硅晶圓剝離方法以及硅晶圓剝離裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種硅晶圓剝離方法以及硅晶圓剝離裝置，硅晶圓剝離裝置的特征在于，包括：隔熱材料（3），該隔熱材料（3）對通過粘接劑粘接有多個硅晶圓的激光材料（2）進(jìn)行支承；感應(yīng)加熱線圈（5），該感應(yīng)加熱線圈（5）用于對激光材料（2）加熱；運送結(jié)構(gòu)（4），該運送結(jié)構(gòu)（4）在水平方向上使隔熱材料（3）相對于感應(yīng)加熱線圈（5）移動；吸附襯墊（6），該吸附襯墊（6）一片一片地剝離硅晶圓；以及水槽（7），該水槽（7）用于將激光材料（2）及隔熱材料（3）浸漬于液體中。
【專利說明】硅晶圓剝離方法以及硅晶圓剝離裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種硅晶圓剝離方法以及硅晶圓剝離裝置，例如從通過粘接劑粘接有經(jīng)切片加工后的硅晶圓的激光材料剝離半導(dǎo)體用的硅晶圓。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，作為代替石油的能源，太陽能發(fā)電正備受矚目。
[0003]由于在太陽能發(fā)電中，希望將大量使用的硅晶圓的成本降低，因此希望有效地利用娃錠來制造娃晶圓。
[0004]對于硅晶圓的制造方法，大致而言，包括如下工序:粘接工序、切片工序、粗清洗及剝離工序、晶圓切割工序、清洗工序、以及檢查工序。
[0005]因此，參照圖4對現(xiàn)有的硅晶圓制造方法進(jìn)行具體說明。
[0006]這里，圖4是現(xiàn)有的粘接有硅錠1、激光材料2、以及基板10的結(jié)構(gòu)體的示意性的主視圖(XZ平面圖)。
[0007]硅錠I是圓柱形或錐形的單晶體或多晶體硅片。在該現(xiàn)有的硅晶圓制造方法中，激光材料2是玻璃板，以作為用于防止硅錠I的加工終端部受到損壞的保護(hù)材料?；?0是用于安裝在通過切片加工從硅錠I制成較薄的硅晶圓Ia的、被稱作為線鋸上的治具。在現(xiàn)有的硅晶圓制造方法中，粘接劑8是二液性的。
[0008]首先，在粘接工序中，將粘接劑8涂布于娃徒I或激光材料2,從而將娃徒I與激光材料2粘接，然后，將粘接劑8涂布于激光材料2或基板10，從而將激光材料2與基板10粘接。
[0009]接下來，在切片工序中，利用線銀對與激光材料2及基板10相粘接的娃徒I進(jìn)打切片加工。通過切片加工制成一千幾百片硅晶圓Ia的硅錠I通過粘接劑8與激光材料2相粘接。通常來說，切片加工中，相鄰硅晶圓Ia間的間隙為從硅錠I 一側(cè)到粘接劑8及激光材料2的娃錠I一側(cè)的一部分。
[0010]接著，在粗清洗及玻璃工序中，對與激光材料2相粘接的硅晶圓Ia進(jìn)行清洗，并使用用于熱軟化粘接劑8的50° C的溫水、或作為清洗劑的乳酸等藥劑，來從激光材料2上將一千幾百片娃晶圓Ia—并剝離。
[0011]接著，在晶圓切割工序中，將從激光材料2上一并剝尚并相重置的娃晶圓Ia切割成一片一片的娃晶圓la。
[0012]接著，在清洗工序中，清洗被切割下來的硅晶圓la。
[0013]然后，在檢查工序中，檢查清洗后的硅晶圓la。
[0014]然而，如上所述，在上述粗清洗及剝離工序中，一千幾百片硅晶圓Ia是從激光材料2上被一并剝離下來的。
[0015]因此，容易產(chǎn)生如下狀態(tài):被剝離下來的硅晶圓Ia重疊在其他被剝離下來的硅晶圓Ia之上，或者被剝離下來的硅晶圓Ia相互緊靠在一起。
