一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、導(dǎo)電陽極、第一空穴注入輔助層、第二空穴注入輔助層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，第一空穴注入輔助層的材質(zhì)為三氧化鉬，五氧化二釩，三氧化鎢或者三氧化錸，第二空穴注入輔助層的材質(zhì)為2，3，6，7,10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮雜三亞苯。本發(fā)明還公開了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法通過在導(dǎo)電陽極與空穴傳輸層中加入雙層空穴注入輔助層，用于提高空穴的注入能力，使得利用該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動電流小和發(fā)光效率高。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（Organic light-emitting DeVices，簡稱 OLEDs)是一種使用 有機(jī)發(fā)光材料的多層發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、 電子傳輸層和陰極。0LED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機(jī) 物的最低未占有分子軌道（LUM0)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道（HOMO)，電 子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料， 激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。0LED因其 具有發(fā)光效率高、制作工藝簡單，以及易實(shí)現(xiàn)全色和柔性顯示等特點(diǎn)，在照明和平板顯示領(lǐng) 域引起了越來越多的關(guān)注。
[0003] 到目前為止，盡管全世界各國的科研人員通過選擇合適的有機(jī)材料和合理的器件 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，已使器件性能的各項(xiàng)指標(biāo)得到了很大的提升，但是目前由于驅(qū)動發(fā)光器件的電 流較大，導(dǎo)致了有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光效率低，器件壽命低，為了實(shí)現(xiàn)有機(jī)電致發(fā)光器件的 實(shí)用化，人們急于尋找一種驅(qū)動電流小，發(fā)光效率高的發(fā)光器件結(jié)構(gòu)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種驅(qū)動電流小和發(fā)光效率高的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0005] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的 基板、導(dǎo)電陽極、第一空穴注入輔助層、第二空穴注入輔助層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層、電子注入層和陰極；所述第一空穴注入輔助層的材質(zhì)為三氧化鑰、五氧化二 釩、三氧化鎢或者三氧化錸；所述第二空穴注入輔助層的材質(zhì)為2, 3, 6, 7, 10, 11-六氰 基-1，4, 5, 8, 9, 12-六氮雜三亞苯；所述空穴傳輸層的材質(zhì)為Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘 基）-1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺、Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4'-二 胺、4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺、或者4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯 胺；所述電子傳輸層的材質(zhì)為（8-羥基喹啉）_鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉或者1，3, 5-三 (1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲；所述電子 注入層的材質(zhì)為氟化鋰或者氟化銫。
[0006] 其中，所述第一空穴注入輔助層的厚度為〇· 5?5nm。
[0007] 其中，所述第二空穴注入輔助層的厚度為2?20nm。
[0008] 其中，所述發(fā)光層的材質(zhì)為客體材料以質(zhì)量比為1 :100?15 :100的比例摻 雜在主體材料中的混合材料，或者熒光材料；所述客體材料為4-(二腈甲基）-2_ 丁 基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2) 吡啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥，二（2-甲基-二苯基 [f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、或者三（1-苯基-異喹啉）合銥或三（2-苯基吡啶）合銥； 所述主體材料為4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪 唑-2-基）苯、或者Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺；所述熒光材 料為4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯、4, 4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯乙烯基] 聯(lián)苯或5, 6, 11，12-四苯基萘并萘、或者二甲基喹吖啶酮；所述發(fā)光層的厚度為l~20nm。
[0009] 其中，所述導(dǎo)電陽極的材質(zhì)為銦錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或者鎵鋅 氧化物；所述陰極的材質(zhì)為銀、鋁、鋁鎂合金或者銀鎂合金。
