發(fā)光器件、發(fā)光器件制造方法、發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)本申請是2010年12月9日提交的、名為“發(fā)光器件、發(fā)光器件制造方法、發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)”的中國專利申請201010591857.7的分案申請。技術(shù)領(lǐng)域?qū)嵤┓桨干婕鞍l(fā)光器件、發(fā)光器件制造方法、發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)。

背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是一種將電能轉(zhuǎn)化為光的半導(dǎo)體器件。與相關(guān)技術(shù)的諸如熒光燈和白熾電燈的光源相比，發(fā)光二極管的優(yōu)勢在于低電耗、半永久性的壽命、高的響應(yīng)速度、安全和環(huán)境友好的特征。已經(jīng)進行了許多研究來利用發(fā)光二極管替代相關(guān)技術(shù)的光源，發(fā)光二極管越來越多地用作建筑物內(nèi)外使用的各種燈、液晶顯示器、電子布告牌、路燈等的光源。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
實施方案提供具有新結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件、發(fā)光器件制造方法、發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)。實施方案提供具有降低的操作電壓的發(fā)光器件、發(fā)光器件制造方法、發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)。實施方案提供具有改善的發(fā)光效率的發(fā)光器件、發(fā)光器件制造方法、發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)。根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件包括：導(dǎo)電支撐襯底；在導(dǎo)電支撐襯底上的接合層；在接合層上的反射層；在反射層上的歐姆接觸層；在歐姆接觸層上的電流阻擋層；在接合層上的周邊部分處的保護層；在電流阻擋層、歐姆接觸層和保護層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)層；和在發(fā)光結(jié)構(gòu)層上的電極，所述電極與電流阻擋層和保護層至少部分交疊，其中所述保護層由導(dǎo)電率低于反射層或歐姆接觸層的材料、電絕緣材料或與發(fā)光結(jié)構(gòu)層肖特基接觸的材料制成。根據(jù)另一實施方案的發(fā)光器件包括：導(dǎo)電支撐襯底；在導(dǎo)電支撐襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)層；設(shè)置在導(dǎo)電支撐襯底上的周邊部分處以及部分設(shè)置在導(dǎo)電支撐襯底和發(fā)光結(jié)構(gòu)層之間的導(dǎo)電保護層；和設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)層上并與導(dǎo)電保護層至少部分交疊的電極，其中發(fā)光結(jié)構(gòu)層具有傾斜的側(cè)面，并且所述傾斜的側(cè)面與導(dǎo)電保護層交疊。根據(jù)另一實施方案的發(fā)光器件包括：導(dǎo)電支撐襯底；在導(dǎo)電支撐襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)層；設(shè)置在導(dǎo)電支撐襯底上的周邊部分處以及部分設(shè)置在導(dǎo)電支撐襯底和發(fā)光結(jié)構(gòu)層之間的保護層；和在發(fā)光結(jié)構(gòu)層上的與保護層部分交疊的電極，其中所述電極包括外電極、設(shè)置在外電極內(nèi)部并將外電極的第一部和第二部連接的內(nèi)電極、以及與外電極連接的墊單元。附圖說明圖1為說明根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件的視圖；圖2～10為說明制造根據(jù)本發(fā)明實施方案的發(fā)光器件的方法的視圖；圖11為說明根據(jù)第二實施方案的發(fā)光器件的視圖；圖12為說明根據(jù)第三實施方案的發(fā)光器件的視圖；圖13是顯示在根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件中的平面形電極的視圖；圖14是顯示在根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件中的平面形電極的另一實例的視圖；圖15是顯示在根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件中的平面形電極的另一實例的視圖；圖16是顯示在根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件中的平面形電極的另一實例的視圖；圖17是顯示在根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件中的平面形電極的另一實例的視圖；圖18是顯示根據(jù)本發(fā)明一個對比實施方案的電極的視圖；圖19是顯示圖15中說明的電極的視圖；圖20是包括圖13中所示實施方案電極的發(fā)光器件與包括圖18中所示對比實施方案電極的發(fā)光器件的光輸出比較圖；圖21為包括根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的橫截面圖；圖22為說明包括根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝的背光單元的視圖；圖23為說明包括根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝的照明單元的視圖。具體實施方式應(yīng)理解：在本發(fā)明實施方案的描述中，當要素例如層(膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)稱為在另一襯底、層(膜)、區(qū)域或圖案“上”或“下”時，其可“直接地”在其它要素“上”或“下”，或者可“間接地”在其它要素“上”或“下”(中間存在其它要素)?？蓞⒖几綀D限定各層的“上”或“下”。為了描述方便和清楚，在附圖中，可將各層的厚度或尺寸進行放大、省略或示意性地顯示。此外，各構(gòu)件的尺寸未完全表示實際尺寸。以下將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施方案的發(fā)光器件、發(fā)光器件制造方法、發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)。圖1為說明根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件的視圖；參考圖1，根據(jù)本發(fā)明第一實施方案的發(fā)光器件100包括：導(dǎo)電支撐襯底175、在導(dǎo)電支撐襯底175上的接合層170、在接合層170上的反射層160、在反射層160上的歐姆接觸層150、在接合層170上的周邊部分處的保護層140、在歐姆接觸層150和保護層140上的產(chǎn)生光的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135、以及在發(fā)光結(jié)構(gòu)層135上的電極115。導(dǎo)電支撐襯底175支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)層135和與電極115一起對發(fā)光結(jié)構(gòu)層135供電。例如，導(dǎo)電支撐襯底175可包括Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W和載體晶片(例如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、GaN、Ga2O3)中的至少之一。在導(dǎo)電支撐襯底175上可形成接合層170。接合層170在反射層160和保護層140下形成。接合層170與反射層160、歐姆接觸層150和保護層140接觸，使得反射層160、歐姆接觸層150和保護層140與導(dǎo)電支撐襯底175接合。形成接合層170以與導(dǎo)電支撐襯底175接合。因此，當鍍覆或者沉積導(dǎo)電支撐襯底175時，不是必須形成接合層170，這樣接合層170可選擇性地形成。接合層170包括阻擋金屬或接合金屬，例如可包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag和Ta中的至少之一。在接合層170上可形成反射層160。