光器件以及光器件的加工方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種光器件以及光器件的加工方法，其能夠提升光的取出效率。一種光器件，其特征在于，具有：具有發(fā)光層的四邊形的表面；與該表面平行的四邊形的背面；以及連接該表面和該背面的第1至第4側(cè)面，第1側(cè)面相對(duì)于該表面的垂直線傾斜第1角度，該第1側(cè)面對(duì)面的第2側(cè)面相對(duì)于該垂直線傾斜第2角度，并且第3側(cè)面相對(duì)于該垂直線傾斜第3角度，該第3側(cè)面對(duì)面的4側(cè)面相對(duì)于該垂直線傾斜第4角度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】光器件以及光器件的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光器件以及光器件的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在激光二極管(LD)或發(fā)光二極管(LED)等光器件的制造過(guò)程中，制造出在由藍(lán)寶石或碳化硅(SiC)等構(gòu)成的結(jié)晶成長(zhǎng)用基板的上表面例如通過(guò)外延成長(zhǎng)而層疊有具有多個(gè)光器件的發(fā)光層(外延層)的光器件晶片。
[0003]在由設(shè)定為格子狀的分割預(yù)定線劃分成的各區(qū)域中形成LD、LED等光器件，通過(guò)沿著分割預(yù)定線來(lái)分割光器件晶片而實(shí)現(xiàn)單片化，從而制造出一個(gè)個(gè)光器件芯片。
[0004]以往，作為沿著分割預(yù)定線來(lái)分割光器件晶片的方法，公知以下方法:沿著分割預(yù)定線照射相對(duì)于晶片具有吸收性的波長(zhǎng)的脈沖激光光束從而形成激光加工槽，通過(guò)對(duì)晶片施加外力而以激光加工槽為起點(diǎn)來(lái)斷裂光器件晶片(參照日本特開(kāi)平10-305420號(hào)公報(bào))。
[0005]另一方面還提出了以下方法:為了提升光器件的亮度，將聚光點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)晶片的內(nèi)部照射相對(duì)于光器件晶片具有透射性的波長(zhǎng)的脈沖激光光束，從而在內(nèi)部形成沿著分割預(yù)定線的改性層，對(duì)強(qiáng)度由于該改性層而降低了的分割預(yù)定線施加外力來(lái)分割光器件晶片(例如，參照日本特開(kāi)2008-006492號(hào)公報(bào))。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平10-305420號(hào)公報(bào)
[0008]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2008-006492號(hào)公報(bào)
[0009]LED等光器件要求更高的亮度，并要求光的取出效率的提升。在以往的光器件的加工方法中，由于相對(duì)于光器件晶片大致垂直地入射激光光束，以激光加工槽或改性層為分割起點(diǎn)而將光器件晶片分割為一個(gè)個(gè)光器件芯片，所以光器件芯片的側(cè)面被加工成相對(duì)于形成在表面的發(fā)光層大致垂直，光器件構(gòu)成長(zhǎng)方體形狀。
[0010]因此，從發(fā)光層射出的光在側(cè)面全反射的比例變高，在重復(fù)全反射中最終在光器件芯片的內(nèi)部削光的比例變高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明是鑒于這樣的方面而做出的發(fā)明，其目的在于提供能夠提升光取出效率的光器件和光器件的加工方法。
[0012]根據(jù)本發(fā)明第I方面所記載的發(fā)明，提供了一種光器件，其特征在于，具有:具有發(fā)光層的四邊形的表面；與該表面平行的四邊形的背面；以及連接該表面和該背面的第I側(cè)面至第4側(cè)面，第I側(cè)面相對(duì)于該表面的垂直線傾斜第I角度，該第I側(cè)面對(duì)面的第2側(cè)面相對(duì)于該垂直線傾斜第2角度，并且第3側(cè)面相對(duì)于該垂直線傾斜第3角度，該第3側(cè)面對(duì)面的第4側(cè)面相對(duì)于該垂直線傾斜第4角度。
