有機(jī)層沉積設(shè)備、有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)層沉積設(shè)備、一種利用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法和一種利用該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，具體地講，本發(fā)明提供了一種適用于在大基底的批量生產(chǎn)中使用的以及能夠高清晰度地圖案化的有機(jī)層沉積設(shè)備、利用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法以及利用所述方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括：輸送單元，包括傳送單元、第一輸送單元和第二輸送單元；以及沉積單元，包括在真空狀態(tài)下的室以及用于沉積有機(jī)層的至少一個有機(jī)層沉積組件，傳送單元包括：運(yùn)送器，包括無接觸式電源模塊；和靜電卡盤，固定地結(jié)合到運(yùn)送器，傳送單元被構(gòu)造為在第一輸送單元和第二輸送單元之間循環(huán)。
【專利說明】有機(jī)層沉積設(shè)備、有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]本申請要求于2012年7月10日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2012-0075142號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的公開通過引用被完全包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]下面的描述涉及一種有機(jī)層沉積設(shè)備、一種使用該設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法以及一種使用該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，更具體地講，涉及一種適于在大規(guī)模生產(chǎn)大基底中使用并實(shí)現(xiàn)高清晰度圖案化的有機(jī)層沉積設(shè)備、一種通過使用該設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法以及一種使用該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]與其它顯示裝置相比，有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有更寬的視角、更好的對比度特性和更快的響應(yīng)速度，因此已經(jīng)作為下一代顯示裝置而受到關(guān)注。
[0004]有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括設(shè)置在彼此相對布置的第一電極和第二電極之間的中間層(包括發(fā)射層)?？梢岳酶鞣N方法來形成所述電極和中間層，這些方法之一是獨(dú)立沉積方法。當(dāng)通過利用沉積方法制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置時，將具有與將要形成的有機(jī)層的圖案相同的圖案的精細(xì)金屬掩模(FMM)設(shè)置為與其上形成有機(jī)層等的基底緊密接觸，將有機(jī)層材料沉積在FMM上，以形成具有期望圖案的有機(jī)層。
[0005]然而，利用這種FMM的沉積方法在利用大的母玻璃制造較大的有機(jī)發(fā)光顯示裝置時存在困難。例如，當(dāng)使用這種大的掩模時，掩模會由于引力而彎曲，從而使其圖案扭曲。這種缺點(diǎn)不利于朝著高清晰度圖案發(fā)展的近期趨勢。
[0006]另外，將基底與FMM對準(zhǔn)以彼此緊密接觸的工藝、在基底上執(zhí)行沉積的工藝以及將FMM與基底分開的工藝耗費(fèi)時間，導(dǎo)致制造時間長并且生產(chǎn)效率低。
[0007]在本【背景技術(shù)】部分中公開的信息對于本發(fā)明的發(fā)明人來說在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之前是已知的，或者所述信息是在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中獲取的技術(shù)信息。因此，它可能包含對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說在本國不構(gòu)成已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的實(shí)施例的各方面提供了一種適于在大基底的大規(guī)模生產(chǎn)中使用并實(shí)現(xiàn)高清晰度圖案化的有機(jī)層沉積設(shè)備、一種通過使用該設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法以及一種使用該發(fā)方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種有機(jī)層沉積設(shè)備，所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括:輸送單元，包括用于固定基底并且被構(gòu)造為與所述基底一起移動的傳送單元、用于將其上固定有基底的傳送單元沿第一方向移動的第一輸送單元和用于在已經(jīng)完成沉積之后將基底從其分開的傳送單元沿與第一方向相反的方向移動的第二輸送單元；和沉積單元，包括保持在真空狀態(tài)下的室以及用于在固定在傳送單元上的基底上沉積有機(jī)層的至少一個有機(jī)層沉積組件。傳送單元包括:運(yùn)送器，包括無接觸式電源(CPS)模塊；和靜電卡盤，固定地結(jié)合到運(yùn)送器以固定基底。傳送單元被構(gòu)造為在第一輸送單元和第二輸送單元之間循環(huán)，固定在傳送單兀上的基底被構(gòu)造為在被第一輸送單兀傳送的同時與有機(jī)層沉積組件分隔開設(shè)定距離。
[0010]充電軌道可形成在與第二輸送單元中的CPS模塊對應(yīng)的位置上，從而當(dāng)運(yùn)送器在第二輸送單元中被輸送并且以無接觸方式對CPS模塊供應(yīng)電力時，在充電軌道和CPS模塊之間形成磁場。
[0011]第一輸送單元可包括相互平行形成的一對引導(dǎo)軌道和結(jié)合到所述一對引導(dǎo)軌道的引導(dǎo)塊。
[0012]充電軌道可形成在引導(dǎo)軌道中位于與CPS模塊對應(yīng)的部分處，從而當(dāng)運(yùn)送器在第一輸送單元中被輸送并且以無接觸方式對CPS模塊供應(yīng)電力時，在充電軌道和CPS模塊之間形成磁場。
[0013]用于吸附基底的鐵卡盤還可形成在靜電卡盤的一側(cè)，并且基底可接觸鐵卡盤。
[0014]第一輸送單元和第二輸送單元可被構(gòu)造為穿過沉積單元。
[0015]第一輸送單元和第二輸送單元可彼此平行地分別布置在上方和下方。
[0016]所述有機(jī)層沉積設(shè)備還可包括:裝載單元，用于將基底固定在傳送單元上；和卸載單元，用于將在穿過沉積單元的同時已經(jīng)對其完成了沉積的基底與傳送單元分開。
[0017]第一輸送單元可被構(gòu)造為將傳送單元順序輸送到裝載單元、沉積單元和卸載單元中。
[0018]第二輸送單元可被構(gòu)造為將傳送單元順序輸送到卸載單元、沉積單元和裝載單元中。
[0019]有機(jī)層沉積組件可包括:沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，位于沉積源的側(cè)面并且包括多個沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，面對沉積源噴嘴單元并且包括沿著一個方向布置的多個圖案化縫隙，其中，沉積源可被構(gòu)造為排放沉積材料穿過圖案化縫隙片，以按特定圖案沉積在基底上。
[0020]在第一方向和與第一方向垂直的第二方向中的至少任何一個方向上，有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片可形成為比基底小。
[0021]磁軌可位于運(yùn)送器的表面上，第一輸送單元和第二輸送單元中的每個可包括多個線圈，其中，磁軌和多個線圈可結(jié)合在一起來構(gòu)成用于產(chǎn)生使傳送單元移動的驅(qū)動力的操作單元。
[0022]第一輸送單元可包括:引導(dǎo)構(gòu)件，每個引導(dǎo)構(gòu)件包括容納槽，其中，各容納槽可被構(gòu)造為容納傳送單元的兩側(cè)，以引導(dǎo)傳送單元沿著第一方向移動；磁懸浮軸承，被構(gòu)造為使傳送單元從容納槽懸浮，從而使傳送單元以不與容納槽接觸的方式移動。
