技術特征：
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：襯底；位于所述襯底的晶體管，包括：柵極、源極和漏極；位于所述襯底和晶體管上的第一層間介質(zhì)層；位于所述第一層間介質(zhì)層內(nèi)的第一導電插塞和第二導電插塞；位于所述第一層間介質(zhì)層上的第一互連線和第二互連線，所述第一互連線與第一導電插塞電連接，所述第二互連線與第二導電插塞電連接，所述第一互連線與第二互連線位于同一層；位于所述第一層間介質(zhì)層、第一互連線和第二互連線上的第二層間介質(zhì)層；位于所述第一層間介質(zhì)層和第二層間介質(zhì)層內(nèi)的第三導電插塞；位于所述第二層間介質(zhì)層上的第三互連線，所述第三互連線與第三導電插塞電連接；所述第一導電插塞、第二導電插塞和第三導電插塞中，一個與所述源極電連接、一個與所述漏極電連接、另一個與所述柵極電連接。2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件為射頻開關。3.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：位于所述第二層間介質(zhì)層內(nèi)的第四導電插塞和第五導電插塞，所述第四導電插塞與第一互連線電連接，所述第五導電插塞與第二互連線電連接；位于所述第二層間介質(zhì)層上的第四互連線和第五互連線，所述第四互連線與第四導電插塞電連接，所述第五互連線與第五導電插塞電連接。4.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底；形成位于所述襯底的晶體管，所述晶體管包括：柵極、源極和漏極；在所述襯底和晶體管上形成第一層間介質(zhì)層；在所述第一層間介質(zhì)層內(nèi)形成第一導電插塞和第二導電插塞；在所述第一層間介質(zhì)層上形成第一互連線和第二互連線，所述第一互連線與第一導電插塞電連接，所述第二互連線與第二導電插塞電連接，所述第一互連線與第二互連線位于同一層；在所述第一互連線、第二互連線和第一層間介質(zhì)層上形成第二層間介質(zhì)層；在所述第一層間介質(zhì)層及第二層間介質(zhì)層內(nèi)形成第三導電插塞；在所述第二層間介質(zhì)層上形成第三互連線，所述第三互連線與第三導電插塞電連接；所述第一導電插塞、第二導電插塞和第三導電插塞中，一個與所述源極電連接、一個與所述漏極電連接、另一個與所述柵極電連接。5.如權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成所述第三互連線之前，還包括：在所述第二層間介質(zhì)層內(nèi)形成第四導電插塞和第五導電插塞，所述第四導電插塞與第一互連線電連接，所述第五導電插塞與第二互連線電連接；在形成所述第三互連線的同時，還在所述第二層間介質(zhì)層上形成第四互連線和第五互連線，所述第四互連線與第四導電插塞電連接，所述第五互連線與第五導電插塞電連接。6.如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第三導電插塞、第四導電插塞和第五導電插塞的形成方法包括：對所述第二層間介質(zhì)層進行第一刻蝕，以形成露出所述第一互連線的第一孔，及露出所述第二互連線的第二孔；對所述第二層間介質(zhì)層及第一層間介質(zhì)層進行第二刻蝕，以形成第三孔；向所述第一孔、第二孔及第三孔內(nèi)填充金屬，填充有金屬的第一孔為第四導電插塞，填充有金屬的第二孔為第五導電插塞，填充有金屬的第三孔為第三導電插塞。7.如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，形成第二層間介質(zhì)層之前，在所述第一互連線和第二互連線上形成刻蝕阻擋層；所述第三導電插塞、第四導電插塞和第五導電插塞的形成方法包括：在所述第二層間介質(zhì)層上形成圖形化光刻膠層；以所述圖形化光刻膠層為掩模進行刻蝕，以在第二層間介質(zhì)層內(nèi)形成露出所述第一互連線的第一孔及露出所述第二互連線的第二孔，同時在第二層間介質(zhì)層及第一層間介質(zhì)層內(nèi)形成第三孔；去除所述圖形化光刻膠層之后，向所述第一孔、第二孔及第三孔內(nèi)填充金屬，填充有金屬的第一孔為第四導電插塞，填充有金屬的第二孔為第五導電插塞，填充有金屬的第三孔為第三導電插塞。8.如權(quán)利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為TiN。9.如權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一層間介質(zhì)層的厚度為0.5至1微米，所述第二層間介質(zhì)層的厚度為0.5至1.5微米。