有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：襯底；位于襯底上的多個薄膜晶體管，其中薄膜晶體管中的每一個包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極；第一電極，分別電連接至多個薄膜晶體管并位于與多個薄膜晶體管相對應的各個像素上；有機層，分別位于第一電極上并包括發(fā)光層；輔助電極，輔助電極中的每一個位于有機層中的相鄰有機層之間的至少一部分上；以及第二電極，面對第一電極并覆蓋有機層和輔助電極。
【專利說明】有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]相關專利申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2012年10月22日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2012-0117504號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容通過弓I用并入本文。
【技術(shù)領域】
[0003]本發(fā)明的多個方面涉及有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]有機發(fā)光顯示裝置具有比其他顯示裝置更寬的視角、更好的對比度特性以及更快的響應速度，因此有機發(fā)光顯示裝置作為下一代顯示裝置而備受關注。
[0005]有機發(fā)光顯示裝置包括中間層，中間層包括位于第一電極與第二電極之間的發(fā)光層，第一電極和第二電極被布置為彼此相對。電極和中間層可使用多種方法形成，其中一種方法為獨立沉積法。當通過使用沉積法來制造有機發(fā)光顯示裝置時，具有與待形成的有機層相同的圖案的精細金屬掩模(FMM)被定位成與形成有有機層及其類似物的襯底緊密接觸，有機層材料沉積在FMM上以形成具有所需圖案的有機層。
[0006]然而，使用這種FMM的沉積法的困難之處在于使用大母玻璃制造較大的有機發(fā)光顯示裝置。例如，當使用這種大掩模時，掩模由于其自身的重量會彎曲，由此導致圖案的扭曲。鑒于最近朝高清圖案發(fā)展的趨勢，這種缺點使得FMM方法不可取。
[0007]此外，將襯底和FMM對準以彼此緊密接觸的過程、在FMM上進行沉積的過程以及將FMM從襯底分離的過程都耗費大量時間，從而導致較長的制造期及較低的生產(chǎn)效率。
[0008]本發(fā)明的發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明之前就已經(jīng)知曉了本文的【背景技術(shù)】部分中公開的信息，或者這些公開的信息為實現(xiàn)本發(fā)明的過程中所需的技術(shù)信息。因此，這些信息可包含不形成現(xiàn)有技術(shù)的信息或該國的本領域技術(shù)人員在發(fā)明人創(chuàng)造本發(fā)明之前已知的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的實施方式提供了制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，該方法適用于在大襯底上批量生產(chǎn)有機發(fā)光顯示裝置并能夠進行高清晰度構(gòu)圖，本發(fā)明的實施方式還提供了使用該方法制造的有機發(fā)光顯示裝置。
[0010]在根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式中，一種有機發(fā)光顯不裝置，其包括:襯底；位于該襯底上的多個薄膜晶體管，其中每個薄膜晶體管包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極；第一電極，分別電連接至多個薄膜晶體管，并位于與多個薄膜晶體管相對應的各個像素上；有機層，分別位于第一電極上的并包括發(fā)光層；輔助電極，該輔助電極中的每個位于有機層的相鄰有機層之間的至少一部分上；以及第二電極，面對第一電極并覆蓋有機層和輔助電極。
[0011]在根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式中，一種有機發(fā)光顯示裝置，包括:襯底；位于襯底上的多個薄膜晶體管，其中每個薄膜晶體管包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極；第一電極，分別電連接至多個薄膜晶體管，并位于與多個薄膜晶體管相對應的各個像素上；有機層，分別位于第一電極上的并包括發(fā)光層；第二電極，面對第一電極并覆蓋有機層；以及位于第二電極上的輔助電極，輔助電極中的每個位于有機層的相鄰有機層之間的至少一部分上。
[0012]位于襯底上的有機層中的至少一個有機層可具有線性圖案。
[0013]輔助電極均可具有線性圖案。
[0014]有機發(fā)光顯示裝置還可包括位于第一電極中的相鄰第一電極之間的像素限定層，其中，輔助電極位于像素限定層上。
[0015]襯底上的多個有機層中的遠離沉積區(qū)域中心的至少一個有機層的頂邊與底邊之間的斜邊的長度可以大于多個有機層中的更接近沉積區(qū)域中心的其他有機層的相應頂邊與底邊之間的斜邊的長度。
[0016]襯底可具有40英寸或更大的尺寸。
[0017]有機層可具有非均勻的厚度。
[0018]在多個有機層中的遠離沉積區(qū)域中心的每個有機層中，更遠離沉積區(qū)域中心的斜邊可以大于其他斜邊。
[0019]當沉積區(qū)域中的多個有機層被定位成更遠離沉積區(qū)域中心時，以第一方向延伸的兩側(cè)的重疊區(qū)域可以變窄。
[0020]位于沉積區(qū)域中心的有機層的斜邊具有基本相同的長度。
[0021]沉積區(qū)域中的多個有機層可圍繞沉積區(qū)域中心基本對稱地布置。
[0022]在根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式中，一種有機發(fā)光顯示裝置，包括:位于襯底上的多個薄膜晶體管，其中每個薄膜晶體管包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極，其中柵電極與有源層絕緣，源電極和漏電極與有源層接觸；多個第一電極，其中每個第一電極分別位于薄膜晶體管中相應的一個薄膜晶體管上并電連接至所述源電極和漏電極中的一個；多個像素限定層，位于多個第一電極之間并覆蓋多個第一電極的相應的邊緣區(qū)域；位于多個第一電極上的多個有機層；位于像素限定層上的多個輔助電極；以及第二電極，第二電極面對多個第一電極并覆蓋有機層和輔助電極。
[0023]在本發(fā)明的另一實施方式中，一種有機發(fā)光顯不裝置，包括:位于襯底上的多個薄膜晶體管，其中每個薄膜晶體管包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極，其中柵電極與有源層絕緣，源電極和漏電極與有源層接觸；多個第一電極，其中每個第一電極分別位于薄膜晶體管中相應的一個薄膜晶體管上并電連接至源電極和漏電極中的一個；多個像素限定層，位于多個第一電極之間并覆蓋多個第一電極的邊緣區(qū)域；位于多個第一電極上的多個有機層；第二電極，第二電極面對多個第一電極并覆蓋有機層；以及位于第二電極的與像素限定層相對應的部分上的多個輔助電極。
[0024]多個輔助電極中的每一個可位于有機層中的相鄰有機層之間的至少一部分上。
[0025]有機層可位于多個像素限定層的相鄰的兩個像素限定層之間。
[0026]位于襯底上的有機層中的至少一個可具有線性圖案。
[0027]輔助電極均可具有線性圖案。
[0028]襯底上的多個有機層中的遠離沉積區(qū)域中心的至少一個有機層的頂邊與底邊之間的斜邊的長度可以大于多個有機層中的更接近沉積區(qū)域中心的其他有機層的相應頂邊與底邊之間的斜邊的長度。
[0029]襯底可具有40英寸或更大的尺寸。
[0030]有機層可包括至少一個發(fā)光層。
[0031]有機層可具有非均勻的厚度。
[0032]在多個有機層中的遠離沉積區(qū)域中心的每個有機層中，更遠離沉積區(qū)域中心的斜邊可以大于其他斜邊。
[0033]當沉積區(qū)域中的多個有機層被定位成更遠離沉積區(qū)域中心時，以第一方向延伸的兩側(cè)的重疊區(qū)域可以變窄。
[0034]位于沉積區(qū)域中心的有機層的斜邊可具有基本相同的長度。
[0035]沉積區(qū)域中的多個有機層可圍繞沉積區(qū)域中心基本對稱地布置。
[0036]在根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式中，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。該方法包括:在襯底上形成多個薄膜晶體管，其中每個薄膜晶體管包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極，其中柵電極與有源層絕緣，源電極和漏電極與有源層接觸；在多個薄膜晶體管上形成多個第一電極，其中每個第一電極分別電連接至多個薄膜晶體管；在多個第一電極之間形成多個像素限定層；在多個第一電極上形成多個有機層；在像素限定層上形成多個輔助電極，輔助電極與有機層分隔開；以及形成第二電極，第二電極覆蓋像素限定層、輔助電極和有機層。
[0037]在根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式中，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。該方法包括:在襯底上形成多個薄膜晶體管，其中每個薄膜晶體管包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極，其中柵電極與有源層絕緣，源電極和漏電極與有源層接觸；在多個薄膜晶體管上形成多個第一電極，其中每個第一電極分別電連接至多個薄膜晶體管；在多個第一電極之間形成多個像素限定層；在多個第一電極上形成多個有機層；形成第二電極，第二電極覆蓋像素限定層和有機層；以及在第二電極的與像素限定層相對應是部分上形成多個輔助電極。
[0038]形成有機層可包括以線性圖案形成有機層。
[0039]形成多個輔助電極可包括以線性圖案形成輔助電極。
[0040]形成有機層和形成多個輔助電極的步驟可由有機層沉積裝置進行，其中，有機層沉積裝置可包括:沉積源，排出沉積材料；沉積源噴嘴單元，位于沉積源的一側(cè)并包括多個沉積源噴嘴；以及構(gòu)圖狹縫片，面對沉積源噴嘴單元并包括沿第一方向布置的多個構(gòu)圖狹縫，其中，從沉積源排出的沉積材料經(jīng)過構(gòu)圖狹縫片以一定的圖案沉積在襯底上。
[0041 ] 有機層沉積裝置的構(gòu)圖狹縫片可在第一方向或第二方向中至少一個方向上小于襯底，第二方向垂直于第一方向。
