有機(jī)電致發(fā)光器件及該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法
【專利摘要】有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的透光基底、第一透明電極層、反射層、第二透明電極層、有機(jī)發(fā)光功能層、半透明電極層及光補(bǔ)償層，透光基底包括相對(duì)設(shè)置的第一出光面和覆蓋面，第一透明電極層覆蓋于覆蓋面；反射層分散覆蓋于第一透明電極層的表面形成遮光區(qū)，反射層與第一透明電極層的面積之比為20%?80%，反射層未覆蓋于第一透明電極層的表面形成透光區(qū)；第二透明電極層覆蓋于遮光區(qū)和透光區(qū)；有機(jī)發(fā)光功能層覆蓋于第二透明電極層表面；半透明電極層覆蓋于有機(jī)發(fā)光功能層表面；光補(bǔ)償層僅覆蓋于透光區(qū)對(duì)應(yīng)的半透明電極層表面。該有機(jī)電致發(fā)光器件的兩出光面發(fā)光強(qiáng)度均勻一致。還公開了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及發(fā)光器件領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及該有機(jī)電致發(fā)光器 件的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光（Organic Light Emission Diode,簡(jiǎn)稱0LED)，具有亮度高、材料選 擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速度快 等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨 勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國(guó)內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003] 現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)，大部分只能將光從陽極或者陰極的一側(cè)取出，制得底 發(fā)射或頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。一些研究者發(fā)明的雙面發(fā)光顯示的有機(jī)電致發(fā)光器件， 采用兩個(gè)有機(jī)電致發(fā)光單元背靠背貼合在一起，此結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，制程較多。也有研究者采用 透明的陽極和陰極，獲得雙面出光的效果。但通常采用的陰極是薄層金屬薄膜，其透過率一 般只能達(dá)到50-70%。而采用的陽極是透明氧化物薄膜，其透過率一般可以達(dá)到80%以上，因 此，在陽極和陰極的出光面處，發(fā)光強(qiáng)度存在差異，影響有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光均勻性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種雙面發(fā)光且兩個(gè)出光面發(fā)光強(qiáng)度較為 均勻的有機(jī)電致發(fā)光器件及該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
[0005] 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依 次層疊的透光基底、第一透明電極層、反射層、第二透明電極層、有機(jī)發(fā)光功能層、半透明電 極層及光補(bǔ)償層，
[0006] 所述透光基底包括相對(duì)設(shè)置的第一出光面和覆蓋面，所述第一透明電極層覆蓋于 所述覆蓋面；所述反射層分散覆蓋于所述第一透明電極層的表面形成遮光區(qū)，所述反射層 未覆蓋于所述第一透明電極層的表面形成透光區(qū)，所述反射層與所述第一透明電極層的面 積之比為20%?80% ;所述第二透明電極層覆蓋于所述遮光區(qū)和所述透光區(qū)；所述有機(jī)發(fā)光 功能層覆蓋于所述第二透明電極層表面；所述半透明電極層覆蓋于所述有機(jī)發(fā)光功能層表 面；所述光補(bǔ)償層僅覆蓋于所述透光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述半透明電極層表面，所述光補(bǔ)償層與所 述反射層形狀互補(bǔ)，所述半透明電極層和所述光補(bǔ)償層表面形成第二出光面，所述光補(bǔ)償 層的材料選自硫化鋅或硒化鋅中的一種。
