技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的源級(jí)、漏極結(jié)構(gòu)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的示例性結(jié)構(gòu)包括：襯底，包括主表面和位于主表面下方的腔；柵極堆疊件，位于襯底的主表面上；間隔件，與柵極堆疊件的一側(cè)相鄰；淺溝槽隔離（STI）區(qū)域，設(shè)置在柵極堆疊件的一側(cè)上，其中，STI區(qū)域位于襯底內(nèi)；以及源極/漏極（S/D）結(jié)構(gòu)，分布在柵極堆疊件和STI區(qū)域之間。S/D結(jié)構(gòu)包括：位于腔中的應(yīng)變材料，應(yīng)變材料的晶格常數(shù)與襯底的晶格常數(shù)不同；以及設(shè)置在襯底和應(yīng)變材料之間的S/D延伸件，S/D延伸件包括在間隔件下方延伸并且基本上垂直于主表面的部分。

技術(shù)研發(fā)人員：蕭穎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201310425120
技術(shù)研發(fā)日：2013.09.17
技術(shù)公布日：2017.03.01