一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括基板和依次層疊設(shè)置在基板上的陽極、發(fā)光功能層和陰極，基板的第一表面和/或第二表面設(shè)置有光提取層，光提取層的材質(zhì)包括粒徑為50?1500nm的納米微球和聚合物材料，納米微球為陶瓷或高分子材料顆粒，聚合物材料為熱固化的聚合物或者光固化的聚合物材料，光提取層的厚度為10?100ym，陽極的材質(zhì)為導(dǎo)電氧化物薄膜；陰極的材質(zhì)為金、銀、鋁、鎂單質(zhì)或其任意組合形成的合金，發(fā)光功能層至少包括依次層疊的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。該有機電致發(fā)光器件的陰極的出光效率高，從而提高了器件發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光（Organic Light Emission Diode)，以下簡稱0LED，具有亮度高、材 料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速 度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā) 展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點。
[0003] 在傳統(tǒng)的0LED發(fā)光器件中，由于電極材料，玻璃基板以及空氣之間的折射率不匹 配，使0LED發(fā)光單兀發(fā)射的光線從電極向玻璃基板傳輸，然后進入空氣中時，在全反射臨 界角的限制下，一般只有18%左右的光線能夠出射，而大部分的光線則被限制在0LED結(jié)構(gòu) 內(nèi)，以其他形式耗散掉。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方 法。通過在陽極與基板之間和/或基板與空氣之間設(shè)置光提取層，提高了有機電致發(fā)光器 件的發(fā)光效率。
[0005] -方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括基板和依次層疊設(shè)置在基板 上的陽極、發(fā)光功能層和陰極，所述基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面和/或第 二表面設(shè)置有光提取層，所述光提取層的材質(zhì)包括粒徑為50?1500nm的納米微球和聚合 物材料，所述納米微球為陶瓷或高分子材料顆粒，所述聚合物材料為熱固化的聚合物或者 光固化的聚合物材料，所述光提取層的厚度為10?100 μ m，所述陽極的材質(zhì)為導(dǎo)電氧化物 薄膜；所述陰極的材質(zhì)為金、銀、鋁、鎂單質(zhì)或其任意組合形成的合金，所述發(fā)光功能層至少 包括依次層疊的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。
[0006] 優(yōu)選地，所述熱固化的聚合物材料為熱固化環(huán)氧樹脂，所述光固化的聚合物材料 為光固化丙烯酸樹脂。
[0007] 優(yōu)選地，所述陶瓷材料顆粒為二氧化硅或二氧化鈦，所述高分子材料顆粒為聚苯 乙烯微球。
[0008] 優(yōu)選地，所述納米微球與聚合物材料的質(zhì)量比為10?50:100。
[0009] 本發(fā)明在陽極與基板之間和/或基板與空氣之間設(shè)置光提取層，光提取層包含有 陶瓷或高分子材料的納米微球和光固化或熱固化的聚合物材料，由于納米微球具有光散射 作用，能夠改變?nèi)肷涔庠谄浔砻娴姆瓷浞较?，從而改變整體光出射的全反射臨界角，增加出 光效率；因此能使有機電致發(fā)光器件具有出光效率高，發(fā)光效率較優(yōu)的特點。
[0010] 所述陽極的材質(zhì)為導(dǎo)電氧化物薄膜。
[0011] 優(yōu)選地，所述導(dǎo)電氧化物薄膜為銦錫氧化物薄膜（ΙΤ0)、鋁鋅氧化物薄膜（ΑΖ0)、 銦鋅氧化物薄膜（ΙΖ0)或鎵鋅氧化物薄膜（GZ0)。
[0012] 所述基板可為透光材料，如透明玻璃或透明聚合物薄膜。
[0013] 所述發(fā)光功能層至少包括依次層疊設(shè)置的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。為 了提高器件的發(fā)光效率，可進一步設(shè)置空穴注入層和電子注入層。
[0014] 空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用 于本發(fā)明。
[0015] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4'，4''_三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-TNATA)，N, Ν' -二苯基-N, Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)，4, 4'，4' ' -三 (Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)，Ν, Ν' -二苯基-Ν, Ν' -二（3-甲基苯 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)或4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，厚度為 20 ?60nm。
