具有帶阻濾波器的封裝基板和包括帶阻濾波器的半導體封裝相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2012年12月24日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的申請?zhí)枮?0-2012-0151670的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的示例性實施例總體而言涉及一種封裝基板和半導體封裝，更具體而言，涉及一種具有帶阻濾波器的封裝基板和包括帶阻濾波器的半導體封裝。

背景技術(shù)：
一般地，半導體封裝包括封裝基板、和安裝在封裝基板上的半導體芯片。半導體芯片通過連接方法（諸如引線鍵合或倒裝芯片鍵合等）來與封裝基板電連接，由此接收電源、或者傳送和接收電信號。近來，由于半導體封裝的小型化、減薄、以及高處理速度已經(jīng)被推進，所以在半導體封裝中產(chǎn)生的電磁干擾（EMI）正成為一個重要的問題。電磁干擾意指在一個電路或元件等中產(chǎn)生電磁波噪聲傳送到另一個電路或元件等從而引起信號故障。用于去除這種半導體封裝中的EMI的現(xiàn)有技術(shù)包括：如在U.S.2011/0304015中公開的一種施加能包圍半導體芯片的屏蔽的方法；以及如在U.S.7,582,951中公開的一種經(jīng)由使用蓋和引線框架形成密封晶粒的屏蔽結(jié)構(gòu)的方法。另外，如在韓國專利公開號為2011-0039448所公開的，一種提供導電層并且通過使用引線鍵合式彈簧而將導電層與接地表面耦接的方法。這些技術(shù)分別需要用于屏蔽電磁波的結(jié)構(gòu)和用于將屏蔽結(jié)構(gòu)與半導體封裝連接的耦接單元。因而，用于制造半導體封裝的工藝復雜，并且用于制造半導體封裝的費用增加。因此，正在進行研究以研發(fā)能以較低成本來增加屏蔽效率的技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
在本發(fā)明的一個實施例中，提供了一種封裝基板。所述封裝基板包括被設(shè)置在其一個表面上的帶阻濾波器。在這種情況下，帶阻濾波器包括：傳輸線圖案；和導電短截線圖案，所述導電短截線圖案以與傳輸線圖案分開的狀態(tài)沿著傳輸線圖案布置。在本發(fā)明的一個實施例中，提供了一種半導體封裝。所述半導體封裝包括帶阻濾波器，所述帶阻濾波器包括：被布置在封裝基板上的傳輸線圖案；和以與傳輸線圖案分開的狀態(tài)沿著傳輸線圖案布置的多個導電短截線圖案。在本發(fā)明的一個實施例中，提供了一種半導體封裝。所述半導體封裝包括帶阻濾波器，所述帶阻濾波器沿著封裝基板上的外邊界線設(shè)置、并且執(zhí)行電磁屏蔽功能。所述帶阻濾波器包括用作電感器的傳輸線圖案和與傳輸線圖案協(xié)作用作電容器的多個導電短截線圖案。附圖說明從如下結(jié)合附圖的詳細描述中將更加清楚地理解以上和其它的方面、特征和其它的優(yōu)點，其中：圖1a是示意性地說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體封裝的平面圖；圖1b是圖1a中由附圖標記“A”所表示的區(qū)域的放大平面圖；圖1c是沿著圖1b的B-B0線截取的截面圖；圖1d是示意性地說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的半導體封裝的平面圖；圖2a是示意性地說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的帶阻濾波器的一個實例的立體圖；圖2b是示意性地說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的帶阻濾波器的所述實例的一部分的平面圖；圖3說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的帶阻濾波器的電磁波傳輸特性和反射特性的仿真結(jié)果；以及圖4說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的帶阻濾波器的能量傳輸特性的仿真結(jié)果。