[0010] 本發(fā)明還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟： 提供基板，在所述基板表面真空濺鍍制備導(dǎo)電陽極； 在所述導(dǎo)電陽極表面真空蒸鍍第一空穴注入輔助層，所述第一空穴注入輔助層的材質(zhì) 為三氧化鑰、五氧化二釩、三氧化鎢或者三氧化錸，所述第一空穴注入輔助層蒸鍍時的壓強(qiáng) 為1 X 10_5?1 X 10_3Pa，蒸鍍速率為0. 1?lnm/s ; 在所述第一空穴注入輔助層表面真空蒸鍍第二空穴注入輔助層，所述第二空穴注入輔 助層的材質(zhì)為2, 3, 6, 7, 10, 11-六氰基-1，4, 5, 8, 9, 12-六氮雜三亞苯，所述第二空穴注入 輔助層蒸鍍時的壓強(qiáng)為1 X ΚΓ5?1 X l(T3Pa，蒸鍍速率為0. 1?lnm/s ; 在所述第二空穴注入輔助層表面依次蒸鍍空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入 層以及陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中， 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、 Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯 基氨基）三苯基胺、或者4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺； 所述電子傳輸層的材質(zhì)為（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉或者1，3, 5-三 (1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲； 所述電子注入層的材質(zhì)為氟化鋰或者氟化銫。
[0011] 其中，所述第一空穴注入輔助層的厚度為0· 5?5nm。
[0012] 其中，所述第二空穴注入輔助層的厚度為2?20nm。
[0013] 其中，所述發(fā)光層的材質(zhì)為客體材料以質(zhì)量比為1 :1〇〇?15 :100的比例摻 雜在主體材料中的混合材料、或者熒光材料；所述客體材料為4-(二腈甲基）-2-丁 基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2) 吡啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥，二（2-甲基-二苯基 [f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、或者三（1-苯基-異喹啉）合銥或三（2-苯基吡啶）合銥； 所述主體材料為4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪 唑-2-基）苯、或者Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺；所述熒光材 料為4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯、4, 4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯乙烯基] 聯(lián)苯或5, 6, 11，12-四苯基萘并萘、或者二甲基喹吖啶酮；所述發(fā)光層的厚度為l~20nm ;所 述發(fā)光層的蒸鍍條件為：蒸鍍壓強(qiáng)為1 X ΚΓ5?1 X l(T3Pa，蒸鍍速率為0. 1?lnm/s。
[0014] 其中，在所述提供基板，在所述基板表面真空濺鍍制備導(dǎo)電陽極的步驟中，所述導(dǎo) 電陽極的材質(zhì)為銦錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或者鎵鋅氧化物，濺鍍制備所述 導(dǎo)電陽極時的壓強(qiáng)為1ΧΚΓ 5?lXl(T3Pa，加速電壓為300?800V，功率密度l(T40W/cm2 ;， 所述陰極的材質(zhì)為銀、鋁、鋁鎂合金或者銀鎂合金。
[0015] 本發(fā)明提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法通過在導(dǎo)電陽極與空穴傳輸層 中加入雙層空穴注入輔助層，用于提高空穴的注入能力，使得利用該有機(jī)電致發(fā)光器件的 制備方法制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動電流小和發(fā)光效率高。其中，采用雙層空穴注 入輔助層結(jié)構(gòu)，第一空穴注入輔助層如W0 3, M〇03, V205，其具有較高的功函，如wo3達(dá)到了 6. 5eV，M〇03達(dá)到了 5. 3eV，當(dāng)其在較薄的厚度如0. 5-5nm之間的時候，空穴從ITO薄膜注入 到這些空穴注入輔助層中時，需要克服的注入勢壘較低，并且其屬于無機(jī)材料，與陽極ITO 薄膜的晶格匹配要由于有機(jī)材料，因此兩個界面的界面勢壘較小。采用HAT-CN作為第二空 穴注入輔助層，是由于HAT-CN具有較低的HOMO能級，其達(dá)到了 9. 53eV，而其LUMO能級能夠 達(dá)到5. 58eV，使其具備非常強(qiáng)的吸電子性能，因而與空穴傳輸層形成界面時，能夠在兩個 材料的界面部分發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移而實(shí)現(xiàn)能帶彎曲，從而提高空穴載流子的注入效率，而其與 金屬氧化物形成界面時，高功函的金屬氧化物也容易將空穴注入到HAT-CN材料中，兩種材 料搭配，從而實(shí)現(xiàn)了空穴載流子的高效注入。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施方式中所需要使用的附圖作 簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對于本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017] 圖1是本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1與對比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與電壓的關(guān)系圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清 楚、完整地描述。
[0019] 實(shí)施例1 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟： (1)提供玻璃基板，在玻璃基板表面采用真空濺鍍制備導(dǎo)電陽極，導(dǎo)電陽極選用銦錫氧 化物（ΙΤ0)，在基板1表面真空濺鍍制備導(dǎo)電陽極，其中， 濺鍍制備導(dǎo)電陽極時的壓強(qiáng)為lXl(T3Pa，加速電壓為300V，功率密度lOW/cm2,濺鍍厚 度為70nm。
