半導(dǎo)體器件及其制造方法以及電子裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能夠抑制有機半導(dǎo)體膜因應(yīng)力而產(chǎn)生特性劣化的半導(dǎo)體器件及其制造方法以及電子裝置，所述半導(dǎo)體器件包括：門電極；用于形成溝道的有機半導(dǎo)體膜；以及一對源漏電極，其形成于所述有機半導(dǎo)體膜上，所述一對源漏電極分別包括依次層疊的連接層、緩沖層及布線層。
【專利說明】半導(dǎo)體器件及其制造方法以及電子裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件(例如薄膜晶體管(TFT))及其制造方法、以及一種包括所述半導(dǎo)體器件的電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]一般而言，在大氣中的氧氣及水分的影響下，有機半導(dǎo)體材料容易劣化。因此，在使用有機半導(dǎo)體材料的薄膜晶體管(有機晶體管)中，存在特性(例如載流子遷移率)因暴露于大氣中而劣化的缺點。
[0003]為解決上述缺點，例如，在未經(jīng)審查的日本專利申請公開案第2006-156985(JP2006-156985A)號中公開一種其中保護膜設(shè)置于有機半導(dǎo)體膜與由樹脂制成的密封層之間的有機晶體管。在所述有機晶體管中，因為所述保護膜能抑制氧氣及水分侵入至所述有機半導(dǎo)體膜中，所以能抑制所述有機晶體管因氧氣及水分而產(chǎn)生特性劣化。然而，在其中與JP2006-156985A所述的有機晶體管中一樣形成保護膜的情形中，存在以下缺點:在硬化用于密封層的樹脂材料時所產(chǎn)生的應(yīng)力會損傷有機半導(dǎo)體膜，導(dǎo)致特性的劣化。
[0004]因此，例如，在未經(jīng)審查的日本專利申請公開案第2011-49221 (JP2011-49221A)號中公開一種其中用于部分地抑制氧氣及水分侵入的保護膜具有兩層式結(jié)構(gòu)的有機晶體管。具體而言，所述保護膜由第一保護膜及第二保護膜構(gòu)成，所述第一保護膜在有機半導(dǎo)體膜上被分隔開，所述第二保護膜用于覆蓋所述有機半導(dǎo)體膜的通過分隔開所述第一保護膜而暴露的部分以及所述第一保護膜的一部分。通過此種構(gòu)造，能緩和在硬化樹脂材料時所產(chǎn)生的應(yīng)力。
[0005]然而，僅通過與JP2011-49221A中那樣分隔開用于覆蓋有機半導(dǎo)體膜的保護膜不能充分緩和施加至有機半導(dǎo)體膜的應(yīng)力，因此不能充分解決因應(yīng)力而產(chǎn)生的特性劣化的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明期望提供能夠抑制有機半導(dǎo)體膜因應(yīng)力而產(chǎn)生特性劣化的半導(dǎo)體器件及其制造方法、以及電子裝置。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種半導(dǎo)體器件，其包括:門電極；用于形成溝道的有機半導(dǎo)體膜；以及一對源漏電極，其形成于所述有機半導(dǎo)體膜上，所述一對源漏電極分別包括依次層疊的連接層、緩沖層及布線層。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種半導(dǎo)體器件，其包括:門電極；用于形成溝道的有機半導(dǎo)體膜；以及一對源漏電極，其形成于所述有機半導(dǎo)體膜上，所述一對源漏電極分別包括依次層疊的連接緩沖層及布線層，所述連接緩沖層包括電連接材料及緩沖材料。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括:形成門電極；形成用于形成溝道的有機半導(dǎo)體膜；以及在所述有機半導(dǎo)體膜上依次形成連接層、緩沖層及布線層以作為一對源漏電極。[0010]根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種電子裝置，所述電子裝置具有顯示部及用于驅(qū)動所述顯示部的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括:門電極；用于形成溝道的有機半導(dǎo)體膜；以及一對源漏電極，其形成于所述有機半導(dǎo)體膜上，所述一對源漏電極分別包括依次層疊的連接層、緩沖層及布線層。
[0011]在根據(jù)本發(fā)明各實施例的半導(dǎo)體器件及其制造方法、以及電子裝置中，所述源漏電極中的每一者均具有其中連接層、緩沖層及布線層從有機半導(dǎo)體膜側(cè)依次層疊的層疊結(jié)構(gòu)。因此能減小施加至有機半導(dǎo)體膜的應(yīng)力。
[0012]在根據(jù)本發(fā)明各實施例的半導(dǎo)體器件及其制造方法、以及電子裝置中，所述源漏電極中的每一者均由包括布線層及設(shè)置于所述布線層與有機半導(dǎo)體膜之間的緩沖層的所述多個層構(gòu)成。因此能減小從例如布線層施加至有機半導(dǎo)體膜的應(yīng)力，并能夠抑制特性的劣化。
[0013]應(yīng)理解，上述總體說明及以下詳細(xì)說明均為示例性的，并旨在進一步解釋所要求保護的技術(shù)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]附圖用于使讀者進一步理解本發(fā)明，且被并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分。附圖圖示各實施例并與本說明書一起用于解釋本發(fā)明技術(shù)的原理。
[0015]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的薄膜晶體管的剖視圖；
[0016]圖2A是以步驟順序圖示制造圖1所示薄膜晶體管的方法的剖視圖；
[0017]圖2B是圖示圖2A的步驟的下一步驟的剖視圖；
[0018]圖2C是圖示圖2B的步驟的下一步驟的剖視圖；
[0019]圖2D是圖示圖2C的步驟的下一步驟的剖視圖；
[0020]圖2E是圖示圖2D的步驟的下一步驟的剖視圖；
