本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢壘器件的制造方法。

背景技術(shù)：
目前，晶體管作為一種基本的半導(dǎo)體器件被廣泛應(yīng)用。在各種晶體管中，溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢壘器件被廣泛應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路中。請參考圖1-圖5所示的現(xiàn)有的溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢壘器件的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖1，首先提供半導(dǎo)體襯底10，所述半導(dǎo)體襯底10上形成外延層，在所述外延層內(nèi)形成溝槽，接著，在所述溝槽內(nèi)的側(cè)壁和底部形成柵極氧化物層11，然后，在所述溝槽內(nèi)填充多晶硅層12，接著，在所述外延層內(nèi)形成阱區(qū)和源區(qū)(圖中未標出)，然后進行熱退火工藝以進行離子的推進再分布，同時在外延層表面形成氧化層13，然后在所述氧化層13上形成刻蝕停止層14，在所述刻蝕停止層14上形成層間介質(zhì)層15。然后，請參考圖2，在所述層間介質(zhì)層15上形成第一光刻膠層16，在所述第一光刻膠層16內(nèi)形成有第一開口18，所述第一開口18定義了后續(xù)要形成的溝槽式金屬氧化物晶體管接觸孔的位置和形狀，接著請參考圖3，以所述第一光刻膠層16為掩膜，沿所述第一開口18對所述層間介質(zhì)層15、刻蝕停止層14、氧化層13、半導(dǎo)體襯底10進行刻蝕工藝，在所述半導(dǎo)體襯底10內(nèi)形成溝槽式金屬氧化物晶體管接觸孔19。接著請參考圖4，去除第一光刻膠層16(結(jié)合圖3)，然后在層間介質(zhì)層15上形成第二光刻膠層17，所述第二光刻膠層17內(nèi)形成有第二開口20。接著，請參考圖5，以所述第二光刻膠層17為掩膜沿所述第二開口20對所述層間介質(zhì)層15、刻蝕停止層14、氧化層13和半導(dǎo)體襯底10進行刻蝕工藝，形成肖特基接觸孔21，所述肖特基接觸孔21露出下方的部分柵介質(zhì)層和多晶硅層。在實際中發(fā)現(xiàn)，由于在溝槽晶體管區(qū)域(圖5中溝槽晶體管接觸孔19兩側(cè))的層間介質(zhì)層下方的刻蝕停止層會引入應(yīng)力和俘獲電荷，這影響了器件的性能的穩(wěn)定性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明解決的問題是提供一種溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢壘器件的制作方法，能夠減小由于刻溝槽晶體管區(qū)域的層間介質(zhì)層下方的刻蝕停止層帶來的應(yīng)力和俘獲電荷，提高器件的穩(wěn)定性。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢壘器件的制作方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成外延層；在所述外延層內(nèi)形成溝槽；在所述溝槽的側(cè)壁及底部形成柵極氧化物層；在所述溝槽中形成多晶硅層；在所述外延層內(nèi)形成阱區(qū)和源區(qū)；進行熱退火工藝以進行離子的推進再分布，同時在外延層表面形成氧化層；在所述氧化層上形成刻蝕停止層；在所述刻蝕停止層上形成第一光刻膠層，所述第一光刻膠層為負光刻膠；以所述肖特基接觸孔掩模版為掩模進行曝光工藝，在所述第一光刻膠層內(nèi)形成第一開口；以所述第一光刻膠層為掩膜進行刻蝕工藝，去除所述第一開口下方的刻蝕停止層，露出部分氧化層；去除所述第一光刻膠層，露出下方的刻蝕停止層；在所述刻蝕停止層上形成層間介質(zhì)層；在所述層間介質(zhì)層上形成具有圖案的第三光刻膠層，進行刻蝕工藝，形成溝槽式金屬氧化物晶體管接觸孔；去除所述第三光刻膠層；在所述層間介質(zhì)層上形成第二光刻膠層，所述第二光刻膠層為正光刻膠；以所述肖特基接觸孔掩模版作為掩模進行曝光，在所述第二光刻膠層內(nèi)形成第二開口；以所述第二開口為掩膜，分步對層間介質(zhì)層和刻蝕停止層、氧化物層和半導(dǎo)體襯底進行刻蝕，形成肖特基接觸孔，露出下方的部分柵介質(zhì)層和多晶硅層?？