Cmos器件制造方法及cmos器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種CMOS器件制造方法及CMOS器件。該方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入氧原子，以形成貫穿半導(dǎo)體襯底的埋層，埋層距離半導(dǎo)體襯底的頂面第一距離；在半導(dǎo)體襯底的頂面上形成場氧區(qū)，場氧區(qū)的兩側(cè)分別形成第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，其中第一有源區(qū)和第二有源區(qū)摻雜類型相反，且場氧區(qū)的底面延伸至所述埋層的底面；在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)內(nèi)分別形成柵極；在所述第一有源區(qū)內(nèi)、且柵極的兩側(cè)分別形成第一源極，在第二有源區(qū)內(nèi)、且在柵極兩側(cè)分別形成第二源極，第一源極和第二源極的底面位于埋層的上方。本方法制造出的CMOS器件，可避免出現(xiàn)場氧區(qū)漏電，且還能防止出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)。
【專利說明】0^103器件制造方法及咖03器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤其涉及一種0103制造方法及0103器件。

【背景技術(shù)】
[0002]互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(0311?)1611161117 16仏1 0x1(16 8611110011(11101:01-, 0108)是現(xiàn)代半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的基礎(chǔ)，組成數(shù)字集成電路的最基本單元。0103是匪03晶體管和？103晶體管的一種有機(jī)組合，構(gòu)成邏輯器件，其優(yōu)點(diǎn)在于僅有邏輯狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，才會產(chǎn)生大電流，而在穩(wěn)定的邏輯狀態(tài)下，只有極小的電流通過，因此能夠大幅減小邏輯電路的功耗。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中0103的部分結(jié)構(gòu)示意圖；如圖1所示，0103中需要通過場氧區(qū)10將和匪03隔離開來，由于多晶硅高阻或者？1？電容，或者多晶硅走線等原因，加工和的0103的場氧區(qū)上常滯留有多晶硅11，而當(dāng)在多晶硅11施加電壓時(shí)，在場氧層10下面就會有漏電，即，場氧區(qū)10與~源區(qū)12和？漏區(qū)13構(gòu)成一個103管，其中場氧區(qū)10即為該顯3管中的柵氧，而漏電現(xiàn)象的存在則會直接影響0103的工作性能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷，本發(fā)明提供一種0103器件制造方法及0103器件，以有效防止制造出(^03發(fā)生漏電現(xiàn)象，有效保證了 0103的工作性能。
[0005]本發(fā)明提供一種0103器件制造方法，包括:
[0006]提供半導(dǎo)體襯底；
[0007]向所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入氧原子，以形成貫穿所述半導(dǎo)體襯底的埋層，所述埋層距離所述半導(dǎo)體襯底的頂面第一距離；
[0008]在所述半導(dǎo)體襯底的頂面上形成場氧區(qū)，所述場氧區(qū)的兩側(cè)分別形成第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，其中所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)摻雜類型相反，且所述場氧區(qū)的底面延伸至所述埋層的底面；
[0009]在所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)內(nèi)分別形成柵極，所述柵極與所述場氧區(qū)之間具有間隙；
