半導(dǎo)體發(fā)光組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體發(fā)光組件，其包含有一基板以及一設(shè)于基板上的半導(dǎo)體單元，該基板包括一基體以及一個(gè)以上設(shè)置于該基體上的圖形單元，該圖形單元包括多數(shù)圍繞部以及一設(shè)置于該等圍繞部之間的中央部，該等圍繞部的各個(gè)中心點(diǎn)形成一幾何中心點(diǎn)，該中央部的中心點(diǎn)與該幾何中心點(diǎn)間具有一間距；該半導(dǎo)體單元能通入電流而發(fā)光，通過基板上的中央部偏離該等圍繞部的幾何中心點(diǎn)的結(jié)構(gòu)，使該半導(dǎo)體單元發(fā)出的光線能通過圖形單元的該等圍繞部及中央部以更多角度反射，使該半導(dǎo)體發(fā)光組件發(fā)出的光線具有較廣的發(fā)射角度。
【專利說明】半導(dǎo)體發(fā)光組件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光組件，特別是指一種可增加光線散射角度的半導(dǎo)體發(fā)光組件。

【背景技術(shù)】
[0002]請(qǐng)參考圖12所示，為美國專利公開第20100264447號(hào)“半導(dǎo)體發(fā)光組件(SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE) ”，包含依序形成的一基板 91、一 η 型外延層 92、一主動(dòng)層93與一 P型外延層94，該基板91于其表面形成有呈數(shù)組式的凹凸圖形，該η型外延層92是沉積于該基板91上，該主動(dòng)層93是沉積于該η型外延層92上，而ρ型外延層94是沉積于該主動(dòng)層93上，該主動(dòng)層93于通入電流后會(huì)產(chǎn)生光線并向外發(fā)射，該基板91的凹凸圖形會(huì)將往下的光線向上反射，以此提升光萃取效率。
[0003]然而，現(xiàn)有具有凹凸圖形的基板91是以數(shù)組方式整齊地排列，因此大部分光線反射后會(huì)以垂直于該基板91的角度射出，導(dǎo)致軸向光偏強(qiáng)，其他非軸向角度的光線與側(cè)向光偏弱，如此便無法有效地應(yīng)用在需要較廣射角的產(chǎn)品上(例如消防指示燈)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]如前揭所述，現(xiàn)有半導(dǎo)體發(fā)光組件的基板的凹凸圖形是以數(shù)組方式排列，因此軸向光偏強(qiáng)而側(cè)向光偏弱，無法有效地將光線以較廣的角度向外發(fā)出，因此本發(fā)明主要目的在提供一半導(dǎo)體發(fā)光組件，主要是于基板上設(shè)有非規(guī)則性排列的圖形單元，令光線可以較廣的角度向外發(fā)射。
[0005]為達(dá)成前述目的所采取的主要技術(shù)手段是令前述半導(dǎo)體發(fā)光組件，包含有:
[0006]一基板，其包括一基體以及至少一設(shè)置于該基體上的圖形單元，該圖形單元包括多數(shù)設(shè)置于該基體上的圍繞部以及一設(shè)置于該等圍繞部之間的中央部，該等圍繞部與中央部分別具有一中心點(diǎn)，并根據(jù)該等圍繞部的各中心點(diǎn)形成一幾何中心點(diǎn)，該中央部的中心點(diǎn)與該幾何中心點(diǎn)之間具有一間距；以及
[0007]一半導(dǎo)體單元，其設(shè)置于該基板上，能通入電流而發(fā)光。
[0008]由前述組件組成的半導(dǎo)體發(fā)光組件，通過圖形單元的中央部偏離周圍該等圍繞部的幾何中心點(diǎn)結(jié)構(gòu)，能使該半導(dǎo)體單元朝向基板發(fā)出的光線能由圖形單元的各個(gè)圍繞部與中央部以更多不同角度被反射，而使光線具有較廣的發(fā)射角度，解決現(xiàn)有數(shù)組式凹凸圖形基板軸向光偏強(qiáng)而側(cè)向光偏弱的問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的側(cè)視圖。
[0010]圖2是本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的俯視圖。
[0011]圖3是本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的側(cè)視圖。
[0012]圖4是本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的俯視圖。
[0013]圖5是本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的側(cè)視圖。
[0014]圖6是本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的俯視圖。
[0015]圖7是本發(fā)明第四較佳實(shí)施例的側(cè)視圖。
[0016]圖8是本發(fā)明第五較佳實(shí)施例的側(cè)視圖。