[0016]然后，有時該狀態(tài)下的硅晶圓Ia將斷裂，或者硅晶圓Ia的邊緣部分將損壞。[0017]此外，在粗洗凈及剝離工序中、需要手工將排列不整齊的硅晶圓Ia排列整齊，并此后移至晶圓切割工序，或者需要將娃晶圓Ia插入用于晶圓切割工序的機架中的工序，因此可能使得制造效率下降。
[0018]因此，已知有如下的硅晶圓剝離方法:通過在空氣中使熱風(fēng)從一 Y側(cè)吹入、即從最外側(cè)的應(yīng)剝離的硅晶圓Ia的表面一側(cè)吹入，從而在對粘接劑8加熱的同時，從激光材料2上一片一片地剝離硅晶圓Ia (例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0019]此外，在上述硅晶圓剝離方法中，不進(jìn)行粗清洗，使得切片加工中產(chǎn)生的粉狀硅泥與加工液相混、并塞滿相鄰硅晶圓Ia間的間隙，由此熱風(fēng)在該狀態(tài)下被吹入。
[0020]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0021]專利文獻(xiàn)
[0022]專利文獻(xiàn)1:日本實用新型專利第3149712號公報
【發(fā)明內(nèi)容】

[0023]發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0024]然而，即使利用這種現(xiàn)有的硅晶圓剝離方法，也難以有效地將硅晶圓Ia從激光材料2上一片一片剝離。
[0025]并且，在上述現(xiàn)有的硅晶圓剝離方法中，切片加工后的硅碇I通過所吹入的熱風(fēng)來加熱，因此娃晶圓Ia的表面與空氣中的氧氣反應(yīng)，從而被氧化，使得娃晶圓Ia的品質(zhì)有所下降。
[0026]本發(fā)明將上述現(xiàn)有問題考慮在內(nèi)，其目的在于，提供一種硅晶圓剝離方法、以及硅晶圓剝離裝置，能夠在抑制硅晶圓品質(zhì)下降的同時，更有效地將硅晶圓從玻璃材料上一片一片地剝離。
[0027]解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0028]本發(fā)明的第I技術(shù)方案是一種硅晶圓剝離方法，其特征在于，通過在液體中對板狀構(gòu)件加熱，從而將通過粘接劑與上述板狀構(gòu)件相粘接的多塊硅晶圓從上述板狀構(gòu)件上剝離。
[0029]本發(fā)明的第2技術(shù)方案是本發(fā)明的第I技術(shù)方案的硅晶圓剝離方法，其特征在于，上述硅晶圓的外邊緣部的一部分為平面，
[0030]并且，上述硅晶圓的外邊緣部的一部分的平面、與上述板狀構(gòu)件的表面通過上述粘接劑相粘接。
[0031]本發(fā)明的第3技術(shù)方案是本發(fā)明的第2技術(shù)方案的硅晶圓剝離方法，其特征在于，在上述板狀構(gòu)件的正上側(cè)配置有上述硅晶圓的狀態(tài)下，對上述硅晶圓進(jìn)行剝離。
[0032]本發(fā)明的第4技術(shù)方案是本發(fā)明的第3技術(shù)方案的硅晶圓剝離方法，其特征在于，使上述板狀構(gòu)件相對于用于進(jìn)行上述加熱的加熱單元移動，并反復(fù)對上述硅晶圓進(jìn)行剝離。
[0033]本發(fā)明的第5技術(shù)方案是本發(fā)明的第I至第4技術(shù)方案的硅晶圓剝離方法，其特征在于，上述板狀構(gòu)件具有導(dǎo)電性，通過感應(yīng)加熱來對上述液體中的上述板狀構(gòu)件加熱。