[0007] 其中，所述第一透明電極層的材質(zhì)為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物及鎵鋅 氧化物中的一種或多種，所述第一透明電極層的厚度為70?200nm ;所述第二透明電極層 的材質(zhì)為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物及鎵鋅氧化物中的一種或多種，所述第二透 明電極層的厚度為30?70nm。
[0008] 其中，所述反射層的材料選自為銀、鋁、金、鉬、鎳、銅或鉻中的一種，所述反射層的 厚度為40?70nm。
[0009] 其中，所述遮光區(qū)及所述透光區(qū)均呈長(zhǎng)條狀，所述遮光區(qū)與所述透光區(qū)交替排布。
[0010] 其中，所述遮光區(qū)及所述透光區(qū)均為正方形，所述遮光區(qū)與所述透光區(qū)交替排布， 且每一個(gè)所述遮光區(qū)的至少兩條邊與相鄰的所述透光區(qū)的邊貼合，每一個(gè)所述遮光區(qū)的至 少一個(gè)角與另一個(gè)所述遮光區(qū)的一角相抵接。
[0011] 其中，所述遮光區(qū)為正方形，多個(gè)所述遮光區(qū)間隔排布且互不連接。
[0012] 其中，所述有機(jī)發(fā)光功能層包括空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層及 電子注入層，所述空穴注入層覆蓋于所述第二透明電極層表面，所述空穴傳輸層覆蓋于空 穴注入層的表面，所述發(fā)光層覆蓋于所述空穴傳輸層的表面，所述電子傳輸層覆蓋于所述 發(fā)光層的表面，所述電子注入層覆蓋于所述電子傳輸層的表面，所述半透明電極層覆蓋于 所述電子注入層的表面。
[0013] 其中，所述半透明電極層的材料選自為銀、鋁、釤、鐿、銀鋁合金、銀鎂合金、鋁鎂合 金中的一種，所述半透明電極層的厚度為18?35nm。
[0014] 其中，所述光補(bǔ)償層的厚度為40?80nm，所述光補(bǔ)償層與所述半透明電極層的面 積之比為20%?80%。
[0015] 本發(fā)明的實(shí)施例提供了上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括步驟如下：
[0016] 提供一透光基底；
[0017] 在所述透光基底上通過磁控濺射法制備第一透明電極層，濺射速度為0. 1?2nm/ s ；
[0018] 提供第一掩膜版，所述第一掩膜版貼合于所述第一透明電極層表面；
[0019] 采用蒸鍍或磁控濺射法，在所述第一掩膜版表面制備反射層，制備速度為0. 1? 2nm/s ;
[0020] 取下所述第一掩膜版，所述反射層分散覆蓋于所述第一透明電極層的表面形成遮 光區(qū)，所述反射層未覆蓋于所述第一透明電極層的表面形成透光區(qū)，在所述遮光區(qū)和透光 區(qū)表面，通過磁控濺射法制備第二透明電極層，濺射速度為0. 1?2nm/s ;
[0021] 采用真空熱鍍膜法，在所述第二透明電極層表面制備有機(jī)發(fā)光功能層；
[0022] 采用真空熱鍍膜法，在所述有機(jī)發(fā)光功能層表面制備半透明電極層；
[0023] 提供第二掩膜版，所述第二掩膜版與所述第一掩膜版形狀互補(bǔ)配合，所述第二掩 膜版貼合于所述半透明電極層表面，采用蒸鍍或是磁控濺射法制備光補(bǔ)償層；
[0024] 取下所述第二掩膜版，制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0025] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件中，所述光補(bǔ)償層與所述反射層的形狀互補(bǔ)，所述光補(bǔ)償 層通過光線干涉相消作用，降低出射光線在所述半透明電極層與空氣界面的反射，增加出 射光線在所述半透明電機(jī)層與空氣界面處的透射，從而增加了所述有機(jī)電致發(fā)光器件在所 述第二出光面上，所述光補(bǔ)償層處的發(fā)光強(qiáng)度。