[0017]圖9是本發(fā)明第六較佳實(shí)施例的圖形單元的立體圖。
[0018]圖10是本發(fā)明第六較佳實(shí)施例的側(cè)視圖。
[0019]圖11是本發(fā)明第七較佳實(shí)施例的側(cè)視圖。
[0020]圖12是現(xiàn)有半導(dǎo)體發(fā)光組件的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]以下配合附圖及本發(fā)明的較佳實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合參考附圖的數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。在本發(fā)明被詳細(xì)描述之前，要注意的是，在以下的說明內(nèi)容中，類似的組件是以相同的編號(hào)來表示。
[0022]關(guān)于本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖1與圖2，該半導(dǎo)體發(fā)光組件10包括有一基板20以及一半導(dǎo)體單元30，該半導(dǎo)體單元30是由多個(gè)外延層堆棧于該基板20的表面而成。
[0023]該基板20包括一基體21以及于該基體21上設(shè)有一個(gè)以上的圖形單元22，該圖形單元22包括六個(gè)圍繞部221以及一設(shè)置于該等圍繞部221中的中央部222，各圍繞部221的底部是呈圓形并具有一中心點(diǎn)A，其側(cè)視是呈圓錐狀，該等圍繞部221是以環(huán)狀設(shè)置而排列成六角形，兩個(gè)相對(duì)的圍繞部221分別以其中心點(diǎn)A形成一條假想延伸線，因此六個(gè)圍繞部221的中心點(diǎn)A共形成三條交錯(cuò)的假想延伸線，該等假想延伸線的交點(diǎn)即形成一幾何中心點(diǎn)223，該中央部222的底部是呈圓形并具有一中心點(diǎn)B，而其側(cè)視也是呈圓錐狀，該中央部222的中心點(diǎn)B與該幾何中心點(diǎn)223具有一間距L，且中央部222的中心點(diǎn)B是于幾何中心點(diǎn)223的平面的任意方位，也就是中央部222的中心點(diǎn)B偏離前述幾何中心點(diǎn)223。
[0024]當(dāng)上述該等圍繞部221底部半徑(rl)與中央部222底部半徑(r2)分別為600nm時(shí)，10nm的間距L能對(duì)短波長的光線造成較佳的散射效果，因此在本較佳實(shí)施例中的間距L特別是以10nm作說明。而當(dāng)上述該等圍繞部221底部與中央部222底部的直徑分別為200nm時(shí)，20nm的間距L能對(duì)短波長的光線造成較佳的散射效果。
[0025]該半導(dǎo)體單元30是設(shè)置于該基板20上并能通入電流而發(fā)光，該半導(dǎo)體單元30的多個(gè)外延層是包括一設(shè)置于該基板20上的第一極性部31、一設(shè)置于該第一極性部31上的量子井部32、一設(shè)置于該量子井部32上且極性與該第一極性部31相反的第二極性部33、一設(shè)置于該第一極性部31上的第一電極34，以及一設(shè)置于該第二極性部33上的第二電極35 ;該第一電極34與第二電極35通電后，通過第一極性部31與第二極性部33將電力送至量子井部32，藉此量子井部32可向外發(fā)出多道光線40。該半導(dǎo)體單元30是以II1- V族化合物半導(dǎo)體為主要材料制作而成，在本較佳實(shí)施例中該半導(dǎo)體單元30是以砷化鎵(GaAs)作說明，該基板20是以砷化鎵基板(GaAs Substrate)作說明，當(dāng)然也可以使用磷化銦基板(InP Substrate)或其他能用于成長砷化鎵的基板，由于基板20能導(dǎo)電，因此整體可制作為垂直式結(jié)構(gòu)。
[0026]本較佳實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于:通過該基板20的中央部222偏離該等圍繞部221定出的幾何中心點(diǎn)223的結(jié)構(gòu)，而能使該半導(dǎo)體單元30所發(fā)出的多道光線40能以更多不同角度被反射，以使光線40具有較廣的發(fā)射角度。另外，偏離幾何中心點(diǎn)223的中央部222能進(jìn)一步產(chǎn)生釋放半導(dǎo)體單元30外延層的應(yīng)力效果，降低材料內(nèi)部所累積的應(yīng)力以提升整體使用壽命。
[0027]關(guān)于本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖3與圖4，本較佳實(shí)施例大致與第一較佳實(shí)施例相同，不同的是:該半導(dǎo)體單元30是以氮化物(Nitride base)材料做說明，特別是以氮化鎵(GaN)為主的材料及其組成物，例如氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁銦鎵(AlInGaN)等，當(dāng)然也可以使用或摻雜其他材料以提升其發(fā)光效率或降低其應(yīng)力，不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所揭露的內(nèi)容為限。該基板20的材料能選自氧化鋁(A1203)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(A1N)、氧化硅(S12)或其組合，在本較佳實(shí)施例中是以氧化鋁基板(Al2O3 Substrate)作說明。在本較佳實(shí)施例中，該半導(dǎo)體單元30發(fā)出的光波長為 365nm 至 600nm。