[0016] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材料為主體材料摻雜客體材料形成的混合材料,所述主體材料 為4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)，8-羥基喹啉鋁（41%)，1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并 咪唑-2-基）苯（TPBi)或N，N'_ 二苯基-N，N'_ 二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4,4'-二胺 (NPB);所述客體材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二 氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)，二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合銥（Ir (MDQ)2 (acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir (piq) 3)和三（2-苯基吡啶） 合銥（Ir(ppy)3)中的一種或幾種，客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1?20:100。
[0017] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材料為熒光材料，所述熒光材料為4, 4' -二（2, 2-二苯乙 烯基）-1，1'-聯(lián)苯（0?￥8丨），4,4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（0?八￥81)、 5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖啶酮（DMQA)。
[0018] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為10?30nm。
[0019] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為2_ (4_聯(lián)苯基)_5_ (4_叔丁基)苯基_1，3, 4_ B,惡二 唑（PBD)、4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、1，2, 4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪 唑（了?81)或2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲出0?)，厚度為30?10011111。
[0020] 優(yōu)選地，空穴注入層的材料為酞菁銅（CuPc)，酞菁鋅（ZnPc)，酞菁氧釩（VOPc)，酞 菁氧鈦（TiOPc)或酞菁鉬（PtPc)，厚度為10?30nm。
[0021] 優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或氟 化鋰（LiF);厚度為0· 5?10nm。
[0022] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0023] 在潔凈的基板上，采用絲網(wǎng)印刷方式在所述基板的第一表面和/或第二表面制備 光提取層，所述光提取層的材質(zhì)包括粒徑為50?1500nm的納米微球和聚合物材料，所述納 米微球為陶瓷或高分子材料顆粒，所述聚合物材料為熱固化的聚合物或者光固化的聚合物 材料，所述光提取層的厚度為10?100 μ m ;
[0024] 再在所述基板的第一表面或第二表面依次制備陽極和發(fā)光功能層；所述陽極的材 質(zhì)為導(dǎo)電氧化物薄膜；所述陽極采用真空濺射的方式制備，真空度為1X 1〇_3?1X l〇_5Pa， 濺射速率為〇. 2?2nm/s，所述發(fā)光功能層至少包括依次層疊的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子 傳輸層，所述空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層均米用真空蒸鍍的方式制備；
[0025] 最后在所述發(fā)光功能層表面制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件；所述陰極的材質(zhì) 為金、銀、鋁、鎂單質(zhì)或其任意組合形成的合金，所述陰極采用真空蒸鍍的方式制備。
[0026] 優(yōu)選地，所述熱固化的聚合物材料為熱固化環(huán)氧樹脂，所述光固化的聚合物材料 為光固化丙烯酸樹脂。
[0027] 優(yōu)選地，所述陶瓷材料顆粒為二氧化硅或二氧化鈦，所述高分子材料顆粒為聚苯 乙烯微球。
[0028] 優(yōu)選地，所述納米微球與聚合物材料的質(zhì)量比為10?50:100。
[0029] 優(yōu)選地，所述絲網(wǎng)印刷的絲網(wǎng)目數(shù)為200?1000目。
[0030] 所述陽極的材質(zhì)為導(dǎo)電氧化物薄膜。
[0031] 優(yōu)選地，所述導(dǎo)電氧化物薄膜為銦錫氧化物薄膜（ΙΤ0)、鋁鋅氧化物薄膜（ΑΖ0)、 銦鋅氧化物薄膜（ΙΖ0)或鎵鋅氧化物薄膜（GZ0)。
[0032] 所述基板可為透光材料，如透明玻璃或透明聚合物薄膜。
[0033] 所述發(fā)光功能層至少包括依次層疊設(shè)置的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。為 了提高器件的發(fā)光效率，可進一步設(shè)置空穴注入層和電子注入層。
[0034] 空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用 于本發(fā)明。