[0026] 所述反射層設(shè)于所述第一透明電極層與第二透明電極層之間，增加出射光線在所 述第一出光面的反射，減小出射光線在所述第一出光面的透射，進(jìn)而減小了所述有機(jī)電致 發(fā)光器件在所述第一出光面處所述反射層的發(fā)光強(qiáng)度，增加了在所述第二出光面處所述反 射層的發(fā)光強(qiáng)度。因而使得在所述第二出光面上，所述反射層和所述光補(bǔ)償層處的發(fā)光強(qiáng) 度均增強(qiáng)。另外，再通過調(diào)節(jié)所述反射層的厚度，和所述反射層與所述第一透明電極層的面 積比，使得所述第二出光面整個(gè)平面的光強(qiáng)均勻性較強(qiáng)。
[0027] 由于在現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光器件中，在未設(shè)反射層和光補(bǔ)償層的情況下，所述第 二出光面的發(fā)光強(qiáng)度小于所述第一出光面處的發(fā)光強(qiáng)度。本實(shí)施例提供的所述有機(jī)電致發(fā) 光器件中，增加了所述第二出光面的發(fā)光強(qiáng)度，也相對(duì)降低了所述第一出光面處的發(fā)光強(qiáng) 度，從而使得所述有機(jī)電致發(fā)光器件的兩個(gè)出光面的發(fā)光強(qiáng)度均勻性較強(qiáng)。
[0028] 另外，由于所述反射層的導(dǎo)電性良好，相當(dāng)于所述第一透明電極層、反射層和第二 透明電極層形成了并聯(lián)電極層，降低了電阻，所述反射層從而還提高了所述第一透明電極 層和第二透明電極層的導(dǎo)電性。
[0029] 本發(fā)明實(shí)施例提供所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其相對(duì)的所述第一出光面和第二出光 面的發(fā)光強(qiáng)度均勻一致。此外，所述反射層的排布方式根據(jù)所述第一掩膜版和第二掩膜版 的形狀改變，從而穩(wěn)定均勻出光，制備方法簡(jiǎn)單，便于推廣應(yīng)用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可 以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0031] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例第一實(shí)施方式提供的遮光區(qū)與透光區(qū)的組合示意圖；
[0033] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法流程圖；
[0034] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例第二實(shí)施方式提供的遮光區(qū)與透光區(qū)的組合示意圖；
[0035] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例第三實(shí)施方式提供的遮光區(qū)與透光區(qū)的組合示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0036] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0037] 下面參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述。參見圖1，為本發(fā)明第一實(shí)施方式中， 有機(jī)電致發(fā)光器件1〇〇 (0LED)的結(jié)構(gòu)示意圖。所述有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊 的透光基底10、第一透明電極層20、反射層30、第二透明電極層40、有機(jī)發(fā)光功能層50、半 透明電極層60及光補(bǔ)償層70。
[0038] 所述透光基底10包括相對(duì)設(shè)置的第一出光面11和覆蓋面12,其材質(zhì)為玻璃。
[0039] 所述第一透明電極層20覆蓋于所述覆蓋面12,其材質(zhì)為銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅 氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（ΑΖ0)及鎵鋅氧化物（GZ0)中的一種或多種，厚度為70?200nm。 所述第一透明電極層20的透光率高，導(dǎo)電性良好。