[0010]在所述第一有源區(qū)內(nèi)、且在位于所述第一有源區(qū)內(nèi)的柵極的兩側(cè)分別形成第一源極，在所述第二有源區(qū)內(nèi)、且在所述第二有源區(qū)內(nèi)的柵極兩側(cè)分別形成第二源極，其中所述第一源極和第二源極的底面位于所述埋層的上方。
[0011]本發(fā)明還提供一種0103器件，包括:
[0012]半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的頂面上形成有場氧區(qū)，以及分別位于所述場氧區(qū)兩側(cè)的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的摻雜類型相反；所述第一源區(qū)內(nèi)和第二源區(qū)內(nèi)還分別形成有柵極，所述第一源區(qū)內(nèi)還形成有位于柵極兩側(cè)的第一源極，所述第二源區(qū)內(nèi)還形成有位于柵極兩側(cè)的第二源極，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)、且距離所述半導(dǎo)體襯底頂面第一距離處還形成有絕緣的埋層，所述場氧區(qū)的底面延伸至所述埋層的底面，所述第一源極和第二源極均位于所述埋層上方。
[0013]本發(fā)明提供的0103制造方法及0103器件，可以通過埋層的設(shè)置最終在半導(dǎo)體襯底中形成一個絕緣層，有效防止場氧區(qū)下方出現(xiàn)漏電，該絕緣層的存在還可以避免阱區(qū)與襯底結(jié)產(chǎn)生寄生的結(jié)構(gòu)，從而避免出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中0103的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為本發(fā)明0103器件制造方法實(shí)施例一的流程圖；
[0016]圖3為本發(fā)明0103器件制造方法實(shí)施例二中形成埋層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖4為本發(fā)明0103器件制造方法實(shí)施例二中形成墊氧層和保護(hù)層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖5為本發(fā)明0103器件制造方法實(shí)施例二中墊氧層和保護(hù)層經(jīng)光刻、刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖6為本發(fā)明0103器件制造方法實(shí)施例二中隊(duì)？型阱區(qū)均形成后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖7為本發(fā)明0103器件制造方法實(shí)施例二中形成場氧區(qū)后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖8為本發(fā)明0103器件制造方法實(shí)施例二中形成柵極后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖9為本發(fā)明0103器件制造方法實(shí)施例二中形成第一輕摻雜區(qū)后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖10為本發(fā)明0103器件制造方法實(shí)施例二中形成第二輕摻雜區(qū)后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖11為本發(fā)明0103器件制造方法實(shí)施例二中在柵極上形成側(cè)墻后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖12為本發(fā)明0103器件制造方法實(shí)施例二形成的0103器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0026]實(shí)施例一
[0027]圖2為本發(fā)明0103器件制造方法實(shí)施例一的流程圖；如圖1所述，本實(shí)施例提供一種0103器件制造方法，包括:
[0028]3201、提供半導(dǎo)體襯底；該半導(dǎo)體襯底可以為~型或？型半導(dǎo)體襯底。