[0021]圖2F是圖示圖2E的步驟的下一步驟的剖視圖；
[0022]圖3是包括圖1所示薄膜晶體管的顯示單元的剖視圖；
[0023]圖4是圖示圖3所示顯示單元的整體構(gòu)造的視圖；
[0024]圖5是圖示圖4所示像素驅(qū)動電路的示例的電路圖；
[0025]圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的薄膜晶體管的剖視圖；
[0026]圖7A是以步驟順序圖示制造圖6所示薄膜晶體管的方法的剖視圖；
[0027]圖7B是圖示圖7A的步驟的下一步驟的剖視圖；
[0028]圖7C是圖示圖7B的步驟的下一步驟的剖視圖；
[0029]圖8是圖示圖7A的步驟的下一步驟的另一示例的剖視圖；
[0030]圖9A是以步驟順序圖示根據(jù)變化例I的制造薄膜晶體管的方法的剖視圖；
[0031]圖9B是圖示圖9A的步驟的下一步驟的剖視圖；
[0032]圖10是根據(jù)變化例2的薄膜晶體管的剖視圖；
[0033]圖11是根據(jù)變化例3的薄膜晶體管的剖視圖；
[0034]圖12是圖示根據(jù)變化例4的薄膜晶體管的示例的剖視圖；
[0035]圖13是圖示根據(jù)變化例4的薄膜晶體管的另一示例的剖視圖；
[0036]圖14是圖示上述各實施例等的薄膜晶體管的應(yīng)用示例I的外觀的透視圖；[0037]圖15A是圖示應(yīng)用示例2的從正面?zhèn)扔^察到的外觀的透視圖；
[0038]圖15B是圖示應(yīng)用示例2的從背面?zhèn)扔^察到的外觀的透視圖；
[0039]圖16是圖示應(yīng)用示例3的外觀的透視圖；
[0040]圖17是圖示應(yīng)用示例4的外觀的透視圖；
[0041]圖18A圖示應(yīng)用示例5處于合上狀態(tài)時的正視圖、左側(cè)視圖、右側(cè)視圖、俯視圖及仰視圖；以及
[0042]圖18B圖示處于敞開狀態(tài)的應(yīng)用示例5的正視圖及側(cè)視圖。
【具體實施方式】
[0043]以下將參照附圖詳細(xì)闡述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。將按以下順序進行闡述。
[0044]1.第一實施例(具有連續(xù)的緩沖層的薄膜晶體管的示例:底柵結(jié)構(gòu))
[0045]1-1.薄膜晶體管的構(gòu)造
[0046]1-2.制造方法
[0047]1-3.半導(dǎo)體器件的整體構(gòu)造
[0048]1-4.功能及效果
[0049]2.第二實施例(具有不連續(xù)的緩沖層的薄膜晶體管的示例)
[0050]3.變化例I (制造方法的另一示例)
[0051]4.變化例2 (具有連續(xù)的緩沖層的薄膜晶體管的示例:頂柵結(jié)構(gòu))
[0052]5.變化例3 (具有連續(xù)的緩沖層的薄膜晶體管的示例:頂柵結(jié)構(gòu))
[0053]6.變化例4 (其中連接層與混合層合并為一個層的薄膜晶體管的示例)
[0054]7.應(yīng)用示例(包括電路基板的顯示單元及電子裝置的示例)
[0055][第一實施例]
[0056][1-1.薄膜晶體管的構(gòu)造]
[0057]圖1圖示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的底柵及頂部接觸式薄膜晶體管(薄膜晶體管10)的剖面構(gòu)造。薄膜晶體管10是使用有機半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體膜的TFT，且可被用作例如有機EL顯示器的驅(qū)動元件等。在薄膜晶體管10中，門電極12、門極絕緣膜13、用于形成溝道區(qū)域的有機半導(dǎo)體膜(半導(dǎo)體膜14)及一對源漏電極(源電極15A及漏電極15B)依次設(shè)置于基板11上。在本實施例中，源電極15A與漏電極15B中的每一者由多個層(在此情形中為三個層)構(gòu)成，且具有其中連接層15a、緩沖層15b及布線層15c從半導(dǎo)體膜14側(cè)依次層疊的構(gòu)造。
[0058]對基板11而言，除玻璃基板外，例如可使用由例如聚醚砜、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚縮醛、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚醚酮、聚烯烴等制成的塑料基板；由例如鋁(Al)、鎳(Ni)、銅(Cu)、不銹鋼等制成且表面經(jīng)過絕緣處理的金屬箔基板；紙材等。此外，可在基板上形成功能膜，例如形成用于改善粘著性及平坦度的緩沖層以及用于改善阻氣特性的阻障膜。此外，如果能夠在不加熱基板11的情況下通過例如濺射法等形成半導(dǎo)體膜14，則可將便宜的塑料膜用于基板11。
[0059]門電極12具有施加門極電壓至薄膜晶體管10并通過所述門極電壓控制半導(dǎo)體膜14中的載流子密度的作用。門電極12設(shè)置于基板11上的選擇性區(qū)域中，且例如可由諸如鉬(Pt)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鑰(Mo)、Cu、鎢(W)、鎳(Ni)、Al及鉭(Ta)等金屬元素或其合金制成。此外，門電極12可具有其中兩種以上金屬層疊的結(jié)構(gòu)。
[0060]門極絕緣膜13設(shè)置于門電極12與半導(dǎo)體膜14之間，且可具有例如50nm~I μ m(包括端值)的厚度。門極絕緣膜13例如由包括一種以上下列膜的絕緣膜形成:氧化硅膜(310)、氮化硅膜(31幻、氮氧化硅膜(31(^)、氧化鉿膜(!^0)、氧化鋁膜(410)、氮化鋁膜(A1N)、氧化鉭膜(TaO)、氧化鋯膜(ZrO)、氮氧化鉿膜、鉿氮氧化硅膜、氮氧化鋁膜、氮氧化鉭膜及氮氧化鋯膜。門極絕緣膜13可具有單層結(jié)構(gòu)或使用兩種以上材料(例如SiN及SiO)的層疊結(jié)構(gòu)。在其中門極絕緣膜13具有層疊結(jié)構(gòu)的情形中，能夠改善相對于半導(dǎo)體膜14的界面特性，且能夠有效抑制雜質(zhì)(例如水分)從周圍空氣侵入至半導(dǎo)體膜14中。門極絕緣膜13在涂覆后通過蝕刻被圖案化為預(yù)定形狀?；蛘?，根據(jù)材料可通過印刷技術(shù)，例如通過噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、膠版印刷及凹版印刷形成門極絕緣膜13的圖案。
