用于熔化激光熔絲的方法以及用于加工晶片的方法
【專利摘要】用于熔化激光熔絲的方法以及用于加工晶片的方法。根據不同的實施例的用于熔化激光熔絲的方法可以包括：提供具有襯底區(qū)域和至少一個激光熔絲的半導體工件；利用紅外激光束從所述襯底區(qū)域的背面熔化所述至少一個激光熔絲。
【專利說明】用于熔化激光熔絲的方法以及用于加工晶片的方法
【技術領域】
[0001]各種實施例總體上涉及用于熔化激光熔絲的方法以及用于加工晶片的方法。
【背景技術】
[0002]在電子器件(例如集成電路或者芯片)的制作中，有時可以使用熔絲。熔絲(有時也被稱作熔絲連接或者熔性連接)可以被理解為可被選擇性地切斷或者燒斷(所謂的熔化)的電連接或互連。
[0003]可以例如通過激光實現熔化?？杀患す馊刍娜劢z也可以被稱作激光熔絲(或者激光熔絲連接或者激光熔性連接)，并且熔化激光熔絲也可以被稱作激光熔化。
【發(fā)明內容】
[0004]根據不同的實施例的用于熔化激光熔絲的方法可以包括:提供具有襯底區(qū)域和至少一個激光熔絲的半導體工件；利用紅外激光束從所述襯底區(qū)域的背面熔化所述至少一個激光熔絲。
[0005]根據不同的實施例的用于熔化激光熔絲的方法可以包括:提供半導體工件，其具有定位成接近半導體工件的背面的襯底區(qū)域和定位成接近半導體工件的正面的功能性區(qū)域，至少一個激光熔絲被定位在襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面處或者接近襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面；使用聚焦到襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面上的紅外激光束來照射所述半導體工件的背面，以熔化所述至少一個激光熔絲。
[0006]根據不同實施例的用于熔化激光熔絲的方法可以包括:提供具有包含硅化物的至少一個激光熔絲的晶片或者管芯；使用紅外激光光線從所述晶片或者管芯的背面照射所述晶片或者管芯，以熔融所述至少一個激光熔絲的硅化物。
[0007]根據不同實施例的用于加工晶片的方法可以包括:提供具有至少一個激光熔絲的晶片；從晶片背面熔化所述至少一個激光熔絲；以及隱形切割所述晶片；其中使用相同的紅外激光實施熔化所述至少一個激光熔絲和隱形切割所述晶片。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]在附圖中，貫穿不同的視圖，相似的參考字符通常指代相同的部分。附圖不必要按比例，而是通常將重點放置在說明不同實施例的原理上。在下面的描述中，參照下面的附圖描述不同的實施例，在附圖中:
圖1示出根據實施例的用于熔化激光熔絲的方法；
圖2示出根據另一實施例的用于熔化激光熔絲的方法；
圖3示出根據另一實施例的用于熔化激光熔絲的方法；
圖4示出晶片的透視圖，用以說明一個或者多個實施例的各方面；
圖5A至圖5E示出在不同加工階段期間的管芯的截面圖，用以說明一個或者多個實施例的各方面； 圖6示出晶片的平面圖，用以說明一個或者多個實施例的各方面；
圖7示出根據另一實施例的用于加工晶片的方法。
【具體實施方式】
[0009]下面詳細的描述參照附圖，所述附圖借助圖示示出其中可以實施本發(fā)明的實施例和具體細節(jié)。這些實施例被足夠詳細地描述以使得本領域技術人員能夠實施本發(fā)明。在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下可以使用其它實施例并且可以做出結構，邏輯，和電氣的改變。不同實施例不必要是相互排斥的，因為一些實施例可以與一個或者多個其它實施例結合以形成新的實施例。
[0010]本公開的不同方面被提供用于各方法，并且本公開的不同方面被提供用于各器件。將被理解所述方法的基本特性也適用于器件并且反之亦然。因此，為了簡潔，可以省略這種特性的重復的描述。
[0011]如此處使用的術語“至少一個”可以被理解為包括任何大于或者等于I的整數。
[0012]如此處使用的術語“多個”可以被理解為包括任何大于或者等于2的整數。
[0013]如此處使用的術語“耦合”或者“連接”可以分別被理解為包括直接“耦合”或者直接“連接”以及間接“耦合”或者間接“連接”。
[0014]如此處使用的術語“設置在上面”，“位于上面”或者“布置在上面”旨在包括如下布置:其中第一元件或者層可以被直接設置，位于或者布置在第二元件或者層上，在中間不具有另外的元件或者層，以及如下布置:其中第一元件或者層可以被設置，位于或者布置在第二元件或者層的上方，在第一元件或者層和第二元件或者層之間具有一個或者多個附加的元件或者層。
[0015]在例如集成電路或者芯片的半導體器件的制造中，有時可以使用熔絲。熔絲(有時也被稱作熔絲連接或者熔性連接)可以被理解為可被選擇性地切斷或者燒斷(所謂的熔化)的電連接。例如，可以由激光實現熔化?？梢允褂眉す馊刍娜劢z也可被稱作激光熔絲(或者激光熔絲連接或者激光熔性連接)，并且熔化激光熔絲也可被稱作激光熔化。
[0016]例如，可以在晶片測試之后實施激光熔化來實現ID (標識)信息或者調節(jié)器件以滿足嚴格的規(guī)范。
[0017]傳統的激光熔化方法可以是幾乎不可兼容的，或者是根本不可兼容的，具有現代的低k或者超低k電介質(即它們的介電常數k具有低的或者超低值的電介質)。例如，傳統的激光熔化方法可能時常地導致那些電介質的大的分層。
[0018]此外，傳統的激光熔化方法通?？赡軐е氯劢z的暴露。換句話說，由于熔化過程，位于所述熔絲上面或者上方的材料層可能被至少部分地去除，從而暴露所述熔絲。這可導致在熔化區(qū)域處由濕氣引起的腐蝕，其可能構成可靠性風險。
[0019]此外，傳統的激光熔化方法可導致熔絲附近的大范圍損壞，其又可能會要求當熔化特定熔絲時，在熔絲之間的距離(間距)是大的(例如，大于10 μ m)和/或沒有其它結構位于(多個)熔絲上以避免鄰近熔絲或者其它結構的損壞。由此，利用傳統激光熔化方法使用的熔絲可能會消耗大的芯片面積。
[0020]此外，傳統的激光熔化方法可能經常需要被實現為在制造過程中的額外的工藝步驟。這可導致加工成本的增加。[0021]圖1示出根據實施例的用于熔化激光熔絲的方法100。
[0022]在102處，可以提供半導體工件，所述半導體工件具有襯底區(qū)域和至少一個激光熔絲。
[0023]在104處，可以利用紅外激光束從襯底區(qū)域的背面熔化所述至少一個激光熔絲。
[0024]根據實施例，半導體工件可以包括或者可以是晶片。根據另一實施例，半導體工件可以包括或者可以是管芯。
[0025]根據實施例，晶片或者管芯可以是硅晶片或者管芯，然而晶片或者管芯也可以包括其它材料(例如，包括復合半導體材料的其它半導體材料)或者由所述其它材料構成。