[0034]本發(fā)明的第6技術(shù)方案是本發(fā)明的第5技術(shù)方案的硅晶圓剝離方法，其特征在于，在剝離上述硅晶圓時，上述板狀構(gòu)件的外邊緣部的溫度比上述板狀構(gòu)件的中心部的溫度更聞ο
[0035]本發(fā)明的第7技術(shù)方案是一種硅晶圓剝離裝置，其特征在于，包括:
[0036]支承構(gòu)件，該支承構(gòu)件對通過粘接劑粘接有多塊硅晶圓的板狀構(gòu)件進(jìn)行支承；
[0037]加熱單元，該加熱單元用于加熱上述板狀構(gòu)件；
[0038]運送結(jié)構(gòu)，該運送結(jié)構(gòu)在水平方向上相對于上述加熱單元傳送上述支承構(gòu)件；
[0039]剝離結(jié)構(gòu)，該剝離結(jié)構(gòu)一片一片地剝離上述硅晶圓；以及
[0040]水槽，該水槽將上述硅晶圓、上述板狀構(gòu)件以及上述支承構(gòu)件浸潰于液體中。
[0041]本發(fā)明的第8技術(shù)方案是本發(fā)明的第7技術(shù)方案的硅晶圓剝離裝置，其特征在于，上述板狀構(gòu)件具有導(dǎo)電性，并且上述加熱單元是感應(yīng)加熱線圈。
[0042]發(fā)明效果
[0043]通過本發(fā)明，能夠提供一種硅晶圓剝離方法、以及硅晶圓剝離裝置，能夠在抑制硅晶圓品質(zhì)下降的同時，更有效地將硅晶圓從玻璃材料上一片一片地剝離。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0044]圖1是本發(fā)明的實施方式的硅晶圓剝離裝置的立體示意圖。
[0045]圖2是本發(fā)明的實施方式的硅晶圓剝離裝置的部分放大側(cè)面示意圖。
[0046]圖3是本發(fā)明的實施方式的硅晶圓剝離裝置的部分主視示意圖。
[0047]圖4是現(xiàn)有的粘接有娃淀、激光材料、以及基板的結(jié)構(gòu)體的主視不意圖。
[0048]實施方式
[0049]下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0050]首先，主要參照圖1對本實施方式的硅晶圓剝離裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0051]這里，圖1是本發(fā)明的實施方式的硅晶圓剝離裝置的立體示意圖。
[0052]本實施方式的硅晶圓剝離裝置包括:隔熱材料3、感應(yīng)加熱線圈5、運送結(jié)構(gòu)4、吸附襯墊6、以及水槽7。
[0053]隔熱材料3是用于對導(dǎo)電性的激光材料2進(jìn)行支承的單元，該具有導(dǎo)電性的激光材料2通過粘接劑8 (參照圖2及圖3)與多塊硅晶圓Ia (參照圖2及圖3)相粘接。
[0054]感應(yīng)加熱線圈5是用于對激光材料2加熱的單元。
[0055]運送結(jié)構(gòu)4是用于在水平方向上相對于感應(yīng)加熱線圈5運送隔熱材料3的單元。
[0056]吸附襯墊6是一片一片地剝離硅晶圓Ia的單元。
[0057]水槽7是用于在如水那樣的液體中浸潰硅晶圓la、激光材料2及隔熱材料3的單
J Li ο
[0058]在本實施方式中，運送結(jié)構(gòu)4不使感應(yīng)加熱線圈5移動，而使隔熱材料3移動，水槽7使感應(yīng)加熱線圈5浸潰于水中。
[0059]然而，當(dāng)然也可以例如使運送結(jié)構(gòu)4不移動隔熱材料3，而移動感應(yīng)加熱線圈5，水槽7不將感應(yīng)加熱線圈5浸潰于水中。