[0061]半導(dǎo)體膜14設(shè)置于呈島狀的門極絕緣膜13上，且在源電極15A與漏電極15B之間與門電極12相對的位置中具有溝道區(qū)域14C。半導(dǎo)體膜14可具有例如5nm~IOOnm (包括端值)的厚度。半導(dǎo)體膜14可由例如有機半導(dǎo)體材料(例如迫咕噸并咕噸(per1-xanthenoxanthene ；PXX)衍生物)制成。有機半導(dǎo)體材料的示例可包括:聚噻吩、通過將己基引入聚噻吩而獲得的聚-3-己基噻吩[P3HT]、戊省[2，3，6，7-二苯并蒽]、聚蒽、丁省、己省、庚省、二苯并戍省、四苯并戍省、菌、花(perylene)、蘧(coronene)、三萘嵌二苯(Terrylene)、卵苯、四萘嵌三苯(quaterrylene)、循環(huán)蒽、苯并花、二苯并花、三亞苯、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚二乙炔、聚苯(polyphenylene)、聚呋喃、聚吲哚、聚乙烯基咔唑、聚硒吩、聚締吩、聚異硫卻(polyisothianaphthene)、聚咔唑、聚苯硫醚、聚苯乙炔、聚苯硫醚、聚亞乙烯基硫醚(polyvinylene sulfide)、聚噻吩乙炔(polythienylenevinylene)、聚萘、聚花、聚奧(polyazurin)、銅酞菁代表的酞菁、部花青、半花青、聚乙撐二氧噻吩(polyethylen e dioxythiophene)、咕嗪、萘四羧酸二酰亞胺、聚(3，4-乙撐二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸[PED0T/PSS]、4，4’_聯(lián)苯二硫酚(BTOT)、4，4’- 二異氰基聯(lián)苯、4，4’-二異氰基-對三聯(lián)苯、2，5-雙(5’-硫代乙?；?2’-苯硫基)噻吩、2，5-雙(5’-硫代乙酸氧基-2’-苯硫基)噻吩、4，4’- 二異氰基苯基、聯(lián)苯胺(聯(lián)苯-4，4’-二胺)、TCNQ(四氰基醌二甲烷)、電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物(由四硫富瓦烯(TTF)-TCNQ絡(luò)合物、雙亞乙基四硫富瓦烯(BEDTTTF)-高氯酸絡(luò)合物、BEDTTTF-碘絡(luò)合物及TCNQ-碘絡(luò)合物為代表)、聯(lián)苯_4，4’- 二竣酸、1，4_ 二(4_苯硫基乙炔基)_2_乙基苯、1，4_ 二(4-異氛基苯基乙炔基)-2_乙基苯、樹狀聚合物(dendrimer)、富勒烯(例如C60、C70、C76、C78及C84)、
I,4- _.(4-苯硫基乙炔基)~2~乙基苯、2，2〃- 二羥基_1，I’: 4’，1〃- 二聯(lián)苯、4，4’ -聯(lián)苯二乙醒(4，4’ -biphenyl diethanal)、4，4’ -聯(lián)苯二醇、4，4’ -聯(lián)苯異氰酸酯、1，4- 二乙炔基苯、聯(lián)苯-4，4’ - 二羧酸二乙酯、苯并[1，2-c;3, 4-c’ ; 5, 6_c〃]三[1，2] 二硫戍環(huán)-1, 4, 7-三硫酮(benzo [I, 2_c; 3, 4_c’ ; 5, 6_c"] tris [I, 2] dichiol-1, 4, 7_trithion)、a -六噻吩、四硫丁省(tetrathiotetracene)、四硒丁省(tetraselenotetracene)、四締丁省(tetratellurtetracene)、聚(3_烷基噻吩)、聚(3_噻吩-β -乙磺酸)、聚(N-烷基批咯)聚(3-烷基吡咯)、聚(3，4- 二烷基吡咯)、聚(2，2’ -噻吩基吡咯)、聚(二苯并噻吩硫化物)及喹吖酮。除此之外，可使用從下列一組物質(zhì)中選出的化合物:稠合多環(huán)芳族化合物、基于卟啉的衍生物、基于苯基亞乙烯基的共軛體系寡聚物及基于噻吩綴合物的寡聚物。此外，可使用有機半導(dǎo)體材料與絕緣聚合物材料的混合物。[0062]半導(dǎo)體膜14可利用真空蒸鍍法形成。然而，半導(dǎo)體膜14可優(yōu)選地利用例如涂覆及印刷工藝、例如通過將上述材料中的任一者溶解于例如有機溶劑中并將生成物用作墨水溶液形成。此種情況的一個原因在于，與真空蒸鍍法相比，涂覆及印刷工藝能更大程度地降低成本且能有效提高生產(chǎn)量。涂覆及印刷工藝的具體示例包括例如鑄涂、旋涂、噴涂、噴墨印刷、凸版印刷、柔版印刷、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷及凹版膠印等方法。
[0063]成對的源電極15A與漏電極15B彼此分開地設(shè)置于半導(dǎo)體膜14上、并電連接至半導(dǎo)體膜14。在此實施例中，源電極15A與漏電極15B中的每一者均由三個層構(gòu)成，且具有其中連接層15a、緩沖層15b及布線層15c從上述半導(dǎo)體膜14側(cè)依次層疊的構(gòu)造。
[0064]對于連接層15a而言，可優(yōu)選地使用功函數(shù)接近半導(dǎo)體的功函數(shù)的材料。例如，在其中將并五苯用作半導(dǎo)體的情形中，可使用功函數(shù)約為4.8eV?約5eV (包括端值)的金屬材料、類金屬材料或無機半導(dǎo)體材料。包括上述門電極12中所列出的導(dǎo)電膜材料在內(nèi)，其具體示例還可包括金(Au)、銀(Ag)、氧化銦錫(ITO)及氧化鑰(MoO)。連接層15a由上述金屬元素或其合金中的任一者制成。連接層15a可具有單層結(jié)構(gòu)，或可具有通過層疊上述材料中的兩種以上所獲得的結(jié)構(gòu)。為減小施加至半導(dǎo)體膜14的應(yīng)力，連接層15a的膜厚度可優(yōu)選地為薄的。因此，即使連接層15a的功函數(shù)接近半導(dǎo)體的功函數(shù)，在選擇具有高電阻的材料時，連接層由于此膜厚度而具有更高的電阻。具體而言，例如，連接層15a的膜厚度可優(yōu)選地為2nm?15nm (包括端值)，且更優(yōu)選地等于或小于10nm。