[0028]因此針對(duì)不同尺寸的圍繞部221與中央部222計(jì)算間距L時(shí)，介于O至2000nm的間距L為較佳的數(shù)值限定范圍，當(dāng)然不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所界定的范圍為限。另外，該基板20的各個(gè)圍繞部221具有一第一尺寸(包括底部的直徑及對(duì)應(yīng)的高度)，該中央部222具有一第二尺寸(包括底部的直徑及對(duì)應(yīng)的高度)，在本較佳實(shí)施例中，是以第一尺寸大于第二尺寸作說明，當(dāng)然也能夠視實(shí)際需要使第一尺寸小于第二尺寸，在本較佳實(shí)施例中，所述圍繞部221的第一尺寸是以底部半徑(rl)為600nm、高度(hi)為400nm做說明，而該中央部222的第二尺寸是以底部半徑(r2)為400nm、高度(h2)為270nm做說明，不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所揭露的內(nèi)容為限。
[0029]本較佳實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于:通過限定數(shù)值的間距L，對(duì)于氮化鎵系列所發(fā)出的偏短波長光線能產(chǎn)生較佳的散射效果。
[0030]關(guān)于本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖5與圖6，本較佳實(shí)施例大致與第二較佳實(shí)施例相同，不同處在于:該基板20包括多數(shù)個(gè)圖形單元22，每個(gè)圖形單元22分呈六角形，因此相鄰的兩個(gè)圖形單元22的兩個(gè)圍繞部221是共享的，若每個(gè)圖形單元22為其他形狀的多角形(例如五角形)，則會(huì)有一個(gè)以上共享的的圍繞部221。另外，相鄰的兩個(gè)圖形單元22的中央部222的中心點(diǎn)B與相對(duì)應(yīng)幾何中心223的間距L與方位皆不相同，意即，每一個(gè)間距L皆為控制產(chǎn)生，但所述間距L皆小于2000nm。
[0031]該半導(dǎo)體單元30同樣包括設(shè)置于該基板20上的第一極性部31、設(shè)置于該第一極性部31上的量子井部32、設(shè)置于該量子井部32上且極性與該第一極性部31相反的第二極性部33、設(shè)置于該第一極性部31上的第一電極34以及設(shè)置于該第二極性部33上的第二電極35,并于該第二極性部33與第二電極35間設(shè)有一透明導(dǎo)電層36。
[0032]在本較佳實(shí)施例中，該透明導(dǎo)電層36是以氧化銦錫(ITO)作說明，當(dāng)然也能使用氧化鋅(ZnO)、氧化鋁鋅(ΑΖ0)、氧化銦鋅(IZO)或其他能導(dǎo)電且能透光的材料取代，不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所揭露的內(nèi)容為限。
[0033]在本較佳實(shí)施例中，該第一極性部31為η型半導(dǎo)體，該第二極性部33則為ρ型半導(dǎo)體，當(dāng)然也可以將第一極性部31與第二極性部33的極性對(duì)調(diào)，不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所揭露的內(nèi)容為限。
[0034]在本較佳實(shí)施例中，該半導(dǎo)體單元30是以氮化物(Nitride base)材料做說明,特別是以氮化鋁鎵(AlGaN)為主的材料及其組成物，例如氮化鋁(A IN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁銦鎵(AlInGaN)等，當(dāng)然也可以使用或摻雜其他材料以提升其發(fā)光效率或降低其應(yīng)力，不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所揭露的內(nèi)容為限。在本較佳實(shí)施例中，該半導(dǎo)體單元30所發(fā)出的光波長為360nm至480nm。
[0035]在本較佳實(shí)施例中，該基板20是以藍(lán)寶石基板(Sapphire Substrate)作說明，當(dāng)然也可以使用娃基板(Si Substrate)、氮化鎵基板(GaN Substrate)、碳化娃基板(SiCSubstrate)或其他能用于成長氮化鎵的基板，不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所記載為限。