[0060]此外，在運送結(jié)構(gòu)4移動隔熱材料3的情況下，水槽7在Y方向上的長度必需是隔熱材料3在Y方向上的長度的2倍以上，該隔熱材料3在Y方向上的長度幾乎與硅碇I在Y方向的長度相等，然而在運送結(jié)構(gòu)4移動感應(yīng)加熱線圈5的情況下，只要使水槽7在Y方向上的長度幾乎與隔熱材料3在Y方向上的長度相等即可。[0061]此外，隔熱材料3是本發(fā)明的支承構(gòu)件的一個示例，感應(yīng)加熱線圈5是本發(fā)明的加熱單元的一個示例，運送結(jié)構(gòu)4是本發(fā)明的運送結(jié)構(gòu)的一個示例，吸附襯墊6是本發(fā)明的剝離結(jié)構(gòu)的一個示例，水槽7是本發(fā)明的水槽的一個示例。
[0062]另外，激光材料2是本發(fā)明的板狀構(gòu)件的一個示例。
[0063]這里，對本實施方式的硅晶圓剝離裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行更具體的說明。
[0064]首先，對激光材料2進(jìn)行說明。
[0065]激光材料2的原材料例如是一般被用作為激光材料的原材料的、玻璃、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、電木(注冊商標(biāo))、或碳等所使用的材料。
[0066]激光材料2需要通過感應(yīng)加熱來使激光材料2發(fā)熱，因此激光材料2的原材料必定是具有導(dǎo)電性的材料，優(yōu)選為是含有磁性物質(zhì)的導(dǎo)電性材料。
[0067]更優(yōu)選為，激光材料2的原材料是碳等脆性材料或磁性物質(zhì)粉末(N1、Co、Fe、以及鐵酸鹽等)分散于環(huán)氧樹脂中的材料。在激光材料2的原材料是碳的情況下，能夠下降成本。
[0068]此外，在激光材料2的原材料是金屬等延展性材料的情況下，線鋸的加工性可以變差。
[0069]在本實施方式中，激光材料2的尺寸為IlOmm(X方向)X400mm(Y方向)X 15mm(Z
方向即厚度方向)。
[0070]接下來，對粘接劑8進(jìn)行說明。
[0071]粘接劑8可以是一般經(jīng)常使用的二液性環(huán)氧樹脂，也可以是二液性丙烯酸樹脂、或是熱固化性的單液性環(huán)氧樹脂。
[0072]在粘接劑8是熱固化性的單液性環(huán)氧樹脂，且感應(yīng)加熱線圈5能在粘接劑8的固化溫度下對其加熱時，即使在水槽7未裝滿水的情況下將本實施方式的硅晶圓剝離裝置用作為粘接劑7的固化裝置，由此也能提高生產(chǎn)效率。
[0073]此外，在粘接劑8是二液性環(huán)氧樹脂的情況下，固化時間約為8小時，然而在粘接劑8是熱固化性的單液性環(huán)氧樹脂、且將本實施方式的硅晶圓剝離裝置用作為粘接劑8的固化裝置的情況下，固化時間在一小時以內(nèi)。
[0074]在本實施方式中，在作為熱固化性的單液性環(huán)氧樹脂的雙酚A型環(huán)氧樹脂與雙酚F型環(huán)氧樹脂的重量比為1:1的混合物中，使用調(diào)和有聚硫醇系微膠囊型的固化劑的混合物(味之素(株式會社)生產(chǎn)的XBM-3300)，而將硅晶圓剝離裝置用作為粘接劑8的固化裝置。
[0075]接下來，對隔熱材料3進(jìn)行說明。
[0076]隔熱材料3的原材料是不阻斷在利用感應(yīng)加熱線圈5來進(jìn)行感應(yīng)加熱時產(chǎn)生的磁通的任意材料。