[0065]緩沖層15b緩和在半導(dǎo)體膜14上方形成布線層15c及下文所述的平坦化層16等時所產(chǎn)生的應(yīng)力，并減少半導(dǎo)體膜14的損傷。在此實施例中，緩沖層15b連續(xù)地設(shè)置于連接層15a上。通過由具有電導(dǎo)性的材料形成緩沖層15b來確保連接層15a與布線層15c之間的電連接。作為緩沖層15b的材料，可優(yōu)選地使用軟材料，即能夠釋放緩和設(shè)置于緩沖層15b上的層(例如布線層15c)的應(yīng)力的材料(例如導(dǎo)電的聚合物或包含聚合物材料的金屬顆粒)。所述材料的具體示例包括例如聚乙撐二氧噻吩(polyethylene dioxythiophene ；PED0T)、聚吡咯及聚乙炔等導(dǎo)電的有機聚合物。此外，可使用ΙΤ0、Μο0、氧化鈦(TiO)或例如碳材料(例如石墨及納米碳管(CNT))等導(dǎo)電的無機材料。此實施例的緩沖層15b可由上述材料中的任一者形成，或可利用多個上述材料的混合物形成。此外，例如可優(yōu)選地將呈顆粒狀態(tài)的Ag、N1、C或CNT按幾個百分比的比率混合于上述聚合物中。通過如上所述混合顆粒狀導(dǎo)電材料，緩沖層15b的表面上會因顆粒產(chǎn)生凹凸性，并且所述表面的平坦度及光滑度降低。因此，能夠進一步減小設(shè)置于緩沖層15b上的布線層15c等的應(yīng)力。緩沖層15b的膜厚度不被具體限制，只要能夠充分緩沖布線層15c等的應(yīng)力即可，且所述厚度可為例如IOOnm?200nm (包括端值)。
[0066]與連接層15a—樣,布線層15c由類似于上述門電極12的導(dǎo)電膜材料制成。此外，布線層15c可具有由[Ti/Al/Ti]、[Mo/Al]等構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。通過此層疊結(jié)構(gòu)，能夠抑制布線層15c的應(yīng)力。然而，由于難以通過蝕刻等進行處理，因此可優(yōu)選地使用由Cu、Au、Ag等形成的單層膜，且考慮到制造成本可優(yōu)選地使用Cu。盡管布線層15c的膜厚度不被具體限制，然而布線層15c可優(yōu)選地具有約IOOnm的膜厚度以防止布線等斷裂。
[0067]例如可以如下方式制造薄膜晶體管10。
[0068][1-2.制造方法]
[0069]首先，如圖2A所示，可利用例如濺射法或真空蒸鍍法使欲成為門電極12的金屬膜形成于基板11的整個表面上。接下來，可利用例如光刻及蝕刻來圖案化所述金屬膜以形成門電極12。
[0070]接著，如圖2B所示，門極絕緣膜13及半導(dǎo)體膜14依次形成于基板11及門電極12的整個表面上。具體而言，可利用例如旋涂法將基板11的整個表面用以上述門極絕緣膜材料(例如聚乙烯批咯燒酮(polyvinylpyrrolidone ；PVP))涂覆,并使生成物干燥。接下來，用有機半導(dǎo)體材料、例如PXX復(fù)合物溶液涂覆門極絕緣膜13。隨后，加熱所涂覆的有機半導(dǎo)體材料，從而在門極絕緣膜13上形成半導(dǎo)體膜14。
[0071]接著，如圖2C所示，在半導(dǎo)體膜14上形成金屬膜。具體而言，可利用例如濺射法依次形成Cu膜(連接層15a)、PEDOT膜(緩沖層15b)及Cu膜(布線層15c)。
[0072]接下來，如圖2D?圖2F所示，可利用例如光刻法通過蝕刻形成成對的源電極15A與漏電極15B。具體而言，用抗蝕劑18A涂覆欲成為布線層15c的Cu膜，并將生成物圖案化為預(yù)定形狀。接著，首先，對Cu膜進行濕法蝕刻，以對布線層15c執(zhí)行圖案化，隨后，可通過例如氧氣(O2)干法蝕刻對PEDOT膜進行圖案化以形成緩沖層15b。接下來，再次執(zhí)行濕法蝕刻，對Cu膜進行圖案化以形成連接層15a，隨后剝離抗蝕劑18A。因此，完成薄膜晶體管10的制造，且薄膜晶體管10在基板11上具有由多個層構(gòu)成的源電極15A及漏電極15B。
[0073][1-3.半導(dǎo)體器件的整體構(gòu)造]
[0074]圖3圖示包括上述薄膜晶體管10作為驅(qū)動元件的半導(dǎo)體器件(在此示例中為顯示單元I)的剖面構(gòu)造。顯示單元I是包括多個有機發(fā)光器件20R、20G及20B (器件)的自發(fā)光型顯示單元。顯示單元I具有依次位于基板11上的像素驅(qū)動電路形成層L1、包括有機發(fā)光器件20R、20G及20B的發(fā)光器件形成層L2及相對的基板(圖未示出)。顯示單元I是其中從相對基板側(cè)提取光的頂部發(fā)光型顯示單元。像素驅(qū)動電路形成層LI中包括薄膜晶體管10。
[0075]圖4圖示顯示單元I的整體構(gòu)造。顯示單元I具有位于基板11上的顯示區(qū)域110,且被用作超薄型有機發(fā)光彩色顯示單元等。在基板11上圍繞顯示區(qū)域110可設(shè)置例如信號線驅(qū)動電路120及掃描線驅(qū)動電路130作為用于顯示圖像的驅(qū)動器。
[0076]在顯示區(qū)域110中，形成有以二維方式排列成矩陣狀態(tài)的所述多個有機發(fā)光器件20R、20G及20B以及用于驅(qū)動有機發(fā)光器件20R、20G及20B的像素驅(qū)動電路140。在像素驅(qū)動電路140中，多條信號線120A沿列方向排列，且多條掃描線130A沿行方向排列。有機發(fā)光器件20R、20G及20B之一被設(shè)置成對應(yīng)于每一信號線120A與每一掃描線130A的每一交叉點。每一信號線120A連接至信號線驅(qū)動電路120，且每一掃描線130A連接至掃描線驅(qū)動電路130。
[0077]信號線驅(qū)動電路120將從信號供應(yīng)源(圖未示出)提供的與亮度信息相對應(yīng)的圖像信號的信號電壓提供至通過信號線120A選定的有機發(fā)光器件20R、20G及20B。
[0078]掃描線驅(qū)動電路130由與輸入的時鐘脈沖同步地依次使啟動脈沖移位(傳送)的移位寄存器等構(gòu)成。掃描線驅(qū)動電路130在將圖像信號寫入至有機發(fā)光器件20R、20G及20B時，以行為單位掃描有機發(fā)光器件20R、20G及20B，并依次提供掃描信號至每一掃描線130A。