[0013]優(yōu)選的是，光器件的從表面到背面的截面形狀為平行四邊形或者梯形。優(yōu)選的是第I角度至第4角度全部設(shè)定為同一角度。[0014]根據(jù)本發(fā)明第5方面所記載的發(fā)明，提供了本發(fā)明第I方面至第4方面中的任一項(xiàng)所記載的光器件的加工方法，其特征在于，具有:晶片準(zhǔn)備步驟，準(zhǔn)備光器件晶片，上述光器件晶片在表面具有發(fā)光層并設(shè)定有多條交叉的分割預(yù)定線，在該發(fā)光層的由該分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域分別具有光器件；傾斜面設(shè)定步驟，在光器件晶片設(shè)定與上述光器件的上述第I側(cè)面至第4側(cè)面相對(duì)應(yīng)的多個(gè)傾斜面；以及激光加工步驟，在實(shí)施了上述傾斜面設(shè)定步驟后，沿著上述傾斜面照射相對(duì)于光器件晶片具有吸收性的波長(zhǎng)的激光光束，從而形成沿著上述傾斜面的激光加工槽。
[0015]優(yōu)選的是，光器件的加工方法在實(shí)施了激光加工步驟后還具有分割步驟，在該分割步驟中，對(duì)光器件晶片施加外力以將光器件晶片分割為一個(gè)個(gè)光器件。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的光器件，由于使第I側(cè)面至第4側(cè)面相對(duì)于針對(duì)發(fā)光層的垂直線傾斜第I角度至第4角度，所以能夠降低在光器件的側(cè)面全反射的光，能夠?qū)崿F(xiàn)光取出效率的提升。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是光器件晶片的表面?zhèn)攘Ⅲw圖。
[0018]圖2是說(shuō)明傾斜面設(shè)定步驟的光器件晶片的剖視圖。
[0019]圖3是表示光器件晶片保持步驟的立體圖。
[0020]圖4是說(shuō)明激光加工步驟的立體圖。
[0021]圖5是激光光束照射單元的方框圖。
[0022]圖6是表示激光加工步驟的光器件晶片的剖視圖。
[0023]圖7是表示分割步驟的光器件晶片的剖視圖。
[0024]圖8是表示改性層形成步驟的光器件晶片的剖視圖。
[0025]圖9是表示分割步驟的光器件晶片的剖視圖。
[0026]圖10是本發(fā)明第I實(shí)施方式的光器件的立體圖。
[0027]圖11中，(A)是沿圖10中的11A-11A線的剖視圖，(B)是沿圖10中的11B-11B線的剖視圖。
[0028]圖12是本發(fā)明第2實(shí)施方式的光器件的立體圖。
[0029]圖13中，(A)是沿圖12中的13A-13A線的剖視圖，(B)是沿圖12中的13B-13B線的剖視圖。
[0030]圖14中，(A)是倒梯形的光器件的沿著第I切斷線的剖視圖，(B)是沿著與第I切斷線正交的第2切斷線的剖視圖。
[0031]圖15是另外其他的實(shí)施方式的光器件的剖視圖。
[0032]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0033]11光器件晶片
[0034]12激光光束照射單元
[0035]13藍(lán)寶石基板
[0036]15發(fā)光層(外延層)
[0037]17分割預(yù)定線
[0038]18激光光束產(chǎn)生單元[0039]19光器件
[0040]20激光光束產(chǎn)生單元
[0041]21傾斜面
[0042]23激光光束照射線
[0043]27激光加工槽
[0044]33、35、37、39 光器件
[0045]36支撐臺(tái)
[0046]38分割桿
【具體實(shí)施方式】
[0047]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。參照?qǐng)D1，表示了光器件晶片11的表面?zhèn)攘Ⅲw圖。光器件晶片11構(gòu)成為在監(jiān)寶石基板13上層置有氣化嫁(GaN)等發(fā)光層(外延層)15。光器件晶片11具有:層疊有發(fā)光層15的表面Ila以及露出藍(lán)寶石基板13的背面lib。
