有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：對導(dǎo)電陽極基底進(jìn)行表面預(yù)處理；在所述導(dǎo)電陽極基底上依次蒸鍍形成空穴注入層和空穴傳輸層；通過遞增工藝和遞減工藝在所述空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層；以及在所述發(fā)光層上依次蒸鍍形成電子傳輸層、電子注入層和陰極層。這種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次提高，遞減工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次降低，通過主體材料和客體材料的漸進(jìn)式混合，提高了主客體的能量轉(zhuǎn)換效率。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)具有一些獨特的優(yōu)點:(I)OLED屬于擴(kuò)散型面光源，不需要像發(fā)光二極管(LED) —樣通過額外的導(dǎo)光系統(tǒng)來獲得大面積的白光光源；(2)由于有機(jī)發(fā)光材料的多樣性，OLED照明可根據(jù)需要設(shè)計所需顏色的光，目前無論是小分子0LED，還是聚合物有機(jī)發(fā)光二極管(PLED)都已獲得了包含白光光譜在內(nèi)的所有顏色的光；(3)OLED可在多種襯底如玻璃、陶瓷、金屬、塑料等材料上制作，這使得設(shè)計照明光源時更加自由；(4)采用制作OLED顯示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同時顯示信息；(5)0LED在照明系統(tǒng)中還可被用作可控色，允許使用者根據(jù)個人需要調(diào)節(jié)燈光氛圍。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率一直是評價有機(jī)電致發(fā)光器件性能的重要指標(biāo)。傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層的材料通常是均勻摻雜了客體材料的主體材料，由于主客體的能量轉(zhuǎn)換效率相對較低，導(dǎo)致傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
[0005]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0006]對導(dǎo)電陽極基底進(jìn)行表面預(yù)處理；
[0007]在所述導(dǎo)電陽極基底上依次蒸鍍形成空穴注入層和空穴傳輸層；
[0008]通過遞增工藝和遞減工藝同時進(jìn)行在所述空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層，其中，所述遞增工藝的材料為摻雜有客體材料的主體材料且所述遞增工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次提高，所述遞減工藝的材料為摻雜有所述客體材料的所述主體材料且所述遞減工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次降低，所述遞增工藝中中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1.2?10.8:100，所述遞減工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為0.2?4.8:100 ;以及
[0009]在所述發(fā)光層上依次蒸鍍形成電子傳輸層、電子注入層和陰極層。
[0010]在一個實施例中，所述在所述空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層的步驟為:
[0011]通過第一遞增工藝和第一遞減工藝同時進(jìn)行在所述空穴傳輸層上蒸鍍形成第一發(fā)光層;
[0012]通過第二遞增工藝和第二遞減工藝同時進(jìn)行在所述第一發(fā)光層上蒸鍍形成第二發(fā)光層;
[0013]通過第三遞增工藝和第三遞減工藝同時進(jìn)行在所述第二發(fā)光層上蒸鍍形成第三發(fā)光層;
[0014]通過第四遞增工藝和第四遞減工藝同時進(jìn)行在所述第三發(fā)光層上蒸鍍形成第四發(fā)光層，其中，所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層組成所述發(fā)光層，所述第一遞增工藝、所述第二遞增工藝、所述第三遞增工藝和所述第四遞增工藝組成所述遞增工藝且所述第一遞增工藝、所述第二遞增工藝、所述第三遞增工藝和所述第四遞增工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比梯次提高，所述第一遞減工藝、所述第二遞減工藝、所述第三遞減工藝和所述第四遞減工藝組成所述遞減工藝且所述第一遞減工藝、所述第二遞減工藝、所述第三遞減工藝和所述第四遞減工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比梯次降低。
[0015]在一個實施例中，所述第四遞增工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比是所述第一遞增工藝中的所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比的1.5倍；
[0016]所述第三遞減工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比是所述第四遞減工藝中的所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比的2倍；
[0017]并且所述第四遞增工藝中的所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比是所述第四遞減工藝中的所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比的9倍。
[0018]在一個實施例中，所述客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡唆)銥或三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥；
[0019]所述主體材料為2，2’-(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4_惡二唑]、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、2，8_ 二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩、4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉或N-芳基苯并咪唑。
[0020]在一個實施例中，所述發(fā)光層的厚度為1nm?30nm。
[0021]在一個實施例中，所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層的厚度均相等。
[0022]在一個實施例中，所述空穴注入層的材料為摻雜有金屬氧化物的空穴傳輸材料；
[0023]所述金屬氧化物為MoO3、WO3、V2O5或ReO3 ；
[0024]所述空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷；
[0025]所述金屬氧化物與所述空穴傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100 ；