[0023]磁懸浮軸承可包括布置在運(yùn)送器的兩個側(cè)表面上的側(cè)磁懸浮軸承和布置在運(yùn)送器上方的上磁懸浮軸承。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種通過利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)層沉積設(shè)備用于在基底上形成有機(jī)層，所述方法包括:通過使用安裝成穿過室的第一輸送單元將固定有基底的傳送單元輸送到室中，其中，傳送單元包括運(yùn)送器，所述運(yùn)動器包括無接觸式電源(CPS )模塊和固定地結(jié)合到運(yùn)送器以固定基底的靜電卡盤；在所述室中的有機(jī)層沉積組件與基底分隔開設(shè)定距離的情況下，在基底相對于有機(jī)層沉積組件移動的同時，通過在基底上沉積從有機(jī)層沉積組件排放的沉積材料形成有機(jī)層；以及通過使用被安裝成穿過室的第二輸送單元將與基底分離的傳送單元輸送到裝載單元，其中，在通過第一輸送單元輸送傳送單元、形成有機(jī)層和/或通過第二輸送單元輸送傳送單元的情況下，在傳送單元被輸送的同時靜電卡盤通過CPS模塊充電。
[0025]在通過CPS模塊對靜電卡盤進(jìn)行充電的情況下，充電軌道可形成在第二輸送單元中與CPS模塊對應(yīng)的位置處，從而當(dāng)運(yùn)送器在第二輸送單元中被輸送時，在充電軌道和CPS模塊之間形成磁場，從而以無接觸方式對CPS模塊提供電力。
[0026]第一輸送單元可包括相互平行形成的一對引導(dǎo)軌道和結(jié)合到所述一對引導(dǎo)軌道的引導(dǎo)塊。
[0027]充電軌道可形成在第二輸送單元中與CPS模塊對應(yīng)的位置處，從而當(dāng)運(yùn)送器在第一輸送單兀中被輸送時，在充電軌道和CPS模塊之間形成磁場,從而以無接觸方式對CPS模塊提供電力。
[0028]靜電卡盤還可包括形成在靜電卡盤的一側(cè)用于吸附基底的鐵卡盤，并且基底可接觸鐵卡盤。
[0029]所述方法還可包括:在第一輸送單元輸送傳送單元之前，在裝載單元中將基底固定在傳送單元上；以及在第二輸送單元輸送傳送單元之前，在卸載單元中將已經(jīng)對其完成沉積的基底從傳送單元分離。
[0030]傳送單元可在第一輸送單元和第二輸送單元之間循環(huán)移動。
[0031]第一輸送單元和第二輸送單元可彼此平行地分別布置在上方和下方。
[0032]有機(jī)層沉積組件可包括:沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的側(cè)面并且包括多個沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，面對沉積源噴嘴單元并且包括沿著與第一方向垂直的第二方向布置的多個圖案化縫隙，其中，從沉積源排放的沉積材料可以穿過圖案化縫隙片以特定圖案沉積在基底上。
[0033]在第一方向和第二方向中的至少任何一個方向上，有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片可形成為比基底小。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:基底；至少一個薄膜晶體管，位于基底上并且包括半導(dǎo)體有源層、與半導(dǎo)體有源層絕緣的柵電極以及均接觸半導(dǎo)體有源層的源電極和漏電極；多個像素電極，位于薄膜晶體管上；多個有機(jī)層，位于所述多個像素電極上；以及對向電極，位于所述多個有機(jī)層上，其中，位于基底上的多個有機(jī)層中的離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)的至少一個有機(jī)層的斜邊的長度大于形成為離沉積區(qū)域的中心較近的其它有機(jī)層的斜邊的長度，其中，位于基底上的多個有機(jī)層中的所述至少一個有機(jī)層是利用有機(jī)層沉積設(shè)備形成的線性圖案化的有機(jī)層。
[0035]基底可具有40英寸或更大的尺寸。
[0036]所述多個有機(jī)層可至少包括發(fā)射層。
[0037]所述多個有機(jī)層可具有不均勻的厚度。
[0038]在離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)地形成的每個有機(jī)層中，離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)的斜邊可比另一斜邊長。
[0039]沉積區(qū)域中的所述多個有機(jī)層之中的有機(jī)層離沉積區(qū)域的中心越遠(yuǎn)，該有機(jī)層的兩側(cè)的疊置區(qū)域形成地越窄。[0040]設(shè)置在沉積區(qū)域的中心的有機(jī)層的斜邊可具有基本相同的長度。
[0041]沉積區(qū)域中的所述多個有機(jī)層可關(guān)于沉積區(qū)域的中心對稱布置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0042]通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，在附圖中:
[0043]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；
[0044]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1中的有機(jī)層沉積設(shè)備的沉積單元的示意性側(cè)視圖；
[0045]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1中的有機(jī)層沉積設(shè)備的沉積單元的示意性透視圖；
[0046]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元的示意性剖視圖；
[0047]圖5是圖3中示出的沉積單元的傳送單元的運(yùn)送器的詳細(xì)透視圖；
[0048]圖6是圖3中示出的沉積單元的傳送單元和第一輸送單元的詳細(xì)剖視圖；
[0049]圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖1中的沉積單元的示意性透視圖；
[0050]圖8是圖7中的沉積單元的示意性剖視圖；
[0051]圖9是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在包括圖3中的沉積單元的有機(jī)層沉積設(shè)備的圖案化縫隙片中圖案化縫隙以等間距布置的結(jié)構(gòu)的圖；
[0052]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的通過利用圖9中的圖案化縫隙片形成在基底上的有機(jī)層的圖；以及
[0053]圖11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造的有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0054]現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，在附圖中示出了本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施例的示例，其中，相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。下面通過參照附圖描述實(shí)施例來解釋本發(fā)明的
方面。當(dāng)諸如“......中的至少一個(種)”的表述位于一系列元件(要素)之后時，修飾整個系
列的元件(要素)，而不是修飾所述系列中的單個元件(要素)。
[0055]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備I的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1中的有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100的示意性側(cè)視圖。
[0056]參照圖1和圖2，有機(jī)層沉積設(shè)備I包括沉積單元100、裝載單元200、卸載單元300和輸送單元400。
[0057]裝載單元200可以包括第一支架212、傳遞室214、第一翻轉(zhuǎn)室218和緩沖室219。
[0058]其上還沒有施加沉積材料的多個基底2堆疊在第一支架212上。包括在傳遞室214中的傳遞機(jī)器人從第一支架212拾取基底2中的一個，將拾取的基底2放置在通過第二輸送單元420傳送的傳送單元430上，并且將其上設(shè)置有基底2的傳送單元430移動到第一翻轉(zhuǎn)室218中。
[0059]第一翻轉(zhuǎn)室218設(shè)置為鄰近傳遞室214。第一翻轉(zhuǎn)室218包括將傳送單元430翻轉(zhuǎn)然后將傳送單元430裝載在沉積單元100的第一輸送單元410上的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人。[0060]參照圖1，傳遞室214的傳遞機(jī)器人將基底2中的一個放置在傳送單元430的頂表面上，然后，其上設(shè)置有基底2的傳送單元430被傳送到第一翻轉(zhuǎn)室218中。第一翻轉(zhuǎn)室218的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人將第一翻轉(zhuǎn)室218翻轉(zhuǎn)，從而基底2在沉積單元100中被上下顛倒。