[0029]3202、向半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入氧原子，以形成貫穿所述半導(dǎo)體襯底的埋層41(請參照圖3),埋層41距離半導(dǎo)體襯底的頂面第一距離。其中，第一距離可以根據(jù)需要形成的(:103中的場氧層的深度和源極的深度確定，優(yōu)選地可以大于或等于源極的深度、且小于場氧層的深度。其中，場氧層的深度是指場氧層的底面距離半導(dǎo)體襯底的頂面的距離，源極的深度是指構(gòu)成源極的區(qū)域的底面距離半導(dǎo)體襯底的頂面的距離。
[0030]需要說明的是，本步驟注入形成的埋層41的材質(zhì)為氧原子。
[0031]3203、在半導(dǎo)體襯底的頂面上形成場氧區(qū)42，場氧區(qū)42的兩側(cè)分別形成第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，其中第一有源區(qū)和第二有源區(qū)摻雜類型相反，且場氧區(qū)的底面延伸至所述埋層的底面。
[0032]其中，第一有源區(qū)可以為？型有源區(qū)406、第二有源區(qū)可以為?型有源區(qū)405 (請參照圖7)；當(dāng)然，第一有源區(qū)也可以為~型有源區(qū)、第二有源區(qū)也可以為？型有源區(qū)。而場氧區(qū)可以采用本領(lǐng)域中常用的工藝形成；第一有源區(qū)和第二有源區(qū)也可以通過離子注入等工藝形成。
[0033]3204、在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)內(nèi)分別形成柵極48，柵極48與場氧區(qū)47之間具有間隙(請參照圖8 )，這個間隙是為預(yù)留給源極的位置。
[0034]3205、在第一有源區(qū)406內(nèi)、且在位于第一有源區(qū)406內(nèi)的柵極48的兩側(cè)分別形成第一源極93，在第二有源區(qū)405內(nèi)、且在第二有源區(qū)405內(nèi)的柵極48兩側(cè)分別形成第二源極94，其中第一源極93和第二源極94的底面位于埋層的上方，即形成如圖12所示的結(jié)構(gòu)。其中，第一源極和第二源極可以通過離子光刻、注入等方式形成；第一源極的摻雜類型與第一有源區(qū)相反，第二源極的摻雜類型與第二有源區(qū)相反。例如，當(dāng)?shù)谝挥性磪^(qū)為？型有源區(qū)時(shí)，第一源極可以為高濃度磷離子形成的~型，對應(yīng)地，第二有源區(qū)為~型有源區(qū)，第二源極則可以為高濃度硼離子形成的？型；這樣，才能在一個場氧區(qū)47兩側(cè)分別形成匪03和？103。
[0035]在上述3202?205工序中的加熱工序，可以使上述埋層中氧原子與半導(dǎo)體襯底反應(yīng)生成具有絕緣性能的氧化物；例如當(dāng)襯底為？型時(shí)，經(jīng)加熱后埋層則由氧原子轉(zhuǎn)換為二氧化硅，具有良好的絕緣性。
[0036]當(dāng)然，本發(fā)明并不限于次，本發(fā)明的技術(shù)方案涵蓋了還可以通過增加單獨(dú)的加熱工序使埋層中的氧轉(zhuǎn)換為具有氧化物。
[0037]本實(shí)施例提供的0103制造方法，可以通過埋層的設(shè)置最終在半導(dǎo)體襯底中形成一個絕緣層，有效防止場氧區(qū)下方出現(xiàn)漏電，該絕緣層的存在還可以避免阱區(qū)與襯底結(jié)產(chǎn)生寄生的111-11-1)結(jié)構(gòu)，從而避免出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)。
[0038]具體地，上述3203中所述的在所述半導(dǎo)體襯底的頂面上形成場氧區(qū)，具體可以采用如下流程:
[0039]在半導(dǎo)體襯底的頂面上依次形成墊氧層42和保護(hù)層43，保護(hù)層覆蓋在墊氧層42上(請參照圖4)；其中保護(hù)層可以為氮化硅層。
[0040]光刻、刻蝕保護(hù)層形成第一區(qū)塊411和第二區(qū)塊412，第一區(qū)塊411和第二區(qū)塊412之間形成場氧區(qū)溝槽430 (請參照圖5),其中，第一區(qū)塊411和第二區(qū)塊412之間間距可相等，以通過第一區(qū)塊411和第二區(qū)塊412的相對位置預(yù)定位出后續(xù)第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的位置。
