白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光單元、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光單元、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極，陽極包括依次層疊的第一抗反射層、玻璃基板、第二抗反射層、折光層、透明導(dǎo)電層、第一短路減少層及第二短路減少層。該白光有機(jī)電致發(fā)光器件具有較小的工作電流。本發(fā)明還提供一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域，特別涉及一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)具有一些獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):(I)OLED屬于擴(kuò)散型面光源，不需要像發(fā)光二極管(LED) —樣通過額外的導(dǎo)光系統(tǒng)來獲得大面積的白光光源；(2)由于有機(jī)發(fā)光材料的多樣性，OLED照明可根據(jù)需要設(shè)計(jì)所需顏色的光，目前無論是小分子0LED，還是聚合物有機(jī)發(fā)光二極管(PLED)都已獲得了包含白光光譜在內(nèi)的所有顏色的光；(3)OLED可在多種襯底如玻璃、陶瓷、金屬、塑料等材料上制作，這使得設(shè)計(jì)照明光源時(shí)更加自由；(4)采用制作OLED顯示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同時(shí)顯示信息；(5)0LED在照明系統(tǒng)中還可被用作可控色，允許使用者根據(jù)個(gè)人需要調(diào)節(jié)燈光氛圍。但是，傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件存在工作電流較大的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于此，有必要提供一種工作電流較小的白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0004]一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光單兀、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光單元、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極；所述陽極包括依次層疊的第一抗反射層、玻璃基板、第二抗反射層、折光層、透明導(dǎo)電層、第一短路減少層及第二短路減少層，所述第一抗反射層及所述第二抗反射層的材料為鍺化硅；所述折光層靠近所述第二抗反射層的表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，所述V型凸起的末端與所述第二反射層抵接且粘合在一起；所述透明導(dǎo)電層層疊于所述折光層遠(yuǎn)離所述V型凸起的一側(cè)，所述第一短路減少層的材料為鍺化硅，所述第二短路減少層的材料選自氧化銦、硫化鋅、氧化錫及二氧化硅的至少一種；所述第一空穴注入層層疊于所述第二短路減少層上；所述第一發(fā)光單元包括依次層疊的紅光發(fā)光層、第一綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層，所述紅光發(fā)光層層疊于所述第一空穴傳輸層上；所述第二發(fā)光單元包括第二綠光發(fā)光層及層疊于所述第二綠光發(fā)光層上的第二藍(lán)光發(fā)光層，且所述第二綠光發(fā)光層層疊于所述第二空穴傳輸層上；所述第一藍(lán)光發(fā)光層的材料包括第一藍(lán)光主體材料、摻雜在所述第一藍(lán)光主體材料中的第一藍(lán)光客體材料及第一電荷產(chǎn)生材料，所述第一藍(lán)光客體材料與所述第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.2:1,所述第一電荷產(chǎn)生材料與所述第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.1:1，所述第二藍(lán)光發(fā)光層的材料包括第二藍(lán)光主體材料、摻雜在所述第二藍(lán)光主體材料中的第二藍(lán)光客體材料及第二電荷產(chǎn)生材料，所述第二藍(lán)光客體材料與所述第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.2:1，所述第二電荷產(chǎn)生材料與所述第二藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.1:1 ;所述第一藍(lán)光主體材料及所述第二藍(lán)光主體材料選自4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)_9H_咔唑、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3_(9H_咔唑-9-基)苯基)吡啶及1,4—雙(三苯基娃)苯中的至少一種；所述第一藍(lán)光客體材料及所述第二藍(lán)光客體材料選自雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2- (4’，6’-二氟-5’-氰基)苯基吡啶-N，C2’)合銥、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥及雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥中的至少一種，所述第一電荷產(chǎn)生材料及所述第二電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的至少一種；
[0005]所述電荷產(chǎn)生層的材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的至少一種。
[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述折光層的材料為折射率為1.7?1.9的透明塑料膜；每個(gè)V型凸起的底部的寬度為5微米?20微米，高度為5微米?20微米，且相鄰兩個(gè)V型凸起之間的距離為5微米?20微米；所述第一抗反射層及第二抗反射層厚度均為10納米?20納米；所述透明導(dǎo)電層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物，厚度為80?150納米；所述第一短路減少層及所述第二短路減少層的厚度為2納米?5納米。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述紅光發(fā)光層的材料包括紅光主體材料及摻雜于所述紅光主體材料中的紅光客體材料，所述紅光客體材料與所述紅光主體材料的質(zhì)量比為0.005 -0.02:1,所述紅光主體材料選自4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’-(I, 3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、1，1- 二 [4-[N, N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒及9，10-雙(1-萘基)蒽中的至少一種，所述紅光客體材料選自二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [2- (2-氟苯基)-1，3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III)及三(1-苯基-異喹啉)合銥中的至少一種；
[0008]所述第一綠光發(fā)光層的材料包括第一綠光主體材料及摻雜于所述第一綠光主體材料中的第一綠光客體材料，所述第一綠光客體材料與所述第一綠光主體材料的質(zhì)量比為0.02?0.10:1 ;所述第二綠光發(fā)光層的材料包括第二綠光主體材料及摻雜于所述第二綠光主體材料中第二綠光客體材料，所述第二綠光客體材料與所述第二綠光主體材料的質(zhì)量比為0.02?0.10:1 ;所述第一綠光主體材料及所述第二綠光主體材料選自4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺、1，1-二 [4-[N，N’_ 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷及9，10-雙(1-萘基)蒽中的至少一種；所述第一綠光客體材料及所述第二綠光客體材料選自三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥及三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥(III)中的至少一種。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述紅光發(fā)光層的厚度為10納米?30納米；所述第一綠光發(fā)光層的厚度為10納米?30納米；所述第一藍(lán)光發(fā)光層的厚度為5納米?15納米；所述第二綠光發(fā)光層的厚度為10納米?30納米；所述第二藍(lán)光發(fā)光層的厚度為5納米?15納米。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料及摻雜于所述空穴傳輸材料中的P型摻雜材料，且所述第一空穴注入層中所述P型摻雜材料與所述空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1 ;所述第二空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料及摻雜于所述空穴傳輸材料中的P型摻雜材料，且所述第二空穴注入層中所述P型摻雜材料與所述空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1 ;所述空穴傳輸材料選自N，N’ - 二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N，-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺及I, 1-二[4-[N, N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒中的至少一種；所述P型摻雜材料選自三氧化鑰、三氧化鶴、五氧化二fL及三氧化錸中的至少一種；
[0011]所述第一空穴傳輸層的材料及所述第二空穴傳輸層的材料選自N，N’_ 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯 _4，4’ - 二胺、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N，-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺及I, 1-二[4-[N, N’ - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的至少一種；
[0012]所述第一電子傳輸層的材料及所述第二電子傳輸層的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種；
[0013]所述電子注入層的材料包括電子傳輸材料及摻雜于所述電子傳輸材料中的η型摻雜材料，所述η型摻雜材料與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1 ;所述電子傳輸材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4Η-1，2，4-三唑及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種；所述η型摻雜材料選自碳酸銫、氟化銫、疊氮化銫、碳酸鋰、氟化鋰及氧化鋰中的至少一種；及
[0014]所述陰極的材料選自銀、鋁及金中的至少一種。
[0015]一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0016]在玻璃基板兩面分別濺射制備第一抗反射層與第二抗反射層；
[0017]將折光層壓制到玻璃基板的第二抗反射層上，所述折光層靠近所述第二抗反射層的表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，所述V型凸起的末端與所述第二抗反射層抵接且粘合在一起;
[0018]在所述折光層遠(yuǎn)離所述V型凸起的一側(cè)表面沉積透明導(dǎo)電層；
[0019]在所述透明導(dǎo)電層上依次磁控濺射第一短路減少層及第二短路減少層，所述第一抗反射層、玻璃基板、第二抗反射層、折光層、透明導(dǎo)電層、第一短路減少層及第二短路減少層組成陽極；
[0020]在所述第二短路減少層上依次蒸鍍制備第一空穴注入層及第一空穴傳輸層；
[0021]在所述第一空穴傳輸層上蒸鍍第一發(fā)光單元，所述第一發(fā)光單元包括依次層疊的紅光發(fā)光層、第一綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層；其中，所述第一藍(lán)光發(fā)光層的材料包括第一藍(lán)光主體材料、摻雜在所述第一藍(lán)光主體材料中的第一藍(lán)光客體材料及第一電荷產(chǎn)生材料，所述第一藍(lán)光客體材料與所述第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.2:1，所述第一電荷產(chǎn)生材料與所述第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.1:1，所述第一藍(lán)光主體材料選自4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、9，9’ -(1，3-苯基)二 -9Η-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9!1-咔唑、2，6-雙(3-(9Η-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3_(9Η_咔唑-9-基)苯基)吡啶及1，4一雙(三苯基硅)苯中的至少一種，所述第一藍(lán)光客體材料選自雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2- (4’，6’ - 二氟-5’ -氰基)苯基吡啶-N，C2’ )合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1, 2，4-三唑)合銥及雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥中的至少一種，所述第一電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的至少一種；
[0022]在所述第一藍(lán)光發(fā)光層表面蒸鍍制備第一電子傳輸層；
[0023]在所述第一電子傳輸層表面蒸鍍制備電荷產(chǎn)生層，所述電荷產(chǎn)生層的材料選自三氧化鑰、三氧化鶴、五氧化二fL及三氧化錸中的至少一種；
[0024]在所述電荷產(chǎn)生層表面蒸鍍制備第二空穴注入層及第二空穴傳輸層；
[0025]在所述第二空穴傳輸層表面蒸鍍制備第二發(fā)光單元，所述第二發(fā)光單元包括第二綠光發(fā)光層及第二藍(lán)光發(fā)光層，所述第二藍(lán)光發(fā)光層的材料包括第二藍(lán)光主體材料、摻雜在所述第二藍(lán)光主體材料中的第二藍(lán)光客體材料及第二電荷產(chǎn)生材料，所述第二藍(lán)光客體材料與所述第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.2:1，所述第二電荷產(chǎn)生材料與所述第二藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.1:1，所述第二藍(lán)光主體材料選自4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)_9H_咔唑、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶及1，4一雙(三苯基硅)苯中的至少一種，所述第二藍(lán)光客體材料選自雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2-(4’，6’ - 二氟-5’ -氰基)苯基吡啶-N，C2’)合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1, 2，4-三唑)合銥及雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥中的至少一種，所述第二電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的至少一種；及
[0026]在所述第二藍(lán)光發(fā)光層表面依次蒸鍍制備第二電子傳輸層、電子注入層及陰極，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0027]在其中一個(gè)實(shí)施例中，將折光層壓制到玻璃基板的第二抗反射層上之前還包括對所述玻璃基板進(jìn)行清洗的步驟；所述清洗的步驟為:將玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，然后干燥，再對洗凈的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理。
[0028]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一短路減少層的材料為鍺化硅，所述第二短路減少層的材料選自氧化銦、硫化鋅、氧化錫及二氧化硅的至少一種，所述第一短路減少層及所述第二短路減少層的厚度為2納米?5納米。
[0029]在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述第二短路減少層上蒸鍍形成所述第一空穴注入層之前先將所述陽極于60V?80°C真空干燥15分鐘?30分鐘。