[0061]卸載單元300被構(gòu)造為以與上面描述的裝載單元200的方式相反的方式操作。具體地講，第二翻轉(zhuǎn)室328中的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人將已經(jīng)穿過沉積單元100同時基底2設(shè)置在傳送單元430上的傳送單元430翻轉(zhuǎn)，然后將其上設(shè)置有基底2的傳送單元430移動到排出室324中。然后，排出機(jī)器人將其上設(shè)置有基底2的傳送單元430從排出室324取出，將基底2與傳送單元430分離，然后將基底2裝載在第二支架322上。與基底2分開的傳送單元430經(jīng)由第二輸送單元420返回到裝載單元200。
[0062]然而，本發(fā)明不限于上述示例。例如，當(dāng)將基底2設(shè)置在傳送單元430上時，基底2可以固定到傳送單元430的底表面上，然后移動到沉積單元100中。在這種實(shí)施例中，例如，可以省略第一翻轉(zhuǎn)室218的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人和第二翻轉(zhuǎn)室328的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人。
[0063]沉積單元100可以包括至少一個用于沉積的室。在一個實(shí)施例中，如圖1和圖2中所示，沉積單元100包括室101，在室101中，可以設(shè)置多個有機(jī)層沉積組件(100-1)(100-2)……(100-n)。參照圖1，在室101中設(shè)置有11個有機(jī)層沉積組件，即，第一有機(jī)層沉積組件(100-1)、第二有機(jī)層沉積組件(100-2)、……和第十一有機(jī)層沉積組件(100-11)，但是有機(jī)層沉積組件的數(shù)量可以隨著期望的沉積材料和沉積條件而變化。室101在沉積過程期間保持在真空狀態(tài)。
[0064]關(guān)于這一點(diǎn)，11個有機(jī)層沉積組件中的一些可以用于沉積來形成公共層，11個有機(jī)層沉積組件中的剩余部分可以用于沉積來形成圖案層。在本實(shí)施例中，用于沉積來形成公共層的有機(jī)層沉積組件可以不包括圖案化縫隙片130 (參照圖3)。
[0065]在圖1示出的實(shí)施例中，其上 固定有基底2的傳送單元430可以被第一輸送單元410至少移動到沉積單元100或者可以被第一輸送單元410順序地移動到裝載單元200、沉積單元100和卸載單元300，在卸載單元300中與基底2分開的傳送單元430可以被第二輸送單元420移動回到裝載單元200。
[0066]第一輸送單元410在穿過沉積單元100時穿過室101，第二輸送單元420輸送基底2已經(jīng)從傳送單元430分離的傳送單元430。
[0067]在本實(shí)施例中，有機(jī)層沉積設(shè)備I被構(gòu)造為使得第一輸送單元410和第二輸送單元420分別設(shè)置在上方和下方，從而在傳送單元430在卸載單元300中與基底2分開(其中，傳送單元430在穿過第一輸送單元410的同時已經(jīng)在傳送單元430上完成了沉積)之后，傳送單元430經(jīng)由形成在第一輸送單元410下方的第二輸送單元420返回到裝載單元200，從而有機(jī)層沉積設(shè)備I可以具有提高的空間利用效率。
[0068]在實(shí)施例中，圖1中的沉積單元100還可以包括設(shè)置在每個有機(jī)層沉積組件的側(cè)面的沉積源更換單元190。盡管在圖中沒有具體示出，但是沉積源更換單元190可以形成為可以從每個有機(jī)層沉積組件拉到外部的卡帶形式。因此，有機(jī)層沉積組件100-1的沉積源110 (參照圖3)可以容易地更換。
[0069]圖1示出了平行布置兩組結(jié)構(gòu)的有機(jī)層沉積設(shè)備I，其中，每組結(jié)構(gòu)包括裝載單元200、沉積單元100、卸載單元300和輸送單元400。即，可以看出，兩個有機(jī)層沉積設(shè)備I分別布置在有機(jī)層沉積設(shè)備I的一側(cè)和另一側(cè)(圖1中的上方和下方)。在這種實(shí)施例中，圖案化縫隙片更換單元500可以設(shè)置在兩個有機(jī)層沉積設(shè)備I之間。S卩，由于這種結(jié)構(gòu)的配置，兩個有機(jī)層沉積設(shè)備I共用圖案化縫隙片更換單元500，從而與每個有機(jī)層沉積設(shè)備I包括圖案化縫隙片更換單元500的情況相比，提高了空間利用效率。
[0070]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1中的有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100的示意性透視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元100的示意性剖視圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元100的傳送單元400的運(yùn)送器431的透視圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元100的傳送單元420和第一輸送單元410的剖視圖。[0071 ] 首先，參照圖3和圖4，有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100包括輸送單元400和至少一個有機(jī)層沉積組件100-1。
[0072]在下文中，將描述沉積單元100的總體結(jié)構(gòu)。
[0073]室101可以形成為中空的盒子形式并且容納輸送單元400和至少一個有機(jī)層沉積組件100-1。在另一種描述方式中，形成腳部102，用以將沉積單元100固定在地上，下殼體103設(shè)置在腳部102上，上殼體104設(shè)置在下殼體103上。室101容納下殼體103和上殼體104。關(guān)于這一點(diǎn)，密封下殼體103和室101的連接部分，從而室101的內(nèi)部與外部完全隔離。由于下殼體103和上殼體104設(shè)置在固定在地上的腳部102上的結(jié)構(gòu)，所以即使室101重復(fù)地收縮和膨脹，下殼體103和上殼體104也可以保持在固定的位置。因此，下殼體103和上殼體104可以用作沉積單元100中的參照系。
[0074]上殼體104包括有機(jī)層沉積組件100-1和輸送單元400的第一輸送單元410，下殼體103包括輸送單元400的第二輸送單元420。當(dāng)傳送單元430在第一輸送單元410和第二輸送單元420之間循環(huán)移動時，連續(xù)執(zhí)行沉積過程。
[0075]在下文中，詳細(xì)描述有機(jī)層沉積組件100-1的構(gòu)成。
[0076]第一有機(jī)層沉積組件100-1包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、圖案化縫隙片130、保護(hù)構(gòu)件140、第一臺階150、第二臺階160、照相機(jī)170和傳感器180。關(guān)于這一點(diǎn)，圖3和圖4中示出的所有元件可以布置在保持在適當(dāng)?shù)恼婵諣顟B(tài)的室101中。需要這種結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)沉積材料的線性。
[0077]具體地講，為了將已經(jīng)從沉積源110排放出來并且穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130的沉積材料115按期望的圖案沉積到基底2上，期望的是，將室(未示出)保持在與FMM的沉積方法中使用的真空狀態(tài)相同的真空狀態(tài)。另外，圖案化縫隙片130的溫度應(yīng)該充分低于沉積源110的溫度(大約100°C或更低)，這是因?yàn)楫?dāng)圖案化縫隙片130的溫度充分低時，圖案化縫隙片130的熱膨脹被最小化。
[0078]其上將要沉積沉積材料115的基底2布置在室101中。基底2可以是用于平板顯示裝置的基底。例如，諸如用于制造多個平板顯示器的母玻璃的大基底可以用作基底2。
[0079]根據(jù)實(shí)施例，可以隨著基底2相對于有機(jī)層沉積組件100-1移動執(zhí)行沉積過程。
[0080]在利用FMM的傳統(tǒng)沉積方法中，F(xiàn)MM的尺寸需要與基底的尺寸相同。因此，隨著基底的尺寸增加，F(xiàn)MM也需要為大尺寸。由于這些問題，難以制造FMM并且由于FMM的拉伸難以按照精確圖案對準(zhǔn)FMM。
[0081]為了解決這些問題，在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100-1中，可以在有機(jī)層沉積組件100-1和基底2相對于彼此移動的同時執(zhí)行沉積。換而言之，可以在面對有機(jī)層沉積組件100-1的基底2沿著Y軸方向運(yùn)動的同時連續(xù)地執(zhí)行沉積。即，在基底2沿著圖3中示出的箭頭A的方向移動的同時，按照掃描方式執(zhí)行沉積。盡管基底2示出為在執(zhí)行沉積時在圖3的室(未示出)中沿著Y軸方向移動，但是本發(fā)明不限于此。例如，可以在有機(jī)層沉積組件100-1沿著Y軸方向移動并且基底2保持在固定位置的同時執(zhí)行沉積。