[0036]另外，在本較佳實(shí)施例中，該基板20厚度是介于ΙΟμπι至500μπι之間。特別說明的是，基板20厚度會(huì)影響該半導(dǎo)體單元30的散熱效果，用于外延的基板20厚度約為500 μ m,因此能夠以研磨的方式使該基板20厚度減少至適當(dāng)?shù)暮穸?，不過當(dāng)基板20越薄較容易破裂，因此后續(xù)制程的難度越高。在本較佳實(shí)施例中，較適當(dāng)?shù)暮穸葹?50μπι，而所謂的適當(dāng)厚度應(yīng)該視該半導(dǎo)體單元30的類型與整體設(shè)計(jì)進(jìn)行調(diào)整，不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所記載為限。
[0037]本較佳實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于，通過所述圖形單元22朝不同方向且具有不同位移間距L的中央部222，能使整體光線更為均勻的以發(fā)散的角度射出，因此能避免軸向光過強(qiáng)，而且散射的角度也更為廣泛。另外，所述偏離幾何中心點(diǎn)223的中央部222更能進(jìn)一步產(chǎn)生釋放外延層應(yīng)力的效果，因此能降低材料內(nèi)部所累積的應(yīng)力以提升整體使用壽命。
[0038]關(guān)于本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖7，本較佳實(shí)施例大致上與該第三較佳實(shí)施例相同，不同處在于:該基板20進(jìn)一步于基體21上形成有一布拉格反射層23(Distributed Bragg Reflectors, DBR),該布拉格反射層23是由兩種折射率不同的材料以交替方式排列而成，每一材料的厚度為操作波長的四分之一，因此是一種四分之一波長多層系統(tǒng)，由于頻率落在能隙范圍內(nèi)的電磁波無法穿透，因此該布拉格反射層23在任何入射角的反射率可以高達(dá)99%以上，該布拉格反射層23是形成于該等圍繞部221與中央部222的周圍，但并不完全覆蓋所述圍繞部221與中央部222，使所述圍繞部221與中央部222的局部凸出于該布拉格反射層23上。
[0039]該半導(dǎo)體單元30為垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，該半導(dǎo)體單元30包括依序設(shè)置于該基板2上的第一極性部31、量子井部32、第二極性部33以及第二電極35。
[0040]在本較佳實(shí)施例中，該基板20是以娃基板(Si Substrate)作說明，當(dāng)然也可以使用氮化鎵基板(GaN Substrate)、碳化娃基板(SiC Substrate)、藍(lán)寶石基板(SapphireSubstrate)或其他能用于成長氮化鎵的基板，不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所記載為限。
[0041]在本較佳實(shí)施例中，該布拉格反射層23是以氧化硅(S12)與氧化鈦(T i02)薄膜交互層疊而成，布拉格反射層23主要是由二種折射率不同的材料進(jìn)行堆棧而成，折射率差值愈大就能用越少的層數(shù)達(dá)到預(yù)期的反射率。因此只要是能制作布拉格反射層23的可透光導(dǎo)電材料或透明導(dǎo)電膜材料皆可使用，除了本較佳實(shí)施例采用的氧化硅與氧化鈦以外，當(dāng)然也能使用氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫(IT0)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、鋁(Al)或其他具有類似特性的材料，并考慮該半導(dǎo)體單元30所發(fā)出的光波段去設(shè)計(jì)各層厚度與材料，以制作出布拉格反射層23，不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所記載的內(nèi)容為限。
[0042]本較佳實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于,該外延層能在凸出于該布拉格反射層23上的所述圍繞部221與中央部222局部上成長，量子井部32在通入電流發(fā)光時(shí)，該布拉格反射層23又能提供良好的反射效果，以提升整體的光萃取效率。另外，偏離幾何中心223的中央部222更能進(jìn)一步產(chǎn)生釋放外延層應(yīng)力的效果，因此能降低材料內(nèi)部所累積的應(yīng)力以提升整體使用壽命。
[0043]關(guān)于本發(fā)明的第五較佳實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖8，本較佳實(shí)施例大致上與該第四較佳實(shí)施例相同，不同處在于:該半導(dǎo)體單元30為垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，該布拉格反射層23是分別設(shè)置于該等圍繞部221與該中央部222的椎體表面。