具體實施方式在下文中，將參照附圖詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例。附圖并非必須按比例繪制，并且在某些情況下，為了清楚地示出實施例的特征可能對比例做夸大處理。附圖的描述將基于觀察者的視點。在本說明書中，當一個部件位于另一個部件上時，其意味著一個部件可以直接位于另一個部件上，或者可以在它們之間插入另一個元件。在附圖中，相同的附圖標記大體表示相同的部件。此外，應(yīng)當理解的是，只要單數(shù)形式和復數(shù)形式不是清晰地彼此不同，單數(shù)形式可以包括復數(shù)形式。另外，應(yīng)當理解的是，術(shù)語“包括”和“具有”僅意味著存在特征、數(shù)目、步驟、操作、部分或者它們的組合，但是不排除一個或更多個特征、數(shù)目、步驟、操作、部分或者它們的組合的存在或添加。參見圖1a至圖1c，半導體封裝100可以包括半導體芯片和半導體芯片可以被安裝其上的封裝基板120。封裝基板120可以包括集成電路130。集成電路130可以包括多個信號線，例如，電源線、接地線以及地址信號線。集成電路130可以包括例如有源元件或無源元件。集成電路130的部分可以通過諸如引線鍵合或倒裝芯片鍵合的耦接結(jié)構(gòu)與半導體芯片電連接。這種封裝基板120可以被稱作為印刷電路板。半導體封裝100可以包括帶阻濾波器140。帶阻濾波器140可以包括屏蔽從半導體封裝100中產(chǎn)生的電磁波的功能。帶阻濾波器140可以形成在封裝基板120上。帶阻濾波器140可以包括傳輸線圖案141和設(shè)置在封裝基板120的一個表面上的導電短截線圖案142。在一個實施例中，帶阻濾波器140可以在封裝基板120上實施。在這種情況下，帶阻濾波器140可以是基板120的一部分。導電短截線圖案142可以以與傳輸線圖案141分開的狀態(tài)沿著傳輸線圖案141布置。傳輸線圖案141可以是帶阻濾波器140的電感元件，并且導電短截線圖案142可以與傳輸線圖案141協(xié)作為帶阻濾波器140的電容元件。根據(jù)一個實施例，傳輸線圖案141和導電短截線圖案142可以被設(shè)置在封裝基板120的同一平面上。傳輸線圖案141可以具有預(yù)定的線寬Lw1和線高Lh1。傳輸線圖案141的線寬Lw1和線高Lh1可以基于要被屏蔽的電磁波的頻帶來確定。導電短截線圖案142可以包括彼此物理隔離并電隔離的多個子圖案單元142a。根據(jù)一個實施例，子圖案單元142a中的每個可以具有預(yù)定的線寬Lw2、線長Ll、以及線高Lh2。子圖案單元142a可以以預(yù)定的間隔S1而彼此隔開。子圖案單元142a的線寬Lw2、線長Ll、線高Lh2以及間隔S1可以基于要被屏蔽的電磁波的頻帶來確定。參見圖1a至1c，傳輸線圖案141可以被設(shè)置在封裝基板120的邊緣區(qū)中，并且導電短截線圖案142可以被設(shè)置在與傳輸線圖案141相鄰的區(qū)域中。導電短截線圖案142可以與傳輸線圖案141一起沿著傳輸線圖案141的布置方向布置。傳輸線圖案141和導電短截線圖案142可以被布置成保持預(yù)定的間隔S2。傳輸線圖案141與導電短截線圖案142之間的間隔S2可以基于要被屏蔽的電磁波的頻帶來確定。根據(jù)一個實施例，傳輸線圖案141可以沿著封裝基板120的外邊界線120a采用閉合多邊形的形式來設(shè)置。導電短截線圖案142可以被設(shè)置在閉合多邊形的內(nèi)部。