[0030]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述折光層的材料為折射率為1.7?1.9的透明塑料；每個(gè)V型凸起的底部的寬度為5微米?20微米，高度為5微米?20微米，且相鄰兩個(gè)V型凸起之間的距離為5微米?20微米；所述透明導(dǎo)電層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物。
[0031]上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊的陽極、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光單兀、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光單元、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極，采用的是PIN疊層結(jié)構(gòu)，且陽極包括依次層疊的第一抗反射層、玻璃基板、第二抗反射層、折光層、透明導(dǎo)電層、第一短路減少層及第二短路減少層，所述折光層靠近所述第二抗反射層的表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，所述V型凸起的末端與所述第二抗反射層抵接且粘合在一起；所述透明導(dǎo)電層層疊于所述折光層遠(yuǎn)離所述V型凸起的一側(cè)；所述第一短路減少層的材料為鍺化硅，所述第二短路減少層的材料選自氧化銦、硫化鋅、氧化錫及二氧化硅的至少一種，通過新的出光方式，采用抗反射層，增加短路減少層，從而可以增強(qiáng)出光；第一發(fā)光單元包括依次層疊的紅光發(fā)光層、第一綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層，且第一藍(lán)光發(fā)光層的材料包括第一藍(lán)光主體材料及共同摻雜于第一藍(lán)光主體材料中的第一藍(lán)光客體材料與第一電荷產(chǎn)生材料，第二發(fā)光單兀包括第二綠光發(fā)光層及層疊于第二綠光發(fā)光層上的第二藍(lán)光發(fā)光層，使得上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的發(fā)光效率，流明效率可達(dá)23.41m/W，層疊的結(jié)構(gòu)可以有效降低工作電流，因此，上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件具有較小的工作電流。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1為一實(shí)施方式的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2為一實(shí)施方式的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034]下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0035]如圖1所不,一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100,包括依次層疊的陽極101、第一空穴注入層102、第一空穴傳輸層103、第一發(fā)光單兀104、第一電子傳輸層105、電荷產(chǎn)生層106、第二空穴注入層107、第二空穴傳輸層108、第二發(fā)光單兀109、第二電子傳輸層110、電子注入層111及陰極112。
[0036]陽極101包括依次層疊的第一抗反射層1011、玻璃基板1012、第二抗反射層1013、折光層1014、透明導(dǎo)電層1015、第一短路減少層1016及第二短路減少層1017。玻璃基板優(yōu)選為無堿玻璃。無堿玻璃主要成分為Si02、A1203、CaO、MgO與B2O3，其中堿金屬總含量小于百分之一。玻璃基板1012的厚度為0.3mm?0.7mm。
[0037]第一抗反射層1011及第二抗反射層1013分別濺射在玻璃基板1012的兩表面，優(yōu)選的，第一抗反射層1011及第二抗反射層1013的材料為鍺化娃,優(yōu)選的,第一抗反射層1011及第二抗反射層1013的厚度為10納米?20納米。
[0038]折光層1014的材料為折射率為1.7?1.9的透明塑料，優(yōu)選的，折光層1014的材料為聚氨酯塑料膜(PU)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亞胺(PO。折光層1014具有高的折光指數(shù)，能夠增強(qiáng)出光。折光層1014靠近第二抗反射層1013的表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，V型凸起的末端與第二抗反射層1013抵接且粘合在一起，使得折光層1014與第二抗反射層1013之間形成多個(gè)長條狀三角形的空隙?？障犊梢赃_(dá)到增強(qiáng)出光的作用。進(jìn)一步的，多個(gè)凸起的延伸方向相互平行，且多個(gè)凸起等間距排布，優(yōu)選的，每個(gè)V型凸起的底部的寬度為5微米?20微米，高度為5微米?20微米，且相鄰兩個(gè)V型凸起之間的距離為5微米?20微米。本實(shí)施方式中，V型凸起的末端與第二抗反射層1013通過折射率匹配液粘合在一起。
[0039]透明導(dǎo)電層1015形成于折光層1014遠(yuǎn)離V型凸起的一側(cè)表面。透明導(dǎo)電層1015的材料為本領(lǐng)域常用的透明的具有導(dǎo)電性能的材料，優(yōu)選為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(IZO)。透明導(dǎo)電層1015的厚度為80nm?150nm。
[0040]在透明導(dǎo)電層1015上依次磁控濺射制備第一短路減少層1016及第二短路減少層1017，，優(yōu)選的，第一短路減少層1016的材料為鍺化硅，第二短路減少層的材料選自氧化銦、硫化鋅、氧化錫及二氧化硅的至少一種，優(yōu)選的，第一短路減少層1016與第二短路減少層1017的厚度為2納米?5納米。
[0041]第一空穴注入層102形成于第二短路減少層1017表面。其中，第一空穴注入層102的材料包括空穴傳輸材料及摻雜于空穴傳輸材料中的P型摻雜材料。P型摻雜材料與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1?？昭▊鬏敳牧线x自N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-:(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)及I, 1- 二 [4-[N, N’ - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)中的至少一種。p型摻雜材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(W03)、五氧化二釩(V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的至少一種。優(yōu)選的，第一空穴注入層102的厚度為10納米?15納米。
[0042]第一空穴傳輸層103形成于第一空穴注入層102表面。第一空穴傳輸層103的材料選自 N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N，- 二(3-甲基苯基)-N，N，- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)及1，1-二 [4-[N，N’-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的至少一種。優(yōu)選的，第一空穴傳輸層103的厚度為30納米?50納米。
[0043]第一發(fā)光單元104包括依次層疊的紅光發(fā)光層1041、第一綠光發(fā)光層1042及第一藍(lán)光發(fā)光層1043。
[0044]紅光發(fā)光層1041形成于第一空穴傳輸層103表面。紅光發(fā)光層1041的材料包括紅光主體材料及摻雜于紅光主體材料中的紅光客體材料。紅光客體材料與紅光主體材料的質(zhì)量比為0.005?0.02:1。優(yōu)選的，紅光主體材料選自4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4，4’_ 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)、1，1- 二 [4- [N, N’ - 二 (p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)及9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)中的至少一種。紅光客體材料選自二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))、二 [2_苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III) (PQIr)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III) ((fbi)2Ir(acac))、二 [2- (2_ 氟苯基)-1，3_ 苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III) ((F-BT)2Ir(acac))、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥
(III)(Ir (btp)2(acac))及三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)中的至少一種。優(yōu)選的，紅光發(fā)光層1041的厚度為10納米?30納米。
[0045]第一綠光發(fā)光層1042形成于紅光發(fā)光層1041表面。第一綠光發(fā)光層1042的材料包括第一綠光主體材料及摻雜于第一綠光主體材料中的第一綠光客體材料。第一綠光客體材料與第一綠光主體材料的質(zhì)量比為0.02?0.1:1。第一綠光主體材料選自4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9，9’ - (1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)、4, 4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)U, 1-二 [4-[N, N’-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)及9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)中的至少一種。第一綠光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy)2(acac))及三[2_(對甲苯基)卩比唳]合銥(III) (Ir (mppy)3)中的至少一種。優(yōu)選的，第一綠光發(fā)光層1042的厚度為10納米?30納米。
[0046]第一藍(lán)光發(fā)光層1043形成于第一綠色發(fā)光層1042的表面。第一藍(lán)光發(fā)光層1043的材料包括第一藍(lán)光主體材料及共同摻雜于第一藍(lán)光主體材料中的第一藍(lán)光客體材料與第一電荷產(chǎn)生材料。第一藍(lán)光客體材料與第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.2:1 ；第一電荷產(chǎn)生材料與第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.1:1。第一藍(lán)光主體材料選自 4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、9, 9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、9_(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)、3, 5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(35DCzPPY)及 1，4—雙(三苯基硅)苯(UGH2)中的至少一種。第一藍(lán)光客體材料選自雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、三(2- (4，，6’ - 二氟-5’-氰基)苯基吡啶_N，C2’ )合銥(FCNIr)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3_(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4_三唑)合銥(FIrtaz)及雙(4，6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)_四唑)合銥(FIrM)中的至少一種。第一電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(W03)、五氧化二釩(V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的至少一種。電荷產(chǎn)生材料屬于雙極性材料，既可以提供空穴又能提供電子。優(yōu)選的，第一藍(lán)光發(fā)光層106的厚度為5納米?15納米。
[0047]第一電子傳輸層105形成于第一藍(lán)光發(fā)光層1043表面。第一電子傳輸層105的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)、
4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3_(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。優(yōu)選的，第一電子傳輸層105的厚度為10納米?60納米。
[0048]電荷產(chǎn)生層106形成于第一電子傳輸層105的表面。電荷產(chǎn)生層106的材料選自三氧化鑰(MoO3)、三氧化鶴(WO3)、五氧化二fL (V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的至少一種。這些材料為雙極性的材料，使用這些材料的電荷產(chǎn)生層108也具有雙極性。優(yōu)選的，電荷產(chǎn)生層106的厚度為5納米?30納米。
[0049]第二空穴注入層107形成于電荷產(chǎn)生層106的表面。第二空穴注入層107的材料包括空穴傳輸材料及摻雜于空穴傳輸材料中的P型摻雜材料。P型摻雜材料與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1。空穴傳輸材料選自N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-:(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)及
I,1- 二 [4-[N, N’ - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)中的至少一種。p型摻雜材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(W03)、五氧化二釩(V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的至少一種。第二空穴注入層107的厚度為1nm?15nm。
[0050]第二空穴傳輸層108形成于第二空穴注入層107的表面。第二空穴傳輸層108的材料選自 N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)及 1，1- 二 [4-[N，N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的至少一種。第二空穴傳輸層108的厚度為30nm?50nm。
[0051]第二發(fā)光單元109包括第二綠光發(fā)光層1091及層疊于第二綠光發(fā)光層1091上的第二藍(lán)光發(fā)光層1092。
[0052]第二綠光發(fā)光層1091形成于第二空穴傳輸層108表面。第二綠光發(fā)光層1091的材料包括第二綠光主體材料及摻雜于第二綠光主體材料中第二綠光客體材料。第二綠光客體材料與第二綠光主體材料的質(zhì)量比為0.02?0.1:1。第二綠光主體材料選自4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)、4, 4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP) ,N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD) U, 1-二[4-[N，N’-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)及9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)中的至少一種。第二綠光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二( 2-苯基批唳)銥(11'(口口7)2(303(3))及三[2-(對甲苯基)卩比唳]合銥(III) (Ir (mppy)3)中的至少一種。優(yōu)選的，第二綠光發(fā)光層1091的厚度為10納米?30納米。
[0053]第二藍(lán)光發(fā)光層1092的材料包括第二藍(lán)光主體材料及共同摻雜于第二藍(lán)光主體材料中的第二藍(lán)光客體材料與第二電荷產(chǎn)生材料。第二藍(lán)光客體材料與第二藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.2:1 ;第二電荷產(chǎn)生材料與第二藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?