反射層160可通過將來自發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的入射光反射來改善光提取效率。反射層160可例如由包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少之一的金屬或合金制成。此外，反射層160可使用金屬或合金和透光導(dǎo)電材料例如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO形成為多層，提供反射層160以提高發(fā)光效率，反射層160并非必須形成。在反射層160上可形成歐姆接觸層150。歐姆接觸層150與第二導(dǎo)電的半導(dǎo)體層130歐姆接觸，使得對發(fā)光結(jié)構(gòu)層135平穩(wěn)供電，并且可包括ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO中的至少任意一種。即，歐姆接觸層150可由透光層和金屬選擇性地制成，并且可由ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、IZTO(氧化銦鋅錫)、IAZO(氧化銦鋁鋅)、IGZO(氧化銦鎵鋅)、IGTO(氧化銦鎵錫)、AZO(氧化鋁鋅)、ATO(氧化銻錫)、GZO(氧化鎵鋅)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的一種或更多種實現(xiàn)為一層或多層。提供歐姆接觸層150以將載流子平穩(wěn)地注入第二導(dǎo)電的半導(dǎo)體層130中，歐姆接觸層150并非必須形成。例如，用于反射層160材料可為與第二導(dǎo)電的半導(dǎo)體層130歐姆接觸的材料，其中注入第二導(dǎo)電的半導(dǎo)體層130中的載流子可與當形成歐姆接觸層150時沒有顯著不同。在歐姆接觸層150和第二導(dǎo)電的半導(dǎo)體層130之間可形成電流阻擋層(CBL)145。電流阻擋層145的頂部與第二導(dǎo)電的半導(dǎo)體層130接觸，電流阻擋層145的底部和側(cè)面與歐姆接觸層150接觸。電流阻擋層145可與電極115至少部分交疊，因此，改善由于電極115和導(dǎo)電支撐襯底175之間的最短距離而產(chǎn)生的電流集中，由此改善發(fā)光器件100的發(fā)光效率。電流阻擋層145的寬度為電極115的寬度的0.9～1.3倍。例如，電流阻擋層145的寬度可為電極115的寬度的1.1～1.3倍。電流阻擋層145可由導(dǎo)電率小于反射層160或歐姆接觸層150的材料、與第二導(dǎo)電的半導(dǎo)體層130肖特基接觸的材料或電絕緣材料制成。例如，電流阻擋層145可包括ZnO、SiO2、SiON、Si3N4、Al2O3、TiO2、Ti、Al和Cr中的至少之一。同時，電流阻擋層145可在歐姆接觸層150和第二導(dǎo)電的半導(dǎo)體層130之間或在反射層160和歐姆接觸層150之間形成，但是不限于此。此外，可通過對第二導(dǎo)電的半導(dǎo)體層130施加等離子體處理形成其中電流難以流動的區(qū)域而不形成電流阻擋層145，所述區(qū)域可用作電流阻擋區(qū)域，如同電流阻擋層145一樣。此外，提供電流阻擋層145以允許電流寬泛地流入發(fā)光結(jié)構(gòu)層135，但是電流阻擋層145不是必需形成。在接合層170上的周邊部分處可形成保護層140。當不形成接合層170時，可在導(dǎo)電支撐襯底上的周邊部分處形成保護層140。保護層140可減少由于發(fā)光結(jié)構(gòu)層145和接合層170之間界面的分離而導(dǎo)致的發(fā)光器件100可靠性的劣化。保護層140可為由導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電保護層或由非導(dǎo)電材料制成的非導(dǎo)電保護層。導(dǎo)電保護層可由透明導(dǎo)電氧化物膜制成或可包括Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W中的至少之一。例如，透明導(dǎo)電氧化物膜可為ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、IZTO(氧化銦鋅錫)、IAZO(氧化銦鋁鋅)、IGZO(氧化銦鎵鋅)、IGTO(氧化銦鎵錫)、AZO(氧化鋁鋅)、ATO(氧化銻錫)、GZO(氧化鎵鋅)中的任何一種。此外，當在芯片分離過程中施加隔離蝕刻以將發(fā)光結(jié)構(gòu)層145分為單元芯片時，導(dǎo)電保護層防止由接合層170產(chǎn)生碎片并防止在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130和有源層120之間、或在有源層120和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110之間粘合和導(dǎo)致電短路。因此，導(dǎo)電保護層由不會破裂或產(chǎn)生碎片的材料制成。因為導(dǎo)電保護層具有導(dǎo)電性，所以電流可通過導(dǎo)電保護層注入發(fā)光結(jié)構(gòu)層135中。因此，在發(fā)光結(jié)構(gòu)層135周圍的導(dǎo)電保護層上，可由有源層120有效地產(chǎn)生光。此外，導(dǎo)電保護層可通過減小由于電流阻擋層145導(dǎo)致的操作電壓增加來使得發(fā)光器件的操作電壓降低。導(dǎo)電保護層可由與歐姆接觸層150相同的材料制成。非導(dǎo)電層的導(dǎo)電性非常低，其可基本上由非導(dǎo)電材料制成。非導(dǎo)電保護層145可由材料導(dǎo)電率顯著小于反射層160或歐姆接觸層150的材料、與第二導(dǎo)電的半導(dǎo)體層130肖特基接觸的材料或電絕緣材料制成。例如，非導(dǎo)電保護層可由ZnO或SiO2制成。非導(dǎo)電保護層使接合層170和有源層120之間的距離增加。因此，能夠減小接合層170和有源層120之間電短路的可能性。此外，當在芯片分離過程中施加隔離蝕刻以將發(fā)光結(jié)構(gòu)層145分為單元芯片時，非導(dǎo)電保護層防止由接合層170產(chǎn)生碎片并防止在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130和有源層120之間、或在有源層120和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110之間粘合和導(dǎo)致電短路。非導(dǎo)電保護層由不會破裂為碎片的材料或具有不會引起電短路(即使其在隔離蝕刻中稍微破裂為少量碎片)的導(dǎo)電性的材料制成。在歐姆接觸層150和保護層140上可形成發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。在進行隔離蝕刻以分離為單元芯片中，發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的側(cè)面可傾斜，并且該傾斜的表面與保護層140至少部分交疊。保護層140頂部的一部分可通過隔離蝕刻暴露出。因此，保護層140可形成為在預(yù)定區(qū)域處與發(fā)光結(jié)構(gòu)層135交疊而在其它區(qū)域處不與發(fā)光結(jié)構(gòu)層135交疊。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110可包括例如N型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110可選自組成式為InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料，例如InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN和InN。有源層120為利用根據(jù)有源層120材料能帶的帶隙差異發(fā)光的層，當通過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110注入的電子(或空穴)與通過第二導(dǎo)電的半導(dǎo)體層130注入的空穴(或電子)復(fù)合時發(fā)光。有源層120可形成為單量子阱、多量子阱(MQW)、量子點和量子線中的任意一種，但是不限于此。有源層可由組成式為InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料制成。當有源層120形成為多量子阱時，有源層120可通過堆疊多個阱層和多個勢壘層例如以InGaN阱層/GaN勢壘層的次序形成。摻雜有n型或p型摻雜劑的覆層(未顯示)可在有源層120上和/或下形成，并可通過AlGaN層或InAlGaN層實現(xiàn)。第二導(dǎo)電的半導(dǎo)體層130可通過例如p型半導(dǎo)體層實現(xiàn)。