[0042]在根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式中，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。該方法包括:定位襯底以使襯底與有機層沉積裝置分隔開；當有機層沉積裝置或襯底中的一個相對于另一個移動時，通過對從有機層沉積裝置排出的沉積材料構(gòu)圖在襯底上形成有機層；當有機層沉積裝置或襯底中的一個相對于另一個移動時，通過對從有機層沉積裝置排出的沉積材料構(gòu)圖在襯底上形成輔助電極；以及形成覆蓋有機層和輔助電極的第二電極。
[0043]形成有機層可包括定位有機層沉積裝置以使有機層沉積裝置與襯底分隔開，當有機層沉積裝置與襯底相對于彼此移動時形成有機層，以及其中，有機層沉積裝置包括:沉積源，排出沉積材料；沉積源噴嘴單元，位于沉積源的一側(cè)并包括以第一方向布置的多個沉積源噴嘴；構(gòu)圖狹縫片，面對沉積源噴嘴單元并包括以第一方向布置的多個構(gòu)圖狹縫；以及遮蔽板組件，包括多個遮蔽板，多個遮蔽板在第一方向上位于沉積源噴嘴單元與構(gòu)圖狹縫片之間并將沉積源噴嘴單元與構(gòu)圖狹縫片之間的空間分成多個沉積空間。
[0044]多個遮蔽板可均以第二方向布置并將沉積源噴嘴單元與構(gòu)圖狹縫片之間的空間分成多個沉積空間，第二方向基本垂直于第一方向。
[0045]遮蔽板組件可包括第一遮蔽板組件和第二遮蔽板組件，第一遮蔽板組件包括多個第一遮蔽板，第二遮蔽板組件包括多個第二遮蔽板。
[0046]有機層沉積裝置的構(gòu)圖狹縫片可小于襯底。
[0047]形成有機層包括定位有機層沉積裝置以使有機層沉積裝置與襯底分隔開并且當有機層沉積裝置與襯底相對于彼此移動時形成有機層，以及其中，有機層沉積裝置包括:沉積源，排出沉積材料；沉積源噴嘴單元，位于沉積源的一側(cè)并包括以第一方向布置的多個沉積源噴嘴；以及構(gòu)圖狹縫片，面對沉積源噴嘴單元并包括以第一方向布置的多個構(gòu)圖狹縫。
[0048]多個沉積源噴嘴可以一定角度傾斜。
[0049]有機層沉積裝置的構(gòu)圖狹縫片可小于襯底。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0050]通過參照附圖對示例性實施方式進行詳細描述，本發(fā)明的上述以及其他特征和方面將變得顯而易見，在附圖中:
[0051]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機層沉積裝置的結(jié)構(gòu)的平面示意圖；
[0052]圖2為根據(jù)本發(fā)明實施方式的圖1的有機層沉積裝置的沉積單元的側(cè)面示意圖；
[0053]圖3為根據(jù)本發(fā)明實施方式的圖1的有機層沉積裝置的沉積單元的立體示意圖；
[0054]圖4為根據(jù)本發(fā)明實施方式的圖3的沉積單元的截面示意圖；
[0055]圖5為示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的圖3的沉積單元的第一輸送單元和轉(zhuǎn)移單元的示意性截面圖；
[0056]圖6為根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的有機層沉積組件的立體示意圖；
[0057]圖7為圖6的有機層沉積組件的示意性側(cè)面截面圖；
[0058]圖8為圖6的有機層沉積組件的示意性平面截面圖；
[0059]圖9為根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的有機層沉積組件的立體示意圖；
[0060]圖10為根據(jù)另一本發(fā)明實施方式的有機層沉積組件的立體示意圖；
[0061]圖11為示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的結(jié)構(gòu)的示意圖，在該結(jié)構(gòu)中構(gòu)圖狹縫以相等的間隔布置在包括圖3的沉積單元的有機層沉積裝置的構(gòu)圖狹縫片中；
[0062]圖12為示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的通過使用圖11的構(gòu)圖狹縫片形成在襯底上的有機層的不意圖；
[0063]圖13為根據(jù)本發(fā)明實施方式的使用有機層沉積裝置制造的有源矩陣型有機發(fā)光顯示裝置的截面圖；
[0064]圖14至圖16為用于示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的平面圖。【具體實施方式】
[0065]現(xiàn)在將詳細參照本發(fā)明的實施方式，其實施例均在附圖中示出，附圖中相似的參考標記表示相似的元件。下面將對實施方式進行描述以通過參照附圖闡明本發(fā)明的多個方面。當用語例如“至少一個”位于元件列表之前時，其修飾整個元件列表而不是修飾列表中的單個元件。
[0066]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機層沉積裝置I的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖2為根據(jù)本發(fā)明實施方式的圖1的有機層沉積裝置I的沉積單元100的側(cè)面示意圖。
[0067]參照圖1和圖2，有機層沉積裝置I包括沉積單元100、裝載單元200、卸載單元300和輸送單元400。
[0068]裝載單元200可包括第一機架212、運送室214、第一反轉(zhuǎn)室218、以及緩沖室219。
[0069]其上還未應用沉積材料的多個襯底2堆疊在第一機架212上。包括在運送室214中的運送機器人從第一機架212的多個襯底2中挑選出一個襯底，將該襯底放置在由第二輸送單元420轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移單元430上，然后將放置有襯底2的轉(zhuǎn)移單元430移動至第一反轉(zhuǎn)室218。
[0070]第一反轉(zhuǎn)室218與運送室214相鄰。第一反轉(zhuǎn)室218包括第一反轉(zhuǎn)機器人,第一反轉(zhuǎn)機器人將轉(zhuǎn)移單元430反轉(zhuǎn)然后將其裝載在沉積單元100的第一輸送單元410上。[0071 ] 參照圖1，運送室214的運送機器人將襯底2中的一個放置在轉(zhuǎn)移單元430的頂面上，放置有襯底2的轉(zhuǎn)移單元430然后被轉(zhuǎn)移至第一反轉(zhuǎn)室218。第一反轉(zhuǎn)室218的第一反轉(zhuǎn)機器人將轉(zhuǎn)移單元430反轉(zhuǎn)，從而使襯底2在沉積單元100中被上下顛倒。 [0072]卸載單元300被配置成以與上述裝載單元200相反的方式操作。具體地，第二反轉(zhuǎn)室328中的第二反轉(zhuǎn)機器人將轉(zhuǎn)移單元430 (轉(zhuǎn)移單元430在襯底2被放置在轉(zhuǎn)移單元
430上的同時經(jīng)過沉積單元100)反轉(zhuǎn)，然后將放置有襯底2的轉(zhuǎn)移單元430移動至排放室324。然后，排放機器人將放置有襯底2的轉(zhuǎn)移單元430放置到排放室324之外，使襯底2與轉(zhuǎn)移單元430分離，然后將襯底2裝載在第二機架322上。與襯底2分離的轉(zhuǎn)移單元430通過第二輸送單元420返回至裝載單元200。
[0073]然而，本發(fā)明并不限于上述實施例。例如，當將襯底2放置在轉(zhuǎn)移單元430上時，襯底2可被固定(或附接至)轉(zhuǎn)移單元430的底面上隨后被移動至沉積單元100內(nèi)。在這樣的實施方式中，例如，第一反轉(zhuǎn)室218的第一反轉(zhuǎn)機器人和第二反轉(zhuǎn)室328的第二反轉(zhuǎn)機器人可被省卻。
[0074]沉積單元100可包括至少一個用于沉積的室。在一個實施方式中，如圖1和圖2所示，沉積單元100包括室101，多個有機層沉積組件(100-1)、(100-2)…(100-n)可位于室101中。參照圖1，11個有機層沉積組件即第一有機層沉積組件(100-1)、第二有機層沉積組件(100-2)直至第十一有機層沉積組件(100-11)位于室101中，但有機層沉積組件的數(shù)量可隨所需的沉積材料和沉積條件而變化。室101在沉積過程中保持真空。
[0075]在圖1所示的實施方式中，可通過第一輸送單元410將上面固定(或附接)有襯底2的轉(zhuǎn)移單元430至少移動至沉積單元100，或可順序地移動至裝載單元200、沉積單元100和卸載單元300，在卸載單元300中與襯底2分離的轉(zhuǎn)移單元430可通過第二輸送單元420返回至裝載單元200。
[0076]第一輸送單元410在經(jīng)過沉積單元100時穿過室101，第二輸送單元420輸送(或運送)與襯底2分離的轉(zhuǎn)移單元430。
[0077]在該實施方式中，有機層沉積裝置被配置成使第一輸送單元410和第二輸送單元420分別定位在上方和下方，從而在經(jīng)過第一輸送單元410時已完成沉積的轉(zhuǎn)移單元430在卸載單元300中與襯底2分離之后，轉(zhuǎn)移單元430通過形成在第一輸送單元410下方的第二輸送單元420返回至裝載單元200，由此，有機層沉積裝置I可具有改善的空間利用率。
[0078]在一個實施方式中，圖1的沉積單元100還可包括沉積源替換單元190，沉積源替換單元190位于每個有機層沉積組件的一側(cè)。雖然附圖中沒有特別示出，但沉積源替換單元190可形成為可從每個有機層沉積組件拉出的盒型。因此，有機層沉積組件100-1的沉積源110 (參照圖3)可容易地進行替換。
[0079]圖3為根據(jù)本發(fā)明實施方式的圖1的有機層沉積裝置I的沉積單元100的立體示意圖。圖4為根據(jù)本發(fā)明實施方式的圖3的沉積單元100的截面示意圖。此外，圖5為示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的圖3的沉積單元100的第一輸送單元410和轉(zhuǎn)移單元430的示意性截面圖。
[0080]參照圖3和圖4，有機層沉積裝置I的沉積單元100包括至少一個有機層沉積組件100-1和輸送單元400。
[0081]在下文中，將對沉積單元100的整體結(jié)構(gòu)進行描述。