0.1:1。第二藍(lán)光主體材料選自4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、9，9’ - (1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)、2，6-雙(3_(9H_ 咔唑-9-基)苯基)批啶(26DCzPPY)、3, 5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶C^DCzPPY)及1，4—雙(三苯基硅)苯(UGH2)中的至少一種。第二藍(lán)光客體材料選自雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、三(2- (4，，6’-二氟-5’-氰基)苯基吡啶-N，C2’)合銥(FCNIr)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥(FIrtaz)及雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥(FIrM)中的至少一種。第二電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰(MoO3)、三氧化鶴(WO3)、五氧化二銀(V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的至少一種。電荷產(chǎn)生材料屬于雙極性材料，既可以提供空穴又能提供電子。優(yōu)選的，第二藍(lán)光發(fā)光層1092的厚度為5納米?15納米。
[0054]第二電子傳輸層110形成于第二藍(lán)光發(fā)光層1092表面。第二電子傳輸層110的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3_(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。優(yōu)選的，第二電子傳輸層110的厚度為10納米?60納米。
[0055]電子注入層111的材料包括電子傳輸材料及摻雜于電子傳輸材料中的η型摻雜材料。η型摻雜材料與電子傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1。電子傳輸材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯_4_基)_5_ (4_叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)及1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。η型摻雜材料選自碳酸銫(Cs2CO3)、氟化銫(CsF)、疊氮化銫(CsN3)、碳酸鋰(Li2C03)、氟化鋰(LiF)及氧化鋰(Li2O)中的至少一種。優(yōu)選的，電子注入層111的厚度為20納米?40納米。
[0056]陰極112的材料為銀(Ag)、鋁(Al)及金(Au)中的至少一種。優(yōu)選的，陰極112的厚度為50納米?200納米。
[0057]上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的陽極101、第一空穴注入層102、第一空穴傳輸層103、第一發(fā)光單兀104、第一電子傳輸層105、電荷產(chǎn)生層106、第二空穴注入層107、第二空穴傳輸層108、第二發(fā)光單元109、第二電子傳輸層110、電子注入層111及陰極112，采用的是PIN疊層結(jié)構(gòu)，且陽極101包括依次層疊的第一抗反射層1011、玻璃基板1012、第二抗反射層1013、折光層1014、透明導(dǎo)電層1015、第一短路減少層1016及第二短路減少層1017，折光層1014與第二抗反射層1013相對的表面上設(shè)有多個(gè)長條狀的V型凸起，使得折光層1014與第二抗反射層1013之間形成多個(gè)空隙，所述透明導(dǎo)電層1015層疊于所述折光層1014遠(yuǎn)離V型凸起的一側(cè)，第一短路減少層1016的材料為鍺化硅，第二短路減少層1017的材料選自氧化銦、硫化鋅、氧化錫及二氧化硅的至少一種，通過新的出光方式，采用抗反射層，增加短路減少層，從而可以增強(qiáng)出光；第一發(fā)光單元104包括依次層疊的紅光發(fā)光層1041、第二綠光發(fā)光層1042及第一藍(lán)光發(fā)光層1043,且第一藍(lán)光發(fā)光層1043的材料包括第一藍(lán)光主體材料及共同摻雜于第一藍(lán)光主體材料中的第一藍(lán)光客體材料與第一電荷產(chǎn)生材料，第二發(fā)光單兀109包括第二綠光發(fā)光層1091及層疊于第二綠光發(fā)光層1091上的第二藍(lán)光發(fā)光層1092，整個(gè)白光有機(jī)電致發(fā)光器件器件光譜覆蓋范圍廣，半波峰寬，這樣顯色指數(shù)高，在第一發(fā)光單元104及第二發(fā)光單元109之間設(shè)置電荷產(chǎn)生層106，使得上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件100具有較高的發(fā)光效率，流明效率可達(dá)23.41m/ff,層疊的結(jié)構(gòu)在同等的亮度下可以有效降低工作電流，因此，上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件100具有較小的工作電流。
[0058]如圖2所示，一實(shí)施方式的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0059]步驟S310、在玻璃基板1012兩面分別濺射制備第一抗反射層1011與第二抗反射層 1013。
[0060]玻璃基板1012優(yōu)選為無堿玻璃。無堿玻璃主要成分為Si02、A1203、CaO, MgO與B2O3,其中堿金屬總含量小于百分之一。玻璃基板1012的厚度為0.3mm?0.7mm。
[0061]第一抗反射層與第二抗反射層采用濺射制作，優(yōu)選的，第一抗反射層及第二抗反射層的材料為鍺化硅，第一抗反射層與第二抗反射層的厚度均為10納米?20納米。
[0062]步驟S320、將折光層1014壓制到玻璃基板1012的第二抗反射層1013上，折光層1014靠近第二抗反射層1013的表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，V型凸起的末端與第二抗反射層1013抵接且粘合在一起。
[0063]具體在本實(shí)施方式中，通過在V型凸起的末端涂覆少量的折射率匹配液使V型凸起的末端與所述第二抗反射層抵接且粘合在一起。
[0064]優(yōu)選的，將折光層壓制到第二抗反射層一側(cè)表面之前還包括對玻璃基板依次進(jìn)行清洗及表面活化處理的步驟；清洗的步驟為:將玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，然后干燥。在具體的實(shí)施例中，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干。通過對清洗后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理，可以增加玻璃基板表面的含氧量，提高玻璃基板表面的功函數(shù)。
[0065]折光層1014的材料為為折射率為1.7?1.9的透明塑料，優(yōu)選的，折光層1014的材料為聚氨酯塑料膜(PU)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亞胺(PO。折光層1014具有高的折光指數(shù)，能夠增強(qiáng)出光。折光層1014靠近第二抗反射層1013的表面上形成多個(gè)長條狀的V型凸起，V型凸起的末端與第二抗反射層1013抵接且粘合在一起，使得折光層1014與第二抗反射層1013之間形成多個(gè)長條狀的三角形空隙?？障犊梢赃_(dá)到增強(qiáng)出光的作用。進(jìn)一步的，多個(gè)凸起的延伸方向相互平行，且多個(gè)凸起等間距排布，優(yōu)選的，每個(gè)V型凸起的底部的寬度為5微米?20微米，高度為5微米?20微米，且相鄰兩個(gè)V型凸起之間的距離為5微米?20微米。
[0066]本實(shí)施方式中，將折光層1014壓制到第二抗反射層1013 —側(cè)表面的操作包括以下步驟:在第二抗反射層1013的一側(cè)表面涂敷一層塑料膠水，厚度約為30nm，然后將折光層1014模壓到第二抗反射層1013上。通過塑料膠水將折光層1014與第二抗反射層1013粘結(jié)在一起，由于塑料膠水的厚度相比折光層1014及第二抗反射層1013的厚度可以忽略，因此塑料膠水對光效不會(huì)產(chǎn)生影響。
[0067]步驟S330、在折光層1014遠(yuǎn)離V型凸起的一側(cè)表面沉積透明導(dǎo)電層1015。
[0068]透明導(dǎo)電層1015形成于折光層1014遠(yuǎn)離V型凸起的一側(cè)表面。透明導(dǎo)電層1015的材料為本領(lǐng)域常用的透明的具有導(dǎo)電性能的材料，優(yōu)選為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(IZO)。透明導(dǎo)電層1015的厚度為80nm?150nm。
[0069]透明導(dǎo)電層1015由濺射制備。濺射時(shí)，本底真空度lX10_5Pa?lX10_3Pa，靶材為相應(yīng)氧化物，300?800V，磁場約:50?200G，功率密度:1?40W/cm2。
[0070]步驟S340、在透明導(dǎo)電層1015上依次磁控濺射第一短路減少層1016及第二短路減少層1017，第一抗反射層1011、玻璃基板1012、第二抗反射層1013、折光層1014、透明導(dǎo)電層1015、第一短路減少層1016及第二短路減少層1017組成陽極101。
[0071]第一短路減少層1016及第二短路減少層1017依次形成于透明導(dǎo)電層1015的一側(cè)表面。第一短路減少層1016的材料鍺化硅，第二短路減少層1017的材料選自氧化銦、硫化鋅、氧化錫及二氧化硅的至少一種，第一短路減少層1016及第二短路減少層1017的厚度為2納米?5納米。
[0072]本實(shí)施方式中，第一短路減少層1016及第二短路減少層1017均采用磁控濺射的方式制作。濺射時(shí)，本底真空度為1X10 —3?1X10 —5Pa。優(yōu)選的，在透明導(dǎo)電層上真空蒸鍍形成第一空穴注入層之前，還包括將陽極101于60°C?80°C真空干燥15?30分鐘，從而減少剩余的水和氣體。
[0073]步驟S350、在第二短路減少層1017表面依次蒸鍍制備第一空穴注入層102及第一空穴傳輸層103。
[0074]第一空穴注入層102形成于第二短路減少層1017表面。其中，第一空穴注入層102的材料包括空穴傳輸材料及摻雜于空穴傳輸材料中的P型摻雜材料。P型摻雜材料與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1?？昭▊鬏敳牧线x自N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-:(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)及I,1-二 [4-[N, N’ -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)中的至少一種。p型摻雜材料選自三氧化鑰(MoO3)、三氧化鶴(WO3)、五氧化二銀(V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的至少一種。優(yōu)選的，第一空穴注入層102的厚度為10納米?15納米。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第一空穴注入層102的真空度為8 X KT5Pa?3 X 10_4Pa，p型摻雜材料的蒸發(fā)速度為0.lA/s ~ 2A/S。
O
[0075]第一空穴傳輸層103形成于第一空穴注入層102表面。第一空穴傳輸層103的材料選自 N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N，- 二(3-甲基苯基)-N，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)及1，1- 二 [4- [N, N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的至少一種。優(yōu)選的，第一空穴傳輸層130的厚度為30納米?50納米。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第一空穴傳輸層103的真空度為8X10_5Pa?3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.lA/s ~2A/s?
[0076]步驟S360、在第一空穴傳輸層103表面蒸鍍制備第一發(fā)光單兀104。
[0077]第一發(fā)光單元104包括依次層疊的紅光發(fā)光層1041、第二綠光發(fā)光層1042及第一藍(lán)光發(fā)光層1043。
[0078]紅光發(fā)光層1041形成于第一空穴傳輸層103表面。紅光發(fā)光層1041的材料包括紅光主體材料及摻雜于紅光主體材料中的紅光客體材料。紅光客體材料與紅光主體材料的質(zhì)量比為0.005?0.02:1。優(yōu)選的，紅光主體材料選自4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4，4’_ 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)、1，1- 二 [4- [N, N’ - 二 (p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)及9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)中的至少一種。紅光客體材料選自二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))、二 [2_苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III) (PQIr)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III) ((fbi)2Ir(acac))、二 [2- (2_ 氟苯基)-1，3_ 苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III) ((F-BT)2Ir(acac))、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥
(III)(Ir (btp)2(acac))及三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)中的至少一種。優(yōu)選的，紅光發(fā)光層1041的厚度為10納米?30納米。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成紅光發(fā)光層的真空度為8 X 10_5Pa?3 X 10_4Pa，采用混蒸的方式制作，即將紅光主體材料及紅光客體材料按設(shè)定的質(zhì)量比摻雜好，放入一個(gè)坩堝中，蒸發(fā)速度為0.1A/S~ lA/s。
[0079]第一綠光發(fā)光層1042形成于紅光發(fā)光層1041表面。第一綠光發(fā)光層1042的材料包括第一綠光主體材料及摻雜于第一綠光主體材料中的第一綠光客體材料。第一綠光客體材料與第一綠光主體材料的質(zhì)量比為0.02?0.1:1。第一綠光主體材料選自4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9，9’ - (1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)、4, 4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)U, 1-二 [4-[N, N’-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)及9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)中的至少一種。第一綠光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy)2(acac))及三[2_(對甲苯基)卩比唳]合銥(III) (Ir (mppy)3)中的至少一種。優(yōu)選的，第一綠光發(fā)光層1042的厚度為10納米?30納米。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第一綠光發(fā)光層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，采用混蒸的方式制作，即將第一綠光主體材料及第一綠光客體材料按設(shè)定的質(zhì)量比摻雜好，放入一個(gè)坩堝中，蒸發(fā)速度為0.1 A/S ~ 1A/S。
[0080]第一藍(lán)光發(fā)光層1043形成于第一綠色發(fā)光層1042的表面。第一藍(lán)光發(fā)光層1043的材料包括第一藍(lán)光主體材料及共同摻雜于第一藍(lán)光主體材料中的第一藍(lán)光客體材料與第一電荷產(chǎn)生材料。第一藍(lán)光客體材料與第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?