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130可選自組成式為InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料，例如InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN和InN，并且可摻雜有p型摻雜劑例如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。同時，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110可包括p型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130可包括n型半導(dǎo)體層。此外，包括n型或p型半導(dǎo)體層的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層(未顯示)可在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130上形成，因此發(fā)光結(jié)構(gòu)層135可包括np結(jié)、pn結(jié)、npn結(jié)和pnp結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少之一。此外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130中的摻雜濃度可均勻或不均勻。即，發(fā)光結(jié)構(gòu)層130的結(jié)構(gòu)可進行各種方式的改變而不限于本文所述。包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110、有源層120和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135可形成為各種改變的結(jié)構(gòu)，而不限于在實施方案中示例性的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的結(jié)構(gòu)。在發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的頂部上形成電極115。電極115可分成預(yù)定圖案，但是不限于此。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層100的頂部上可形成粗糙圖案112以提高光提取效率。因此，在電極115的頂部上可形成粗糙圖案，但是不限于此。電極115可與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的頂部接觸。此外，電極115可通過堆疊至少一個墊單元和至少一個分支形電極單元形成為相同或不同的結(jié)構(gòu)，但是不限于此。電極115可包括：外部電極115a、內(nèi)部電極115b和墊單元(圖13中的115c)。即，電極單元可由外部電極115a和內(nèi)部電極115b構(gòu)成。電極115可與保護層140和電流阻擋層145至少在預(yù)定部分處交疊。例如，外部電極115a可與保護層140垂直交疊，內(nèi)部電極115b可與電流阻擋層145垂直交疊。顯然，當不形成電流阻擋層145時，外部電極115a可與保護層140垂直交疊。因為導(dǎo)電保護層與電極115交疊，當保護層為導(dǎo)電保護層時，可使得大量電流流入導(dǎo)電保護層上的有源層120中。因此，由有源層120通過較大的區(qū)域發(fā)射光，使得發(fā)光器件的發(fā)光效率可提高。此外，發(fā)光器件100的操作電壓可降低。當保護層140為非導(dǎo)電保護層時，在非導(dǎo)電保護層上的有源層120中流動少量電流，這樣可不產(chǎn)生光，因此發(fā)光器件100的發(fā)光效率可降低。然而，因為電極115位于與非導(dǎo)電保護層交疊的位置處，所以可使得更多電流流入非導(dǎo)電保護層上的有源層120中。因此，由有源層120通過較大的區(qū)域發(fā)射光，使得發(fā)光器件的發(fā)光效率可提高。在發(fā)光結(jié)構(gòu)層135的至少側(cè)面上可形成鈍化層180。此外，鈍化層180可在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110頂部上和保護層140的頂部上形成，但是不限于此。鈍化層180可由例如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3制成以對發(fā)光結(jié)構(gòu)層135進行電保護，但是不限于此。圖13是顯示在根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件中的平面形電極的視圖。圖1中示出了沿著線I-I′截取的橫截面形狀。參考圖1和13，電極115在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110上形成并且可包括：沿第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的頂部上的邊緣延伸的外部電極115a以及將外部電極115a的第一部與外部電極115a的第二部連接的內(nèi)部電極115b。內(nèi)部電極115b可設(shè)置在由外部電極115a包圍的區(qū)域內(nèi)部。外部電極115a包括：第一外部電極115a1、第二外部電極115a2、第三外部電極115a3和第四外部電極115a4。此外，內(nèi)部電極115b可包括：第一內(nèi)部電極115b1、第二內(nèi)部電極115b2、第三內(nèi)部電極115b3和第四內(nèi)部電極115b4。外部電極115a可至少部分地形成在從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110頂部最外側(cè)的50微米內(nèi)，并可與鈍化層180接觸。例如，第一外部電極115a1、第二外部電極115a2、第三外部電極115a3和第四外部電極115a4各自可至少部分地設(shè)置在從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110頂部的最外側(cè)的50微米內(nèi)。外部電極115a可設(shè)置為具有四邊和四角的矩形，并且包括：沿第一方向延伸的第一外部電極115a1和第二外部電極115a2、以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三外部電極115a3和第四外部電極115a4。墊單元115c可包括：第一墊單元115c1和第二墊單元115c2，其中第一墊單元115c1可位于第一外部電極115a1和第三外部電極115a3的連接處，第二墊單元115c2可位于第一外部電極115a1和第四外部電極115a4的連接處。內(nèi)部電極115b包括：沿第二方向延伸的并將第一外部電極115a1和第二外部電極115a2連接的第一內(nèi)部電極115b1、第二內(nèi)部電極115b2、第三內(nèi)部電極115b3，以及沿第一方向延伸的并將沿第二方向延伸的第三外部電極115a3與第四外部電極115a4連接的第四內(nèi)部電極115b4。第一外部電極115a1和第四內(nèi)部電極115b4之間的距離A可大于第二外部電極115a2和第四內(nèi)部電極115b4之間的距離B。此外，第三外部電極115a3和第一內(nèi)部電極115b1之間的距離C、第一內(nèi)部電極115b1和第二內(nèi)部電極115b2之間的距離D、第二內(nèi)部電極115b2和第三內(nèi)部電極115b3之間的距離E、以及第三內(nèi)部電極115b3和第四外部電極115a4之間的距離F可基本相同。此外，外部電極115a的至少一部分的寬度可大于內(nèi)部電極115b的寬度。此外，外部電極115a的至少一部分的寬度可大于外部電極115a的其它部分的寬度。例如，第一外部電極115a1可形成為在寬度上大于內(nèi)部電極115b，第一外部電極115a1可形成為在寬度上大于第二外部電極115a2。此外，第三外部電極115a3和第四外部電極115a4的寬度中的靠近第一外部電極115a1的寬度可大于靠近第二外部電極115a2的寬度。例如，外部電極115a和內(nèi)部電極115b限定窗形開口，其中位于所述開口的寬部的外部電極115a的寬度可大于位于所述開口的窄部的外部電極的寬度。內(nèi)部電極115b將由外部電極115a包圍的內(nèi)部區(qū)域分為多個區(qū)域?？拷哂凶畲髮挾鹊牡谝煌獠侩姌O115a1的區(qū)域在所述區(qū)域中在面積上大于靠近具有較小寬度的第二外部電極115a2的區(qū)域。此外，內(nèi)部電極115b可形成為在寬度上小于外部電極115a。例如，第一外部電極115a1、以及第三外部電極115ta3和第四外部電極115a4的靠近第一外部電極115a1的部分可形成為具有25～35微米的寬度，第二外部電極115a2、以及第三外部電極115a3和第四外部電極115a4的靠近第二外部電極115a2的部分可形成為具有15～25微米的寬度，內(nèi)部電極115b可形成為具有5～15微米的寬度。