電層144和導(dǎo)電層150附著至第一層320的輪廓形狀506，使得介電層144和導(dǎo)電層150包括角164、角部168和第二角165。
[0057]在實施例中，在第一部分500、第二部分504、以及第二區(qū)域516之上形成第二層半導(dǎo)體材料650。在一些實施例中，第二層半導(dǎo)體材料650覆蓋導(dǎo)電層150。例如，第二層半導(dǎo)體材料650以任何數(shù)量的方式形成，諸如通過沉積。根據(jù)一些實施例，單獨或結(jié)合地，第二層半導(dǎo)體材料650包括硅、多晶硅等。在實施例中，例如，第二層半導(dǎo)體材料650包括約20nm至約150nm的厚度654。
[0058]轉(zhuǎn)到圖7，在實施例中，第二層半導(dǎo)體材料650被圖案化，以形成鄰近有源區(qū)106的保護區(qū)120，其中，第一層半導(dǎo)體材料320的第二部分504的至少一些包括在保護區(qū)120內(nèi)。介電層144和導(dǎo)電層150的多個部分類似地包括在保護區(qū)120內(nèi)。諸如經(jīng)由利用抗蝕劑或硬掩模中的至少一個的蝕刻和光刻，第二層半導(dǎo)體材料650以任何數(shù)量的方式被圖案化。根據(jù)一些實施例，在非有源區(qū)中形成一個或多個非有源器件184、186。在一些實施例中，至少一些非有源器件是高k金屬柵極器件。
[0059]根據(jù)一些實施例,諸如在有源區(qū)106之上,介電層144和導(dǎo)電層150在第二層半導(dǎo)體材料650的圖案化時被去除，或者在單獨操作中被去除。第一層半導(dǎo)體材料320、介電層144和導(dǎo)電層150中的至少一些保留在保護區(qū)內(nèi)，作為有源區(qū)的殘留物140。根據(jù)一些實施例，殘留物具有包括角164、角部168或第二角165中的至少一個的輪廓160。
[0060]根據(jù)一些實施例,第一層半導(dǎo)體材料320被去除。例如,第一層半導(dǎo)體材料320以任何數(shù)量的方式被去除，諸如，通過蝕刻。在實施例中，當(dāng)去除第一層半導(dǎo)體材料時，覆蓋有源器件112、114、116的阻擋層306阻止蝕刻或有源器件112、114、116的去除。
[0061]在一些實施例中，在去除第一層半導(dǎo)體材料320之后,諸如在有源區(qū)106之上,一個或多個非有源器件184、186的第二層半導(dǎo)體材料650被去除并且由金屬柵極代替。在一些實施例中，這樣的金屬柵極通過金屬間隙填充處理形成。在一些實施例中，在形成這樣的金屬柵極時還使用CMP處理。根據(jù)一些實施例，隨后形成層間介電層700 (在圖1中示出)。根據(jù)一些實施例，在有源區(qū)106、保護區(qū)120以及非有源區(qū)180之上形成層間介電層700。
[0062]轉(zhuǎn)到圖8，在實施例中，提供形成半導(dǎo)體布置的方法800。在實施例中，在802，方法800包括在有源區(qū)之上和非有源區(qū)之上形成第一層半導(dǎo)體材料。在一些實施例中，非有源區(qū)包括高k金屬柵極區(qū)域，高k金屬柵極區(qū)域包括一個或多個高k金屬柵極器件。在實施例中，在804，方法800包括圖案化第一層，使得第一層的第一部分保留在有源區(qū)之上，第一層144的第二部分保留在非有源區(qū)的第一區(qū)域之上，但是第一層的第三部分從非有源區(qū)的第二區(qū)域被去除，由此暴露第二區(qū)域。在實施例中，在806，方法800包括在第一部分、第二部分和第二區(qū)域之上形成第二層半導(dǎo)體材料。在實施例中，在808，方法800包括圖案化第二層半導(dǎo)體材料，以形成鄰近有源區(qū)的保護區(qū)，其中，第一層的第二部分的至少一些包括在保護區(qū)內(nèi)，諸如，保護區(qū)內(nèi)的殘留物。