0.2:1 ;第一電荷產(chǎn)生材料與第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.1:1。第一藍(lán)光主體材料選自 4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、9_ (4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)、3, 5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶(35DCzPPY)及 1，4—雙(三苯基硅)苯(UGH2)中的至少一種。第一藍(lán)光客體材料選自雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、三(2- (4’，6’-二氟-5’-氰基)苯基吡啶_N，C2’ )合銥(FCNIr)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1, 2，4-三唑)合銥(FIrtaz)及雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5_(吡啶-2-基)-四唑)合銥(FIrM)中的至少一種。第一電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰(MoO3)、三氧化鶴(WO3)、五氧化二fL (V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的至少一種。優(yōu)選的，第一藍(lán)光發(fā)光層1043的厚度為5納米?15納米。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第一藍(lán)光發(fā)光層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，XX采用混蒸的方式制作，即將第一藍(lán)光主體材料、第一藍(lán)光客體材料及第一電荷產(chǎn)生材料按設(shè)定的質(zhì)量比摻雜好，放入一個(gè)坩堝中，蒸發(fā)速度為 0.1A/S~ 1A/S。
[0081]步驟S370、在第一藍(lán)光發(fā)光層1043表面蒸鍍制備第一電子傳輸層105。
[0082]第一電子傳輸層105形成于第一藍(lán)光發(fā)光層1043表面。第一電子傳輸層105的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3_(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。優(yōu)選的，第一電子傳輸層105的厚度為10納米?60納米。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第一電子傳輸層的真空度為8X10_5Pa?3 X 1-4Pa,蒸發(fā)速度為0.lA/s ~ 2A/S。
[0083]步驟S380、在第一電子傳輸層105表面蒸鍍制備電荷產(chǎn)生層106。
[0084]電荷產(chǎn)生層106形成于第一電子傳輸層105的表面。電荷產(chǎn)生層106的材料選自三氧化鑰(MoO3)、三氧化鶴(WO3)、五氧化二fL (V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的至少一種。這些材料為雙極性的材料，使用這些材料的電荷產(chǎn)生層108也具有雙極性。優(yōu)選的，電荷產(chǎn)生層106的厚度為5納米?30納米。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成電荷產(chǎn)生層的真空度為8 X 10_5Pa?
3父10、&，蒸發(fā)速度為0.11/5~11/5。
[0085]步驟S390、在電荷產(chǎn)生層106的表面蒸鍍制備第二空穴注入層107及第二空穴傳輸層108。
[0086]第二空穴注入層107形成于電荷產(chǎn)生層106的表面。第二空穴注入層107的材料包括空穴傳輸材料及摻雜于空穴傳輸材料中的P型摻雜材料。P型摻雜材料與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1?？昭▊鬏敳牧线x自N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-:(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)及
I,1- 二 [4-[N, N’ - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)中的至少一種。p型摻雜材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(W03)、五氧化二釩(V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的至少一種。第二空穴注入層107的厚度為1nm?15nm。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第二空穴注入層的真空度為8X KT5Pa?3X 10_4Pa，XX蒸發(fā)速度為0.lA/s ~ lA/s。
[0087]第二空穴傳輸層108形成于第二空穴注入層107的表面。第二空穴傳輸層108的材料選自 N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)及1，1-二 [4-[N，N’-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的至少一種。第二空穴傳輸層108的厚度為30nm?50nm。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第二空穴傳輸層的真空度為8 X 1-5Pa?3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s ~ 2人/S。
[0088]步驟S400、在第二空穴傳輸層108上真空蒸鍍第二發(fā)光單元109。
[0089]第二發(fā)光單元109包括第二綠光發(fā)光層1091及層疊于第二綠光發(fā)光層1091上的第二藍(lán)光發(fā)光層1092。
[0090]第二綠光發(fā)光層1091形成于第二空穴傳輸層108表面。第二綠光發(fā)光層1091的材料包括第二綠光主體材料及摻雜于第二綠光主體材料中的第二綠光客體材料。第二綠光客體材料與第二綠光主體材料的質(zhì)量比為0.02?0.1:1。第二綠光主體材料選自4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)、4, 4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP) ,N, N’- 二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD) U, 1-二[4-[N，N’-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)及9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)中的至少一種。第二綠光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二( 2-苯基批唳)銥(Ir (ppy)2 (acac))及三[2_(對甲苯基)卩比唳]合銥(III) (Ir (mppy) 3)中的至少一種。優(yōu)選的，第二綠光發(fā)光層1091的厚度為10納米?30納米。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成所述第二綠光發(fā)光層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，采用混蒸的方式制作，即將第二綠光主體材料及第二綠光客體材料按設(shè)定的質(zhì)量比摻雜好，放入一個(gè)坩堝中，蒸發(fā)速度為0_lA/s~ lA/s。
[0091]第二藍(lán)光發(fā)光層1092的材料包括第二藍(lán)光主體材料及共同摻雜于第二藍(lán)光主體材料中的第二藍(lán)光客體材料與第二電荷產(chǎn)生材料。第二藍(lán)光客體材料與第二藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.2:1 ;第二電荷產(chǎn)生材料與第二藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.1:1。第二藍(lán)光主體材料選自4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、9，9’ - (1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)、2，6-雙(3_(9H_ 咔唑-9-基)苯基)批啶(26DCzPPY)、3, 5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶C^DCzPPY)及1，4—雙(三苯基硅)苯(UGH2)中的至少一種。第二藍(lán)光客體材料選自雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、三(2- (4’，6’-二氟-5’-氰基)苯基吡啶-N，C2’)合銥(FCNIr)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1, 2，4-三唑)合銥(FIrtaz)及雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥(FIrM)中的至少一種。第二電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰(MoO3)、三氧化鶴(WO3)、五氧化二銀(V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的至少一種。優(yōu)選的，第二藍(lán)光發(fā)光層1092的厚度為5納米?15納米。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成所述第二藍(lán)光發(fā)光層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，采用混蒸的方式制作，即將第二藍(lán)光主體材料、第二藍(lán)光客體材料及第二電荷產(chǎn)生材料按設(shè)定的質(zhì)量比摻雜好，放入一個(gè)坩堝中，蒸發(fā)速度為 0.lA/s~lA/s。
[0092]步驟S410、在第二藍(lán)光發(fā)光層1092上依次蒸鍍制備第二電子傳輸層110、電子注入層111及陰極112，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0093]第二電子傳輸層110形成于第二藍(lán)光發(fā)光層1092表面。第二電子傳輸層110的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3_(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。優(yōu)選的，第二電子傳輸層110的厚度為10納米?60納米。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第二電子傳輸層的真空度為8X10_5Pa?
3 X 1-4Pa,蒸發(fā)速度為 0.1 A/S ~ 2A/S。
[0094]電子注入層111的材料包括電子傳輸材料及摻雜于電子傳輸材料中的η型摻雜材料。η型摻雜材料與電子傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1。電子傳輸材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3_(聯(lián)苯_4_基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)及I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。η型摻雜材料選自碳酸銫(Cs2CO3)、氟化銫(CsF)、疊氮化銫(CsN3)、碳酸鋰(Li2C03)、氟化鋰(LiF)及氧化鋰(Li2O)中的至少一種。優(yōu)選的，電子注入層111的厚度為20納米?40納米。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成電子注入層的真空度為8 X KT5Pa?3X10_4Pa，
η型摻雜材料蒸發(fā)速度為0.1 A/s ~ 2人/S。
[0095]陰極112的材料為銀(Ag)、鋁(Al)及金(Au)中的至少一種。優(yōu)選的，陰極112的厚度為50納米?200納米。優(yōu)選的，真空蒸鍍形成陰極的真空度為8X KT5Pa?3X 10_4Pa，
蒸發(fā)速度為0.lA/s ~ 5A/s。
[0096]上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法簡單，容易操作，且制備出的有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的顯色指數(shù)及較小的工作電流，有利于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
[0097]以下結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明提供的柔性白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0098]本發(fā)明實(shí)施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)、美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜、美國吉時(shí)利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能、日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測試亮度和色度。
[0099]實(shí)施例1
[0100]本實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為=SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/In203/NPB:Mo03/NPB/TCTA:1r (MDQ) 2 (acac) /TCTA:1r (ppy) 3/CBP: Firpic:Mo03/Bphen/Mo03/NPB: M0O3/NPB/TCTA:1r (ppy) 3/CBP: Firpic: Mo03/Bphen/Bphen: Cs2CO3Ag ;其中，斜桿“ / ”表示層狀結(jié)構(gòu)，冒號(hào)“:”表示摻雜，下同。
[0101]該實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0102](I)將厚度為0.5mm的玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后用烘箱烘干，將烘干后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；在玻璃基板兩面分別濺射制備第一抗反射層及第二抗反射層，膜層材料為鍺化硅，第一抗反射層與第二抗反射層的厚度為20納米；選取具有高折射率透明的聚氨酯薄膜作為折光層，折光層的一表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，每個(gè)凸起的底部的寬度為5微米，高度為5微米，相鄰兩個(gè)V型凸起之間的距離為5微米；將折光層形成有凸起的表面與第二抗反射層壓合，折光層與第二抗反射層之間形成多個(gè)空隙；然后在折光層的另一表面上沉積形成銦錫氧化物(ITO)透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層的厚度為10nm;采用磁控濺射的方式在透明導(dǎo)電層上依次制備第一短路減少層及第二短路減少層，第一短路減少層的材料為鍺化硅，第二短路減少層的材料為氧化銦，第一短路減少層與第二短路減少層的厚度為5納米，得到陽極，將陽極于80°C真空干燥15分鐘；陽極的結(jié)構(gòu)為=SiGe/玻璃/SiGe/PU/IT0/SiGe/In203。
[0103](2)在第二短路減少層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層:第一空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜的N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)，表示為:ΝΡΒ:Μο03，其中，三氧化鑰(MoO3)與N, N，- 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)質(zhì)量比為0.3:1，第一空穴注入層的厚度為12.5納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，Mo03蒸發(fā)速度為0.5人/s;第一空穴傳輸層的材料為N，N，- (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s。
[0104](3)在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍第一發(fā)光單兀,第一發(fā)光單兀包括紅光發(fā)光層、第一綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層，在第一空穴傳輸層上依次真空蒸鍍形成紅光發(fā)光層、第一綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層:紅光發(fā)光層的材料為二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))摻雜的4，4’，4’三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，表示為:TCTA:1r(MDQ)2(acac)，其中，二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))與4，4’，4’三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的質(zhì)量比為0.01: 1，紅光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;第一綠光發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)摻雜的4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，表示為:TCTA:1r (ppy) 3，其中，三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)與 4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的質(zhì)量比為0.06:1，第一綠光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5\10_中&，蒸發(fā)速度為0.51/8;第一藍(lán)光發(fā)光層的材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)與三氧化鑰(MoO3)共同摻雜的4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為CBP:Firpic = MoO3，其中，雙(4，6-二氟苯基吡啶-N, C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)與4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為0.125:1，三氧化鑰(MoO3)與4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為0.075:1，第一藍(lán)光發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S ;第一發(fā)光單元表示為:TCTA:1r (MDQ)2(acac)/TCTA:1r (ppy) 3/CBP:Firpic:MoO3。