根據(jù)圖13所示實施方案的發(fā)光器件的電極115可應(yīng)用于其中一側(cè)為800～1200微米長的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。當至少一側(cè)的長度小于800微米時，發(fā)光面積可通過電極115而減小，而當至少一側(cè)的長度小于1200微米時，則可無法通過電極115有效地供給電流。例如，圖13所示的電極115可應(yīng)用于長度和寬度為1000微米的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。與電極115占據(jù)的面積相比，如上所述的電極115可降低電阻和使得電流有效分布。圖14是顯示在根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件中的平面形電極的另一實例的視圖。參考圖1和14，電極115在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110上形成并可包括：沿第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110頂部上的邊緣延伸的外部電極115a以及將外部電極115a與外部電極115a連接的內(nèi)部電極115b。外部電極115a包括：第一外部電極115a1、第二外部電極115a2、第三外部電極115a3和第四外部電極115a4。此外，內(nèi)部電極115b可包括第一內(nèi)部電極115b1、第二內(nèi)部電極115b2和第三內(nèi)部電極115b3。外部電極115a可至少部分地形成在從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的最外側(cè)的50微米內(nèi)，并可與鈍化層180接觸。外部電極115a可設(shè)置為具有四邊和四角的矩形，并包括：沿第一方向延伸的第一外部電極115a1和第二外部電極115a2、以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三外部電極115a3和第四外部電極115a4。墊單元115c可包括：第一墊單元115c1和第二墊單元115c2，其中第一墊單元115c1可位于第一外部電極115a1和第三外部電極115a3的連接處，第二墊單元115c2可位于第一外部電極115a1和第四外部電極115a4的連接處。內(nèi)部電極115b包括：沿第二方向延伸的并將第一外部電極115a1與第二外部電極115a2連接的第一內(nèi)部電極115b1和第二內(nèi)部電極115b2、以及沿第一方向延伸的并將沿第二方向延伸的第三外部電極115a3與第四外部電極115a4連接的第三內(nèi)部電極115b3。第一外部電極115a1和第三內(nèi)部電極115b3之間的距離A可大于第二外部電極115a2和第三內(nèi)部電極115b3之間的距離B。此外，第三外部電極115a3和第一內(nèi)部電極115b1之間的距離C、第一內(nèi)部電極115b1和第二內(nèi)部電極115b2之間的距離D、第二內(nèi)部電極115b2和第四外部電極115a4之間的距離E可基本相同。此外，外部電極115a的至少一部分的寬度可大于內(nèi)部電極115b的寬度。此外，外部電極115a的至少一部分的寬度可大于外部電極115a的其它部分的寬度。例如，第一外部電極115a1可形成為在寬度上大于內(nèi)部電極115b，第一外部電極115a1可形成為在寬度上大于第二外部電極115a2。此外，第三外部電極115a3和第四外部電極115a4的寬度中的靠近第一外部電極115a1的寬度可大于靠近第二外部電極115a2的寬度。內(nèi)部電極115b將由外部電極115a包圍的內(nèi)部區(qū)域分為多個區(qū)域?？拷哂凶畲髮挾鹊牡谝煌獠侩姌O115a1的區(qū)域在所述區(qū)域中在面積上大于靠近第二外部電極115a2的區(qū)域。根據(jù)圖14所示實施方案的發(fā)光器件的電極115可應(yīng)用于其中一側(cè)為800～1200微米長的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。當至少一側(cè)的長度小于800微米時，發(fā)光面積可通過電極115而減小，而當至少一側(cè)的長度小于1200微米時，則可無法通過電極115有效地供給電流。例如，圖14所示的電極115可應(yīng)用于長度和寬度為1000微米的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。與電極115占據(jù)的面積相比，如上所述的電極115可降低電阻和使得電流有效分布。圖15是顯示在根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件中的平面形電極的另一實例的視圖。參考圖1和15，電極115在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110上形成并可包括：沿第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110頂部上的邊緣延伸的外部電極115a以及將外部電極115a與外部電極115a連接的內(nèi)部電極115b。外部電極115a包括：第一外部電極115a1、第二外部電極115a2、第三外部電極115a3和第四外部電極115a4。此外，內(nèi)部電極115b可包括第一內(nèi)部電極115b1和第二內(nèi)部電極115b2。外部電極115a可至少部分地形成在從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的最外側(cè)的50微米內(nèi)，并可與鈍化層180接觸。外部電極115a可設(shè)置為具有四邊和四角的矩形，并可包括：沿第一方向延伸的第一外部電極115a1和第二外部電極115a2、以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三外部電極115a3和第四外部電極115a4。墊單元115c可包括：第一墊單元115c1和第二墊單元115c2，其中第一墊單元115c1可位于第一外部電極115a1和第三外部電極115a3的連接處，第二墊單元115c2可位于第一外部電極115a1和第四外部電極115a4的連接處。內(nèi)部電極包括：沿第二方向延伸的并將沿第一方向延伸的第一外部電極115a1與第二外部電極115a2連接的第一內(nèi)部電極115b1和第二內(nèi)部電極115b2。第三外部電極115a3和第一內(nèi)部電極115b1之間的距離C、第一內(nèi)部電極115b1和第二內(nèi)部電極115b2之間的距離D、第二內(nèi)部電極115b2和第四外部電極115a4之間的距離E可基本相同。如參考圖13和14所述，在圖15所示電極115中，外部電極115a的至少一部分的寬度可大于內(nèi)部電極115b的寬度，外部電極115a的至少一部分的寬度可大于外部電極115a的其它部分。例如，第一外部電極115a1可形成為在寬度上大于內(nèi)部電極115b，第一外部電極115a1可形成為在寬度上大于第二外部電極115a2。顯然，如圖15所示，外部電極115a和內(nèi)部電極115b可形成為具有相同寬度。根據(jù)圖15所示實施方案的發(fā)光器件的電極115可應(yīng)用于其中一側(cè)為800～1200微米長的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。當至少一側(cè)的長度小于800微米時，發(fā)光面積可通過電極115而減小，而當至少一側(cè)的長度小于1200微米時，則可無法通過電極115有效地供給電流。例如，圖15所示的電極115可應(yīng)用于長度和寬度為1000微米的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。與電極115占據(jù)的面積相比，如上所述的電極115可降低電阻和使得電流有效分布。圖16是顯示在根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件中的平面形電極的另一實例的視圖。參考圖1和16，電極115在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110上形成并可包括：沿第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110頂部上的邊緣延伸的外部電極115a、以及將外部電極115a與外部電極115a連接的內(nèi)部電極115b。外部電極115a包括：第一外部電極115a1、第二外部電極115a2、第三外部電極115a3和第四外部電極115a4。外部電極115a可至少部分地形成在從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的最外側(cè)的50微米內(nèi)，并可與鈍化層180接觸。外部電極115a可設(shè)置為具有四邊和四角的矩形，并可包括：沿第一方向延伸的第一外部電極115a1和第二外部電極115a2、以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三外部電極115a3和第四外部電極115a4。