[0026]所述空穴注入層的厚度為1nm?15nm。
[0027]在一個實施例中，所述空穴傳輸層的材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺或 1，1-二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氣基]苯基]環(huán)己燒；
[0028]所述空穴傳輸層的厚度為30nm?50nm。
[0029]在一個實施例中，所述電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7_二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；
[0030]所述電子傳輸層的厚度為1nm?60nm。
[0031]在一個實施例中，所述電子注入層的材料為摻雜有第一鹽和第二鹽的電子傳輸材料；
[0032]所述第一鹽為LiF、LiN3、Li3N, CsF、CsN3 或 Cs3N ；
[0033]所述第二鹽為Li2SO4' Na2SO4' K2SO4' Rb2SO4 或 Cs2SO4 ；
[0034]所述電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；
[0035]所述第一鹽與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100 ；
[0036]所述第二鹽與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為6?25:100 ;
[0037]所述電子注入層的厚度為15nm?45nm。
[0038]這種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，通過遞增工藝和遞減工藝在空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層，遞增工藝的材料為摻雜有客體材料的主體材料且遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次提高，遞減工藝的材料為摻雜有客體材料的主體材料且遞減工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次降低，通過主體材料和客體材料的漸進(jìn)式混合，提高了主客體的能量轉(zhuǎn)換效率。相對于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0039]圖1為一實施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0040]圖2為如圖1所示的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法制備得到的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0041]圖3為如圖2所示的有機(jī)電致發(fā)光器件的一實施例的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖4為如圖3所示的發(fā)光層的制備方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0043]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0044]結(jié)合圖1和圖2，一實施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0045]S10、對導(dǎo)電陽極基底10進(jìn)行表面預(yù)處理。
[0046]導(dǎo)電陽極基底10可以為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)。在一個較優(yōu)的實施例中，導(dǎo)電陽極基底10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0047]陽極導(dǎo)電基底10的導(dǎo)電層的厚度可以為80nm?150nm。
[0048]表面預(yù)處理的操作可以為:依次對導(dǎo)電陽極基底10進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，得到潔凈的導(dǎo)電陽極基底10。接著對潔凈的導(dǎo)電陽極基底10的導(dǎo)電層進(jìn)行表面活化處理，增加導(dǎo)電陽極基底10的導(dǎo)電層的含氧量和功函數(shù)。
[0049]上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時間為5min，間隔時間為5min。同時，上述清洗均采用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行。
[0050]表面活化處理可以為采用紫外-臭氧(UV-ozone )對清洗干燥后的陽極進(jìn)行處理30?50分鐘。
[0051]S20、在導(dǎo)電陽極基底10上依次蒸鍍形成空穴注入層20和空穴傳輸層30。
[0052]顯然，空穴注入層20形成在導(dǎo)電陽極基底10的導(dǎo)電層上。
[0053]本實施方式中，在真空度為I X 10_5Pa?I X 10?,蒸發(fā)速度為0.1 A?I A /s的條件下，在導(dǎo)電陽極基底10的導(dǎo)電層上蒸鍍形成空穴注入層20。
[0054]空穴注入層20的材料可以為摻雜有金屬氧化物的空穴傳輸材料。
[0055]金屬氧化物可以為Mo03、WO3J2O5或ReO3。
[0056]空穴傳輸材料可以為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或 1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0057]金屬氧化物與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100。
[0058]空穴注入層20的厚度可以為1nm?15nm。
[0059]本實施方式中，在真空度為I X 10_5Pa?I X 10?,蒸發(fā)速度為0.1 A?2 A /s的條件下，在空穴注入層20上蒸鍍形成空穴傳輸層30。
[0060]空穴傳輸層30的材料可以為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4,4’- 二胺(咿8)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或 1，1-二[4-[N, N1-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0061]空穴傳輸層30的厚度可以為30nm?50nm。
[0062]S30、通過遞增工藝和遞減工藝同時進(jìn)行在空穴傳輸層30上蒸鍍形成發(fā)光層40。
[0063]本實施方式中，在真空度為I X 1-5Pa?I X 10?,蒸發(fā)速度為0.1 A?I A /s的條件下，通過遞增工藝和遞減工藝在空穴傳輸層30上蒸鍍形成發(fā)光層40。
[0064]遞增工藝的材料為摻雜有客體材料的主體材料且遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次提高。
[0065]遞減工藝的材料為摻雜有客體材料的主體材料且遞減工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次降低。
[0066]遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1.2?10.8:100。