[0048]藍(lán)寶石基板13例如有100 μ m的厚度，發(fā)光層15例如有5 μ m的厚度。在發(fā)光層15通過(guò)設(shè)定為格子狀的分割預(yù)定線(間隔道)17來(lái)劃分并形成有LED等多個(gè)光器件19。
[0049]在本發(fā)明的光器件的加工方法中，在準(zhǔn)備了上述那樣的光器件晶片11后，實(shí)施以下傾斜面設(shè)定步驟:在光器件晶片11設(shè)定與應(yīng)該形成的光器件的側(cè)面的傾斜角度相對(duì)應(yīng)的多個(gè)傾斜面。
[0050]在該傾斜面設(shè)定步驟中，如圖2所示，根據(jù)應(yīng)該形成的光器件19的側(cè)面的傾斜角度與光器件晶片11的厚度，將從分割預(yù)定線17的中心17a向背面Ilb引出預(yù)定角度的傾斜面21時(shí)的、傾斜面21與背面Ilb的交點(diǎn)位置23設(shè)定為激光光束照射線。
[0051]然后，算出激光光束照射線23在與分割預(yù)定線17的延伸方向正交的方向中從分割預(yù)定線17的中心17a偏離了多少。另外，以下將該偏離的距離稱為偏移距離。使偏移距離與光器件晶片11的分割預(yù)定線17的中心間距離(分度(index)量)一起存儲(chǔ)到激光加工裝置8的存儲(chǔ)器中。
[0052]在實(shí)施了傾斜面設(shè)定步驟后，如圖3所示，經(jīng)切割帶T將光器件晶片11吸引保持在激光加工裝置8的卡盤(pán)工作臺(tái)10，使光器件晶片11的背面Ilb露出。然后，通過(guò)省略了圖示的夾緊裝置來(lái)加緊固定環(huán)狀框架F，切割帶T的外周部被粘貼于上述環(huán)狀框架F。
[0053]激光光束照射單元12由收納在機(jī)殼16中的圖5所示的激光光束產(chǎn)生單元18，和能夠轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝在機(jī)殼16的末端部的聚光器(激光頭)20構(gòu)成。
[0054]標(biāo)號(hào)34是具有顯微鏡以及CXD照相機(jī)等通常的攝像元件以及紅外線攝像元件的攝像單元。光器件晶片11構(gòu)成為在藍(lán)寶石基板13上層疊有發(fā)光層15，由于藍(lán)寶石基板13是透明的，所以能夠通過(guò)通常的攝像元件從光器件晶片11的背面Ilb側(cè)來(lái)拍攝形成于表面Ila的分割預(yù)定線17。
[0055]在本發(fā)明的光器件的加工方法中，實(shí)施如下校準(zhǔn):利用攝像單元34從光器件晶片11的背面Ilb側(cè)拍攝光器件晶片11，使分割預(yù)定線17和聚光器(激光頭)20排列在X軸方向。
[0056]在該校準(zhǔn)步驟中，使光器件晶片11的分割預(yù)定線17和激光加工裝置8的聚光器20排列在X軸方向，當(dāng)檢測(cè)出在第I方向延伸的分割預(yù)定線17并將其Y坐標(biāo)值存儲(chǔ)到了存儲(chǔ)器后，90度旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)工作臺(tái)10之后，檢測(cè)在與第I方向正交的第2方向延伸的分割預(yù)定線17，并將其Y坐標(biāo)值存儲(chǔ)到存儲(chǔ)器。
[0057]在實(shí)施了校準(zhǔn)后，實(shí)施如下激光加工步驟:沿著片背面Ilb的與分割預(yù)定線17相距偏移距離的位置處的晶激光光束照射線23且仿照傾斜面27照射相對(duì)于光器件晶片11具有吸收性的波長(zhǎng)的激光光束，從而形成沿著傾斜面21的激光加工槽27。
[0058]如圖5所示，激光光束照射單元12的激光光束產(chǎn)生單元18包括:振蕩出YAG激光或YV04激光的激光振蕩器22、重復(fù)頻率設(shè)定構(gòu)件24、脈沖寬幅調(diào)整構(gòu)件26、以及功率調(diào)整構(gòu)件28。
[0059]利用激光光束產(chǎn)生單元18的功率調(diào)整構(gòu)件28而調(diào)整為預(yù)定功率的脈沖激光光束通過(guò)能夠轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝在機(jī)殼16的末端的聚光器20的反射鏡30而被反射，并通過(guò)聚光用物鏡32而聚光并照射到保持在卡盤(pán)工作臺(tái)10的光器件晶片11。