墊單元115c可位于第一外部電極115a1和內(nèi)部電極115b的連接處。內(nèi)部電極115b沿第二方向延伸并將沿第一方向延伸的第一外部電極115a1與第二外部電極115a2連接。第三外部電極115a3和內(nèi)部電極115b之間的距離C與內(nèi)部電極115b和第四外部電極115a4之間距離D可基本相同。如參考圖13和14所述，在圖16所示電極115中，外部電極115a的至少一部分的寬度可大于內(nèi)部電極115b的寬度，外部電極115a的至少一部分的寬度可大于外部電極115a的其它部分。例如，第一外部電極115a1可形成為在寬度上大于內(nèi)部電極115b，第一外部電極115a1可形成為在寬度上大于第二外部電極115a2。顯然，如圖16所示，外部電極115a和內(nèi)部電極115b可形成為具有相同寬度。根據(jù)圖16所示實施方案的發(fā)光器件的電極115可應(yīng)用于其中一側(cè)為400～800微米長的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。當至少一側(cè)的長度小于400微米時，發(fā)光面積可通過電極115而減小，而當至少一側(cè)的長度小于800微米時，則通過電極115可無法有效地供給電流。例如，圖16所示的電極115可應(yīng)用于長度和寬度為600微米的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。與電極115占據(jù)的面積相比，如上所述的電極115可降低電阻和使得電流有效分布。圖17是顯示在根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件中的平面形電極的另一實例的視圖。參考圖1和17，電極115在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110上形成并可包括：沿第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110頂部上的邊緣延伸的外部電極115a、以及將外部電極115a與外部電極115a連接的內(nèi)部電極115b。外部電極115a包括：第一外部電極115a1、第二外部電極115a2、第三外部電極115a3和第四外部電極115a4。此外，內(nèi)部電極115b可包括第一內(nèi)部電極115b1和第二內(nèi)部電極115b2。外部電極115a可至少部分地形成在從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的最外側(cè)的50微米內(nèi)，并可與鈍化層180接觸。外部電極115a可設(shè)置為具有四邊和四角的矩形，并包括：沿第一方向延伸的第一外部電極115a1和第二外部電極115a2、以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三外部電極115a3和第四外部電極115a4。墊單元115c可位于第一外部電極115a1和第一內(nèi)部電極115b1的連接處。內(nèi)部電極115b包括：沿第二方向延伸的并將第一外部電極115a1與第二外部電極115a2連接的第一內(nèi)部電極115b1、以及沿第一方向延伸的并將沿第二方向延伸的第三外部電極115a3與第四外部電極115a4連接的第二內(nèi)部電極115b2。第一外部電極115a1和第二內(nèi)部電極115b2之間的距離A可大于第二外部電極115a2和第二內(nèi)部電極115b2之間的距離B。此外，第三外部電極115a3和第一內(nèi)部電極115b1之間的距離C與第一內(nèi)部電極115b1和第四外部電極115a4之間的距離D可基本相同。如參考圖13和14所述，在圖17所示電極115中，外部電極115a的至少一部分的寬度可大于內(nèi)部電極115b的寬度，外部電極115a的至少一部分的寬度可大于外部電極115a的其它部分。例如，第一外部電極115a1可形成為在寬度上大于內(nèi)部電極115b，第一外部電極115a1可形成為在寬度上大于第二外部電極115a2。顯然，如圖17所示，外部電極115a和內(nèi)部電極115b可形成為具有相同寬度。內(nèi)部電極115b將由外部電極115a包圍的內(nèi)部區(qū)域分為多個區(qū)域。在所述區(qū)域中，靠近第一外部電極115a1的區(qū)域在面積上大于靠近第二外部電極115a2的區(qū)域。根據(jù)圖17所示實施方案的發(fā)光器件的電極115可應(yīng)用于其中一側(cè)為400～800微米長的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。當至少一側(cè)的長度小于400微米時，發(fā)光面積可通過電極115而減小，而當至少一側(cè)的長度小于800微米時，則通過電極115可無法有效地供給電流。例如，圖17所示的電極115可應(yīng)用于長度和寬度為600微米的發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。與電極115占據(jù)的面積相比，如上所述的電極115可降低電阻和使得電流有效分布。圖18和19是說明在根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件中電極結(jié)構(gòu)的光輸出的視圖。根據(jù)一個對比實施方案的電極示于圖18中，參考圖15描述的電極示于圖19中。圖18所示的電極115和圖19所示的電極115具有基本相同的形狀。然而，根據(jù)圖18所示的對比實施方案的電極115設(shè)置在從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110頂部最外側(cè)的50微米以上的距離處，而圖19所示的電極115至少部分地設(shè)置在從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的頂部的最外側(cè)的50微米內(nèi)并與鈍化層180接觸。根據(jù)實驗，可見：在圖18所示的對比實施方案中，測量到光輸出為282mW，在圖19所示的實施方案中，測量到光輸出為304mW，當僅僅改變電極115的結(jié)構(gòu)并保持其它條件相同時，光輸出提高8％。圖20是包括圖13中所示實施方案的電極的發(fā)光器件與包括圖18中所示對比實施方案的電極的發(fā)光器件的光輸出比較圖。根據(jù)實驗，可見：當電極115設(shè)置為如圖13和18中所示并保持其它條件相同時，與包括圖18所示對比實施方案的電極的發(fā)光器件的光輸出相比，包括圖13所示電極的發(fā)光器件的光輸出相當優(yōu)異。圖11為說明根據(jù)第二實施方案的發(fā)光器件的視圖。根據(jù)第二實施方案的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)類似。然而，在根據(jù)第二實施方案的發(fā)光器件中，歐姆接觸層150延伸至發(fā)光器件的側(cè)面。即，歐姆接觸層150設(shè)置在保護層140的側(cè)面和底部上，保護層140和接合層170通過歐姆接觸層150間隔開。圖12為說明根據(jù)第三實施方案的發(fā)光器件的視圖。根據(jù)第三實施方案的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)類似。然而，在根據(jù)第三實施方案的發(fā)光器件中，反射層160延伸至發(fā)光器件的側(cè)面。即，反射層160設(shè)置在保護層140和歐姆層150的底部上，保護層140和接合層170通過歐姆接觸層160間隔開。在反射層160上部分地形成保護層140。當形成在接合層170的整個頂部上時，反射層160可通過更有效地反射由有源層120產(chǎn)生的光來提高發(fā)光效率。雖然未顯示，但是歐姆接觸層150和反射層160可設(shè)置為延伸至發(fā)光器件的側(cè)面。以下描述制造根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件的方法。然而，與如上所述重復(fù)的部分未進行描述或進行簡單說明。圖2～10為說明制造根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件的方法的視圖。參考圖2，在生長襯底101上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。生長襯底101可由藍寶石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge中的至少之一制成，但是不限于此。發(fā)光結(jié)構(gòu)層135可通過在生長襯底101上依次生長第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110、有源層120和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130形成。