[0044]在本較佳實(shí)施例中，該基板20是以娃基板(Si Substrate)作說明，當(dāng)然也可以使用氮化鎵基板(GaN Substrate)、碳化娃基板(SiC Substrate)、藍(lán)寶石基板(SapphireSubstrate)或其他能用于成長氮化鎵的基板，不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所記載為限。
[0045]在本較佳實(shí)施例中，該布拉格反射層23除了上述的氧化硅、氧化鈦、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化鋁鋅(AZO)與氧化銦鋅(IZO)的外，可進(jìn)一步使用鋁(Al)、銀(Ag)、鈦(Ti)、金(Au)或其他具有類似特性的材料制作或組合，不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所記載的內(nèi)容為限。
[0046]本較佳實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于,外延層能在該布拉格反射層23以外的基體21上成長，而在通入電流而發(fā)光時(shí)，該布拉格反射層23又能提供良好的反射效果，以提升整體的光萃取效率。另外，偏離幾何中心223的中央部222更能進(jìn)一步產(chǎn)生釋放外延層應(yīng)力的效果，因此能降低材料內(nèi)部所累積的應(yīng)力以提升整體使用壽命。
[0047]關(guān)于本發(fā)明的第六較佳實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖9與圖10，該圖形單元22包括兩個(gè)圍繞部221與一個(gè)中央部222，該等圍繞部221與該中央部222皆為長條狀且其剖面成錐狀，兩個(gè)圍繞部221的中心點(diǎn)A以等距離D于基板20上形成幾何中心點(diǎn)223，該幾何中心點(diǎn)223與該中央部222間具有一間距L。
[0048]該半導(dǎo)體單元30為垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，該基板20是以氮化鎵基板(GaN Substrate)作說明，當(dāng)然也可以使用娃基板(Si Substrate)、碳化娃基板(SiCSubstrate)、藍(lán)寶石基板2 (Sapphire Substrate)或其他能用于成長氮化鎵的基板,不應(yīng)以本較佳實(shí)施例所記載為限。
[0049]本較佳實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于，通過條狀的圍繞部221與中央部222不只能對(duì)光線產(chǎn)生反射的效果，更能進(jìn)一步降低制造成本。另外，偏離幾何中心點(diǎn)223的中央部222更能進(jìn)一步產(chǎn)生釋放外延層應(yīng)力的效果，因此能降低材料內(nèi)部所累積的應(yīng)力以提升整體使用壽命O
[0050]關(guān)于本發(fā)明的第七較佳實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖11，本較佳實(shí)施例大致上與該第六較佳實(shí)施例相同，不同處在于:該半導(dǎo)體單元30為具有二維(2DEG)電子氣的高電子遷移率晶體管(High electron mobility transistor, HEMT)。該半導(dǎo)體單兀30包括設(shè)置于該基板20上的第一極性部31、一設(shè)置于該第一極性部31上并能形成二維電子氣的高速傳導(dǎo)層37，以及三個(gè)設(shè)置于該高速傳導(dǎo)層37上的電極38。在本較佳實(shí)施例中，該高速傳導(dǎo)層37包括一氮化鎵層371 (Ga N)以及一氮化鋁鎵層372 (AlGaN)，該二維電子氣是形成于氮化鎵層371與氮化鋁鎵層372的接面處。
[0051]本較佳實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于，該高電子遷移率晶體管并非用于發(fā)光，由于該基板20上的圖形單元22能提升外延質(zhì)量，而所述偏離幾何中心點(diǎn)223的中央部222更能進(jìn)一步產(chǎn)生釋放外延層應(yīng)力的效果，因此能降低材料內(nèi)部所累積的應(yīng)力以提升整體使用壽命。
[0052]綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光組件10通過該基板20的中央部222偏離所述圍繞部221的幾何中心點(diǎn)223的結(jié)構(gòu)，而能使該半導(dǎo)體單元30所發(fā)出的光線能以更多角度被反射，以使光線具有較廣的發(fā)射角度，故確實(shí)能達(dá)成本發(fā)明的目的。