[0105](4)在第一藍(lán)光發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層:第一電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),厚度為35納米，真空蒸鍍的真空度為5\10_午&，蒸發(fā)速度為11/8.，電荷產(chǎn)生層的材料為三氧化鑰(MoO3),厚度為17.5納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/s；第二空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，表示為:NPB = MoO3，其中，三氧化鑰(MoO3)與 N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)_1，Γ-聯(lián)苯_4，4’-二胺(NPB)的質(zhì)量比為0.3:1，第二空穴注入層的厚度為12.5納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，MoO3蒸發(fā)速度為0.5A/S:第二空穴傳輸層的材料為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度為1人/3。
[0106](5)在第二空穴傳輸層上真空蒸鍍第二發(fā)光單元，第二發(fā)光單元包括第二綠光發(fā)光層及第二藍(lán)光發(fā)光層，在第二空穴傳輸層上依次真空蒸鍍形成第二綠光發(fā)光層及第二藍(lán)光發(fā)光層:第二綠光發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)摻雜的4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，表示為:TCTA:1r(ppy)3，其中，三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)與4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的質(zhì)量比為0.06:1，第二綠光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5/Vs;第二藍(lán)光發(fā)光層的材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)與三氧化鑰(MoO3)共同摻雜的4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為CBP = Firpic:MoO3,其中，雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)與4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為0.125:1,三氧化鑰(MoO3)與4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為0.075:1，第二藍(lán)光發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5\10_中&，蒸發(fā)速度為0.51/8;則第二發(fā)光單元表示為:TCTA:1r(ppy)3/CBP:Firpic:MoO30
[0107](6)在第二藍(lán)光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件:第二電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，厚度為35納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s丨電子注入層的材料為碳酸銫(Cs2CO3)摻雜的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，表示為=Bphen:Cs2CO3,其中，碳酸銫(&20)3)與4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)質(zhì)量比為0.3:1，電子注入層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5\10_中&，蒸發(fā)速度為1人/^陰極的材料為銀(Ag)，
厚度為125納米，真空蒸鍍的真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度為3力3。
[0108]得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為SiGe/ 玻璃 /SiGe/PU/IT0SiGe/In203/NPB:Mo03/NPB/TCTA:1r (MDQ) 2 (acac) /TCTA:1r (ppy) 3/CBP: Firpic: Mo03/Bphen/Mo03/NPB: Μο03/ΝΡΒ/TCTA:1r (ppy) JCBP: Firpic: Mo03/Bphen/Bphen: Cs2CO3/Ag 的白光有機(jī)電致發(fā)光器件。本實(shí)施例制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率見表I。
[0109]實(shí)施例2
[0110]本實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為=SiGe/玻璃SiGe/PEN/AZO/SiGe/ZnS/TCTA: W03/TCTA/mCP: PQIr/mCP:1r (ppy) 2 (acac) /mCP: FIr6: V205/BCP/V205/TCTA: WO3/TCTA/mCP:1r (ppy) 2 (acac) /mCP: FIr6: V205/BCP/BCP: CsF/Al。
[0111]該實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0112](I)將厚度為0.3mm的玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后用烘箱烘干，將烘干后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；在玻璃基板兩面分別濺射制備第一抗反射層及第二抗反射層，膜層材料為鍺化硅；選取具有高折射率透明的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)作為折光層，折光層的一表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，每個(gè)凸起的底部的寬度為10微米，高度為10微米，相鄰兩個(gè)V型凸起之間的距離為10微米；將折光層形成有凸起的表面與第二抗反射層壓合，折光層與第二抗反射層之間形成多個(gè)空隙；然后在折光層的另一表面上沉積形成鋁鋅氧化物(AZO)透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層的厚度為150nm;采用磁控濺射的方式在透明導(dǎo)電層上依次制備第一短路減少層及第二短路減少層，第一短路減少層的材料鍺化硅，第二短路減少層的材料為硫化鋅，第一短路減少層與第二短路減少層的厚度為5納米，得到陽極，將陽極于80°C真空干燥15分鐘；陽極的結(jié)構(gòu)為=SiGe/玻璃/SiGe/PEN/AZO/SiGe/ZnS。
[0113](2)在第二短路減少層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層:第一空穴注入層的材料為三氧化鎢(WO3)摻雜的4，4’，4’ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，表示為:!'0^:103，其中，三氧化鎢(103)與4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)質(zhì)量比為0.25:1，第一空穴注入層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，WO3蒸發(fā)速度為0.lA/s；第一空穴傳輸層的材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為0.1人/s。
[0114](3)在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍第一發(fā)光單元，第一發(fā)光單元包括紅光發(fā)光層、第一綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層，在第一空穴傳輸層上依次真空蒸鍍形成紅光發(fā)光層、第一綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層:紅光發(fā)光層的材料為二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III) (PQIr)摻雜的9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)，表示為:mCP:PQIr，其中，二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III) (PQIr)與9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)的質(zhì)量比為0.005:1，紅光發(fā)光層的厚度為10納米，
真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S;第一綠光發(fā)光層的材料為乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy)2(acac))摻雜的 9，9’ -(1，3_ 苯基)二 -9H-咔唑(mCP)，表示為:mCP:1r (ppy)2 (acac),其中，乙酰丙酮酸二(2_苯基卩比唳)銥(Ir (ppy) 2 (acac))與9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)的質(zhì)量比為0.02:1，第一綠光發(fā)光層的厚度為10
納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s；第一藍(lán)光發(fā)光層的材料為雙
(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)與五氧化二釩(V2O5)共同摻雜的9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)，表示為 mCP:FIr6:V205，其中，雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)與9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)的質(zhì)量比為
0.05:1，五氧化二釩(V2O5)與9，9’-(1，3_苯基)二-9H-咔唑(mCP)的質(zhì)量比為0.05:1，第一藍(lán)光發(fā)光層的厚度為5納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s ;則第一發(fā)光單元表示為:mCP:PQIr/mCP:1r (ppy) 2 (acac) /mCP:FIr6: V205。
[0115](4)在第一藍(lán)光發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層:第一電子傳輸層的材料為4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)，厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度為0.1人&電荷產(chǎn)生層的材料為五氧化二釩(V2O5),厚度為5納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.lA/s；第二空穴注入層的材料為三氧化鎢(WO3)摻雜的4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，表示為:TCTA:W03，其中，三氧化鎢(WO3)與4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的質(zhì)量比為0.25:1，第二空穴注入層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為
5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/S;第二空穴傳輸層的材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1人/S。
[0116](5)在第二空穴傳輸層上真空蒸鍍第二發(fā)光單元，第二發(fā)光單元包括第二綠光發(fā)光層及第二藍(lán)光發(fā)光層，在第二空穴傳輸層上依次真空蒸鍍形成第二綠光發(fā)光層及第二藍(lán)光發(fā)光層:第二綠光發(fā)光層的材料為乙酰丙酮酸二( 2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy) 2 (acac))摻雜的 9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)，表示為:mCP:1r (ppy)2 (acac)，其中，乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy)2 (acac))與 9，9’-(1，3_ 苯基)二-9H-咔唑(mCP)的質(zhì)量比為002:1，第二綠光發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，
蒸發(fā)速度為0.1人/S;第二藍(lán)光發(fā)光層的材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)與五氧化二釩(V2O5)共同摻雜的9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑(mCP),表示為mCP:FIr6:V205，其中，雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)與9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)的質(zhì)量比為0.05:1，五氧化二釩(V2O5)與9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)的質(zhì)量比為0.05:1，第二藍(lán)光發(fā)光層的厚度為
10納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s ；則第二發(fā)光單元表示為:
mCP:1r (ppy)2 (acac) /mCP:FIr6: V2O5。
[0117](6)在第二藍(lán)光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件:第二電子傳輸層的材料為4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)，厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1人/s;電子注入層的材料為氟化銫(CsF)摻雜的4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)，表示為:BCP:CsF，其中，氟化銫(CsF)與4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)質(zhì)量比為0.25:1,電子注入層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，CsF蒸發(fā)速度為0.lA/s；陰極的材料為鋁(Al)，厚度為50納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s。
[0118]得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為SiGe/ 玻璃 /SiGe/PEN/AZO/SiGe/ZnS/TCTA:WO3/TCTA/mCP: PQIr/mCP:1r (ppy) 2 (acac) /mCP:FIr6: V205/BCP/V205/TCTA: W03/TCTA/mCP:1r (ppy) 2 (acac) /mCP:FIr6: V205/BCP/BCP: CsF/Al 的白光有機(jī)電致發(fā)光器件。本實(shí)施例制備的有白光機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率見表I。
[0119]實(shí)施例3
[0120]本實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為=SiGe/玻璃/SiGe/PI/IZO/SiGe/Sn02/CBP: V205/CBP/CBP: (fbi) 2Ir (acac) /CBP:1r (mppy) 3/CzS1: FCNIr: ff03/BAlq/ff03/CBP: V205/CBP/CBP:1r (mppy) 3/CzS1: FCNIr: W03/BAlq/BAlq: CsN3/Au。
[0121]該實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0122](I)將厚度為0.7mm的玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后用烘箱烘干，將烘干后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；在玻璃基板兩面分別濺射制備第一抗反射層及第二抗反射層，膜層材料為鍺化硅，第一抗反射層與第二抗反射層厚度為20納米；選取具有高折射率透明的聚酰亞胺(PI)作為折光層，折光層的一表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，每個(gè)凸起的底部的寬度為15微米，高度為15微米，相鄰兩個(gè)V型凸起之間的距離為15微米；將折光層形成有凸起的表面與第二抗反射層壓合，折光層與第二抗反射層之間形成多個(gè)空隙；然后在折光層的另一表面上沉積形成銦鋅氧化物(IZO)透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層的厚度為SOnm ;采用磁控濺射的方式在透明導(dǎo)電層上依次制備第一短路減少層及第二短路減少層，第一短路減少層的材料為鍺化硅，第二短路減少層的材料為氧化錫，第一短路減少層與第二短路減少層的厚度為5納米，得到陽極，將陽極于80°C真空干燥15分鐘；陽極的結(jié)構(gòu)為=SiGe/玻璃/SiGe/PI/IZ0/SiGe/Sn02。
[0123](2)在第二短路減少層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層:第一空穴注入層的材料為五氧化二鑰;(V2O5)摻雜的4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP),表不為:CBP = V2O5，其中，五氧化二釩(V2O5)與4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)質(zhì)量比為0.35:1，第一空穴注入層的厚度為15納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，V2O5蒸發(fā)速度為lA/s；第一空穴傳輸層的材料為4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，厚度為50納米，真空蒸鍍的真空度為
5父10-%，蒸發(fā)速度為2^4/8。