[0035] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4'，4''_三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-TNATA)，N, Ν' -二苯基-N, Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)，4, 4'，4' ' -三 (Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)，Ν, Ν' -二苯基-Ν, Ν' -二（3-甲基苯 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)或4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，厚度為 20 ?60nm。
[0036] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材料為主體材料摻雜客體材料形成的混合材料，所述主體材料 為4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)，8-羥基喹啉鋁（41%)，1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并 咪唑-2-基）苯（TPBi)或N，N'_ 二苯基-N，N'_ 二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4,4'-二胺 (NPB);所述客體材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二 氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)，二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合銥（Ir(MDQ) 2(acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)3)和三（2-苯基吡啶） 合銥（Ir(ppy) 3)中的一種或幾種，客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1?20:100。
[0037] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材料為熒光材料，所述熒光材料為4, 4' -二（2, 2-二苯乙 烯基）-1，1'-聯(lián)苯（0?￥8丨），4,4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（0?八￥81)、 5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖啶酮（DMQA)。
[0038] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為10?30nm。
[0039] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為2_ (4_聯(lián)苯基)_5_ (4_叔丁基)苯基_1，3, 4_ 惡二 唑（PBD)、4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、1，2, 4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪 唑（了?81)或2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲出0?)，厚度為30?10011111。
[0040] 優(yōu)選地，空穴注入層的材料為酞菁銅（CuPc)，酞菁鋅（ZnPc)，酞菁氧釩（VOPc)，酞 菁氧鈦（TiOPc)或酞菁鉬（PtPc)，厚度為10?30nm。
[0041] 優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或氟 化鋰（LiF);厚度為0· 5?10nm。
[0042] 本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果：
[0043] (1)本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，在陽極與基板之間和/或基板與空氣之間 設(shè)置了光提取層，該光提取層包含有陶瓷或高分子材料的納米微球和光固化或熱固化的聚 合物材料，通過絲網(wǎng)印刷工藝印制在基板的上、下表面，由于納米微球具有光散射作用，能 夠改變?nèi)肷涔庠谄浔砻娴姆瓷浞较?，從而改變整體光出射的全反射臨界角，增加出光效率； 因此，本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件具有出光效率高，發(fā)光效率較優(yōu)的特點；
[0044] (2)本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的制備工藝簡單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模 使用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0045] 圖1是本發(fā)明實施例1制得的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046] 圖2是本發(fā)明實施例6制得的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047] 圖3是本發(fā)明實施例11制得的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0048] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于 本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0049] 實施例1