[0079]像素驅(qū)動電路140設(shè)置于基板11與有機發(fā)光器件20R、20G及20B之間的層中，SP設(shè)置于像素驅(qū)動電路形成層LI中。如圖5所示，像素驅(qū)動電路140是具有驅(qū)動晶體管Trl及寫入晶體管Tr2 (二者中至少一個由薄膜晶體管10構(gòu)成)、位于驅(qū)動晶體管Trl與寫入晶體管Tr2之間的保持電容Cs及有機發(fā)光器件20R、20G及20B的有源驅(qū)動電路。
[0080]接下來，將再次參照圖3闡述像素驅(qū)動電路形成層L1、發(fā)光器件形成層L2等的詳細(xì)構(gòu)造。
[0081]在像素驅(qū)動電路形成層LI中，形成有構(gòu)成像素驅(qū)動電路140的薄膜晶體管10(驅(qū)動晶體管Trl及寫入晶體管Tr2)。此外，信號線120A及掃描線130A也被埋置于像素驅(qū)動電路形成層LI中。更具體而言，薄膜晶體管10及平坦化層16依次設(shè)置于基板11上。設(shè)置平坦化層16主要用以平坦化像素驅(qū)動電路形成層LI的表面，且平坦化層16可由例如絕緣樹脂材料(例如聚酰亞胺)制成。
[0082]在發(fā)光器件形成層L2中，設(shè)置有有機發(fā)光器件20R、20G和20B、器件隔離膜17以及用于覆蓋有機發(fā)光器件20R、20G和20B及器件隔離膜17的密封層(圖未示出)。在有機發(fā)光器件20R、20G及20B中，從基板11側(cè)依次層疊作為陽極電極的第一電極21、包括發(fā)光層的有機層22以及作為陰極電極的第二電極23。有機層22可從第一電極21側(cè)依次具有例如空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層?？蔀槊恳黄骷O(shè)置發(fā)光層，或可設(shè)置各個器件共用的發(fā)光層。在需要時可設(shè)置除發(fā)光層之外的其它層。器件隔離膜17由絕緣材料制成。器件隔離膜17為每一有機發(fā)光器件隔開各個有機發(fā)光器件20R、20G及20B，并界定有機發(fā)光器件20R、20G及20B的各個發(fā)光區(qū)域。
[0083]上述顯示單元I適用于將從外部輸入的圖像信號、或內(nèi)部產(chǎn)生的圖像信號顯示為例如圖像或視頻的任何領(lǐng)域中的電子裝置的顯示單元，所述電子裝置例如為電視機、數(shù)碼相機、筆記型個人計算機、便攜式終端設(shè)備(例如移動電話)及視頻攝錄機。
[0084][1-4.功能及效果]
[0085]在如此實施例中將有機半導(dǎo)體材料用作半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管中，所述薄膜晶體管的特性因所述半導(dǎo)體膜暴露于大氣中而劣化。造成此種情況的一個原因在于大氣中的氧氣及水分侵入至所述半導(dǎo)體膜中。因此，在過去，在半導(dǎo)體膜上設(shè)置由氧化物或樹脂材料制成的半導(dǎo)體保護膜等。然而，在此種情形中存在以下缺點:在形成半導(dǎo)體保護膜時所產(chǎn)生的應(yīng)力導(dǎo)致半導(dǎo)體膜的損傷。
[0086]為解決上述缺點，在上述JP2011-49221A中，公開一種通過分開半導(dǎo)體保護膜以獲得層疊結(jié)構(gòu)來緩和應(yīng)力的方法。然而，施加至半導(dǎo)體膜的應(yīng)力應(yīng)該作為整個器件進行控制。例如，施加至半導(dǎo)體膜的應(yīng)力不僅是由于在形成所述半導(dǎo)體膜之后直接設(shè)置于所述半導(dǎo)體膜上方的半導(dǎo)體保護膜而產(chǎn)生。在形成電極(例如源電極及漏電極)時也會產(chǎn)生應(yīng)力，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體膜的損傷及特性的劣化。
[0087]相比之下，在此實施例中構(gòu)成半導(dǎo)體器件I的薄膜晶體管10中，設(shè)置于半導(dǎo)體膜14上的成對的源電極15A與漏電極15B由所述多個層(在此示例中為三個層:連接層15a、緩沖層15b及布線層15c)構(gòu)成。具體而言，通過在半導(dǎo)體膜14與布線層15c之間設(shè)置緩沖層15b，在形成布線層15c、平坦化層16等時所產(chǎn)生的應(yīng)力得以緩和。因此，能夠抑制由應(yīng)力造成的半導(dǎo)體膜14的損傷。
[0088]如上所述，在此實施例的薄膜晶體管10中，源電極15A及漏電極15B由包括布線層15c及設(shè)置于布線層15c與半導(dǎo)體膜14之間的緩沖層15b的所述多個層構(gòu)成。因此在形成布線層15c、平坦化層16等時所產(chǎn)生的應(yīng)力被緩沖層15b緩和，且施加至半導(dǎo)體膜14的應(yīng)力減小。因此，能夠抑制此實施例的包括薄膜晶體管10的半導(dǎo)體器件I的特性的劣化。
[0089]此外，可選擇硬度高的金屬或線性膨脹系數(shù)高的金屬，且選擇材料的自由度提高。
[0090]接下來，將闡述根據(jù)第二實施例及其變化例(變化例I?4)的薄膜晶體管30(30A、30B及30C)、40、50、60及70。應(yīng)注意，在以下說明中，將與上述實施例中相同的部件標(biāo)示為相同的附圖標(biāo)記，且將視情況省略其說明。
[0091][第二實施例]
[0092]圖6圖示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的底柵及頂部接觸式薄膜晶體管(薄膜晶體管30A)的剖面構(gòu)造。在薄膜晶體管30A中，與在上述第一實施例中一樣，成對的源電極35A與漏電極35B中的每一者均具有其中連接層35a、緩沖層35b及布線層35c從半導(dǎo)體膜14側(cè)依次層疊的三層式結(jié)構(gòu)。然而，第二實施例與第一實施例的不同之處在于，緩沖層35b具有不連續(xù)的結(jié)構(gòu)(即島狀結(jié)構(gòu))，且連接層35a與布線層35c部分地直接連接。
[0093]包括上述第一實施例中所列出的材料在內(nèi)，還可使用絕緣材料(例如Si珠)作為緩沖層35b的材料。