[0026]根據另一實施例，所述襯底區(qū)域可以定位成接近半導體工件的背面(例如，接近晶片或者管芯的背面)，并且所述半導體工件可以進一步包括定位成接近半導體工件的正面(例如接近晶片或者管芯的正面)的功能性區(qū)域；所述至少一個激光熔絲可以位于襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面處或者接近襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面，并且紅外激光束可以被聚焦到所 述界面上。
[0027]根據另一實施例，紅外激光束可以被配置(或者施加)成使得在熔化所述至少一個激光熔絲之后，位于在所述至少一個激光熔絲上面或者上方的功能性區(qū)域中的結構的完整性被基本上(或者完全地)保持。
[0028]在一個或者多個實施例中，所述至少一個激光熔絲可以包括硅化物或者由硅化物構成。示例性地，所述至少一個激光熔絲的可熔材料可以包括或者可以是硅化物。
[0029]根據另一實施例，所述硅化物可以選自具有小于或者等于大約750°C，例如小于或者等于大約550°C，例如小于或者等于大約350°C的激活溫度的硅化物的組。在一個或者多個實施例中，硅化物的激活溫度可以包括或者可以是發(fā)生所述硅化物的相變所處的溫度。在一個或者多個實施例中，激活溫度可以包括或者可以是金屬原子或者離子到硅或者多晶硅中的擴散顯著增加所處的溫度。在一個或者多個實施例中，激活溫度可以包括或者可以是硅化物的電阻例如由于前面提到的增加的金屬擴散而顯著變化所處的溫度。
[0030]根據另一實施例，所述硅化物可以選自硅化物的組，所述組由下述構成:硅化鎢，硅化鑰，硅化鈦，硅化鈷和硅化鎳。
[0031]根據另一實施例，所述至少一個激光熔絲可以包括或者可以是多晶硅-硅化物(polycide)(即，在多晶硅上形成的硅化物)，例如硅化的多晶硅圖案或者結構，例如硅化的多晶硅跡線或者互連。
[0032]根據另一實施例，紅外激光束可以具有在從大約Ι.Ομ--到大約1.4μπι的范圍中的波長，例如1064nm，1080nm，或者1342nm的波長，然而其它波長也可以是可能的。
[0033]根據另一實施例，功能性區(qū)域可以包括至少一個電路結構或器件，例如墊(諸如金屬墊)，互連，布線線路，電阻器(諸如金屬電阻器)，電容器(諸如MIM電容器)，二極管，晶體
咎坐坐
目，寸寸ο
[0034]根據另一實施例,功能性區(qū)域可以包括前道工序(front-end-of-1 ine)層布置,例如包括一個或者多個導電層(諸如金屬層)和/或一個或多個電絕緣層或介電層(諸如低k或者超低k介電層)。
[0035]根據另一實施例，激光束可以具有在從大約0.1W到大約0.5W的范圍中的功率，然而其它值也可以是可能的。[0036]根據另一實施例，半導體工件可以包括多個激光熔絲，所述多個激光熔絲的熔絲間距小于或者等于大約10 μ m，例如根據另一實施例在從大約5 μ m到大約10 μ m的范圍中，例如根據另一實施例為大約?ο μ m，然而根據其它實施例，間距的其它值(例如小于或者等于大約5μπι的間距或者大于大約ΙΟμπι的間距)也可以是可能的。根據另一實施例，所述多個激光熔絲可以例如以陣列(也被稱作熔絲陣列或者激光熔絲陣列)或者組(bank)(也被稱作熔絲組或者激光熔絲組)被配置或者布置。
[0037]根據另一實施例，熔化所述至少一個激光熔絲可以包括熔化所述多個激光熔絲中的一個或多個。
[0038]根據另一實施例，所述半導體工件可以包括或者可以是晶片，并且所述晶片可以使用紅外激光束被切割。 [0039]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的所述一個或多個)之后實施切割所述晶片。
[0040]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的所述一個或多個)之前實施切割所述晶片。
[0041]圖2示出根據另一實施例的用于熔化激光熔絲的方法200。
[0042]在202處，可以提供半導體工件，所述半導體工件具有定位成接近半導體工件晶片或者管芯的背面的襯底區(qū)域和定位成接近所述半導體工件的正面的功能性區(qū)域，至少一個激光熔絲位于襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面處或者接近襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面。
[0043]在204處，可以使用聚焦到襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面上的紅外激光束照射半導體工件的背面，以熔化所述至少一個激光熔絲。
[0044]根據實施例，半導體工件可以包括或者可以是晶片。根據另一實施例，半導體工件可以包括或者可以是管芯。
[0045]根據實施例，所述晶片或者管芯可以是硅晶片或者管芯，然而所述晶片或者管芯也可以包括其它材料(例如包括復合半導體材料的其它半導體材料)或者由所述其它材料構成。
[0046]根據另一實施例，紅外激光束可以被配置(或者施加)成使得在熔化所述至少一個激光熔絲之后，位于在至少一個激光熔絲上面或者上方的功能性區(qū)域中的結構的完整性被基本上(或者完全地)保持。
[0047]在一個或者多個實施例中，所述至少一個激光熔絲可以包括硅化物或者由硅化物構成。
[0048]根據另一實施例，所述硅化物可以選自具有小于或者等于大約750°C，例如小于或者等于大約550°C，例如小于或者等于大約350°C的激活溫度的硅化物的組。
[0049]根據另一實施例，所述硅化物可以選自硅化物的組，所述組由下述構成:硅化鎢，硅化鑰，硅化鈦，硅化鈷和硅化鎳。
[0050]根據另一實施例，所述至少一個激光熔絲可以包括或者可以是多晶硅-硅化物(即，在多晶硅上形成的硅化物)，例如硅化的多晶硅圖案，例如硅化的多晶硅跡線或者互連。
[0051]根據另一實施例，紅外激光束可以具有在從大約Ι.Ομ--到大約1.4μπι的范圍中的波長，例如1064nm，1080nm，或者1342nm的波長，然而其它波長也可以是可能的。
[0052]根據另一實施例，功能性區(qū)域可以包括至少一個電路結構或器件，例如墊(諸如金屬墊)，互連，布線線路，電阻器(諸如金屬電阻器)，電容器(諸如MIM電容器)，二極管，晶體
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[0053]根據另一實施例，功能性區(qū)域可以包括前道工序層布置，例如包括一個或者多個導電層(諸如金屬層)和/或一個或多個電絕緣層或介電層(諸如低k或者超低k介電層)。
[0054]根據另一實施例，激光束可以具有在從大約0.1W到大約0.5W的范圍中的功率，然而其它值也可以是可能的。