[0124](3)在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍第一發(fā)光單兀,第一發(fā)光單兀包括紅光發(fā)光層、第一綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層，紅光發(fā)光層的材料為二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III) ((fbi)2Ir(acac))摻雜的4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為:CBP: (fbi)2Ir(acac)，其中，二 [N-異丙基_2_ (4_氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III) ((fbi)2Ir (acac))與4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為002:1，紅光發(fā)光層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5\10_午&，蒸發(fā)速度為11/8;第一綠光發(fā)光層的材料為三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥(III) (Ir (mppy) 3)摻雜的4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為:CBP:1r (mppy)3，其中，三[2_(對甲苯基)吡啶]合銥(III) (Ir (mppy) 3)與4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為0.1:1，第一綠光發(fā)光層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為I人/s;第一藍(lán)光發(fā)光層的材料為三(2-( 4’，6’ - 二氟_5’ -氰基)苯基吡啶-N，C2’ )合銥(FCNIr)與三氧化鎢(WO3)共同摻雜的9-(4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi )，表示為 CzS1: FCNIr: WO3,其中，三(2_(4’，6’ - 二氟-5’-氰基)苯基吡啶_N，C2’ )合銥(FCNIr)與9-(4-叔丁苯基)-3，6_雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi )的質(zhì)量比為0.2:1，三氧化鎢(WO3)與9- (4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)的質(zhì)量比為0.1:1，第一藍(lán)光發(fā)光層的厚度為15納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;則第一發(fā)光單元表示為:CBP: (fbi) 2Ir (acac) /CBP:1r (mppy) 3/CzS1:FCNIr: WO3。
[0125](4)在第一藍(lán)光發(fā)光層上真空蒸鍍第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層:第一電子傳輸層的材料為4-聯(lián)苯酹基一二(2-甲基-8-輕基喹啉)合鋁(BAlq)，厚度為60納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S；電荷產(chǎn)生層的材料為三氧化鎢(WO3),厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為IA/S丨第二空穴注入層的材料為五氧化二釩(V2O5)摻雜的4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為:CBP:V205，其中，五氧化二釩(V2O5)與4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為
0.35:1，第二空穴注入層的厚度為15納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為IA/S；第二空穴傳輸層的材料為4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，厚度為50納米，真空蒸鍍的真空度為5父10-^，蒸發(fā)速度為21/3。
[0126](5)在第二空穴傳輸層上真空蒸鍍第二發(fā)光單元，第二發(fā)光單元包括第二綠光發(fā)光層及第二藍(lán)光發(fā)光層，第二綠光發(fā)光層的材料為三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥(III)(Ir (mppy) 3)摻雜的 4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為:CBP:1r (mppy) 3，其中，三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥(III) (Ir (mppy)3)與4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為0.1:1，
第二綠光發(fā)光層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5\10_中&，蒸發(fā)速度為1人/8;第二藍(lán)光發(fā)光層的材料為三(2- (4’，6’ - 二氟-5’ -氰基)苯基吡啶-N，C2’ )合銥(FCNIr)與三氧化鎢(WO3)共同摻雜的9- (4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi )，表示為CzS1:FCNIr:W03，其中，三(2- (4，，6，- 二氟-5’ -氰基)苯基吡啶-N, C2’ )合銥(FCNIr)與9- (4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi )的質(zhì)量比為0.2:1，三氧化鎢(WO3)與9- (4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi )的質(zhì)量比為0.1:1，第二藍(lán)光發(fā)光層的厚度為15納米，真空蒸鍍的真空度為5\10-中&，蒸發(fā)速度為1力3;則第二發(fā)光單元表不為:CBP:1r (mppy) 3/CzS1: FCNIr: WO30
[0127](6)在第二藍(lán)光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件:第二電子傳輸層的材料為4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)，厚度為60納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S電子注入層的材料為疊氮化銫(CsN3)摻雜的4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)，表示為:BAlq: CsN3，其中，疊氮化銫(CsN3)與4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基_8_羥基喹啉)合鋁(BAlq)的質(zhì)量比為0.35:1，電子注入層的厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?, CsN3蒸發(fā)速度為2A/S;陰極的材料為金(Au)，厚度為200納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為5A/S。
[0128]得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為SiGe/ 玻璃 /SiGe/PI/IZ0/SiGe/Sn02/CBP:V2O5/CBP/CBP: (fbi)2Ir (acac) /CBP:1r (mppy) 3/CzS1: FCNIr: ff03/BAlq/ff03/CBP: V205/CBP/CBP:1r (mppy) 3/CzS1:FCNIr: W03/BAlq/BAlq: CsN3/Au 的白光有機(jī)電致發(fā)光器件。本實(shí)施例制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率見表I。
[0129]實(shí)施例4
[0130]本實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為=SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/Si02/TPD: ReOs/TPD/TPD: (F-BT)2Ir (acac) /TPD:1r (ppy) 3/26DCz PPY: FIrtaz: Re03/Alq3/Re03/TPD: ReOs/TPD/TPD:1r (ppy) 3/26DCzPPY: FIrtaz: Re03/Alq3/Alq3: Li2CO3Ag0
[0131]該實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0132](I)將厚度為0.4mm的玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后用烘箱烘干，將烘干后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；在玻璃基板兩面分別濺射制備第一抗反射層及第二抗反射層，膜層材料為SiGe，第一抗反射層與第二抗反射層的厚度為15納米；選取具有高折射率透明的聚氨酯(PU)薄膜作為折光層，折光層的一表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，每個(gè)凸起的底部的寬度為20微米，高度為20微米，相鄰兩個(gè)V型凸起之間的距離為20微米；將折光層形成有凸起的表面與第二抗反射層壓合，折光層與第二抗反射層之間形成多個(gè)空隙；然后在折光層的另一表面上沉積形成ITO透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層的厚度為10nm;采用磁控濺射的方式在透明導(dǎo)電層上依次制備第一短路減少層及第二短路減少層，第一短路減少層的材料為鍺化硅，第二短路減少層的材料為二氧化硅，第一短路減少層與第二短路減少層的厚度為3納米，得到陽極，將陽極于80°C真空干燥15分鐘；陽極的結(jié)構(gòu)為=SiGe/玻璃/SiGe/PU/IT0/SiGe/Si02。
[0133](2)在第二短路減少層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層:第一空穴注入層的材料為三氧化錸(ReO3)摻雜的N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)，表示為:TPD = ReO3，其中，三氧化錸(ReO3)與N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)質(zhì)量比為0.3:1，第一空穴注入層的厚度為13納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，ReO3蒸發(fā)速度為0.5A/S;第一空穴傳輸層的材料為N，N，- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為I人/s
[0134](3)在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍第一發(fā)光單兀,第一發(fā)光單兀包括紅光發(fā)光層、第一綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層,紅光發(fā)光層的材料為二 [2- (2-氟苯基)-1，3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III) ((F-BT)2Ir(acac))摻雜的N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))，表示為:TPD: (F-BT)2Ir (acac)，其中，二[2- (2-氟苯基)-1，3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III) ((F-BT)2Ir(acac))與N，N，-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)的質(zhì)量比為0.01: 1，紅光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5\10_午&，蒸發(fā)速度為0.5人/5;第一綠光發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)摻雜的N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)，表示為:TPD:1r (ppy) 3，其中，三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)與N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)的質(zhì)量比為0.05:1，第一綠光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/s;第一藍(lán)光發(fā)光層的材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥(FIrtaz)與三氧化錸(ReO3)共同摻雜的2，6-雙(3_(9H_咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)，表示為 26DCzPPY:Firtaz = ReO3，其中，雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3_(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1, 2，4-三唑)合銥(FIrtaz)與2，6-雙(3- (9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)的質(zhì)量比為0.12:1，三氧化錸(ReO3)與2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)的質(zhì)量比為0.07:1，第一藍(lán)光發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5父10-^，蒸發(fā)速度為0.5人/5;則第一發(fā)光單元表示為:TPD: (F-BT)2Ir (acac)/TPD:1r (ppy) J26DCzPPY: FIrtaz: Re03。
[0135](4)在第一藍(lán)光發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層:第一電子傳輸層的材料為8-羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為IA/S;電荷產(chǎn)生層的材料為三氧化錸(ReO3),
厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/s;第二空穴注入層的材料為三氧化錸(ReO3)摻雜的N，N’ -二(3-甲基苯基)-N，N’ -二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)，表示為:TPD:Re03，其中，三氧化錸(ReO3)與N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))的質(zhì)量比為03:1，第二空穴注入層的厚度為12納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S；第二空穴傳輸層的材料為N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
I A/s ο
[0136](5)在第二空穴傳輸層上真空蒸鍍第二發(fā)光單元，第二發(fā)光單元包括第二綠光發(fā)光層及第二藍(lán)光發(fā)光層，第二綠光發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)摻雜的N，N，-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)，表示為:TPD:1r (ppy) 3，其中，三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)與N，N’ - 二( 3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TH))的質(zhì)量比為0.05:1，第二綠光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/S;第二藍(lán)光發(fā)光層的材料為雙(4，6_ 二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(卩比啶-2-基)-1，2，4_三唑)合銥(FIrtaz)與三氧化錸(ReO3)共同摻雜的2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)，表示為 26DCzPPY:Firtaz:Re03，其中，雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥(FIrtaz )與2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)的質(zhì)量比為0.12:1，三氧化錸(ReO3)與2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)的質(zhì)量比為0.07: 1，第二藍(lán)光發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5父10_中&，蒸發(fā)速度為0.5人/3;則第二發(fā)光單元表示為:TPD:1r (ppy) 3/26DCzPPY: FIrtaz: Re03。
[0137](6)在第二藍(lán)光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件:第二電子傳輸層的材料為8-羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5\10_中&，蒸發(fā)速度為11/8丨電子注入層的材料為碳酸鋰(Li2CO3)摻雜的8-羥基喹啉鋁(Alq3)，表示為=Alq3 = Li2CO3，其中，碳酸鋰(Li2CO3)與8_羥基喹啉鋁(Alq3)的質(zhì)量比為0.3:1，電子注入層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，Li2CO3蒸發(fā)速度為lA/s丨陰極的材料為銀(Ag)，厚度為100納米，真空蒸鍍的真空度為5父10-^，蒸發(fā)速度為21/3。
[0138]得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為SiGe/ 玻璃 /SiGe/PU/IT0/SiGe/Si02/Tro: Re03/TPD/TPD: (F-BT) 2Ir (acac) /TPD:1r (ppy) 3/26DCzPPY: FIrtaz: Re03/Alq3/Re03/TPD: Re03/T PD/TPD:1r (ppy) 3/26DCzPPY: FIrtaz: Re03/Alq3/Alq3: Li2CO3Ag 的白光有機(jī)電致發(fā)光器件。本實(shí)施例制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率見表I。
[0139]實(shí)施例5
[0140]本實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為=SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/In203/TAPC: Mo03/TAPC/TAPC:1r (btp) 2 (acac) /TAPC:1r (ppy) 2 (acac) /35DCzPPY: FIrN4: MoO3/TAZ/M0O3/TAPC: M0O3/TAPC/TAPC:1r (ppy) 2 (acac) /35DCzPPY: FIrN4: Μο03/ΤΑΖ/ΤΑΖ: LiF/Al。