蛇x地，所述刻蝕停止層的厚度范圍為300-500埃?？蛇x地，所述層間介質(zhì)層的厚度范圍為4000-8000埃?？蛇x地，所述刻蝕停止層的材質(zhì)為氮化硅或氮氧化硅。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點：本發(fā)明去除了溝槽晶體管區(qū)域的層間介質(zhì)層下方的刻蝕停止層，從而不會引入應(yīng)力和俘獲電荷，使得器件的性能更穩(wěn)定。附圖說明圖1-圖5為現(xiàn)有的溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢壘器件的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為本發(fā)明一個實施例的溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢壘器件的制作方法流程示意圖。圖7-圖14為本發(fā)明一個實施例的溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢壘器件的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式由于在溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢壘器件的制作過程中，溝槽晶體管區(qū)域的層間介質(zhì)層下方的刻蝕停止層會引入引起和俘獲電荷，因此會影響器件的穩(wěn)定性。為了解決上述問題，本發(fā)明提出一種溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢壘器件的制作方法，將溝槽晶體管區(qū)域的層間介質(zhì)層下方的刻蝕停止層去除，從而不會引入應(yīng)力和俘獲電荷，使得器件的性能更穩(wěn)定。請參考圖6所示的本發(fā)明一個實施例的溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢壘器件的制作方法流程示意圖。如圖6，所述方法包括：步驟S1，提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成外延層；步驟S2，在所述外延層內(nèi)形成溝槽；步驟S3，在所述溝槽的側(cè)壁及底部形成柵極氧化物層；步驟S4，在所述溝槽中形成多晶硅層；步驟S5，在所述外延層內(nèi)形成阱區(qū)和源區(qū)；步驟S6，進行熱退火工藝以進行離子的推進再分布，同時在外延層表面形成氧化層；步驟S7，在所述氧化層上形成刻蝕停止層；步驟S8，在所述刻蝕停止層上形成第一光刻膠層，所述第一光刻膠層為負光刻膠；步驟S9，以所述肖特基接觸孔掩模版為掩模進行曝光工藝，在所述第一光刻膠層內(nèi)形成第一開口；步驟S10，以所述第一光刻膠層為掩膜進行刻蝕工藝，去除所述第一開口下方的刻蝕停止層，露出部分氧化層；步驟S11，去除所述第一光刻膠層，露出下方的刻蝕停止層；步驟S12，在所述刻蝕停止層和所述部分氧化層上形成層間介質(zhì)層；步驟S13，在所述層間介質(zhì)層上形成具有圖案的第三光刻膠層，進行刻蝕工藝，形成溝槽式金屬氧化物晶體管接觸孔；步驟S14，去除所述第三光刻膠層；步驟S15，在所述層間介質(zhì)層上形成第二光刻膠層，所述第二光刻膠層為正光刻膠；步驟S16，以所述肖特基接觸孔掩模版作為掩模進行曝光，在所述第二光刻膠層內(nèi)形成第二開口；步驟S17，以所述第二開口為掩膜，分步對層間介質(zhì)層和刻蝕停止層、氧化物層和半導(dǎo)體襯底進行刻蝕，形成肖特基接觸孔，露出下方的部分柵介質(zhì)層和多晶硅層。