[0082]室101可被形成為中空盒型并容納至少一個有機層沉積組件100-1和轉(zhuǎn)移單元430。在另一種描述方式中，形成底座102以將沉積單元100固定在地面上，在底座102上布置有下殼體103，在下殼體103上布置有上殼體104。室101容納下殼體103和上殼體104。由此，下殼體103與室101的連接部被密封以使室101的內(nèi)部與外界完全隔離。由于下殼體103和上殼體104位于固定在地面上的底座102上的結(jié)構(gòu)，盡管室101反復收縮與膨脹，下殼體103和上殼體104也可保持在固定的位置。因此，下殼體103和上殼體104可用作沉積單元100中的參考系。
[0083]上殼體104包括有機層沉積組件100-1和輸送單元400的第一輸送單元410，下殼體103包括輸送單元400的第二輸送單元420。雖然轉(zhuǎn)移單元430在第一輸送單元410與第二輸送單元420之間循環(huán)移動，但沉積過程連續(xù)進行。
[0084]在下文中，將詳細描述有機層沉積組件100-1的組成部分。
[0085]第一有機層沉積組件100-1包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、構(gòu)圖狹縫片130、遮蔽部件140、第一臺階150、第二臺階160、相機(或多個相機)170以及傳感器(或多個傳感器)180。由此，圖3和圖4中示出的所有元件可布置在維持合適的真空狀態(tài)的室101中。這樣的結(jié)構(gòu)被用于實現(xiàn)沉積材料的線性性。
[0086]例如，為了將已從沉積源110排出并經(jīng)過沉積源噴嘴單元120和構(gòu)圖狹縫片130的沉積材料115以所需的圖案沉積在襯底2上，需要使用精細金屬掩模(FMM)將室101維持在與沉積法中使用的真空狀態(tài)相同的真空狀態(tài)下。此外，構(gòu)圖狹縫片130的溫度應足夠低于沉積源110的溫度(例如約100° C或更低)，因為當構(gòu)圖狹縫片130的溫度足夠低時，由溫度引起的構(gòu)圖狹縫片130的熱膨脹可減小或最小化。
[0087]上面待沉積沉積材料115的襯底2布置在室101中。襯底2可以是用于平板顯示裝置的襯底。例如，用于制造多個平板顯示器的大襯底(例如母玻璃)可被用作襯底2。
[0088]根據(jù)該實施方式，沉積過程可隨著襯底2相對于有機層沉積組件100-1的移動而進行。
[0089]在使用FMM的傳統(tǒng)的沉積法中，F(xiàn)MM的尺寸需要與襯底的尺寸相同。因此，當襯底的尺寸增加時，F(xiàn)MM的尺寸也增加。由于這些問題，所以難以制造FMM并難以通過拉長FMM來在精確圖案中對準FMM。
[0090]為了解決這些問題，在根據(jù)本實施方式的有機層沉積組件100-1中，可在有機層沉積組件100-1和襯底2相對于彼此移動的同時進行沉積。換言之，在面對有機層沉積組件100-1的襯底2沿Y軸方向移動時可連續(xù)地進行沉積。即，當襯底2沿圖3所示的箭頭A的方向移動時，以掃描的方式進行沉積。雖然在圖3中襯底2被示出為當在室101中沿Y軸方向移動時進行沉積，但是本發(fā)明不限于此。例如，可在有機層沉積組件100-1沿Y軸方向移動且襯底2被保持在固定位置的情況下進行沉積。
[0091]因此，在有機層沉積組件100-1中，構(gòu)圖狹縫片130可小于(例如遠小于)在傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM。換言之，在有機層沉積組件100-1中，在襯底2沿Y軸方向移動時連續(xù)地進行沉積，即，以掃描的方式進行沉積。因此，構(gòu)圖狹縫片130在X軸方向和Y軸方向的長度中的至少一個可遠小于襯底2的長度。由于構(gòu)圖狹縫片130可被形成為小于(例如遠小于)在傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM，所以容易制造構(gòu)圖狹縫片130。S卩，在包括蝕刻、隨后的精確延長、焊接、轉(zhuǎn)移和洗滌過程的制造過程中，較小的構(gòu)圖狹縫片130比傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM更加合適。而且，這對于制造較大顯示裝置更加合適。
[0092]為了如上所述地在有機層沉積組件100-1和襯底2相對于彼此移動時進行沉積，有機層沉積組件100-1和襯底2彼此可間隔開一定距離(例如，間隙)。下面對此詳細地描述。
[0093]包含并加熱沉積材料115的沉積源110設置在室中與設置有襯底2的一側(cè)相對的一側(cè)上。當包含在沉積源Iio中的沉積材料115被蒸發(fā)時，在襯底2上進行沉積。
[0094]沉積源110包括填充有沉積材料115的坩堝111、以及加熱坩堝111以朝向坩堝111的填充有沉積材料的一側(cè)(尤其是朝向沉積源噴嘴單元120)蒸發(fā)沉積材料115的加熱器 112。
[0095]在一個實施方式中，沉積源噴嘴單元120設置在沉積源110的面對襯底2的一側(cè)。由此，根據(jù)本實施方式的有機層沉積組件在進行沉積以形成公共層和圖案層時均可包括不同的沉積源噴嘴。即，可在沉積源噴嘴單元120中沿Y軸方向(即，襯底2的掃描方向)形成多個沉積源噴嘴121以形成圖案層。因此，在X軸方向上僅形成一個沉積源噴嘴121，從而顯著地減少或阻止陰影的出現(xiàn)。另一方面，可在沉積源噴嘴單元120中沿X軸方向形成(或布置)多個沉積源噴嘴121以形成公共層。這樣，可改進公共層的厚度均勻性。
[0096]在一個實施方式中，構(gòu)圖狹縫片130可設置在沉積源110與襯底2之間。構(gòu)圖狹縫片130還可包括具有與窗框類似的形狀的框架135。構(gòu)圖狹縫片130包括沿X軸方向設置的多個構(gòu)圖狹縫131。在沉積源110中已被蒸發(fā)的沉積材料115經(jīng)過沉積源噴嘴單元120和構(gòu)圖狹縫片130，然后被沉積在襯底2上。就這一點而言，構(gòu)圖狹縫片130可使用與用于形成FMM的方法相同的方法來形成，具體地，使用條型掩模例如進行蝕刻而形成。就這一點而言，構(gòu)圖狹縫131的總數(shù)可大于沉積源噴嘴121的總數(shù)。
[0097]在一個實施方式中，沉積源110 (和與其結(jié)合的沉積源噴嘴單元120)以及構(gòu)圖狹縫片130可彼此間隔一定距離(例如間隙)。[0098]如上所述，當有機層沉積組件100-1相對于襯底2移動時進行沉積。為了使有機層沉積組件100-1相對于襯底2移動，構(gòu)圖狹縫片130與襯底2間隔一定距離(例如間隙)。
[0099]在使用FMM的傳統(tǒng)沉積法中，沉積通常隨著FMM與襯底的緊密接觸而進行以防止在襯底上形成陰影。然而，當FMM被形成為與襯底緊密接觸時，會出現(xiàn)由于襯底與FMM之間的接觸產(chǎn)生的缺陷。而且，因為相對于襯底移動掩模是很困難的，所以掩模和襯底具有相同的尺寸。因此，掩模的尺寸隨著顯示裝置的尺寸增加而變大。然而，形成較大的掩模是很困難的。
[0100]為了解決這樣的問題，在根據(jù)本實施方式的有機層沉積組件100-1中，構(gòu)圖狹縫片130與待沉積沉積材料的襯底2間隔一定距離(例如間隙)。
[0101]根據(jù)本實施方式，當被形成為小于襯底的掩模相對于襯底移動時進行沉積，因此制造掩模相對容易。此外，也可避免由于沉積與掩模之間的接觸引發(fā)的缺陷。此外，由于在沉積過程中無需使襯底與掩模緊密接觸，所以制造速度可得到提高。
[0102]在下文中，將對上部殼體104的各個元件的具體布置進行描述。
[0103]沉積源110和沉積源噴嘴單元120設置在上部殼體104的底部。容納部分104_1分別形成在沉積源Iio和沉積源噴嘴單元120的兩側(cè)上以具有突出的形狀。第一臺階150、第二臺階160和構(gòu)圖狹縫片130以此順序依次形成在容納部分104-1上。
[0104]就這一點而言，第一臺階150被形成為在X軸和Y軸方向上移動以使第一臺階150在X軸和Y軸方向上對準構(gòu)圖狹縫片130。即，第一臺階150包括多個致動器以使第一臺階150在X軸和Y軸方向上相對于上部殼體104移動。
[0105]第二臺階160被形成為在Z軸方向上移動以在Z軸方向上對準構(gòu)圖狹縫片130。即，第二臺階160包括多個致動器并且被形成為在Z軸方向上相對于第一臺階150移動。
[0106]在第二臺階160上設置構(gòu)圖狹縫片130。構(gòu)圖狹縫片130設置在第一臺階150和第二臺階160上以便在X軸方向、Y軸方向和Z軸方向上移動，因而可在襯底2與構(gòu)圖狹縫片130之間進行對準，尤其是實時對準。
[0107]此外，上部殼體104、第一臺階150和第二臺階160可引導沉積材料115的流動路徑，使得通過沉積源噴嘴121排放的沉積材料115沒有散布在流動路徑外。即，沉積材料115的流動路徑由上部殼體104、第一臺階150和第二臺階160密封，因而沉積材料115在X軸和Y軸方向上的移動可由此并行地或同時被引導。
[0108]可在構(gòu)圖狹縫片130與沉積源110之間設置遮蔽部件140，遮蔽部件140用于阻止有機材料沉積在襯底2的非膜形成區(qū)上。雖然未示出，但是遮蔽部件140可包括兩個相鄰的板。襯底2的非膜形成區(qū)由遮蔽部件140遮蔽，因此能夠或相對容易地阻止有機材料沉積在襯底2的非膜形成區(qū)上而無需使用單獨的結(jié)構(gòu)。
[0109]在下文中，詳細描述輸送單元400，輸送單元400輸送(運送)待沉積沉積材料115的襯底2。參見圖3和圖4,輸送單兀400包括第一輸送單兀410、第二輸送單兀420和轉(zhuǎn)移單元430。
[0110]第一輸送單元410以成直線(in-line)的方式輸送(運送)轉(zhuǎn)移單元430以及附接至轉(zhuǎn)移單元430的襯底2，以便可通過有機層沉積組件100-1在襯底2上形成有機層，轉(zhuǎn)移單元430包括承載件431、附接至承載件431的靜電吸盤(chuck) 432。第一輸送單元410包括線圈411、引導構(gòu)件412、上部磁懸浮支承件(例如上部磁漂浮支承件或上部磁飄浮支承件)、側(cè)部磁懸浮支承件414 (例如側(cè)部磁漂浮支承件或側(cè)部磁飄浮支承件)和間隙傳感器415 和 416。
[0111]在轉(zhuǎn)移單元430經(jīng)過沉積單元100的同時完成一次沉積循環(huán)后，第二輸送單元420將在卸載單元300中與襯底2分離的轉(zhuǎn)移單元430返回至裝載單元200。第二輸送單元420包括線圈421、輥式引導器422和充電軌道423。
[0112]轉(zhuǎn)移單元430包括承載件431和靜電吸盤432，承載件431沿第一輸送單元410和第二輸送單元420被輸送(或運送)，靜電吸盤432被組合在(或附接至)承載件431的表面上。在沉積過程中，襯底2附接至靜電吸盤432。
[0113]在下文中將詳細地描述輸送單元400的每個部件。
[0114]現(xiàn)將首先詳細地描述轉(zhuǎn)移單元430的承載件431。