發(fā)光結(jié)構(gòu)層135可通過MOCVD(金屬有機化學氣相沉積)、CVD(化學氣相沉積)、PECVD(等離子體增強的化學氣相沉積)、MBE(分子束外延)和HVPE(氫化物氣相外延)形成，但是不限于此。同時，在發(fā)光結(jié)構(gòu)層135和生長襯底101之間可形成緩沖層(未顯示)和/或未摻雜的氮化物層(未顯示)以減小晶格常數(shù)差異。參考圖3，在發(fā)光結(jié)構(gòu)層135上形成保護層140，對應(yīng)于單元芯片區(qū)域。可通過掩模圖案在單元芯片區(qū)域周圍形成保護層。保護層可以以各種沉積方法形成。特別地，當保護層140為導(dǎo)電保護層并包括Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W中的至少任意一種時，保護層140可通過濺射形成為具有高的濃度，使得其在隔離蝕刻中不會破裂為碎片。參考圖4，在第二導(dǎo)電層130上可形成電流阻擋層145。電流阻擋層145可通過掩模圖案形成。例如，電流阻擋層145可在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130上形成SiO2層之后通過掩模圖案形成。當保護層140為非導(dǎo)電保護層時，保護層140和電流阻擋層145可由相同材料制成。在這種情況下，能夠在一個工藝中而不是在特定的工藝中同時地形成保護層140和電流阻擋層145。例如，保護層140和電流阻擋層145可在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130上形成SiO2層之后通過掩模圖案同時形成。參考圖5和6，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130和電流阻擋層145上形成歐姆接觸層150，然后可在歐姆接觸層150上形成反射層160。當保護層150為導(dǎo)電保護層時，歐姆接觸層150可由與保護層140相同的材料制成，其中保護層140和歐姆接觸層150可在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130上形成電流阻擋層145之后同時形成。歐姆接觸層150和反射層可通過例如電子束沉積、濺射和PECVD(等離子體增強的化學氣相沉積)中的任意一種形成。其中形成歐姆接觸層150和反射層160的區(qū)域可進行不同的選擇，并且可根據(jù)其中形成歐姆接觸層150和/或反射層160的區(qū)域形成參考圖11和12描述的根據(jù)其它實施方案的發(fā)光器件。參考圖7，在反射層160和保護層140上形成導(dǎo)電支撐襯底175，中間具有接合層170。接合層170與反射層160、歐姆接觸層150和鈍化層140接觸，使得反射層160、歐姆接觸層150和鈍化層140之間的粘合力可增強。導(dǎo)電支撐襯底175附著于接合層170。雖然在示例性的實施方案中，導(dǎo)電支撐襯底175通過接合層170接合，但是導(dǎo)電支撐襯底175可鍍覆或沉積。參考圖8，從發(fā)光結(jié)構(gòu)層135移除生長襯底101。在圖8中將圖7所示結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)。生長襯底101可通過激光剝離或化學剝離移除。參考圖9，通過對各單元芯片實施隔離蝕刻，將發(fā)光結(jié)構(gòu)層135分為多個發(fā)光結(jié)構(gòu)層135。例如，隔離蝕刻可通過干蝕刻例如ICP(感應(yīng)耦合等離子體)實施。參考圖10，在保護層140和發(fā)光結(jié)構(gòu)層135上形成鈍化層180并選擇性地移除鈍化層180，使得暴露出第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的頂部。此外，在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110的頂部上形成粗糙圖案112以改善光提取效率，并且在粗糙圖案112上形成電極115。粗糙圖案112可通過濕蝕刻或干蝕刻形成。此外，通過使用芯片分離工藝將結(jié)構(gòu)分成單元芯片區(qū)域，可制造多個發(fā)光器件。芯片分離工藝可包括例如：通過利用刀片施加物理力來分離芯片的破裂工藝、通過對芯片界面輻射激光來分離芯片的激光劃片工藝、以及包括濕蝕刻和干蝕刻的蝕刻，但是不限于此。圖21為包括根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的橫截面圖。參考圖21，根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件封裝包括：封裝體10、安裝于封裝體10中的第一電極31和第二電極32、安裝于封裝體10中的并與第一電極31和第二電極32電連接的發(fā)光器件100、以及覆蓋發(fā)光器件100的模制元件40。封裝體10可包括硅材料、合成樹脂材料和金屬材料并且可具有腔，所述腔具有傾斜的側(cè)面。第一電極31和第二電極32電隔離并對發(fā)光器件100供電。此外，第一電極31和第二電極32可通過反射由發(fā)光器件100產(chǎn)生的光來提高光效率，并可將由發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱散發(fā)至外部。發(fā)光器件100可安裝在封裝體10上或第一電極31和第二電極32上。發(fā)光器件100可通過引線方法、倒裝芯片方法和芯片接合方法中的任意一種來與第一電極31和第二電極32電連接。在實施方案中作為示例，發(fā)光器件100與第一電極31通過導(dǎo)線50電連接而通過直接接觸與第二電極32電連接。模制元件40可通過覆蓋發(fā)光器件100來保護發(fā)光器件100。此外，在模制元件40中可包含熒光物質(zhì)以改變由發(fā)光器件100發(fā)射的光的波長。在襯底上設(shè)置多個根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件封裝，并且在由發(fā)光器件封裝發(fā)射的光程中可設(shè)置作為光學部件的導(dǎo)光板、棱鏡板、擴散板和熒光板。發(fā)光器件封裝、襯底和光學部件可用作背光單元或照明單元，并且例如光系統(tǒng)可包括背光單元、照明單元、指示器、燈和路燈。圖22為說明包括根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝的背光單元的視圖。然而，圖22所示的背光單元1100為照明系統(tǒng)的一個實例，本發(fā)明不限于此。參考圖22，背光單元1100可包括：底框1140、設(shè)置在底框1140內(nèi)的導(dǎo)光元件1120、以及設(shè)置在導(dǎo)光元件1120的至少一側(cè)或底部上的發(fā)光模塊1110。此外，在導(dǎo)光元件1120下可設(shè)置反射板1130。底框可形成為頂部打開的盒形以容納導(dǎo)光元件1120、發(fā)光模塊1110和反射板1130，并且可由金屬或者樹脂制成，但是所述材料不限于此。發(fā)光模塊1110可包括襯底700和安裝在襯底700上的多個發(fā)光器件封裝600。發(fā)光器件封裝600可為導(dǎo)光元件1120提供光。雖然在實施方案中示例性地說明，發(fā)光器件封裝600安裝在發(fā)光模塊1110中的襯底700上，但是根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件100可在其上直接安裝。如附圖所示，發(fā)光模塊1110可設(shè)置在底框1140的至少任何一個內(nèi)側(cè)面上，因此可為導(dǎo)光元件1120的至少一個側(cè)面提供光。然而，發(fā)光模塊1110可設(shè)置在底框1140下，為導(dǎo)光元件1120的底部提供光，根據(jù)背光單元1100的設(shè)計可進行各種改變，而不限于此。導(dǎo)光元件1120可設(shè)置在底框1140內(nèi)。導(dǎo)光元件1120可將由發(fā)光模塊1110提供的光轉(zhuǎn)化為表面光并將其導(dǎo)至顯示面板(未顯示)。導(dǎo)光元件1120可為例如LGP(導(dǎo)光面板)。導(dǎo)光面板可由例如丙烯酸樹脂例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)和PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、COC和PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)樹脂中之一制成。在導(dǎo)光元件1120上可設(shè)置光學板1150。光學板1150可包括例如擴散板、集光板、增亮板和熒光板中的至少之一。例如，光學板1150可通過堆疊擴散板、集光板、增亮板和熒光板形成。在該結(jié)構(gòu)中，擴散板1150將由發(fā)光模塊1110發(fā)射的光均勻地擴散，擴散的光可通過集光板集中至顯示面板(未顯示)。在該結(jié)構(gòu)中，來自集光板的光為任意偏振的光，增亮板可提高來自集光板的光的偏振度。