[0060]如圖6所示，在實(shí)施該激光加工步驟時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)聚光器20直到與傾斜面21平行為止，從聚光器20向光器件晶片11的背面Ilb照射被調(diào)整為預(yù)定功率的脈沖激光光束，沿著傾斜面21形成預(yù)定深度的激光加工槽27。
[0061]一邊在Y軸方向以分度量分度進(jìn)給卡盤(pán)工作臺(tái)10，一邊與在第I方向延伸的全部的分割預(yù)定線17對(duì)應(yīng)地沿著傾斜面21形成激光加工槽27。接下來(lái)，使卡盤(pán)工作臺(tái)10轉(zhuǎn)動(dòng)90度后，與在第2方向延伸的全部的分割預(yù)定線17對(duì)應(yīng)地形成沿著傾斜面21的激光加工槽27，上述第2方向與第I方向正交。
[0062]例如以以下方式來(lái)設(shè)定該激光加工步驟的加工條件。
[0063]光源:LD激發(fā)Q開(kāi)關(guān)Nd =YAG激光
[0064]波長(zhǎng):355nm (YAG激光的第3高次諧波)
[0065]平均輸出:2W
[0066]加工進(jìn)給速度:100mm/秒
[0067]在實(shí)施了激光加工步驟后，實(shí)施如下分割步驟:對(duì)光器件晶片11施加外力從而將光器件晶片11分割為一個(gè)個(gè)光器件。在該分割步驟中，例如圖7所示，以使傾斜的激光加工槽27位于相隔預(yù)定間隔的一對(duì)支撐臺(tái)36之間的方式，將光器件晶片11的背面Ilb定位并搭載到支撐臺(tái)36上。
[0068]并且，使具有銳角末端部的楔形形狀的分割桿38在箭頭A方向移動(dòng)，將分割桿38按壓到形成于光器件晶片11的表面Ila的分割預(yù)定線17，由此以激光加工槽27為分割起點(diǎn)如標(biāo)號(hào)29所示那樣斷裂光器件晶片11。例如利用氣缸等來(lái)進(jìn)行分割桿38的驅(qū)動(dòng)。
[0069]當(dāng)沿著一個(gè)激光加工槽27的斷裂結(jié)束時(shí)，在橫方向以一個(gè)間距(pitch)移動(dòng)光器件晶片11，將下一個(gè)激光加工槽27定位到一對(duì)支撐臺(tái)36的中間部分，驅(qū)動(dòng)分割桿38以下一個(gè)激光加工槽27為分割起點(diǎn)來(lái)斷裂光器件晶片11。
[0070]當(dāng)沿著在第I方向延伸的全部分割預(yù)定線17的分割結(jié)束時(shí)，使光器件晶片11旋轉(zhuǎn)90度，沿著與在第I方向延伸的分割預(yù)定線17正交的在第2方向延伸的分割預(yù)定線17同樣地進(jìn)行分割。由此，將光器件晶片11分割為一個(gè)個(gè)光器件芯片。
[0071]在上述的說(shuō)明中，一對(duì)支撐臺(tái)36以及分割桿38在橫方向固定，光器件晶片11在橫方向移動(dòng)，但是也可以將光器件晶片11保持為靜止?fàn)顟B(tài)，使支撐臺(tái)36以及分割桿38在橫方向每次移動(dòng)一個(gè)間距。
[0072]接下來(lái)，參照?qǐng)D8，對(duì)作為本發(fā)明第2實(shí)施方式的激光加工步驟的改性層形成步驟進(jìn)行說(shuō)明。在該改性層形成步驟中，首先如圖8的(A)所示，將激光光束的聚光點(diǎn)定位到傾斜面21上的表面Ila附近，從光器件晶片11的背面Ilb側(cè)與沿第I方向伸長(zhǎng)的分割預(yù)定線17在Y軸方向相距預(yù)定距離地照射相對(duì)于光器件晶片11具有透射性的波長(zhǎng)的激光光束，從而在光器件晶片11的內(nèi)部形成第I改性層31a。
[0073]接下來(lái),如圖8的(B)所示,使激光光束的聚光點(diǎn)慢慢地移動(dòng)到背面Ilb側(cè),沿著傾斜面21形成第2改性層31b、第3改性層31c、以及第4改性層31d。
[0074]接下來(lái)，在Y軸方向?qū)ūP(pán)工作臺(tái)10進(jìn)行一個(gè)間距的分度進(jìn)給，沿著與下一分割預(yù)定線17對(duì)應(yīng)的傾斜面21形成同樣的第I至第4改性層31a?31d。
[0075]例如以以下方式來(lái)設(shè)定形成改性層的激光加工條件。