外邊界線120a可以意指封裝襯底120中設(shè)置有集成電路130的區(qū)域的最外圍部分的邊界線，如圖1a中所示。即，外邊界線120可以是集成電路130的外邊緣區(qū)域。例如，外邊界線120a可以具有矩形的形式。另外，參見圖1d，傳輸線圖案141可以沿著封裝基板120的外邊界線120a采用閉合多邊形的形式來設(shè)置，并且導電短截線圖案142可以被設(shè)置在閉合多邊形的外部。傳輸線圖案141可以電接地。接地線143可以被設(shè)置在封裝基板120上以便將傳輸線圖案141與封裝基板120的接地端子（未示出）電連接。另外，接地線143可以被設(shè)置在封裝基板120中，并且接地線143和傳輸線圖案141可以經(jīng)由包括通孔接觸等的內(nèi)部互連層與封裝基板120的接地端子耦接。在這種情況下，傳輸線圖案141可以與接地線143或接地端子電連接，導電短截線圖案142可以被電浮置。傳輸線圖案141和導電短截線圖案142可以通過電鍍法、印制法或沉積法等來形成。制造傳輸線圖案141和導電短截線圖案142的工藝可以在已經(jīng)完成傳統(tǒng)的封裝制造工藝之后而作為單獨的后續(xù)工藝執(zhí)行，或者可以在執(zhí)行傳統(tǒng)的封裝制造工藝的制造工藝（例如，電鍍法）的同時一起執(zhí)行。盡管描述不必須限制于具體的理論，但是從緊密聚集在半導體封裝100中的集成電路或電子元件中產(chǎn)生的電磁波可以包括：電場分量，沿著與封裝基板120的表面平行的表面?zhèn)鞑ィ缓痛艌龇至?，沿著與電場分量的方向垂直的方向傳播。在這種情況下，電磁波中的電場分量和磁場分量處于不可分割的關(guān)系。因此，當電場分量被有效去除時，磁場分量也會隨電場分量一起被去除。本發(fā)明的一個實施例可以被配置成利用設(shè)置在封裝基板120上的帶阻濾波器140來有效地去除電場分量，由此有效地屏蔽在半導體封裝100中產(chǎn)生的電磁波。帶阻濾波器140可以是被形成為包括電感元件和電容元件的電路元件。傳輸線圖案141可以用作電感元件，而導電短截線圖案142可以與傳輸線圖案141協(xié)作用作電容元件。用于去除電磁波的帶阻濾波器140的屏蔽頻帶可以通過具有電感功能的傳輸線圖案141的電感、導電短截線圖案142中的子圖案單元142之間的電容、和/或傳輸線圖案141與導電短截線圖案142之間的電容來確定。帶阻濾波器140的屏蔽頻帶可以通過前述元件（單獨或組合）來確定。具體地，傳輸線圖案141的電感可以例如基于傳輸線圖案141的長度、線寬Lw1、和線高Lh1等來確定。導電短截線圖案142的子圖案單元142之間的電容可以例如基于子圖案單元142a的線寬Lw2、線長Ll、線高Lh2以及間隔S1來確定，或者基于位于子圖案單元142a之間的電介質(zhì)的介電常數(shù)來確定。傳輸線圖案141與導電短截線圖案142之間的電容可以例如基于傳輸線圖案141與導電短截線圖案142之間的間隔S2、導電短截線圖案142的長度L1、或者位于傳輸線圖案141與導電短截線圖案142之間的電介質(zhì)的介電常數(shù)來確定。根據(jù)一個實施例，帶阻濾波器140的屏蔽頻帶可以用前述的電感和電容確定為如下等式1：（其中，f：屏蔽頻率，α：比例常數(shù)，L：帶阻濾波器的電感元件的電感，以及C：帶阻濾波器中的電容元件的電容）。帶阻濾波器140的屏蔽頻帶可以包括以計算的屏蔽頻率f為中心的預(yù)定的屏蔽頻帶寬度。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，電磁波屏蔽功能可以通過在封裝基板上設(shè)置傳輸線圖案和導電短截線圖案、而同時其上沒有安裝獨立的電感元件或者獨立的電容元件來實現(xiàn)。因此，可以簡化元件和結(jié)構(gòu)。例如，可以更加有效地去除產(chǎn)生于半導體封裝中、被引導到封裝基板的外部、并且然后輻射到外面的電磁波成分。