集光板可為例如水平或/和垂直的棱鏡板。此外，增亮板可為例如雙增亮膜。此外，熒光板可為包括熒光物質(zhì)的透光板或膜。反射板1130可設(shè)置在導(dǎo)光元件1120下。反射板1130可將通過導(dǎo)光元件1120底部發(fā)射的光反射，朝向?qū)Ч庠?120的出光面。反射板1130可由具有高反射比的樹脂例如PET、PC和PVC樹脂制成，但是不限于此。圖23為說明包括根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝的照明單元的視圖。然而，圖23所示的照明單元1200為照明系統(tǒng)的一個實例而不限于此。參考圖23，照明單元1200可包括：殼體1210、安裝至殼體1210的照明模塊、以及安裝至殼體1210和由外部電源提供電力的接線端子1220。優(yōu)選殼體1210由具有良好散熱性能的材料的制成，例如可由金屬或樹脂制成。發(fā)光模塊1230可包括襯底700和在襯底700上安裝的至少一個發(fā)光器件封裝600。雖然在實施方案中示例性地說明，發(fā)光器件封裝600安裝在發(fā)光模塊1110中的襯底700上，但是根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件100可在其上直接安裝。襯底700可通過在絕緣體上印刷電路圖案形成，并且可包括例如普通PCB(印刷電路板)、金屬芯PCB、柔性PCB和陶瓷PCB。此外，襯底700由有效反射光的材料制成，或者表面可具有有效反射光的顏色例如白色和銀色。在襯底700上可安裝至少一個發(fā)光器件封裝600。發(fā)光器件封裝600各自可包括至少一個LED(發(fā)光二極管)。發(fā)光二極管可包括產(chǎn)生顏色例如紅色、綠色、藍色或者白色的彩色發(fā)光二極管、以及產(chǎn)生紫外線的UV發(fā)光二極管。發(fā)光模塊1230可設(shè)置為具有發(fā)光二極管的各種組合以實現(xiàn)顏色和亮度的效果。例如，可將白色發(fā)光二極管、紅色發(fā)光二極管和綠色發(fā)光二極管組合以確保高的CRI。此外，在由發(fā)光模塊1230發(fā)射的光的移動路徑中可進一步設(shè)置熒光板并將由發(fā)光模塊1230發(fā)射的光的波長改變。例如，當由發(fā)光模塊1230發(fā)射的光具有藍色波段時，在熒光板中可包含黃色熒光物質(zhì)，并且由發(fā)光模塊1230發(fā)射的光通過熒光板最后顯示為白光。接線端子1220可通過與發(fā)光模塊1230電連接來供電。根據(jù)圖23所示的實施方案，接線端子1220轉(zhuǎn)動并插入外部電源，如插座一樣，但是不限于此。例如，接線端子1220可形成為可插入外部電源中的管腳形或可通過導(dǎo)線與外部電源連接。由于在如上所述的照明系統(tǒng)中，由發(fā)光模塊發(fā)射的光的移動路徑中設(shè)置導(dǎo)光元件、擴散板、集光板、增亮板和熒光板中的至少任意一種，所以能夠?qū)崿F(xiàn)期望的光學效果。如上所述，照明系統(tǒng)可通過包括具有降低的操作電壓和改善的光效率的發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝來實現(xiàn)高的光效率和可靠性。在本說明書中對″一個實施方案″、″實施方案″、″示例性實施方案″等的任何引用，表示與實施方案相關(guān)描述的具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性包含于本發(fā)明的至少一個實施方案中。在說明書不同地方出現(xiàn)的這些措詞不必都涉及相同的實施方案。此外，當結(jié)合任何實施方案描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性時，認為將這種特征、結(jié)構(gòu)或特性與實施方案的其它的特征、結(jié)構(gòu)或特性關(guān)聯(lián)均在本領(lǐng)域技術(shù)人員的范圍之內(nèi)。盡管已經(jīng)參考其若干說明性的實施方案描述了一些實施方案，但是應(yīng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計出很多的其它改變和實施方案，這些也落入本公開的原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地，在本公開、附圖和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，在本發(fā)明的組合排列的構(gòu)件和/或結(jié)構(gòu)中可能具有各種的變化和改變。除構(gòu)件和/或結(jié)構(gòu)的變化和改變之外，對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，可替代的用途也會是顯而易見的。另外，本發(fā)明還涉及如下技術(shù)方案：1.一種發(fā)光器件，包括：導(dǎo)電支撐襯底；在所述導(dǎo)電支撐襯底上的接合層；在所述接合層上的反射層；在所述反射層上的歐姆接觸層；在所述歐姆接觸層上的電流阻擋層；在所述接合層上的周邊部分處的保護層；在所述電流阻擋層、所述歐姆接觸層和所述保護層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)層；和在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上的電極，所述電極與所述電流阻擋層和所述保護層至少部分交疊，其中所述保護層包括：導(dǎo)電率低于所述反射層或所述歐姆接觸層的材料、電絕緣材料或與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層肖特基接觸的材料。2.根據(jù)項目1所述的發(fā)光器件，其中所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層具有傾斜的側(cè)面，所述傾斜的側(cè)面與所述保護層交疊。3.根據(jù)項目1所述的發(fā)光器件，包括鈍化層，所述鈍化層與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的頂部和側(cè)面以及所述保護層的頂部相接觸。4.根據(jù)項目1所述的發(fā)光器件，其中所述反射層形成在所述接合層的整個頂部上，所述保護層部分地形成在所述反射層上。5.根據(jù)項目1所述的發(fā)光器件，其中所述電流阻擋層的底部和側(cè)面與所述歐姆接觸層接觸，所述電流阻擋層的頂部與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層接觸，所述電流阻擋層的寬度為所述電極的寬度的1.1～1.3倍。6.根據(jù)項目1所述的發(fā)光器件，其中在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的頂部上形成粗糙圖案。7.根據(jù)項目1所述的發(fā)光器件，其中所述電極包括：沿所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的頂部的邊緣延伸的外部電極、設(shè)置在所述外部電極內(nèi)部的并連接所述外部電極的內(nèi)部電極、以及在所述外部電極處形成的墊單元。8.根據(jù)項目7所述的發(fā)光器件，其中所述外部電極的至少一部分在寬度上大于所述內(nèi)部電極。9.根據(jù)項目7所述的發(fā)光器件，其中所述內(nèi)部電極沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向延伸。10.根據(jù)項目7所述的發(fā)光器件，其中所述外部電極的一部分在寬度上大于其它部分。11.根據(jù)項目10所述的發(fā)光器件，其中由所述外部電極包圍的內(nèi)部區(qū)域通過所述內(nèi)部電極分為多個區(qū)域，在所述多個區(qū)域中與具有大的寬度的外部電極接觸的區(qū)域的面積大于與具有小的寬度的外部電極接觸的區(qū)域的面積。12.一種發(fā)光器件封裝，包括：封裝體；安裝至所述封裝體的第一電極層和第二電極層；和根據(jù)項目1所述的發(fā)光器件，所述發(fā)光器件安裝至所述封裝體并與所述第一電極層和所述第二電極層電連接。13.一種發(fā)光器件，包括：導(dǎo)電支撐襯底；在所述導(dǎo)電支撐襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)層；導(dǎo)電保護層，所述導(dǎo)電保護層設(shè)置在所述導(dǎo)電支撐襯底上的周邊部分處并部分地設(shè)置在所述導(dǎo)電支撐襯底和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層之間；和設(shè)置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上并與所述導(dǎo)電保護層至少部分交疊的電極，其中所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層具有傾斜的側(cè)面，和所述傾斜的側(cè)面與所述導(dǎo)電保護層交疊。