[0141]該實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0142](I)將厚度為0.6mm的玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后用烘箱烘干，將烘干后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；在玻璃基板兩面分別濺射制備第一抗反射層及第二抗反射層，膜層材料為鍺化硅，第一抗反射層與第二抗反射層的厚度為15納米；選取具有高折射率透明的聚氨酯薄膜作為折光層，折光層的一表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，每個(gè)凸起的底部的寬度為11微米，高度為11微米，相鄰兩個(gè)V型凸起之間的距離為11微米；將折光層形成有凸起的表面與第二抗反射層壓合，折光層與第二抗反射層之間形成多個(gè)空隙；然后在折光層的另一表面上沉積形成ITO透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層的厚度為10nm ;采用磁控濺射的方式在透明導(dǎo)電層上依次制備第一短路減少層及第二短路減少層，第一短路減少層的材料為鍺化硅，第二短路減少層的材料為氧化銦，第一短路減少層與第二短路減少層的厚度為3納米，得到陽極，將陽極于80°C真空干燥15分鐘；陽極的結(jié)構(gòu)為=SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/In203。
[0143](2)在第二短路減少層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層:第一空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜的1，1-二 [4-[N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，表示為:TAPC = MoO3，其中，三氧化鑰(MoO3)與1，1-二 [4-[N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)的質(zhì)量比為0.25:1，第一空穴注入層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，MoO3蒸發(fā)速度為0.2人/S;第一空穴傳輸層的材料為1，1-二 [4-[N，N’-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為I A/s。
[0144](3)在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍第一發(fā)光單兀,第一發(fā)光單兀包括紅光發(fā)光層、第一綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層，紅光發(fā)光層的材料為二( 2-苯并噻吩-2-基-卩比唳)(乙酰丙酮)合銥(III) (Ir (btp)2 (acac))摻雜的 41，1- 二 [4_[N, N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，表示為:TAPC:1r(btp)2(acac)，其中，二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III) (Ir (btp)2 (acac))與 1，1- 二 [4_[N, N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)的質(zhì)量比為0.01:1，紅光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為0,5A/S;第一綠光發(fā)光層的材料為(Ir (ppy)2(acac))摻雜的1，1-二
[4- [N, N’ - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，表示為:TAPC:1r (ppy) 2 (acac)，其中，(Ir (ppy) 2 (acac))與 1，1- 二 [4_ [N, N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)的質(zhì)量比為0.07:1，第一綠光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/S;第一藍(lán)光發(fā)光層的材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥(FIrM)與三氧化鑰(MoO3)共同摻雜的3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶(35DCzPPY)，表示為 35DCzPPY:FIrN4:Mo03，其中，雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5_(吡啶-2-基)_四唑)合銥(FIrM)與3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶(35DCzPPY)的質(zhì)量比為0.12:1，三氧化鑰(MoO3)與3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶(35DCzPPY)的質(zhì)量比為0.07:1，第一藍(lán)光發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為 0.5A/S ；則第一發(fā)光單元表示為:TAPC:1r (btp) 2 (acac)/TAPC:1r (PPy)2 (acac)/35DCzPPY:FIrN4:Mo03。
[0145](4)在第一藍(lán)光發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層:第一電子傳輸層的材料為3_(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5 X W5Pa,蒸發(fā)速度為lA/K電荷產(chǎn)生層的材料為三氧化鑰(MoO3),厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為
5父10_午&，蒸發(fā)速度為0.4人/_5;第二空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜的1，1-二[4-[N，N’_ 二 (P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，表示為:TAPC = MoO3，其中，三氧化鑰(MoO3)與1，1-二 [4-[N，N’-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)的質(zhì)量比為0.28:1，第二空穴注入層的厚度為13納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為
0.5人/S;第二空穴傳輸層的材料為1，1-二 [4-[N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷
(TAPC)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為0.5/Vs。
[0146](5)在第二空穴傳輸層上真空蒸鍍第二發(fā)光單元，第二發(fā)光單元包括第二綠光發(fā)光層及第二藍(lán)光發(fā)光層，第二綠光發(fā)光層的材料為(Ir (ppy) 2 (acac))摻雜的1，1_ 二[4- [N, N’ - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，表示為:TAPC:1r (ppy) 2 (acac)，其中，(Ir (ppy) 2 (acac))與 1，1- 二 [4_ [N, N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)的質(zhì)量比為0.07:1，第二綠光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;第二藍(lán)光發(fā)光層的材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥(FIrM)與三氧化鑰(MoO3)共同摻雜的3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶(35DCzPPY)，表示為 35DCzPPY:FIrN4:Mo03，其中，雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5_(吡啶-2-基)_四唑)合銥(FIrM)與3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶(35DCzPPY)的質(zhì)量比為0.12:1，三氧化鑰(MoO3)與3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶(35DCzPPY)的質(zhì)量比為0.07:1，第二藍(lán)光發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為 0.5A/S ;則第二發(fā)光單元表示為:TAPC:1r (ppy)2 (acac)/3?CzPPY:FIrM:MoO3。
[0147](6)在第二藍(lán)光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件:第二電子傳輸層的材料為3_(聯(lián)苯-4-基)-5_(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，厚度為50納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為I人/S;電子注入層的材料為氟化鋰(LiF)摻雜的3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，表示為:TAZ:LiF，其中，氟化鋰(LiF)與3_(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)的質(zhì)量比為0.3:1，電子注入層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，LiF蒸發(fā)速度為lA/s陰極的材料為鋁(Al)，厚度為100納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為2人/S。
[0148]得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為SiGe/ 玻璃 /SiGe/PU/IT0/SiGe/In203/TAPC:Mo03/TAPC/TAPC:1r (btp) 2 (acac) /TAPC:1r (ppy) 2 (acac) /35DCzPPY: FIrN4: Mo03/TAZ/Mo03/TAPC: MoO3/TAPC/TAPC:1r (ppy) 2 (acac) /35DCzPPY: FIrM:Mo03/TAZ/TAZ: LiF/Al 的白光有機(jī)電致發(fā)光器件。本實(shí)施例制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在lOOOcd/m2下的流明效率見表I。
[0149]實(shí)施例6
[0150]本實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為=SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/ZnS/NPB:W03/NPB/ADN:1r (piq) 3/ADN:1r (mppy) 3/UGH2:Firpic: V205/TPBI/V205/NPB:WO3/NPB/ADN:1r (mppy) 3/UGH2:Firpic: V205/TPBI/TPB1:Li20/Al。
[0151]該實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0152](I)將厚度為0.5mm的玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后用烘箱烘干，將烘干后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；在玻璃基板兩面分別濺射制備第一抗反射層及第二抗反射層，膜層材料為鍺化硅，第一抗反射層與第二抗反射層的厚度為10納米；選取具有高折射率透明的聚氨酯薄膜作為折光層，折光層的一表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，每個(gè)凸起的底部的寬度為18微米，高度為18微米，相鄰兩個(gè)V型凸起之間的距離為18微米；將折光層形成有凸起的表面與第二抗反射層壓合，折光層與第二抗反射層之間形成多個(gè)空隙；然后在折光層的另一表面上沉積形成ITO透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層的厚度為10nm ;采用磁控濺射的方式在透明導(dǎo)電層上依次制備第一短路減少層及第二短路減少層，第一短路減少層的材料為鍺化硅，第二短路減少層的材料為硫化鋅，第一短路減少層與第二短路減少層的厚度為2納米，得到陽極，將陽極于80°C真空干燥15分鐘；陽極的結(jié)構(gòu)為=SiGe/玻璃/SiGe/PU/ITO/SiGe/ZnS。
[0153](2)在第二短路減少層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層:第一空穴注入層的材料為三氧化鎢(WO3)摻雜的N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(NPB)，表示為:NPB: WO3，其中，三氧化鎢(WO3)與N，N’-二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)質(zhì)量比為0.3:1，第一空穴注入層的厚度為12納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，WO3蒸發(fā)速度為0.3人/S;第一空穴傳輸層的材料為N，N，- (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為IA/S。
[0154](3)在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍第一發(fā)光單兀,第一發(fā)光單兀包括紅光發(fā)光層、第二綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層,在第一空穴傳輸層上依次真空蒸鍍形成紅光發(fā)光層、第二綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層:紅光發(fā)光層的材料為三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(Piq)3)摻雜的 9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)，表示為:ADN:1r (piq) 3，其中，三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(Piq)3)與9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)的質(zhì)量比為0.01:1，紅光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度為0.5人/5:第一綠光發(fā)光層的材料為三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥(III) (Ir (mppy)3)摻雜的9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)，表示為 ADN=Ir(Iiippy)3^11KH [2_(對甲苯基)卩比唳]合銥(III) (Ir (mppy)3)與9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)的質(zhì)量比為0.06:1，第一綠光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5\10_午&，蒸發(fā)速度為0.5人/5丨第一藍(lán)光發(fā)光層的材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)與五氧化二釩(V2O5)共同摻雜的1,4—雙(三苯基硅)苯(UGH2)，表示為UGH2:Firpic:V2O5，其中，雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)與1,4—雙(三苯基硅)苯(UGH2)的質(zhì)量比為0.12:1，五氧化二釩(V2O5)與1，4一雙(三苯基硅)苯(UGH2)的質(zhì)量比為0.07:1，第一藍(lán)光發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5父10_^，蒸發(fā)速度為0.51/8;則第一發(fā)光單元表示為:ADN:1r (Piq)3/ADN:1r (mppy) 3/UGH2:Firpic: V2O5。
[0155](4)在第一藍(lán)光發(fā)光層上真空蒸鍍第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層:第一電子傳輸層的材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)
苯(TPBI)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s；電荷產(chǎn)生層的材料為五氧化二釩(V2O5),厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.5A/S；第二空穴注入層的材料為三氧化鎢(WO3)摻雜的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(NPB)，表示為:NPB: WO3，其中，三氧化鎢(WO3)與N，N’-二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)的質(zhì)量比為0.3: 1，第二空穴注入層的厚度為12納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/S.，第二空穴傳輸層的材料為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為lA/s。
[0156](5)在第二空穴傳輸層上真空蒸鍍第二發(fā)光單元，第二發(fā)光單元包括第二綠光發(fā)光層及第二藍(lán)光發(fā)光層，在第二空穴傳輸層上依次真空蒸鍍形成第二綠光發(fā)光層及第二藍(lán)光發(fā)光層:第二綠光發(fā)光層的材料為三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥(III) (Ir(mppy)3)摻雜的9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)，表示為:ADN:1r(mppy)3，其中，三[2_(對甲苯基)吡啶]合銥(III) (Ir (mppy)3)與9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)的質(zhì)量比為0.06:1，第二綠光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5\10_午&，蒸發(fā)速度為()_5人么;第二藍(lán)光發(fā)光層的材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)與五氧化二釩(V2O5)共同摻雜的1,4—雙(三苯基硅)苯(邯!12)，表示為邯!12:卩1卬化:￥205，其中，雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)與1,4—雙(三苯基硅)苯(UGH2)的質(zhì)量比為