[0041]在墊氧層下方進(jìn)行離子注入，以分別對應(yīng)第一區(qū)塊和第二區(qū)塊形成第一阱區(qū)和第二阱區(qū)；具體可根據(jù)需要形成的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的摻雜類型確定注入離子的種類和濃度，形成摻雜類型相反的第一阱區(qū)和第二阱區(qū)。
[0042]氧化上述場氧區(qū)溝槽，形成場氧區(qū)47 (請參照圖了)。氧化工藝可以通過通入氧氣和水的混合氣體、同時(shí)配合加熱實(shí)現(xiàn)，以使半導(dǎo)體襯底與氧氣反應(yīng)生成相應(yīng)的、具有絕緣性能的氧化物。最后，去除上述第一區(qū)塊和第二區(qū)塊，當(dāng)其采用氮化硅時(shí)，可以利用磷酸腐蝕去除。
[0043]由此，便可在半導(dǎo)體襯底的頂面上形成了嵌入到半導(dǎo)體襯底頂面內(nèi)的場氧區(qū)47，相鄰的場氧區(qū)47之間則為第一有源區(qū)406或第二有源區(qū)405 ；從整體上看，第一有源區(qū)406和第二有源區(qū)405交替設(shè)置，以使每個場氧區(qū)47兩側(cè)分別為第一有源區(qū)406或第二有源區(qū)405，以使場氧區(qū)47起到充分隔離作用。
[0044]進(jìn)一步地，上述3204中在所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)內(nèi)分別形成柵極優(yōu)選可以采用下述流程:
[0045]去除墊氧層42 (請參照圖了)。
[0046]在第一有源區(qū)、第二有源區(qū)及場氧區(qū)上生長出柵極氧化層482 (請參照圖8),柵極氧化層482可以為二氧化硅。
[0047]在上述柵極氧化層上沉淀形成多晶硅層；
[0048]光刻、刻蝕多晶硅層和柵極氧化層482，以形成柵極48，形成如圖8所示的結(jié)構(gòu)。光刻工序可以保證柵極與第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的相對位置，一次形成有利于進(jìn)一步簡化工藝。
[0049]實(shí)施例二
[0050]本實(shí)施例在將半導(dǎo)體襯底優(yōu)化為？型半導(dǎo)體襯底，將第一有源區(qū)具體為？103區(qū)、第二有源區(qū)具體為匪03區(qū)的基礎(chǔ)上對本發(fā)明技術(shù)方案的詳細(xì)說明。
[0051]3301、提供一個硅基？型半導(dǎo)體襯底。
[0052]3302、如圖3所示，向？型半導(dǎo)體襯底40內(nèi)注入氧原子，形成貫穿該？型半導(dǎo)體襯底的埋層41，并使埋層41距離半導(dǎo)體襯底的頂面第一距離，其中第一距離可以根據(jù)需要制造出的0103的場氧層的深度和源區(qū)深度來確定。
[0053]3303、在？型半導(dǎo)體襯底的頂面上氧化形成墊氧層42，并在墊氧側(cè)層42上沉淀出氮化硅最為保護(hù)側(cè)層43，保護(hù)層43覆蓋在墊氧層42上，即形成如圖4所示的結(jié)構(gòu)。
[0054]3304、光刻、刻蝕保護(hù)層43形成第一區(qū)塊411和第二區(qū)塊412，第一區(qū)塊和第二區(qū)塊之間形成場氧區(qū)溝槽430 (請參照圖5)；其中第一區(qū)塊411和第二區(qū)塊412用于確定后續(xù)形成的有源區(qū)和X 108有源區(qū)的位置。
[0055]3305、在整個墊氧層下方注入硼離子形成硼離子層405，其中，硼離子的能量可以為60千電子伏特、劑量可以為8213每平方厘米；形成的結(jié)構(gòu)如圖5所示；
[0056]3306、將？型半導(dǎo)體襯底頂面對應(yīng)第二區(qū)塊的部分表面上涂覆光刻膠(該部分表面包括半導(dǎo)體襯底頂面對應(yīng)第二區(qū)塊正下方的部分和其周圍區(qū)域)；在光刻膠的掩膜作用下，注入硼離子，以在？型半導(dǎo)體襯底頂面的對應(yīng)第一區(qū)塊的部分對應(yīng)的位置(第一區(qū)塊對應(yīng)的部分包括半導(dǎo)體襯底頂面對應(yīng)第一區(qū)塊正下方的部分和其周圍區(qū)域，且該第一區(qū)塊對應(yīng)的部分和第二區(qū)塊對應(yīng)的部分共同構(gòu)成半導(dǎo)體襯底的頂面)形成？型阱區(qū)406，則步驟305形成的、對應(yīng)第一區(qū)塊下方的硼離子層405的剩余部分則為~型阱區(qū)。其中本步驟注入的硼離子的能量可以為70千電子伏特、劑量可以為7212每平方厘米。形成的結(jié)構(gòu)如6所
0