[0082]因此，在有機(jī)層沉積組件100-1中，圖案化縫隙片130可以遠(yuǎn)小于在傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM。換而言之，在有機(jī)層沉積組件100-1中，在基底2沿著Y軸方向移動的同時連續(xù)地執(zhí)行沉積，即，以掃描方式連續(xù)地執(zhí)行沉積。因此，圖案化縫隙片130沿X軸方向和Y軸方向的長度中的至少一個可以遠(yuǎn)小于基底2的長度。由于圖案化縫隙片130可以形成為遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM，所以容易制造圖案化縫隙片130。即，與傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM相比，圖案化縫隙片130在包括以下步驟的制造工藝中更有利:精確拉伸之后的蝕刻、焊接、傳送和清洗工藝。另外，更有利于制造相對大的顯示裝置。
[0083]為了在有機(jī)層沉積組件100-1和基底2如上所述相對于彼此移動的同時執(zhí)行沉積，有機(jī)層沉積組件100-1和基底2可以彼此分隔開特定的距離。下面對此進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0084]包含并加熱沉積材料115的沉積源110設(shè)置在與在室中設(shè)置有基底2的側(cè)面相對(面對)的側(cè)面處。隨著包含在沉積源110中的沉積材料115被蒸發(fā)，在基底2上執(zhí)行沉積。
[0085]沉積源110包括填充有沉積材料115的坩堝111和加熱坩堝111的加熱器112，以使沉積材料115朝向坩堝111的填充有沉積材料115的側(cè)面蒸發(fā)，具體地說，朝向沉積源噴嘴單元120蒸發(fā)。
[0086]沉積源噴嘴單元120設(shè)置在沉積源110的一側(cè)，具體地講，設(shè)置在沉積源110面向基底2的一側(cè)。這里，在根據(jù)本實(shí)施例有機(jī)層沉積組件中，用于沉積公共層的沉積噴嘴和用于沉積圖案層的沉積噴嘴可相互不同。即，可在用于形成圖案層的沉積源噴嘴單元120中沿Y軸方向(即，基底2的掃描方向)形成多個沉積源噴嘴121。因此，沉積源噴嘴121被布置成使得在X軸方向僅存在一個沉積源噴嘴121，從而減少陰影的出現(xiàn)。可選擇地，可在用于形成公共層的沉積源噴嘴單元120中沿X軸方向設(shè)置多個沉積源噴嘴121，因此，可提高公共層的厚度均勻性。
[0087]圖案化縫隙片130進(jìn)一步設(shè)置在沉積源110和基底2之間。圖案化縫隙片130還可以包括具有與窗口框架相似形狀的框架135。圖案化縫隙片130包括沿著X軸方向布置的多個圖案化縫隙131。已經(jīng)在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130，然后沉積到基底2上。關(guān)于這一點(diǎn)，圖案化縫隙片130可以利用與用來形成FMM (具體地，條形掩模)的方法相同的方法(例如，蝕刻)形成。關(guān)于這一點(diǎn)，圖案化縫隙131的總數(shù)可以大于沉積源噴嘴121的總數(shù)。
[0088]這里，沉積源110 (和結(jié)合到沉積源110的沉積源噴嘴單元120)與圖案化縫隙片130可以彼此分隔開特定的距離。
[0089]如上所述，在有機(jī)層沉積組件100-1相對于基底2移動的同時執(zhí)行沉積。為了使有機(jī)層沉積組件100-1相對于基底2移動，圖案化縫隙片130設(shè)置為與基底2分隔開特定的距離。
[0090]在利用FMM的傳統(tǒng)沉積方法中，為了防止在基底上形成陰影，在FMM緊密接觸基底的情況下執(zhí)行沉積。然而，當(dāng)FMM形成為緊密接觸基底時，會發(fā)生由于基底與FMM之間的接觸導(dǎo)致的缺陷。另外，由于難以使掩模相對于基底移動，所以掩模和基底需要形成為相同的尺寸。因此，隨著顯示裝置的尺寸增加，需要大的掩模。然而，難以形成大的掩模。
[0091]為了解決這些問題，在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100-1中，圖案化縫隙片130形成為與其上將沉積沉積材料的基底2分隔開特定的距離。
[0092]根據(jù)本實(shí)施例，可以在形成為比基底小的掩模相對于基底移動的同時執(zhí)行沉積，因此容易制造掩模。另外，可以防止由于基底和掩模之間的接觸導(dǎo)致的缺陷。另外，由于在沉積過程期間基底與掩模不是必須緊密接觸，所以可以提高制造速度。
[0093]在下文中，將描述上殼體104的每個元件的具體布置。
[0094]沉積源110和沉積源噴嘴單元120設(shè)置在上殼體104的底部上。容納部分104_1分別在沉積源Iio和沉積源噴嘴單元120的兩側(cè)上形成為具有突出形狀。第一臺階150、第二臺階160和圖案化縫隙片130按此順序依次形成在容納部分104-1上。
[0095]關(guān)于這一點(diǎn)，第一臺階150形成為沿著X軸和Y軸方向移動，使得第一臺階150使圖案化縫隙片130在X軸和Y軸方向上對準(zhǔn)。即，第一臺階150包括多個致動器，使得第一臺階150相對于上殼體104沿著X軸和Y軸方向移動。
[0096]第二臺階160形成為沿著Z軸方向移動，用以使圖案化縫隙片130在Z軸方向上對準(zhǔn)。即，第二臺階160包括多個致動器，并且形成為相對于第一臺階150沿著Z軸方向移動。
[0097]圖案化縫隙片130設(shè)置在第二臺階160上。圖案化縫隙片130設(shè)置在第一臺階150和第二臺階160上，以沿著X軸、Y軸和Z軸方向移動，因此可以執(zhí)行基底2和圖案化縫隙片130之間的對準(zhǔn)(具體地，實(shí)時對準(zhǔn))。
[0098]另外，上殼體104、第一臺階150和第二臺階160可以引導(dǎo)沉積材料115的流動路徑，從而通過沉積源噴嘴121排放的沉積材料115不分散到流動路徑外部。即，沉積材料115的流動路徑被上殼體104、第一臺階150和第二臺階160密封，因此，由此可以同步或同時引導(dǎo)沉積材料115沿著X軸和Y軸方向的運(yùn)動。
[0099]保護(hù)構(gòu)件140可進(jìn)一步設(shè)置在圖案化縫隙片130和沉積源110之間，用以防止有機(jī)材料沉積在基底2的非膜形成區(qū)域上。盡管未示出，但是保護(hù)構(gòu)件140可包括兩個相鄰的板。由于保護(hù)構(gòu)件140保護(hù)基底2的無膜形成區(qū)域，所以在不使用另外結(jié)構(gòu)的情況下可容易防止有機(jī)材料沉積在基底2的無膜形成區(qū)域上。
[0100]在下文中，下面將更詳細(xì)地描述用于輸送作為沉積目標(biāo)的基底2的輸送單元400。參照圖3至圖6，輸送單元400包括第一輸送單元410、第二輸送單元420和傳送單元430。
[0101]第一輸送單元410以串聯(lián)方式輸送包括運(yùn)送器431和附于運(yùn)送器431的靜電卡盤432的傳送單元430以及附于傳送單元430的基底2，使得可以通過有機(jī)層沉積組件100-1將有機(jī)層形成在基底2上。第一輸送單元410包括線圈411、引導(dǎo)構(gòu)件412、上磁懸浮軸承413、側(cè)磁懸浮軸承414以及間隙傳感器415和416。
[0102]在傳送單元430穿過沉積單元100的同時完成了一個沉積循環(huán)之后，第二輸送單元420將已經(jīng)在卸載單元300中分離了基底2的傳送單元430返回裝載單元200。第二輸送單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423。
[0103]傳送單元430包括:運(yùn)送器431，沿第一傳送單元410和第二傳送單元420被傳送；靜電卡盤432，結(jié)合在運(yùn)送器431的表面上且基底2附于靜電卡盤432上。而且，傳送單元430還可以包括形成在靜電卡盤432的表面上的膜433和形成在膜433的側(cè)方上的鐵卡盤434。
[0104]在下文中，將更詳細(xì)地描述輸送單元400的每個元件。
[0105]現(xiàn)在將詳細(xì)描述傳送單元430的運(yùn)送器431。
[0106]參照圖5，運(yùn)送器431包括主體部件431a、磁軌431b、無接觸式電源(CPS)模塊431c、電源單元431d和引導(dǎo)槽431e。
[0107]主體部件431a構(gòu)成運(yùn)送器431的基礎(chǔ)部件，并且可以由諸如鐵的磁性材料形成。關(guān)于這一點(diǎn)，由于主體部件431a與對應(yīng)的上磁懸浮軸承413和側(cè)磁懸浮軸承414 (下面描述)之間的排斥力，運(yùn)送器431可以與引導(dǎo)構(gòu)件412保持分隔開特定的距離。
[0108]弓丨導(dǎo)槽431e可以分別形成在主體部件431a的兩側(cè)處，并且引導(dǎo)槽431e中的每個可以容納引導(dǎo)構(gòu)件412的引導(dǎo)突起412e。
[0109]磁軌431b可以在主體部件431a行進(jìn)的方向上沿著主體部件431a的中線形成。LMS磁體431b和線圈411 (后面進(jìn)行更詳細(xì)的描述)可以彼此結(jié)合以構(gòu)成線性電動機(jī)，可以在線性電動機(jī)的作用下沿著箭頭A的方向輸送運(yùn)送器431。 [0110]CPS模塊431c和電源單元431d可以在主體部件431a中分別形成在LMS磁體431b的兩側(cè)上。電源單元431d包括提供電力的電池(例如，可再充電電池)，從而靜電卡盤432可以卡住基底2并且保持操作。CPS模塊431c是為電源單元431d充電的無線充電模塊。具體地講，形成在第二輸送單元420中的充電軌道423 (后面描述)連接到逆變器(未示出)，因此當(dāng)運(yùn)送器431被傳送到第二輸送單元420時，在充電軌道423和CPS模塊431c之間形成磁場，用以為CPS模塊431c供電。供應(yīng)到CPS模塊431c的電力用來對電源單元43Id充電。