[0067]遞減工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比為0.2?4.8:100。
[0068]客體材料可以為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy) 2 (acac))或三[2_(對甲苯基)批]合銥(Ir (mppy) 3)。
[0069]主體材料可以為2，2’-(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)_1，3，4_惡二唑](0XD-7)、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、2，8- 二 (二苯膦氧基)二苯并[b, d]噻吩(P015)、4，7- 二苯基-1, 10-菲羅啉(Bphen)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)。
[0070]發(fā)光層40的厚度可以為1nm?30nm。
[0071]結(jié)合圖3，在一個具體的實施例中，發(fā)光層40由依次層疊的第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47,并且第一發(fā)光層41層疊于空穴傳輸層30上。
[0072]本實施例中，第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47的厚度均相同。
[0073]具體的，結(jié)合圖4，發(fā)光層40的制備方法，包括如下步驟:
[0074]S310、通過第一遞增工藝和第一遞減工藝同時進(jìn)行在空穴傳輸層30上蒸鍍形成第一發(fā)光層41。
[0075]S320、通過第二遞增工藝和第二遞減工藝同時進(jìn)行在第一發(fā)光層41上蒸鍍形成第二發(fā)光層43。
[0076]S330、通過第三遞增工藝和第三遞減工藝同時進(jìn)行在第二發(fā)光層43上蒸鍍形成第三發(fā)光層45。
[0077]S340、通過第四遞增工藝和第四遞減工藝同時進(jìn)行在第三發(fā)光層45上蒸鍍形成第四發(fā)光層47。
[0078]第一遞增工藝、第二遞增工藝、第三遞增工藝和第四遞增工藝組成遞增工藝且第一遞增工藝、第二遞增工藝、第三遞增工藝和第四遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比梯次提聞。
[0079]第一遞減工藝、第二遞減工藝、第三遞減工藝和第四遞減工藝組成遞減工藝且第一遞減工藝、第二遞減工藝、第三遞減工藝和第四遞減工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比梯次降低。
[0080]本實施例中，第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47共四層結(jié)構(gòu)組成發(fā)光層40。在其他實施例中，還可以由二層結(jié)構(gòu)、三層結(jié)構(gòu)、五層結(jié)構(gòu)、六層結(jié)構(gòu)、七層結(jié)構(gòu)等等組成發(fā)光層40。
[0081]本實施例中，第四遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比是第一遞增工藝中的客體材料與主體材料的質(zhì)量比的1.5倍，第三遞減工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比是第四遞減工藝中的客體材料與主體材料的質(zhì)量比的2倍，并且第四遞增工藝中的客體材料與主體材料的質(zhì)量比是第四遞減工藝中的客體材料與主體材料的質(zhì)量比的9倍。也就是說，本實施例中，記第四遞減工藝中的客體材料與主體材料的質(zhì)量比為a，又由于是梯次提高或降低，則第三遞減工藝中的客體材料與主體材料的質(zhì)量比為2a，第二遞減工藝中的客體材料與主體材料的質(zhì)量比為3a，第一遞減工藝中的客體材料與主體材料的質(zhì)量比為4a，第一遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比為6a，第二遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量為7a，第三遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量為8a，第四遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量為9a。
[0082]在其他的實施例中，第四遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比也可以不是第一遞增工藝中的客體材料與主體材料的質(zhì)量比的1.5倍，第三遞減工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比也可以不是第四遞減工藝中的客體材料與主體材料的質(zhì)量比的2倍，并且第四遞增工藝中的客體材料與主體材料的質(zhì)量比也可以不是第四遞減工藝中的客體材料與主體材料的質(zhì)量比的9倍。
[0083]S40、在發(fā)光層40上依次蒸鍍形成電子傳輸層50、電子注入層60和陰極層70。
[0084]本實施方式中，在真空度I X 10_5Pa?I X 10?,蒸發(fā)速度0.1 A?2 A /s的條件下，在發(fā)光層40上蒸鍍形成電子傳輸層50。
[0085]電子傳輸層50的材料可以為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)或
I,3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0086]電子傳輸層50的可以厚度為1nm?60nm。
[0087]本實施方式中，在真空度I X 10_5Pa?I X 10?,蒸發(fā)速度0.1 A?2 A /s的條件下，在電子傳輸層50上蒸鍍形成電子注入層60。
[0088]電子注入層60的材料可以為摻雜有第一鹽和第二鹽的電子傳輸材料。
[0089]第一鹽可以為LiF、LiN3、Li3N, CsF、CsN3 或 Cs3N。
[0090]第二鹽可以Li2S04、Na2SO4, K2SO4, Rb2SO4 或 Cs2S04。
[0091]電子傳輸材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、
3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)或I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0092]第一鹽與電子傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100。
[0093]第二鹽與電子傳輸材料的質(zhì)量比為6?25:100。
[0094]電子注入層60的厚度可以為15nm?45nm。
[0095]本實施方式中，在真空度I X 10_5Pa?I X 10?,蒸發(fā)速度0.1 A?5 A /s的條件下，在電子注入層60上蒸鍍形成陰極層70。
[0096]陰極層70的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)。
[0097]陰極層70的厚度可以為50nm?200nm。