[0077]在本實施方式中，隔熱材料3的原材料是Fusosamo (扶桑工業(yè)株式會社生產(chǎn))，隔熱材料3的尺寸為180mm(x方向)X500mm(Y方向)X20mm(Z方向即厚度方向)。
[0078]接下來，對感應(yīng)加熱線圈5進(jìn)行說明。
[0079]在本實施方式中，感應(yīng)加熱線圈5的原材料是銅管，且采用冷卻水在其中心的空洞中流動的結(jié)構(gòu)，銅管沿著激光材料2的底面的形狀即長方形的IIOmm(X方向)X 400mm(Y方向)的邊彎曲，感應(yīng)加熱線圈5的尺寸為IlOmm(X方向)X 50mm(Y方向)。[0080]感應(yīng)加熱線圈5在裝滿水的水槽7中使用，因此為了抑制因感應(yīng)加熱而所造成的氧化，并避免在水槽7內(nèi)放電，使用硅膠來覆蓋感應(yīng)加熱線圈5的外邊緣部。
[0081]此外，感應(yīng)加熱線圈5與激光材料2之間的Z方向上的距離為5mm。
[0082]另外，感應(yīng)加熱單元(美國Ameritherm公司生產(chǎn)的EASY HEAT型感應(yīng)加熱器)的使用頻率為150?400Hz。
[0083]接下來，對水槽7進(jìn)行說明。
[0084]在本實施方式中，水槽7由玻璃制成，水槽7的尺寸為500mm(X方向)X1000mm(Y方向)X 500mm(z方向即深度方向)。
[0085]接下來，對運送結(jié)構(gòu)4進(jìn)行說明。
[0086]運送結(jié)構(gòu)4是用于進(jìn)行如下動作的單元:使粘接有硅碇I的激光材料2在最初將激光材料2設(shè)置在隔熱材料3上的初始位置、到吸附襯墊6所能吸附的一 Y —側(cè)、即最外側(cè)的硅晶圓Ia的位置之間、重復(fù)移動，其中，該硅碇I可通過切片加工來制成一千幾百片的硅晶圓la。
[0087]最后，對吸附襯墊6進(jìn)行說明。
[0088]吸附襯墊6是用于使用伯努利盤來吸附硅晶圓Ia的單元。
[0089]此外，被吸附的硅晶圓Ia從水中被傳送到空氣中并經(jīng)由傳送帶被收容于硅晶圓專用的機架中，并且在每個機架中一片一片地以單晶片的方式來清洗硅晶圓la。
[0090]接下來，主要參照圖2及3對本實施方式的硅晶圓剝離裝置的動作進(jìn)行說明。
[0091]這里，圖2是本發(fā)明的實施方式的硅晶圓剝離裝置的部分?jǐn)U大的側(cè)面示意圖(YZ平面圖)，圖3是本發(fā)明的實施方式的硅晶圓剝離裝置的部分主視示意圖(XZ平面圖)
[0092]此外，在對本實施方式的硅晶圓剝離裝置的動作進(jìn)行說明的同時，也對硅晶圓剝離方法的一個實施方式進(jìn)行說明。
[0093]其中，本實施方式所需的剝離結(jié)構(gòu)如下所述。
[0094]通過切片加工制成一千幾百片硅晶圓Ia的硅錠I通過粘接劑8與激光材料2相粘接，激光材料2設(shè)置在隔熱材料3上，并設(shè)置于裝滿水的水槽7中。
[0095]因此，硅碇I被水包圍，相鄰硅晶圓Ia之間的間隙塞滿有進(jìn)行切片加工時產(chǎn)生的含有水的硅泥9 (參照圖2)。
[0096]在交流電流流過感應(yīng)加熱線圈5的情況下，方向及強度均發(fā)送變化的磁力線產(chǎn)生在感應(yīng)加熱線圈5的周圍，渦流受到該磁力線的影響、而流到激光材料2，并產(chǎn)生焦耳熱。
[0097]若感應(yīng)加熱由此開始，則激光材料2被加熱到80° C左右，并且粘接劑8通過來自相接觸的激光材料2的熱傳導(dǎo)而有效地被加熱到80° C左右。