[0111]如上所述，由于可通過使用CPS模塊431c和充電軌道423在真空室中對電源單元431d進(jìn)行無線充電，所以可防止使用傳統(tǒng)的線性運(yùn)動(LM)系統(tǒng)時由于出現(xiàn)顆粒產(chǎn)生的良率的下降。另外，可減少由于出現(xiàn)有害的火花損壞沉積設(shè)備的可能性。而且，可獲得維護(hù)成本的降低、可生產(chǎn)性的提高以及壽命的增長。
[0112]同時，靜電卡盤432包括由陶瓷形成的主體和埋在主體中的電極(電力被施加在電極上),并且當(dāng)高電壓被施加到電極時,基底2附于主體的表面。
[0113]另外，膜433形成在靜電卡盤432的一側(cè)上，并且鐵卡盤434可進(jìn)一步形成在膜433的一側(cè)上。這里，鐵卡盤434的功能是一種吸附板，由于施加到靜電卡盤432的高電壓，鐵卡盤434吸附附于靜電卡盤432的基底2，用以穩(wěn)定地固定基底2。
[0114]接下來，下面將更詳細(xì)地描述傳送單元430的操作。
[0115]主體部件431a的LMS磁體431b和線圈411可相互結(jié)合以構(gòu)成操作單元。關(guān)于這一點(diǎn)，操作單元可以是線性電動機(jī)。與傳統(tǒng)的滑動引導(dǎo)系統(tǒng)相比，線性電動機(jī)具有小摩擦系數(shù)、小的位置誤差和非常高的位置確定程度。如上所述，線性電動機(jī)可包括線圈411和LMS磁體431b。LMS磁體431b線性地設(shè)置在運(yùn)送器431上，并且多個線圈411可通過特定距離設(shè)置在室101的內(nèi)側(cè)以面對LMS磁體431b。由于LMS磁體431b設(shè)置在運(yùn)送器431上而不是線圈411上，所以運(yùn)送器431可在沒有對其施加電力的情況下進(jìn)行操作。關(guān)于這一點(diǎn)，線圈411可形成在大氣(ATM)箱中。LMS磁體431b附于運(yùn)送器431，從而運(yùn)送器431可在真空室101內(nèi)行進(jìn)。
[0116]接下來，下面將更詳細(xì)地描述第一輸送單元410和傳送單元430。[0117]參照圖4和圖6,第一輸送單兀410輸送固定基底2的靜電卡盤432并且輸送運(yùn)送器431,其中，運(yùn)送器431輸送靜電卡盤432。關(guān)于這一點(diǎn),第一輸送單兀410包括線圈411、引導(dǎo)構(gòu)件412、上磁懸浮軸承413、側(cè)磁懸浮軸承414以及間隙傳感器415和416。
[0118]線圈411和引導(dǎo)構(gòu)件412形成在上殼體104內(nèi)側(cè)。線圈411形成在上殼體104的上部中，引導(dǎo)構(gòu)件412分別形成在上殼體104的兩內(nèi)側(cè)上。
[0119]引導(dǎo)構(gòu)件412引導(dǎo)運(yùn)送器431沿著一定方向移動。關(guān)于這一點(diǎn)，引導(dǎo)構(gòu)件412形成為穿過沉積單元100。
[0120]具體地講，引導(dǎo)構(gòu)件412容納運(yùn)送器431的兩側(cè)，以引導(dǎo)運(yùn)送器431沿著圖3中示出的箭頭A的方向移動。關(guān)于這一點(diǎn)，引導(dǎo)構(gòu)件412可以包括設(shè)置在運(yùn)送器431下方的第一容納部件412a、設(shè)置在運(yùn)送器431上方的第二容納部件412b以及連接第一容納部件412a和第二容納部件412b的連接部件412c。通過第一容納部件412a、第二容納部件412b和連接部件412c形成容納槽412d。運(yùn)送器431的兩側(cè)分別容納在容納槽412d中，運(yùn)送器431沿著容納槽412d移動。
[0121]側(cè)磁懸浮軸承414均設(shè)置在引導(dǎo)構(gòu)件412的連接部件412c中，以分別對應(yīng)于運(yùn)送器431的兩側(cè)。側(cè)磁懸浮軸承414使運(yùn)送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412之間產(chǎn)生距離，使得運(yùn)送器431以與引導(dǎo)構(gòu)件412無接觸的方式沿著引導(dǎo)構(gòu)件412移動。即，位于左側(cè)上的側(cè)磁懸浮軸承414和運(yùn)送器431 (為磁性材料)之間存在的排斥力Rl以及在右側(cè)上的側(cè)磁懸浮軸承414與運(yùn)送器431 (為磁性材料)之間存在的排斥力R2保持平衡，因此在運(yùn)送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412的各個部件之間的距離恒定。
[0122]每個上磁懸浮軸承413可以設(shè)置在第二容納部件412b中，以位于運(yùn)送器431上方。上磁懸浮軸承413能夠使運(yùn)送器431以與第一容納部件412a和第二容納部件412b無接觸且使運(yùn)送器431與第一容納部件412a和第二容納部件412b之間的距離保持恒定的方式沿著引導(dǎo)構(gòu)件412移動。即，在上磁懸浮軸承413和運(yùn)送器431 (為磁性材料)之間存在的排斥力R3和重力G保持平衡，因此運(yùn)送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412的各個部件412a和412b之間的距離恒定。
[0123]每個引導(dǎo)構(gòu)件412還可以包括間隙傳感器415。間隙傳感器415可以測量運(yùn)送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離。另外，間隙傳感器416可以設(shè)置在側(cè)磁懸浮軸承414的側(cè)面。間隙傳感器416可以測量運(yùn)送器431的側(cè)表面和側(cè)磁懸浮軸承414之間的距離。
[0124]上磁懸浮軸承413和側(cè)磁懸浮軸承414的磁力可以根據(jù)間隙傳感器415和間隙傳感器416測量的值改變，因此，可以實(shí)時調(diào)節(jié)運(yùn)送器431和各引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離。即，運(yùn)送器431的精確傳送可以利用上磁懸浮軸承413、側(cè)磁懸浮軸承414、間隙傳感器415和間隙傳感器416進(jìn)行反饋控制。
[0125]在下文中，將更詳細(xì)地描述第二輸送單元420和傳送單元430。
[0126]返回參照圖4，第二輸送單元420將已經(jīng)在卸載單元300中分離了基底2的靜電卡盤432和運(yùn)送靜電卡盤432的運(yùn)送器431返回到裝載單元200。關(guān)于這一點(diǎn)，第二輸送單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423。
[0127]具體地講，線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423可以位于下殼體103內(nèi)。線圈421和充電軌道423可以設(shè)置在下殼體103的頂部內(nèi)表面上，輥式引導(dǎo)件422可以設(shè)置在下殼體103的兩內(nèi)側(cè)上。這里，線圈421可以與第一輸送單元410的線圈411 一樣設(shè)置在ATM箱中。
[0128]與第一輸送單元410相似，第二輸送單元420可以包括線圈421。另外，運(yùn)送器431的主體部件431a的LMS磁體431b和線圈421彼此結(jié)合，以構(gòu)成操作單元。關(guān)于這一點(diǎn),所述操作單元可以是線性電動機(jī)。運(yùn)送器431可以在線性電動機(jī)的作用下沿著與圖3中示出的箭頭A的方向相反的方向移動。
[0129]棍式引導(dǎo)件422引導(dǎo)運(yùn)送器431沿著一定方向移動。關(guān)于這一點(diǎn)，棍式引導(dǎo)件422形成為穿過沉積單元100。
[0130]第二輸送單元420在使已經(jīng)從其分離了基底2的運(yùn)送器431返回的過程中使用，而在將有機(jī)材料沉積在基底2上的過程中沒有使用，因此，不需要如第一輸送單元410那樣要求第二輸送單元420的位置準(zhǔn)確度。因此，對需要高位置準(zhǔn)確度的第一輸送單元410應(yīng)用磁懸浮，從而獲得位置準(zhǔn)確度，而對需要相對低的位置準(zhǔn)確度的第二輸送單元420應(yīng)用傳統(tǒng)的輥?zhàn)臃椒?，從而降低制造成本并且簡化有機(jī)層沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)。盡管在圖4中未示出，但是也可以如第一輸送單元410中一樣對第二輸送單元420應(yīng)用磁懸浮。