[0055]根據另一實施例，半導體工件可以包括位于襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面處或者接近襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面的多個激光熔絲，所述多個激光熔絲的熔絲間距小于或者等于大約10 μ m，例如根據另一實施例在從大約5 μ m到大約10 μ m的范圍中，例如根據另一實施例為大約10 μ m,然而根據其它實施例，其它間距(諸如小于大約5 μ m的間距或者大于大約ΙΟμπι的間距)也可以是可能的。根據另一實施例，所述多個激光熔絲可以例如以陣列(也被稱作熔絲陣列或者激光熔絲陣列)或者組(也被稱作熔絲組或者激光熔絲組)被配置或者布置。
[0056]根據另一實施例，熔化所述至少一個激光熔絲可以包括熔化所述多個激光熔絲中的一個或多個。
[0057]根據另一實施例，所述半導體工件可以包括或者可以是晶片，并且所述晶片可以使用紅外激光束被切割。
[0058]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的所述一個或多個)之后實施切割所述晶片。
[0059]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的所述一個或多個)之前實施切割所述晶片。
[0060]圖3示出根據另一實施例的用于熔化激光熔絲的方法300。
[0061]在302處，可以提供晶片或者管芯，所述晶片或者管芯具有至少一個激光熔絲，所述激光熔絲包括硅化物。
[0062]在304處，可以使用紅外激光光線從所述晶片或者管芯的背面照射所述晶片或者管芯，以熔融所述至少一個激光熔絲的硅化物。
[0063]根據實施例，所述硅化物可以選自具有小于或者等于大約750°C的激活溫度的硅化物的組。
[0064]根據另一實施例，所述硅化物可以選自具有小于或者等于大約550°C的激活溫度的硅化物的組。
[0065]根據另一實施例，所述硅化物可以選自具有小于或者等于大約350°C的激活溫度的硅化物的組。
[0066]根據實施例，所述硅化物可以選自硅化物的組，所述組由下述構成:硅化鎢，硅化鑰，硅化鈦，硅化鈷和硅化鎳。
[0067]根據另一實施例，晶片或者管芯可以是硅晶片或者管芯，然而晶片或者管芯也可以包括其它材料(例如包括復合半導體材料的其它半導體材料)或者由所述其它材料構成。
[0068]根據另一實施例，所述激光光線可以被聚焦到晶片或者管芯的功能性區(qū)域和襯底區(qū)域之間的界面上。例如，激光光線的焦點可以位于襯底區(qū)域(或者襯底，諸如硅襯底，SiC襯底，或其它類型襯底)與IC (集成電路)層布置或層堆疊之間的界面處，靠近所述界面，或者接近所述界面。
[0069]根據另一實施例，紅外激光束可以具有在從大約Ι.Ομ--到大約1.4μπι的范圍中的波長，例如1064nm，1080nm，或者1342nm的波長，然而其它波長也可以是可能的。
[0070]根據另一實施例，激光束可以具有在從大約0.1W到大約0.5W范圍中的功率，然而其它值也可以是可能的。 [0071]根據另一實施例，芯片或者管芯可以包括位于襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面處或者接近襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面的多個激光熔絲，所述多個激光熔絲的熔絲間距小于或者等于大約10 μ m，例如根據另一實施例在從大約5 μ m到大約10 μ m的范圍中，例如根據另一實施例為大約ΙΟμπι，然而根據其它實施例，其它間距(諸如小于大約5μπι的間距或者大于大約ΙΟμπι的間距)也可以是可能的。根據另一實施例，所述多個激光熔絲可以例如以陣列(也被稱作熔絲陣列或者激光熔絲陣列)或者組(也被稱作熔絲組或者激光熔絲組)被配置或者布置。
[0072]根據另一實施例，熔化所述至少一個激光熔絲可以包括熔化所述多個激光熔絲中的一個或多個。
[0073]根據另一實施例，提供晶片或者管芯可以包括提供晶片，并且所述晶片可以使用紅外激光束被切割。
[0074]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的所述一個或多個)之后實施切割所述晶片。
[0075]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的所述一個或多個)之前實施切割所述晶片。
[0076]圖4示出晶片400的一部分的透視圖，用于說明一個或者多個實施例的各方面。
[0077]所述晶片400可以例如是硅晶片，然而所述晶片也可以包括其它材料(例如包括復合半導體材料的其它半導體材料)或者由所述其它材料構成。
[0078]如示出的，晶片400可以具有正面401和與所述正面401相對的背面402。晶片400的在圖4中示出的部分可以是管芯區(qū)域，換句話說是對應于管芯的區(qū)域。除了在圖4中示出的管芯區(qū)域，晶片400可以包括對應于一個或者多個附加管芯的一個或者多個附加管芯區(qū)域(在圖4中未示出)。晶片400的各個管芯可以通過切割所述晶片400來被分開(單體化)。根據一些實施例，可以例如使用所謂的隱形切割工藝實施切割所述晶片400，這將在下面被解釋。
[0079]“隱形切割”可以被理解為指代可通過在工件內部聚焦激光來在工件(例如晶片400)中形成改性層的切割方法。隨后，所述管芯可以例如通過使用帶擴張器(tapeexpander)被分開。
[0080]更具體地，如示出的，在能夠穿過晶片400傳播的波長的激光束403 (通常是具有紅外(IR)波長的激光)可以通過物鏡(在圖4中未示出)被聚集并且聚焦到在晶片400內部的點上。激光束403可以例如由以高重復率振蕩的短脈沖構成并且可以被高度聚集。這個被局部化的射束403可以例如以在光線聚焦點附近在時間和空間上都壓縮的極高峰值功率密度形成。在聚集過程期間當穿過晶片400傳播的激光束403超出峰值功率密度時，非線性吸收效果可以引起其中在被局部化的點處發(fā)生極高吸收的現象。通過優(yōu)化激光和光學系統特性以使得非線性吸收效果只在晶片400內部的焦點附近，在不破壞位于被局部化的點或者區(qū)域405的上方或者下方的晶片400中的層或者結構的情況下，只有晶片400中的那些被局部化的點或者區(qū)域405將被選擇性地激光加工可以是可能的。示例性地，晶片400的區(qū)域405可以通過激光束403被激光加工，而晶片400的其余區(qū)域可以不受激光束403影響。
[0081]如在圖4中示出的，激光束403可以從晶片400的背面402進入所述晶片400。
[0082]應該注意到圖4不出在兩個不同位置處(對應于在時間上的兩個不同的點)的同一個激光束403，并且箭頭404表明激光束的位置相對于所述晶片400的移動。盡管通常單個激光束將被用于切割，應該注意到原則上同時使用多個激光束可以是可能的。
[0083]在圖4的實例中，晶片400的激光加工區(qū)域405被示為布置在兩個平行層406中。然而，取決于例如晶片400的材料和/或厚度，區(qū)域405被布置在僅一層中，或者被布置在兩個以上的層中也可以是可能的。