[0098]由此，由于粘接劑8的粘貼強度迅速下降，因此通過對硅晶圓Ia施加物理性的應(yīng)力，能夠容易地將其從激光材料2上剝離。
[0099]然后，硅碇I經(jīng)由粘接劑8并通過來自激光材料2的熱傳導(dǎo)僅間接地被加熱一點點，因此娃晶圓Ia表面極少因為與氧氣的反應(yīng)而氧化，因而娃晶圓Ia的品質(zhì)將不會下降。
[0100]這里，如下所述那樣對剝離結(jié)構(gòu)進(jìn)行更具體的說明。
[0101]S卩，在激光材料2中產(chǎn)生的熱被傳導(dǎo)給周圍的水，靠近激光材料2的點A (參照圖2)附近的水溫開始上升。
[0102]點A附近的水溫變得比位于+ Z方向、即正上方向上上側(cè)的點B (參照圖2)附近的水溫要高，因此點A附近的水的比重要比點B附近的水的比重要低，由此點A附近的水向+ Z方向移動。
[0103]由此，相鄰硅晶圓Ia間的間隙中塞滿的硅泥9被卷入的同時，產(chǎn)生從點A流向點B的+ Z方向的水流。
[0104]對于硅泥9，由于各個硅泥9的尺寸并不大，因此不會粘著在硅晶圓Ia上而被卷入上述水流中并向+Z方向移動，其中的某一些通過B附近并留出到外部，而某一些聚集在B附近。
[0105]此外,聚集在點B附近的硅泥9使相鄰硅晶圓Ia間的間隙的大小在Y方向上有所擴大，從而產(chǎn)生有助于剝離硅晶圓Ia的應(yīng)力。
[0106]這樣，由于不存在比-Y—側(cè)、即最外側(cè)的硅晶圓Ia更外側(cè)的相鄰硅晶圓Ia,因此最外側(cè)的娃晶圓Ia自然而然地倒向吸附襯墊6，并被吸附襯墊6吸附，并被傳送至水槽7的外部。
[0107]當(dāng)然，在使激光材料2相對于感應(yīng)加熱線圈5移動的同時，重復(fù)地剝離硅晶圓la。
[0108]在硅晶圓Ia被傳送到水槽7的外部的時點，幾乎所有硅泥9均從硅晶圓Ia游離出來并擴散到水中，因此可以抑制硅泥9被吸附到所剝離的硅晶圓Ia上。
[0109]此外，優(yōu)選為，在剝離硅晶圓Ia時，使激光材料2的外邊緣部的溫度比激光材料2的中心部的溫度要高。
[0110]根據(jù)上述感應(yīng)加熱線圈5的形狀，靠近感應(yīng)加熱線圈5的激光材料2的外邊緣部的點C及點E (參考圖3)附近的水溫變得比遠(yuǎn)離感應(yīng)加熱線圈5的激光材料2的中心部的點D (參考圖3)附近的水溫要高，因此容易使得點C及E附近的粘接劑8的粘接強度與點D附近的粘接劑8的粘接強度要低。
[0111]因此，粘接劑8對所剝離的硅晶圓Ia的粘接性有所降低的同時，還可使硅晶圓Ia易于從激光材料2上剝離。
[0112]并且，優(yōu)選為，在硅晶圓Ia被配置于激光材料2的正上方的狀態(tài)下，進(jìn)行硅晶圓Ia的剝離。在硅晶圓Ia被配置在激光材料2的正上方的情況下，可以利用上述水流來使硅泥9移動。
[0113]此外，在硅晶圓Ia被配置在激光材料2的正下方的情況下，可能發(fā)生如下情況:
(I)由于硅晶圓Ia的負(fù)重對粘接劑8向一 Z方向、即正下方作用，因此硅晶圓Ia未預(yù)期地從激光材料2上脫離；(2)作用于粘接劑8的力由于相鄰硅晶圓Ia間的間隙中塞滿的硅泥9的量、以及/或者相鄰硅晶圓Ia的粘接方法，而無法使吸附襯墊6僅吸附最外側(cè)的硅晶圓
Ia0
[0114]本發(fā)明中，在水中從玻璃材料2上剝離硅晶圓la，而水是本發(fā)明中的液體的一個示例，作為其他液體的具體示例，還可以例舉出混有酒精、醚、以及乳酸等清洗劑的水溶液等，液體可以根據(jù)情況來選擇。