[0131]根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備I的有機(jī)層沉積組件100-1還可以包括用于對準(zhǔn)過程的照相機(jī)170和傳感器180。照相機(jī)170可以將在圖案化縫隙片130的框架135中形成的第一對準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)和在基底2上形成的第二對準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)實(shí)時對準(zhǔn)。另外，傳感器180可以是共焦傳感器。如上所述，由于能夠利用照相機(jī)170和傳感器180實(shí)時測量基底2和圖案化縫隙片130之間的距離，所以基底2可以與圖案化縫隙片130實(shí)時對準(zhǔn)，從而可以顯著改善圖案的位置準(zhǔn)確度。
[0132]在下文中，下面將描述根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的沉積單元100。
[0133]圖7是圖1中的沉積單元100的示意性透視圖，圖8是圖7中的沉積單元100的示意性剖視圖。
[0134]參照圖7和圖8，根據(jù)本實(shí)施例，第一輸送單元410的引導(dǎo)構(gòu)件412'和傳送單元430的運(yùn)送器431與前一實(shí)施例中的引導(dǎo)構(gòu)件和運(yùn)送器不同，這將在下面進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0135]第一輸送單元410以串聯(lián)方式輸送包括運(yùn)送器431和附于運(yùn)送器431的靜電卡盤432的傳送單元430以及附于傳送單元430的基底2，使得可以通過有機(jī)層沉積組件100-1將有機(jī)層形成在基底2上。第一輸送單元410包括線圈411、引導(dǎo)軌道412'、上磁懸浮軸承413、側(cè)磁懸浮軸承414以及間隙傳感器415和416。
[0136]在傳送單元430穿過沉積單元100的同時完成了一個沉積循環(huán)之后，第二輸送單元420使已經(jīng)在卸載單元300中分離了基底2的傳送單元430返回裝載單元200。第二輸送單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)件422'和充電軌道423。
[0137]傳送單元430包括:運(yùn)送器431，沿第一傳送單元410和第二傳送單元420傳送運(yùn)送器431 ;靜電卡盤432，結(jié)合在運(yùn)送器431的表面上且基底2附于靜電卡盤432上。而且，傳送單元430還可以包括形成在靜電卡盤432的表面上的膜433和形成在膜433的一側(cè)的鐵卡盤434。
[0138]這里，第一輸送單元410的引導(dǎo)構(gòu)件412'形成為引導(dǎo)軌道，并且傳送單元430的運(yùn)送器431包括結(jié)合到引導(dǎo)構(gòu)件412的引導(dǎo)塊431e'。
[0139]具體地講，在本實(shí)施例中，當(dāng)固定基底的靜電卡盤在室中線性移動時執(zhí)行沉積。在這種情況下，如果通過傳統(tǒng)的輥或輸送器輸送靜電卡盤，則基底的位置準(zhǔn)確度降低，并且如果使用圖3和圖4中示出的磁懸浮方法，則沉積設(shè)備的制造成本增大。因此，在本實(shí)施例中，應(yīng)用包括引導(dǎo)軌道和引導(dǎo)塊的線性運(yùn)動系統(tǒng)，從而在容易制造沉積設(shè)備的同時準(zhǔn)確地輸送基底。
[0140]具體地講，上殼體104的內(nèi)表面形成為平的，一對引導(dǎo)軌道412'形成在上殼體104的內(nèi)表面上。另外，引導(dǎo)塊431e'被插入在引導(dǎo)軌道412'中，以沿引導(dǎo)軌道412'進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動。
[0141]盡管在圖7和圖8中未示出，但充電軌道可進(jìn)一步形成在引導(dǎo)軌道412'中。即，在CPS模塊431c設(shè)置在主體部件431a的相對的邊緣中的至少一個邊緣上(即，設(shè)置在形成有引導(dǎo)軌道412'的區(qū)域上)的狀態(tài)下，充電軌道(未示出)可形成在引導(dǎo)軌道412'中。然后，當(dāng)在第一輸送單兀410中輸送運(yùn)送器431時,在充電軌道(未不出)和CPS模塊431c之間形成磁場，用以以無接觸方式對CPS模塊431c提供電力。即，當(dāng)在第一輸送單元410中輸送傳送單元430時，電源單元431d可被充電。
[0142]在下文中，更詳細(xì)地描述利用上面描述的有機(jī)層沉積設(shè)備I形成的有機(jī)層的結(jié)構(gòu)。
[0143]圖9是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在有機(jī)層沉積設(shè)備I的圖案化縫隙片130中圖案化縫隙131以等間距布置的結(jié)構(gòu)的圖。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的利用圖9中的圖案化縫隙片130在基底2上形成的有機(jī)層的圖。
[0144]圖9和圖10示出了圖案化縫隙131以等間距布置的圖案化縫隙片130。S卩，在圖9中，圖案化縫隙131滿足下面的條件J1=I2=I3=Ip
[0145]在本實(shí)施例中，沿著沉積空間S的中線C排放的沉積材料的入射角基本上垂直于基底2。因此，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131a的沉積材料形成的有機(jī)層P1具有最小尺寸的陰影，右側(cè)陰影SR1和左側(cè)陰影SL1形成為彼此對稱。
[0146]然而，穿過離沉積空間S的中線C設(shè)置得較遠(yuǎn)的圖案化縫隙的沉積材料的臨界入射角Θ逐漸增大，因此，穿過最外側(cè)圖案化縫隙131e的沉積材料的臨界入射角Θ為大約55°。因此，沉積材料以相對于圖案化縫隙131e傾斜的方式入射，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131e的沉積材料形成的有機(jī)層P5具有最大陰影。具體地，左側(cè)陰影SL5比右側(cè)陰影SR5大。
[0147]S卩，隨著沉積材料的臨界入射角Θ增大，陰影的尺寸也增大。具體地講，在距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的位置處的陰影的尺寸增大。另外，隨著沉積空間S的中線C與各圖案化縫隙之間的距離增加，沉積材料的臨界入射角Θ增大。因此，利用穿過設(shè)置為距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的圖案化縫隙的沉積材料形成的有機(jī)層具有較大的陰影尺寸。具體地，在各有機(jī)層的兩側(cè)上的陰影中，在距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的位置處的陰影的尺寸大于另一位置處的陰影的尺寸。
[0148]即，參照圖10，形成在沉積空間S的中線C的左側(cè)上的有機(jī)層具有左側(cè)斜邊大于右側(cè)斜邊的結(jié)構(gòu)，形成在沉積空間S的中線C的右側(cè)上的有機(jī)層具有右側(cè)斜邊大于左側(cè)斜邊的結(jié)構(gòu)。
[0149]另外，在形成在沉積空間S的中線C的左側(cè)上的有機(jī)層中，左側(cè)斜邊的長度朝向左側(cè)增加。在形成在沉積空間S的中線C的右側(cè)上的有機(jī)層中，右側(cè)斜邊的長度朝向右側(cè)增力口。結(jié)果，形成在沉積空間S中的有機(jī)層可以形成為關(guān)于沉積空間S的中線C彼此對稱。[0150]現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述這種結(jié)構(gòu)。
[0151]穿過圖案化縫隙131b的沉積材料以臨界入射角Θ b穿過圖案化縫隙131b，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131b的沉積材料形成的有機(jī)層P2具有尺寸為SL2的左側(cè)陰影。類似地，穿過圖案化縫隙131c的沉積材料以臨界入射角Θ。穿過圖案化縫隙131c，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131c的沉積材料形成的有機(jī)層P3具有尺寸為SL3的左側(cè)陰影。類似地，穿過圖案化縫隙131d的沉積材料以臨界入射角Θ d穿過圖案化縫隙131d，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131d的沉積材料形成的有機(jī)層P4具有尺寸為SL4的左側(cè)陰影。類似地，穿過圖案化縫隙131e的沉積材料以臨界入射角Θ ^穿過圖案化縫隙131e，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131e的沉積材料形成的有機(jī)層P5具有尺寸為SL5的左側(cè)陰影。
[0152]關(guān)于這一點(diǎn)，臨界入射角滿足下面的條件:Θ b〈 Θ。〈 Θ d〈 θ ε，因此，有機(jī)層的陰影尺寸也滿足下面的條件AL^SI^SLySLZSLp