[0020] (2)在導(dǎo)電陽極表面真空蒸鍍第一空穴注入輔助層，第一空穴注入輔助層的材質(zhì) 為三氧化鑰（M〇0 3)，第一空穴注入輔助層蒸鍍時的壓強(qiáng)為lXl(T3Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s， 蒸鍍厚度為〇· 5nm。
[0021] (3)在第一空穴注入輔助層表面真空蒸鍍第二空穴注入輔助層，第二空穴注入輔 助層的材質(zhì)為2, 3, 6, 7, 10, 11-六氰基-1，4, 5, 8, 9, 12-六氮雜三亞苯（HAT-CN)，第二空穴 注入輔助層蒸鍍時的壓強(qiáng)為lXl(T3Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s，蒸鍍厚度為5nm。
[0022] (4)在第二空穴注入輔助層表面依次蒸鍍空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子 注入層以及陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中， 空穴傳輸層材質(zhì)為NPB，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為1 X l(T3Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s，蒸鍍厚 度為20nm。
[0023] 發(fā)光層材質(zhì)為Ir (ppy)3和TPBi的混合物，Ir (ppy)3與TPBi的質(zhì)量比為10:100， 蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為1 x l(T3Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s，蒸鍍厚度為12nm ; 電子傳輸層的材質(zhì)為TPBi，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為lXl(T3Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s，蒸鍍 厚度為20nm ; 電子注入層的材質(zhì)為LiF，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為lXl(T3Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s，蒸鍍 厚度為lnm ; 陰極的材質(zhì)為Ag，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為IX l(T3Pa，蒸鍍速率為2nm/s，蒸鍍厚度為 70nm〇
[0024] 圖1是本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例制備的有機(jī)電 致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板1、導(dǎo)電陽極2、第一空穴注入輔助層2、第二空穴注入輔 助層3、空穴注入層4、空穴傳輸層5、發(fā)光層6、電子傳輸層7、電子注入層8和陰極9。具體 結(jié)構(gòu)表示為： 玻璃 /ITO/M〇03/HAT-CN/NPB/ Ir (ppy) 3: TPBi/TPBi/LiF/Ag。
[0025] 其中，制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件10后，采用高真空鍍膜系統(tǒng)測試，當(dāng)啟動電壓 為3. 3 V，有機(jī)電致發(fā)光器件10的發(fā)光亮度為lOOOcd/m2時，有機(jī)電致發(fā)光器件10的發(fā)光 效率為15. llm/W。
[0026] 實(shí)施例2 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟： (1)提供玻璃基板，在玻璃基板表面采用真空濺鍍制備導(dǎo)電陽極，導(dǎo)電陽極選用銦鋅氧 化物（ΙΖ0)，在基板表面真空濺鍍制備導(dǎo)電陽極，其中， 濺鍍制備導(dǎo)電陽極時的壓強(qiáng)為lXl(T5Pa，加速電壓為800V，功率密度40W/cm2,濺鍍厚 度為200nm。
[0027] (2)在導(dǎo)電陽極表面真空蒸鍍第一空穴注入輔助層，第一空穴注入輔助層的材質(zhì) 為五氧化二釩（V 205)，第一空穴注入輔助層蒸鍍時的壓強(qiáng)為lXl(T5Pa，蒸鍍速率為lnm/s， 蒸鍍厚度為5nm。
[0028] (3)在第一空穴注入輔助層表面真空蒸鍍第二空穴注入輔助層，第二空穴注入輔 助層的材質(zhì)為2, 3, 6, 7, 10, 11-六氰基-1，4, 5, 8, 9, 12-六氮雜三亞苯（HAT-CN)，第二空穴 注入輔助層蒸鍍時的壓強(qiáng)為lXl(T5Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為10nm。
[0029] (4)在第二空穴注入輔助層表面依次蒸鍍空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子 注入層以及陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中， 空穴傳輸層材質(zhì)為TPD，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為lXl(T5Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度 為 60nm。
[0030] 發(fā)光層材質(zhì)為Ir (MDQ) 2 (acac)和NPB的混合物，Ir (MDQ) 2 (acac)與NPB的質(zhì)量比 為15:100，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為1父10^^，蒸鍍速率為1腹/ 8，蒸鍍厚度為2011111; 電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為lXl(T5Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍 厚度為60nm ; 電子注入層的材質(zhì)為CsF，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為1 X l(T5Pa，蒸鍍速率為0. 2nm/s，蒸鍍 厚度為2nm ; 陰極的材質(zhì)為Ag，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為lXl(T5Pa，蒸鍍速率為5nm/s，蒸鍍厚度為 200nm〇
