技術(shù)總結(jié)
本申請公開一種摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法，包括:制備CuS納米顆粒；制備摻Ge的前驅(qū)體漿料;制備摻Ge的前驅(qū)體薄膜;對摻Ge的前驅(qū)體薄膜進行硫化處理，得Cu2ZnSn1?xGexS4薄膜；對Cu2ZnSn1?xGexS4薄膜進行硒化處理，得Cu2ZnSn1?xGex(S,Se)4薄膜。本申請還公開了一種摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜和太陽能電池。本申請由于使用CuS納米顆粒，可促進晶粒生長和薄膜致密化；在制備前驅(qū)體漿料時摻入Ge，能調(diào)節(jié)CZTS薄膜禁帶寬度，提高CZTS電池光電轉(zhuǎn)換效率；本申請使用甲醇或乙醇等有機溶劑，硫化處理使用的硫源為固態(tài)硫粉，硒化處理所使用硒源為固態(tài)硒粉，整個生產(chǎn)過程對環(huán)境友好；利用硒化過程中Se原子部分取代S原子的體積膨脹效應(yīng)使薄膜的結(jié)構(gòu)致密化，調(diào)節(jié)CZTS吸收層的禁帶寬度，使其與太陽光譜更加匹配。

技術(shù)研發(fā)人員：徐東;徐永清;湯珅
受保護的技術(shù)使用者：徐東
文檔號碼：201310198831
技術(shù)研發(fā)日：2013.05.24
技術(shù)公布日：2016.11.23