[0050] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0051] (1)在透明玻璃上采用絲網(wǎng)印刷工藝在玻璃基板的第一表面上形成厚度為ΙΟΟμπι 的光提取層，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為50:100的二氧化鈦納米微球和光固化丙烯酸 樹脂，二氧化鈦納米微球的粒徑為50nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目數(shù)為400目的絲網(wǎng)印刷成膜；
[0052] (2)再在真空度為lXl(T3Pa的鍍膜室中，在所述光提取層的表面采用濺射工藝制 備陽極，材質(zhì)為ΙΤ0薄膜，厚度為100nm，濺射速率為0. 2nm/s，然后在ΙΤ0薄膜上蒸鍍制備 發(fā)光功能層，依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0053] 其中，空穴注入層層采用CuPc，厚度為20nm;空穴傳輸層采用NPB，厚度為30nm; 發(fā)光層采用Ir (ppy)3摻雜在CBP中形成的混合材料，Ir (ppy)3與CBP的質(zhì)量比為10:100， 厚度為15nm ;電子傳輸層采用TPBi，厚度為30nm ;電子注入層采用LiF，厚度為lnm ;
[0054] (3)最后在電子注入層上蒸鍍制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件，陰極的材質(zhì)為金 屬Ag，厚度為100nm。
[0055] 圖1是本發(fā)明實施例1制得的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本 實施例有機電致發(fā)光器件，依次包括透明玻璃基板10、光提取層11、陽極12、發(fā)光功能層13 和陰極14。光提取層11設(shè)置在基板10與陽極12之間。光提取層11中包含二氧化鈦納米 微球110。
[0056] 實施例2
[0057] 本實施例與實施例1的區(qū)別在于，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為20:100的二氧化 鈦納米微球和光固化丙烯酸樹脂，二氧化鈦納米微球的粒徑為l〇〇nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為1000目的絲網(wǎng)印刷成膜，光提取層的厚度為8〇μπι。
[0058] 實施例3
[0059] 本實施例與實施例1的區(qū)別在于，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為20:100的二氧化 鈦納米微球和光固化丙烯酸樹脂，二氧化鈦納米微球的粒徑為250nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為800目的絲網(wǎng)印刷成膜，光提取層的厚度為20μπι。
[0060] 實施例4
[0061] 本實施例與實施例1的區(qū)別在于，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為10:100的二氧化 鈦納米微球和光固化丙烯酸樹脂，二氧化鈦納米微球的粒徑為500nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為800目的絲網(wǎng)印刷成膜，光提取層的厚度為ΙΟμπι。
[0062] 實施例5
[0063] 本實施例與實施例1的區(qū)別在于，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為10:100的二氧化 鈦納米微球和光固化丙烯酸樹脂，二氧化鈦納米微球的粒徑為l〇〇〇nm，絲網(wǎng)印刷過程采用 目數(shù)為1000目的絲網(wǎng)印刷成膜，光提取層的厚度為50μπι。
[0064] 實施例6
[0065] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0066] (1)在透明玻璃基板上采用絲網(wǎng)印刷工藝在玻璃基板的第一表面上形成厚度為 10 μ m的光提取層，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為50:100的聚苯乙烯納米微球和光固化丙 烯酸樹脂，聚苯乙烯納米微球的粒徑為200nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目數(shù)為400目的絲網(wǎng)印刷 成膜；
[0067] (2)再在真空度為lXl(T5Pa的鍍膜室中，在所述玻璃基板的第二表面上采用濺射 工藝制備陽極，材質(zhì)為ΙΤ0薄膜，厚度為100nm，濺射速率為2nm/s，然后在ΙΤ0薄膜上蒸鍍 制備發(fā)光功能層，依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0068] 其中，空穴注入層層采用CuPc，厚度為20nm;空穴傳輸層采用NPB，厚度為30nm; 發(fā)光層采用Ir (ppy)3摻雜在CBP中形成的混合材料，Ir (ppy)3與CBP的質(zhì)量比為10:100， 厚度為15nm ;電子傳輸層采用TPBi，厚度為30nm ;電子注入層采用LiF，厚度為lnm ;
[0069] (3)最后在電子注入層上蒸鍍制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件，陰極的材質(zhì)為金 屬Ag，厚度為lOOnm。