[0031] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、導(dǎo)電陽極、第一空穴注 入輔助層、第二空穴注入輔助層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入 層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表示為： 玻璃 /IZ0/V205/HAT_CN/ TPD/Ir(MDQ)2(acac) :NPB/Bphen/CsF/Al。
[0032] 制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件后，采用高真空鍍膜系統(tǒng)測試，當(dāng)啟動電壓為3.6 V， 有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光亮度為l〇〇〇cd/m2時，有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率為12. 41m/W。
[0033] 實(shí)施例3 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟： (1)提供玻璃基板，在玻璃基板表面采用真空濺鍍制備導(dǎo)電陽極，導(dǎo)電陽極選用鋁鋅氧 化物（ΑΖ0 )，在基板表面真空濺鍍制備導(dǎo)電陽極，其中， 濺鍍制備導(dǎo)電陽極時的壓強(qiáng)為lXl(T4Pa，加速電壓為600V，功率密度20W/cm2,濺鍍厚 度為100nm。
[0034] (2)在導(dǎo)電陽極表面真空蒸鍍第一空穴注入輔助層，第一空穴注入輔助層的材質(zhì) 為三氧化鎢（W0 3)，第一空穴注入輔助層蒸鍍時的壓強(qiáng)為lXl(T4Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s， 蒸鍍厚度為2nm。
[0035] (3)在第一空穴注入輔助層表面真空蒸鍍第二空穴注入輔助層，第二空穴注入輔 助層的材質(zhì)為2, 3, 6, 7, 10, 11-六氰基-1，4, 5, 8, 9, 12-六氮雜三亞苯（HAT-CN)，第二空穴 注入輔助層蒸鍍時的壓強(qiáng)為lXl(T4Pa，蒸鍍速率為0. 5nm/s，蒸鍍厚度為20nm。
[0036] (4)在第二空穴注入輔助層表面依次蒸鍍空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子 注入層以及陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中， 空穴傳輸層材質(zhì)為2-TNATA，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為1 X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. 5nm/s，蒸 鍍厚度為40nm。
[0037] 發(fā)光層材質(zhì)為DCJTB和Alq3的混合物，DCJTB與Alq3的質(zhì)量比為1:100,蒸鍍時 采用的壓強(qiáng)為1 X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. 5nm/s，蒸鍍厚度為lnm ; 電子傳輸層的材質(zhì)為BCP，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為1 X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. 5nm/s，蒸鍍 厚度為40nm ; 電子注入層的材質(zhì)為CsF，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為1 X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s，蒸鍍 厚度為lnm ; 陰極的材質(zhì)為Al-Mg合金，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為lXl(T4Pa，蒸鍍速率為2nm/s，蒸鍍厚 度為100nm。
[0038] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、導(dǎo)電陽極、第一空穴注 入輔助層、第二空穴注入輔助層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具 體結(jié)構(gòu)表示為： 玻璃 /AZ0/W03/HAT-CN/2-TNATA/DCJTB: Alq3/BCP/CsF/Al-Mg。
[0039] 制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件后，采用高真空鍍膜系統(tǒng)測試，當(dāng)啟動電壓為3.4 V， 有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光亮度為l〇〇〇cd/m2時，有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率為11. 21m/W。
[0040] 實(shí)施例4 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟： (1)提供玻璃基板，在玻璃基板表面采用真空濺鍍制備導(dǎo)電陽極，導(dǎo)電陽極選用鎵鋅氧 化物（GZO)，在基板表面真空濺鍍制備導(dǎo)電陽極，其中， 濺鍍制備導(dǎo)電陽極時的壓強(qiáng)為lXl(T4Pa，加速電壓為600V，功率密度20W/cm2,濺鍍厚 度為120nm。
[0041] (2)在導(dǎo)電陽極表面真空蒸鍍第一空穴注入輔助層，第一空穴注入輔助層的材質(zhì) 為三氧化錸（Re0 3)，第一空穴注入輔助層蒸鍍時的壓強(qiáng)為1 X 10_4Pa，蒸鍍速率為0. 2nm/s， 蒸鍍厚度為4nm。
[0042] (3)在第一空穴注入輔助層表面真空蒸鍍第二空穴注入輔助層，第二空穴注入輔 助層的材質(zhì)為2, 3, 6, 7, 10, 11-六氰基-1，4, 5, 8, 9, 12-六氮雜三亞苯（HAT-CN)，第二空穴 注入輔助層蒸鍍時的壓強(qiáng)為lXl(T4Pa，蒸鍍速率為0. 5nm/s，蒸鍍厚度為10nm。
[0043] (4)在第二空穴注入輔助層表面依次蒸鍍空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子 注入層以及陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中， 空穴傳輸層材質(zhì)為TCTA，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為1 X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. 5nm/s，蒸鍍厚 度為40nm。