[0094]例如，可如圖7A?圖7C所示來制造此實施例中的薄膜晶體管30A。應(yīng)注意，在形成半導(dǎo)體膜14之前的步驟類似于上述第一實施例的步驟，因此將不再予以贅述。
[0095]首先，在半導(dǎo)體膜14形成之后形成金屬膜。具體而言，可利用例如濺射法在半導(dǎo)體膜14上形成Cu膜(連接層35a)。隨后，可例如用通過分散Si珠獲得的溶液涂覆Cu膜，并使生成物干燥。當(dāng)其中分散有Si珠的溶劑被移除時，便形成島狀的Si珠膜(緩沖層35b)。接著，可在Si珠膜及Cu膜上利用例如濺射法形成Cu膜(布線層35c)。隨后，用抗蝕劑18B涂覆Cu膜，并將生成物圖案化為預(yù)定的形狀(圖7A)。
[0096]接下來，如圖7B所示，對Cu膜進行濕法蝕刻以對布線層35c執(zhí)行圖案化。接著，如圖7C所示，可利用例如CF4通過干法蝕刻移除Si珠膜的不需要的部分，以形成緩沖層35b。隨后，對Cu膜進行濕法蝕刻以形成連接層35a。最后，剝離抗蝕劑18B，從而完成圖6所示的薄膜晶體管30A的制造。
[0097]在此示例中，布線層35c、緩沖層35b及連接層35a被依次處理。然而，在其中連接層35a及布線層35c由相同材料制成的情形中，在Cu膜上形成抗蝕劑18B (圖7A)之后，可通過如圖8所示的一次性蝕刻來處理電極。此外，如圖8所示，在通過此種一次性蝕刻制造的薄膜晶體管30B中，由[Cu/Si]構(gòu)成的島狀結(jié)構(gòu)會保留在源電極35A與漏電極35B之間。然而，此種島狀結(jié)構(gòu)與源電極35A及漏電極35B是不連續(xù)的，因此此種島狀結(jié)構(gòu)不影響器件的工作。
[0098]如上所述，在此實施例中，構(gòu)成源電極35A及漏電極35B的緩沖層35b以島的形狀形成。因此連接層35a與布線層35c直接連接。因此，不僅具有上述第一實施例的效果，此實施例還能實現(xiàn)使用于緩沖層35b的材料選擇空間增大的效果。此外，因為緩沖層35b以不連續(xù)的方式設(shè)置，所以能增大凹凸度。因此也能增大布線層35c的凹凸性，還能緩和布線層本身的熱應(yīng)力。
[0099][變化例I]
[0100]圖9A及圖9B是用于解釋根據(jù)本發(fā)明各實施例的變化例I的薄膜晶體管(薄膜晶體管30C)的制造步驟的剖視圖。在薄膜晶體管30C中，緩沖層35b具有與上述第二實施例一樣的島狀結(jié)構(gòu)。然而，變化例I與上述第一實施例及上述第二實施例的不同之處在于，緩沖層35b及布線層35c是通過印刷方法形成。
[0101]在此變化例的薄膜晶體管30C中，通過蒸鍍法形成欲成為連接層35a的金屬膜(例如Cu)，隨后，如圖9A所示，利用印刷法(例如膠印法)依次形成緩沖層35b及布線層35c。隨后，如圖9B所示，例如可利用由圖案化的緩沖層35b及布線層35c構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)作為掩膜對金屬膜進行濕法蝕刻，以形成連接層35a。由此獲得薄膜晶體管30C。
[0102]如上所述，緩沖層35b及布線層35c是利用印刷法形成。因此能夠縮短上述第一實施例及上述第二實施例中所述的形成抗蝕劑18B、剝離抗蝕劑18B等步驟。因此，能夠減少制造步驟。此外，能增大用于布線層35c的材料選擇空間。
[0103][變化例2]
[0104]圖10是根據(jù)本發(fā)明各實施例的變化例2的頂柵及頂部接觸式薄膜晶體管(薄膜晶體管40)的剖面構(gòu)造。在薄膜晶體管40中，半導(dǎo)體膜44、一對源漏電極(源電極45A及漏電極45B)、門極絕緣膜43及門電極42依次設(shè)置于基板11上。在此變化例2中，源電極45A與漏電極45B中的每一者均具有其中連接層45a、緩沖層45b及布線層45c從半導(dǎo)體膜44側(cè)依次層疊的三層式結(jié)構(gòu)。在此示例中，與在上述第一實施例中一樣，緩沖層45b在連接層45a上形成為連續(xù)膜。
[0105][變化例3]
[0106]圖11是根據(jù)本發(fā)明各實施例的變化例3的頂柵及頂部接觸式薄膜晶體管(薄膜晶體管50)的剖面構(gòu)造。薄膜晶體管50具有類似于上述變化例2中的薄膜晶體管40的層疊結(jié)構(gòu)。在此變化例中，與上述第二實施例中一樣，構(gòu)成源電極55A及漏電極55B的緩沖層55b具有島狀結(jié)構(gòu)。
[0107][變化例4]
[0108]圖12圖示根據(jù)本發(fā)明各實施例的變化例4的底柵及頂部接觸式薄膜晶體管(薄膜晶體管60)的剖面構(gòu)造。薄膜晶體管60與上述各實施例等的不同之處在于，成對的源電極65A與漏電極65B均具有其中連接緩沖層65a及布線層65b從半導(dǎo)體膜64側(cè)依次層疊的兩層式結(jié)構(gòu)。
[0109]連接緩沖層65a是具有上述各實施例等中所述的連接層(例如連接層15a)功能及緩沖層(例如緩沖層15b)功能的層。具體而言，連接緩沖層65a是通過恰當(dāng)?shù)鼗旌线B接材料與緩沖材料而形成的混合層(單層)。連接材料的示例可包括所列出用于連接層15a的能夠進行電連接的材料。緩沖材料的示例包括所列出用于緩沖層15b的導(dǎo)電的有機材料及導(dǎo)電的無機材料以及第二實施例中所述的絕緣材料。
[0110]應(yīng)注意，如圖13所示，通過如在此變化例中那樣將連接層與緩沖層合并為一個層而獲得的連接緩沖層65a也適用于上述變化例2及變化例3中所示的頂柵及頂部接觸式薄膜晶體管(薄膜晶體管70)。
[0111]如上所述，通過在半導(dǎo)體膜64與布線層65b之間設(shè)置通過混合連接層材料與緩沖層材料而獲得的連接緩沖層65a，能夠縮短制造步驟。
[0112]如上所述，成對的源電極45A及55A與漏電極45B及55B中的每一者分別具有三層式結(jié)構(gòu)，且緩沖層45b及55b分別設(shè)置于布線層45c與有機半導(dǎo)體膜44之間以及布線層55c與有機半導(dǎo)體膜54之間。因此，施加至頂部接觸式薄膜晶體管的有機半導(dǎo)體膜的應(yīng)力得以緩和，并能夠抑制特性的劣化，所述薄膜晶體管具有位于所述有機半導(dǎo)體膜上的源漏電極。
[0113][應(yīng)用示例]