[0084]可以看到一個或者多個實施例的一個方面在于通常用于隱形切割的紅外激光束(例如在圖4中的激光束403)可以替代地或者附加地被用于激光熔化，這將在下面被更詳細地描述。
[0085]圖5A到圖5E示出在不同 加工階段期間管芯500的截面圖，用于說明一個或者多個實施例的各方面。
[0086]如在圖5A中示出的，管芯500可以具有正面501和與所述正面501相對的背面502。
[0087]根據一個或者多個實施例，管芯500可以是包括一個或者多個管芯的晶片(未不出)的一部分。換句話說，可以提供具有一個或者多個管芯(或者對應于管芯的管芯區(qū)域)的晶片，所述管芯500對應于晶片的所述一個或者多個管芯(或者管芯區(qū)域)中的一個。根據一個或者多個實施例，在熔化管芯500 (和晶片的可能的其它管芯)的一個或者多個激光熔絲之后，晶片的各個管芯可以稍后通過切割(管芯單體化)被分開。再換句話說，在切割所述晶片之前，管芯500可以對應于晶片的一個或者多個管芯中的一個。
[0088]可替代地,根據一個或者多個實施例,包括一個或者多個管芯(或者對應于管芯的管芯區(qū)域)的晶片可以已經被切割，并且管芯500可以對應于在切割所述晶片之后從晶片得到的管芯中的一個。
[0089]根據一個或者多個實施例，所述管芯500可以包括包含硅化物或由所述硅化物構成的多個激光熔絲510_1，510_2，……，510_n(在圖中作為實例示出八個激光熔絲(即n=8)，然而根據一些實施例，管芯500可以包括不同數目的激光熔絲；只提供一個激光熔絲也可以是可能的)。根據一些實施例，所述硅化物可以是具有例如小于或者等于大約750°C，例如小于或者等于大約550°C，例如小于或者等于大約350°C的激活溫度的低溫硅化物。根據一些實施例，所述硅化物可以選自例如硅化物的組，所述組由下述構成:硅化鎢，硅化鑰，硅化鈦，硅化鈷和硅化鎳。根據其它實施例，可以使用其它合適硅化物。通常，所有激光熔絲
510_1, 510_2,......, 510_n可以包含相同娃化物或者由所述相同娃化物構成,然而,激光熔
絲510_1，510_2，......，510_n中的一個或者多個包含不同硅化物或者由所述不同硅化物構
成也可以是可能的。[0090]根據一個或者多個實施例，如示出的，所述管芯500可以具有定位成接近所述管芯500的背面502的襯底區(qū)域511和定位成接近所述管芯500的正面501的功能性區(qū)域512。激光熔絲510_1，510_2，……，510_n可以例如位于襯底區(qū)域511和功能性區(qū)域512之間的界面處或者接近襯底區(qū)域511和功能性區(qū)域512之間的界面，如所示的。因此，根據一個或者多個實施例，在管芯500的背面502和激光熔絲510_1，510_2，……，510_n之間的距離可以大致對應于襯底區(qū)域511的厚度。
[0091]根據示出的實例，所有激光熔絲510_1，510_2，……，510_n可以位于或者形成在管芯500的相同層或者水平中。然而，激光熔絲510_1，510_2，……，510_n中的一個或者多個位于或者形成在管芯500的不同層或者水平中也可以是可能的。
[0092]根據一個或者多個實施例，功能性區(qū)域512可以包括前道工序(FEOL)層布置，例如包括一個或者多個導電層(例如，金屬層)和/或一個或多個電絕緣層或介電層(例如，低k或者超低k介電層)。
[0093]根據一個或者多個實施例，功能性區(qū)域512或者功能性區(qū)域512的FEOL層布置可以例如包括一個或者多個電路結構或者器件，諸如，例如一個或者多個墊(例如金屬墊)，互連或者布線線路，電阻器(例如，金屬電阻器)，電容器(例如，MIM電容器)，二極管，或者晶體管(可替代地，或者另外地，可以提供其它電路結構或者器件)。電路結構或者器件中的一個或者多個可以例如位于所述多個激光熔絲510_1，510_2，……，510_n中的一個或者多個的上方。
[0094]根據一個或者多個實施例，襯底區(qū)域511可以基本上(或者完全地)沒有電路結構或者器件。例如，根據一些實施例，襯底區(qū)域511位于激光熔絲510_1，510_2，……，510_n中的一個或者多個下 面的部分可以基本上(或者完全地)沒有電路結構或者器件。
[0095]根據一個或者多個實施例，激光熔絲510_1，510_2，……，510_n中的一個或者多個
可以被用來實現信息(例如ID信息)。可替代地或者另外地,激光熔絲510_1，510_2，......，
510_n中的一個或者多個可以被用來調節(jié)所述管芯500的一個或者多個電路結構或者器件500?？商娲鼗蛘吡硗獾兀す馊劢z510_1，510_2，……，510_n中的一個或者多個可以被用于其它目的。
[0096]根據一個或者多個實施例，激光熔絲510_1，510_2，……，510_n的距離(間距)513可以例如小于10 μ m，例如根據一些實施例在從大約5 μ m到大約10 μ m的范圍中，例如根據一些實施例為大約ΙΟμπι。然而，根據一些實施例，間距513的其它值可以是可能的，例如，小于大約5 μ m的間距，或者大于大約10 μ m的間距。
[0097]如在圖5B中示出的，激光熔絲510_1，510_2，……，510_n中的第一激光熔絲510_1可以通過從管芯500的背面502施加IR (紅外)激光束503來被熔化。例如，管芯500的背面502可以使用聚焦到襯底區(qū)域511和功能性區(qū)域512之間的界面上的IR激光束503被照射，以熔化所述激光熔絲510_1，510_2，……，510_n中的第一激光熔絲510_1。
[0098]示例性地，激光束503，例如激光束503的一個或者多個激光參數(諸如焦點，波長，功率，持續(xù)時間等)可以被配置成使得激光束503可以能夠局部地熔融第一激光熔絲510_1的硅化物，同時與第一激光熔絲510_1相鄰的區(qū)域保持不受影響。特別地，作為與第一激光熔絲510_1最近的鄰居的第二激光熔絲510_2 (以及離所述第一激光熔絲510_1更遠定位的第三，第四，……，第η個激光熔絲510_3，510_4，……，510_η)可以保持不受激光束503影響。此外，位于第一激光熔絲510_1上方的功能性區(qū)域512中的結構也可以保持不受激光束503影響(換句話說，不被破壞)。換句話說，紅外激光束503可以被配置(或者施加)成使得在熔化所述第一激光熔絲510_1之后，位于在所述激光熔絲510_1上面或者上方的功能性區(qū)域512中的結構的完整性可以被基本上(或者完全地)保持。如在圖5B中可以看到的，在熔化所述第一激光熔絲510_1之后，所述第一激光熔絲510_1可以保持被封裝在管芯500內。換句話說，通過IR激光熔化可以避免熔絲510_1的各部分變得被暴露。因此，可以避免由于濕氣引起的腐蝕。[0099]如在圖5C至圖5E中示出的，在熔化所述第一激光熔絲510_1之后，所述多個激光熔絲510_1，510_2，……，510_n中的另外的激光熔絲可以以與結合第一激光熔絲510_1所描述的類似的方式被熔化。