[0115]承載件431包括主體部431a、磁軌431b (例如線性馬達系統(tǒng)(LMS)磁鐵)、無接觸電源(CPS)模塊431c、電源單元43Id以及導槽43Ie。承載件431還可包括凸輪從動件43If(參見圖5)。
[0116]主體部431a構(gòu)成承載件431的基座部分并且可由諸如鐵的磁性材料形成。就這一點而言，由于主體部431a和相應的上部和側(cè)部磁懸浮支承件(例如磁漂浮支承件)413和414 (將在下面進行描述)之間的磁斥力和/或磁吸力，承載件431可保持與引導構(gòu)件412間隔一定距離(例如間隙)。
[0117]導槽431e可分別形成在主體部431a的兩側(cè)，并且每個導槽可容納引導構(gòu)件412的引導突出部412e。
[0118]可沿主體部43Ia的中心線在主體部43Ia前行的方向上形成磁軌43lb。磁軌431b和線圈411 (在下面詳細描述)可彼此結(jié)合以構(gòu)成線性馬達，可通過線性馬達以箭頭方向A輸送(或運送)承載件431。
[0119]在主體部431 a中的磁軌43 Ib的兩側(cè)上可分別形成CPS模塊431 c和電源單元431d。電源單元431d為用于提供電力以使靜電吸盤432可夾持(例如固定或保持)襯底2并保持操作的電池。CPS模塊431c是對電源單元431d充電的無線充電模塊。例如，形成在第二輸送單元420中的充電軌道423 (在下面描述)連接至逆變器(未示出)，因而，當承載件431被轉(zhuǎn)移到第二輸送單元420中時，在充電軌道423與CPS模塊431c之間形成磁場以便向CPS模塊431c供電。被供給至CPS模塊431c的電力用于對電源單元431d充電。
[0120]靜電吸盤432可包括電極，該電極嵌入由陶瓷形成的主體中，其中該電極被供給電力。當向電極施加合適的電壓(例如較高或高的電壓)時，襯底2被附接至靜電吸盤432的主體的表面上。
[0121]在下文中詳細描述轉(zhuǎn)移單元430的操作。
[0122]主體部431a的磁軌431b和線圈411可彼此結(jié)合以構(gòu)成驅(qū)動器。在這種情況下，驅(qū)動器可以為線性馬達。與傳統(tǒng)的滑動導軌系統(tǒng)相比較，線性馬達具有較小的摩擦系數(shù)、較小的位置誤差和較高程度(如非常高程度)的位置確定。如上所述，線性馬達可包括線圈411和磁軌431b。磁軌431b線性地設置在承載件431上，多個線圈411可通過一定距離設置在室101的內(nèi)側(cè)以便面對磁軌431b。由于磁軌431b設置在承載件431上而非設置在線圈411上，所以承載件431可在無需被供給電力的情況下操作。就這一點而言，線圈411可在大氣狀態(tài)下形成在大氣(ATM)箱中。磁軌431b附接至承載件431，以使承載件431可在保持真空的室101中移動。
[0123]在下文中詳細描述第一輸送單元410和轉(zhuǎn)移單元430。
[0124]參照圖4和圖5，第一輸送單元410輸送(或運送)固定襯底2的靜電吸盤432，并輸送輸送(或運送)靜電吸盤432承載件431。就這一點而言,第一輸送單兀410包括線圈411、引導構(gòu)件412、上部磁懸浮支承件(例如上部磁漂浮支承件)413、側(cè)部磁懸浮支承件(例如側(cè)部磁漂浮支承件)414和間隙傳感器415和416。
[0125]線圈411和引導構(gòu)件412形成(或設置)在上部殼體104的內(nèi)部。線圈411形成(或設置)在上部殼體104的上部，引導構(gòu)件412分別形成在上部殼體104的內(nèi)側(cè)上。下面參照圖3和圖4描述線圈411。
[0126]引導構(gòu)件412引導承載件431沿某一方向移動。就這一點而言，引導構(gòu)件412被形成為經(jīng)過沉積單元100。
[0127]例如，引導構(gòu)件412容納承載件431的兩側(cè)以引導承載件431沿圖3所示的箭頭A的方向移動。就這一點而言，引導構(gòu)件412可包括位于承載件431之下的第一容納部412a、位于承載件431之上的第二容納部412b以及連接第一容納部412a和第二容納部412b的連接部412c(例如參見圖5)。第一容納部412a、第二容納部412b和連接部412c形成容納槽412d。承載件431的兩側(cè)分別容納在容納槽412d中，承載件431沿容納槽412d移動。
[0128]側(cè)部磁懸浮支承件(例如側(cè)部磁漂浮支承件)414均設置在引導構(gòu)件412的連接部412c處以便分別對應于承載件431的兩側(cè)。側(cè)部磁懸浮支承件(例如側(cè)部磁漂浮支承件)414在承載件431與引導構(gòu)件412之間產(chǎn)生一定距離，以使承載件431以不接觸引導構(gòu)件412的方式沿引導構(gòu)件412移動。S卩，在圖5中左側(cè)的側(cè)部磁懸浮支承件(例如側(cè)部磁漂浮支承件)414與作為(或包括)磁性材料的承載件431之間產(chǎn)生的斥力Rl與在圖5中右側(cè)的側(cè)部磁懸浮支承件(例如側(cè)部磁漂浮支承件)414與作為(或包括)磁性材料的承載件431之間產(chǎn)生的斥力R2之間保持平衡，因此，在承載件431與相應的引導構(gòu)件412之間產(chǎn)生恒定(或基本恒定)的距離。
[0129]每個上部磁懸浮支承件(例如上部磁漂浮支承件)413可設置在第二容納部412b處以便處于承載件431的上方。上部磁懸浮支承件(例如上部磁漂浮支承件)413使承載件
431能夠以不與第一容納部412a和第二容納部412b接觸并在第一容納部412a與第二容納部412b之間保持恒定或基本恒定的距離的方式沿引導構(gòu)件412移動。S卩，上部磁懸浮支承件(例如上部磁漂浮支承件)413與作為(或包括)磁性材料的承載件431之間產(chǎn)生的吸力A3與重力G保持平衡，因此，在承載件431與相應的引導構(gòu)件412之間產(chǎn)生恒定(或基本恒定)的距離。
[0130]每個引導構(gòu)件412還可包括間隙傳感器415。間隙傳感器415可測量承載件431與引導構(gòu)件412之間的距離。參照圖5，間隙傳感器415可設置在第一容納部412a處以與承載件431的底部相對應。位于第一容納部412a的間隙傳感器415可測量第一容納部412a與承載件431之間的距離。間隙傳感器416可設置在側(cè)部磁懸浮支承件(例如側(cè)部磁漂浮支承件)414的一側(cè)。間隙傳感器416可測量承載件431與側(cè)部磁懸浮支承件(例如側(cè)部磁漂浮支承件)414之間的距離。本發(fā)明并不限于上述實施例，間隙傳感器416可設置在連接部412c處。
[0131]上部磁懸浮支承件(例如上部磁漂浮支承件)413和側(cè)部磁懸浮支承件(例如側(cè)部磁漂浮支承件)414的磁力可根據(jù)間隙傳感器415和416測量的值而進行變化，因此，承載件431與相應的引導構(gòu)件412之間的距離可實時調(diào)整。即，可使用上部磁懸浮支承件(例如上部磁漂浮支承件)413和側(cè)部磁懸浮支承件(例如側(cè)部磁漂浮支承件)414和間隙傳感器415和416反饋控制承載件431的精確轉(zhuǎn)移。
[0132]在下文中詳細描述第二輸送單元420和轉(zhuǎn)移單元430。
[0133]返回參照圖4，第二輸送單元420將在卸載單元300中與襯底2分離的靜電吸盤432和承載靜電吸盤432的承載件431返回至裝載單元200。就這一點而言，第二輸送單元420包括線圈421、輥式引導器422和充電軌道423。
[0134]例如，線圈421、輥式引導器422和充電軌道423可處于下部殼體103內(nèi)。線圈421和充電軌道423可設置在下部殼體103的頂部內(nèi)表面上，輥式引導器422可設置在下部殼體103的內(nèi)側(cè)上。雖然圖4中未示出，但是線圈421可設置在ATM箱中，如同第一輸送單元410的線圈411那樣。
[0135]類似于第一輸送單元410，第二輸送單元420也可包括線圈421，而且，承載件431的主體部431a的磁軌431b (例如線性馬達系統(tǒng)磁鐵)和線圈421彼此結(jié)合以構(gòu)成操作單元。就這一點而言，操作單元可以為線性馬達。承載件431可通過線性馬達沿與圖3所示的箭頭A的方向相反的方向移動。
[0136]棍式引導器422引導承載件431沿某一方向移動。就這一點而言,棍式引導器422被形成為經(jīng)過沉積單元100。例如，輥式引導器422支撐分別形成在承載件431的兩側(cè)上的凸輪從動件431f (例如參見圖5)以引導承載件431沿與圖3所示的箭頭A的方向相反的方向移動。即，承載件431與設置在承載件431兩側(cè)上的凸輪從動件431f沿輥式引導件422的相應轉(zhuǎn)動而移動。就這一點而言，凸輪從動件431f為用于準確重復特定操作的支承件。在一個實施方式中，多個凸輪從動件431f形成在承載件431的側(cè)表面上并用作在第二輸送單元420中用于輸送承載件431的輪。本文并未提供對凸輪從動件431f的詳細描述。
[0137]第二輸送單元420被用于使已與襯底2分離的承載件431返回的過程但不用于在襯底2上沉積有機材料的過程，因而，其位置精度無需如同第一輸送單元410那樣。因此，磁懸浮被用于需要高位置精度的第一輸送單元410，由此獲得位置精度，而傳統(tǒng)的滾輪法被應用到需要較低位置精度的第二輸送單元420，由此降低制造成本并簡化有機層沉積裝置的結(jié)構(gòu)。雖然圖4中未示出，但在其他實施方式中，磁懸浮(或磁漂浮)也可如在第一輸送單元410中那樣應用于第二輸送單元420。
[0138]根據(jù)本實施方式的有機層沉積裝置I的有機層沉積組件100-1還可包括用于對準過程的相機170和傳感器180。相機170可實時對準形成在構(gòu)圖狹縫片130的框架135中的第一對準掩模(未不出)，并對準形成在襯底2上的第二對準掩模(未不出)。傳感器180可以為共焦傳感器。由于襯底2與構(gòu)圖狹縫片130之間的距離可使用相機170和傳感器180實時測量，所以襯底2可與構(gòu)圖狹縫片130實時對準，從而可改進(例如顯著改進)圖案的位置精度。
[0139]圖6為根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的有機層沉積組件的立體示意圖。圖7為圖6的有機層沉積組件的示意性側(cè)面截面圖。圖8為圖7的有機層沉積組件的示意性平面截面圖。
[0140]參見圖6至圖8，有機層沉積組件700包括沉積源710、沉積源噴嘴單元720、遮蔽板組件(例如阻擋組件或擋板組件)730和構(gòu)圖狹縫片750。[0141]就這一點而言，沉積源710包括填充有沉積材料715的坩堝711、以及加熱坩堝711以朝向沉積源噴嘴單元720蒸發(fā)(或汽化)填充在坩堝711中的沉積材料715。沉積源噴嘴單元720設置在沉積源710的一側(cè)，在沉積源噴嘴單元720中的X軸方向上形成(或布置)多個沉積源噴嘴721。
