液晶顯示器的陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種液晶顯示器的陣列基板，包括一存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容包括一第一公共電極、一設(shè)置在該第一公共電極上的第一保護(hù)層與一設(shè)置在第一保護(hù)層上的像素電極，一設(shè)置在像素電極上的第二保護(hù)層與一設(shè)置在第二保護(hù)層上的第二公共電極。該第二公共電極具有多數(shù)個(gè)狹縫，且與第一公共電極電連接。本發(fā)明提供的陣列基板可提高單位面積的存儲(chǔ)電容，適用于高分辨率的液晶顯示器。
【專利說(shuō)明】液晶顯示器的陣列基板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種液晶顯示器，尤其涉及一種液晶顯示器的陣列基板。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前，顯示器市場(chǎng)上的邊緣電場(chǎng)（pringe Field Switching, FF巧型液晶顯示器 廣受歡迎。該邊緣場(chǎng)電場(chǎng)型液晶顯示器是在陣列基板上形成像素電極與公共電極，對(duì)該像 素電極與該公共電極之間施加電壓，使之產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)W在與該陣列基板基本平行的面內(nèi) 驅(qū)動(dòng)液晶分子。該種液晶顯示器具有廣視角、低色偏及高開口率的特性。
[0003] 近年來(lái)，市場(chǎng)對(duì)顯示器的分辨率的要求越來(lái)越高。為了提高分辨率，需提高液晶顯 示器陣列基板的像素密度。然而，像素密度越大，存儲(chǔ)電容值則越小，存儲(chǔ)電容的不足將引 起液晶顯示器的質(zhì)量下降，例如在顯示畫面中產(chǎn)生閃爍（flicker)或串?dāng)_（cross-talk)等 不良現(xiàn)象。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的存儲(chǔ)電容由公共電極、像素電極及夾設(shè)于兩者之間的絕緣 層構(gòu)成，其電容按如下公式計(jì)算： CsT= e A/d 上述公式中，CsT表示存儲(chǔ)電容值，e表示絕緣層的介電常數(shù)，A表示像素電極與公共電 極的有效面積，d表示絕緣層的厚度。因此，該存儲(chǔ)電容的電容值CsT與有效面積A成正比， 與厚度d成反比。為了實(shí)現(xiàn)高分辨率，先前技術(shù)的做法是減薄絕緣層的厚度，然而，由于制 程控能力有限，并不能過(guò)度減薄絕緣層的厚度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 鑒于W上內(nèi)容，有必要提供一種液晶顯示器陣列基板，其可W在提高陣列基板分 辨率的情況下，增大存儲(chǔ)電容值。
[0006] 本發(fā)明提供一種液晶顯示器的陣列基板，包括一存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容包括一第 一公共電極、一設(shè)置在該第一公共電極上的第一保護(hù)層與一設(shè)置在第一保護(hù)層上的像素電 極，其中該存儲(chǔ)電容還包括一設(shè)置在像素電極上的第二保護(hù)層與一設(shè)置在第二保護(hù)層上的 第二公共電極，該第二公共電極具有多數(shù)個(gè)狹縫，且與第一公共電極電連接。
[0007] 相較于現(xiàn)有技術(shù)，根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板W增加單位面積存儲(chǔ)電容的方式， 增加了陣列基板設(shè)計(jì)的靈活度與制程邊界（process window),尤其可適用于高分辨率的液 晶顯示器。對(duì)于液晶顯示器而言，即使為了提高分辨率而增大像素密度，也不會(huì)因存儲(chǔ)電容 不足而影響顯示質(zhì)量。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008] 圖1為本發(fā)明提供的第一實(shí)施方式的液晶顯示器陣列基板的俯視圖。
[0009] 圖2為圖1中所示的陣列基板沿線II - II的剖示圖。
[0010] 圖3為圖1中所示的部分陣列基板中H層電極結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0011] 圖4為圖1中所示的陣列基板公共電極接墊區(qū)的剖示圖。
[0012] 圖5為圖1中所示的陣列基板沿線IV - IV的剖示圖。
[0013] 圖6為本發(fā)明提供的第二實(shí)施方式中陣列基板的俯視圖。
[0014] 圖7為圖6中所示的部分陣列基板中H層電極結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0015] 圖8為本發(fā)明提供的第H實(shí)施方式中陣列基板的俯視圖。
[0016] 圖9為本發(fā)明提供的第四實(shí)施方式中陣列基板的俯視圖。
[0017] 主要元件符號(hào)說(shuō)明

【權(quán)利要求】
1. 一種液晶顯不器的陣列基板，包括一存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容包括一第一公共電極、 一設(shè)置在該第一公共電極上的第一保護(hù)層與一設(shè)置在第一保護(hù)層上的像素電極，其改良在 于：該存儲(chǔ)電容還包括一設(shè)置在像素電極上的第二保護(hù)層與一設(shè)置在第二保護(hù)層上的第二 公共電極，該第二公共電極具有多數(shù)個(gè)狹縫，且與該第一公共電極電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于：該陣列基板還包括一基 板、一薄膜晶體管設(shè)置于該基板上、一鈍化層覆蓋該薄膜晶體管與該基板，以及一平坦層覆 蓋該鈍化層。
3. 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于：該存儲(chǔ)電容位于該平坦 層上。
4. 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于：該平坦層與該鈍化層具 有第一開孔以露出部分薄膜晶體管，該第一公共電極具有第二開孔，該第二開孔位于第一 開孔上方且大于第一開孔，該第一保護(hù)層具有第三開孔，該第三開孔位于該第一開孔與該 第二開孔中并露出部分該薄膜晶體管。
5. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于：該像素電極通過(guò)該第三 開孔與該薄膜晶體管電連接。
6. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于：該第二公共電極具有第 四開孔，該第四開孔與該第二開孔重迭且大小一致。
7. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于該第一公共電極與該像素 電極之間形成第一存儲(chǔ)電容，該第二公共電極與該像素電極之間形成第二存儲(chǔ)電容。
8. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于：該第一公共電極與該第 二公共電極電性連接。
9. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于：該陣列基板還包括多條 掃描線、多條數(shù)據(jù)線與該多條掃描線交叉以限定多個(gè)子像素。
10. 如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于：其中該像素電極為平板 狀電極且分別位于每個(gè)子像素中。
11. 如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于：該第一公共電極為平板 狀電極且連續(xù)覆蓋所有子像素。
12. 如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于：該第二公共電極與該第 一公共電極重迭，且連續(xù)覆蓋所有子像素。
13. 如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于：該第一公共電極包括位 于子像素中的平板狀公共電極以及位于相鄰子像素之間的第一公共電極連接部，位于子像 素中的平板狀公共電極與數(shù)據(jù)線相互不重迭。
14. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器的陣列基板，其特征在于：該第一公共電極連接 部重迭覆蓋部分該數(shù)據(jù)線。
【文檔編號(hào)】H01L27/02GK104423110SQ201310407236
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】蔡五柳, 高逸群, 林欣樺, 施博理, 李志隆 申請(qǐng)人:業(yè)鑫科技顧問股份有限公司, 新光電科技有限公司