在圖5C至圖5E中示出的實例中，所述多個激光熔絲510_1，510_2，……，510_n中的第二激光熔絲510_2，第四激光熔絲510_4，和第八激光熔絲510_8被熔化，同時第三激光熔絲510_3，第五激光熔絲510_5，第六激光熔絲510_6，和第七激光熔絲510_7保持不被熔化(然而，根據其它實施例，其它熔絲可以替代地或者另外地被熔化，這將是容易理解的)。為此目的，如在圖5C至圖5E中所示，激光束503相對于管芯500的位置可隨后被移動到第二激光熔絲510_2，第四激光熔絲510_4，和第八激光熔絲510_8的位置(例如，通過相對于激光束503移動管芯500或者相對于管芯500移動激光束503)。然而示出第一激光熔絲510_1首先被熔化，第二激光熔絲510_2在第一激光熔絲510_1之后被熔化，第四激光熔絲510_4在第二激光熔絲510_2之后被熔化，并且第八激光熔絲510_8在第四激光熔絲510_4之后被熔化(即熔化順序是510_1 — 510_2 — 510_4 — 510_8)，應該注意到該熔化順序通常可以是任意的并且可以例如通過激光編程來確定。
[0100]應該注意到在激光束503的位置從將被熔化的第一熔絲的位置移動到將被熔化的另一熔絲的位置期間，激光束503可以被關掉，以便避免破壞在兩個熔絲之間的區(qū)域。
[0101]圖5A至圖5E示出位于晶片或者管芯內并且包括硅化物(例如諸如硅化鈦，硅化鈷，或者硅化鎳的低溫硅化物(其它硅化物也可以是可能的))或者由所述硅化物構成的一個或者多個激光熔絲可以利用IR (紅外)激光(例如諸如通?？梢员挥迷谒^的“隱形切割工藝中的IR激光)被熔化。所述IR激光可以照射晶片或者管芯的背面并且所述IR激光束可以被聚集并且被聚焦到在晶片或者管芯中的一個或者多個激光熔絲的(多個)位置上。因此，所述激光可以局部地熔融所述(多個)熔絲的硅化物，同時在所述熔絲附近的結構(例如，晶片或管芯的其它激光熔絲，或電路結構或器件)可以保持基本上或者完全地不被破壞。
[0102]根據一些實施例，可以在切割晶片之前應用IR激光熔化。根據其它實施例，可以在切割晶片之后應用IR激光熔化。根據一些實施例，IR激光熔化和切割可以使用相同的激光設備(例如可以已經可用于“隱形激光切割”的設備)實現。在這種情況下，激光熔化選項可以通過適當地給激光設備編程來實現。然而，在使用其它切割方法(例如諸如鋸切)的工藝中實現IR激光熔化選項也可以是可能的。
[0103]圖6示出晶片600的平面圖，用于說明一個或者多個實施例的各方面。
[0104]晶片600可以包括多個管芯區(qū)域620，換句話說是對應于各個管芯的區(qū)域。
[0105]如示出的，所述管芯區(qū)域620中的一個或者多個可以包括一個或者多個激光熔絲610。所述激光熔絲610可以包括硅化物或者由所述硅化物構成并且可以例如根據此處描述的一個或者多個實施例被配置。所述激光熔絲610可以例如以陣列或者組(也被稱作熔絲組)被布置。熔絲610中的一些可以被熔化(由實心矩形表示)，同時熔絲610中的其它熔絲可以保持不被熔化(由空心矩形表示)。根據一個或者多個實施例，可以利用背面IR激光熔化方法實現熔化。
[0106] 可以通過沿著線630切割晶片600來從晶片600得到管芯。根據一些實施例，可以利用隱形激光切割工藝、使用例如與用于背面激光熔化相同的設備來實現切割。根據一些實施例可以在激光熔化之后實施切割，或者根據其它實施例可以在激光熔化之前實施切害I]。根據一些實施例，可以使用與隱形激光切割不同的切割方法實施切割，例如通過鋸切，或者本領域中同樣已知的任何其它合適的切割方法。
[0107]圖7示出根據另一實施例的用于加工晶片的方法700。
[0108]在702處，可以提供晶片。所述晶片可以具有至少一個激光熔絲。
[0109]在704處，所述至少一個激光熔絲可以從晶片背面被熔化。
[0110]在706處，所述晶片可以被隱形切割。
[0111]可以使用相同的紅外激光實施熔化所述至少一個激光熔絲和隱形切割所述晶片。
[0112]根據實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲之后實施隱形切割所述晶片。
[0113]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲之前實施隱形切割所述晶片。
[0114]根據另一實施例，所述至少一個激光熔絲可以包括硅化物或者由所述硅化物構成。
[0115]所述方法700可根據此處描述的一個或者多個實施例被進一步配置。
[0116]在下面，一個或者多個實施例的不同方面和潛在影響被討論。
[0117]根據不同實施例，可以提供用于激光熔化的新方法。
[0118]根據不同實施例，用于背面激光隱形切割的紅外(IR)激光可被使得能夠還從晶片背面熔化一個或者多個硅化的多晶硅圖案或者被配置為還從所述晶片背面熔化一個或者多個硅化的多晶硅圖案(例如，根據一些實施例直接在隱形切割之前或者之后，或者對于不同切割方法(諸如鋸切)作為單獨的工藝步驟)。
[0119]可以看到不同實施例的一個方面在于已經發(fā)現IR激光，例如通常用于背面隱形切割的IR激光，可被用來熔融硅化的多晶硅結構。根據不同實施例，因為可以提供基于硅化物結構(例如，硅化的多晶硅結構)的具有激光熔絲的晶片或者管芯，并且熔絲可以通過IR激光光線被熔化，這個發(fā)現可以被利用。
[0120]根據一些實施例，隱形切割可以被用作雙重目的的步驟，即用于在相同設備上的管芯分離(切割)和熔化。換句話說，根據一些實施例，用于隱形切割的IR激光也可以被用于激光熔化。這可以例如降低加工成本。
[0121]根據一些實施例的激光熔化方法可以例如允許在晶片或者管芯上以低面積消耗來提供或者布置熔絲(諸如以小的熔絲間距，諸如小于或者等于大約ΙΟμπι的間距，例如在從大約5 μ m到大約10 μ m的范圍中的間距，例如大約為10 μ m的間距，然而其它間距(諸如小于或者等于大約5μπ?的間距，或者大于大約10 μπι的間距)也可以是可能的)。例如，對于硅化物熔絲(其可以根據不同實施例被使用)的設計規(guī)則可以比對于傳統金屬激光熔絲的設計規(guī)則小得多。可以通過從背面的激光加工來另外實現高的區(qū)域增益，同時例如可以降低或者防止對位于熔絲附近(諸如上面)的晶片或者管芯的區(qū)域的破壞。因此，即使在一個熔絲或者多個熔絲頂部的金屬區(qū)域也可被布線或者甚至其它器件(諸如金屬電阻器，MIM電容器，金屬墊等)使用可以是可能的。
[0122]根據一些實施例的激光熔化方法可以例如使得激光熔化選項能夠用于目前的或者將來的工藝代(諸如65nm及以下工藝代)，其中易損壞的電介質也許不允許從頂側激光熔化。相反，根據一些實施例的激光熔化方法可以是與現代低k或者超低k電介質可兼容的。