[0114]包括第一實施例、第二實施例及變化例I?3中所述的薄膜晶體管10、30、40、50、60及70的半導(dǎo)體器件可適于用作顯示單元。顯示單元的示例包括液晶顯示單元、有機EL顯示單元及電子紙顯示器。圖14示意性圖示顯示驅(qū)動電路的示例。
[0115][應(yīng)用示例I]
[0116]圖14圖示根據(jù)應(yīng)用示例I的電視機的外觀。電視機可具有例如包括正面板310及濾光玻璃320的圖像顯示屏部300。圖像顯示屏部300對應(yīng)于上述顯示單元。
[0117][應(yīng)用示例2]
[0118]圖15A圖示根據(jù)應(yīng)用示例2的數(shù)碼相機的從正面?zhèn)扔^察到的外觀,且圖15B圖示數(shù)碼相機的從背面?zhèn)扔^察到的外觀。數(shù)碼相機可具有例如用于閃光的發(fā)光部410、作為上述顯示單元的顯示部420、菜單開關(guān)430及快門按鈕440。
[0119][應(yīng)用示例3]
[0120]圖16圖示根據(jù)應(yīng)用示例3的筆記型個人計算機的外觀。筆記型個人計算機可具有例如主體510、用于輸入字符等操作的鍵盤520、以及作為上述顯示單元的顯示部530。
[0121][應(yīng)用示例4]
[0122]圖17圖示根據(jù)應(yīng)用示例4的視頻攝錄機的外觀。視頻攝錄機可具有例如主體610、設(shè)置于主體610的正側(cè)面上且用于拍攝對象的鏡頭620、用于拍攝的起止開關(guān)630以及作為上述顯示單元的顯示部640。
[0123][應(yīng)用示例5]
[0124]圖18A圖示根據(jù)應(yīng)用示例5的移動電話處于合上狀態(tài)時的正視圖、左側(cè)視圖、右側(cè)視圖、俯視圖及仰視圖。圖18B圖不移動電話處于敞開狀態(tài)時的正視圖及側(cè)視圖。在移動電話中，例如上部封裝組件710與下部封裝組件720可通過接合部(鉸鏈部)730接合。移動電話可具有顯示器740、副顯示器750、閃光燈760及照相機770。顯示器740與副顯示器750其中任一者或兩者對應(yīng)于上述顯示單元I。
[0125]盡管已參照各優(yōu)選實施例、變化例I?4及各應(yīng)用示例闡述了本發(fā)明，然而本發(fā)明并非僅限于上述各實施例等，而是可具有各種變化例。例如，每一層的材料、厚度、成膜方法、成膜條件等并非僅限于上述各實施例等中所述者，而是可采用其他材料、其他厚度、其他成膜方法及其他成膜條件。
[0126]此外，例如，在上述各實施例等中，已具體闡述了薄膜晶體管10、30、40、50、60及70的構(gòu)造。然而，薄膜晶體管10、30、40、50、60及70還可包括其它層。例如，在上述各實施例等中，所述一對源漏電極(源電極15A及漏電極15B)直接設(shè)置于有機半導(dǎo)體膜(例如半導(dǎo)體膜14)上。然而，上述保護膜可形成于所述一對源漏電極與有機半導(dǎo)體膜之間。在此種情形中，保護膜可優(yōu)選地由無機絕緣膜或含氟樹脂制成。
[0127]根據(jù)本發(fā)明的上述各示例性實施例及各變化例，可實現(xiàn)至少以下構(gòu)造。
[0128](I) 一種半導(dǎo)體器件，其包括:
[0129]門電極；
[0130]用于形成溝道的有機半導(dǎo)體膜；以及
[0131]一對源漏電極，其形成于所述有機半導(dǎo)體膜上，所述一對源漏電極分別包括依次層疊的連接層、緩沖層及布線層。
[0132](2)如(I)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述緩沖層是連續(xù)或不連續(xù)地形成的。
[0133](3)如(I)或(2)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述緩沖層包括導(dǎo)電的有機材料、導(dǎo)電的無機材料以及它們的混合材料之一。
[0134](4)如(I)?(3)中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述緩沖層包括絕緣材料、所述絕緣材料與導(dǎo)電的有機材料的混合材料、以及所述絕緣材料與導(dǎo)電的無機材料的混合材料之一。
[0135](5)如(3)或(4)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電的有機材料為聚乙撐二氧噻吩(polyethylene dioxythiophene ;PED0T)、聚卩比咯及聚乙塊之一。
[0136](6)如(3)或(4)所述的半導(dǎo)體器件，其中所述導(dǎo)電的無機材料為碳納米管、炭黑、氧化鑰(MoO)、氧化鈦(TiO)及氧化銦錫(ITO)之一。
[0137](7)如(4)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣材料為硅(Si)。
[0138](8)如(I)?(7)中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述有機半導(dǎo)體膜設(shè)置于所述門電極與所述一對源漏電極之間。
[0139](9)如(8)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述門電極、所述有機半導(dǎo)體膜及所述一對源漏電極依次設(shè)置于基板上。
[0140]( 10)如(I)?(9)的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述有機半導(dǎo)體膜設(shè)置于所述一對源漏電極與基板之間。
[0141](11)如(10)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述有機半導(dǎo)體膜、所述一對源漏電極及所述門電極依次設(shè)置于所述基板上。
[0142](12) 一種半導(dǎo)體器件，其包括:
[0143]門電極；
[0144]用于形成溝道的有機半導(dǎo)體膜；以及
[0145]一對源漏電極，其形成于所述有機半導(dǎo)體膜上，所述一對源漏電極分別包括依次層疊的連接緩沖層及布線層，所述連接緩沖層包括電連接材料及緩沖材料。