[0098]這種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，通過遞增工藝和遞減工藝在空穴傳輸層30上蒸鍍形成發(fā)光層40，遞增工藝的材料為摻雜有客體材料的主體材料且遞增工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次提高，遞減工藝的材料為摻雜有客體材料的主體材料且遞減工藝中客體材料與主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次降低，通過主體材料和客體材料的漸進(jìn)式混合，提高了主客體的能量轉(zhuǎn)換效率。相對于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。
[0099]以下為具體實施例和對比例部分，實施例中使用的測試與制備設(shè)備包括:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計測試亮度和色度。
[0100]實施例1
[0101]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0102]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時間為5min，間隔時間為5min。接著對清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0103]在真空度為1父10-午&，蒸發(fā)速度0.5人/8的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閾诫s了 MoO3的冊8^003與冊8的質(zhì)量比為30:100,空穴注入層的厚度為12.5nm。
[0104]在真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度I A /s的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹PB，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0105]在真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度I A /s的條件下，通過第一遞增工藝和第一遞減工藝同時進(jìn)行在空穴傳輸層上蒸鍍形成第一發(fā)光層，通過第二遞增工藝和第二遞減工藝同時進(jìn)行在第一發(fā)光層上蒸鍍形成第二發(fā)光層，通過第三遞增工藝和第三遞減工藝同時進(jìn)行在第二發(fā)光層上蒸鍍形成第三發(fā)光層，通過第四遞增工藝和第四遞減工藝同時進(jìn)行在第三發(fā)光層上蒸鍍形成第四發(fā)光層。第一遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy) 3的0XD-7, Ir (ppy) 3與0XD-7的質(zhì)量比為7.2:100 ;第二遞增工藝的材料為摻雜了 Ir(ppy)d^ 0XD-7，Ir (ppy) 3與0XD-7的質(zhì)量比為8.4:100 ;第三遞增工藝的材料為摻雜了 Ir(ppy)d^ 0XD-7，Ir (ppy) 3與(^0-7的質(zhì)量比為9.6:100 ;第四遞增工藝的材料為摻雜了 Ir(ppy)3的(《0-7，Ir(ppy)3與0XD-7的質(zhì)量比為10.8:100。第一遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy) 3的(《0-7，Ir (ppy)3與(^0-7的質(zhì)量比為4.8:100 ;第二遞減工藝的材料為摻雜了 Ir(ppy)3的(《0-7，Ir(ppy)3與0XD-7的質(zhì)量比為3.6:100 ;第三遞減工藝的材料為摻雜了 Ir(ppy)d^ 0XD-7，Ir (ppy) 3與0XD-7的質(zhì)量比為2.4:100 ;第四遞減工藝的材料為摻雜了 Ir(ppy)d^ 0XD-7，Ir (ppy) 3與0XD-7的質(zhì)量比為1.2:100。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成發(fā)光層，第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層的厚度均相同，并且發(fā)光層的總厚度為30nm。
[0106]在真空度為lX10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在第四發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為Bphen,電子傳輸層的厚度為35nm。
[0107]在真空度為1父10_中&，蒸發(fā)速度1人/8的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有LiF和Li2SO4的Bphen，LiF和Bphen的質(zhì)量比為30:100，Li2SO4和Bphen的質(zhì)量比為15:100，電子注入層的厚度為35nm。
[0108]在真空度為1父10_午&，蒸發(fā)速度3人/8的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Ag,陰極層的厚度為125nm。
[0109]實施例2
[0110]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0111]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時間為5min，間隔時間為5min。接著對清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0112]在真空度為5 X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1人/s的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閾诫s了 WO3的TCTA，WO3與TCTA的質(zhì)量比為25:100，空穴注入層的厚度為10nm。
[0113]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1人/s的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層。空穴傳輸層的材料為TCTA，空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0114]在真空度為1父10_中&，蒸發(fā)速度0.8人/8的條件下，通過第一遞增工藝和第一遞減工藝同時進(jìn)行在空穴傳輸層上蒸鍍形成第一發(fā)光層，通過第二遞增工藝和第二遞減工藝同時進(jìn)行在第一發(fā)光層上蒸鍍形成第二發(fā)光層，通過第三遞增工藝和第三遞減工藝同時進(jìn)行在第二發(fā)光層上蒸鍍形成第三發(fā)光層，通過第四遞增工藝和第四遞減工藝同時進(jìn)行在第三發(fā)光層上蒸鍍形成第四發(fā)光層。第一遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy)2 (acac)的BCP,Ir (ppy) 2 (acac)與BCP的質(zhì)量比為6:100 ;第二遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy) 2 (acac)的BCP，Ir (ppy)2 (acac)與BCP的質(zhì)量比為7:100 ;第三遞增工藝的材料為摻雜了Ir (ppy)2 (acac)的BCP, Ir (ppy) 2 (acac)與BCP的質(zhì)量比為8:100 ;第四遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy)2 (acac)的 BCP, Ir (ppy) 2 (acac)與 BCP 的質(zhì)量比為 9:100。