為了更好地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，請結(jié)合圖7-圖14為本發(fā)明一個實施例的溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體肖特基勢壘器件的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。首先，請參考圖7，提供半導(dǎo)體襯底100，在所述半導(dǎo)體襯底100上形成外延層，接著在所述外延層內(nèi)形成溝槽，接著，在所述溝槽的側(cè)壁和底部形成柵氧化層110。作為一個實施例，所述柵氧化層110利用高溫氧化工藝制作。在其他的實施例中，所述柵氧化層110也可以利用沉積工藝制作。接著，在所述溝槽中填充多晶硅層120。然后在所述外延層內(nèi)形成阱區(qū)和源區(qū)(圖中未示出)。所述阱區(qū)和源區(qū)可利用離子注入工藝形成，也可以利用擴散工藝形成。接著，進行熱退火工藝以進行離子的推進再分布，同時在外延層表面形成氧化層130。然后，在所述氧化層130上形成刻蝕停止層140。所述刻蝕停止層140的材質(zhì)為氮化硅或氮氧化硅。所述刻蝕停止層140的厚度范圍為300-500埃。請參考圖8，在所述刻蝕停止層140上形成第一光刻膠層150，所述第一光刻膠層150為負光刻膠，其可以利用旋涂、噴涂等方式形成于刻蝕停止層140上.接著，以肖特基接觸孔掩模版為掩模進行曝光工藝，在所述第一光刻膠層150內(nèi)形成第一開口160，所述第一開口露出溝槽晶體管區(qū)域的刻蝕停止層140，所述第一開口160下方的刻蝕停止層140將會通過刻蝕工藝被去除，而所述第一光刻膠層150所在位置為肖特基晶體管區(qū)域，該第一光刻膠層150下方的刻蝕停止層140將保留下來。接著，請參考圖9，以所述第一光刻膠層150(結(jié)合圖8)為掩膜，進行刻蝕工藝，去除所述第一開口露出的下方的刻蝕停止層140，即把溝槽晶體管區(qū)域的部分刻蝕停止層140去除，而被所述第一光刻膠層150覆蓋的部分刻蝕停止層140保留，將部分氧化層130露出。接著，請繼續(xù)參考圖9并結(jié)合圖8，去除所述第一光刻膠層150，露出下方的刻蝕停止層140。所述第一光刻膠層150可以利用等離子體刻蝕、濕法刻蝕等方法去除。接著，請參考圖10，形成覆蓋所述刻蝕停止層140和部分氧化層130上的層間介質(zhì)層170。作為一個實施例，所述層間介質(zhì)層170的材質(zhì)為氧化硅。在其他的實施例中，所述層間介質(zhì)層170的材質(zhì)還可以為摻磷或摻硼的氧化硅。本實施例中，所述層間介質(zhì)層170的厚度范圍為4000-8000埃。然后，請參考圖11，在所述層間介質(zhì)層170上形成第三光刻膠層180，所述第二光刻膠層180形成有開口，所述開口的位置、形狀與要形成的溝槽式金屬氧化物晶體管的位置和形狀對應(yīng)。接著，請參考圖12，以所述第三光刻膠層180為掩膜，進行刻蝕工藝，對所述層間介質(zhì)層170、氧化層130和半導(dǎo)體襯底100進行刻蝕，在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成溝槽式金屬氧化物晶體管接觸孔。接著，請參考圖13，去除所述第三光刻膠層180(結(jié)合圖12)，然后在所述層間介質(zhì)層170上形成第二光刻膠層190，所述第二光刻膠層190為正光刻膠。然后，繼續(xù)參考圖13，以肖特基接觸孔掩膜版為掩膜對所述第二光刻膠層190進行曝光，在所述第二光刻膠層190內(nèi)形成第二開口，所述第二開口的位置要形成的肖特基接觸孔的位置對應(yīng)。接著，請參考圖14，以所述第二開口為掩膜，分布對層間介質(zhì)層170、刻蝕停止層140、氧化物層120和半導(dǎo)體襯底100進行刻蝕，形成肖特基接觸孔，露出下方的部分柵介質(zhì)層110和多晶硅層120。綜上，本發(fā)明去除了溝槽晶體管區(qū)域的層間介質(zhì)層下方的刻蝕停止層，從而不會引入應(yīng)力和俘獲電荷，使得器件的性能更穩(wěn)定。因此，上述較佳實施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。