[0115]并且，如上所述，感應(yīng)加熱線圈5是本發(fā)明的加熱單元的一個示例，作為其他加熱單元的具體示例，可以例舉出:超聲波加熱單元、激光加熱單元、以及使電極與激光材料2相接觸并直接施加電流來進(jìn)行加熱的接觸電流提供加熱單元等，根據(jù)加熱單元可根據(jù)情況來選擇。
[0116]由此，根據(jù)本實施方式，能夠以非手工的方式來剝離硅晶圓，而不會降低硅晶圓的品質(zhì)，因此能夠提高半導(dǎo)體用的硅晶圓的生產(chǎn)效率。
[0117]工業(yè)上的實用性
[0118]本發(fā)明的硅晶圓剝離方法以及硅晶圓剝離裝置，能夠在抑制例如硅晶圓品質(zhì)的下降的同時，還能有效地將硅晶圓從激光材料上一片一片地剝離，可用于從通過粘接劑粘接有切片加工后的硅晶圓的激光材料上、剝離半導(dǎo)體用的硅晶圓的硅晶圓剝離方法、以及硅晶圓剝離裝置。
[0119]標(biāo)號說明
[0120]I 硅碇
[0121]2 激光材料
[0122]3 隔熱材料
[0123]4 運送結(jié)構(gòu)
[0124]5 感應(yīng)加熱線圈
[0125]6 吸附襯墊
[0126]7 水槽
【權(quán)利要求】
1.一種硅晶圓剝離方法，其特征在于， 通過在液體中對板狀構(gòu)件加熱，從而將通過粘接劑與所述板狀構(gòu)件相粘接的多塊硅晶圓從所述板狀構(gòu)件上剝離。
2.如權(quán)利要求1所述的硅晶圓剝離方法，其特征在于， 所述硅晶圓的外邊緣部的一部分為平面， 所述硅晶圓的外邊緣部的一部分的平面與所述板狀構(gòu)件的表面通過所述粘接劑相粘接。
3.如權(quán)利要求2所述的硅晶圓剝離方法，其特征在于， 在所述板狀構(gòu)件的正上側(cè)配置有所述硅晶圓的狀態(tài)下，對所述硅晶圓進(jìn)行剝離。
4.如權(quán)利要求3所述的硅晶圓剝離方法，其特征在于， 使所述板狀構(gòu)件相對于用于進(jìn)行所述加熱的加熱單元移動，并反復(fù)對所述硅晶圓進(jìn)行剝離。
5.如權(quán)利要求1至4中的任一項所述硅晶圓剝離方法，其特征在于， 所述板狀構(gòu)件具有導(dǎo)電性，通過感應(yīng)加熱來對所述液體中的所述板狀構(gòu)件加熱。
6.如權(quán)利要求5所述的硅晶圓剝離方法，其特征在于， 在剝離所述硅晶圓時，所述板狀構(gòu)件的外邊緣部的溫度比所述板狀構(gòu)件的中心部的溫度更高。
7.一種硅晶圓剝離裝置，其特征在于，包括: 支承構(gòu)件，該支承構(gòu)件對通過粘接劑粘接有多塊硅晶圓的板狀構(gòu)件進(jìn)行支承； 加熱單元，該加熱單元用于加熱所述板狀構(gòu)件； 運送結(jié)構(gòu)，該運送結(jié)構(gòu)在水平方向上相對于所述加熱單元運送所述支承構(gòu)件； 剝離結(jié)構(gòu)，該剝離結(jié)構(gòu)一片一片地剝離所述硅晶圓；以及 水槽，該水槽將所述硅晶圓、所述板狀構(gòu)件以及所述支承構(gòu)件浸潰于液體中。
8.如權(quán)利要求7所述的硅晶圓剝離裝置，其特征在于， 所述板狀構(gòu)件具有導(dǎo)電性，所述加熱單元是感應(yīng)加熱線圈。
【文檔編號】H01L21/683GK103456668SQ201310207714
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月31日
【發(fā)明者】松野行壯, 吉野道朗, 高橋正行, 古重徹, 山本雄士 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社