第一遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy)2 (acac)的BCP, Ir (ppy) 2 (acac)與BCP的質(zhì)量比為4:100 ;第二遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy)2 (acac)的BCP, Ir (ppy) 2 (acac)與BCP的質(zhì)量比為3:100 ；第三遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy)2 (acac)的BCP，Ir (ppy) 2 (acac)與BCP的質(zhì)量比為2:100 ;第四遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy)2 (acac)的BCP, Ir (ppy) 2 (acac)與BCP的質(zhì)量比為1:100。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成發(fā)光層,第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層的厚度均相同，并且發(fā)光層的總厚度為27nm。
[0115]在真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度0.1人/s的條件下，在第四發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為BCP,電子傳輸層的厚度為10nm。
[0116]在真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度0.1人/s的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有LiN3和Na2SO4的BCP，LiN3和BCP的質(zhì)量比為25:100，Na2SO4和BCP的質(zhì)量比為25:100，電子注入層的厚度為45nm。
[0117]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1 A/s的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Al,陰極層的厚度為50nm。
[0118]實施例3
[0119]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0120]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時間為5min，間隔時間為5min。接著對清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0121]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閾诫s了 V2O5的CBP，V205和CBP的質(zhì)量比為35:100，空穴注入層的厚度為15nm。
[0122]在真空度為5父10_中&，蒸發(fā)速度2人/8的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層。空穴傳輸層的材料為CBP，空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0123]在真空度為1父10_中&，蒸發(fā)速度0.5人/8的條件下，通過第一遞增工藝和第一遞減工藝同時進(jìn)行在空穴傳輸層上蒸鍍形成第一發(fā)光層，通過第二遞增工藝和第二遞減工藝同時進(jìn)行在第一發(fā)光層上蒸鍍形成第二發(fā)光層，通過第三遞增工藝和第三遞減工藝同時進(jìn)行在第二發(fā)光層上蒸鍍形成第三發(fā)光層，通過第四遞增工藝和第四遞減工藝同時進(jìn)行在第三發(fā)光層上蒸鍍形成第四發(fā)光層。第一遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (mppy) 3的P015,Ir(Hippy)JP P015的質(zhì)量比為4.8:100 ;第二遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (mppy) 3的P015，Ir (mppy) 3和P015的質(zhì)量比為5.6:100 ;第三遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (mppy) 3的P015，Ir(Hippy)JP P015的質(zhì)量比為6.4:100 ;第四遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (mppy) 3的P015，11'—?7)3和？015的質(zhì)量比為7.2:100。第一遞減工藝的材料為摻雜了 Ir(mppy)J^P015，Ir(Hippy)JP P015的質(zhì)量比為3.2:100 ;第二遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (mppy) 3的P015，Ir (mppy) 3和P015的質(zhì)量比為2.4: 100 ;第三遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (mppy) 3的P015，Ir (mppy)3和P015的質(zhì)量比為1.6:100 ;第四遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (mppy) 3的P015，Ir (mppy) 3和P015的質(zhì)量比為0.8:100。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成發(fā)光層，第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層的厚度均相同，并且發(fā)光層的總厚度為24nm。
[0124]在真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度2人/8的條件下，在第四發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為BAlq,電子傳輸層的厚度為60nm。
[0125]在真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度2 A /s的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有Li3N和K2SO4的BAlq，Li3N和BAlq的質(zhì)量比為35:100，K2SO4和BAlq的質(zhì)量比為6:100，電子注入層的厚度為15nm。
[0126]在真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度5人/8的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Au，陰極層的厚度為200nm。
[0127]實施例4
[0128]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0129]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時間為5min，間隔時間為5min。接著對清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0130]在真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5 A /s的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層。空穴注入層的材料為摻雜了 ReO3的TPD,ReO3與TH)的質(zhì)量比為30:100，空穴注入層的厚度為13nm。
