技術(shù)編號：12040127
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件及其形成方法。背景技術(shù)結(jié)合圖1和圖2所示，現(xiàn)有射頻（RF）電路包括：襯底1；位于襯底1的晶體管，包括：柵極2、源極3和漏極4；位于襯底1和晶體管上的第一層間介質(zhì)層5；位于第一層間介質(zhì)層5內(nèi)的第一導(dǎo)電插塞7A、第二導(dǎo)電插塞7B和第三導(dǎo)電插塞7C，第一導(dǎo)電插塞7A與柵極2電連接，第二導(dǎo)電插塞7B與源極3電連接，第三導(dǎo)電插塞7C與漏極4電連接；位于第一層間介質(zhì)層5上的第一互連線6A、第二互連線6B和第三互連線6C，三者位于同一層，第一互連線6A與第一導(dǎo)...
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