[0123]根據一些實施例的激光熔化方法可以例如消除由于來自頂側的濕氣引起的腐蝕的可靠性風險。例如，根據不同實施例使用的硅化物熔絲可在激光熔化之前以及之后被晶片或者管芯完全掩埋和封裝。熔化硅化物熔絲可以示例性地導致局部地熔融在晶片或者管芯內的熔絲材料(硅化物)，而不在晶片或者管芯中產生將暴露所述熔絲的開口。因此，可以防止將熔絲暴露到濕氣，并且因此可以防止腐蝕。
[0124]根據不同實施例，現代硅化物復合物(例如諸如硅化鈦，硅化鈷，或者硅化鎳)對隱形激光工藝的敏感性可以被開發(fā)用于激光熔化。取決于激光參數，具有在從大約I Pm到大約1.4μπι的范圍中的波長(諸如，根據一些實施例具有1064nm，1080nm，或者1342nm的波長，然而其它波長也可以是可能的)的商售隱形激光頭可以局部地破壞低溫硅化物(換句話說，具有低激活溫度的硅化物，例如根據一些實施例小于或者等于大約750°C的激活溫度，例如根據一些實施例小于或者等于大約550°C的激活溫度，例如根據一些實施例小于或者等于大約350°C的激活溫度)。
[0125]根據不同實施例，可以提供可包括一個或者多個硅化的多晶硅圖案或者由一個或者多個硅化的多晶硅圖案制成的一個或者多個激光熔絲。熔絲的布局和/或功能可以例如與傳統的金屬熔絲相似。根據不同實施例，可以在芯片分離(切割)之前或者之后從晶片背面實現熔化。通常也可以通過激光隱形切割實現芯片分離(切割)，然而，根據一些實施例，也可以使用其它切割方法(諸如鋸切等)。為了通過使用隱形切割設備實現熔化，隱形切割設備的軟件可以以適當的方式被修改。根據一些實施例，可以應用關于背面隱形切割的背面對準。根據不同實施例，所述設備可被配置為將熔絲信息轉變成對應的激光圖案。根據不同實施例，可以適當地選擇或者改編一個或者多個激光參數(諸如焦點，波長，功率等)，使得激光束可以斷開硅化的互連。根據一些實施例，激光可以被編程以執(zhí)行小周期的激光作用。
[0126]根據一個或者多個實施例的用于熔化激光熔絲的方法可以包括:提供具有襯底區(qū)域和至少一個激光熔絲的半導體工件；利用紅外激光束從襯底區(qū)域的背面熔化所述至少一個激光熔絲。
[0127]根據實施例，半導體工件可以包括或者可以是晶片。根據另一實施例，半導體工件可以包括或者可以是管芯。
[0128]根據實施例，晶片或者管芯可以是硅晶片或者管芯，然而所述晶片或者管芯也可以包括其它材料(諸如包括復合半導體材料的其它半導體材料)或者由所述其它材料構成。
[0129]根據另一實施例，所述襯底區(qū)域可定位成接近半導體工件的背面(諸如接近晶片或者管芯的背面)，并且所述半導體工件可以進一步包括定位成接近半導體工件的正面(諸如接近晶片或者管芯的正面)的功能性區(qū)域；所述至少一個激光熔絲可以位于襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面處或者接近襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面，并且所述紅外激光束可被聚焦到所述界面上。
[0130]根據另一實施例，所述紅外激光束可以被配置(或者施加)成使得在熔化所述至少一個激光熔絲之后，位于在所述至少一個激光熔絲上面或者上方的功能性區(qū)域中的結構的完整性被基本上(諸如完全地)保持。
[0131] 根據另一實施例，所述至少一個激光熔絲可以包括硅化物(或者由硅化物構成)。
[0132]根據另一實施例，所述硅化物可以選自具有小于或者等于大約750°C，例如小于或者等于大約550°C，例如小于或者等于大約350°C的激活溫度的硅化物的組。
[0133]根據另一實施例，所述硅化物可以選自硅化物的組，所述組由下述構成:硅化鎢，硅化鑰，硅化鈦，硅化鈷，和硅化鎳。
[0134]根據另一實施例，所述至少一個激光熔絲可以包括或者可以是多晶硅-硅化物(即，在多晶硅上形成的硅化物)，例如硅化的多晶硅圖案或者結構，例如硅化的多晶硅跡線或者互連。
[0135]根據另一實施例，紅外激光束可以具有在從大約Ι.Ομ--到大約1.4μπι的范圍中的波長，例如大約1064nm，1080nm，或者1342nm的波長，然而其它波長也可以是可能的。
[0136]根據另一實施例，功能性區(qū)域可以包括至少一個電路結構或器件，例如墊(諸如金屬墊)，互連，布線線路，電阻器(諸如金屬電阻器)，電容器(諸如MIM電容器)，二極管，晶體
咎坐坐
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[0137]根據另一實施例，功能性區(qū)域可以包括前道工序(FEOL)層布置，例如包括一個或者多個導電層(諸如金屬層)和/或一個或多個電絕緣層或介電層(諸如低k或者超低k介電層)。
[0138]根據另一實施例，激光束可以具有在從大約0.1W到大約0.5W的范圍中的功率，然而其它值也可以是可能的。
[0139]根據另一實施例，半導體工件可以包括多個激光熔絲，所述多個激光熔絲的熔絲間距小于或者等于大約10 μ m，例如根據另一實施例在從大約5 μ m到大約10 μ m的范圍中，例如根據另一實施例為大約?ο μ m，然而根據其它實施例，間距的其它值(例如小于或者等于大約5μπι的間距或者大于大約ΙΟμπι的間距)也可以是可能的。根據另一實施例，所述多個激光熔絲可以例如以陣列(也被稱作熔絲陣列或者激光熔絲陣列)或者組(也被稱作熔絲組或者激光熔絲組)被配置或者布置。
[0140]根據另一實施例，所述半導體工件可以包括或者可以是晶片，并且所述晶片可以使用紅外激光束被切割。
[0141]根據另一實施例，可以使用與用于熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的至少一個)相同的激光設備來實施切割。
[0142]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的至少一個)之后實施切割所述晶片。
[0143]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的至少一個)之前實施切割所述晶片。
[0144]根據一個或者多個實施例，用于熔化激光熔絲的方法可以包括:提供半導體工件，其具有定位成接近所述半導體工件的背面的襯底區(qū)域和定位成接近所述半導體工件的正面的功能性區(qū)域，至少一個激光熔絲位于襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面處或者接近襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面；使用聚焦到所述襯底區(qū)域和所述功能性區(qū)域之間的界面上的紅外激光束照射所述半導體工件的背面，以熔化所述至少一個激光熔絲。
[0145]根據實施例，半導體工件可以包括或者可以是晶片。根據另一實施例，半導體工件可以包括或者可以是管芯。
[0146]根據實施例，晶片或者管芯可以是硅晶片或者管芯，然而晶片或者管芯也可以包括其它材料(例如包括復合半導體材料的其它半導體材料)或者由所述其它材料構成。
