技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供溝槽式MOS肖特基勢(shì)壘器件制造方法，包括：提供形成有外延層的半導(dǎo)體襯底，在該外延層內(nèi)形成溝槽；在溝槽內(nèi)形成柵極氧化物層和多晶硅層；在外延層表面形成氧化物層；依次形成刻蝕停止層和第一光刻膠層，在所述第一光刻膠層內(nèi)形成第一開(kāi)口；以第一光刻膠層為掩膜進(jìn)行刻蝕工藝，去除所述第一開(kāi)口下方的刻蝕停止層；去除所述第一光刻膠層，露出下方的刻蝕停止層；在刻蝕停止層和部分氧化層上形成層間介質(zhì)層；形成溝槽式金屬氧化物晶體管接觸孔；在所述層間介質(zhì)層上形成具有第二開(kāi)口的第二光刻膠層；形成肖特基接觸孔，露出下方的部分柵介質(zhì)層和多晶硅層。本發(fā)明提高了刻蝕工藝的穩(wěn)定性，提高了器件的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：賈璐;樓穎穎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
文檔號(hào)碼：201310217419
技術(shù)研發(fā)日：2013.06.03
技術(shù)公布日：2017.02.08