[0153]圖11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的利用有機(jī)層沉積設(shè)備I制造的有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0154]參照圖11，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置10形成在基底2上。基底2可以由諸如玻璃、塑料或金屬的透明材料形成。在基底2的整個表面上形成諸如緩沖層的絕緣層31。
[0155]如圖11中所示，在 絕緣層31上設(shè)置薄膜晶體管(TFT) 40、電容器50和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 60。
[0156]按設(shè)定或預(yù)定圖案在絕緣層31的上表面上形成半導(dǎo)體有源層41。柵極絕緣層32形成為覆蓋半導(dǎo)體有源層41。半導(dǎo)體有源層41可以包含P型或η型半導(dǎo)體材料。
[0157]TFT40的柵電極42形成在柵極絕緣層32的對應(yīng)于半導(dǎo)體有源層41的區(qū)域中。層間絕緣層33形成為覆蓋柵電極42。通過例如干蝕刻來蝕刻層間絕緣層33和柵極絕緣層32，以形成暴露半導(dǎo)體有源層41的部分的接觸孔。
[0158]源電極/漏電極43形成在層間絕緣層33上，以通過接觸孔接觸半導(dǎo)體有源層41。鈍化層34形成為覆蓋源電極/漏電極43，并且被蝕刻以暴露源電極/漏電極43中的一個的一部分。絕緣層(未示出)還可以形成在鈍化層34上，以使鈍化層34平坦化。
[0159]另外，0LED60通過根據(jù)電流發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光來顯示設(shè)定或預(yù)定的圖像信息。0LED60包括設(shè)置在鈍化層34上的第一電極61。第一電極61電連接到TFT40的被暴露的源電極/漏電極43。
[0160]像素限定層35形成為覆蓋第一電極61。在像素限定層35中形成開口，包括發(fā)射層(EML)的有機(jī)層63形成在通過所述開口限定的區(qū)域中。第二電極62形成在有機(jī)層63上。有機(jī)層62和有機(jī)層63可以具有不均勻的厚度。
[0161]限定各個像素的像素限定層35由有機(jī)材料形成。像素限定層35還使基底30的形成有第一電極61的區(qū)域的表面平坦化，具體地，像素限定層35使鈍化層34的表面平坦化。
[0162]第一電極61和第二電極62彼此絕緣,并且分別對有機(jī)層63施加相反極性的電壓來誘導(dǎo)發(fā)光。
[0163]包括EML的有機(jī)層63可以由低分子量有機(jī)材料或聞分子量有機(jī)材料形成。當(dāng)使用低分子量有機(jī)材料時，有機(jī)層63可以具有包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、EML、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)的單層或多層結(jié)構(gòu)?？捎玫挠袡C(jī)材料的非限制性示例可以包括銅酞菁(CuPc)、N，N' -二(1-萘基)_N，N' - 二苯基聯(lián)苯胺(NPB)和三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)。
[0164]可以利用圖1至圖8中示出的有機(jī)層沉積設(shè)備I來形成包括EML的有機(jī)層63。即，將包括排放沉積材料的沉積源、設(shè)置在沉積源的側(cè)面并且包括形成在其中的多個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元以及面對沉積源噴嘴單元并且包括形成在其中的多個圖案化縫隙的圖案化縫隙片的有機(jī)層沉積設(shè)備設(shè)置為與其上將沉積沉積材料的基底分隔開設(shè)定或預(yù)定距離。另外，在有機(jī)層沉積設(shè)備I和基底2相對于彼此移動的同時，從有機(jī)層沉積設(shè)備1(見圖1)排放的沉積材料沉積在基底2 (參照圖1)上。例如，基底2可以具有40英寸或更大的尺寸。
[0165]在形成有機(jī)層63之后，可以通過與用來形成有機(jī)層63的沉積方法相同的沉積方法形成第二電極62。
[0166]第一電極61可以用作陽極，第二電極62可以用作陰極?？蛇x地，第一電極61可以用作陰極，第二電極62可以用作陽極。第一電極61可以被圖案化以對應(yīng)于各像素區(qū)域，第二電極62可以形成為覆蓋所有像素。
[0167]第一電極61可以形成為透明電極或反射電極。這種透明電極可以由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)形成。可以通過由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或它們的混合物形成反射層并且在反射層上由ΙΤΟ、ΙΖ0,ZnO或In2O3形成層來形成這種反射電極?？梢酝ㄟ^例如濺射形成層然后通過例如光刻將形成的層圖案化來形成第一電極61。
[0168]第二電極62也可以形成為透明電極或反射電極。當(dāng)?shù)诙姌O62形成為透明電極時，第二電極62用作陰極。為此，可以通過在有機(jī)層63的表面上沉積具有低功函數(shù)的諸如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或它們的混合物的金屬并在其上由ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO或In2O3等形成輔助電極層或匯流電極線來形成這種透明電極。當(dāng)?shù)诙姌O62形成為反射電極時，可以通過在有機(jī)層63的整個表面上沉積L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的混合物來形成反射層?？梢岳门c上面描述的用來形成有機(jī)層63的沉積方法相同的沉積方法來形成第二電極62。
[0169]上面描述的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備可以應(yīng)用于形成有機(jī)TFT的有機(jī)層或無機(jī)層，并且用來形成由不同材料形成的層。
[0170]如上所述，本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例提供了一種適用于在大基底的批量生產(chǎn)中使用的以及能夠高清晰度地圖案化的有機(jī)層沉積設(shè)備、利用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法以及利用所述方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0171]盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體地示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此對形式和細(xì)節(jié)做出各種改變，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)層沉積設(shè)備，所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括: 輸送單元，包括用于固定基底并且被構(gòu)造為與所述基底一起移動的傳送單元、用于將其上固定有基底的傳送單元沿第一方向移動的第一輸送單元和用于在已經(jīng)完成沉積之后將基底從其分開的傳送單元沿與第一方向相反的方向移動的第二輸送單元；以及 沉積單元，包括保持在真空狀態(tài)下的室以及用于在固定在傳送單元上的基底上沉積有機(jī)層的至少一個有機(jī)層沉積組件， 傳送單元包括: 運(yùn)送器，包括無接觸式電源模塊；和 靜電卡盤，固定地結(jié)合到運(yùn)送器以固定基底， 傳送單元被構(gòu)造為在第一輸送單元和第二輸送單元之間循環(huán)， 固定在傳送單兀上的基底被構(gòu)造為在被第一輸送單兀傳送的同時與有機(jī)層沉積組件分隔開設(shè)定距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，充電軌道在與第二輸送單元中的無接觸式電源模塊對應(yīng)的位置上，從而當(dāng)運(yùn)送器在第二輸送單元中被輸送并且以無接觸方式對無接觸式電源模塊提供電力時，在充電軌道和無接觸式電源模塊之間形成磁場。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送單元包括相互平行形成的一對引導(dǎo)軌道和結(jié)合到所述引導(dǎo)軌道的引導(dǎo)塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，充電軌道在引導(dǎo)軌道中位于與無接觸式電源模塊對應(yīng)的部分處 ，從而當(dāng)運(yùn)送器在第一輸送單元中被輸送并且以無接觸方式對無接觸式電源模塊提供電力時，在充電軌道和無接觸式電源模塊之間形成磁場。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，用于吸附基底的鐵卡盤還形成在靜電卡盤的一側(cè)，并且鐵卡盤被構(gòu)造成接觸基底。