[0044] 發(fā)光層材質(zhì)為DPVBi，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為1 X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. 5nm/s，蒸鍍 厚度為15nm ; 電子傳輸層的材質(zhì)為Alq3，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為1 X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. 5nm/s，蒸鍍 厚度為25nm ; 電子注入層的材質(zhì)為LiF，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為1 X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. 2nm/s，蒸鍍 厚度為lnm ; 陰極的材質(zhì)為Ag-Mg合金，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為lXl(T4Pa，蒸鍍速率為2nm/s，蒸鍍厚 度為120nm。
[0045] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的包括依次層疊的基板、導(dǎo)電 陽極、第一空穴注入輔助層、第二空穴注入輔助層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子 注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表示為： 玻璃 / GZ0/Re03/HAT-CN/ TCTA/DPVBi/Alq3/LiF/Ag-Mg。
[0046] 制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件后，采用高真空鍍膜系統(tǒng)測試，當(dāng)啟動電壓為3.3 V， 有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光亮度為l〇〇〇cd/m2時，有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率為為8. 9 lm/ I
[0047] 對比實(shí)施例 為體現(xiàn)為本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了對比實(shí)施例，對比實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū) 別在于對比實(shí)施例中用材質(zhì)為M〇03的空穴注入層取代第一空穴注入輔助層和第二空穴注 入輔助層，對比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)為：玻璃/IT0/Mo0 3/ Ir(ppy)3:TPBi/ TPBi/LiF/Ag，依次與基板、導(dǎo)電陽極、空穴注入輔助層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、 電子注入層和陰極對應(yīng)。
[0048] 采用高真空鍍膜系統(tǒng)測試，當(dāng)啟動電壓為3. 6 V，有機(jī)電致發(fā)光器件10的發(fā)光亮 度為lOOOcd/m2時，有機(jī)電致發(fā)光器件10的發(fā)光效率為9. llm/W。
[0049] 效果實(shí)施例 采用電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號：2400)、色度計(jì)（日本柯尼卡美能達(dá)公 司，型號：CS-100A)測試有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度隨電壓變化曲線，以考察器件的發(fā)光 效率，測試對象為實(shí)施例1與對比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0050] 請參照圖2,圖2是本發(fā)明實(shí)施例1與對比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的電壓與電流 密度的關(guān)系圖。
[0051] 從圖2可以看出，在相同的驅(qū)動電壓下，實(shí)施例1即采用雙空穴注入輔助層，其驅(qū) 動電流高于采用單一有機(jī)材料M〇0 3作為空穴注入層的器件，如電壓在6V時，實(shí)施例1得到 的驅(qū)動電流密度為75. 6 mA/cm2,而采用單層的空穴注入層此03只得到了 51.0 mA/cm2的驅(qū) 動電流密度，從而表明使用雙空穴注入輔助層更有利于空穴的注入，提高發(fā)光效率。
[0052] 以上是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說， 在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā) 明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的基板、導(dǎo)電陽極、第一空穴注 入輔助層、第二空穴注入輔助層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；所 述第一空穴注入輔助層的材質(zhì)為三氧化鑰、五氧化二釩、三氧化鎢或者三氧化錸；所述第二 空穴注入輔助層的材質(zhì)為2, 3, 6, 7, 10, 11-六氰基-1，4, 5, 8, 9, 12-六氮雜三亞苯；所述空 穴傳輸層的材質(zhì)為Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、Ν，Ν' -二 苯基-Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基） 三苯基胺、或者4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺；所述電子傳輸層的材質(zhì)為（8-羥基 喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉或者1，3,5_三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、 2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲；所述電子注入層的材質(zhì)為氟化鋰或者氟化銫。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴注入輔助層的 厚度為〇. 5?5nm。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二空穴注入輔助層的 厚度為2?20nm。