[0142]遮蔽板組件730設置在沉積源噴嘴單元720的一側(cè)。遮蔽板組件730包括多個遮蔽板(例如擋板)731和遮蔽板框架(例如擋板框架)732，遮蔽板框架732設置(圍繞或環(huán)繞)在遮蔽板731的外側(cè)。遮蔽板731可沿X軸方向彼此平行地設置。由此，遮蔽板731可以以相等的間隔設置。此外，每個遮蔽板731可沿圖6的YZ平面延伸并且可具有矩形形狀。遮蔽板731將沉積源噴嘴單元720與構(gòu)圖狹縫片750之間的空間劃分(如限定或分隔)成多個沉積空間S。即，在有機層沉積組件700中，如圖6所示，遮蔽板731為用于噴射沉積材料的相應沉積源噴嘴721限定沉積空間S。這樣，遮蔽板731將沉積源噴嘴單元720與構(gòu)圖狹縫片750之間的空間劃分成多個沉積空間S，使得從一個沉積源噴嘴721排放的沉積材料不與從其它沉積源噴嘴721排放的沉積材料混合，而是經(jīng)過構(gòu)圖狹縫751然后沉積在附接至承載件430的襯底2上。S卩，遮蔽板731引導從沉積源噴嘴721排放的沉積材料在平行于Z軸方向的筆直方向上移動而不會散開(或基本不會散開)。
[0143]如上所述，由于遮蔽板731而使沉積材料具有直線性質(zhì)，從而可減少(顯著地減少)形成在襯底2上陰影的面積，因而有機層沉積組件700與襯底2可彼此間隔一定距離(例如間隙)，在沉積過程中該距離基本為恒定的。
[0144]構(gòu)圖狹縫片750還設置在沉積源710與襯底2之間。構(gòu)圖狹縫片750還可包括具有與窗口框架類似的形狀的框架755。構(gòu)圖狹縫751可沿X軸線方向形成或設置在構(gòu)圖狹縫片750中并且彼此平行。在沉積源710中已蒸發(fā)的沉積材料715經(jīng)過沉積源噴嘴單元720和構(gòu)圖狹縫片750，然后朝向經(jīng)受沉積的襯底2移動。
[0145]圖9是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的有機層沉積組件800的示意性立體圖。
[0146]圖9中的有機層沉積組件800包括沉積源810、沉積源噴嘴單元820、第一遮蔽板組件(例如第一擋板組件)830、第二遮蔽板組件(例如第二擋板組件)840以及構(gòu)圖狹縫片850。就這一點而言，沉積源810、第一遮蔽板組件830和構(gòu)圖狹縫片850與圖6所示的相應部件基本相同，因此，這里省略它們的詳細描述。本實施方式與上述實施方式的不同之處在于，在第一遮蔽板組件830的一側(cè)設有第二遮蔽板組件840。
[0147]例如，第二遮蔽板組件840包括多個第二遮蔽板(例如第二擋板)841和第二遮蔽板框架(例如第二擋板框架)842，第二遮蔽板框架842設置(圍繞或環(huán)繞)在第二遮蔽板841之外。多個第二遮蔽板841可沿X軸方向彼此相鄰布置。此外，多個第二遮蔽板841可以相等的間隔彼此分隔開。第二遮蔽板841中的每一個被形成(例如布置或定向)為與圖9的YZ平面平行，即，垂直于X軸方向。
[0148]多個第一遮蔽板831和第二遮蔽板841限定(例如劃分或分隔)沉積源噴嘴單元820與構(gòu)圖狹縫片850之間的空間。即，第一遮蔽板831和第二遮蔽板841限定(例如劃分或分隔)用于相應的噴涂沉積材料的沉積源噴嘴821的沉積空間。
[0149]就這一點而言，第二遮蔽板841可被布置成與第一遮蔽板831 對應。換言之，第二遮蔽板841可與第一遮蔽板831彼此平行對準。S卩,彼此對應的第一遮蔽板831和第二遮蔽板841可設置在相同的平面上。圖9示出這樣的情況，其中，每個第一遮蔽板831的寬度和厚度與在X軸方向上測量的每個第二遮蔽板841的寬度相等。然而，本發(fā)明并不限于此。即，與構(gòu)圖狹縫851 (例如構(gòu)圖狹縫851之間)精確對準的第二遮蔽板841可相對較薄，無需精確對準的第一遮蔽板831可相對較厚，因此，第一遮蔽板831和第二遮蔽板841可易于制造。
[0150]圖10是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的有機層沉積組件900的立體示意圖。
[0151]參見圖10，有機層沉積組件900包括沉積源910、沉積源噴嘴單元920和構(gòu)圖狹縫片 950。
[0152]就這一點而言，沉積源910包括填充有沉積材料915的坩堝911、以及加熱坩堝911以朝向沉積源噴嘴單元920蒸發(fā)(或汽化)填充在坩堝911中的沉積材料915。沉積源噴嘴單元920設置在沉積源910的一側(cè)，并且多個沉積源噴嘴921沿Y軸方向形成(或布置)在沉積源噴嘴單元920中。構(gòu)圖狹縫片950和框架955設置在沉積源910與襯底2之間。此外，在構(gòu)圖狹縫片950中沿X軸方向形成有多個構(gòu)圖狹縫951。每對構(gòu)圖狹縫之間可具有間隔。此外，沉積源910通過連接構(gòu)件935與沉積源噴嘴單元920和構(gòu)圖狹縫片950結(jié)合。
[0153]本實施方式不同于上述關于包括在沉積源噴嘴單元920中的沉積源噴嘴921的布置的實施方式，下面將對此進行更詳細的描述。
[0154]沉積源噴嘴單元920設置在沉積源910的一側(cè)，具體地，設置在沉積源910的面對襯底2的一側(cè)。多個沉積源噴嘴921沿Y軸方向即襯底2的掃描方向形成在沉積源噴嘴單元920中。由此，沉積源噴嘴921能夠以相等的間隔形成。在沉積源910中蒸發(fā)(或汽化)的沉積材料915經(jīng)過沉積源噴嘴單元920，然后朝向經(jīng)受沉積的襯底2移動。因此，多個沉積源噴嘴921沿襯底2的掃描方向形成在有機層沉積組件900-1中。在這種情況下，如果沿X軸方向形成多個沉積源噴嘴921，則沉積源噴嘴921與構(gòu)圖狹縫951之間的距離可彼此不同。在這種情況下，由從遠離構(gòu)圖狹縫951的沉積源噴嘴921發(fā)出的沉積材料形成的陰影可忽略。因此，在所述實施方式中，沿X軸方向僅形成一個沉積源噴嘴921，這足以防止陰影。此外，由于沿掃描方向布置有多個沉積源噴嘴921，單獨的沉積源噴嘴之間的流量差可被抵消以保持沉積均勻性。
[0155]在下文中，將對使用上述有機層沉積裝置形成的有機層的結(jié)構(gòu)進行詳細描述。
[0156]圖11為示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的結(jié)構(gòu)的示意圖，在該結(jié)構(gòu)中構(gòu)圖狹縫131以相等的間隔布置在包括圖3的沉積單元100的有機層沉積裝置的構(gòu)圖狹縫片130中。圖12為示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的通過使用圖11的構(gòu)圖狹縫片130形成在襯底2上的有機層的示意圖。
[0157]圖11和圖12示意性地示出了構(gòu)圖狹縫片130，其中構(gòu)圖狹縫131以相等間隔布置。S卩，在圖11中，構(gòu)圖狹縫131滿足以下條件J1=I2=I3=I415
[0158]在該實施方式中，沿沉積空間S的中心線C排出的沉積材料的入射角基本垂直于襯底2。因此，使用已經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131a的沉積材料形成的有機層P1具有最小(或減小)的陰影尺寸，并且右側(cè)陰影SR1和左側(cè)陰影SL1彼此對稱(或基本對稱)地形成。
[0159]然而，經(jīng)過遠離沉積空間S的中心線C設置的構(gòu)圖狹縫的沉積材料的臨界入射角Θ逐漸增大，因而，在一個實施方式中，經(jīng)過最外面的構(gòu)圖狹縫131e的沉積材料的臨界入射角Θ大致為55°。因此，沉積材料以相對于構(gòu)圖狹縫131e傾斜的方式入射，并且使用已經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131e的沉積材料形成的有機層P5具有最大的陰影。例如，左側(cè)陰影SL5大于右側(cè)陰影SR5。
[0160]即，當沉積材料的臨界入射角Θ增加時，陰影的尺寸也增加。例如，在遠離沉積空間S的中心線C的位置處的陰影的尺寸增加。此外，沉積材料的臨界入射角Θ隨沉積空間S的中心線C與相應的構(gòu)圖狹縫之間的距離的增加而增加。因此，使用經(jīng)過遠離沉積空間S的中心線C設置的構(gòu)圖狹縫的沉積材料而形成的有機層具有更大的陰影尺寸。例如，在相應的有機層的兩側(cè)上的陰影中，遠離沉積空間S的中心線C的位置處的陰影尺寸大于其他位置處的陰影尺寸。
[0161]即，參見圖12，形成在沉積空間S的中心線C的左側(cè)上的有機層具有左斜邊(在頂邊與底邊之間的左側(cè)斜邊)大于右斜邊(在頂邊與底邊之間的右側(cè)斜邊)的結(jié)構(gòu)，形成在沉積空間S的中心線C的右側(cè)上的有機層具有右斜邊(即右側(cè)斜邊)大于左斜邊(即左側(cè)斜邊)的結(jié)構(gòu)。
[0162]此外，在形成于沉積空間S的中心線C的左側(cè)上的有機層中，遠離中心線C設置的有機層的左斜邊(左側(cè)傾斜的邊)的長度朝向左側(cè)增加。在形成于沉積空間S的中心線C的右側(cè)上的有機層中，遠離中心線C設置的有機層的右斜邊(右側(cè)傾斜的邊)的長度朝向右側(cè)增加。因此，形成在沉積空間S中的有機層可關于沉積空間S的中心線C彼此對稱地形成。
[0163]下面將進一步對該結(jié)構(gòu)進行詳細描述。
[0164]經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131b的沉積材料以臨界入射角Θ b經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131b，使用已經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131b的沉積材料形成的有機層P2具有尺寸為SL2的左側(cè)陰影。類似地，經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131c的沉積材料以臨界入射角Θ。經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131c，使用已經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131c的沉積材料形成的有機層P3具有尺寸為SL3的左側(cè)陰影。類似地，經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131d的沉積材料以臨界入射角Θ d經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131d，使用已經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131d的沉積材料形成的有機層P4具有尺寸為SL4的左側(cè)陰影。類似地，經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131e的沉積材料以臨界入射角Θ e經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131e，使用已經(jīng)過構(gòu)圖狹縫131e的沉積材料形成的有機層P5具有尺寸為SL5的左側(cè)陰影。