[0040] 參見圖2,所述反射層30分散覆蓋于所述第一透明電極層20的表面形成遮光區(qū) 31，所述反射層30未覆蓋于所述第一透明電極層20的表面形成透光區(qū)32。其中，所述"分 散覆蓋"為所述反射層30在不同區(qū)域覆蓋于所述第一透明電極層20表面之意。所述反射 層30為金屬材質(zhì)，具體的，反射層30的材料可為銀（Ag)、鋁（A1)、金（Au)、鉬（Pt)、鎳（Ni)、 銅（Cu)或鉻（Cr)中的一種。所述反射層30的厚度為40?70nm，所述反射層30與所述第 一透明電極層20的面積之比為20%?80%。所述反射層30用于降低所述有機(jī)電致發(fā)光器 件100的透光率。通過調(diào)節(jié)所述反射層30的厚度和所述反射層30與所述第一透明電極層 20的面積比，調(diào)節(jié)有機(jī)電致發(fā)光器件100的透光率。
[0041] 本實(shí)施方式中，所述遮光區(qū)31及所述透光區(qū)32均呈長(zhǎng)條狀，所述遮光區(qū)31與所 述透光區(qū)32交替排布。且所述遮光區(qū)31所述透光區(qū)32的大小相等。在其他實(shí)施方式中， 所述遮光區(qū)31與所述透光區(qū)32的形狀和大小可不同。
[0042] 綜合參見圖1和圖2,所述第二透明電極層40覆蓋于所述遮光區(qū)31和所述透光 區(qū)32,從而形成一連續(xù)的導(dǎo)電薄膜層。所述第二透明電極層40的材質(zhì)為銦錫氧化物、銦鋅 氧化物、鋁鋅氧化物及鎵鋅氧化物中的一種或多種，所述第二透明電極層40的厚度為30? 70nm〇
[0043] 所述有機(jī)發(fā)光功能層50覆蓋于所述第二透明電極層40表面。具體的，所述有機(jī) 發(fā)光功能層50包括空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層及電子注入層。所述空穴 注入層覆蓋于所述第二透明電極層40表面，所述空穴傳輸層覆蓋于空穴注入層的表面，所 述發(fā)光層覆蓋于所述空穴傳輸層的表面，所述電子傳輸層覆蓋于所述發(fā)光層的表面，所述 電子注入層覆蓋于所述電子傳輸層的表面。所述有機(jī)發(fā)光功能層50用于發(fā)光。
[0044] 所述半透明電極層60覆蓋于所述有機(jī)發(fā)光功能層50表面。具體的，所述半透明 電極層60覆蓋于所述電子注入層的表面。所述半透明電極層60為金屬材質(zhì)，具體的材料 選自銀（Ag)、鋁（A1)、釤（Sm)、鐿（Yb)、銀鋁（Ag-Al)合金、銀鎂（Ag-Mg)合金、鋁鎂（Al-Mg) 合金中的一種。所述半透明電極層60的厚度為18?35nm。所述半透明電極層60的透光 率為50%?70%，略低于所述第一透明電極層20的80%以上的透光率。
[0045] 所述光補(bǔ)償層70與所述反射層30的形狀互補(bǔ)，所述光補(bǔ)償層70通過光線干涉相 消作用，降低出射光線在所述半透明電極層60與空氣界面的反射，增加出射光線在所述半 透明電機(jī)層60與空氣界面處的透射，從而增加了所述有機(jī)電致發(fā)光器件100在所述第二出 光面71上，所述光補(bǔ)償層70處的發(fā)光強(qiáng)度。
[0046] 所述反射層30設(shè)于所述第一透明電極層20與第二透明電極層40之間，增加出射 光線在所述第一出光面11的反射，減小出射光線在所述第一出光面11的透射，進(jìn)而減小了 所述有機(jī)電致發(fā)光器件100在所述第一出光面11處所述反射層30的發(fā)光強(qiáng)度，增加了在 所述第二出光面71處所述反射層30的發(fā)光強(qiáng)度。因而使得在所述第二出光面71上，所述 反射層30和所述光補(bǔ)償層70處的發(fā)光強(qiáng)度均增強(qiáng)。另外，再通過調(diào)節(jié)所述反射層30的厚 度，和所述反射層30與所述第一透明電極層20的面積比，使得所述第二出光面71整個(gè)平 面的光強(qiáng)均勻性較強(qiáng)。
[0047] 由于在現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光器件100中，在未設(shè)反射層30和光補(bǔ)償層70的情況 下，導(dǎo)致所述第二出光面71的發(fā)光強(qiáng)度小于所述第一出光面11處的發(fā)光強(qiáng)度。本實(shí)施例 提供的所述有機(jī)電致發(fā)光器件100中，增加了所述第二出光面71的發(fā)光強(qiáng)度，也相對(duì)降低 了所述第一出光面11處的發(fā)光強(qiáng)度，從而使得所述有機(jī)電致發(fā)光器件100的兩個(gè)出光面的 發(fā)光強(qiáng)度均勻性較強(qiáng)。