[0146](13) 一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括:
[0147]形成門電極；
[0148]形成用于形成溝道的有機半導(dǎo)體膜；以及
[0149]在所述有機半導(dǎo)體膜上依次形成連接層、緩沖層及布線層以作為一對源漏電極。
[0150](14)如(13)所述的方法，其中，所述布線層、所述緩沖層及所述連接層被依次蝕刻以形成所述一對源漏電極。
[0151](15)如(13)所述的方法，其中，所述布線層、所述緩沖層及所述連接層被一起蝕刻以形成所述一對源漏電極。
[0152](16)如(13)?(15)中的任一項所述的方法，其中，所述有機半導(dǎo)體膜是通過鑄涂、旋涂、噴涂、噴墨印刷、凸版印刷、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷及凹版膠印中的任一者而形成。
[0153](17)—種電子裝置，所述電子裝置具有顯示部及用于驅(qū)動所述顯示部的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括:
[0154]門電極；
[0155]用于形成溝道的有機半導(dǎo)體膜；以及[0156]一對源漏電極，其形成于所述有機半導(dǎo)體膜上，所述一對源漏電極分別包括依次層疊的連接層、緩沖層及布線層。
[0157]本發(fā)明所包含的主題與2012年8月21日向日本專利局提出申請的日本優(yōu)先權(quán)專利申請案JP2012-182465中所公開的主題相關(guān)，所述日本優(yōu)先權(quán)專利申請案的全部內(nèi)容以引用方式并入本文中。
[0158]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，可根據(jù)設(shè)計要求及其他因素對本發(fā)明進行各種修改、組合、子組合及改變，只要其屬于隨附權(quán)利要求書或其等效內(nèi)容的范圍內(nèi)即可。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，其包括: 門電極； 用于形成溝道的有機半導(dǎo)體膜；以及 一對源漏電極，其形成于所述有機半導(dǎo)體膜上，所述一對源漏電極分別包括依次層疊的連接層、緩沖層及布線層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述緩沖層是連續(xù)或不連續(xù)地形成的。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述緩沖層包括導(dǎo)電的有機材料、導(dǎo)電的無機材料以及它們的混合材料之一。
4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述緩沖層包括絕緣材料、所述絕緣材料與導(dǎo)電的有機材料的混合材料、以及所述絕緣材料與導(dǎo)電的無機材料的混合材料之一。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電的有機材料為聚乙撐二氧噻吩、聚吡咯及聚乙炔之一。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電的無機材料為碳納米管、炭黑、氧化鑰、氧化鈦及氧化銦錫之一。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣材料為硅。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述有機半導(dǎo)體膜設(shè)置于所述門電極與所述一對源漏電極之間。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述門電極、所述有機半導(dǎo)體膜及所述一對源漏電極依次設(shè)置于基板上。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述有機半導(dǎo)體膜設(shè)置于所述一對源漏電極與基板之間。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述有機半導(dǎo)體膜、所述一對源漏電極及所述門電極依次設(shè)置于所述基板上。
12.—種半導(dǎo)體器件，其包括: 門電極； 用于形成溝道的有機半導(dǎo)體膜；以及 一對源漏電極，其形成于所述有機半導(dǎo)體膜上，所述一對源漏電極分別包括依次層疊的連接緩沖層及布線層，所述連接緩沖層包括電連接材料及緩沖材料。
13.—種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括: 形成門電極； 形成用于形成溝道的有機半導(dǎo)體膜；以及 在所述有機半導(dǎo)體膜上依次形成連接層、緩沖層及布線層以作為一對源漏電極。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述布線層、所述緩沖層及所述連接層被依次蝕刻以形成所述一對源漏電極。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述布線層、所述緩沖層及所述連接層被一起蝕刻以形成所述一對源漏電極。
16.如權(quán)利要求13、14和15中的任一項所述的方法，其中，所述有機半導(dǎo)體膜是通過鑄涂、旋涂、噴涂、噴墨印刷、凸版印刷、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷及凹版膠印中的任一者而形成。
17.一種電子裝置，所述電子裝置具有顯示部及用于驅(qū)動所述顯示部的如權(quán)利要求1~12中的任一項所 述的半導(dǎo)體器件。
【文檔編號】H01L51/10GK103633244SQ201310351161
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年8月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月21日
【發(fā)明者】石井由威, 小野秀樹 申請人:索尼公司