[0165]由此，臨界的入射角滿足以下條件:Θ b〈 Θ?！?Θ d〈 θ ε，因此，有機層的陰影的尺寸還滿足以下條件AL^SLZSLySLZSLp
[0166]圖13為根據(jù)本發(fā)明實施方式的使用有機層沉積裝置I制造的有源矩陣型有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。
[0167]參照圖13，根據(jù)當前實施方式的有源矩陣型有機發(fā)光顯示裝置10形成在襯底2上。襯底2可由透明材料例如玻璃、塑料或金屬形成。在襯底2的整個表面上形成有絕緣層31，例如緩沖層。在其他實施方式中，可省略絕緣層31。
[0168]如圖13所示，在絕緣層31上形成(設置)有薄膜晶體管(TFT) 40、電容器50和有機發(fā)光二極管(OLED) 60。
[0169]在絕緣層31的上表面上以預定的圖案形成有半導體有源層41。柵極絕緣層32被形成以覆蓋半導體有源層41。半導體有源層41可包括P型或η型半導體材料。
[0170]TFT40的柵電極42形成在柵極絕緣層32中與半導體有源層41相對應的區(qū)域中。中間絕緣層33被形成以覆蓋柵電極42。中間絕緣層33和柵極絕緣層32通過例如干法蝕刻被蝕刻以形成分別暴露半導體有源層41的部分的接觸孔。
[0171 ] 在中間絕緣層33上形成有源電極和漏電極43以通過各個接觸孔與半導體有源層41接觸。鈍化層34被形成以覆蓋源電極和漏電極43，并被蝕刻以暴露源電極和漏電極43之一的一部分。在鈍化層34上還可形成有絕緣層(未示出)以使鈍化層34平坦。
[0172]此外，0LED60通過根據(jù)電流發(fā)出紅色光、綠色光或藍色光來顯示圖像信息(例如預定的圖像信息)。0LED60包括位于鈍化層34上的第一電極61。第一電極61電連接至TFT40的源電極和漏電極43中暴露的一個電極。
[0173]像素限定層35被形成以覆蓋第一電極61。在像素限定層35中形成有開口，在由開口限定的區(qū)域中形成有包括發(fā)光層(EML)的有機層63。在有機層63上形成有第二電極62。
[0174]限定單獨像素的像素限定層35由有機材料構(gòu)成。像素限定層35還使襯底2的形成有第一電極61的區(qū)域的表面平坦化，具體地，使鈍化層34的表面平坦化。
[0175]第一電極61和第二電極62彼此絕緣，并分別將極性相反的電壓施加至有機層63以引起發(fā)光。
[0176]包括EML的有機層63可由低分子量的有機材料或聞分子量的有機材料構(gòu)成。當使用低分子量的有機材料時，有機層63可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、EML、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)。可用有機材料的非限制性實施例可包括銅酞菁(CuPc )、N，N’ - 二(萘-1-基)-N，N’ - 二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)以及三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。
[0177]包括EML的有機層63可使用圖1至圖10中所示的有機層沉積裝置中任意合適的裝置形成，或使用根據(jù)本發(fā)明的原理的任意合適的有機層沉積裝置形成。即，這樣的有機層沉積裝置，其包括排出沉積材料的沉積源、位于沉積源一側(cè)并包括其中形成的多個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元、以及面對沉積源噴嘴單元并包括在其中形成的多個構(gòu)圖狹縫的構(gòu)圖狹縫片，該有機層沉積裝置被布置成與上面待沉積沉積材料的襯底分隔預定的距離(例如間隙)。此外，當有機層沉積裝置與襯底2相對于彼此移動時，從有機層沉積裝置(如圖1所示)排出的沉積材料沉積在襯底2上(如圖1所示)。
[0178]在形成有機層63之后，第二電極62可通過與用于形成有機層63相同的沉積法形成。
[0179]在像素限定層35上還形成有輔助電極64。輔助電機64形成在像素限定層35上并由于第二電極62的電阻而能夠降低電壓降，下面將參照圖14至圖16對此進行具體描述。
[0180]第一電極61可用作陽極，第二電極62可用作陰極?？商鎿Q地，第一電極61可用作陰極，而第二電極62可用作陽極。第一電極61可被構(gòu)圖成與單個像素區(qū)域相對應，第二電極62可被形成為覆蓋所有像素。
[0181]第一電極61可被形成為透明電極或反射電極。上述透明電極可由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)構(gòu)成。上述反射電極可由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或它們的化合物構(gòu)成，并在反射層上形成ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO或In2O3的層。第一電極61可例如通過濺射形成層然后例如通過光刻法將層構(gòu)圖而形成。
[0182]第二電極62也可被形成為透明電極或反射電極。當?shù)诙姌O62被形成為透明電極時，第二電極62可被用作陰極。因此，上述透明層可通過在有機層63的表面上沉積具有低功函數(shù)的金屬例如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(1%)或它們的化合物并在上面由ΙΤΟ、ΙΖΟ、Ζη0、Ιη203等形成輔助電極層或總線電極線而形成。當?shù)诙姌O62被形成為反射電極時，反射電極可通過在有機層63的整個表面上沉積L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的化合物來形成。第二電極62可使用與用于形成上述有機層63相同的沉積法來形成。
[0183]根據(jù)本發(fā)明的上述實施方式的有機層沉積裝置可被用于形成有機層或有機TFT的無機層和/或形成由多種材料構(gòu)成的層。
[0184]在下文中，將對通過使用圖1所示的有機層沉積裝置制造有機發(fā)光顯示裝置的方法進行詳細描述。
[0185]圖14至圖16為用于示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的平面圖。
[0186]首先，在襯底2上依次形成TFT40 (參見圖13)、電容器50 (參見圖13)、第一電極
61(參見圖13)和像素限定層35 (參見圖13)。
[0187]然后，如圖14所示，通過使用如圖1所示的有機層沉積裝置在第一電極61 (參見圖13)和襯底2的像素限定層35 (參見圖13)上形成有機層63。
[0188]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施方式的有機層沉積裝置中，構(gòu)圖狹縫片可小于(例如遠小于)在傳統(tǒng)沉積裝置中使用的FMM。為了通過使用構(gòu)圖狹縫片在襯底2上形成有機層，在有機層沉積裝置和襯底2相對于彼此移動時進行沉積。如圖14所示，因為當襯底以一個方向移動時沉積以掃描的方式進行，故有機層63的層被連續(xù)形成以各自在完全進行沉積的襯底2上具有線性形狀。即，具有線性形狀的紅色發(fā)光層63R、綠色發(fā)光層63G和藍色發(fā)光層63B彼此相鄰地連續(xù)形成。
[0189]然后，如圖15所示，在具有線性形狀的有機層63的層之間形成有具有線性形狀的輔助電極64，下面對其進行詳細描述。
[0190]在傳統(tǒng)的有機發(fā)光顯示裝置中，在襯底上依次形成第一電極(陽極)、有機層和第二電極(陰極)。對于正面發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置，因為光一般朝向陰極發(fā)出，所以透光率被保持在合適的水平或更高，使用具有較小厚度的半透明金屬層形成陰極。一般而言，對于金屬，層厚度與電阻成反比。因此，在正面發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置中，會出現(xiàn)由于陰極產(chǎn)生的電壓降。為了解決這個問題，已經(jīng)使用了形成陰極輔助電極的方法。
[0191]然而，當在襯底上形成陰極輔助電極時，陰極輔助電極需要接觸陰極。為此，一般而言，在襯底上形成陰極輔助電極，并形成用于與陰極接觸的連接部。然后，為了阻止有機材料在沉積過程中沉積在陰極與陰極輔助電極之間，使用掩模來覆蓋陰極與陰極輔助電極之間的空間，或通過激光束去除沉積的有機材料。
[0192]然而，在使用掩模的方法中，使用了高清晰度掩模，從而降低了生產(chǎn)產(chǎn)量并增加了制造成本。此外，當沉積的有機材料由激光束去除時,會生成顆粒。
[0193]為了解決這些問題，在制造根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的方法中，使用圖1至圖10所示的有機層沉積裝置中任意合適的裝置在具有線性形狀的有機層之間的像素限定層上形成具有線性形狀的輔助電極，然后，在輔助電極上形成作為公共層的第二電極。
[0194]例如，如圖15所示，在具有線性形狀的有機層63的相鄰層之間的像素限定層35(參見圖13)上形成具有線性形狀的輔助電極64。圖15示出在綠色發(fā)光層63G與藍色發(fā)光層63B之間形成輔助電極64。然而，本發(fā)明并不限于此。可在有機層63的相鄰層之間的任意合適的區(qū)域上形成輔助電極64，只要輔助電極64可形成在像素限定層35(參見圖13)上。
[0195]可通過使用圖1至圖10所示的有機層沉積裝置中的任意合適的裝置的過程形成輔助電極64，其中，襯底2和有機層沉積裝置(參見圖1)彼此分隔開一定距離，從有機層沉積裝置(參見圖1)的沉積源110 (參見圖3)蒸發(fā)的輔助電極形成材料經(jīng)過構(gòu)圖狹縫片130(參見圖3)以在襯底2與有機層沉積裝置相對于彼此移動時沉積在襯底2上。
[0196]然后，如圖15所示，在像素限定層35 (參見圖13)、有機層63和輔助電極64上形成作為公共層的第二電極62，從而整體覆蓋像素限定層35 (參見圖13)、有機層63和輔助電極64。