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送單元和第二輸送單元被構(gòu)造為穿過沉積單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送單元和第二輸送單元彼此平行地分別布置在上方和下方。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，所述有機(jī)層沉積設(shè)備還包括: 裝載單元，用于將基底固定在傳送單元上；和 卸載單元，用于將在穿過沉積單元的同時已經(jīng)完成了沉積的基底與傳送單元分開。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送單元被構(gòu)造為將傳送單元順序輸送到裝載單元、沉積單元和卸載單元中。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第二輸送單元被構(gòu)造為將傳送單元順序輸送到卸載單元、沉積單元和裝載單元中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，所述至少一個有機(jī)層沉積組件包括: 沉積源，用于排放沉積材料； 沉積源噴嘴單元，位于沉積源的側(cè)面并且包括多個沉積源噴嘴； 圖案化縫隙片，面對沉積源噴嘴單元并且包括沿著一個方向布置的多個圖案化縫隙， 其中，沉積源被構(gòu)造為將沉積材料排放為穿過圖案化縫隙片，以按特定圖案沉積在基底上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，在第一方向和與第一方向垂直的第二方向中的至少任何一個方向上，有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片形成為比基底小。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，磁軌位于運(yùn)送器的表面上，第一輸送單元和第二輸送單元中的每個包括多個線圈，其中，磁軌和多個線圈結(jié)合在一起來構(gòu)成用于產(chǎn)生使傳送單元移動的驅(qū)動力的操作單元。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送單元包括:引導(dǎo)構(gòu)件，每個引導(dǎo)構(gòu)件包括容納槽，其中，各容納槽被構(gòu)造為容納傳送單元的兩側(cè)，以引導(dǎo)傳送單元沿著第一方向移動；磁懸浮軸承，被構(gòu)造為使傳送單元從容納槽懸浮，從而使傳送單元以不與容納槽接觸的方式移動。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，磁懸浮軸承包括布置在運(yùn)送器的兩個側(cè)表面上的側(cè)磁懸浮軸承和布置在運(yùn)送器上方的上磁懸浮軸承。
16.一種通過利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)層沉積設(shè)備用于在基底上形成有機(jī)層，所述方法包括: 通過使用安裝成穿過室的第一輸送單元將固定有基底的傳送單元輸送到室中，其中，傳送單元包括運(yùn)送器，所述運(yùn)送器包括: 無接觸式電源模塊；和 靜電卡盤，固定地結(jié)合到運(yùn)送器以固定基底； 在所述室中的有機(jī)層沉積組件與基底分隔開設(shè)定距離的情況下，在基底相對于有機(jī)層沉積組件移動的同時，通過在基底上沉積從有機(jī)層沉積組件排放的沉積材料形成有機(jī)層；以及 通過使用被安裝成穿過室的第二輸送單元將與基底分離的傳送單元輸送到裝載單元， 其中，在通過第一輸送單元輸送傳送單元、形成有機(jī)層和/或通過第二輸送單元輸送傳送單元的情況下，在傳送單元被輸送的同時靜電卡盤被無接觸式電源模塊充電。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在通過無接觸式電源模塊對靜電卡盤進(jìn)行充電的情況下，充電軌道在第二輸送單元中形成在與無接觸式電源模塊對應(yīng)的位置處，從而當(dāng)運(yùn)送器在第二輸送單元中被輸送時，在充電軌道和無接觸式電源模塊之間形成磁場，以無接觸方式向無接觸式電源模塊供應(yīng)電力。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，第一輸送單元包括相互平行形成的一對引導(dǎo)軌道和結(jié)合到所述一對引導(dǎo)軌道的引導(dǎo)塊。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，充電軌道在引導(dǎo)軌道中形成在與無接觸式電源模塊對應(yīng)的位置處，從而當(dāng)運(yùn)送器在第一輸送單元中被輸送時，在充電軌道和無接觸式電源模塊之間形成磁場，以無接觸方式向無接觸式電源模塊供應(yīng)電力。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，靜電卡盤還包括形成在靜電卡盤的一側(cè)用于吸附基底的鐵卡盤，基底接觸鐵卡盤。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括: 在第一輸送單元輸送傳送單元之前，在裝載單元中將基底固定在傳送單元上；以及 在第二輸送單元輸送傳送單元之前，在卸載單元中將已經(jīng)對其完成沉積的基底從傳送單元分離。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中，傳送單兀在第一輸送單兀和第二輸送單兀之間循環(huán)移動。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，第一輸送單元和第二輸送單元彼此平行地分別布置在上方和下方。
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，有機(jī)層沉積組件包括: 沉積源，排放沉積材料； 沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的側(cè)面并且包括多個沉積源噴嘴； 圖案化縫隙片，面對沉積源噴嘴單元并且包括沿著與第一方向垂直的第二方向布置的多個圖案化縫隙， 其中，從沉積源排放的沉積材料穿過圖案化縫隙片以特定圖案沉積在基底上。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，在第一方向和第二方向中的至少任何一個方向上，有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片形成為比基底小。
26.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 基底； 至少一個薄膜晶體管，位于基底上并且包括半導(dǎo)體有源層、與半導(dǎo)體有源層絕緣的柵電極以及均接觸半導(dǎo)體有源層的源電極和漏電極； 多個像素電極，位于薄膜 晶體管上； 多個有機(jī)層，位于所述多個像素電極上；以及 對向電極，位于所述多個有機(jī)層上， 其中，位于基底上的多個有機(jī)層中的離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)的至少一個有機(jī)層的斜邊的長度比形成為離沉積區(qū)域的中心較近的其它有機(jī)層的斜邊的長度長， 其中，位于基底上的多個有機(jī)層中的所述至少一個有機(jī)層是利用權(quán)利要求1的有機(jī)層沉積設(shè)備形成的線性圖案化的有機(jī)層。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，基底具有40英寸或更大的尺寸。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個有機(jī)層至少包括發(fā)射層。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個有機(jī)層具有不均勻的厚度。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)地形成的每個有機(jī)層中，離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)的斜邊比另一斜邊長。
31.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，沉積區(qū)域中的所述多個有機(jī)層之中的有機(jī)層離沉積區(qū)域的中心越遠(yuǎn)，該有機(jī)層的兩側(cè)的疊置區(qū)域形成地越窄。
32.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，設(shè)置在沉積區(qū)域的中心的有機(jī)層的斜邊具有基本相同的長度。
33.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，沉積區(qū)域中的所述多個有機(jī)層關(guān)于沉積區(qū)域的中心對稱布置。
【文檔編號】H01L51/56GK103545462SQ201310288033
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月10日
【發(fā)明者】韓圭燮 申請人:三星顯示有限公司