[0063]根據(jù)一些實施例，形成在此提供的半導(dǎo)體布置允許一個或多個圖案化或蝕刻操作被結(jié)合，由此減少執(zhí)行的總操作數(shù)量。根據(jù)一些實施例，形成在此提供的半導(dǎo)體布置要求使用更少掩模。將想到，通過將殘留物140封裝在保護區(qū)120內(nèi)，殘留物140不太可能導(dǎo)致不利效果，諸如，半導(dǎo)體布置100內(nèi)的污染問題。
[0064]在實施例中，半導(dǎo)體布置包括保護區(qū)和設(shè)置在保護區(qū)的第一側(cè)的有源區(qū)。在實施例中，有源區(qū)包括有源器件。在實施例中，保護區(qū)包括來自有源區(qū)的殘留物。
[0065]在實施例中，半導(dǎo)體布置包括保護區(qū)和設(shè)置在保護區(qū)的第一側(cè)的有源區(qū)。在實施例中，有源區(qū)包括有源器件。在實施例中，保護區(qū)包括介電區(qū)和來自介電區(qū)內(nèi)的有源區(qū)的殘留物，殘留物包括半導(dǎo)體層、介電層或?qū)щ妼又械闹辽僖粋€。
[0066]在實施例中，形成半導(dǎo)體布置的方法包括:在有源區(qū)之上和非有源區(qū)之上形成第一層半導(dǎo)體材料。在實施例中，該方法包括:圖案化第一層，使得第一層的第一部分保留在有源區(qū)之上，第一層的第二部分保留在非有源區(qū)的第一區(qū)域之上，但是第一層的第三部分從非有源區(qū)的第二區(qū)域被去除，由此暴露第二區(qū)域。在實施例中，該方法包括:在第一部分、第二部分和第二區(qū)域之上形成第二層半導(dǎo)體材料。在實施例中，該方法包括:圖案化第二層半導(dǎo)體材料，以形成鄰近有源區(qū)的保護區(qū)，其中，第一層的第二部分的至少一些包括在保護區(qū)內(nèi)。
[0067]雖然以結(jié)構(gòu)特征或方法論活動(methodological acts)專用的語言描述了主題，但是將理解，所附權(quán)利要求的主題不必須限于上述特有特征或活動。而是，上述特有特征和活動被公開為實現(xiàn)權(quán)利要求的典型形式。
[0068]在此提供實施例的多種操作。描述的一些或所有操作的順序不應(yīng)該被解釋為暗示這些操作必須依賴于順序。具有本說明書的益處的可選排序也是可行的。而且，將理解，不是所有操作都必須在在此提供的每個實施例中出現(xiàn)。
[0069]將想到，例如，為了簡單和容易理解的目的，在此描述的層、區(qū)域、特征、元件等通過相互的特定尺寸示出，諸如，結(jié)構(gòu)尺寸和/或方向，并且在一些實施例中，其實際尺寸基本不同于在此所示的。另外，例如，多種技術(shù)存在用于形成在此論述的層、區(qū)域、特征、元件等，諸如，注入技術(shù)、摻雜技術(shù)、旋涂技術(shù)、派射技術(shù)、諸如熱生長的生長技術(shù)、和/或諸如化學(xué)汽相沉積(CVD)的沉積技術(shù)。
[0070]而且，在此使用的“示例性”是指用作實例、范例、說明等，并且不必須是優(yōu)選的。如在本申請中使用的，“或者(or)”是指包含性“或者”而不是排他性“或者”。另外，除非另外特別指出或者從上下文清楚地看出是單數(shù)形式，在本申請和所附權(quán)利要求中使用的“一個(a)”和“一個(an)”通常被解釋為是指“一個或多個”。而且，A和B中的至少一個等通常是指A或B或者A和B。而且，在這個意義上，在【具體實施方式】或權(quán)利要求中使用“包括(include)”、“具有(having)”、“具有(has)”、“具有(with)”、或其變體，這樣的術(shù)語類似于術(shù)語“包括(comprising)”的方式是包含性的。而且，除非另外指出，“第一”、“第二”等不用于暗示時間方面、空間方面、排序等。而且，這樣的術(shù)語僅用作用于特征、元件、項等的標(biāo)識符、名稱等。例如，第一溝道和第二溝道通常對應(yīng)于溝道A和溝道B或者兩個不同或兩個相同溝道或同一溝道。