另外，由于不安裝獨立的電感元件和獨立的電容元件，所以在功耗方面存在優(yōu)勢。在下文中，將公開詳細的實施例以更加清楚地描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的配置。然而，本發(fā)明的構(gòu)思并非必須受限于以下實施例。實例對本發(fā)明的一個實施例的帶阻濾波器的電磁波屏蔽能力執(zhí)行仿真。如圖2a和2b中所示，帶阻濾波器140的傳輸線圖案141被構(gòu)建成具有15mm的總長度、40μm的線寬Lw1、以及20μm的線高；并且導電短截線圖案的每個子圖案單元142a被構(gòu)建成具有250μm的線長、40μm的線寬Lw2、以及20μm的線高。子圖案單元142a之間的間隔S1被構(gòu)建成150μm；以及傳輸線圖案141與子圖案單元142a之間的間隔S2被建立成60μm。傳輸線圖案141與子圖案單元142a之間的電介質(zhì)的介電常數(shù)、和子圖案單元142a之間的電介質(zhì)的介電常數(shù)都被構(gòu)建成四。利用商用高頻結(jié)構(gòu)仿真器來實施仿真。當將0Hz至1GHz的電磁波信號施加到圖2A中所示的帶阻濾波器的輸入端口210時，利用從帶阻濾波器的輸出端口220輸出的電磁波信號來執(zhí)行仿真。另外，利用商用電路仿真器，對從輸出端口220輸出的能量與經(jīng)由輸入端口210輸入的能量進行比較來執(zhí)行仿真。分析參見圖3，示出了傳輸特性曲線301和反射特性曲線302。傳輸特性曲線301示出了經(jīng)由輸入端口210射入、穿通帶阻濾波器、以及然后經(jīng)由輸出端口220輸出的電磁波信號相對于頻域的相對強度。反射特性曲線302示出了經(jīng)由輸入端口210射入、在帶阻濾波器140中被反射、以及然后返回到輸入端口210的電磁波信號相對于頻域的相對強度。參見圖3，觀察出電磁波信號屏蔽現(xiàn)象在以大約4GHz為中心的3.5GHz至4.5GHz的頻帶中。也就是說，在3.5GHz至4.5GHz的頻帶中，傳輸特性曲線301中的相對強度顯示出減小的趨勢，同時反射特性曲線302中的相對強度顯示出增大的趨勢。能量傳輸特性通過對經(jīng)由輸出端口220輸出的能量與經(jīng)由輸入端口210入射的能量之比的仿真來獲得。參見圖4，示出了大約4GHz頻帶的經(jīng)由輸入端口210入射的電磁波能量410，45%的能量420經(jīng)由輸出端口220輸出。也就是說，可以理解的是，帶阻濾波器屏蔽了大約4GHz頻帶的大約55%的入射電磁波能量。大約4GHz頻帶（其中，在上述的圖3和圖4的曲線圖中觀察到了電磁波屏蔽特性）的頻率可以從結(jié)合圖2a和圖2b前述的帶阻濾波器的配置和等式1中導出。根據(jù)一個實施例，帶阻濾波器包括設(shè)置在封裝基板上的傳輸線圖案、和與傳輸線圖案相對應(yīng)的導電短截線圖案。由于帶阻濾波器可以通過形成在封裝基板上的圖案來實施，所以可以省略安裝在封裝基板上的獨立的電感元件和電容元件，以屏蔽電磁波。以上已經(jīng)出于說明性目的公開了本發(fā)明的實施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的是，在不脫離所附權(quán)利要求所公開的本發(fā)明的范圍與精神的情況下，可以進行各種修改、增加以及替換。通過以上實施例可以看出，本申請?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。技術(shù)方案1.一種封裝基板，包括：帶阻濾波器，所述帶阻濾波器被配置成設(shè)置在所述封裝基板上，其中，所述帶阻濾波器包括：傳輸線圖案；以及導電短截線圖案，所述導電短截線圖案被配置成沿著所述傳輸線圖案布置，其中，所述導電短截線圖案與所述傳輸線圖案分開。