[0131]在真空度為5父10_中&，蒸發(fā)速度1人/8的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層。空穴傳輸層的材料為TPD，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0132]在真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5 A/s的條件下，通過第一遞增工藝和第一遞減工藝同時進(jìn)行在空穴傳輸層上蒸鍍形成第一發(fā)光層，通過第二遞增工藝和第二遞減工藝同時進(jìn)行在第一發(fā)光層上蒸鍍形成第二發(fā)光層，通過第三遞增工藝和第三遞減工藝同時進(jìn)行在第二發(fā)光層上蒸鍍形成第三發(fā)光層，通過第四遞增工藝和第四遞減工藝同時進(jìn)行在第三發(fā)光層上蒸鍍形成第四發(fā)光層。第一遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy) 3的Bphen,Ir (ppy)3與Bphen的質(zhì)量比為4.8:100 ;第二遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy) 3的Bphen,Ir (ppy)3與Bphen的質(zhì)量比為5.6:100 ;第三遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy) 3的Bphen,Ir (ppy)3與Bphen的質(zhì)量比為6.4:100 ;第四遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy)3的Bphen,Ir (ppy) 3與Bphen的質(zhì)量比為7.2:100。第一遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy) 3的Bphen,Ir (ppy)3與Bphen的質(zhì)量比為3.2:100 ;第二遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy) 3的Bphen,Ir (ppy)3與Bphen的質(zhì)量比為2.4:100 ;第三遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy) 3的Bphen,Ir (ppy)3與Bphen的質(zhì)量比為1.6:100 ;第四遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy) 3的Bphen,Ir(ppy)3與Bphen的質(zhì)量比為0.8:100。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成發(fā)光層，第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層的厚度均相同，并且發(fā)光層的總厚度為24nm。
[0133]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在第四發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為Alq3,電子傳輸層的厚度為30nm。
[0134]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有CsF和Rb2SOJ^Alq3, CsF和Alq3的質(zhì)量比為30:100，Rb2SO4和Alq3的質(zhì)量比為10:100,電子注入層的厚度為30nm。
[0135]在真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度2人/8的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Ag,陰極層的厚度為lOOnm。
[0136]實施例5
[0137]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0138]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時間為5min，間隔時間為5min。接著對清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0139]在真空度為1父10-午&，蒸發(fā)速度0.2人/8的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閾诫s了 MoO3的TAPC，MoO3與TAPC的質(zhì)量比為25:100，空穴注入層的厚度為10nm。
[0140]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門APC，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0141]在真空度為1父10、&，蒸發(fā)速度0.4人/8的條件下，通過第一遞增工藝和第一遞減工藝同時進(jìn)行在空穴傳輸層上蒸鍍形成第一發(fā)光層，通過第二遞增工藝和第二遞減工藝同時進(jìn)行在第一發(fā)光層上蒸鍍形成第二發(fā)光層，通過第三遞增工藝和第三遞減工藝同時進(jìn)行在第二發(fā)光層上蒸鍍形成第三發(fā)光層，通過第四遞增工藝和第四遞減工藝同時進(jìn)行在第三發(fā)光層上蒸鍍形成第四發(fā)光層。第一遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy) 2 (acac)的TPBI，Ir (ppy)2 (acac)和TPBI的質(zhì)量比為3.6:100 ;第二遞增工藝的材料為摻雜了Ir (ppy) 2 (acac)的TPBI, Ir (ppy) 2 (acac)和TPBI的質(zhì)量比為4.2:100 ;第三遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy)2 (acac)的 TPBI，Ir (ppy) 2 (acac)和 TPBI 的質(zhì)量比為 4.8:100 ;第四遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy)2 (acac)的TPBI，Ir (ppy) 2 (acac)和TPBI的質(zhì)量比為5.4:100。第一遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (PPy)2 (acac)的TPBI, Ir (ppy) 2 (acac)和TPBI的質(zhì)量比為2.4:100 ;第二遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy)2 (acac)的TPBI, Ir (ppy) 2 (acac)和TPBI的質(zhì)量比為1.8:100 ;第三遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (ppy)2 (acac)的TPBI, Ir (ppy)2 (acac)和TPBI的質(zhì)量比為1.2:100 ;第四遞減工藝的材料為摻雜了Ir (ppy) 2 (acac)的 TPBI, Ir (ppy) 2 (acac)和 TPBI 的質(zhì)量比為 0.6:100。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成發(fā)光層，第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層的厚度均相同，并且發(fā)光層的總厚度為20nm。