[0076]光源:LD激發(fā)Q開(kāi)關(guān)Nd =YAG激光
[0077]波長(zhǎng):1064nm
[0078]平均輸出:0.I?0.2W
[0079]加工進(jìn)給速度:600mm/秒
[0080]在沿著與全部分割預(yù)定線17相對(duì)應(yīng)的傾斜面21實(shí)施了改性層形成步驟后，如圖9所示，以使第I改性層31a位于相隔預(yù)定間隔的一對(duì)支撐臺(tái)36之間的方式將光器件晶片11定位并搭載到支撐臺(tái)36上，并使具有銳角末端部的楔形形狀的分割桿38在箭頭A方向移動(dòng)，將分割桿38按壓到光器件晶片11的背面11b，由此以改性層31a?31d為分割起點(diǎn)如標(biāo)號(hào)29所示那樣來(lái)斷裂光器件晶片11。
[0081]當(dāng)沿著具有改性層31a?31d的一個(gè)傾斜面21的斷裂結(jié)束時(shí)，使光器件晶片11在箭頭B方向移動(dòng)一個(gè)間距，從而將下一個(gè)第I改性層31a定位到一對(duì)支撐臺(tái)36的中間部分，驅(qū)動(dòng)分割桿38以下一個(gè)改性層31a?31d為分割起點(diǎn)來(lái)斷裂光器件晶片11。
[0082]參照?qǐng)D10,表不利用上述的實(shí)施方式的光器件的加工方法而形成的第I實(shí)施方式的LED等光器件33的立體圖。光器件33構(gòu)成為在藍(lán)寶石基板13上層疊有發(fā)光層15。圖11的(A)是沿圖10中的11A-11A線的剖視圖，圖11中(B)是沿圖10中的11B-11B線的剖視圖。
[0083]光器件33具有:具有發(fā)光層15的四邊形的表面33a ;藍(lán)寶石基板13被露出的四邊形的背面33b ；以及連接表面33a和背面33b的第I至第4側(cè)面33c?33f。背面33b大致平行于表面33a。
[0084]如圖11的(A)所示，第I側(cè)面33c相對(duì)于表面33a的垂直線傾斜第I角度Θ 1，第I側(cè)面33c對(duì)面的第2側(cè)面33d相對(duì)于表面33a的垂直線傾斜成第2角度Θ 2。
[0085]并且，如圖11的(B)所示，第3側(cè)面33e相對(duì)于表面33a的垂直線傾斜第3角度Θ 3，第3側(cè)面33e對(duì)面的第4側(cè)面33f相對(duì)于表面33a的垂直線傾斜第4角度Θ 4。
[0086]例如，本實(shí)施方式的光器件33的第I角度Θ I至第4角度Θ 4全部為同一角度，這種情況下，從光器件33的表面33a到背面33b的截面形狀(縱截面形狀)為平行四邊形。例如，將Θ1?Θ 4設(shè)定為30度。也可以將Θ1?Θ 4設(shè)定為彼此不同的角度。
[0087]參照?qǐng)D12，表示了本發(fā)明第2實(shí)施方式的光器件35的立體圖。圖13的(A)是沿圖12中的13A-13A線的剖視圖，圖13的(B)是沿圖12中的13B-13B線的剖視圖。[0088]光器件35具有:具有發(fā)光層15的四邊形的表面35a ;形成為與表面35a大致平行且藍(lán)寶石基板13被露出的四邊形的背面35b ;以及連接表面35a和背面35b的第I側(cè)面至第4側(cè)面35c?35f0
[0089]如圖13的(A)所示，第I側(cè)面35c相對(duì)于表面35a的垂直線傾斜第I角度Θ 1，第I側(cè)面35c對(duì)面的第2側(cè)面35d相對(duì)于表面35a的垂直線傾斜成第2角度Θ 2。
[0090]并且，如圖13的(B)所示，第3側(cè)面35e相對(duì)于表面35a的垂直線傾斜第3角度Θ 3，第3側(cè)面35e對(duì)面的第4側(cè)面35f相對(duì)于表面35a的垂直線傾斜第4角度Θ 4。
[0091]這里，在第I角度至第4角度Θ1?Θ 4全部為同一角度的情況下，光器件35的縱截面形狀(從表面35a到背面35b的截面形狀)為梯形。也可以將第I角度至第4角度Θ1?Θ 4全部設(shè)定為彼此不同的角度。
[0092]參照?qǐng)D14，表示了本發(fā)明第3實(shí)施方式的光器件37的縱剖視圖。本實(shí)施方式的光器件37具有:具有發(fā)光層的四邊形的表面37a ;與表面37a大致平行且藍(lán)寶石基板13被露出的四邊形的背面37b ;以及連接表面37a和背面37b的第I側(cè)面至第4側(cè)面37c?37f。