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材質(zhì)為客體材 料以質(zhì)量比為1 :100?15 :100的比例摻雜在主體材料中的混合材料，或者熒光材料；所述 客體材料為4-(二腈甲基）-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡 喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑 基）硼酸合銥，二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、或者三（1-苯基-異 喹啉）合銥或三（2-苯基吡啶）合銥；所述主體材料為4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯、8-羥基喹 啉鋁、1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、或者N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘 基） _1，1' _聯(lián)苯_4, 4' -二胺；所述突光材料為4, 4' -二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯、 4, 4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯或5, 6, 11，12-四苯基萘并萘、或者二甲基 喹吖啶酮；所述發(fā)光層的厚度為l~20nm。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述導(dǎo)電陽極的材質(zhì)為銦錫 氧化物薄膜、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或者鎵鋅氧化物；所述陰極的材質(zhì)為銀、鋁、鋁鎂合 金或者銀鎂合金。
6. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟： 提供基板，在所述基板表面真空濺鍍制備導(dǎo)電陽極； 在所述導(dǎo)電陽極表面真空蒸鍍第一空穴注入輔助層，所述第一空穴注入輔助層的材質(zhì) 為三氧化鑰、五氧化二釩、三氧化鎢或者三氧化錸，所述第一空穴注入輔助層蒸鍍時的壓強(qiáng) 為1 X 10_5?1 X 10_3Pa，蒸鍍速率為0. 1?lnm/s ; 在所述第一空穴注入輔助層表面真空蒸鍍第二空穴注入輔助層，所述第二空穴注入輔 助層的材質(zhì)為2, 3, 6, 7, 10, 11-六氰基-1，4, 5, 8, 9, 12-六氮雜三亞苯，所述第二空穴注入 輔助層蒸鍍時的壓強(qiáng)為1 X ΚΓ5?1 X l(T3Pa，蒸鍍速率為0. 1?lnm/s ; 在所述第二空穴注入輔助層表面依次蒸鍍空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入 層以及陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中， 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、 Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯 基氨基）三苯基胺、或者4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺； 所述電子傳輸層的材質(zhì)為（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉或者1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲； 所述電子注入層的材質(zhì)為氟化鋰或者氟化銫。
7. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一空穴注 入輔助層的厚度為〇· 5?5nm。
8. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第二空穴注 入輔助層的厚度為2?20nm。
9. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光層的材 質(zhì)為客體材料以質(zhì)量比為1 :100?15 :100的比例摻雜在主體材料中的混合材料、或者熒 光材料；所述客體材料為4-(二臆甲基)_2_ 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢陡-9-乙烯 基）-4H-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四 (1-吡唑基)硼酸合銥，二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮)合銥、或者三（1-苯 基-異喹啉)合銥或三（2-苯基吡啶)合銥；所述主體材料為4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯、8-羥 基喹啉鋁、1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、或者N，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘 基） _1，1' _聯(lián)苯_4, 4' -二胺；所述突光材料為4, 4' -二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯、 4, 4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯或5, 6, 11，12-四苯基萘并萘、或者二甲基 喹吖啶酮；所述發(fā)光層的厚度為l~20nm;所述發(fā)光層的蒸鍍條件為：蒸鍍壓強(qiáng)為IX ΚΓ5? lX10_3Pa，蒸鍍速率為0· 1?lnm/s。
10. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述提供 基板，在所述基板表面真空濺鍍制備導(dǎo)電陽極的步驟中，所述導(dǎo)電陽極的材質(zhì)為銦錫氧 化物薄膜、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或者鎵鋅氧化物，濺鍍制備所述導(dǎo)電陽極時的壓強(qiáng)為 1X10- 5?lX10_3Pa，加速電壓為300?800V，功率密度l(T40W/cm2 ;，所述陰極的材質(zhì)為銀、 鋁、鋁鎂合金或者銀鎂合金。
【文檔編號】H01L51/50GK104218157SQ201310209380
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張振華, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司