[0197]此外，可通過使用圖1至圖10所示的有機層沉積裝置中的任意合適的裝置的過程形成第二電極62，其中，襯底2和有機層沉積裝置(參見圖1)彼此分隔開一定距離，從有機層沉積裝置(參見圖1)的沉積源110 (參見圖3)蒸發(fā)的第二電極形成材料經(jīng)過開放掩模以沉積在襯底2上。
[0198]圖14至圖16示出在像素限定層35 (參見圖13)上形成輔助電極64然后在輔助電極64上形成第二電極62的情況。然而，本發(fā)明并不限于此。即，可在像素限定層35(參見圖13)上形成第二電極62，然后在第二電極62上形成輔助電極64。
[0199]在傳統(tǒng)方法中，當形成0LED60之前形成輔助電極時，高清晰度掩模的數(shù)量增加，由此降低了生產(chǎn)產(chǎn)量并增加了制造成本。然而，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施方式，可通過額外使用用于形成輔助電極的有機層沉積組件來形成輔助電極，從而降低制造成本。此外，換言之，當生成的有機材料由激光束移除時，會產(chǎn)生顆粒。然而，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施方式，該問題被克服。
[0200]如上所述，本發(fā)明的一個或多個實施方式提供適用于在大襯底上批量生產(chǎn)的有機發(fā)光顯示裝置并能夠進行高清晰度構(gòu)圖，本發(fā)明的一個或多個實施方式還提供制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。
[0201 ] 雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施方式具體地示出并描述了本發(fā)明，但是本領域的技術(shù)人員應該理解，可以在形式和細節(jié)中做出各種變化而不偏離本發(fā)明的精神和范圍，本發(fā)明的精神和范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括: 襯底； 位于所述襯底上的多個薄膜晶體管，其中所述多個薄膜晶體管中的每一個包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極； 多個第一電極，分別電連接至所述多個薄膜晶體管并位于與所述多個薄膜晶體管相對應的各個像素上； 多個有機層，分別位于所述第一電極上并包括發(fā)光層； 輔助電極，所述輔助電極中的每一個位于所述多個有機層中的相鄰有機層之間的至少一部分上；以及 第二電極，面對所述多個第一電極并覆蓋所述有機層和所述輔助電極。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，位于所述襯底上的所述多個有機層中的至少一個具有線性圖案。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述輔助電極均具有線性圖案。
4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，還包括位于所述多個第一電極中的相鄰第一電極之間的像素限定層，其中，所述輔助電極位于所述像素限定層上。
5.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述襯底上的所述多個有機層中的遠離沉積區(qū)域中心的至少一個有機層的頂邊與底邊之間的斜邊的長度大于所述多個有機層中的更接所述近沉積區(qū)域中心的的其他有機層的相應頂邊與底邊之間的斜邊的長度。
6.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述襯底具有40英寸或更大的尺寸。
7.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個有機層具有非均勻的厚度。
8.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，在所述多個有機層中的遠離所述沉積區(qū)域中心的每個有機層中，更遠離所述沉積區(qū)域中心的斜邊大于其他斜邊。
9.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，當所述沉積區(qū)域中的所述多個有機層被定位成更遠離所述沉積區(qū)域中心時，以第一方向延伸的兩側(cè)的重疊區(qū)域變窄。
10.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，位于所述沉積區(qū)域中心的有機層的斜邊具有相同的長度。
11.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述沉積區(qū)域中的所述多個有機層圍繞所述沉積區(qū)域中心對稱地布置。
12.—種有機發(fā)光顯示裝置，包括: 襯底； 位于所述襯底上的多個薄膜晶體管，其中所述多個薄膜晶體管中的每一個包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極； 多個第一電極，分別電連接至所述多個薄膜晶體管并位于與所述多個薄膜晶體管相對應的各個像素上； 多個有機層，分別位于所述第一電極上并包括發(fā)光層； 第二電極，面對所述多個第一電極并覆蓋所述有機層；以及 輔助電極，位于所述第二電極上，所述輔助電極中的每一個位于所述多個有機層中的相鄰有機層之間的至少一部分上。
13.如權(quán)利要求12所 述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，位于所述襯底上的所述多個有機層中的至少一個具有線性圖案。
14.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述輔助電極均具有線性圖案。
15.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，還包括位于所述多個第一電極中的相鄰第一電極之間的像素限定層，其中，所述輔助電極位于所述像素限定層上。
16.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述襯底上的所述多個有機層中的遠離沉積區(qū)域中心的至少一個有機層的頂邊與底邊之間的斜邊的長度大于所述多個有機層中的更接近所述沉積區(qū)域中心的其他有機層的相應頂邊與底邊之間的斜邊的長度。
17.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述襯底具有40英寸或更大的尺寸。
18.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個有機層具有非均勻的厚度。
19.如權(quán)利要求16 所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，在所述多個有機層中的遠離所述沉積區(qū)域中心的每個有機層中，更遠離所述沉積區(qū)域中心的斜邊大于其他斜邊。
20.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，當所述沉積區(qū)域中的所述多個有機層被定位成更遠離所述沉積區(qū)域中心時，以第一方向延伸的兩側(cè)的重疊區(qū)域變窄。
21.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，位于所述沉積區(qū)域中心的有機層的斜邊具有相同的長度。
22.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述沉積區(qū)域中的所述多個有機層圍繞所述沉積區(qū)域中心對稱地布置。
23.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括: 位于襯底上的多個薄膜晶體管，其中所述多個薄膜晶體管中的每一個包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極，其中所述柵電極與所述有源層絕緣，所述源電極和漏電極與所述有源層接觸； 多個第一電極，其中所述多個第一電極中的每一個位于所述多個薄膜晶體管中的相應的一個薄膜晶體管上并電連接至所述源電極和漏電極中的一個； 多個像素限定層，位于所述多個第一電極之間并覆蓋所述多個第一電極的相應的邊緣區(qū)域； 多個有機層，位于所述多個第一電極上； 多個輔助電極，位于所述多個像素限定層上；以及 第二電極，面對所述多個第一電極并覆蓋所述多個有機層和所述多個輔助電極。
24.如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個輔助電極中的每一個位于所述多個有機層中的相鄰有機層之間的至少一部分上。
25.如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述有機層位于所述多個像素限定層中的相鄰的兩個像素限定層之間。
26.如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，位于所述襯底上的所述多個有機層中的至少一個具有線性圖案。
27.如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個輔助電極均具有線性圖案。
28.如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述襯底上的所述多個有機層中的遠離沉積區(qū)域中心的至少一個有機層的頂邊與底邊之間的斜邊的長度大于所述多個有機層中的更接近沉積區(qū)域中心的其他有機層的相應頂邊與底邊之間的斜邊的長度。
29.如權(quán)利要求28所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述襯底具有40英寸或更大的尺寸。
30.如權(quán)利要求28所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個有機層包括至少一個發(fā)光層。
31.如權(quán)利要求28所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個有機層具有非均勻的厚度。
32.如權(quán)利要求28所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，在所述多個有機層中的遠離所述沉積區(qū)域中心的每個有機層中，更遠離所述沉積區(qū)域中心的斜邊大于其他斜邊。
33.如權(quán)利要求28所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，當所述沉積區(qū)域中的所述多個有機層被定位成更遠離所述沉積區(qū)域中心時，以第一方向延伸的兩側(cè)的重疊區(qū)域變窄。