[0093]如圖14的(A)所示，第I側(cè)面37c相對(duì)于表面37a的垂直線傾斜第I角度Θ 1，第I側(cè)面37c對(duì)面的第2側(cè)面37d相對(duì)于表面37a的垂直線傾斜第2角度Θ 2。
[0094]并且，如圖14的(B)所示，第3側(cè)面37e相對(duì)于表面37a的垂直線傾斜第3角度Θ 3，第3側(cè)面37e對(duì)面的第4側(cè)面37f相對(duì)于表面37a的垂直線傾斜第4角度Θ 4。
[0095]第I角度至第4角度Θ1?Θ 4全部為同一角度的情況下，光器件37的縱截面形狀為倒梯形。當(dāng)然，也可以將第I角度至第4角度Θ1?Θ 4設(shè)定為彼此不同的角度。
[0096]參照?qǐng)D15，表示了本發(fā)明第4實(shí)施方式的光器件39的縱剖視圖。光器件39具有:具有發(fā)光層15的四邊形的表面39a ;與表面39a大致平行且藍(lán)寶石基板13被露出的四邊形的背面39b ;以及連接表面39a和背面39b的四個(gè)側(cè)面。
[0097]如圖15所明示，第I側(cè)面39c相對(duì)于表面39a的垂直線傾斜第I角度Θ 1，第I側(cè)面39c對(duì)面的第2側(cè)面39d相對(duì)于表面39a的垂直線傾斜與第I角度Θ I不同的第2角度Θ2。第3側(cè)面與第4側(cè)面沒(méi)有圖示，但是也可以使第3側(cè)面傾斜第3角度Θ3，使第4側(cè)面傾斜不同于第3角度Θ 3的第4角度Θ 4。
【權(quán)利要求】
1.一種光器件，其特征在于，具有: 具有發(fā)光層的四邊形的表面；與該表面平行的四邊形的背面；以及連接該表面和該背面的第I側(cè)面至第4側(cè)面， 第I側(cè)面相對(duì)于該表面的垂直線傾斜第I角度，該第I側(cè)面對(duì)面的第2側(cè)面相對(duì)于該垂直線傾斜第2角度，并且第3側(cè)面相對(duì)于該垂直線傾斜第3角度，該第3側(cè)面對(duì)面的第4側(cè)面相對(duì)于該垂直線傾斜第4角度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光器件，其特征在于， 從上述表面到上述背面的截面形狀為平行四邊形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光器件，其特征在于， 從上述表面到上述背面的截面形狀為梯形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光器件，其特征在于， 上述第I角度至第4角度全部為同一角度。
5.—種權(quán)利要求1所述的光器件的加工方法,其特征在于,具有: 晶片準(zhǔn)備步驟，準(zhǔn)備光器件晶片，上述光器件晶片在表面具有發(fā)光層并設(shè)定有多條交叉的分割預(yù)定線，在該發(fā)光層的由該分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域分別具有光器件； 傾斜面設(shè)定步驟，在光器件晶片設(shè)定與上述光器件的上述第I側(cè)面至第4側(cè)面相對(duì)應(yīng)的多個(gè)傾斜面；以及 激光加工步驟，在實(shí)施了上述傾斜面設(shè)定步驟后，沿著上述傾斜面照射相對(duì)于光器件晶片具有吸收性的波長(zhǎng)的激光光束，從而形成沿著上述傾斜面的激光加工槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光器件的加工方法,其特征在于， 該光器件的加工方法在實(shí)施了上述激光加工步驟后還具有分割步驟，在該分割步驟中，對(duì)光器件晶片施加外力以將光器件晶片分割為一個(gè)個(gè)光器件。
【文檔編號(hào)】H01L33/20GK103545409SQ201310287638
【公開(kāi)日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2013年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月11日
【發(fā)明者】岡村卓, 荒川太郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科