[0070] 圖2是本實施例制得的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本實施例 有機電致發(fā)光器件，包括透明玻璃基板20、光提取層21、陽極22、發(fā)光功能層23和陰極24。 光提取層21設(shè)置在基板20與空氣之間。
[0071] 實施例7
[0072] 本實施例與實施例6的區(qū)別在于，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為20:100的聚苯乙 烯納米微球和光固化丙烯酸樹脂，聚苯乙烯納米微球的粒徑為400nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為1000目的絲網(wǎng)印刷成膜，光提取層的厚度為60μπι。
[0073] 實施例8
[0074] 本實施例與實施例6的區(qū)別在于，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為20:100的聚苯乙 烯納米微球和光固化丙烯酸樹脂，聚苯乙烯納米微球的粒徑為800nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為600目的絲網(wǎng)印刷成膜，光提取層的厚度為15μπι。
[0075] 實施例9
[0076] 本實施例與實施例6的區(qū)別在于，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為10:100的聚苯乙 烯納米微球和光固化丙烯酸樹脂，聚苯乙烯納米微球的粒徑為lOOOnm，絲網(wǎng)印刷過程采用 目數(shù)為800目的絲網(wǎng)印刷成膜，光提取層的厚度為20 μ m。
[0077] 實施例10
[0078] 本實施例與實施例6的區(qū)別在于，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為10:100的聚苯乙 烯納米微球和光固化丙烯酸樹脂，聚苯乙烯納米微球的粒徑為1500nm，絲網(wǎng)印刷過程采用 目數(shù)為1000目的絲網(wǎng)印刷成膜，光提取層的厚度為ΙΟΟμπι。
[0079] 實施例11
[0080] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0081] (1)在透明玻璃基板上采用絲網(wǎng)印刷工藝在玻璃基板的第一表面和第二表面上分 別形成厚度為100 μ m的光提取層，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為50:100的二氧化硅納米 微球和熱固化環(huán)氧樹脂，二氧化硅納米微球的粒徑為50nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目數(shù)為600 目的絲網(wǎng)印刷成膜；
[0082] (2)再在真空度為IX l(T4Pa的鍍膜室中，在所述玻璃基板的第一表面或第二表面 的光提取層上采用濺射工藝制備陽極，材質(zhì)為ΙΤ0薄膜，厚度為100nm，濺射速率為lnm/s， 然后在ΙΤ0薄膜上蒸鍍制備發(fā)光功能層，依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子 傳輸層和電子注入層；
[0083] 其中，空穴注入層層采用CuPc，厚度為20nm;空穴傳輸層采用NPB，厚度為30nm; 發(fā)光層采用Ir (ppy)3摻雜在CBP中形成的混合材料，Ir (ppy)3與CBP的質(zhì)量比為10:100， 厚度為15nm ;電子傳輸層采用TPBi，厚度為30nm ;電子注入層采用LiF，厚度為lnm ;
[0084] (3)最后在電子注入層上蒸鍍制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件，陰極的材質(zhì)為金 屬Ag，厚度為100nm。
[0085] 圖3是本實施例制得的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，本實施例 有機電致發(fā)光器件，包括透明玻璃基板30、光提取層31和31'、陽極32、發(fā)光功能層33和陰 極34。光提取層31和31'分別設(shè)置在基板30與空氣之間，以及基板30與陽極32之間。
[0086] 實施例12
[0087] 本實施例與實施例11的區(qū)別在于，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為50:100的二氧 化硅納米微球和熱固化環(huán)氧樹脂，二氧化硅納米微球的粒徑為lOOnm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為400目的絲網(wǎng)印刷成膜，光提取層的厚度為60μπι。
[0088] 實施例13
[0089] 本實施例與實施例11的區(qū)別在于，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為15:100的二氧 化硅納米微球和熱固化環(huán)氧樹脂，二氧化硅納米微球的粒徑為250nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為200目的絲網(wǎng)印刷成膜，光提取層的厚度為20μπι。
[0090] 實施例14
[0091] 本實施例與實施例11的區(qū)別在于，光提取層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為10:100的二氧 化硅納米微球和熱固化環(huán)氧樹脂，二氧化硅納米微球的粒徑為400nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為200目的絲網(wǎng)印刷成膜，光提取層的厚度為60μπι。
[0092] 對比例