34.如權(quán)利要求28所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，位于所述沉積區(qū)域中心的有機層的斜邊具有相同的長度。
35.如權(quán)利要求28所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述沉積區(qū)域中的所述多個有機層圍繞所述沉積區(qū)域中心對稱地布置。
36.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括:` 位于襯底上的多個薄膜晶體管，其中所述多個薄膜晶體管中的每一個包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極，其中所述柵電極與所述有源層絕緣，所述源電極和漏電極與所述有源層接觸； 多個第一電極，其中所述多個第一電極中的每一個分別位于所述多個薄膜晶體管中的相應的一個薄膜晶體管上并電連接至所述源電極和漏電極中的一個； 多個像素限定層，位于所述多個第一電極之間并覆蓋所述多個第一電極的邊緣區(qū)域； 多個有機層，位于所述多個第一電極上； 第二電極，面對所述多個第一電極并覆蓋所述多個有機層；以及 多個輔助電極，位于所述第二電極的與所述多個像素限定層相對應的部分上。
37.如權(quán)利要求36所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個輔助電極中的每一個位于所述多個有機層中的相鄰有機層之間的至少一部分上。
38.如權(quán)利要求36所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述有機層位于所述多個像素限定層中的相鄰的兩個像素限定層之間。
39.如權(quán)利要求35所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，位于所述襯底上的所述多個有機層中的至少一個具有線性圖案。
40.如權(quán)利要求36所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個輔助電極均具有線性圖案。
41.如權(quán)利要求36所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述襯底上的所述多個有機層中的遠離沉積區(qū)域中心的至少一個有機層的頂邊與底邊之間的斜邊的長度大于所述多個有機層中的更接近沉積區(qū)域中心的其他有機層的相應頂邊與底邊之間的斜邊的長度。
42.如權(quán)利要求41所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述襯底具有40英寸或更大的尺寸。
43.如權(quán)利要求41所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個有機層包括至少一個發(fā)光層。
44.如權(quán)利要求41所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個有機層具有非均勻的厚度。
45.如權(quán)利要求41所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，在所述多個有機層中的遠離所述沉積區(qū)域中心的每個有機層中，更遠離所述沉積區(qū)域中心的斜邊大于其他斜邊。
46.如權(quán)利要求41所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，當所述沉積區(qū)域中的所述多個有機層被定位成更遠離所述沉積區(qū)域中心時，以第一方向延伸的兩側(cè)的重疊區(qū)域變窄。
47.如權(quán)利要求41所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，位于所述沉積區(qū)域中心的有機層的斜邊具有相同的長度。
48.如權(quán)利要求41所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述沉積區(qū)域中的所述多個有機層圍繞所述沉積區(qū)域中心對稱地布置。
49.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，包括: 在襯底上形成多個薄膜晶體管，其中每個薄膜晶體管包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極，其中所述柵電極與所述有源層絕緣，所述源電極和漏電極與所述有源層接觸； 在所述多個薄膜晶體管上形成多個第一電極，其中所述多個第一電極分別電連接至所述多個薄膜晶體管； 在所述多個第一電極之間形成多個像素限定層； 在所述多個第一電極上形成多個有機層； 在所述多個像素限定層上形成多個輔助電極，所述多個輔助電極與所述多個有機層分隔開；以及 形成第二電極，所述第二電極覆蓋所述多個像素限定層、所述多個輔助電極和所述多個有機層。
50.如權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述形成多個有機層的步驟包括以線性圖案形成所述多個有機層。
51.如權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述形成多個輔助電極的步驟包括以線性圖案形成所述多個輔助電極。
52.如權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述形成有機層和所述形成多個輔助電極的步驟由有機層沉積裝置執(zhí)行， 其中，所述有機層沉積裝置包括: 沉積源，排出沉積材料； 沉積源噴嘴單元，位于所述沉積源的一側(cè)并包括多個沉積源噴嘴；以及 構(gòu)圖狹縫片，面對所述沉積源噴嘴單元并包括沿第一方向布置的多個構(gòu)圖狹縫， 其中，從所述沉積源排出的沉積材料經(jīng)過所述構(gòu)圖狹縫片以圖案形式沉積在所述襯底上。
53.如權(quán)利要求52所述的方法，其中，所述有機層沉積裝置的所述構(gòu)圖狹縫片在所述第一方向或第二方向中至少一個方向上小于所述襯底，所述第二方向垂直于所述第一方向。
54.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，包括:在襯底上形成多個薄膜晶體管，其中每個薄膜晶體管包括有源層、柵電極以及源電極和漏電極，其中所述柵電極與所述有源層絕緣，所述源電極和漏電極與所述有源層接觸； 在所述多個薄膜晶體管上形成多個第一電極，其中所述多個第一電極分別電連接至所述多個薄膜晶體管； 在所述多個第一電極之間形成多個像素限定層； 在所述多個第一電極上形成多個有機層； 形成第二電極，所述第二電極覆蓋所述多個像素限定層和所述多個有機層；以及 在所述第二電極的與所述多個像素限定層相對應的部分上形成多個輔助電極。
55.如權(quán)利要求54所述的方法，其中，所述形成多個有機層的步驟包括以線性圖案形成所述多個有機層。
56.如權(quán)利要求54所述的方法，其中，所述形成多個輔助電極的步驟包括以線性圖案形成所述多個輔助電極。
57.如權(quán)利要求54所述的方法，其中，所述形成有機層和所述形成多個輔助電極的步驟由有機層沉積裝置執(zhí)行， 其中，所述有機層沉積裝置包括: 沉積源，排出沉積材料； 沉積源噴嘴單元，位于所述沉積源的一側(cè)并包括多個沉積源噴嘴；以及 構(gòu)圖狹縫片，面對所述沉積源噴嘴單元并包括沿第一方向布置的多個構(gòu)圖狹縫， 其中，從所述沉積源排出的沉積材料經(jīng)過所述構(gòu)圖狹縫片以圖案形式沉積在所述襯底上。
58.如權(quán)利要求57所述的方法，其中，所述有機層沉積裝置的所述構(gòu)圖狹縫片在所述第一方向或第二方向中至少一個方向上小于所述襯底，所述第二方向垂直于所述第一方向。
59.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，包括: 將襯底定位為與有機層沉積裝置分隔開； 當所述有機層沉積裝置或所述襯底中的一個相對于另一個移動時，通過對從所述有機層沉積裝置排出的沉積材料構(gòu)圖在所述襯底上形成有機層； 當所述有機層沉積裝置或所述襯底中的一個相對于另一個移動時，通過對從所述有機層沉積裝置排出的沉積材料構(gòu)圖在所述襯底上形成輔助電極；以及形成覆蓋所述有機層和所述輔助電極的第二電極。
60.如權(quán)利要求59所述的方法，其中，所述形成有機層的步驟包括將有機層沉積裝置定位為與所述襯底分隔開并且當所述有機層沉積裝置與所述襯底相對于彼此移動時形成所述有機層，以及 其中，所述有機層沉積裝置包括: 沉積源，排出沉積材料；沉積源噴嘴單元，位于所述沉積源的一側(cè)并包括以第一方向布置的多個沉積源噴嘴；構(gòu)圖狹縫片，面對所述沉積源噴嘴單元并包括以第一方向布置的多個構(gòu)圖狹縫；以及遮蔽板組件，包括多個遮蔽板，所述多個遮蔽板沿所述第一方向位于所述沉積源噴嘴單元與所述構(gòu)圖狹縫片之間的多個遮蔽板，并將所述沉積源噴嘴單元與所述構(gòu)圖狹縫片之間的空間分成多個沉積空間。
61.如權(quán)利要求60所述的方法，其中，所述多個遮蔽板均以第二方向布置并將所述沉積源噴嘴單元與所述構(gòu)圖狹縫片之間的空間分成多個沉積空間，所述第二方向垂直于所述第一方向。
62.如權(quán)利要求60所述的方法，其中，所述遮蔽板組件包括第一遮蔽板組件和第二遮蔽板組件，所述第一遮蔽板組件包括多個第一遮蔽板，所述第二遮蔽板組件包括多個第二遮蔽板。
63.如權(quán)利要求60所述的方法，其中，所述有機層沉積裝置的所述構(gòu)圖狹縫片小于所述襯底。
64.如權(quán)利要求59所述的方法，其中，所述形成有機層的步驟包括將有機層沉積裝置定位為與所述襯底分隔開并且當所述有機層沉積裝置與所述襯底相對于彼此移動時形成所述有機層，以及 其中，所述有機層沉積裝置包括: 沉積源，排出沉積材料； 沉積源噴嘴單元，位于所述沉積源的一側(cè)并包括以第一方向布置的多個沉積源噴嘴；以及 構(gòu)圖狹縫片，面對所述沉積源噴嘴單元并包括以第一方向布置的多個構(gòu)圖狹縫。
65.如權(quán)利要求64 所述的方法，其中，所述多個沉積源噴嘴以一定角度傾斜。
66.如權(quán)利要求64所述的方法，其中，所述有機層沉積裝置的所述構(gòu)圖狹縫片小于所述襯底。
【文檔編號】H01L27/32GK103779384SQ201310286566
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月22日
【發(fā)明者】崔元奎 申請人:三星顯示有限公司