[0142]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在第四發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為TAZ,電子傳輸層的厚度為50nm。
[0143]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有CsNjP Cs2SOJ^TAZ, CsNjP TAZ的質(zhì)量比為30:100，Cs2SO4和TAZ的質(zhì)量比為10:100,電子注入層的厚度為30nm。
[0144]在真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度2 A /s的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Al，陰極層的厚度為lOOnm。
[0145]實施例6
[0146]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0147]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時間為5min，間隔時間為5min。接著對清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0148]在真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度0.3 A /s的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層。空穴注入層的材料為摻雜了 WO3的NPB，WO3和NPB的質(zhì)量比為30:100，空穴注入層的厚度為12nm。
[0149]在真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度I A /s的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹PB，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0150]在真空度為1父10，&，蒸發(fā)速度0.1人/8的條件下，通過第一遞增工藝和第一遞減工藝同時進(jìn)行在空穴傳輸層上蒸鍍形成第一發(fā)光層，通過第二遞增工藝和第二遞減工藝同時進(jìn)行在第一發(fā)光層上蒸鍍形成第二發(fā)光層，通過第三遞增工藝和第三遞減工藝同時進(jìn)行在第二發(fā)光層上蒸鍍形成第三發(fā)光層，通過第四遞增工藝和第四遞減工藝同時進(jìn)行在第三發(fā)光層上蒸鍍形成第四發(fā)光層。第一遞增工藝的材料為摻雜了 Ir(Hippy)3的(《0-7，Ir (mppy) 3和0XD-7的質(zhì)量比為1.2:100 ;第二遞增工藝的材料為摻雜了 Ir (mppy) 3的0XD-7，Ir(Hippy)3和0XD-7的質(zhì)量比為1.4:100 ;第三遞增工藝的材料為摻雜了 Ir(Hippy)3的0XD-7，11'0^?7)3和0XD-7的質(zhì)量比為1.6:100 ;第四遞增工藝的材料為摻雜了Ir (mppy) 3的0XD-7，Ir(Hippy)3和0XD-7的質(zhì)量比為1.8:100。第一遞減工藝的材料為摻雜了 Ir(Hippy)3的(《0-7，Ir (mppy) 3和0XD-7的質(zhì)量比為0.8:100 ;第二遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (mppy) 3的0XD-7，Ir (mppy) 3和0XD-7的質(zhì)量比為0.6:100 ;第三遞減工藝的材料為摻雜了 Ir (mppy) 3的0XD-7，Ir (mppy)3和0XD-7的質(zhì)量比為0.4:100 ;第四遞減工藝的材料為摻雜了 Ir(Hippy)3的0XD-7，Ir (Hippy)3和0XD-7的質(zhì)量比為0.2:100。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成發(fā)光層，第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層的厚度均相同，并且發(fā)光層的總厚度為10nm。
[0151]在真空度為lX10_3Pa，蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在第四發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為TPBI,電子傳輸層的厚度為30nm。
[0152]在真空度為lX10_3Pa，蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有Cs3N和Cs2SO4的TPBI，Cs3N和TPBI的質(zhì)量比為30:100，Cs2SO4和TPBI的質(zhì)量比為10:100，電子注入層的厚度為30nm。
[0153]在真空度為1\10_午8，蒸發(fā)速度2人/8的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Al，陰極層的厚度為lOOnm。
[0154]對比例
[0155]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0156]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時間為5min，間隔時間為5min。接著對清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0157]在真空度為5父10-午&，蒸發(fā)速度0.5人/8的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層。空穴注入層的材料為摻雜了 V2O5的CBP，V205和CBP的質(zhì)量比為30:100，空穴注入層的厚度為12nm。
[0158]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門CTA,空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0159]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/s的條件下，在空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層。發(fā)光層的材料為摻雜了 Ir (ppy) 3的0XD-7，Ir (ppy) 3和0XD-7的質(zhì)量比為9:100，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0160]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為Bphen,電子傳輸層的厚度為40nm。
[0161]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有Cs3N的Bphen，Cs3N和Bphen的質(zhì)量比為28:100，電子注入層的厚度為32.5nm。
[0162]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/s的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Al，陰極層的厚度為138nm。