[0093] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0094] (1)將透明玻璃基板置于IX l(T4Pa的真空鍍膜室中，采用濺射工藝制備陽極，材 質(zhì)為ΙΤ0薄膜，厚度為100nm，然后在ΙΤ0薄膜上蒸鍍制備發(fā)光功能層，依次包括空穴注入 層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0095] 其中，空穴注入層層采用CuPc，厚度為20nm;空穴傳輸層采用NPB，厚度為30nm; 發(fā)光層采用Ir (ppy)3摻雜在CBP中形成的混合材料，Ir (ppy)3與CBP的質(zhì)量比為10:100， 厚度為15nm ;電子傳輸層采用TPBi，厚度為30nm ;電子注入層采用LiF，厚度為lnm ;
[0096] (2)最后在電子注入層上蒸鍍制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件，陰極的材質(zhì)為金 屬Ag，厚度為lOOnm。
[0097] 效果實施例
[0098] 本發(fā)明測試與制備設(shè)備為高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司），美 國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時利公司的 Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計測試亮度和色度。
[0099] 將本發(fā)明實施例1?5和對比例所制得的有機電致發(fā)光器件在6V驅(qū)動電壓下進 行發(fā)光效率測試，測試結(jié)果如表1所示：
[0100] 表 1
[0101]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，包括基板和依次層疊設(shè)置在基板上的陽極、發(fā)光功能層和 陰極，其特征在于，所述基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面和/或第二表面設(shè)置 有光提取層，所述光提取層的材質(zhì)包括粒徑為50?1500nm的納米微球和聚合物材料，所述 納米微球為陶瓷或高分子材料顆粒，所述聚合物材料為熱固化的聚合物或者光固化的聚合 物材料，所述光提取層的厚度為10?1〇〇 μ m，所述陽極的材質(zhì)為導(dǎo)電氧化物薄膜；所述陰 極的材質(zhì)為金、銀、鋁、鎂單質(zhì)或其任意組合形成的合金，所述發(fā)光功能層至少包括依次層 疊的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述熱固化的聚合物材料為 熱固化環(huán)氧樹脂，所述光固化的聚合物材料為光固化丙烯酸樹脂。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陶瓷材料顆粒為二氧化 硅或二氧化鈦，所述高分子材料顆粒為聚苯乙烯微球。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述納米微球與聚合物材料 的質(zhì)量比為10?50:100。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述導(dǎo)電氧化物薄膜為銦錫 氧化物薄膜、鋁鋅氧化物薄膜、銦鋅氧化物薄膜或鎵鋅氧化物薄膜。
6. -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在潔凈的基板上，采用絲網(wǎng)印刷方式在所述基板的第一表面和/或第二表面制備光提 取層，所述光提取層的材質(zhì)包括粒徑為50?1500nm的納米微球和聚合物材料，所述納米 微球為陶瓷或高分子材料顆粒，所述聚合物材料為熱固化的聚合物或者光固化的聚合物材 料，所述光提取層的厚度為10?100 μ m ; 再在所述基板的第一表面或第二表面依次制備陽極和發(fā)光功能層；所述陽極的材質(zhì)為 導(dǎo)電氧化物薄膜；所述陽極采用真空濺射的方式制備，真空度為1X 1〇_3?1X l〇_5Pa，濺射 速率為0. 2?2nm/s，所述發(fā)光功能層至少包括依次層疊的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸 層，所述空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層均米用真空蒸鍍的方式制備； 最后在所述發(fā)光功能層表面制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件；所述陰極的材質(zhì)為金、 銀、鋁、鎂單質(zhì)或其任意組合形成的合金，所述陰極采用真空蒸鍍的方式制備。
7. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述熱固化的聚 合物材料為熱固化環(huán)氧樹脂，所述光固化的聚合物材料為光固化丙烯酸樹脂。
8. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陶瓷材料顆 粒為二氧化硅或二氧化鈦，所述高分子材料顆粒為聚苯乙烯微球。
9. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述納米微球與 聚合物材料的質(zhì)量比為10?50:100。
10. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述絲網(wǎng)印刷的 絲網(wǎng)目數(shù)為200?1000目。
【文檔編號】H01L51/52GK104218154SQ201310208257
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 黃輝, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司