[0147]根據另一實施例，紅外激光束可以被配置(或者施加)成使得在熔化所述至少一個激光熔絲之后，位于在所述至少一個激光熔絲上面或者上方的功能性區(qū)域中的結構的完整性被基本上保持。
[0148]根據另一實施例，所述至少一個激光熔絲可以包括硅化物或者由硅化物構成。
[0149]根據另一實施例，所述硅化物可以選自具有小于或者等于大約750°C，例如小于或者等于大約550°C，例如小于或者等于大約350°C的激活溫度的硅化物的組。
[0150]根據另一實施例，所述硅化物可以選自硅化物的組，所述組由下述構成:硅化鎢，硅化鑰，硅化鈦，硅化鈷，和硅化鎳。
[0151]根據另一實施例，所述至少一個激光熔絲可以包括或者可以是多晶硅-硅化物(即，在多晶硅上形成的硅化物)，例如硅化的多晶硅圖案，例如硅化的多晶硅跡線或者互連。
[0152]根據另一實施例，紅外激光束可以具有在從大約Ι.Ομ--到大約1.4μπι的范圍中的波長，例如大約1064nm，1080nm，或者1342nm的波長，然而其它波長也可以是可能的。
[0153]根據另一實施例，功能性區(qū)域可以包括至少一個電路結構或器件，例如墊(諸如金屬墊)，互連，布線線路，電阻器(諸如金屬電阻器)，電容器(諸如MIM電容器)，二極管，晶體
管等等。
[0154]根據另一實施例，功能性區(qū)域可以包括前道工序(FEOL)層布置，例如包括一個或者多個導電層(諸如金屬層)和/或一個或多個電絕緣層或介電層(諸如低k或者超低k介電層)。
[0155]根據另一實施例，激光束可以具有在從大約0.1W到大約0.5W的范圍中的功率，然而其它值也可以是可能的。
[0156]根據另一實施例，半導體工件可以包括位于襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面處或者接近襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面的多個激光熔絲，所述多個激光熔絲的熔絲間距小于或者等于大約10 μ m，例如根據另一實施例在從大約5 μ m到大約10 μ m的范圍中，例如根據另一實施例為大約10 μ m,然而根據其它實施例，其它間距(諸如小于大約5 μ m，或者大于大約ΙΟμπι)也可以是可能的。根據另一實施例，所述多個激光熔絲可以例如以陣列(也被稱作熔絲陣列或者激光熔絲陣列)或者組(也被稱作熔絲組或者激光熔絲組)被配置或者布置。
[0157]根據另一實施例，所述半導體工件可以包括或者可以是晶片，并且所述晶片可以使用紅外激光束被切割。
[0158]根據另一實施例，可以使用與用于熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的至少一個)相同的激光設備來實施切割。
[0159]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的至少一個)之后實施切割所述晶片。
[0160]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的至少一個)之前實施切割所述晶片。
[0161]根據一個或者多個實施例，用于熔化激光熔絲的方法可以包括:提供具有至少一個激光熔絲的晶片或者管芯，所述至少一個激光熔絲包括硅化物(或者由硅化物構成)；使用紅外激光光線從所述晶片或者管芯的背面照射所述晶片或者管芯，以熔融所述至少一個激光熔絲的硅化物。
[0162]根據實施例，所述硅化物可以選自具有小于或者等于大約750°C的激活溫度的硅化物的組。
[0163]根據另一實施例，所述硅化物可以選自具有小于或者等于大約550°C的激活溫度的硅化物的組。 [0164]根據另一實施例，所述硅化物可以選自具有小于或者等于大約350°C的激活溫度的硅化物的組。
[0165]根據另一實施例，所述硅化物可以選自硅化物的組，所述組由下述構成:硅化鎢，硅化鑰，硅化鈦，硅化鈷和硅化鎳。
[0166]根據另一實施例，晶片或者管芯可以是硅晶片或者管芯，然而晶片或者管芯也可以包括其它材料(例如包括復合半導體材料的其它半導體材料)或者由所述其它材料構成。
[0167]根據另一實施例，所述激光光線可以被聚焦到硅晶片或者管芯的功能性區(qū)域和襯底區(qū)域之間的界面上。
[0168]根據另一實施例，紅外激光光線可以具有在從大約Ι.Ομ--到大約1.4μπι的范圍中的波長，例如大約1064nm，1080nm，或者1342nm的波長，然而其它波長也可以是可能的。
[0169]根據另一實施例，紅外激光光線可以具有在從大約0.1W到大約0.5W的范圍中的功率，然而其它值也可以是可能的。
[0170]根據另一實施例，晶片或者管芯可以包括位于襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面處或者接近襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面的多個激光熔絲，所述多個激光熔絲的熔絲間距小于或者等于大約10 μ m，例如根據另一實施例在從大約5 μ m到大約10 μ m的范圍中，例如根據另一實施例為大約lOym，然而根據其它實施例，其它間距(諸如小于大約5μπι，或者大于大約ΙΟμπι)也可以是可能的。根據另一實施例，所述多個激光熔絲可以例如以陣列(也被稱作熔絲陣列或者激光熔絲陣列)或者組(也被稱作熔絲組或者激光熔絲組)被配置或者布置。
[0171]根據另一實施例，提供晶片或者管芯可以包括提供晶片，并且所述晶片可以使用紅外激光束被切割。
[0172]根據另一實施例，可以使用與用于熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的至少一個)相同的激光設備來實施切割。
[0173]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的至少一個)之后實施切割所述晶片。
[0174]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲(或者所述多個激光熔絲中的至少一個)之前實施切割所述晶片。
[0175]根據不同實施例，用于加工晶片的方法可以包括:提供具有至少一個激光熔絲的晶片；從晶片背面熔化所述至少一個激光熔絲；以及隱形切割所述晶片；其中熔化所述至少一個激光熔絲并且隱形切割所述晶片包括使用相同的紅外激光。
[0176]根據實施例，所述至少一個激光熔絲可以包含硅化物(或者由硅化物構成)。
[0177]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲之后實施隱形切割所述晶片。
[0178]根據另一實施例，可以在熔化所述至少一個激光熔絲之前實施隱形切割所述晶片。
[0179]根據此處描述的一個或者多個實施例，所述方法可以被進一步配置。