[0053]以上所述僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明權(quán)利要求的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，包含有: 一基板，其包括一基體以及至少一設(shè)置于所述基體上的圖形單元，所述圖形單元包括多數(shù)設(shè)置于所述基體上的圍繞部以及一設(shè)置于所述圍繞部之間的中央部，所述圍繞部與中央部分別具有一中心點(diǎn)，并根據(jù)所述圍繞部的各中心點(diǎn)形成一幾何中心點(diǎn)，所述中央部的中心點(diǎn)與所述幾何中心點(diǎn)之間具有一間距；以及 一半導(dǎo)體單元，其設(shè)置于所述基板上，能通入電流而發(fā)光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述圖形單元包括六個(gè)圍繞部，所述圍繞部是以環(huán)形設(shè)置，所述中央部的中心點(diǎn)與幾何中心點(diǎn)的間距小于2000nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述基板的各圍繞部具有一第一尺寸，所述中央部具有一第二尺寸，所述第一尺寸與第二尺寸是不相同的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述基板具有一布拉格反射層，所述布拉格反射層是形成于所述圍繞部與中央部的周圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述基板具有一布拉格反射層，所述布拉格反射層是局部覆蓋于圍繞部與中央部上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述基板設(shè)有多數(shù)圖形單元，相鄰圖形單元共享一個(gè)以上的圍繞部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述基板設(shè)有多數(shù)圖形單元，相鄰圖形單元的中央部的中心點(diǎn)與相對(duì)應(yīng)幾何中心點(diǎn)的間距與方位皆不相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，相鄰的圖形單元的中央部的中心點(diǎn)與相對(duì)應(yīng)幾何中心點(diǎn)的間距與位移方向皆不相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述半導(dǎo)體單元包括依序設(shè)置于所述基板上的一第一極性部、一量子井部、一極性與第一極性部相反的第二極性部、一第一電極以及一第二電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述半導(dǎo)體單元包括依序設(shè)置于所述基板上的一第一極性部、一量子井部、一極性與第一極性部相反的第二極性部、一第一電極以及一第二電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述半導(dǎo)體單元包括依序設(shè)置于所述基板上的一第一極性部、一形成二維電子氣的高速傳導(dǎo)層以及一個(gè)以上的電極，所述高速傳導(dǎo)層包括一氮化鎵層以及一氮化鋁鎵層，所述二維電子氣是形成于氮化鎵層與氮化鋁鎵層的接面處。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述半導(dǎo)體單元包括依序設(shè)置于所述基板上的一第一極性部、一形成二維電子氣的高速傳導(dǎo)層以及一個(gè)以上的電極，所述高速傳導(dǎo)層包括一氮化鎵層以及一氮化鋁鎵層，所述二維電子氣是形成于氮化鎵層與氮化鋁鎵層的接面處。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述半導(dǎo)體單元是砷化鎵，所述基板是以砷化鎵基板或磷化銦基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述半導(dǎo)體單元是氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁鎵或氮化鋁銦鎵，所述基板是氧化鋁、硅、碳化硅、氮化鎵、氮化鋁或氧化硅。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件，其特征在于，所述半導(dǎo)體單元于所述第二極性部與第二電極間設(shè)有一透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層是氧化銦錫、氧化鋅、氧化鋁鋅或氧化銦鋅。
【文檔編號(hào)】H01L33/10GK104425658SQ201310409927
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月10日
【發(fā)明者】覺文郁, 吳家鴻, 簡宏達(dá), 許富強(qiáng), 蘇方旋, 葉俊麟 申請(qǐng)人:銀泰科技股份有限公司, 中強(qiáng)光電股份有限公司, 鼎元光電科技股份有限公司