0.12:1，五氧化二釩(V2O5)與1，4—雙(三苯基硅)苯(UGH2)的質(zhì)量比為0.07:1，第二藍(lán)光發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/Si則第二發(fā)光單元表示為:ADN:1r (mppy) 3/UGH2:Firpic: V2O5。
[0157](6)在第二藍(lán)光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件:第二電子傳輸層的材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;
電子注入層的材料為氧化鋰(Li2O)摻雜的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，表示為:TPB1:Li20，其中，氧化鋰(Li2O)與1,3, 5-H (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)質(zhì)量比為0.3:1，電子注入層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，Li20蒸發(fā)速度為lA/s;陰極的材料為鋁(Al)厚度為100納米真空蒸鍍的真空度為5 X 1-5Pa蒸發(fā)速度為2為鋁(Al )，厚度為100納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為2人/S。
[0158]得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為SiGe/ 玻璃 SiGe/PU/IT0/SiGe/ZnS/NPB:W03/NPB/ADN:1r (piq) 3/ADN:1r (mppy) 3/UGH2:Firpic: V205/TPBI/V205/NPB: W03/NPB/ADN:1r (mppy) JUGH2:Firpic: V205/TPBI/TPB1: Li20/Al的白光有機(jī)電致發(fā)光器件。本實(shí)施例制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在lOOOcd/m2下的流明效率見表I。
[0159]表I表不的是實(shí)施例1?實(shí)施例6制備的有機(jī)電致發(fā)光器件在1000cd/m2下的流明效率數(shù)據(jù)。
[0160]表I
[0161]
~實(shí)施例~實(shí)施例~實(shí)施例~實(shí)施例實(shí)施例~實(shí)施例__I__2__3__4__5__6
*'f H月效
20.5 21 7 22.9 23 4 19.5 18.5率(lm/W)______
[0162]從表I中可以得知，實(shí)施例1?實(shí)施例6制備的有機(jī)電致發(fā)光器件在100cd/m2下的流明效率至少為18.51m/W，且實(shí)施例4制備的有機(jī)電致發(fā)光器件在lOOOcd/m2下的流明效率最大可達(dá)23.41m/W，而傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件(結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:W03/NPB/ADN:1r (piq) 3/ADN:1r (mppy) 3/UGH2:Firpic/TPBI/V205/NPB: W03/NPB/ADN:1r (mppy) JUGH2:Firpic/TPBI/TPB1:Li20/Al)在 1000cd/m2 下的流明效率最大僅為 101m/W，即說明實(shí)施例I?實(shí)施例6制備的有機(jī)電致發(fā)光器件具有較小的工作電流。
[0163]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光單兀、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光單元、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極；所述陽極包括依次層疊的第一抗反射層、玻璃基板、第二抗反射層、折光層、透明導(dǎo)電層、第一短路減少層及第二短路減少層，所述第一抗反射層及所述第二抗反射層的材料為鍺化硅；所述折光層靠近所述第二抗反射層的表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，所述V型凸起的末端與所述第二抗反射層抵接且粘合在一起；所述透明導(dǎo)電層層疊于所述折光層遠(yuǎn)離所述V型凸起的一側(cè)，所述第一短路減少層的材料為鍺化硅，所述第二短路減少層的材料選自氧化銦、硫化鋅、氧化錫及二氧化硅的至少一種；所述第一空穴注入層層疊于所述第二短路減少層上；所述第一發(fā)光單兀包括依次層疊的紅光發(fā)光層、第一綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層，所述紅光發(fā)光層層疊于所述第一空穴傳輸層上；所述第二發(fā)光單元包括第二綠光發(fā)光層及層疊于所述第二綠光發(fā)光層上的第二藍(lán)光發(fā)光層，且所述第二綠光發(fā)光層層疊于所述第二空穴傳輸層上；所述第一藍(lán)光發(fā)光層的材料包括第一藍(lán)光主體材料、摻雜在所述第一藍(lán)光主體材料中的第一藍(lán)光客體材料及第一電荷產(chǎn)生材料，所述第一藍(lán)光客體材料與所述第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.2:1,所述第一電荷產(chǎn)生材料與所述第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.1:1，所述第二藍(lán)光發(fā)光層的材料包括第二藍(lán)光主體材料、摻雜在所述第二藍(lán)光主體材料中的第二藍(lán)光客體材料及第二電荷產(chǎn)生材料，所述第二藍(lán)光客體材料與所述第二藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.2:1，所述第二電荷產(chǎn)生材料與所述第二藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.1:1 ;所述第一藍(lán)光主體材料及所述第二藍(lán)光主體材料選自4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)_9H_咔唑、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3_(9H_咔唑-9-基)苯基)吡啶及1,4—雙(三苯基娃)苯中的至少一種；所述第一藍(lán)光客體材料及所述第二藍(lán)光客體材料選自雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2- (4’，6’ - 二氟-5’ -氰基)苯基吡啶-N，C2’ )合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_ (3-(三氟甲基)-5-(卩比啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥及雙(4，6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥中的至少一種，所述第一電荷產(chǎn)生材料及所述第二電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的至少一種； 所述電荷產(chǎn)生層的材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述折光層的材料為折射率為1.7?1.9的透明塑料膜；每個(gè)V型凸起的底部的寬度為5微米?20微米，高度為5微米?20微米，且相鄰兩個(gè)V型凸起之間的距離為5微米?20微米；所述第一抗反射層及第二抗反射層的厚度均為10納米?20納米；所述透明導(dǎo)電層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物，厚度為80?150納米；所述第一短路減少層及所述第二短路減少層的厚度為2納米?5納米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光發(fā)光層的材料包括紅光主體材料及摻雜于所述紅光主體材料中的紅光客體材料，所述紅光客體材料與所述紅光主體材料的質(zhì)量比為0.005?0.02:1，所述紅光主體材料選自4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’ -(1，3-苯基)二-9H-咔唑、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺、1，1-二 [4-[N，N’_ 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷及9，10-雙(1-萘基)蒽中的至少一種，所述紅光客體材料選自二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二[N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [2-(2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III)及三(1-苯基-異喹啉)合銥中的至少一種； 所述第一綠光發(fā)光層的材料包括第一綠光主體材料及摻雜于所述第一綠光主體材料中的第一綠光客體材料，所述第一綠光客體材料與所述第一綠光主體材料的質(zhì)量比為0.02?0.10:1 ;所述第二綠光發(fā)光層的材料包括第二綠光主體材料及摻雜于所述第二綠光主體材料中第二綠光客體材料，所述第二綠光客體材料與所述第二綠光主體材料的質(zhì)量比為0.02?0.10:1 ;所述第一綠光主體材料及所述第二綠光主體材料選自4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺、1，1-二 [4-[N，N’-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷及9，10-雙(1-萘基)蒽中的至少一種；所述第一綠光客體材料及所述第二綠光客體材料選自三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥及三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥(III)中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光發(fā)光層的厚度為10納米?30納米；所述第一綠光發(fā)光層的厚度為10納米?30納米；所述第一藍(lán)光發(fā)光層的厚度為5納米?15納米；所述第二綠光發(fā)光層的厚度為10納米?30納米；所述第二藍(lán)光發(fā)光層的厚度為5納米?15納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料及摻雜于所述空穴傳輸材料中的P型摻雜材料，且所述第一空穴注入層中所述P型摻雜材料與所述空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1 ;所述第二空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料及摻雜于所述空穴傳輸材料中的P型摻雜材料，且所述第二空穴注入層中所述P型摻雜材料與所述空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1 ;所述空穴傳輸材料選自N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’- 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺及1，1- 二 [4-[N，N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的至少一種；所述P型摻雜材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的至少一種； 所述第一空穴傳輸層的材料及所述第二空穴傳輸層的材料選自N，N’-二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N，-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺及I, 1-二[4-[N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的至少一種； 所述第一電子傳輸層的材料及所述第二電子傳輸層的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅琳、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅琳、4_聯(lián)苯酌.基一二(2_甲基-8-輕基喧琳)合招、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種； 所述電子注入層的材料包括電子傳輸材料及摻雜于所述電子傳輸材料中的η型摻雜材料，所述η型摻雜材料與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1 ;所述電子傳輸材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4Η-1，2，4-三唑及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種；所述η型摻雜材料選自碳酸銫、氟化銫、疊氮化銫、碳酸鋰、氟化鋰及氧化鋰中的至少一種；及所述陰極的材料選自銀、鋁及金中的至少一種。
6.一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 在玻璃基板兩面分別濺射制備第一抗反射層與第二抗反射層； 將折光層壓制到玻璃基板的第二抗反射層上，所述折光層靠近所述第二抗反射層的表面形成多個(gè)長條狀的V型凸起，所述V型凸起的末端與所述第二抗反射層抵接且粘合在一起; 在所述折光層遠(yuǎn)離所述V型凸起的一側(cè)表面沉積透明導(dǎo)電層； 在所述透明導(dǎo)電層上依次磁控濺射制備第一短路減少層及第二短路減少層，所述第一抗反射層、玻璃基板、第二抗反射層、折光層、透明導(dǎo)電層、第一短路減少層及第二短路減少層組成陽極； 在所述第二短路減少層上依次蒸鍍制備第一空穴注入層及第一空穴傳輸層； 在所述第一空穴傳輸層上蒸鍍第一發(fā)光單元，所述第一發(fā)光單元包括依次層疊的紅光發(fā)光層、第一綠光發(fā)光層及第一藍(lán)光發(fā)光層；其中，所述第一藍(lán)光發(fā)光層的材料包括第一藍(lán)光主體材料、摻雜在所述第一藍(lán)光主體材料中的第一藍(lán)光客體材料及第一電荷產(chǎn)生材料，所述第一藍(lán)光客體材料與所述第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.2:1，所述第一電荷產(chǎn)生材料與所述第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.1:1，所述第一藍(lán)光主體材料選自4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、9，9’ -(1，3-苯基)二 -9Η-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9!1-咔唑、2，6-雙(3-(9Η-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3_(9Η_咔唑-9-基)苯基)吡啶及1，4—雙(三苯基硅)苯中的至少一種，所述第一藍(lán)光客體材料選自雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2- (4’，6’-二氟-5’-氰基)苯基吡啶-N，C2’)合銥、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1, 2，4-三唑)合銥及雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥中的至少一種，所述第一電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的至少一種； 在所述第一藍(lán)光發(fā)光層表面蒸鍍制備第一電子傳輸層； 在所述第一電子傳輸層表面蒸鍍制備電荷產(chǎn)生層，所述電荷產(chǎn)生層的材料選自三氧化鑰、三氧化鶴、五氧化二fL及三氧化錸中的至少一種； 在所述電荷產(chǎn)生層表面蒸鍍制備第二空穴注入層及第二空穴傳輸層； 在所述第二空穴傳輸層表面蒸鍍制備第二發(fā)光單元，所述第二發(fā)光單元包括第二綠光發(fā)光層及第二藍(lán)光發(fā)光層，所述第二藍(lán)光發(fā)光層的材料包括第二藍(lán)光主體材料、摻雜在所述第二藍(lán)光主體材料中的第二藍(lán)光客體材料及第二電荷產(chǎn)生材料，所述第二藍(lán)光客體材料與所述第一藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.2:1，所述第二電荷產(chǎn)生材料與所述第二藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.1:1，所述第二藍(lán)光主體材料選自4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶及1，4一雙(三苯基硅)苯中的至少一種，所述第二藍(lán)光客體材料選自雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2-(4'，6’ - 二氟-5’ -氰基)苯基吡啶-N, C2’)合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1, 2，4-三唑)合銥及雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥中的至少一種，所述第二電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的至少一種；及 在所述第二藍(lán)光發(fā)光層表面依次蒸鍍制備第二電子傳輸層、電子注入層及陰極，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，將折光層壓制到玻璃基板的第二抗反射層上之前還包括對所述玻璃基板進(jìn)行清洗的步驟；所述清洗的步驟為:將玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，然后干燥，再對洗凈的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一短路減少層的材料為鍺化硅，所述第二短路減少層的材料選自氧化銦、硫化鋅、氧化錫及二氧化硅的至少一種，所述第一短路減少層及所述第二短路減少層的厚度為2納米?5納米。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述第二短路減少層上蒸鍍形成所述第一空穴注入層之前先將所述陽極于60°C?80°C真空干燥15分鐘?30分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述折光層的材料為折射率為1.7?1.9的透明塑料；每個(gè)V型凸起的底部的寬度為5微米?20微米，高度為5微米?20微米，且相鄰兩個(gè)V型凸起之間的距離為5微米?20微米；所述透明導(dǎo)電層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物，所述透明導(dǎo)電層的厚度為80?150納米。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK104183722SQ201310193605
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月22日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司