[0048] 參見圖3,本發(fā)明實(shí)施例還提供了上述有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法。其具體 步驟包括：
[0049] 步驟S1，提供一透光基底10,所述透光基底10的材質(zhì)為玻璃。
[0050] 步驟S2,在所述透光基底10上通過磁控濺射法制備第一透明電極層20,濺射速度 為 0· 1 ?2nm/s。
[0051] 步驟S3,提供第一掩膜版，所述第一掩膜版貼合于所述第一透明電極層20表面。
[0052] 步驟S4,采用蒸鍍或磁控濺射法，在所述第一掩膜版表面制備反射層30,制備速 度為0. 1?2nm/s。
[0053] 步驟S5,取下所述第一掩膜版，所述反射層30分散覆蓋于所述第一透明電極層20 的表面形成遮光區(qū)31，所述反射層30未覆蓋于所述第一透明電極層20的表面形成透光區(qū) 32。在所述遮光區(qū)31和透光區(qū)32表面，通過磁控濺射法制備第二透明電極層40,濺射速度 為 0· 1 ?2nm/s。
[0054] 步驟S6,采用真空熱鍍膜法，在所述第二透明電極層40表面制備有機(jī)發(fā)光功能層 50。所述真空鍍膜系統(tǒng)中，真空度為5Xl(T 4Pa。
[0055] 步驟S7,采用真空熱鍍膜法，在所述有機(jī)發(fā)光功能層50表面制備半透明電極層 60 ；
[0056] 步驟S8,提供第二掩膜版，所述第二掩膜版與所述第一掩膜版形狀互補(bǔ)配合，所述 第二掩膜版貼合于所述半透明電極層60表面，采用蒸鍍或是磁控濺射法制備光補(bǔ)償層70 ;
[0057] 步驟S9,取下所述第二掩膜版，制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件100。
[0058] 本發(fā)明實(shí)施例提供所述有機(jī)電致發(fā)光器件100,其相對(duì)的所述第一出光面11和第 二出光面71的發(fā)光強(qiáng)度均勻一致。此外，所述反射層30的排布方式根據(jù)所述第一掩膜版 和第二掩膜版的形狀改變，從而穩(wěn)定均勻出光，制備方法簡(jiǎn)單，便于推廣應(yīng)用。
[0059] 請(qǐng)參閱圖4,本發(fā)明第二實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件200,與有機(jī)電致發(fā)光器件 1〇〇的結(jié)構(gòu)大致相同，其不同在于：所述遮光區(qū)131及所述透光區(qū)132均為正方形，所述遮 光區(qū)131與所述透光區(qū)132交替排布，且每一個(gè)所述遮光區(qū)131的至少兩條邊與相鄰的所 述透光區(qū)132的邊貼合，每一個(gè)所述遮光區(qū)131的至少一個(gè)角與另一個(gè)所述遮光區(qū)131的 一角相抵接。
[0060] 請(qǐng)參閱圖5,本發(fā)明第三實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件300,與有機(jī)電致發(fā)光器件 100的結(jié)構(gòu)大致相同，其不同在于：所述遮光區(qū)231為正方形，多個(gè)所述遮光區(qū)231間隔排 布且互不連接，所述透光區(qū)232與所述遮光區(qū)231形狀互補(bǔ)。
[0061] 以上所述的實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實(shí)施 方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范 圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的透光基底、第一透明電極層、 反射層、第二透明電極層、有機(jī)發(fā)光功能層、半透明電極層及光補(bǔ)償層， 所述透光基底包括相對(duì)設(shè)置的第一出光面和覆蓋面，所述第一透明電極層覆蓋于所述 覆蓋面；所述反射層分散覆蓋于所述第一透明電極層的表面形成遮光區(qū)，所述反射層未覆 蓋于所述第一透明電極層的表面形成透光區(qū)，所述反射層與所述第一透明電極層的面積之 比為20%?80% ;所述第二透明電極層覆蓋于所述遮光區(qū)和所述透光區(qū)；所述有機(jī)發(fā)光功能 層覆蓋于所述第二透明電極層表面；所述半透明電極層覆蓋于所述有機(jī)發(fā)光功能層表面； 所述光補(bǔ)償層僅覆蓋于所述透光區(qū)對(duì)應(yīng)的所述半透明電極層表面，所述光補(bǔ)償層與所述反 射層形狀互補(bǔ)，所述半透明電極層和所述光補(bǔ)償層表面形成第二出光面，所述光補(bǔ)償層的 材料選自硫化鋅或硒化鋅中的一種。