[0163]采用亮度計CS-100A (對準(zhǔn)樣品發(fā)光面)和數(shù)字源表Keithley2400 (接入樣品電極)同步測量，對實施例1~6和對比例制得的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行流明效率測試試驗，通過編程控制和計算可得出如下表所示的測試結(jié)果:
[0164]

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 對導(dǎo)電陽極基底進(jìn)行表面預(yù)處理； 在所述導(dǎo)電陽極基底上依次蒸鍍形成空穴注入層和空穴傳輸層； 通過遞增工藝和遞減工藝同時進(jìn)行在所述空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層，其中，所述遞增工藝的材料為摻雜有客體材料的主體材料且所述遞增工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次提高，所述遞減工藝的材料為摻雜有所述客體材料的所述主體材料且所述遞減工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比自先蒸鍍的部分至最后蒸鍍的部分梯次降低，所述遞增工藝中中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1.2?10.8:100，所述遞減工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為0.2?4.8:100 ;以及 在所述發(fā)光層上依次蒸鍍形成電子傳輸層、電子注入層和陰極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述在所述空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層的步驟為: 通過第一遞增工藝和第一遞減工藝同時進(jìn)行在所述空穴傳輸層上蒸鍍形成第一發(fā)光層； 通過第二遞增工藝和第二遞減工藝同時進(jìn)行在所述第一發(fā)光層上蒸鍍形成第二發(fā)光層； 通過第三遞增工藝和第三遞減工藝同時進(jìn)行在所述第二發(fā)光層上蒸鍍形成第三發(fā)光層； 通過第四遞增工藝和第四遞減工藝同時進(jìn)行在所述第三發(fā)光層上蒸鍍形成第四發(fā)光層，其中，所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層組成所述發(fā)光層，所述第一遞增工藝、所述第二遞增工藝、所述第三遞增工藝和所述第四遞增工藝組成所述遞增工藝且所述第一遞增工藝、所述第二遞增工藝、所述第三遞增工藝和所述第四遞增工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比梯次提高，所述第一遞減工藝、所述第二遞減工藝、所述第三遞減工藝和所述第四遞減工藝組成所述遞減工藝且所述第一遞減工藝、所述第二遞減工藝、所述第三遞減工藝和所述第四遞減工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比梯次降低。(第一遞增和第一遞減對應(yīng)，第二遞增和第二遞減對應(yīng)，后面同；遞增和遞減同時進(jìn)行沒影響，不同坩堝用的電源都是獨立控制的)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第四遞增工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比是所述第一遞增工藝中的所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比的1.5倍； 所述第三遞減工藝中所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比是所述第四遞減工藝中的所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比的2倍； 并且所述第四遞增工藝中的所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比是所述第四遞減工藝中的所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比的9倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥或三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥； 所述主體材料為2，2’ - (1，3-苯基)二 [5- (4-叔丁基苯基)-1，3，4-惡二唑]、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、2，8-二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩、4，7-二苯基-1，10-菲羅啉或N-芳基苯并咪唑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光層的厚度為1nm?30nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層的厚度均相等。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層的材料為摻雜有金屬氧化物的空穴傳輸材料； 所述金屬氧化物為MoO3、WO3、V2O5或ReO3 ； 所述空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷； 所述金屬氧化物與所述空穴傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100 ； 所述空穴注入層的厚度為1nm?15nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺或1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒； 所述空穴傳輸層的厚度為30nm?50nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯； 所述電子傳輸層的厚度為1nm?60nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電子注入層的材料為摻雜有第一鹽和第二鹽的電子傳輸材料； 所述第一鹽為 LiF、LiN3、Li3N, CsF、CsN3 或 Cs3N ；
所述第二鹽為 Li2S04、Na2SO4, K2SO4, Rb2SO4 或 Cs2SO4 ； 所述電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯； 所述第一鹽與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100 ； 所述第二鹽與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為6?25:100 ； 所述電子注入層的厚度為15nm?45nm。
【文檔編號】H01L51/56GK104183725SQ201310193641
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月22日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張娟娟 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司