[0071]而且，雖然關(guān)于一個或多個實現(xiàn)示出和描述了本公開，但是基于讀取和理解本說明書和附圖，本領(lǐng)域技術(shù)人員將進行等效更改和修改。本公開包括所有這樣的修改和更改，并且僅由以下權(quán)利要求的范圍限定。特別關(guān)于由上述組件(例如，元件、資源等)執(zhí)行的多種功能，除非另外指出，即使在結(jié)構(gòu)上不等效于執(zhí)行在本公開的在此所示的示例性實施例中的功能的所公開結(jié)構(gòu)，用于描述這樣的組件的術(shù)語旨在對應(yīng)于執(zhí)行所描述組件的特定功能(例如，功能等效)的任何組件。另外，雖然在此僅關(guān)于多個實現(xiàn)中的一個公開了本披露的特定特征，但是當(dāng)期望用于和有利于任何給定或特定應(yīng)用時，這樣的特征可以與其他實現(xiàn)的一個或多個其他特征結(jié)合。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體布置，包括: 保護區(qū)；以及 有源區(qū)，設(shè)置在所述保護區(qū)的第一側(cè)，所述有源區(qū)包括有源器件，所述保護區(qū)包括來自所述有源區(qū)的殘留物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體布置，其中，所述殘留物包括介電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體布置，其中，所述介電層包括高k材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體布置，其中，所述殘留物包括導(dǎo)電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體布置，其中，所述導(dǎo)電層包括金屬柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體布置，其中，所述保護區(qū)包括半導(dǎo)體區(qū)，并且所述殘留物包括在所述半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體布置，其中，所述半導(dǎo)體材料包括多晶硅材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體布置，其中，所述殘留物的輪廓相對于其上形成所述布置的襯底表面形成約90度的角。
9.一種半導(dǎo)體布置，包括: 保護區(qū)；以及 有源區(qū)，設(shè)置在所述保護區(qū)的第一側(cè)，所述有源區(qū)包括有源器件，所述保護區(qū)包括介電區(qū)和所述介電區(qū)內(nèi)的來自所述有源區(qū)的殘留物，所述殘留物包括半導(dǎo)體層、介電層或?qū)щ妼又械闹辽僖粋€。
10.一種形成半導(dǎo)體布置的方法，包括: 在有源區(qū)之上和非有源區(qū)之上形成半導(dǎo)體材料的第一層； 圖案化所述第一層，使得所述第一層的第一部分留在所述有源區(qū)之上，所述第一層的第二部分留在所述非有源區(qū)的第一區(qū)域之上，但是從所述非有源區(qū)的第二區(qū)域去除所述第一層的第三部分，由此暴露所述第二區(qū)域； 在所述第一部分、所述第二部分和所述第二區(qū)域之上形成半導(dǎo)體材料的第二層；以及 圖案化所述第二層，以形成鄰近所述有源區(qū)的保護區(qū)，其中，所述第一層的所述第二部分的至少一部分包括在所述保護區(qū)內(nèi)。
【文檔編號】H01L29/10GK104183629SQ201310456169
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月28日
【發(fā)明者】莊學(xué)理, 吳偉成, 黃進義, 劉世昌 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司