14.根據(jù)項目13所述的發(fā)光器件，包括：設(shè)置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層和所述導(dǎo)電支撐襯底之間的歐姆接觸層。15.根據(jù)項目14所述的發(fā)光器件，包括：設(shè)置在所述歐姆接觸層和所述導(dǎo)電支撐襯底之間的反射層。16.根據(jù)項目14所述的發(fā)光器件，包括：部分設(shè)置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層和所述歐姆接觸層之間的電流阻擋層。17.根據(jù)項目15所述的發(fā)光器件，包括：設(shè)置在所述反射層和所述導(dǎo)電支撐襯底之間的接合層。18.根據(jù)項目13所述的發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電保護層包括：Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W中的至少任意一種或透明導(dǎo)電氧化物膜。19.根據(jù)項目13所述的發(fā)光器件，還包括鈍化層，所述鈍化層與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的頂部和側(cè)面以及所述導(dǎo)電保護層的頂部接觸。20.根據(jù)項目17所述的發(fā)光器件，其中所述反射層形成在所述接合層的整個頂部上，所述導(dǎo)電保護層部分地形成在所述反射層上。21.根據(jù)項目16所述的發(fā)光器件，其中所述電流阻擋層的底部和側(cè)面與所述歐姆接觸層接觸，所述電流阻擋層的頂部與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層接觸，所述電流阻擋層的寬度為所述電極的寬度的1.1～1.3倍。22.根據(jù)項目13所述的發(fā)光器件，其中所述電極包括：沿所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的頂部的邊緣延伸的外部電極、設(shè)置在所述外部電極內(nèi)部的并連接所述外部電極的內(nèi)部電極、以及在所述外部電極處形成的墊單元。23.根據(jù)項目22所述的發(fā)光器件，其中所述外部電極的至少一部分在寬度上大于所述內(nèi)部電極。24.根據(jù)項目22所述的發(fā)光器件，其中所述內(nèi)部電極沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向延伸。25.根據(jù)項目22所述的發(fā)光器件，其中由所述外部電極包圍的內(nèi)部區(qū)域通過所述內(nèi)部電極分為多個區(qū)域，在所述多個區(qū)域中與具有大的寬度的外部電極接觸的區(qū)域的面積大于與具有小的寬度的所述外部電極接觸的區(qū)域的面積。26.一種發(fā)光器件封裝，包括：封裝體；安裝至所述封裝體的第一電極層和第二電極層；和根據(jù)項目13所述的發(fā)光器件，所述發(fā)光器件安裝至所述封裝體并與所述第一電極層和所述第二電極層電連接。27.一種發(fā)光器件，包括：導(dǎo)電支撐襯底；在所述導(dǎo)電支撐襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)層；保護層，所述保護層設(shè)置在所述導(dǎo)電支撐襯底上的周邊部分處并部分地設(shè)置在所述導(dǎo)電支撐襯底和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層之間；和在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上的與所述保護層至少部分交疊的電極，其中所述電極包括：外部電極、設(shè)置在所述外部電極內(nèi)部并連接所述外部電極的第一部分和第二部分的內(nèi)部電極、以及與所述外部電極連接的墊單元。28.根據(jù)項目27所述的發(fā)光器件，其中所述外部電極的至少一部分在寬度上大于所述內(nèi)部電極。29.根據(jù)項目27所述的發(fā)光器件，其中所述外部電極的至少一部分在寬度上大于所述外部電極的其它部分。30.根據(jù)項目27所述的發(fā)光器件，其中所述電極至少部分地設(shè)置在從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的頂部的側(cè)邊的50微米內(nèi)。31.根據(jù)項目27所述的發(fā)光器件，還包括：部分地形成在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的側(cè)面和頂部上的鈍化層，并且所述電極的至少一部分與所述鈍化層接觸。32.根據(jù)項目27所述的發(fā)光器件，其中所述保護層為導(dǎo)電保護層，所述導(dǎo)電保護層包括透明導(dǎo)電氧化物膜，或包括或Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W中的至少任意一種。33.根據(jù)項目27所述的發(fā)光器件，其中所述保護層為非導(dǎo)電保護層，所述非導(dǎo)電保護層包括電絕緣材料或與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層肖特基接觸的材料。34.根據(jù)項目27所述的發(fā)光器件，其中所述外部電極包括：沿第一方向形成的第一外部電極和第二外部電極、以及沿第二方向延伸并將所述第一外部電極和所述第二外部電極連接起來的第三外部電極和第四外部電極，和所述內(nèi)部電極包括：沿所述第二方向形成、設(shè)置在所述第三外部電極和所述第四外部電極之間并且將所述第一外部電極和所述第二外部電極連接起來的第一內(nèi)部電極。35.根據(jù)項目27所述的發(fā)光器件，其中所述外部電極包括：沿第一方向形成的第一外部電極和第二外部電極、以及將所述第一外部電極和所述第二外部電極連接起來的第三外部電極和第四外部電極，和所述內(nèi)部電極包括：沿第二方向形成、設(shè)置在所述第三外部電極和所述第四外部電極之間并將所述第一外部電極與所述第二外部電極連接起來的第一內(nèi)部電極、以及沿所述第一方向形成、設(shè)置在所述第一外部電極和所述第二外部電極之間并將所述第三外部電極與所述第四外部電極連接起來的第二內(nèi)部電極。36.根據(jù)項目35所述的發(fā)光器件，其中所述第一外部電極和所述第二內(nèi)部電極之間的距離大于所述第二外部電極和所述第二內(nèi)部電極之間的距離。37.根據(jù)項目27所述的發(fā)光器件，其中所述外部電極包括：沿第一方向形成的第一外部電極和第二外部電極、以及沿第二方向形成并將所述第一外部電極與所述第二外部電極連接起來的第三外部電極和第四外部電極，和所述內(nèi)部電極包括：沿所述第二方向形成、設(shè)置在所述第三外部電極和所述第四外部電極之間并將所述第一外部電極與所述第二外部電極連接起來的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極。38.根據(jù)項目27所述的發(fā)光器件，其中所述外部電極包括：沿第一方向形成的第一外部電極和第二外部電極、以及將所述第一外部電極與所述第二外部電極連接起來的第三外部電極和第四外部電極，和所述內(nèi)部電極包括：沿第二方向延伸、設(shè)置在所述第三外部電極和所述第四外部電極之間并將所述第一外部電極與所述第二外部電極連接起來的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極、以及沿所述第一方向形成、設(shè)置在所述第一外部電極和所述第二外部電極之間并將所述第三外部電極與所述第四外部電極連接起來的第三內(nèi)部電極。39.根據(jù)項目38所述的發(fā)光器件，其中所述第一外部電極和所述第三內(nèi)部電極之間的距離大于所述第二外部電極和所述第三內(nèi)部電極之間的距離。40.根據(jù)項目27所述的發(fā)光器件，其中所述外部電極包括：沿第一方向形成的第一外部電極和第二外部電極、以及將所述第一外部電極與所述第二外部電極連接起來的第三外部電極和第四外部電極，和所述內(nèi)部電極包括：沿第二方向形成、設(shè)置在所述第三外部電極和所述第四外部電極之間并將所述第一外部電極與所述第二外部電極連接起來的第一內(nèi)部電極、第二內(nèi)部電極和第三內(nèi)部電極，以及沿所述第一方向形成、設(shè)置在所述第一外部電極和所述第二外部電極之間并將所述第三外部電極與所述第四外部電極連接起來的第四內(nèi)部電極。41.根據(jù)項目40所述的發(fā)光器件，其中所述第一外部電極和所述第四內(nèi)部電極之間的距離大于所述第二外部電極和所述第四內(nèi)部電極之間的距離。42.一種發(fā)光器件封裝，包括：封裝體；安裝至所述封裝體的第一電極層和第二電極層；和根據(jù)項目27所述的發(fā)光器件，所述發(fā)光器件安裝至所述封裝體并與所述第一電極層和所述第二電極層電連接。