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一透明電極層的材質(zhì) 為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物及鎵鋅氧化物中的一種或多種，所述第一透明電極 層的厚度為70?200nm ;所述第二透明電極層的材質(zhì)為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化 物及鎵鋅氧化物中的一種或多種，所述第二透明電極層的厚度為30?70nm。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述反射層的材料選自為銀、 鋁、金、鉬、鎳、銅或鉻中的一種，所述反射層的厚度為40?70nm。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述遮光區(qū)及所述透光區(qū)均 呈長(zhǎng)條狀，所述遮光區(qū)與所述透光區(qū)交替排布。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述遮光區(qū)及所述透光區(qū)均 為正方形，所述遮光區(qū)與所述透光區(qū)交替排布，且每一個(gè)所述遮光區(qū)的至少兩條邊與相鄰 的所述透光區(qū)的邊貼合，每一個(gè)所述遮光區(qū)的至少一個(gè)角與另一個(gè)所述遮光區(qū)的一角相抵 接。
6. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述遮光區(qū)為正方形，多個(gè)所 述遮光區(qū)間隔排布且互不連接。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光功能層包括空 穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層及電子注入層，所述空穴注入層覆蓋于所述第 二透明電極層表面，所述空穴傳輸層覆蓋于空穴注入層的表面，所述發(fā)光層覆蓋于所述空 穴傳輸層的表面，所述電子傳輸層覆蓋于所述發(fā)光層的表面，所述電子注入層覆蓋于所述 電子傳輸層的表面，所述半透明電極層覆蓋于所述電子注入層的表面。
8. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述半透明電極層的材料選 自為銀、鋁、釤、鐿、銀鋁合金、銀鎂合金、鋁鎂合金中的一種，所述半透明電極層的厚度為 18 ?35nm〇
9. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述光補(bǔ)償層的厚度為40? 80nm，所述光補(bǔ)償層與所述半透明電極層的面積之比為20%?80%。
10. -種如權(quán)利要求1?9任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于， 包括步驟如下： 提供一透光基底； 在所述透光基底上通過磁控濺射法制備第一透明電極層，濺射速度為〇. 1?2nm/s ; 提供第一掩膜版，所述第一掩膜版貼合于所述第一透明電極層表面； 采用蒸鍍或磁控濺射法，在所述第一掩膜版表面制備反射層，制備速度為0. 1?2nm/ s ； 取下所述第一掩膜版，所述反射層分散覆蓋于所述第一透明電極層的表面形成遮光 區(qū)，所述反射層未覆蓋于所述第一透明電極層的表面形成透光區(qū)，在所述遮光區(qū)和透光區(qū) 表面，通過磁控濺射法制備第二透明電極層，濺射速度為0. 1?2nm/s ; 采用真空熱鍍膜法，在所述第二透明電極層表面制備有機(jī)發(fā)光功能層； 采用真空熱鍍膜法，在所述有機(jī)發(fā)光功能層表面制備半透明電極層； 提供第二掩膜版，所述第二掩膜版與所述第一掩膜版形狀互補(bǔ)配合，所述第二掩膜版 貼合于所述半透明電極層表面，采用蒸鍍或是磁控濺射法制備光補(bǔ)償層； 取下所述第二掩膜版，制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104218158SQ201310209430
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2013年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 陳吉星, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司