[0057]3307、向上述場氧區(qū)溝槽內(nèi)通入氧氣和水的混合氣體并加熱，以氧化場氧區(qū)溝槽附近的硅與氧氣反應(yīng)、形成厚度大約為5400埃米左右的二氧化硅層，再推結(jié)深，即形成更厚的場氧區(qū)47 (如圖7所示兄需要說明的是，場氧區(qū)47分隔出的區(qū)域即為匪03有源區(qū)和？108有源區(qū)，當(dāng)然對于一個0103器件來說，具有多個場氧區(qū)47，當(dāng)然也就具有多個匪03有源區(qū)和？103有源區(qū)，而匪03有源區(qū)和？103有源區(qū)交替設(shè)置，使得每個場氧區(qū)47兩旁分別是匪03有源區(qū)和？103有源區(qū)。
[0058]3308、去除余下的碳化硅層(即第一區(qū)塊和第二區(qū)塊),形成如圖7所示的結(jié)構(gòu)。
[0059]3309、在墊氧層42 (請參照圖7)下注入硼離子以調(diào)節(jié)閾值；該步驟中硼離子的能量可以為60千電子伏特、劑量可以為2.3213沒平方厘米。
[0060]3310、在~型阱區(qū)406 (請參照圖7)上覆蓋光刻膠，并在其掩膜下向？型阱區(qū)內(nèi)進(jìn)一步注入硼離子。例如，可以分兩次注入，第一次注入的鵬離子的能量可以為70千電子伏特、劑量可以為3212每平方厘米；第二次注入的鵬離子的能量可以為180千電子伏特、劑量可以為7212每平方厘米；以防止最終形成的(:103中同一柵極兩側(cè)的源極和漏極之間出現(xiàn)短路。
[0061]3311、利用氫氟酸腐蝕去除墊氧層。
[0062]3312、在匪03有源區(qū)、？108有源區(qū)及場氧區(qū)上生長出柵極氧化層482 (請參照圖8)0
[0063]3313、在該柵極氧化層上沉淀形成多晶硅層。
[0064]3314、光刻、刻蝕上述柵極氧化層和多晶硅層，以形成凸出于？型半導(dǎo)體襯底頂面的、且分別對應(yīng)？型有源區(qū)4型有源區(qū)的柵極48，且各柵極與兩側(cè)的場氧區(qū)形成間隙；本步驟形成如圖8所示的結(jié)構(gòu)。
[0065]3315、對？103有源區(qū)和匪03有源區(qū)進(jìn)行輕摻雜離子注入，即注入磷離子，以在柵極的兩側(cè)下方形成位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第一輕摻雜區(qū)91，即形成如圖9所示的結(jié)構(gòu)。其中磷離子的能量可以為60千電子伏特、劑量可以為2213每平方厘米。
[0066]3316、形成覆蓋？型有源區(qū)的第一光刻膠層。
[0067]3317、以第一光刻膠層和柵極為掩膜，對~型有源區(qū)進(jìn)行輕摻雜離子注入，即注入硼離子，以將~型有源區(qū)內(nèi)的柵極兩側(cè)的第一輕摻雜區(qū)轉(zhuǎn)化為第二輕摻雜區(qū)92，即形成如圖10所示的結(jié)構(gòu)；具體地，硼離子的能量可以為55千電子伏特、劑量可以為3213每平方厘米。
[0068]3318、去除第一光刻膠層；
[0069]3319、在？型半導(dǎo)體襯底上、且在柵極48的兩側(cè)分析形成用于保護(hù)柵極的側(cè)墻480(請參照圖10。具體地，可以通過氧化柵極中的多晶硅在兩側(cè)形成二氧化硅作為側(cè)墻。
[0070]8320、形成覆蓋~型有源區(qū)的第二光刻膠側(cè)層。
[0071]3321、以第二光刻膠層和柵極為掩膜，對？型有源區(qū)進(jìn)行離子注入，以在第一輕摻雜區(qū)內(nèi)形成匪03源極93，形成如圖11所示的結(jié)構(gòu)；而由于側(cè)墻480的遮擋作用，正對應(yīng)側(cè)墻480下方的第一輕摻雜區(qū)依然存在，僅其余部分轉(zhuǎn)換為匪03源極93。
[0072]3322、去除上述第二光刻膠層；
[0073]3323、形成覆蓋？型有源區(qū)的第三光刻膠層；
[0074]3324、以第三光刻膠層和柵極為掩膜，對~型有源區(qū)進(jìn)行離子注入，以在第二輕摻雜區(qū)內(nèi)形成？103源極94，形成如圖12所示的結(jié)構(gòu)。類似地，由于側(cè)墻的遮擋作用，正對應(yīng)側(cè)墻下方的第二輕摻雜區(qū)依然存在，僅其余部分轉(zhuǎn)換為？103源極；正因?yàn)榫o鄰柵極的位置仍為離子濃度較小的第一輕摻雜區(qū)和第二輕摻雜區(qū)，可以有效地避免出現(xiàn)熱載流子效應(yīng)。
[0075]3325、去除上述第三光刻膠層。