[0180]根據一個或者多個實施例，用于熔化激光熔絲的方法可以包括:提供包括至少一個激光熔絲的半導體工件(例如晶片或者管芯)；并且利用紅外激光束從所述半導體工件(諸如晶片或者管芯)的背面熔化所述至少一個激光熔絲。
[0181]根據一個或者多個實施例，用于熔化激光熔絲的方法可以包括:提供晶片或者管芯，其具有定位成接近晶片或者管芯的背面的襯底區(qū)域和定位成接近晶片或者管芯的正面的功能性區(qū)域，至少一個激光熔絲位于襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面處或者接近襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面；并且使用聚焦到襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面上的紅外激光束來照射所述晶片或者管芯的背面，以熔化所述至少一個激光熔絲。
[0182]雖然已經參照特定實施例特別地示出和描述了本發(fā)明，但是本領域技術人員應該理解可以在其中作出各種形式和細節(jié)方面的改變，而不會脫離如由所附權利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍。本發(fā)明的范圍因此由所附權利要求表明，并且在權利要求的等同物的含義和范圍內的所有改變因此旨在被包含。
【權利要求】
1.一種用于熔化激光熔絲的方法，所述方法包括:
提供包括襯底區(qū)域和至少一個激光熔絲的半導體工件； 利用紅外激光束從所述襯底區(qū)域的背面熔化所述至少一個激光熔絲。
2.權利要求1的方法，其中所述襯底區(qū)域定位成接近所述工件的背面；并且 其中所述工件進一步包括定位成接近所述工件的正面的功能性區(qū)域； 其中所述至少一個激光熔絲位于所述襯底區(qū)域和所述功能性區(qū)域之間的界面處或接近所述襯底區(qū)域和所述功能性區(qū)域之間的界面；并且 其中所述紅外激光束被聚焦在所述界面上。
3.權利要求2的方法，其中所述紅外激光束被配置成使得在熔化所述至少一個激光熔絲之后，位于在所述至少一個激光熔絲上面或者上方的功能性區(qū)域中的結構的完整性被基本上保持。
4.權利要求1的方法,其中所述至少一個激光熔絲包括硅化物。
5.權利要求4的方法，其中所述硅化物是從具有小于或者等于大約750°C的激活溫度的硅化物的組中選擇的。
6.權利要求4的方法，其中所述硅化物是從具有小于或者等于大約550°C的激活溫度的硅化物的組中選擇的。
7.權利要求4的方法，其中所述硅化物是從具有小于或者等于大約350°C的激活溫度的硅化物的組中選擇的。
8.權利要求4的方法，其中所述硅化物是從硅化物的組中選擇的，所述組包括:硅化鎢，硅化鑰，硅化鈦，硅化鈷，和硅化鎳。
9.權利要求1的方法,其中所述紅外激光束具有在從大約1.0 μ m到大約1.4 μ m的范圍中的波長。
10.權利要求1的方法，其中所述激光束具有在從大約0.1W到大約0.5W的范圍中的功率。
11.權利要求1的方法，其中所述工件包括多個激光熔絲，所述多個激光熔絲的熔絲間距小于或者等于大約?ο μπι。
12.權利要求1的方法，其中所述工件包括管芯。
13.權利要求1的方法，其中所述工件包括晶片。
14.權利要求13的方法，進一步包括:使用紅外激光束切割所述晶片。
15.一種用于熔化激光熔絲的方法，所述方法包括: 提供半導體工件，其包括定位成接近所述半導體工件的背面的襯底區(qū)域和定位成接近所述半導體工件的正面的功能性區(qū)域，至少一個激光熔絲位于襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面處或者接近襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面； 使用聚焦在所述襯底區(qū)域和所述功能性區(qū)域之間的界面上的紅外激光束照射所述半導體工件的背面，以熔化所述至少一個激光熔絲。
16.權利要求15的方法，其中所述紅外激光束被配置成使得在熔化所述至少一個激光熔絲之后，位于在所述至少一個激光熔絲上面或者上方的功能性區(qū)域中的結構的完整性被基本上保持。
17.權利要求15的方法，其中所述至少一個激光熔絲包括硅化物。
18.權利要求17的方法，其中所述硅化物是從具有小于或者等于大約750°C的激活溫度的硅化物的組中選擇的。
19.權利要求17的方法，其中所述硅化物是從硅化物的組中選擇的，所述組包括:硅化鎢，硅化鑰，硅化鈦，硅化鈷，和硅化鎳。
20.權利要求15的方法，其中所述紅外激光束具有在從大約1.0 μ m到大約1.4 μ m的范圍中的波長。
21.權利要求15的方法，其中所述激光束具有在從大約0.1ff到大約0.5W的范圍中的功率。
22.權利要求15的方法，其中所述半導體工件包括位于襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面處或者接近襯底區(qū)域和功能性區(qū)域之間的界面的多個激光熔絲，所述多個激光熔絲的熔絲間距小于或者等于大約10 μπι。
23.權利要求15的方法，其中所述半導體工件包括管芯。
24.權利要求15的方法，其中所述所述半導體工件包括晶片。
25.權利要求24的方法，進一步包括:使用紅外激光束切割所述晶片。
26.一種用于熔化激光熔絲的方法，所述方法包括: 提供包括至少一個激光熔絲的晶片或者管芯，所述激光熔絲包括硅化物； 使用紅外激光光線從所述晶 片或者管芯的背面照射所述晶片或者管芯，以熔融所述至少一個激光熔絲的硅化物。
27.權利要求26的方法，其中所述硅化物是從具有小于或者等于大約750°C的激活溫度的硅化物的組中選擇的。
28.權利要求26的方法，其中所述硅化物是從具有小于或者等于大約550°C的激活溫度的硅化物的組中選擇的。
29.權利要求26的方法，其中所述硅化物是從具有小于或者等于大約350°C的激活溫度的硅化物的組中選擇。
30.權利要求26的方法，其中所述硅化物是從硅化物的組中選擇的，所述組包括:硅化鈦，硅化鈷，和硅化鎳。
31.權利要求26的方法，其中所述紅外激光束具有在從大約1.Ομπι到大約1.4μπι的范圍中的波長。
32.權利要求26的方法，其中所述紅外激光光線具有在從大約0.1ff到大約0.5W的范圍中的功率。
33.一種用于加工晶片的方法，所述方法包括: 提供具有至少一個激光熔絲的晶片； 從晶片背面熔化所述至少一個激光熔絲；以及 隱形切割所述晶片； 其中使用相同的紅外激光來實施熔化所述至少一個激光熔絲以及隱形切割所述晶片。
34.權利要求33的方法，其中所述至少一個激光熔絲包括硅化物。
【文檔編號】H01L21/60GK103632990SQ201310378510
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年8月27日 優(yōu)先權日:2012年8月27日
【發(fā)明者】G.萊?？? G.馬克 申請人:英飛凌科技股份有限公司