技術(shù)方案2.如技術(shù)方案1所述的封裝基板，其中，所述導電短截線圖案包括多個子圖案單元，所述多個子圖案單元被配置成彼此物理隔離并電隔離，其中，所述多個子圖案單元中的每個被配置成具有均勻的線寬和線長。技術(shù)方案3.如技術(shù)方案2所述的封裝基板，其中，所述多個子圖案單元被配置成以均勻的間隔彼此隔開。技術(shù)方案4.如技術(shù)方案1所述的封裝基板，其中，所述傳輸線圖案和所述導電短截線圖案被布置成其間保持均勻的間隔。技術(shù)方案5.如技術(shù)方案1所述的封裝基板，其中，所述傳輸線圖案被配置成電接地，并且所述導電短截線圖案被配置成電浮置。技術(shù)方案6.如技術(shù)方案1所述的封裝基板，其中，所述傳輸線圖案被配置成用作帶阻濾波器的電感元件，并且所述導電短截線圖案被配置成與所述傳輸線圖案一起用作所述帶阻濾波器的電容元件。技術(shù)方案7.一種半導體封裝，包括帶阻濾波器，所述帶阻濾波器包括：傳輸線圖案，所述傳輸線圖案被配置成布置在封裝基板上；以及導電短截線圖案，所述導電短截線圖案被配置成沿著所述傳輸線圖案布置，其中，所述導電短截線圖案與所述傳輸線圖案分開。技術(shù)方案8.如技術(shù)方案7所述的半導體封裝，其中，所述傳輸線圖案和所述導電短截線圖案被設(shè)置在所述封裝基板的同一平面上。技術(shù)方案9.如技術(shù)方案7所述的半導體封裝，其中，所述導電短截線圖案包括多個子圖案單元，所述多個子圖案單元被配置成彼此物理隔離并電隔離，其中，所述多個子圖案單元中的每個配置成具有均勻的線寬和線長。技術(shù)方案10.如技術(shù)方案9所述的半導體封裝，其中，所述多個子圖案單元被布置成以均勻的間隔彼此隔開。技術(shù)方案11.如技術(shù)方案7所述的半導體封裝，其中，所述傳輸線圖案和所述導電短截線圖案被布置成其間保持均勻的間隔。技術(shù)方案12.如技術(shù)方案7所述的半導體封裝，其中，所述傳輸線圖案沿著所述封裝基板的外邊界線采用閉合多邊形的形式來設(shè)置，并且所述導電短截線圖案被設(shè)置在所述閉合多邊形的內(nèi)部。技術(shù)方案13.如技術(shù)方案7所述的半導體封裝，其中，所述傳輸線圖案沿著所述封裝基板的外邊界線采用閉合多邊形的形式來設(shè)置，并且所述導電短截線圖案被設(shè)置在所述閉合多邊形的外部。技術(shù)方案14.如技術(shù)方案7所述的半導體封裝，其中，所述傳輸線圖案被配置成電接地，并且所述導電短截線圖案被配置成電浮置。技術(shù)方案15.如技術(shù)方案14所述的半導體封裝，其中，所述傳輸線圖案被配置成與所述封裝基板的接地線電連接。技術(shù)方案16.如技術(shù)方案7所述的半導體封裝，其中，所述傳輸線圖案被配置成用作所述帶阻濾波器的電感元件，并且所述導電短截線圖案被配置成與所述傳輸線圖案一起用作所述帶阻濾波器的電容元件。技術(shù)方案17.如技術(shù)方案16所述的半導體封裝，其中，所述帶阻濾波器的屏蔽頻帶通過以下至少之一來確定：所述傳輸線圖案的電感；所述導電短截線圖案的電容；以及所述傳輸線圖案與所述導電短截線圖案之間的電容。技術(shù)方案18.一種半導體封裝，包括帶阻濾波器，所述帶阻濾波器被配置成沿著封裝基板上的外邊界線布置、并且執(zhí)行電磁屏蔽功能，其中，所述帶阻濾波器包括：被配置成用作電感元件的傳輸線圖案，和與所述傳輸線圖案一起用作電容元件的導電短截線圖案。技術(shù)方案19.如技術(shù)方案18所述的半導體封裝，其中，所述傳輸線圖案被配置成電接地，并且所述導電短截線圖案被配置成電浮置。技術(shù)方案20.如技術(shù)方案18所述的半導體封裝，其中，所述帶阻濾波器的屏蔽頻帶通過以下至少之一來確定：所述傳輸線圖案的電感；所述導電短截線圖案的電容；以及所述傳輸線圖案與所述導電短截線圖案之間的電容。