[0076]至此，場氧區(qū)一側(cè)的~型源區(qū)，以及其內(nèi)的柵極和？103源極構(gòu)成X 108管；場氧區(qū)另一側(cè)的？型源區(qū)，以及其內(nèi)的柵極和X 103源極夠？ 103管。后續(xù)，經(jīng)中間介質(zhì)層沉淀、光刻、刻蝕形成帶有接觸孔的介質(zhì)層，再在介質(zhì)層上沉淀金屬層，熱處理后在沉淀形成鈍化層，最后光刻、刻蝕形成需要的鈍化層即可形成一個完整的0103。
[0077]本實(shí)施例提供的0103制造方法，可以通過埋層的設(shè)置最終在半導(dǎo)體襯底中形成一個絕緣層，有效防止場氧區(qū)下方出現(xiàn)漏電，該絕緣層的存在還可以避免阱區(qū)與襯底結(jié)產(chǎn)生寄生的結(jié)構(gòu)，從而避免出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)；并且，其源極與柵極之間形成的結(jié)構(gòu)還可避免出現(xiàn)熱載流子效應(yīng)，因而，提高了整個0103器件的性能。
[0078]實(shí)施例三
[0079]本實(shí)施例提供一種0103器件，請參照圖12，包括:
[0080]半導(dǎo)體襯底40，半導(dǎo)體襯底40的頂面上形成有場氧區(qū)47，以及分別位于場氧區(qū)47兩側(cè)的第一有源區(qū)406和第二有源區(qū)405，第一有源區(qū)406和第二有源區(qū)405的摻雜類型相反；第一源區(qū)406內(nèi)和第二源區(qū)405內(nèi)還分別形成有柵極48，第一源區(qū)406內(nèi)還形成有位于柵極48兩側(cè)的第一源極93，第二源區(qū)405內(nèi)還形成有位于柵極48兩側(cè)的第二源極94 ；且在半導(dǎo)體襯底40內(nèi)、且距離半導(dǎo)體襯底頂面第一距離處還形成有絕緣的埋層41，場氧區(qū)47的底面延伸至埋層41的底面，第一源極93和第二源極94均位于埋層41上方。
[0081]本實(shí)施例提供的(:103器件為按照圖2所述方法制造形成的，其功能和技術(shù)效果與前述實(shí)施例類似，此處不再贅述。
[0082]可選地，當(dāng)半導(dǎo)體襯底為？型時(shí)，埋層47可以為二氧化硅。
[0083]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種CMOS器件制造方法，其特征在于，包括: 提供半導(dǎo)體襯底； 向所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入氧原子，以形成貫穿所述半導(dǎo)體襯底的埋層，所述埋層距離所述半導(dǎo)體襯底的頂面第一距離； 在所述半導(dǎo)體襯底的頂面上形成場氧區(qū)，所述場氧區(qū)的兩側(cè)分別形成第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，其中所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)摻雜類型相反，且所述場氧區(qū)的底面延伸至所述埋層的底面； 在所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)內(nèi)分別形成柵極，所述柵極與所述場氧區(qū)之間具有間隙； 在所述第一有源區(qū)內(nèi)、且在位于所述第一有源區(qū)內(nèi)的柵極的兩側(cè)分別形成第一源極，在所述第二有源區(qū)內(nèi)、且在所述第二有源區(qū)內(nèi)的柵極兩側(cè)分別形成第二源極，其中所述第一源極和第二源極的底面位于所述埋層的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS器件制造方法，其特征在于，所述在所述半導(dǎo)體襯底的頂面上形成場氧區(qū)，包括: 在所述半導(dǎo)體襯底的頂面上依次形成墊氧層和保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋在所述墊氧層上； 光刻、刻蝕所述保護(hù)層形成第一區(qū)塊和第二區(qū)塊，所述第一區(qū)塊和第二區(qū)塊之間形成場氧區(qū)溝槽； 在所述墊氧層下方進(jìn)行離子注入，以分別對應(yīng)第一區(qū)塊和第二區(qū)塊形成第一阱區(qū)和第二阱區(qū)； 氧化所述場氧區(qū)溝槽，形成所述場氧區(qū)； 去除所述第一區(qū)塊和第二區(qū)塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMOS器件制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為P型半導(dǎo)體襯底，所述第一有源區(qū)為P型有源區(qū)，所述第二有源區(qū)為N型有源區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CMOS器件制造方法，其特征在于，所述去除所述第一區(qū)塊和第二區(qū)塊之后，還包括: 在所述墊氧層下注入硼離子以調(diào)節(jié)閾值； 在所述第二區(qū)上覆蓋光刻膠，以在所述第一有源區(qū)內(nèi)、所述墊氧下方注入硼離子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS器件制造方法，其特征在于，所述在所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)內(nèi)分別形成柵極，包括: 去除所述墊氧層； 在所述第一有源區(qū)、第二有源區(qū)及場氧區(qū)上生長出柵極氧化層； 在所述柵極氧化層上沉淀形成多晶硅層； 光刻、刻蝕所述多晶硅層和柵極氧化層，以形成所述柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4或5所述的CMOS器件制造方法，其特征在于，所述在所述第一有源區(qū)內(nèi)、且在位于所述第一有源區(qū)內(nèi)的柵極的兩側(cè)分別形成第一源極，在所述第二有源區(qū)內(nèi)、且在所述第二有源區(qū)內(nèi)的柵極兩側(cè)分別形成第二源極，包括: 對所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)進(jìn)行輕摻雜離子注入，以在所述柵極的兩側(cè)下方分別形成位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第一輕摻雜區(qū)； 形成覆蓋所述第一有源區(qū)的第一光刻膠層； 以所述第一光刻膠層和柵極為掩膜，對第二有源區(qū)進(jìn)行輕摻雜離子注入，以將第二有源區(qū)內(nèi)的柵極兩側(cè)的第一輕摻雜區(qū)轉(zhuǎn)化為第二輕摻雜區(qū)； 去除所述第一光刻膠層； 在所述半導(dǎo)體襯底上、且在所述柵極的兩側(cè)分析形成用于保護(hù)所述柵極的側(cè)墻； 形成覆蓋所述第二有源區(qū)的第二光刻膠側(cè)層； 以所述第二光刻膠層和柵極為掩膜，對第一有源區(qū)進(jìn)行離子注入，以在所述第一輕摻雜區(qū)內(nèi)形成所述第一源極； 去除所述第二光刻膠層； 形成覆蓋所述第一有源區(qū)的第三光刻膠層； 以所述第三光刻膠層和柵極為掩膜，對第二有源區(qū)進(jìn)行離子注入，以在所述第二輕摻雜區(qū)內(nèi)形成所述第二源極； 去除所述第三光刻膠層。
7.一種CMOS器件，包括: 半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的頂面上形成有場氧區(qū)，以及分別位于所述場氧區(qū)兩側(cè)的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的摻雜類型相反；所述第一源區(qū)內(nèi)和第二源區(qū)內(nèi)還分別形成有柵極，所述第一源區(qū)內(nèi)還形成有位于柵極兩側(cè)的第一源極，所述第二源區(qū)內(nèi)還形成有位于柵極兩側(cè)的第二源極，其特征在于， 所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)、且距離所述半導(dǎo)體襯底頂面第一距離處還形成有絕緣的埋層，所述場氧區(qū)的底面延伸至所述埋層的底面，所述第一源極和第二源極均位于所述埋層上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CMOS器件，其特征在于， 所述埋層為二氧化硅。
【文檔編號】H01L27/092GK104347509SQ201310331727
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月1日
【發(fā)明者】崔金洪 申請人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司